JP4413488B2 - Pattern layout method for liquid crystal display device, apparatus therefor, and recording medium storing pattern layout program for liquid crystal display device - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スペーサを適切な領域に発生させる液晶表示装置用パターンレイアウト方法、その装置および液晶表示装置用パターンレイアウトプログラムを記憶した記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、テレビジョン表示やグラフィックスディスプレイなどの大型で高密度の液晶表示装置が開発されている。
【０００３】
このような液晶表示装置は、アレイ基板に対向基板を対向させ、これらアレイ基板および対向基板のそれぞれに配向膜を設け、これら配向膜を対向した状態でアレイ基板および対向基板を間隙を介して対向させて周辺領域をシール剤および封止剤で貼り合わせ、アレイ基板および対向基板間に液晶層を挟持している。
【０００４】
また、アレイ基板および対向基板間には、これらアレイ基板および対向基板間の距離を保持するために、たとえばフォトリソグラフィ法により形成された樹脂のスペーサ柱が配置され、カラー表示する場合には、アレイ基板または対向基板の一方に、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の着色層が配置されている。
【０００５】
また、液晶表示装置１は、図４１に示すように、中央に表示領域２を有し、この表示領域２の周囲の額縁領域３に表示領域２を駆動する駆動回路４が形成されている。このため、間隙を保持するスペーサ柱を配置するための配置領域５は液晶表示装置１の周辺部に集中的に配置される。
【０００６】
ところが、図４２に示すように、液晶表示装置１の周辺の配置領域５にも、たとえばセルの組立マーク６などが存在し、この組立マーク６とスペーサ柱とが重なると液晶表示装置１の組み立てができなくなるので、たとえば組立マーク６などの周囲にスペーサ柱を配置してはならない禁止領域７が多数存在する。
【０００７】
そして、アレイ基板を設計する際に、レイア概念を持った二次元平面図を描画できるＣＡＤシステムが用いられている（たとえば特許文献１参照）。
【０００８】
ここで、このようなＣＡＤシステムを用いた従来例の液晶表示装置のアレイ基板のスペーサ柱パターンを設計する方法について、図４３を参照して説明する。
【０００９】
まず、アレイ基板のスペーサ柱パターンを発生させる配置領域５を確認する（ステップ１）。
【００１０】
次に、図４４に示すように、この配置領域５内でスペーサ柱パターンを発生してはいけない禁止領域７を確認する（ステップ２）。
【００１１】
さらに、この禁止領域７を除く配置領域５上を覆い尽くすように発生領域８を設定し、この発生領域８にスペーサ柱パターンをマトリックス状に発生させる（ステップ３）。
【００１２】
そして、発生したマトリックス状のスペーサ柱パターンと禁止領域７に重なりがないか判定する（ステップ４）。
【００１３】
このステップ４で重なりがあると判断されるとステップ３に戻り、ステップ４で重なりがないと判断されるとマトリックス状のスペーサ柱パターンがない発生領域８がないか判断する（ステップ５）。
【００１４】
そして、ステップ４でマトリックス状のスペーサ柱がない発生領域８があると判断されるとステップ３に戻り、ステップ４で全ての発生領域８にマトリックス状のスペーサ柱パターンがあれば、アレイパターンおよびマトリックス状のスペーサ柱パターンを有するガラス基板パターンを保存する（ステップ６）。
【００１５】
このように従来の液晶表示装置のアレイ基板のスペーサ柱の設計では、全ての設計工程を手作業で進めなければならないとともに、マトリックス状のスペーサ柱パターンと禁止領域との重なり判断、全ての発生領域にマトリックス状のスペーサ柱パターンを発生できたか否かの判断を人手を介してしなければならず、繰り返し作業も多い。
【００１６】
なお、このような液晶表示装置のアレイ基板上のマトリックス状のスペーサ柱パターンを設計するためには、レイア概念を持った二次元平面図を描画できるＣＡＤシステムが一般に用いられる。そして、二次元平面を描画するためにＣＡＤシステムは、データベース上に原点とＸＹ軸を設定し、指定されたレイアによってアレイ基板のパターンが描画できる。また、レイアとはＣＡＤシステム上に描画されたパターンを表現する要素の一つで、アレイ基板の製造に用いるマスクをいい、ＣＡＤシステム上に描画されたデータベース上のパターンは、レイアと頂点座標リストによって最小構成が表される。
【００１７】
【特許文献１】
特開２００２−１６３３２３号公報（第３頁−第７頁）
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、マトリックス状のスペーサ柱パターンの発生作業では、禁止領域を避けて所定のサイズのマトリックス状のスペーサ柱を発生させなければならず、繰り返し作業が多く膨大な時間がかかる上に、人による判断が必要で、設計ミスのおそれがある問題を有している。
【００１９】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたもので、設計期間が大幅に短縮し設計効率の向上を図って必要な部分に確実にスペーサの発生が可能な液晶表示装置用パターンレイアウト方法、その装置および液晶表示装置用パターンレイアウトプログラムを記憶した記録媒体を提供することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、スペーサを発生させたい発生領域を長方形でない多角形で指定し、この発生領域内のスペーサの発生を禁止する禁止領域を長方形でない多角形で指定し、長方形でない多角形の発生領域を長方形に分割して形成し、長方形でない多角形の禁止領域を長方形に分割して形成し、この禁止領域で長方形に分割できなかった禁止領域を含む最小の長方形を形成し、この最小の長方形を禁止領域に加え、発生領域を分割した長方形群と禁止領域を分割した長方形群との座標に基づき、発生領域の長方形群を、禁止領域の長方形群を避けるようにさらに長方形に分割し、これら禁止領域を避けて分割した長方形の発生領域にスペーサを配置させるもので、長方形でない多角形の発生領域を長方形に分割して形成し、かつ、発生領域内の長方形でない多角形の禁止領域を長方形に分割して形成するとともに、この禁止領域で長方形に分割できなかった禁止領域を含む最小の長方形を形成してこの最小の長方形を禁止領域に加え、発生領域を分割した長方形群と禁止領域を分割した長方形群との座標に基づき、発生領域の長方形群を、禁止領域の長方形群を避けるようにさらに長方形に分割し、これら禁止領域を避けて分割した長方形の発生領域にスペーサを配置させることにより、効率的に発生領域および禁止領域を形成でき、簡単に必要な部分に確実にスペーサの発生を可能にする。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態の液晶表示装置用パターンレイアウト装置を図面を参照して説明する。なお、従来例で説明した部分に対応する部分については同一符号を付して説明する。
【００２２】
この実施の形態も、たとえば図４１に示す液晶表示装置１を形成する際に用いるもので、ステッパ式露光装置を用いる場合のコンピュータのＣＡＤシステムによる設計方法にも有効である。
【００２３】
すなわち、図４１に示すように、液晶表示装置１の表示領域２の周囲の額縁領域３に表示領域２を駆動する駆動回路４が形成され、これら表示領域２および額縁領域３を避けて、間隙を保持するスペーサ柱を配置するための配置領域５を液晶表示装置１の周辺部に集中的に配置している。
【００２４】
まず、一関連技術の基本的な動作について、図１に示すフローチャートを参照して説明する。
【００２５】
最初に、図形処理手段などを用いてアレイ基板パターンのスペーサ柱パターンを発生させなければならない配置領域５を配置領域指定手段により図２（ａ）に示すように長方形で指定する（ステップ11）。
【００２６】
次に、配置領域５内のスペーサ柱パターンを発生してはならない禁止領域７を禁止領域指定手段により長方形で指定する（ステップ12）。
【００２７】
そして、配置領域５内で禁止領域７でない領域を、長方形に分割し複数の発生領域８群を発生領域形成手段により図２（ｂ）に示すように形成する（ステップ13）。
【００２８】
このようにして、配置領域５内の長方形の禁止領域７を避けて、発生領域８を長方形に分割し、発生可能領域の長方形の頂点座標をファイルなどの記憶装置に保存し、この座標ファイルを用いてスペーサ配置手段によりスペーサ柱パターンをマトリックス状に発生させる（ステップ14）。
【００２９】
ここで、ステップ13の配置領域５内のスペーサ柱パターンを発生してはならない禁止領域７を長方形で指定することについての具体的な動作を、図３に示すフローチャートを参照して説明する。
【００３０】
まず、発生領域８の長方形の座標を保存するための配列ＣＯ、禁止領域７の長方形の座標を保存するための配列ＭＫ、作業用の配列ＵＮを、コンピュータ上の仮想記憶領域に確保し、初期化する（ステップ21）。
【００３１】
次に、配列ＭＫに禁止領域７の長方形を左上座標で比較して、図４に示すように、Ｙ座標が大きい順でＹ座標が同じ場合はＸ座標が小さい順にソーティングして保存する（ステップ22）。
【００３２】
そして、作業用配列ＵＮ［１］に発生領域８の座標を保存する（ステップ23）。さらに、ｉ＝１、ｊ＝１として（ステップ24）、ＵＮ［ｉ］とＭＫ［ｊ］に重なりがあるか検査する（ステップ25）。重なりがなければ、ｊがＪ以上であるか否かを判断し（ステップ26）、ｊがＪ以上になるまではステップ24に戻り、ｊがＪ以上になるまでｊ＝ｊ＋１として重なりを検査する（ステップ27）。
【００３３】
さらに、全てのｊに対してＵＮ［ｉ］とＭＫ［ｊ］に重なりがないときは、重なりがない場合の処理をする（ステップ28）。
【００３４】
一方、ステップ25で重なりがあるとされた場合は、重なりがある場合の処理をする（ステップ29）。
【００３５】
そして、これらステップ28またはステップ29の処理をした後は、作業用配列ＵＮにデータがあるかを確認し（ステップ30）、ある場合にはステップ24に戻り、ない場合には発生領域８の配列ＣＯの座標をファイルに書き出す（ステップ31）。
【００３６】
次に、ステップ28の重なりがない場合の処理について、図５に示すフローチャートを参照して説明する。
【００３７】
まず、重なりがない場合は、対象としたＵＮ［１］の内部に禁止領域７が存在しないということなので、ＵＮ［１］は全体が発生領域８となる。すなわち、発生領域８用の配列ＣＯ［Ｋ＋１］にＵＮ［１］の内容を代入する（ステップ41）。そして、配列ＣＯの配列数Ｋに１を加え（ステップ42）、ｉを１からＩ−１まで、ＵＮ［ｉ］にＵＮ［ｉ＋１］の内容を代入し（ステップ43）、作業用配列の配列数Ｉを−１する（ステップ44）。
【００３８】
次に、ステップ29で重なりがあるとした場合の処理について図６に示すフローチャートについて説明する。
【００３９】
まず、禁止領域７の配列ＭＫ［ｊ］がＵＮ［ｉ］に含まれるか判定し（ステップ51）、含まれると判断された場合には含まれている場合の処理をする（ステップ52）。
【００４０】
また、ステップ51で含まれないと判断された場合には禁止領域７の配列ＭＫ［ｊ］がＵＮ［ｉ］の上辺と重なるか判定し（ステップ53）、上辺に重なると判断された場合には上辺に重なる場合の処理をする（ステップ54）。
【００４１】
さらに、ステップ53で上辺と重ならないと判断された場合には禁止領域７の配列ＭＫ［ｊ］がＵＮ［ｉ］の左辺と重なるか判定し（ステップ55）、左辺に重なると判断された場合には左辺に重なる場合の処理をする（ステップ56）。
【００４２】
またさらに、ステップ55で左辺と重ならないと判断された場合には禁止領域７の配列ＭＫ［ｊ］がＵＮ［ｉ］の下辺と重なるか判定し（ステップ57）、下辺に重なると判断された場合には下辺に重なる場合の処理をする（ステップ58）。
【００４３】
そしてまた、ステップ57で下辺と重ならないと判断された場合にはいずれにも該当せず禁止領域７の配列ＭＫ［ｊ］がＵＮ［ｉ］の右辺と重なるので、右辺に重なると判断された場合には右辺に重なる場合の処理をする（ステップ59）。
【００４４】
ここで、ステップ52の禁止領域７の配列ＭＫ［ｊ］がＵＮ［ｉ］に含まれると判断された場合の処理について図７に示すフローチャートを参照して説明する。
【００４５】
まず、図８に示すように、禁止領域７の配列ＭＫ［ｊ］の上辺および下辺をＸ軸と変更に延ばした線分で作業配列ＵＮ［ｉ］の長方形の配置領域５を４つの長方形の発生領域８に分割し、禁止領域７の上辺側にある長方形を上辺側長方形、左辺側を左辺側長方形、下辺側を下辺側長方形、右辺側を右辺側長方形とし、それぞれ発生領域８を形成する（ステップ61）。
【００４６】
そして、上辺側長方形の発生領域８には禁止領域７は含まれていないので、発生領域８の配列ＣＯ［Ｋ＋１］に上辺側長方形の座標を代入する（ステップ62）。
【００４７】
次に、配列ＣＯの個数Ｋに１を加え（ステップ63）、ＵＮ［Ｉ＋１］に左辺側長方形の発生領域８の座標を代入し（ステップ64）、ＵＮ［Ｉ＋２］に下辺側長方形の発生領域８の座標を代入し（ステップ65）、ＵＮ［Ｉ＋３］に右辺側長方形の発生領域８の座標を代入し（ステップ66）、配列ＵＮの個数Ｉに３を加える（ステップ67）。
【００４８】
そして、ｉを１からＩ−１まで、ＵＮ［ｉ］にＵＮ［ｉ＋１］の内容を代入し（ステップ68）、作業用配列の配列数Ｉを−１する（ステップ69）。
【００４９】
次に、ステップ54の禁止領域７の配列ＭＫ［ｊ］がＵＮ［ｉ］の上辺と重なると判断された場合の処理について図９に示すフローチャートを参照して説明する。
【００５０】
まず、図１０に示すように、禁止領域７の配列ＭＫ［ｊ］の下辺をＸ軸と変更に延ばした線分で作業配列ＵＮ［ｉ］の長方形の配置領域５を３つの長方形の発生領域８に分割し、禁止領域７の左辺側を左辺側長方形、下辺側を下辺側長方形、右辺側を右辺側長方形とし、それぞれ発生領域８を形成する（ステップ71）。
【００５１】
そして、ＵＮ［Ｉ＋１］に左辺側長方形の発生領域８の座標を代入し（ステップ72）、ＵＮ［Ｉ＋２］に下辺側長方形の発生領域８の座標を代入し（ステップ73）、ＵＮ［Ｉ＋３］に右辺側長方形の発生領域８の座標を代入し（ステップ74）、配列ＵＮの個数Ｉに３を加える（ステップ75）。
【００５２】
また、ｉを１からＩ−１まで、ＵＮ［ｉ］にＵＮ［ｉ＋１］の内容を代入し（ステップ76）、作業用配列の配列数Ｉを−１する（ステップ77）。
【００５３】
また、ステップ52の禁止領域７の配列ＭＫ［ｊ］がＵＮ［ｉ］の左辺に重なると判断された場合の処理について図１１に示すフローチャートを参照して説明する。
【００５４】
まず、図１２に示すように、禁止領域７の配列ＭＫ［ｊ］の上辺および下辺をＸ軸と変更に延ばした線分で作業配列ＵＮ［ｉ］の長方形の配置領域５を３つの長方形の発生領域８に分割し、禁止領域７の上辺側にある長方形を上辺側長方形、下辺側を下辺側長方形、右辺側を右辺側長方形とし、それぞれ発生領域８を形成する（ステップ81）。
【００５５】
そして、上辺側長方形の発生領域８には禁止領域７は含まれていないので、発生領域８の配列ＣＯ［Ｋ＋１］に上辺側長方形の座標を代入する（ステップ82）。
【００５６】
次に、配列ＣＯの個数Ｋに１を加え（ステップ83）、ＵＮ［Ｉ＋１］に下辺側長方形の発生領域８の座標を代入し（ステップ84）、ＵＮ［Ｉ＋２］に右辺側長方形の発生領域８の座標を代入し（ステップ85）、配列ＵＮの個数Ｉに２を加える（ステップ86）。
【００５７】
そして、ｉを１からＩ−１まで、ＵＮ［ｉ］にＵＮ［ｉ＋１］の内容を代入し（ステップ87）、作業用配列の配列数Ｉを−１する（ステップ88）。
【００５８】
さらに、ステップ52の禁止領域７の配列ＭＫ［ｊ］がＵＮ［ｉ］の下辺に重なると判断された場合の処理について図１３に示すフローチャートを参照して説明する。
【００５９】
まず、図１４に示すように、禁止領域７の配列ＭＫ［ｊ］の上辺をＸ軸と変更に延ばした線分で作業配列ＵＮ［ｉ］の長方形の配置領域５を３つの長方形の発生領域８に分割し、禁止領域７の上辺側にある長方形を上辺側長方形、左辺側を左辺側長方形、右辺側を右辺側長方形とし、それぞれ発生領域８を形成する（ステップ91）。
【００６０】
そして、上辺側長方形の発生領域８には禁止領域７は含まれていないので、発生領域８の配列ＣＯ［Ｋ＋１］に上辺側長方形の座標を代入する（ステップ92）。
【００６１】
次に、配列ＣＯの個数Ｋに１を加え（ステップ93）、ＵＮ［Ｉ＋１］に左辺側長方形の発生領域８の座標を代入し（ステップ94）、ＵＮ［Ｉ＋２］に右辺側長方形の発生領域８の座標を代入し（ステップ95）、配列ＵＮの個数Ｉに２を加える（ステップ96）。
【００６２】
そして、ｉを１からＩ−１まで、ＵＮ［ｉ］にＵＮ［ｉ＋１］の内容を代入し（ステップ97）、作業用配列の配列数Ｉを−１する（ステップ98）。
【００６３】
またさらに、ステップ52の禁止領域７の配列ＭＫ［ｊ］がＵＮ［ｉ］の右辺に重なると判断された場合の処理について図１５に示すフローチャートを参照して説明する。
【００６４】
まず、図１６に示すように、禁止領域７の配列ＭＫ［ｊ］の上辺および下辺をＸ軸と変更に延ばした線分で作業配列ＵＮ［ｉ］の長方形の配置領域５を３つの長方形の発生領域８に分割し、禁止領域７の上辺側にある長方形を上辺側長方形、左辺側を左辺側長方形、下辺側を下辺側長方形とし、それぞれ発生領域８を形成する（ステップ101）。
【００６５】
そして、上辺側長方形の発生領域８には禁止領域７は含まれていないので、発生領域８の配列ＣＯ［Ｋ＋１］に上辺側長方形の座標を代入する（ステップ102）。
【００６６】
次に、配列ＣＯの個数Ｋに１を加え（ステップ103）、ＵＮ［Ｉ＋１］に左辺側長方形の発生領域８の座標を代入し（ステップ104）、ＵＮ［Ｉ＋２］に下辺側長方形の発生領域８の座標を代入し（ステップ105）、配列ＵＮの個数Ｉに２を加える（ステップ106）。
【００６７】
そして、ｉを１からＩ−１まで、ＵＮ［ｉ］にＵＮ［ｉ＋１］の内容を代入し（ステップ107）、作業用配列の配列数Ｉを−１する（ステップ108）。
【００６８】
このようにして、配置領域５の長方形を禁止領域７の長方形を避けて、発生領域８の長方形に分割することができ、発生可能領域の長方形の頂点座標をファイルに保存できる。なお、いずれも配置領域５、禁止領域７および発生領域８長方形にすることにより、データ処理が簡単になり、データ処理時間を短くできる。
【００６９】
さらに、ステップ14で配置領域５内の長方形の禁止領域７を避けて発生領域８を長方形に分割し、発生領域８の長方形の頂点座標をファイルに保存し、この座業ファイルを用いてスペーサ柱パターンをマトリックス状に発生させることを、図１７に示すフローチャートを参照して説明する。
【００７０】
まず、ファイルに保存した発生可能領域の頂点座標を読み込む（ステップ111）。
【００７１】
また、Ｋ＝１として（ステップ112）、ｋ番目の発生可能領域内にスペーサ柱パターンをマトリックス状に発生させ、全ての発生領域についての処理する（ステップ113）。
【００７２】
そして、全ての発生領域８内にスペーサ柱パターンをマトリックス状に発生させ、全ての発生領域８内にスペーサ柱パターンがマトリックス状に発生したか否かを判断し（ステップ114）、ｋ＝ｋ＋１として（ステップ115）ステップ113に戻り、ガラス基板パターンをハードディスク上などの記憶装置に保存する（ステップ116）。
【００７３】
このようにすることで、指定した配置領域５内の禁止領域７を除いた部分の発生領域８内にスペーサ柱パターンをマトリックス状に発生させたガラス基板パターンを、容易に作成できる。
【００７４】
従来例では、スペーサ柱パターンをマトリックス状に発生させるのに５時間かかっていたが、上記関連技術によれば、発生作業が１時間になり、１／５に短縮され、設計ミスの低減が達成できた。
【００７５】
次に、図４に示す配置領域５から禁止領域７を除いた部分に発生領域８を形成する具体的な動作について図１８ないし図２３を参照して説明する。
【００７６】
まず、図４に示すように、配置領域５内の５つの禁止領域７をソーティングする。
【００７７】
そして、配置領域５内には５つの第１ないし第５の禁止領域７が含まれているので、ステップ52により、図８に示すように、第１番目の禁止領域７の上辺および下辺をＸ軸方向に延長し、４つの長方形の発生領域８を分割して形成する。
【００７８】
次に、第１および第２の発生領域８には禁止領域７が含まれないので、第１および第２の発生領域８はステップ28の重なりがない処理をし、第３の発生領域８は第２および第３の禁止領域７の上辺が重なっているので、ステップ54により、第２の禁止領域７の下辺をＸ軸方向に延長し、図１８に示す第３の発生領域８を、図１９に示すように３つの第３ないし第５の発生領域８に分割する。また、第４の発生領域８は、第６の発生領域８とする。
【００７９】
また、第３の発生領域８には禁止領域７が含まれないので、第３の発生領域８はステップ28の重なりがない処理をし、第４の発生領域８は第４および第５の禁止領域７が含まれているので、ステップ52により、第４の禁止領域７の上辺および下辺をＸ軸方向に延長し、図１９に示す第４の発生領域８を、図２０に示すように４つの第４ないし第７の発生領域８に分割する。また、第５および第６の発生領域８は、第８および第９の発生領域８とする。
【００８０】
さらに、第４および第５の発生領域８には禁止領域７が含まれないので、第４および第５の発生領域８はステップ28の重なりがない処理をし、第６の発生領域８は第５の禁止領域７が含まれているので、ステップ54により、第４の禁止領域７の下辺をＸ軸方向に延長し、図２０に示す第４の発生領域８を、図２１に示すように３つの第６ないし第８の発生領域８に分割する。また、第７ないし第９の発生領域８は、第９ないし第１１の発生領域８とする。
【００８１】
またさらに、第６ないし第８の発生領域８には禁止領域７が含まれないので、第６ないし第８の発生領域８はステップ28の重なりがない処理をし、第９の発生領域８は第５の禁止領域７が含まれているので、ステップ58により、第５の禁止領域７の上辺をＸ軸方向に延長し、図２１に示す第９の発生領域８を、図２２に示すように３つの第９ないし第１１の発生領域８に分割する。また、第１０および第１１の発生領域８は、第１２および第１３の発生領域８とする。
【００８２】
そして、第９ないし第１１の発生領域８には禁止領域７が含まれないので、第９ないし第１１の発生領域８はステップ28の重なりがない処理をし、第１２の発生領域８は第３の禁止領域７が含まれているので、第３の禁止領域７により、図２２に示す第１２の発生領域８を、図２３に示すように２つの第１２および第１３の発生領域８に分割する。また、第１３の発生領域８は、第４の発生領域８とする。
【００８３】
このように、配置領域５を禁止領域７を避けて１４の発生領域８に分割し、それぞれの発生領域８にスペーサ柱のマトリックスを配置して、禁止領域７内にスペーサ柱パターンを発生させることなく、発生領域８内に確実にスペーサ柱パターンをマトリックス状に発生させることにより短時間で高精度な液晶表示装置用パターンレイアウトを形成する。
【００８４】
次に、一実施の形態について説明する。
【００８５】
まず、本実施の形態の基本的な動作について、図２４に示すフローチャートを参照して説明する。なお、＊はパターン間のＡＮＤ、＋はパターン間のＯＲ、−はパターンとパターンの削除を示す。
【００８６】
最初に、図形処理手段などを用いてアレイ基板パターンのどの領域にスペーサ柱パターンを発生させなければならないかの発生領域を多角形で指定する（ステップ121）。次に、スペーサ柱パターンを発生してはならない発生禁止領域を多角形で指定する（ステップ122）。
【００８７】
そして、ステップ121で指定した発生領域となる発生領域パターンを長方形のパターン群に分割する（ステップ123）。
【００８８】
ここで、ステップ123の工程について図２５を参照して説明する。
【００８９】
まず、初期値としてスペーサ柱パターンの最小線間隔をｉに代入する（ステップ131）。次に、図２６のように認識したパターン全てに対してＡとラベル付けする。この時点で発生領域分割パターンが既にあればＢとし、認識した発生領域分割パターン全てに対してＢとラベル付けする。なお、図２６に示す状態では発生領域分割パターンは存在していない。次に、図２７に示すように、Ａ、Ｂそれぞれのパターンの辺をそれぞれ辺ＡＥ、辺ＢＥとする(ステップ132)。なお、図２７の点線は辺ＡＥのみを示している。
【００９０】
そして、ステップ132で求めた辺ＡＥ、辺ＢＥに対して、辺ＡＥまたは辺ＢＥから、辺ＡＥであり辺ＢＥである辺を除いた辺であるとともに、辺ＡＥである辺を辺ＣＥとする（ステップ133）。また、平行な辺ＣＥ同士で、それぞれの辺ＣＥが対向する辺となる長方形を形成し、辺ＣＥの間隔がｉ以下となる長方形を長方形ＣＯとする（ステップ134）。さらに、長方形ＣＯの中でＡまたはＢに重ならない長方形を長方形Ｃとする（ステップ135）。そして、図２８に示すアパターンおよびイパターンを長方形Ｃを発生領域分割パターン、Ｂパターンとして保存する（ステップ136）また、ｉが最大線間隔を超えているか否かを判断し（ステップ137）、ｉが最大線間隔を超えていなければ、ｉに抽出ステップ幅を加えてｉとし（ステップ138）、図２９に示すように、ステップ132に戻りステップ137までのフローを繰り返す。そして、ｉが最大線間隔を超えていれば、Ｂパターンを発生領域分割パターンとして長方形パターンの集合が得られ、これら長方形パターンを保存する（ステップ139）。
【００９１】
次に、ステップ122で指定した発生禁止領域パターンを長方形のパターン群に分割する（ステップ124）。
【００９２】
このステップ124では、図３０に示すように、初期値として最小線間隔をｉに代入する（ステップ141）。次に、図３１に示すように認識したパターン全てに対してＤとラベル付けし、この時点で発生禁止領域分割パターンが既にあれば、認識した発生領域分割パターン全てに対してＥとラベル付けする。なお、図３１にはＥとラベル付けされる該当パターンはない。そして、Ｄ、Ｅそれぞれのパターンの辺をそれぞれ辺ＤＥ、辺ＥＥとする（ステップ142）。
【００９３】
そして、ステップ142で求めた辺ＤＥ、辺ＥＥに対して、辺ＤＥまたは辺ＥＥから、辺ＤＥであり辺ＥＥである辺を除いた辺であるとともに、辺ＤＥである辺を辺ＦＥとする（ステップ143）。また、平行な辺ＦＥ同士で、それぞれの辺ＦＥが対向する辺となる長方形を形成し、辺ＦＥの間隔がｉ以下となる長方形を長方形ＦＯとする（ステップ144）さらに、長方形ＦＯの中でＤまたはＥに重ならない長方形を長方形Ｆとする（ステップ145）。そして、図３１に示す長方形Ｆを発生禁止領域分割パターン、Ｅパターンとして保存する（ステップ146）。また、ｉが最大線間隔を超えているか否かを判断し（ステップ147）、ｉが最大線間隔を超えていなければ、ｉに抽出ステップ幅を加えてｉとし（ステップ148）、図３２に示すように、ステップ142に戻りステップ147までのフローを繰り返す。そして、ｉが最大線間隔を超えていれば、発生禁止パターンＤで発生禁止分割パターンＥとならなかった領域があるか判定する（ステップ149）。
【００９４】
さらに、たとえば図３２に示す場合は、三角形状のパターンが残ることになる。三角形領域が残っている場合は、図３３に示す三角形は図３４に示す長方形に、図３５に示す三角形は図３６に示す長方形に、それぞれ三角形領域を含む最小の長方形を発生禁止領域パターンＥに加える（ステップ150）。そして、このように形成されたＥパターンを発生禁止領域分割パターンとして長方形パターンの集合が得られ、これら長方形パターンを保存する（ステップ151）。
【００９５】
このようにして、ステップ123およびステップ124により、対象パターンが発生領域の場合には図３７に示すように、対象パターンが発生禁止領域の場合には図３８に示すように、それぞれ長方形パターンが形成される。
【００９６】
次に、発生領域分割パターンから、発生禁止領域分割パターンを避けるように、長方形に分割する（ステップ125）。このステップ125は、上記関連技術の図１のステップ13と同様に処理する。
【００９７】
このようにして、発生領域の多角形を、発生禁止領域の多角形を避けて発生可能領域の長方形に分割することができ、発生可能領域の長方形の頂点座標をファイルに保存できる。この頂点座標ファイルを用いてスペーサ柱パターンをマトリックス状に発生させ、全ての発生領域内にスペーサ柱パターンをマトリックス状に発生させたガラス基板パターンをハードディスク上に保存する（ステップ126）。
【００９８】
したがって、指定した発生領域内の発生禁止領域を除いた部分にスペーサ柱パターンをマトリックス状に発生させたガラス基板パターンを、容易に作成することができる。
【００９９】
特に、上記関連技術に比べ、本実施の形態では、スペーサ柱パターンをマトリックス状に発生させるのに２時間かかっていたのに対し、発生作業が１時間になり、１／２に短縮され、さらに、設計ミスの低減が達成できる。また、本実施の形態によれば、図３９に示すように発生禁止領域同士が重なって、図４０に示すように発生禁止領域が多角形になっても、発生禁止領域の重なりがないかの判断を人手を介して確認する必要なく、正常にスベーサ柱パターンのマトリックスを発生できる。
【０１００】
なお、パターンの認識、発生には、ＤＲＣツールを利用してもよい。
【０１０１】
また、上述のプログラムを、光学あるいは磁気ディスク、その他の液晶表示装置用パターンレイアウトプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記憶させて用いても同様の効果を得ることができる。
【０１０２】
【発明の効果】
本発明によれば、長方形でない多角形の発生領域を長方形に分割して形成し、かつ、発生領域内の長方形でない多角形の禁止領域を長方形に分割して形成するとともに、この禁止領域で長方形に分割できなかった禁止領域を含む最小の長方形を形成してこの最小の長方形を禁止領域に加え、発生領域を分割した長方形群と禁止領域を分割した長方形群との座標に基づき、発生領域の長方形群を、禁止領域の長方形群を避けるようにさらに長方形に分割し、これら禁止領域を避けて分割した長方形の発生領域にスペーサを配置させることにより、効率的に発生領域および禁止領域を形成でき、簡単に必要な部分に確実にスペーサの発生を可能にできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一関連技術のアレイ基板パターンのスペーサ柱パターンを発生させる動作を示すフローチャートである。
【図２】 同上スペーサ柱パターンを形成するための配置領域を禁止領域を避けて分割して発生領域を形成する説明図である。
【図３】 同上スペーサ柱パターンを形成するための配置領域を禁止領域を避けて分割して発生領域を形成する動作を示すフローチャートである。
【図４】 同上禁止領域が複数ある場合のソーティングを示す説明図である。
【図５】 同上配置領域に禁止領域がない場合の動作を示すフローチャートである。
【図６】 同上配置領域に禁止領域がある場合の動作を示すフローチャートである。
【図７】 同上発生領域に禁止領域が含まれる場合の動作を示すフローチャートである。
【図８】 同上発生領域に禁止領域が含まれる状態を示す説明図である。
【図９】 同上発生領域に禁止領域の上辺と重なる場合の動作を示すフローチャートである。
【図１０】 同上発生領域に禁止領域の上辺が重なる状態を示す説明図である。
【図１１】 同上発生領域に禁止領域の左辺と重なる場合の動作を示すフローチャートである。
【図１２】 同上発生領域に禁止領域の左辺が重なる状態を示す説明図である。
【図１３】 同上発生領域に禁止領域の下辺と重なる場合の動作を示すフローチャートである。
【図１４】 同上発生領域に禁止領域の下辺が重なる状態を示す説明図である。
【図１５】 同上発生領域に禁止領域の右辺と重なる場合の動作を示すフローチャートである。
【図１６】 同上発生領域に禁止領域の右辺が重なる状態を示す説明図である。
【図１７】 同上分割した発生領域にスペーサ柱パターンを発生させる動作を示すフローチャートである。
【図１８】 同上配置領域内の禁止領域を避けて発生領域を具体的に分割形成する状態を示す説明図である。
【図１９】 同上配置領域内の禁止領域を避けて発生領域を分割形成する図１８の次の状態を示す説明図である。
【図２０】 同上配置領域内の禁止領域を避けて発生領域を分割形成する図１９の次の状態を示す説明図である。
【図２１】 同上配置領域内の禁止領域を避けて発生領域を分割形成する図２０の次の状態を示す説明図である。
【図２２】 同上配置領域内の禁止領域を避けて発生領域を分割形成する図２１の次の状態を示す説明図である。
【図２３】 同上配置領域内の禁止領域を避けて発生領域を分割形成する図２２の次の状態を示す説明図である。
【図２４】 同上一実施の形態のアレイ基板パターンのスペーサ柱パターンを発生させる動作を示すフローチャートである。
【図２５】 同上発生領域を指定する動作を示すフローチャートである。
【図２６】 同上発生領域パターンを示す説明図である。
【図２７】 同上図２６の発生領域パターンの分割を示す説明図である。
【図２８】 同上図２７の発生領域パターンの分割を示す説明図である。
【図２９】 同上図２８の発生領域パターンの分割を示す説明図である。
【図３０】 同上発生禁止領域を指定する動作を示すフローチャートである。
【図３１】 同上発生禁止領域パターンを示す説明図である。
【図３２】 同上図３１の発生禁止領域パターンの分割を示す説明図である。
【図３３】 同上三角形領域の発生禁止パターンを示す説明図である。
【図３４】 同上三角形領域の発生禁止パターンを長方形にした状態を示す説明図である。
【図３５】 同上他の三角形領域の発生禁止パターンを示す説明図である。
【図３６】 同上三角形領域の発生禁止パターンを長方形にした状態を示す説明図である。
【図３７】 同上対象パターンが発生領域の場合の長方形パターンを示す説明図である。
【図３８】 同上対象パターンが発生禁止領域の場合の長方形パターンを示す説明図である。
【図３９】 同上発生禁止領域同士が重なった状態を示す説明図である。
【図４０】 同上発生禁止領域が多角形の状態を示す説明図である。
【図４１】 同上配置パターンを示す説明図である。
【図４２】 同上配置パターンの禁止領域を拡大して示す説明図である。
【図４３】 従来例のアレイ基板パターンのスペーサ柱パターンを発生させる動作を示すフローチャートである。
【図４４】 従来例のアレイ基板パターンのスペーサ柱パターンを発生させる状態を示す説明図である。
【符号の説明】
７ 禁止領域
８ 発生領域[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a pattern layout method for a liquid crystal display device that generates spacers in an appropriate region, the device, and a recording medium that stores a pattern layout program for a liquid crystal display device.
[0002]
[Prior art]
In recent years, large and high-density liquid crystal display devices such as television displays and graphics displays have been developed.
[0003]
In such a liquid crystal display device, a counter substrate is opposed to the array substrate, an alignment film is provided on each of the array substrate and the counter substrate, and the array substrate and the counter substrate are opposed to each other with a gap in a state where the alignment films are opposed to each other. The peripheral region is bonded with a sealant and a sealant, and the liquid crystal layer is sandwiched between the array substrate and the counter substrate.
[0004]
Further, in order to maintain the distance between the array substrate and the counter substrate, for example, a resin spacer column formed by a photolithography method is arranged. A colored layer of red (R), green (G), and blue (B) is disposed on one of the substrate and the counter substrate.
[0005]
As shown in FIG. 41, the liquid crystal display device 1 has a display area 2 in the center, and a drive circuit 4 for driving the display area 2 is formed in a frame area 3 around the display area 2. For this reason, the arrangement region 5 for arranging the spacer columns for holding the gaps is intensively arranged in the peripheral portion of the liquid crystal display device 1.
[0006]
However, as shown in FIG. 42, for example, an assembly mark 6 of a cell is also present in the arrangement region 5 around the liquid crystal display device 1, and when the assembly mark 6 and the spacer column overlap, the assembly of the liquid crystal display device 1 is performed. For example, there are a large number of prohibited areas 7 in which spacer columns should not be arranged around the assembly mark 6 or the like.
[0007]
In designing an array substrate, a CAD system that can draw a two-dimensional plan view having a layer concept is used (for example, see Patent Document 1).
[0008]
Here, a method for designing the spacer column pattern of the array substrate of the conventional liquid crystal display device using such a CAD system will be described with reference to FIG.
[0009]
First, the arrangement region 5 where the spacer column pattern of the array substrate is generated is confirmed (step 1).
[0010]
Next, as shown in FIG. 44, the prohibited area 7 in which the spacer column pattern should not be generated is confirmed in the arrangement area 5 (step 2).
[0011]
Further, the generation region 8 is set so as to cover the arrangement region 5 excluding the prohibition region 7, and a spacer column pattern is generated in the generation region 8 in a matrix (step 3).
[0012]
Then, it is determined whether or not the generated matrix spacer column pattern overlaps the prohibited area 7 (step 4).
[0013]
If it is determined in step 4 that there is an overlap, the process returns to step 3, and if it is determined in step 4 that there is no overlap, it is determined whether there is an occurrence region 8 without a matrix spacer column pattern (step 5).
[0014]
If it is determined in step 4 that there is a generation region 8 having no matrix-like spacer pillars, the process returns to step 3, and if there are matrix-like spacer pillar patterns in all the generation regions 8 in step 4, an array pattern and matrix A glass substrate pattern having a spacer columnar pattern is stored (step 6).
[0015]
As described above, in the design of the spacer column of the array substrate of the conventional liquid crystal display device, all the design processes must be manually performed, and the overlap between the matrix-like spacer column pattern and the prohibited region is determined, and all the generation regions are generated. In addition, it is necessary to manually determine whether or not the matrix spacer column pattern has been generated, and many operations are repeated.
[0016]
In order to design a matrix spacer column pattern on the array substrate of such a liquid crystal display device, a CAD system that can draw a two-dimensional plan view having the layer concept is generally used. In order to draw a two-dimensional plane, the CAD system sets the origin and XY axes on the database, and can draw the pattern of the array substrate by the designated layer. In addition, a layer is one of the elements expressing a pattern drawn on the CAD system, which is a mask used for manufacturing an array substrate. The pattern on the database drawn on the CAD system is a list of layers and vertex coordinates. Represents the minimum configuration.
[0017]
[Patent Document 1]
JP 2002-163323 A (page 3 to page 7)
[0018]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, in the generation work of the matrix spacer column pattern, it is necessary to generate a matrix spacer column of a predetermined size avoiding the prohibited area, and it takes a lot of repetitive work and enormous time. Judgment by a person is necessary, and there is a possibility of design error.
[0019]
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and a pattern layout method for a liquid crystal display device capable of reliably generating a spacer in a necessary portion by significantly reducing a design period and improving design efficiency. It is another object of the present invention to provide a recording medium storing a pattern layout program for a liquid crystal display device.
[0020]
[Means for Solving the Problems]
The present invention generates a spacer. Want Generation area Not rectangular Specify by polygon, In this area Forbidden area to prohibit the generation of spacer Not rectangular Specify by polygon , Long Square Many The rectangular area is divided into rectangles. , Long Square Many A rectangle that is formed by dividing a rectangular prohibited area into rectangles, forming the smallest rectangle including the prohibited area that could not be divided into rectangles in this prohibited area, adding this minimum rectangle to the prohibited area, and dividing the generated area Based on the coordinates of the group and the rectangle group that divided the prohibited area, the rectangular group of the generated area is further divided into rectangles so as to avoid the rectangular group of prohibited areas, and the rectangular generated area divided by avoiding these prohibited areas Spacer is arranged, Long Square Many Dividing the rectangular generation area into rectangles, and Length in generation area Square Many A rectangular forbidden area is divided into rectangles, and the smallest rectangle that includes the forbidden area that could not be divided into rectangles in this forbidden area is formed, and this minimum rectangle is added to the forbidden area, and the generated area is divided. Based on the coordinates of the rectangle group and the rectangle group into which the prohibited area is divided, the rectangle group of the generation area is further divided into rectangles so as to avoid the rectangle group of the prohibition area, and the generation area of the rectangle divided by avoiding these prohibition areas By arranging the spacers on the surface, the generation region and the prohibition region can be efficiently formed, and the spacers can be easily generated reliably in the necessary portions.
[0021]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, a pattern layout device for a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, the part corresponding to the part demonstrated by the prior art example is attached | subjected and demonstrated with the same code | symbol.
[0022]
This embodiment is also used, for example, when forming the liquid crystal display device 1 shown in FIG. 41, and is also effective for a design method using a computer CAD system when a stepper type exposure apparatus is used.
[0023]
That is, as shown in FIG. 41, a drive circuit 4 for driving the display area 2 is formed in the frame area 3 around the display area 2 of the liquid crystal display device 1, and the display area 2 and the frame area 3 are avoided to avoid the gap. The arrangement region 5 for arranging the spacer columns for holding the liquid crystal is intensively arranged in the peripheral portion of the liquid crystal display device 1.
[0024]
First, One related technology The basic operation will be described with reference to the flowchart shown in FIG.
[0025]
First, the arrangement area 5 in which the spacer column pattern of the array substrate pattern must be generated using a graphic processing means or the like is designated by a rectangle as shown in FIG. 2A by the arrangement area designation means (step 11).
[0026]
Next, the prohibited area 7 in which the spacer column pattern in the arrangement area 5 should not be generated is specified by a prohibited area specifying means in a rectangle (step 12).
[0027]
Then, a region that is not the prohibited region 7 in the arrangement region 5 is divided into rectangles, and a plurality of generation regions 8 are formed by the generation region forming means as shown in FIG. 2B (step 13).
[0028]
In this way, the generation area 8 is divided into rectangles, avoiding the rectangular prohibited area 7 in the arrangement area 5, and the vertex coordinates of the rectangle of the generation area are stored in a storage device such as a file. Coordinate A spacer column pattern is generated in a matrix by the spacer arrangement means using the file (step 14).
[0029]
Here, a specific operation for designating the prohibition area 7 that should not generate the spacer column pattern in the arrangement area 5 in step 13 with a rectangle will be described with reference to the flowchart shown in FIG.
[0030]
First, an array CO for storing the rectangular coordinates of the generation area 8, an array MK for storing the rectangular coordinates of the prohibited area 7, and a working array UN are secured in a virtual storage area on the computer. (Step 21).
[0031]
Next, the rectangle of the prohibited area 7 is compared with the upper left coordinate in the array MK, and as shown in FIG. 4, if the Y coordinate is the same in the descending order of the Y coordinate, it is sorted and stored in the ascending order of the X coordinate (step twenty two).
[0032]
Then, the coordinates of the generation area 8 are stored in the work array UN [1] (step 23). Further, i = 1 and j = 1 are set (step 24), and whether UN [i] and MK [j] overlap is inspected (step 25). If there is no overlap, it is determined whether j is greater than or equal to J (step 26). The process returns to step 24 until j is greater than or equal to J, and the overlap is checked with j = j + 1 until j is greater than or equal to J. (Step 27).
[0033]
Further, if there is no overlap between UN [i] and MK [j] for all j, a process when there is no overlap is performed (step 28).
[0034]
On the other hand, if it is determined in step 25 that there is an overlap, processing is performed when there is an overlap (step 29).
[0035]
After the processing of step 28 or step 29, it is confirmed whether or not there is data in the work array UN (step 30). If there is, the process returns to step 24. CO coordinates are written to a file (step 31).
[0036]
Next, processing when there is no overlap in step 28 will be described with reference to the flowchart shown in FIG.
[0037]
First, when there is no overlap, it means that the prohibited area 7 does not exist inside the target UN [1], and therefore UN [1] becomes the generation area 8 as a whole. That is, the contents of UN [1] are substituted into the array CO [K + 1] for the generation area 8 (step 41). Then, 1 is added to the array number K of the array CO (step 42), the contents of UN [i + 1] are substituted for UN [i] from 1 to I-1 (step 43), and the array of work arrays The number I is decremented by -1 (step 44).
[0038]
Next, the processing when there is an overlap in step 29 will be described with reference to the flowchart shown in FIG.
[0039]
First, it is determined whether or not the array MK [j] of the prohibited area 7 is included in UN [i] (step 51). If it is determined that it is included, processing is performed when it is included (step 52).
[0040]
If it is determined in step 51 that it is not included, it is determined whether the array MK [j] of the prohibited area 7 overlaps with the upper side of UN [i] (step 53). Is processed when it overlaps the upper side (step 54).
[0041]
Further, when it is determined in step 53 that it does not overlap with the upper side, it is determined whether the array MK [j] of the prohibited area 7 overlaps with the left side of UN [i] (step 55). Is processed when it overlaps the left side (step 56).
[0042]
Furthermore, if it is determined in step 55 that it does not overlap the left side, it is determined whether the array MK [j] of the prohibited area 7 overlaps the lower side of UN [i] (step 57), and it is determined that it overlaps the lower side. In this case, the process for the case of overlapping with the lower side is performed (step 58).
[0043]
In addition, when it is determined in step 57 that it does not overlap with the lower side, it does not correspond to any of them, and the array MK [j] of the prohibited area 7 overlaps with the right side of UN [i], so it is determined that it overlaps with the right side. In such a case, processing is performed when it overlaps the right side (step 59).
[0044]
Here, processing when it is determined that the array MK [j] of the prohibited area 7 in step 52 is included in UN [i] will be described with reference to the flowchart shown in FIG.
[0045]
First, as shown in FIG. 8, the rectangular arrangement region 5 of the work array UN [i] is divided into four rectangles by extending the upper and lower sides of the array MK [j] of the prohibited area 7 to the X axis. The generation area 8 is divided, and the rectangle on the upper side of the prohibited area 7 is the upper side rectangle, the left side is the left side rectangle, the lower side is the lower side rectangle, and the right side is the right side rectangle. (Step 61).
[0046]
Then, since the prohibition area 7 is not included in the generation area 8 of the upper side rectangle, the coordinates of the upper side rectangle are substituted into the array CO [K + 1] of the generation area 8 (step 62).
[0047]
Next, 1 is added to the number K of the array CO (step 63), the coordinates of the left-side rectangular generation area 8 are substituted into UN [I + 1] (step 64), and the lower-side rectangular generation area into UN [I + 2]. The coordinates of 8 are substituted (step 65), the coordinates of the generation region 8 of the right side rectangle are substituted for UN [I + 3] (step 66), and 3 is added to the number I of the array UN (step 67).
[0048]
Then, the contents of UN [i + 1] are substituted into UN [i] from i to 1 to I−1 (step 68), and the number I of the work arrays is decreased by 1 (step 69).
[0049]
Next, processing when it is determined that the array MK [j] of the prohibited area 7 in step 54 overlaps the upper side of UN [i] will be described with reference to the flowchart shown in FIG.
[0050]
First, as shown in FIG. 10, the rectangular arrangement area 5 of the work arrangement UN [i] is formed into three rectangular generation areas by a line segment extending from the X axis to the lower side of the arrangement MK [j] of the prohibition area 7. Then, the left side of the prohibited area 7 is defined as a left side rectangle, the lower side is defined as a lower side rectangle, and the right side is defined as a right side rectangle (step 71).
[0051]
Then, the coordinates of the left-side rectangular generation area 8 are substituted for UN [I + 1] (step 72), the coordinates of the lower-side rectangular generation area 8 are substituted for UN [I + 2] (step 73), and UN [I + 3]. Is substituted with the coordinates of the generation region 8 of the right side rectangle (step 74), and 3 is added to the number I of the array UN (step 75).
[0052]
Further, i is assigned from 1 to I−1, the contents of UN [i + 1] are substituted into UN [i] (step 76), and the number I of the array for work is reduced by 1 (step 77).
[0053]
Further, the processing when it is determined in step 52 that the array MK [j] of the prohibited area 7 overlaps the left side of UN [i] will be described with reference to the flowchart shown in FIG.
[0054]
First, as shown in FIG. 12, the rectangular arrangement area 5 of the work array UN [i] is divided into three rectangular lines by extending the upper and lower sides of the array MK [j] of the prohibited area 7 to the X axis. The generation area 8 is divided, and the rectangle on the upper side of the prohibited area 7 is defined as the upper side rectangle, the lower side is defined as the lower side rectangle, and the right side is defined as the right side rectangle (step 81).
[0055]
Then, since the prohibition area 7 is not included in the generation area 8 of the upper side rectangle, the coordinates of the upper side rectangle are substituted into the array CO [K + 1] of the generation area 8 (step 82).
[0056]
Next, 1 is added to the number K of the array CO (step 83), the coordinates of the lower rectangular region 8 are substituted into UN [I + 1] (step 84), and the right rectangular region is generated into UN [I + 2]. The coordinate of 8 is substituted (step 85), and 2 is added to the number I of the array UN (step 86).
[0057]
Then, the contents of UN [i + 1] are assigned to UN [i] from 1 to I-1 (step 87), and the number I of the array for work is reduced by 1 (step 88).
[0058]
Further, the processing when it is determined in step 52 that the array MK [j] of the prohibited area 7 overlaps the lower side of UN [i] will be described with reference to the flowchart shown in FIG.
[0059]
First, as shown in FIG. 14, the rectangular arrangement area 5 of the work arrangement UN [i] is defined as the three rectangular generation areas by a line segment extending from the upper side of the arrangement MK [j] of the prohibited area 7 to the X axis. The rectangle on the upper side of the prohibited area 7 is divided into the upper side rectangle, the left side is the left side rectangle, and the right side is the right side rectangle (step 91).
[0060]
Then, since the prohibition area 7 is not included in the generation area 8 of the upper side rectangle, the coordinates of the upper side rectangle are substituted into the array CO [K + 1] of the generation area 8 (step 92).
[0061]
Next, 1 is added to the number K of the array CO (step 93), the coordinates of the left side rectangular generation area 8 are substituted for UN [I + 1] (step 94), and the right side rectangular generation area is assigned to UN [I + 2]. The coordinate of 8 is substituted (step 95), and 2 is added to the number I of the array UN (step 96).
[0062]
Then, the contents of UN [i + 1] are assigned to UN [i] from 1 to I-1 (step 97), and the number I of the working arrays is decreased by 1 (step 98).
[0063]
Furthermore, the processing when it is determined that the array MK [j] of the prohibited area 7 in step 52 overlaps the right side of UN [i] will be described with reference to the flowchart shown in FIG.
[0064]
First, as shown in FIG. 16, the rectangular arrangement region 5 of the work array UN [i] is divided into three rectangles by extending the upper and lower sides of the array MK [j] of the prohibited area 7 to the X axis. The generation area 8 is divided, and the rectangle on the upper side of the prohibited area 7 is defined as an upper side rectangle, the left side is defined as a left side rectangle, and the lower side is defined as a lower side rectangle (step 101).
[0065]
Then, since the prohibition area 7 is not included in the generation area 8 of the upper side rectangle, the coordinates of the upper side rectangle are substituted into the array CO [K + 1] of the generation area 8 (step 102).
[0066]
Next, 1 is added to the number K of arrays CO (step 103), the coordinates of the left-side rectangular generation region 8 are substituted into UN [I + 1] (step 104), and the lower-side rectangular generation region into UN [I + 2]. The coordinate of 8 is substituted (step 105), and 2 is added to the number I of the array UN (step 106).
[0067]
Then, the contents of UN [i + 1] are substituted into UN [i] from i to 1 to I-1 (step 107), and the number I of work arrays is reduced by 1 (step 108).
[0068]
In this way, the rectangle of the arrangement area 5 can be divided into the rectangle of the generation area 8 while avoiding the rectangle of the prohibition area 7, and the vertex coordinates of the rectangle of the generation area can be saved in the file. In addition, by making the arrangement area 5, the prohibition area 7, and the generation area 8 rectangular in any case, the data processing is simplified and the data processing time can be shortened.
[0069]
Further, in step 14, the generation area 8 is divided into rectangles while avoiding the rectangular prohibited area 7 in the arrangement area 5, and the vertex coordinates of the rectangle of the generation area 8 are saved in a file. The generation of a pattern in a matrix will be described with reference to the flowchart shown in FIG.
[0070]
First, the vertex coordinates of the possible area saved in the file are read (step 111).
[0071]
Further, assuming that K = 1 (step 112), a spacer column pattern is generated in a matrix in the kth possible region, and processing is performed for all the regions (step 113).
[0072]
Then, spacer column patterns are generated in a matrix in all the generation regions 8, and it is determined whether the spacer column patterns are generated in a matrix in all the generation regions 8 (step 114), and k = k + 1 is set. (Step 115) Returning to Step 113, the glass substrate pattern is stored in a storage device such as a hard disk (Step 116).
[0073]
By doing in this way, the glass substrate pattern which produced | generated the spacer column pattern in the matrix form in the generation | occurrence | production area | region 8 of the part except the prohibition area | region 7 in the designated arrangement | positioning area | region 5 can be created easily.
[0074]
In the conventional example, it took 5 hours to generate the spacer column pattern in a matrix. Related technology According to the method, the generation work is 1 hour, shortened to 1/5, and a reduction in design errors can be achieved.
[0075]
Next, a specific operation of forming the generation region 8 in the portion excluding the prohibited region 7 from the arrangement region 5 shown in FIG. 4 will be described with reference to FIGS.
[0076]
First, as shown in FIG. 4, the five prohibited areas 7 in the arrangement area 5 are sorted.
[0077]
Since the first to fifth forbidden areas 7 are included in the arrangement area 5, the upper side and the lower side of the first forbidden area 7 are set to X by step 52 as shown in FIG. Extending in the axial direction, four rectangular generation regions 8 are divided and formed.
[0078]
Next, since the forbidden area 7 is not included in the first and second generation areas 8, the first and second generation areas 8 are processed so as not to overlap in step 28, and the third generation area 8 is Since the upper sides of the second and third forbidden regions 7 overlap, the lower side of the second forbidden region 7 is extended in the X-axis direction in step 54, and the third generation region 8 shown in FIG. As shown in FIG. 19, it is divided into three third to fifth generation regions 8. The fourth generation region 8 is a sixth generation region 8.
[0079]
Further, since the third generation area 8 does not include the prohibition area 7, the third generation area 8 is processed so as not to overlap in step 28, and the fourth generation area 8 is the fourth and fifth prohibition. Since the region 7 is included, in step 52, the upper and lower sides of the fourth prohibited region 7 are extended in the X-axis direction, and the fourth generation region 8 shown in FIG. It is divided into four fourth to seventh generation regions 8. The fifth and sixth generation regions 8 are the eighth and ninth generation regions 8.
[0080]
Further, since the forbidden area 7 is not included in the fourth and fifth occurrence areas 8, the fourth and fifth occurrence areas 8 are processed so as not to overlap in step 28, and the sixth occurrence area 8 is the first occurrence area 8. Since the five forbidden areas 7 are included, the lower side of the fourth forbidden area 7 is extended in the X-axis direction in step 54, and the fourth generation area 8 shown in FIG. It is divided into three sixth to eighth generation regions 8. The seventh to ninth generation regions 8 are the ninth to eleventh generation regions 8.
[0081]
Furthermore, since the forbidden area 7 is not included in the sixth to eighth generation areas 8, the sixth to eighth generation areas 8 are processed so as not to overlap in step 28, and the ninth generation area 8 is Since the fifth prohibited area 7 is included, in step 58, the upper side of the fifth prohibited area 7 is extended in the X-axis direction, and the ninth generation area 8 shown in FIG. 21 is shown in FIG. Are divided into three ninth to eleventh generation regions 8. The tenth and eleventh generation regions 8 are the twelfth and thirteenth generation regions 8.
[0082]
Since the forbidden area 7 is not included in the ninth to eleventh generation areas 8, the ninth to eleventh generation areas 8 are processed so as not to overlap in step 28, and the twelfth generation area 8 is the 3 forbidden areas 7 are included, so that the third forbidden area 7 changes the twelfth occurrence area 8 shown in FIG. 22 into two twelfth and thirteenth occurrence areas 8 as shown in FIG. To divide. The thirteenth generation area 8 is a fourth generation area 8.
[0083]
In this way, the arrangement area 5 is divided into 14 generation areas 8 avoiding the forbidden areas 7, and a matrix of spacer columns is arranged in each of the generation areas 8 to generate spacer column patterns in the forbidden areas 7. Instead, the spacer column pattern is surely generated in a matrix in the generation region 8 to form a highly accurate pattern layout for a liquid crystal display device in a short time.
[0084]
next, one Embodiments will be described.
[0085]
First, Book The basic operation of the embodiment will be described with reference to the flowchart shown in FIG. Note that * indicates AND between patterns, + indicates OR between patterns, and-indicates deletion between patterns.
[0086]
First, using a graphic processing means or the like, the generation region of which region of the array substrate pattern the spacer column pattern should be generated is designated by a polygon (step 121). Next, the generation prohibition area where the spacer column pattern should not be generated is designated by a polygon (step 122).
[0087]
Then, the generated area pattern that is the generated area specified in step 121 is divided into rectangular pattern groups (step 123).
[0088]
Here, the step 123 will be described with reference to FIG.
[0089]
First, the minimum line interval of the spacer column pattern is substituted for i as an initial value (step 131). Next, all patterns recognized as shown in FIG. 26 are labeled A. At this time, if the generated area division pattern already exists, it is set as B, and all recognized generated area division patterns are labeled as B. In the state shown in FIG. 26, the generation area division pattern does not exist. Next, as shown in FIG. 27, the sides of the patterns A and B are defined as side AE and side BE, respectively (step 132). Note that the dotted line in FIG. 27 shows only the side AE.
[0090]
Then, with respect to the side AE and the side BE obtained in step 132, the side that is the side AE and the side BE is excluded from the side AE or the side BE, and the side that is the side AE is the side CE. (Step 133). In addition, a rectangle in which the sides CE face each other is formed between the parallel sides CE, and a rectangle in which the interval between the sides CE is equal to or less than i is defined as a rectangle CO (step 134). Further, a rectangle that does not overlap A or B in the rectangle CO is defined as a rectangle C (step 135). Then, the a pattern and the i pattern shown in FIG. 28 are stored as the rectangle C as the generated region division pattern and the B pattern (step 136). Also, it is determined whether i exceeds the maximum line interval (step 137). If i does not exceed the maximum line interval, the extraction step width is added to i to obtain i (step 138), and as shown in FIG. 29, the flow returns to step 132 and the flow up to step 137 is repeated. If i exceeds the maximum line interval, a set of rectangular patterns is obtained using the B pattern as the generated region division pattern, and these rectangular patterns are stored (step 139).
[0091]
Next, the generation prohibition area pattern specified in step 122 is divided into rectangular pattern groups (step 124).
[0092]
In step 124, as shown in FIG. 30, the minimum line interval is substituted for i as an initial value (step 141). Next, as shown in FIG. 31, all recognized patterns are labeled D, and if there is already a generation-prohibited area division pattern, all recognized generation area division patterns are labeled E. . Note that there is no corresponding pattern labeled E in FIG. Then, the sides of the patterns D and E are set as side DE and side EE, respectively (step 142).
[0093]
Then, with respect to the side DE and the side EE obtained in step 142, the side is a side obtained by excluding the side that is the side DE and the side EE from the side DE or the side EE, and the side that is the side DE is the side FE. (Step 143). In addition, a rectangle in which the sides FE are opposed to each other is formed by the parallel sides FE, and a rectangle in which the interval between the sides FE is equal to or less than i is defined as a rectangle FO (step 144). A rectangle that does not overlap D or E is defined as a rectangle F (step 145). And the rectangle F shown in FIG. 31 is preserve | saved as a generation | occurrence | production prohibition area | region division | segmentation pattern and E pattern (step 146). Further, it is determined whether i exceeds the maximum line interval (step 147). If i does not exceed the maximum line interval, the extraction step width is added to i to be i (step 148). As shown, the flow returns to step 142 and the flow up to step 147 is repeated. If i exceeds the maximum line interval, it is determined whether there is an area that has not become the generation prohibited division pattern E in the generation prohibition pattern D (step 149).
[0094]
Further, for example, in the case shown in FIG. 32, a triangular pattern remains. If the triangle area remains, the triangle shown in FIG. 33 is the rectangle shown in FIG. 34, the triangle shown in FIG. 35 is the rectangle shown in FIG. 36, and the smallest rectangle including the triangle area is the generation prohibited area pattern E. Add (step 150). Then, a set of rectangular patterns is obtained by using the E pattern formed in this way as the generation prohibited area division pattern, and these rectangular patterns are stored (step 151).
[0095]
In this way, in step 123 and step 124, a rectangular pattern is formed as shown in FIG. 37 when the target pattern is the generation region, and as shown in FIG. 38 when the target pattern is the generation prohibition region. Is done.
[0096]
Next, the generation area division pattern is divided into rectangles so as to avoid the generation prohibition area division pattern (step 125). This step 125 Related technology The same processing as step 13 in FIG.
[0097]
In this way, the polygon of the occurrence area can be divided into the rectangle of the occurrence area while avoiding the polygon of the occurrence prohibition area, and the vertex coordinates of the rectangle of the occurrence area can be saved in the file. A spacer column pattern is generated in a matrix using this vertex coordinate file, and a glass substrate pattern in which the spacer column pattern is generated in a matrix in all generation regions is stored on the hard disk (step 126).
[0098]
Therefore, it is possible to easily create a glass substrate pattern in which spacer column patterns are generated in a matrix form in the designated generation area excluding the generation prohibition area.
[0099]
In particular, Related technology compared to, Book In the embodiment, it takes 2 hours to generate the spacer column pattern in a matrix, but the generation work is 1 hour, which is shortened to ½, and a reduction in design errors can be achieved. Also, Book According to the embodiment, even if the generation prohibition areas overlap each other as shown in FIG. 39 and the generation prohibition areas become polygonal as shown in FIG. It is possible to generate a matrix of a sbesar column pattern normally without having to confirm through the.
[0100]
Note that a DRC tool may be used for pattern recognition and generation.
[0101]
Further, the same effect can be obtained even when the above-described program is stored in a computer-readable recording medium on which an optical or magnetic disk or other pattern layout program for a liquid crystal display device is recorded.
[0102]
【The invention's effect】
According to the present invention, Long Square Many Dividing the rectangular generation area into rectangles, and Length in generation area Square Many A rectangular forbidden area is divided into rectangles, the smallest rectangle including the forbidden area that could not be divided into rectangles in this forbidden area is formed, this minimum rectangle is added to the forbidden area, and the generated area is divided Based on the coordinates of the rectangle group and the rectangle group into which the prohibited area is divided, the rectangle group of the generation area is further divided into rectangles so as to avoid the rectangle group of the prohibition area, and the generation area of the rectangle divided by avoiding these prohibition areas By arranging the spacers on the surface, the generation region and the prohibition region can be efficiently formed, and the generation of the spacers can be easily and reliably performed in the necessary portions.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 of the present invention One related technology It is a flowchart which shows the operation | movement which generates the spacer pillar pattern of this array substrate pattern.
FIG. 2 is an explanatory diagram for forming a generation region by dividing an arrangement region for forming a spacer column pattern same as the above while avoiding a prohibition region.
FIG. 3 is a flowchart showing an operation of forming a generation region by dividing an arrangement region for forming a spacer pillar pattern same as the above while avoiding a forbidden region;
FIG. 4 is an explanatory diagram showing sorting when there are a plurality of prohibited areas.
FIG. 5 is a flowchart showing an operation when there is no prohibited area in the arrangement area.
FIG. 6 is a flowchart showing an operation when there is a prohibited area in the arrangement area.
FIG. 7 is a flowchart showing an operation when a forbidden area is included in a generated area.
FIG. 8 is an explanatory diagram showing a state in which the forbidden area is included in the generated area.
FIG. 9 is a flowchart showing the operation when the generated area overlaps with the upper side of the prohibited area.
FIG. 10 is an explanatory diagram showing a state where the upper side of the prohibited area overlaps the generated area.
FIG. 11 is a flowchart showing the operation when the generated area overlaps with the left side of the prohibited area.
FIG. 12 is an explanatory diagram showing a state where the left side of the prohibited area overlaps the generated area.
FIG. 13 is a flowchart showing the operation when the generated area overlaps with the lower side of the prohibited area.
FIG. 14 is an explanatory diagram showing a state where the lower side of the prohibited area overlaps the generated area.
FIG. 15 is a flowchart showing the operation when the generated area overlaps with the right side of the prohibited area.
FIG. 16 is an explanatory diagram showing a state where the right side of the prohibited area overlaps the generated area.
FIG. 17 is a flowchart showing an operation of generating a spacer column pattern in the generation region divided as above.
FIG. 18 is an explanatory diagram showing a state in which a generation region is specifically divided and avoided from a prohibited region in the arrangement region.
FIG. 19 is an explanatory view showing the next state of FIG. 18 in which the generation area is divided and formed while avoiding the prohibition area in the arrangement area.
FIG. 20 is an explanatory diagram showing the next state of FIG. 19 in which the generation area is divided and formed while avoiding the prohibition area in the arrangement area.
FIG. 21 is an explanatory diagram showing the next state of FIG. 20 in which the generation area is divided and formed while avoiding the prohibition area in the arrangement area.
FIG. 22 is an explanatory diagram showing the next state of FIG. 21 in which the generation area is divided and formed while avoiding the prohibition area in the arrangement area.
FIG. 23 is an explanatory diagram showing the next state of FIG. 22 in which the generation area is divided and formed while avoiding the prohibition area in the arrangement area.
FIG. 24 Same as above one It is a flowchart which shows the operation | movement which generates the spacer pillar pattern of the array substrate pattern of embodiment.
FIG. 25 is a flowchart showing an operation for designating a generation area.
FIG. 26 is an explanatory diagram showing a generation area pattern same as above.
27 is an explanatory diagram showing division of the generated region pattern of FIG. 26. FIG.
FIG. 28 is an explanatory diagram showing division of the generated area pattern of FIG. 27;
FIG. 29 is an explanatory diagram showing division of the generated area pattern of FIG. 28;
FIG. 30 is a flowchart showing an operation of designating the generation prohibition area.
FIG. 31 is an explanatory diagram showing a generation prohibited area pattern same as above.
32 is an explanatory diagram showing division of the generation prohibition area pattern of FIG. 31. FIG.
FIG. 33 is an explanatory diagram showing a generation prohibition pattern of the same triangular area.
FIG. 34 is an explanatory diagram showing a state in which the generation prohibition pattern of the triangular area is rectangular.
FIG. 35 is an explanatory diagram showing a generation prohibition pattern of another triangular area.
FIG. 36 is an explanatory diagram showing a state in which the generation prohibition pattern of the triangular area is rectangular.
FIG. 37 is an explanatory diagram showing a rectangular pattern in a case where the target pattern is a generation region.
FIG. 38 is an explanatory diagram showing a rectangular pattern in a case where the target pattern is the occurrence-prohibited region.
FIG. 39 is an explanatory diagram showing a state where the same forbidden regions are overlapped with each other.
FIG. 40 is an explanatory diagram showing a state where the generation prohibition area is polygonal.
FIG. 41 is an explanatory diagram showing the same arrangement pattern as above.
FIG. 42 is an explanatory diagram showing an enlargement of the prohibited area of the arrangement pattern same as above.
FIG. 43 is a flowchart showing an operation of generating a spacer column pattern of an array substrate pattern of a conventional example.
FIG. 44 is an explanatory diagram showing a state in which a spacer column pattern of an array substrate pattern of a conventional example is generated.
[Explanation of symbols]
7 Prohibited areas
8 Generation area

Claims (6)

スペーサを発生させたい発生領域を長方形でない多角形で指定し、
この発生領域内のスペーサの発生を禁止する禁止領域を長方形でない多角形で指定し、
長方形でない多角形の発生領域を長方形に分割して形成し、
長方形でない多角形の禁止領域を長方形に分割して形成し、
この禁止領域で長方形に分割できなかった禁止領域を含む最小の長方形を形成し、
この最小の長方形を禁止領域に加え、
発生領域を分割した長方形群と禁止領域を分割した長方形群との座標に基づき、発生領域の長方形群を、禁止領域の長方形群を避けるようにさらに長方形に分割し、
これら禁止領域を避けて分割した長方形の発生領域にスペーサを配置させる
ことを特徴とする液晶表示装置用パターンレイアウト方法。Specify the area where you want to generate the spacer with a non-rectangular polygon,
Specify the prohibited area that prohibits the generation of spacers in this generation area with a non-rectangular polygon,
A polygonal generating area has a long rectangular form is divided into rectangular,
A polygonal prohibited area has a long rectangular form is divided into rectangular,
Form the smallest rectangle including the prohibited area that could not be divided into rectangles in this prohibited area,
Add this smallest rectangle to the forbidden area,
Based on the coordinates of the rectangle group that divided the generation area and the rectangle group that divided the prohibition area, the rectangle group of the generation area is further divided into rectangles so as to avoid the rectangle group of the prohibition area,
A pattern layout method for a liquid crystal display device, characterized in that spacers are arranged in rectangular generation areas divided by avoiding these prohibited areas. スペーサは、発生領域にマトリックス状に配置される
ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置用パターンレイアウト方法。The pattern layout method for a liquid crystal display device according to claim 1, wherein the spacers are arranged in a matrix in the generation region. スペーサを発生させたい発生領域を長方形でない多角形で指定する発生領域指定手段と、
この発生領域内のスペーサの発生を禁止する禁止領域を長方形でない多角形で指定する禁止領域指定手段と、
長方形でない多角形の発生領域を長方形に分割して形成する発生領域分割手段と、
長方形でない多角形の禁止領域を長方形に分割して形成する禁止領域分割手段と、
この禁止領域で長方形に分割できなかった禁止領域を含む最小の長方形を形成する禁止領域形成手段と、
この禁止領域形成手段で形成された最小の長方形を禁止領域に加える禁止領域追加手段と、
発生領域を分割した長方形群と禁止領域を分割した長方形群との座標に基づき、発生領域の長方形群を、禁止領域の長方形群を避けるようにさらに長方形に分割する長方形群分割手段と、
禁止領域を避けて長方形群分割手段により分割された長方形の発生領域にスペーサを配置させるスペーサ配置手段と
を具備したことを特徴とする液晶表示装置用パターンレイアウト装置。And generating area designating means for designating a polygon not rectangular generation region to generate a spacer,
Forbidden area designating means for designating a forbidden area for prohibiting the generation of spacers in the occurrence area by a polygon that is not a rectangle ;
And generating area dividing means formed by dividing a polygon generating area has a long rectangular rectangular,
A prohibition region dividing means formed by dividing a polygonal prohibited area has such a rectangle to a rectangle,
A prohibited area forming means for forming a minimum rectangle including a prohibited area that could not be divided into rectangles in the prohibited area;
A prohibited area adding means for adding the minimum rectangle formed by the prohibited area forming means to the prohibited area;
Based on the coordinates of the rectangular group that divided the generation area and the rectangular group that divided the prohibition area, the rectangular group dividing means for further dividing the rectangular group of the generation area into rectangles so as to avoid the rectangular group of the prohibition area,
A pattern layout apparatus for a liquid crystal display device, comprising: spacer arrangement means for arranging a spacer in a rectangular generation area divided by the rectangular group dividing means while avoiding the prohibited area. スペーサ配置手段は、スペーサを発生領域にマトリックス状に配置させる
ことを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置用パターンレイアウト装置。The pattern layout device for a liquid crystal display device according to claim 3, wherein the spacer arrangement means arranges the spacers in a matrix in the generation region. スペーサを発生させたい発生領域を長方形でない多角形で指定し、
この発生領域内のスペーサの発生を禁止する禁止領域を長方形でない多角形で指定し、
長方形でない多角形の発生領域を長方形に分割して形成し、
長方形でない多角形の禁止領域を長方形に分割して形成し、
この禁止領域で長方形に分割できなかった禁止領域を含む最小の長方形を形成し、
この最小の長方形を禁止領域に加え、
発生領域を分割した長方形群と禁止領域を分割した長方形群との座標に基づき、発生領域の長方形群を、禁止領域の長方形群を避けるようにさらに長方形に分割し、
これら禁止領域を避けて分割した長方形の発生領域にスペーサを配置させる
ことを特徴とする液晶表示装置用パターンレイアウトプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。Specify the area where you want to generate the spacer with a non-rectangular polygon,
Specify the prohibited area that prohibits the generation of spacers in this generation area with a non-rectangular polygon,
A polygonal generating area has a long rectangular form is divided into rectangular,
A polygonal prohibited area has a long rectangular form is divided into rectangular,
Form the smallest rectangle including the prohibited area that could not be divided into rectangles in this prohibited area,
Add this smallest rectangle to the forbidden area,
Based on the coordinates of the rectangle group that divided the generation area and the rectangle group that divided the prohibition area, the rectangle group of the generation area is further divided into rectangles so as to avoid the rectangle group of the prohibition area,
A computer-readable recording medium on which a pattern layout program for a liquid crystal display device is recorded, wherein spacers are arranged in rectangular generation areas divided by avoiding these prohibited areas. スペーサは、発生領域にマトリックス状に配置される
ことを特徴とする請求項５記載の液晶表示装置用パターンレイアウトプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。The computer-readable recording medium on which the pattern layout program for a liquid crystal display device according to claim 5 is recorded, wherein the spacers are arranged in a matrix in the generation area.

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