JP4406023B2 - 光集積素子 - Google Patents
光集積素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4406023B2 JP4406023B2 JP2007218880A JP2007218880A JP4406023B2 JP 4406023 B2 JP4406023 B2 JP 4406023B2 JP 2007218880 A JP2007218880 A JP 2007218880A JP 2007218880 A JP2007218880 A JP 2007218880A JP 4406023 B2 JP4406023 B2 JP 4406023B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- optical waveguide
- soa
- semiconductor
- integrated device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/125—Bends, branchings or intersections
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B2006/12083—Constructional arrangements
- G02B2006/121—Channel; buried or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
多くの半導体光集積素子では、単一の半導体基板上に、複数の半導体レーザやSOA等の能動部品を配置し、それらの部品間を光導波路や光合分波器(光カプラ)で結合した構造が用いられる。
図8には、光カプラ102において生じた放射光(光カプラ102を構成する光導波路構造から外部へ漏れていく光の成分;不要光)が、導波路中心から10μm外側に存在する埋込層109と空気との境界(空気−半導体境界面)において大部分反射され、本来ならデバイス外部へ抜けていくべき不要光(放射光)が、1chSOA101側の領域で左右の空気−半導体境界面で形成される第2のチャネル導波路111に閉じ込められて、光導波路103及び1chSOA101を伝搬する信号光とともに伝搬されていく様子が現れている。
このため、上述の現象によって生じたSOA光ゲートスイッチ104における消光比の劣化は光スイッチシステムにおいて重大な問題であり、他のデバイス特性(光利得、雑音指数、消費電力等)を保ったまま、SOA光ゲートスイッチ104のON−OFF間消光比を改善することは重要な課題となっている。
そこで、例えば特許文献2に開示されている方法を適用することが考えられる。つまり、光カプラ102の周囲を平坦な構造にするために、光カプラ102の周囲に溝を形成し、その外側はダミー部とし、形成した溝を半絶縁性半導体埋込層109で埋め込むことが考えられる。
具体的には、特許文献2に示されるような方法を用いた場合、光カプラ102及び光導波路(曲がり導波路を含む)103の周囲に形成した溝を全ての領域で成長面が平坦になるように埋め込み成長を行なうことはほぼ不可能であり、デバイスのいずれかの領域に未成長による空隙が生じたり、埋込層の局所的な盛り上がりが発生したりすることが考えられる。
したがって、上記の課題を解決するために特許文献2に開示されている方法を適用するのは難しく、埋込層109の平坦性を確保しながら、光カプラ102の周囲に存在する空気−半導体界面をなくし、光カプラ102からの放射光(不要光)が第2のチャネル導波路111に閉じ込められて伝搬するのを抑制することは困難であり、これを実現することが課題とされている。
[第1実施形態]
まず、本発明の第1実施形態にかかる光集積素子について、図1〜図3を参照しながら説明する。
本実施形態にかかる光集積素子(半導体光素子,半導体光集積素子)は、例えば半導体光増幅器(SOA:Semiconductor Optical Amplifier)ゲートアレイ集積素子であり、このSOAゲートアレイ集積素子は、例えば配線基板やレンズアレイ等とともに実装基板上に実装され、SOA光ゲートスイッチ(光モジュール;ここでは8×1chSOA光ゲートスイッチ)を構成する。
また、入力チャネル光導波路部1、光カプラ部2及び出力チャネル光導波路部3の光導波路構造は、図1(B)に示すように、n−InP基板5上に、n−InPクラッド層11,i−InGaAsP光導波路コア層14,p−InPクラッド層13を順に積層させた構造になっている。なお、図1(B)では光カプラ部2の光導波路構造を示している。
なお、ここでは、出力チャネル光導波路部3にSOA部8を設けているが、このSOA部は設けなくても良い。
ここで、埋込層9は、図1(B)に示すように、上部が所定の幅(一定の幅)を有する平坦面9Aになっており、側部が半導体基板5に対して所定の角度(一定の角度)を有する傾斜面9Bになっている。特に、埋込層9を構成する半絶縁性半導体材料(ここではInP)には、バンド内に深い不純物準位を形成する元素(例えばInPに対してはFeやRu)がドーピングされている。
そして、これらのダミー構造体10の周囲は、図1(A),(B)に示すように、上記の光導波路構造4とともに、埋込層9によって埋め込まれている。
具体的には、複数のダミー構造体10は、図1(A)に示したように、光カプラ部2の近傍から半導体基板5の側面近傍までの広い領域にわたって離散的に設けられている。
特に、本実施形態では、ダミー構造体10の層構造は、容易に作製できるように、光導波路構造4(入力チャネル光導波路部1、出力チャネル光導波路部3、光カプラ部2)の層構造と同一にしている。この場合、光の散乱が生じることや容量が大きくなること等を考慮すると、ダミー構造体10の大きさは、ダミー構造体10として機能しうるものを形成できる限り、できるだけ小さくするのが好ましい。
各ダミー構造体10の距離がこの範囲内であれば、各ダミー構造体10の周囲に形成される埋込層9の重なりを利用して、非常に広い領域にわたって均一で平坦な埋込層9を形成することができる。なお、本実施形態のように、円柱型のダミー構造体10がある程度密に存在し、重なり領域が多くなったとしても、特開2005−223300に開示されているような方法(有機塩素材料を添加する方法)で埋め込み成長を行なうのであれば、異常成長等による不具合が生じる可能性は非常に低い。
つまり、本SOAゲートアレイ集積素子では、ダミー構造体10が設けられていない従来構造と同様に、結晶面方位に対して様々な導波路角度を有する複数の入力チャネル光導波路部1が形成されている領域が平坦に空隙なく埋め込まれるような条件で埋め込み成長を行なえば、光カプラ部2の少なくとも出射側近傍の所望の領域にわたって均一で平坦な埋込層9が形成されることになり、従来困難であった上部が全面にわたって平坦で均一な埋込層9を容易に形成できることになる。
このようにして、均一で平坦な埋込層9を所望の領域にわたって形成できるため、図1(A)に示すように、従来構造で問題のあった光カプラ付近の空気−半導体境界面が形成されない。このため、放射光(不要光)が光カプラ付近の空気−半導体境界面で反射し、放射光(不要光)が出力側の光導波路構造4(出力チャネル光導波路部3及びSOA部8)に沿って形成された埋込層9(第2のチャネル導波路として機能する埋込層9)の内部を出射端面側へ向けて導波してしまうチャネル導波効果を大きく低減することができる。
ここで、図2は、本発明を適用した構造[ダミー構造体10を設けた構造;図1(A),(B)参照]において、8chSOAアレイ7の最も外側のSOA部6に信号光を入力した場合に、光カプラ部2の周辺における信号光の伝搬の様子をBPM(Beam Propagation Method)法によってシミュレーション計算した結果を示している。
まず、図3(D)に示すように、n型の導電型を持つInP基板(n−InP基板)5上に、例えばMOVPE法を用いて、n−InPクラッド層11(層厚300nm),SOA活性層12,p−InPクラッド層13(層厚300nm)を順に成長させる。
続いて、各SOA部6,8を形成する領域の上部にのみSiO2マスクを形成し、例えばウェットエッチングによって、残りの領域(入力チャネル光導波路部1、出力チャネル光導波路部3及び光カプラ部2を形成する領域)に形成されている積層構造のp−InPクラッド層13からSOA活性層12までを除去し、除去した領域には、光カプラ部2、入力チャネル光導波路部1及び出力チャネル光導波路部3を構成する光導波路構造4を形成すべく、図3(A)に示すように、例えばMOVPE法によって、下から順に、i−InGaAsP光導波路コア層14(層厚200nm,組成波長1.3μm)、p−InPクラッド層13(層厚約300nm)をバットジョイント成長させる。
まず、SOA部6,8、光カプラ部2、入力チャネル光導波路部1及び出力チャネル光導波路部3を構成する光導波路構造4を形成するためのマスクパターン、及び、ダミー構造体10を形成するためのマスクパターンを有するSiO2マスク16を形成する。
本実施形態では、ダミー構造体10を形成するためのマスクパターンは、円形のパターンであり、光カプラ部2の近傍から素子側面近傍までの領域にわたって離散的に設けられている。
さらに、劈開によってチップ(デバイス)の切り出しを行ない、デバイスの入出力側の端面には、信号光の反射を防止するAR(Anti-Reflection)コーティングを施して、光集積素子としてのSOAゲートアレイ集積素子が完成する。
[第2実施形態]
次に、本発明の第2実施形態にかかる光集積素子について、図4〜図6を参照しながら説明する。
つまり、本SOAゲートアレイ集積素子の基本構成、即ち、光カプラ部2、入力チャネル光導波路部1、出力チャネル光導波路部3及びSOA部6,8の構成は、図4(A),(B)に示すように、上述の第1実施形態のものと同じである。但し、本SOAゲートアレイ集積素子は、上述の第1実施形態のものに対し、光の入力側と出力側とが反対になっているため(光の進行方向が逆になっているため)、上述の第1実施形態の一の出力チャネル光導波路部3が一の入力チャネル光導波路部(第2チャネル光導波路部)1となり、上述の第1実施形態の複数の入力チャネル光導波路部1が複数の出力チャネル光導波路部(第1チャネル光導波路部)3となる。なお、図4(A),(B)では、上述の第1実施形態[図1(A),(B)参照]と同一のものには同一の符号を付している。
ここで、図5は、ダミー構造体10が設けられていない1入力8出力のSOAゲートアレイ集積素子(1×8chFFCカプラを備えるもの)において、光カプラ部2の周辺における信号光の伝搬の様子をBPM(Beam Propagation Method)法によってシミュレーション計算した結果を示している。
つまり、光カプラ部2を構成するFFCカプラは、その原理上、1入力n出力とした場合、いくらかの放射損失が発生する(入力パワー>n出力側の合計パワー)仕組みになっており、その放射損失分が、各出力チャネル光導波路部3の間の埋込層9の内部や最も外側の出力チャネル光導波路部3の外側の埋込層9の内部(最も外側の出力チャネル光導波路部3と空気−半導体境界面の間の領域)を、出力チャネル光導波路部3に沿って導波している様子が見られる。
そこで、本実施形態では、図4(A)に示すように、複数のダミー構造体10が、光カプラ部2の少なくとも出射側近傍の両側に所望の領域にわたって離散的に(不連続に)設けられている。つまり、図4(A),(B)に示すように、光カプラ部2の少なくとも出射側近傍に埋込層9の傾斜面9Bが形成されないように[即ち、埋込層9と空気との境界(埋込層9の傾斜面9B)が光カプラ部2の少なくとも出射側近傍から所望の距離だけ離れた位置に形成されるように]、複数のダミー構造体10が所望の領域にわたって離散的に設けられている。
このように、ダミー構造体10が光カプラ部2の近傍から素子側面近傍までの領域にわたって分布するように配置を工夫することで、ダミー構造体10の周囲に形成される埋込層9が持つチャネル導波路効果によって、光カプラ部2から放射された不要光(放射光)は、ダミー構造体10が形成されている領域を通って、素子端面に形成されている出力ポートから遠い箇所(ここでは素子側面)から外部へ排出されるようにすることが可能である。
つまり、光カプラ部2からの不要光(放射光)が埋込層9内を導波する主原因となっていた、埋込層9と空気との境界(空気−半導体境界面;埋込層9の傾斜面9B)が、光カプラ部2の少なくとも出射側近傍に形成されず、放射光を、出力チャネル光導波路部3を伝搬する信号光(出力信号光)から空間的に分離した位置まで導波させて、外部へ排除することが可能となる。このようにして、光カプラ部2から埋込層9へ放射された放射光が、空気−半導体境界面で反射し、出力側の光導波路構造4(出力チャネル光導波路部3及びSOA部8)に沿って形成された埋込層9の内部を出射端面側へ向けて伝搬していかないようにすることができる。
図6に示すように、従来構造(ダミー構造体を有しない構造)での計算結果(図5参照)と比較して、8本の出力チャネル光導波路部3からなる導波路アレイの両側に存在していた不要光(放射光)が広い領域に拡散していることがわかる。そして、この不要光をさらに素子側面まで導き出すことで、出力チャネル光導波路部3の内部を導波する信号光から十分に空間的に分離することができる。
したがって、本実施形態にかかる光集積素子によれば、上述の第1実施形態のものと同様に、光カプラ部2を備え、半絶縁性半導体埋込層9による埋め込み構造を持つ光集積素子(SOAゲートアレイ集積素子)において、半絶縁性半導体埋込層9の平坦性を確保しながら、光カプラ部2で生じる放射光が出力側で信号光に混入する現象を抑えることができるという利点がある。特に、光集積素子がSOAゲートアレイ集積素子であり、SOA光ゲートスイッチを構成する場合、ON−OFF間消光比(デバイス消光比;素子特性)が改善されることになる。
[その他]
なお、上述の各実施形態では、光集積素子として、SOA光ゲートスイッチを例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、光カプラ部からの放射光があるものであれば本発明を広く適用することができ、例えば、SOAに代えてレーザや光変調器を集積した光集積素子などにも本発明を適用することができる。この場合も素子特性を向上させることができるという効果がある。
このような構造のものは、上述の各実施形態における製造方法において、バットジョイント成長を実施する際に使用するマスクを変更し、SOA部6,8を形成する領域の上部だけでなく、ダミー構造体10を形成する箇所の上部にもSiO2マスクを形成しておき、ダミー構造体10を形成する箇所にもSOA活性層12と同一の活性層が残るようにすることで作製することができる。なお、上述の各実施形態のように、ダミー構造体10の層構造を光導波路構造1,3と同一の層構造にする方が作製は容易である。
また、上述の各実施形態では、SOA部6,8の活性層構造をi−InGaAsPからなる活性層及びSCH層を備えるものとして構成しているが、これに限られるものではなく、例えば、材料・組成や層厚を変更しても良いし、MQW(Multiple Quantum Well)構造や量子ドット構造を採用して様々な機能を付加した構造にしても良いし、SCH層を備えないものとして構成しても良く、このような場合も同様の効果を持つ素子を作製することが可能である。
(付記1)
半導体基板上に形成され、複数の第1チャネル光導波路部と、光カプラ部と、前記複数の第1チャネル光導波路部に前記光カプラ部を介して接続された一の第2チャネル光導波路部とを備える光導波路構造と、
半絶縁性半導体材料からなり、上部が所定の幅を有する平坦面になり、側部が前記半導体基板に対して所定の角度を有する傾斜面になるように前記光導波路構造を埋め込む半絶縁性半導体埋込層と、
前記光カプラ部からの放射光が前記第1チャネル光導波路部又は前記第2チャネル光導波路部を伝播する信号光から空間的に分離されるように、前記光カプラ部の少なくとも出射側近傍に所望の領域にわたって設けられた複数のダミー構造体とを備え、
前記複数のダミー構造体は、前記半絶縁性半導体埋込層によって平坦に埋め込まれるように離散的に設けられていることを特徴とする光集積素子。
前記複数のダミー構造体は、前記半絶縁性半導体埋込層の傾斜面が前記光カプラ部の少なくとも出射側近傍から所望の距離だけ離れた位置に形成されるように設けられていることを特徴とする、付記1記載の光集積素子。
(付記3)
前記複数のダミー構造体は、前記光カプラ部の近傍から前記半導体基板の側面近傍までの領域にわたって設けられていることを特徴とする、付記1又は2記載の光集積素子。
前記複数のダミー構造体は、前記複数の第1チャネル光導波路部のそれぞれから前記光カプラ部に入射した各信号光の前記光カプラ部からの放射光が出射する領域に設けられていることを特徴とする、付記1〜3のいずれか1項に記載の光集積素子。
(付記5)
前記複数のダミー構造体は、互いの距離が10μm以上50μm以下となるように配置されていることを特徴とする、付記1〜4のいずれか1項に記載の光集積素子。
前記ダミー構造体は、円柱状であることを特徴とする、付記1〜5のいずれか1項に記載の光集積素子。
(付記7)
前記ダミー構造体は、その直径が前記第1チャネル光導波路部又は前記第2チャネル光導波路部の幅と同程度又はそれ以下であることを特徴とする、付記6記載の光集積素子。
前記ダミー構造体は、前記光導波路構造と同一の層構造を有することを特徴とする、付記1〜7のいずれか1項に記載の光集積素子。
(付記9)
前記ダミー構造体は、その一部又は全部が放射光を吸収する特性を有する半導体材料によって形成されていることを特徴とする、付記1〜7のいずれか1項に記載の光集積素子。
前記半絶縁性半導体材料は、深い不純物準位を形成する元素がドーピングされていることを特徴とする、付記1〜9のいずれか1項に記載の光集積素子。
(付記11)
前記複数の第1チャネル光導波路部は、それぞれ、表面に電極を有する半導体光増幅器を備え、前記複数の半導体光増幅器によって半導体光増幅器ゲートアレイが構成されることを特徴とする、付記1〜10のいずれか1項に記載の光集積素子。
前記一の第2チャネル光導波路部は、半導体光増幅器を備えることを特徴とする、付記11記載の光集積素子。
2 光カプラ部
3 出力チャネル光導波路部
4 光導波路構造
5 半導体基板
6 SOA部
7 SOAゲートアレイ
8 SOA部
9 半絶縁性半導体埋込層(高抵抗半導体埋込層)
9A 平坦面
9B 傾斜面
10 ダミー構造体
11 n−InPクラッド層
12 SOA活性層
13 p−InPクラッド層
14 i−InGaAsP光導波路コア層
15 p−InGaAsPコンタクト層
16 SiO2マスク
17 電極(SOA電極)
Claims (7)
- 半導体基板上に形成され、複数の第1チャネル光導波路部と、光カプラ部と、前記複数の第1チャネル光導波路部に前記光カプラ部を介して接続された一の第2チャネル光導波路部とを備える光導波路構造と、
半絶縁性半導体材料からなり、上部が所定の幅を有する平坦面になり、側部が前記半導体基板に対して所定の角度を有する傾斜面になるように前記光導波路構造を埋め込む半絶縁性半導体埋込層と、
前記光カプラ部の少なくとも出射側近傍の両側の領域であって、前記光カプラ部に入射した信号光の前記光カプラ部からの放射光が出射する領域に設けられ、半導体材料からなる柱状の複数のダミー構造体とを備え、
前記複数のダミー構造体は、前記半絶縁性半導体埋込層によって平坦に埋め込まれ、かつ、前記光カプラ部の少なくとも出射側近傍に前記半絶縁性半導体埋込層の傾斜面が形成されないように、前記光カプラ部の近傍から前記半導体基板の側面近傍までの領域にわたって離散的に設けられており、
前記複数のダミー構造体の周囲に形成される前記半絶縁性半導体埋込層を導波路コアとする光導波路によって、前記光カプラ部から放射された放射光が、前記第1チャネル光導波路部又は前記第2チャネル光導波路部を伝播する信号光から分離されて導かれ、素子側面から外部へ排出されることを特徴とする光集積素子。 - 前記複数のダミー構造体は、互いの距離が10μm以上50μm以下となるように配置されていることを特徴とする、請求項1に記載の光集積素子。
- 前記ダミー構造体は、円柱状であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の光集積素子。
- 前記ダミー構造体は、その直径が前記第1チャネル光導波路部又は前記第2チャネル光導波路部の幅と同程度又はそれ以下であることを特徴とする、請求項3記載の光集積素子。
- 前記ダミー構造体は、前記光導波路構造と同一の層構造を有することを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の光集積素子。
- 前記ダミー構造体は、その一部又は全部が放射光を吸収する特性を有する半導体材料によって形成されていることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の光集積素子。
- 前記複数の第1チャネル光導波路部は、それぞれ、表面に電極を有する半導体光増幅器を備え、前記複数の半導体光増幅器によって半導体光増幅器ゲートアレイが構成されることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載の光集積素子。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007218880A JP4406023B2 (ja) | 2007-08-24 | 2007-08-24 | 光集積素子 |
EP08160863A EP2028735A1 (en) | 2007-08-24 | 2008-07-22 | Optical integrated device |
US12/181,448 US7627212B2 (en) | 2007-08-24 | 2008-07-29 | Optical integrated device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007218880A JP4406023B2 (ja) | 2007-08-24 | 2007-08-24 | 光集積素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009053366A JP2009053366A (ja) | 2009-03-12 |
JP4406023B2 true JP4406023B2 (ja) | 2010-01-27 |
Family
ID=39885145
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007218880A Expired - Fee Related JP4406023B2 (ja) | 2007-08-24 | 2007-08-24 | 光集積素子 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7627212B2 (ja) |
EP (1) | EP2028735A1 (ja) |
JP (1) | JP4406023B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11064292B2 (en) * | 2016-03-23 | 2021-07-13 | The Yokohama Rubber Co., Ltd. | Acoustic transmission member and method of designing same |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2486011A (en) | 2010-12-01 | 2012-06-06 | Oclaro Technology Ltd | Optical waveguide with etched ridge structure |
JP5691741B2 (ja) * | 2011-03-30 | 2015-04-01 | 富士通株式会社 | 光半導体素子及びその製造方法 |
WO2015093019A1 (ja) | 2013-12-18 | 2015-06-25 | 日本電気株式会社 | 半導体光導波路、その製造方法およびそれを用いた光通信用デバイス |
JP6372112B2 (ja) * | 2014-03-14 | 2018-08-15 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光導波路素子を作製する方法 |
JP2017191253A (ja) * | 2016-04-14 | 2017-10-19 | 日本電信電話株式会社 | 光集積回路及びその製造方法 |
US10606143B2 (en) * | 2017-06-27 | 2020-03-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Multimode interferometer, Mach-Zehnder modulation device |
CN115769133A (zh) * | 2020-07-03 | 2023-03-07 | 三菱电机株式会社 | 半导体光集成元件 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2507685B2 (ja) * | 1990-07-25 | 1996-06-12 | 株式会社東芝 | 半導体レ―ザ |
US5783844A (en) * | 1994-09-28 | 1998-07-21 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical semiconductor device |
JP3256772B2 (ja) | 1994-12-27 | 2002-02-12 | 日本電信電話株式会社 | 光半導体装置およびその製造方法 |
EP1012933B1 (en) * | 1997-01-27 | 2004-09-22 | International Business Machines Corporation | Laser device |
GB2322205B (en) * | 1997-11-29 | 1998-12-30 | Bookham Technology Ltd | Stray light absorption in integrated optical circuit |
FR2794534B1 (fr) * | 1999-06-04 | 2003-06-27 | Cit Alcatel | Multiplexeur/demultiplexeur optique a trois guides d'ondes |
FR2800475A1 (fr) | 1999-11-03 | 2001-05-04 | Corning Inc | Dispositif photonique planaire et methode de filtrage du bruit optique survenant dans les dispositifs photoniques planaires |
US6438280B1 (en) * | 1999-12-23 | 2002-08-20 | Litton Systems, Inc. | Integrated optics chip having reduced surface wave propagation |
EP1436870A2 (en) * | 2001-10-09 | 2004-07-14 | Infinera Corporation | TRANSMITTER PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS (TxPIC) AND OPTICAL TRANSPORT NETWORKS EMPLOYING TxPICs |
US6891202B2 (en) * | 2001-12-14 | 2005-05-10 | Infinera Corporation | Oxygen-doped Al-containing current blocking layers in active semiconductor devices |
US7116851B2 (en) * | 2001-10-09 | 2006-10-03 | Infinera Corporation | Optical signal receiver, an associated photonic integrated circuit (RxPIC), and method improving performance |
US7058246B2 (en) * | 2001-10-09 | 2006-06-06 | Infinera Corporation | Transmitter photonic integrated circuit (TxPIC) chip with enhanced power and yield without on-chip amplification |
US7006719B2 (en) * | 2002-03-08 | 2006-02-28 | Infinera Corporation | In-wafer testing of integrated optical components in photonic integrated circuits (PICs) |
JP2004029073A (ja) * | 2002-06-21 | 2004-01-29 | Nec Corp | 光導波路回路およびその製造方法 |
GB2402494A (en) * | 2003-06-05 | 2004-12-08 | Alcatel Optronics Uk Ltd | Integrated optic device with cladding having mesa formations |
JP3801597B2 (ja) | 2004-02-09 | 2006-07-26 | ユーディナデバイス株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
JP4830315B2 (ja) * | 2004-03-05 | 2011-12-07 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体レーザ素子 |
JP2005338467A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Nhk Spring Co Ltd | 光分岐器及びその製造方法 |
JP4069111B2 (ja) * | 2004-11-18 | 2008-04-02 | 株式会社日立製作所 | 半導体レーザ装置 |
US7330618B2 (en) * | 2005-11-30 | 2008-02-12 | Lucent Technologies Inc. | Waveguide structure |
JP2007271704A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Nec Corp | 可変光制御デバイス及び可変光制御方法 |
-
2007
- 2007-08-24 JP JP2007218880A patent/JP4406023B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-07-22 EP EP08160863A patent/EP2028735A1/en not_active Withdrawn
- 2008-07-29 US US12/181,448 patent/US7627212B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11064292B2 (en) * | 2016-03-23 | 2021-07-13 | The Yokohama Rubber Co., Ltd. | Acoustic transmission member and method of designing same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009053366A (ja) | 2009-03-12 |
EP2028735A1 (en) | 2009-02-25 |
US20090052834A1 (en) | 2009-02-26 |
US7627212B2 (en) | 2009-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4406023B2 (ja) | 光集積素子 | |
KR101401223B1 (ko) | 광 반도체 장치 및 광 도파로 장치 | |
JP5268733B2 (ja) | 光導波素子とその製造方法、半導体素子、レーザモジュール及び光伝送システム | |
JP5515927B2 (ja) | 半導体光素子 | |
US20110243494A1 (en) | Semiconductor optical amplifier module | |
JP2013004688A (ja) | スポットサイズ変換器、半導体光素子、及びそれらの製造方法 | |
JPH04243216A (ja) | 光導波路の製造方法ならびに光集積素子及びその製造方法 | |
US20080273832A1 (en) | Photonic crystal optical device | |
JP4849915B2 (ja) | 光集積素子及び光モジュール | |
WO2019111401A1 (ja) | 半導体光素子 | |
JP5665728B2 (ja) | 光デバイス | |
JP3284994B2 (ja) | 半導体光集積素子及びその製造方法 | |
US20080199128A1 (en) | Semiconductor integrated optical element | |
JP5718007B2 (ja) | 半導体光導波路素子の製造方法 | |
JP2007094336A (ja) | 光半導体素子および光半導体素子の製造方法 | |
JP2011039262A (ja) | 光変調器 | |
JP2009109704A (ja) | 光導波路 | |
JP4482486B2 (ja) | 半導体スターカプラ型光合流分岐回路及び半導体アレイ回折格子 | |
JP2003078209A (ja) | 光半導体装置 | |
CN112072470B (zh) | 多波长激光器阵列及其制作方法 | |
JP2016018894A (ja) | 集積半導体光素子 | |
JP4833631B2 (ja) | 光増幅素子 | |
JP2001185805A (ja) | 光半導体装置 | |
CN112072461A (zh) | 电吸收调制激光器及其制作方法 | |
JP5293125B2 (ja) | 光半導体集積化装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090319 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090721 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090728 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090918 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091020 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091105 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121113 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4406023 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121113 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131113 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |