JP4403935B2 - 高分子錯体化合物およびそれを用いた高分子発光素子 - Google Patents

Description

本発明は高分子錯体化合物、および高分子発光素子（以下、高分子ＬＥＤということがある。）に関する。

発光素子の発光層に用いる発光材料として、三重項励起状態からの発光を示す金属錯体（以下、三重項発光錯体ということがある）を発光層に用いた素子が知られている。
そして、近年、三重項発光錯体の構造を高分子に含む錯体化合物につき検討がなされており、その例として、三重項発光錯体の構造の金属原子が直接、高分子主鎖骨格の構成原子と結合してなる金属錯体部分を含む、ポリ（フルオレン）共重合体である高分子錯体化合物が知られている。

特開２００３−７３４８０号

本発明の目的は、発光材料として有用な、新規な高分子錯体化合物、該高分子錯体化合物を用いた高分子発光素子を提供することにある。

すなわち本発明は、 下記式（１）で示される繰り返し単位を含み、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０³〜１×１０⁸である高分子錯体化合物を提供するものである。

〔式中、Ａｒ₁およびＡｒ₂は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基または２価の芳香族アミン基を表し、Ａ₁は、アリール基、１価の複素環基または１価の芳香族アミン基を表し、該Ａ₁は、下式（２）
−Ｚ―Ｔ （２）
（式中、Ｔは１価の金属錯体基を表し、Ｚは、直接結合、−ＣＲ₂₀＝ＣＲ₂₁−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｒ₂₂−、−Ｏ−Ｒ₂₂−、―Ｒ₂₂−Ｏ−、−Ｏ−Ｒ₂₂−Ｏ−、―Ｃ（Ｏ）―Ｏ―、―Ｏ―Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−、−Ｎ（Ｒ₂₃）−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｎ（Ｒ₂₃）−、−Ｎ＝ＣＨ−または−ＣＨ＝Ｎ―を表す。Ｒ₂₀およびＲ₂₁は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。Ｒ₂₂は、アルキレン基またはアルケニレン基を表す。Ｒ₂₃は、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の複素環基を示す。）
で示される基を有する。
Ｂ₁は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、フェノキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリール基、１価の複素環基または１価の芳香族アミン基を表し、該Ｂ₁がアリール基、１価の複素環基または１価の芳香族アミン基である場合、これらは上式（２）で示される基を有していてもよく、Ｚ₁は、−ＣＲ₁＝ＣＲ₂−または−Ｃ≡Ｃ−を表す。Ｒ₁およびＲ₂は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。ｎは、０または１を示す。〕

本発明の高分子錯体化合物は、発光材料として有用である。該高分子錯体化合物を用いた高分子発光素子は高性能であり、バックライトとしての面状光源，フラットパネルディスプレイ等の装置として使用できる。

本発明の高分子錯体化合物は、上記式（１）で示される繰り返し単位を１種類以上含む。

上記式（１）におけるＡｒ₁およびＡｒ₂は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基または２価の芳香族アミン基を表す。 ここで、 Ａｒ₁およびＡｒ₂は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、シアノ基などの置換基を有していてもよい。Ａｒ₁、Ａｒ₂が複数の置換基を有する場合、それらは同一であってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。

前記式（１）において、アリーレン基とは、芳香族炭化水素から、水素原子２個を除いた残りの原子団であり、炭素数は、通常６〜６０程度である。炭素数には置換基の炭素数は含まない。ここに芳香族炭化水素には縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環２個以上が直接又はビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。
アリーレン基としては、フェニレン基（例えば、下図の式１〜３）、ナフタレンジイル基（下図の式４〜１３）、アントラセニレン基（下図の式１４〜１９）、ビフェニレン基（下図の式２０〜２５）、トリフェニレン基（下図の式２６〜２８）、縮合環化合物基（下図の式２９〜３８）、スチルベン−ジイル（下図ＡからＤ）、ジスチルベン−ジイル（下図Ｅ，Ｆ）などが例示される。
中でもフェニレン基、ビフェニレン基、フルオレンージイル基（下図の式３６〜３８）、スチルベン−ジイル（下図ＡからＤ）、ジスチルベン−ジイル（下図Ｅ，Ｆ）が好ましい。

上記式１〜３８、Ａ〜Ｆにおいて、Ｒは、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。上記の例において、１つの構造式中に複数のＲを有しているが、それらは同一であってもよいし、異なっていてもよい。

ここに、アルキル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、 ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基などが挙げられ、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基が好ましい。

アルコキシ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、 ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、 ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基などが挙げられ、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。

アルキルチオ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、 ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、 ｉ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基などが挙げられ、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基が好ましい。

アルキルシリル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数は通常１〜６０程度であり、具体的には、メチルシリル基、エチルシリル基、プロピルシリル基、 ｉ−プロピルシリル基、ブチルシリル基、ｉ−ブチルシリル基、ｔ−ブチルシリル基、ペンチルシリル基、ヘキシルシリル基、シクロヘキシルシリル基、ヘプチルシリル基、オクチルシリル基、２−エチルヘキシルシリル基、ノニルシリル基、デシルシリル基、３，７−ジメチルオクチルシリル基、ラウリルシリル基、トリメチルシリル基、エチルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、 ｉ−プロピルジメチルシリル基、ブチルジメチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基などが挙げられ、ペンチルシリル基、ヘキシルシリル基、オクチルシリル基、２−エチルヘキシルシリル基、デシルシリル基、３，７−ジメチルオクチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基が好ましい。

アルキルアミノ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、モノアルキルアミノ基でもジアルキルアミノ基でもよく、炭素数は通常１〜４０程度であり、具体的には、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、 ｉ−プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、 ｉ−ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基などが挙げられ、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基が好ましい。

アリール基は、炭素数は通常６〜６０程度であり、具体的には、フェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基（Ｃ₁〜Ｃ₁₂は、炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基などが例示され、 Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基が好ましい。

アリールオキシ基は、炭素数は通常６〜６０程度であり、具体的には、フェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基などが例示され、 Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基が好ましい。

アリールアルキル基は、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基が好ましい。

アリールアルコキシ基は、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルオキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基が好ましい。

アリールアルケニル基としては、炭素数は通常８〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルオキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基が好ましい。

アリールアルキニル基としては、炭素数は通常８〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基が好ましい。

アリールアミノ基は、炭素数は通常６〜６０程度であり、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルアミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル）アミノ基が好ましい。

１価の複素環基は、炭素数は通常４〜６０程度であり、具体的には、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基などが例示され、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基が好ましい。１価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいう。

上記置換基がアルキル鎖を含む基の場合は、該アルキル鎖は、ヘテロ原子またはヘテロ原子を含む基で中断されていてもよい。ここに、ヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子などが例示される。ヘテロ原子またはヘテロ原子を含む基としては、例えば、以下の基が挙げられる。

ここで、Ｒ’としては、例えば、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜６０のアリール基、炭素数４〜６０の１価の複素環基が挙げられる。

本発明の高分子錯体化合物の溶媒への溶解性を高めるためには、繰り返し単位の形状の対称性が少ないことが好ましく、Ｒのうちの１つ以上に環状または分岐のあるアルキル鎖が含まれることが好ましい。また、複数のＲが連結して環を形成していてもよい。 Ｒのうち、アルキル鎖を含む置換基においては、それらは直鎖、分岐または環状のいずれかまたはそれらの組み合わせであってもよい。直鎖でない場合、例えば、イソアミル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、シクロヘキシル基、４−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシクロヘキシル基などが例示される。

前記式（１）において、２価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常４〜６０程度である。炭素数には置換基の炭素数は含まない。
ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素などのヘテロ原子を環内に含むものをいい、例えば以下のものが挙げられる。
ヘテロ原子として、窒素を含む基；ピリジンージイル基（下図の式３９〜４４）、ジアザフェニレン基（下図の式４５〜４８）、キノリンジイル基（下図の式４９〜６３）、キノキサリンジイル基（下図の式６４〜６８）、アクリジンジイル基（下図の式６９〜７２）、ビピリジルジイル基（下図の式７３〜７５）、フェナントロリンジイル基（下図の式７６〜７８）など。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、酸素、硫黄、セレンなどを含みフルオレン構造を有する基（下図の式７９〜９３）。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、酸素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基：（下図の式９４〜９８）が挙げられる。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、酸素、硫黄、セレンなどを含む５員環縮合複素環基：（下図の式９９〜１０８）が挙げられる。
ヘテロ原子として硫黄などを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し２量体やオリゴマーになっている基：（下図の式１０９〜１１０）が挙げられる。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、酸素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基：（下図の式１１１〜１１７）が挙げられる。
中でも、ピリジンージイル基（下図の式３９〜４４）、キノリンジイル基（下図の式４９〜６３）、ヘテロ原子としてけい素、窒素、酸素、硫黄、セレンなどを含みフルオレン構造を有する基（下図の式７９〜９３）が好ましい。

上記式３９〜１１７において、Ｒは、前記と同じ意味を表す。

前記式（１）において、２価の芳香族アミン基とは、芳香族アミンから水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常４〜６０程度であり、炭素数には置換基の炭素数は含まない。２価の芳香族アミン基としては、例えば、下記一般式（１１）で示される基が挙げられる。

−Ａｒ₂₀−Ｎ（Ａｒ₂₁）−Ａｒ₂₂− （１１）

式中、Ａｒ₂₀およびＡｒ₂₂はそれぞれ独立に置換基を有してもよいアリーレン基、一般式（１２）で表される基、または一般式（５）で表される基である。Ａｒ₂₁は、置換基を有してもよいアリール基、一般式（６）で表される基または一般式（７）で表される基を示す。また、Ａｒ₂₀とＡｒ₂₁の間、Ａｒ₂₁とＡｒ₂₂の間、またはＡｒ₂₀とＡｒ₂₂の間に環を形成していてもよい。

（１２）
式中、Ａｒ₈およびＡｒ₉は、それぞれ独立に置換基を有してもよいアリーレン基を示す。Ｒ₇およびＲ₈は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。ｌは０または１である。

式中、Ａｒ₁₀およびＡｒ₁₁は、それぞれ独立に、置換基を有してもよいアリーレン基を示す。Ａｒ₁₂は、置換基を有してもよいアリール基である。また、Ａｒ₁₀とＡｒ₁₂の間、Ａｒ₁₀とＡｒ₁₁の間、またはＡｒ₁₁とＡｒ₁₂の間に環を形成していてもよい。

式中、Ａｒ₁₃は、置換基を有してもよいアリーレン基を示す。Ａｒ₁₆およびＡｒ₁₇は、それぞれ独立に、置換基を有してもよいアリール基である。また、Ａｒ₁₃とＡｒ₁₆の間、Ａｒ₁₃とＡｒ₁₇の間、またはＡｒ₁₆とＡｒ₁₇の間に環を形成していてもよい。

式中、Ａｒ₁₄は、置換基を有してもよいアリーレン基を示す。Ａｒ₁₅は、置換基を有してもよいアリール基を示す。Ｒ₁₁およびＲ₁₂は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。ｒは０または１である。

上記式（１２）のＡｒ₈、Ａｒ₉、式（５）のＡｒ₁₀、Ａｒ₁₁、式（６）のＡｒ₁₃、式（７）のＡｒ₁₄は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、シアノ基等の置換基を有していてもよい。
また上記式（１１）のＡｒ_21、上記式（５）のＡｒ₁₂、上記式（６）のＡｒ₁₆とＡｒ₁₇、上記式（７）のＡｒ₁₅はアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、シアノ基等の置換基を有していてもよい。

２価の芳香族アミン基として、具体的には以下の基が例示される。

上記式１１８〜１２２において、Ｒは、前記と同じ意味を表す。

合成の容易さからは、Ａｒ₁とＡｒ₂は、同じ基であることが好ましく、Ａｒ₁とＡｒ₂がフェニレンであることが、より好ましい。

式（1）において、Ａ₁は、アリール基、１価の複素環基または１価の芳香族アミン基を表し、該Ａ₁は、下式（２）
−Ｚ―Ｔ （２）
（式中、Ｔは１価の金属錯体基を表し、Ｚは、直接結合、−ＣＲ₂₀＝ＣＲ₂₁−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｒ₂₂−、−Ｏ−Ｒ₂₂−、―Ｒ₂₂−Ｏ−、−Ｏ−Ｒ₂₂−Ｏ−、―Ｃ（Ｏ）―Ｏ―、―Ｏ―Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−、−Ｎ（Ｒ₂₃）−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｎ（Ｒ₂₃）−、−Ｎ＝ＣＨ−または−ＣＨ＝Ｎ―を表す。Ｒ₂₀、Ｒ₂₁は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。Ｒ₂₂は、アルキレン基またはアルケニレン基を表す。Ｒ₂₃は、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基を示す。）
で示される基を有する。Ａ₁が有する該基の数は特に限定されないが、合成上の観点からは、通常、１〜３、好ましくは１〜２、さらに好ましくは１である。

式（2）のＴで表される１価の金属錯体基としては、金属錯体の配位子から水素原子を除いた１価の残基があげられる。
ここに、金属錯体としては、三重項励起状態からの発光を示す金属錯体（三重項発光錯体）があげられる。
ここに三重項励起状態からの発光を示す金属錯体としては、例えば、燐光発光や、この燐光発光に加えて蛍光発光が観測される錯体も含まれる。

三重項発光錯体としては、例えば、従来から低分子系のEL発光性材料として利用されてきたものがあげられる。これらは、例えば、Nature, (1998), 395, 151、Appl. Phys. Lett. (1999), 75(1), 4、Proc. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng. (2001), 4105(Organic Light-Emitting Materials and DevicesＩＶ), 119、J. Am. Chem. Soc., (2001), 123, 4304、Appl. Phys. Lett., (1997), 71(18), 2596、Syn. Met., (1998), 94(1), 103、Syn. Met., (1999), 99(2), 1361、Adv. Mater., (1999), 11(10), 852等に開示されている。

三重項発光錯体の中心金属としては、通常、原子番号５０以上の原子で、該錯体にスピン−軌道相互作用があり、一重項状態と三重項状態間の項間交差を起こしうる金属である。

三重項発光錯体の中心金属としては、例えば、レニウム、イリジウム、オスミウム、スカンジウム、イットリウム、白金、金、およびランタノイド類のユーロピウム、テルビウム、ツリウム、ディスプロシウム、サマリウム、プラセオジウム、ガドリニウムなどが挙げられ、イリジウム、白金、金、ユーロピウムが好ましく、イリジウム、白金、金が特に好ましく、イリジウムが最も好ましい。

三重項発光錯体の配位子は、通常有機配位子であり、その炭素数は、通常４〜６０程度である。

三重項発光錯体の配位子としては、例えば、８−キノリノールおよびその誘導体、ベンゾキノリノールおよびその誘導体、２−フェニル−ピリジンおよびその誘導体、２−フェニル−ベンゾチアゾールおよびその誘導体、２−フェニル−ベンゾオキサゾールおよびその誘導体、ポルフィリンおよびその誘導体などが挙げられる。

三重項発光錯体としては、例えば、下記式（３）で示される構造が挙げられる。

式中、Ｍは、原子番号５０以上の原子で、スピン−軌道相互作用により本錯体において１重項状態と三重項状態間の項間交差が起きうる金属を示す。
Ｍは例えば、レニウム、イリジウム、オスミウム、スカンジウム、イットリウム、白金、金、およびランタノイド類のユーロピウム、テルビウム、ツリウム、ディスプロシウム、サマリウム、プラセオジウム、ガドリニウムなどが挙げられ、イリジウム、白金、金、ユーロピウムが好ましく、イリジウムが特に好ましい。

Ａｒは、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子および燐原子の1つ以上でＭと結合する配位子である。

Ａｒとしてはたとえば、ピリジン環、チオフェン環、ベンゾオキサゾール環などの複素環類やベンゼン環が結合して構成された配位子で、具体的には、フェニルピリジン、２-(パラフェニルフェニル)ピリジン、７−ブロモベンゾ[ｈ]キノリン、２−(４−チオフェン−２−イル)ピリジン、２−(４−フェニルチオフェン−２−イル)ピリジン、２−フェニルベンゾオキサゾール、２-(パラフェニルフェニル)ベンゾオキサゾール、２−フェニルベンゾチアゾール、２−(パラフェニルフェニル)ベンゾチアゾール、２−(ベンゾチオフェン−２−イル)ピリジン７,8,12,13,17,18-ヘキサキスエチル-21H,23H-ポルフィリンなどが例示され、これらに置換基を有していてもよい。

Ａｒの置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリールチオ基、アリールアルケニル基、環状アルケニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリール基、1価の複素環基が挙げられ、その定義、具体例は上記におけるそれと同様である。

Ｍは、Arの少なくとも１つの炭素原子と結合することが望ましい。

式（3）のなかで、Ａｒが、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子および燐原子から選ばれるいずれか４つの原子でＭと結合する４座配位子であることが好ましい。たとえば、４つのピロール環が環状につながった配位子として、具体的には、７,8,12,13,17,18-ヘキサキスエチル-21H,23H-ポルフィリンが挙げられる。

また、上記（３）式中、Ａｒが、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子および燐原子から選ばれる２つの原子で、Ｍと結合して５員環を形成する２座配位子であることが望ましく、 Ｍが少なくとも１つの炭素原子と結合するとさらに好ましく、Ａｒが下記式（４）で示される２座配位子である時、より好ましい。

式中、Ｒ²〜Ｒ⁹は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリールチオ基、アリールアルケニル基、環状アルケニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、またはアリール基を示す。Ｒ²〜Ｒ⁹のうち少なくとも1つは高分子鎖との結合手である。

式中、Ｌは水素原子、アルキル基、アリール基、複素環配位子、カルボキシル基、ハロゲン原子、アミド基、イミド基、アルコキシ基、アルキルメルカプト基、カルボニル配位子、アルケン配位子、アルキン配位子、アミン配位子、イミン配位子、ニトリル配位子、イソニトリル配位子、ホスフィン配位子、ホスフィンオキシド配位子、ホスファイト配位子、エーテル配位子、スルホン配位子、スルホキシド配位子またはスルフィド配位子である。ｍは、１〜５の整数を示す。ｏは、０〜５の整数を示す。

Ｌにおいて、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シクロヘキシル基などが例示され、アリール基としてはフェニル基、トリル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基などが例示され、複素環配位子としては、０価でも１価でもよく、０価のものとしては例えば、２，２‘−ビピリジル、１，１０−フェナントロリン、２−(４−チオフェン−２−イル)ピリジン、２−(ベンゾチオフェン−２−イル)ピリジンなどが例示され、
１価のものとしては例えば、フェニルピリジン、２-(パラフェニルフェニル)ピリジン、７−ブロモベンゾ[ｈ]キノリン、２−(４−フェニルチオフェン−２−イル)ピリジン、２−フェニルベンゾオキサゾール、２-(パラフェニルフェニル)ベンゾオキサゾール、２−フェニルベンゾチアゾール、２−(パラフェニルフェニル)ベンゾチアゾールなどが例示される。

カルボキシル基としては特に限定されるものではないが、例えば、アセトキシ基、ナフテネート基または２−エチルヘキサノエート基等が挙げられる。ハロゲン原子としては特に限定されるものではないが、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子等が挙げられる。アミド基としては特に限定されるものではないが、例えば、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、ジイソプロピルアミド基、ジオクチルアミド基、ジデシルアミド基、ジドデシルアミド基、ビス（トリメチルシリル）アミド基、ジフェニルアミド基、Ｎ−メチルアニリドまたはアニリド基等が挙げられる。イミド基としては特に限定されるものではないが、例えば、ベンゾフェノンイミド等が挙げられる。アルコキシ基としては特に限定されるものではないが、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基またはフェノキシ基等が挙げられる。アルキルメルカプト基としては特に限定されるものではないが、例えば、メチルメルカプト基、エチルメルカプト基、プロピルメルカプト基、ブチルメルカプト基またはフェニルメルカプト基等が挙げられる。カルボニル配位子としては、一酸化炭素やアセトン、べンゾフェノンなどのケトン類、アセチルアセトン、アセナフトキノンなどのジケトン類、アセチルアセトナート、ジベンゾメチラート、テノイルトリフルオロアセトナートなどのアセトナート配位子などが例示される。アルケン配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、エチレン、プロピレン、ブテン、ヘキセンまたはデセン等が挙げられる。アルキン配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、アセチレン、フェニルアセチレンまたはジフェニルアセチレン等が挙げられる。アミン配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、トリエチルアミンまたはトリブチルアミン等が挙げられる。イミン配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、ベンゾフェノンイミンまたはメチルエチルケトンイミン等が挙げられる。ニトリル配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、アセトニトリルまたはベンゾニトリル等が挙げられる。イソニトリル配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、ｔ−ブチルイソニトリルまたはフェニルイソニトリル等が挙げられる。ホスフィン配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、トリフェニルホスフィン、トリトリルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィンまたはトリブチルホスフィン等が挙げられる。ホスフィンオキシド配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、トリブチルホスフィンオキシドまたはトリフェニルホスフィンオキシド等が挙げられる。ホスファイト配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、トリフェニルホスファイト、トリトリルホスファイト、トリブチルホスファイトまたはトリエチルホスファイト等が挙げられる。エーテル配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、ジメチルエーテル、ジエチルエーテルまたはテトラヒドロフラン等が挙げられる。スルホン配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、ジメチルスルホンまたはジブチルスルホン等が挙げられる。スルホキシド配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、ジメチルスルホキシドまたはジブチルスルホキシド等が挙げられる。スルフィド配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、エチルスルフィドまたはブチルスルフィド等が挙げられる。

三重項発光錯体としては、具体的には、以下のものがあげられる。

ここで、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、およびシアノ基からなる群から選ばれる基を示す。溶媒への溶解性を高めるためには、アルキル基、アルコキシ基が好ましく、また置換基を含めた繰り返し単位の形状の対称性が少ないことが好ましい。

合成の容易さからは、三重項発光錯体の配位子が、２−フェニル−ピリジンおよびその誘導体であり、中心金属がイリジウムであることが好ましい。

1価の金属錯体基は、前述のとおり、金属錯体の配位子から水素原子を除いた１価の残基があげられ、上記例のＲが結合手となった基があげられる。

１価の金属錯体基としては、以下の基が挙げられる。

式（2）のＺは、直接結合、−ＣＲ₂₀＝ＣＲ₂₁−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｒ₂₂−、−Ｏ−Ｒ₂₂−、―Ｒ₂₂−Ｏ−、−Ｏ−Ｒ₂₂−Ｏ−、―Ｃ（Ｏ）―Ｏ―、―Ｏ―Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−、−Ｎ（Ｒ₂₃）−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｎ（Ｒ₂₃）−、−Ｎ＝ＣＨ−または−ＣＨ＝Ｎ―を表す。
中でも、直接結合、−ＣＲ₂₀＝ＣＲ₂₁−、−Ｒ₂₂−、−Ｏ−Ｒ₂₂−、―Ｒ₂₂−Ｏ−、−Ｏ−Ｒ₂₂−Ｏ−が好ましい。
ここで、Ｒ₂₀、Ｒ₂₁は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基である。
Ｒ₂₂は、アルキレン基またはアルケニレン基を表す。アルキレン基とは、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ｉ−プロピレン基、ブチレン基、 ｉ−ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、シクロヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、２−エチルヘキシレン基、ノニレン基、デシレン基、３，７−ジメチルオクチレン基、ラウリレン基などが挙げられ、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、２−エチルヘキシレン基が好ましい。
アルケニレン基とは、炭素数が通常２〜２０程度であり、ブチニレン基、ペンチニレン基、ヘキシニレン基、ヘプチニレン基、オクチニレン基、ラウリニレン基などが挙げられ、ブチニレン基、ペンチニレン基、ヘキシニレン基、ヘプチニレン基、オクチニレン基、が好ましい。
Ｒ₂₃は、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の複素環基である。

上記式（２）で示される基としては、１価の金属錯体基として例示した基および以下の基が例示される。

Ａ₁は、アリール基、１価の複素環基または１価の芳香族アミン基を表し、該Ａ₁は、上式（２）で示される基を有する。

Ａ₁は、上記式（２）で示される置換基以外に置換基を有していてもよい。Ａ₁が複数の置換基を有する場合、それらは同一であってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。 上記式（２）で示される基以外の置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基などが挙げられる。

ここにアリール基としては、炭素数は通常６〜６０程度であり、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ビフェニル基、トリフェニル基、ピレニル基、フルオレニル基、などが例示される。中でもフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フルオレニル基が好ましい。

１価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常２〜６０程度である。
1価の複素環基としては、例えば、以下のものが挙げられる。
ヘテロ原子として、窒素を含む１価の複素環基；ピリジニル基、ジアザフェニル基、キノリニル基、キノキサリニル基、アクリジニル基、ビピリジニル基、フェナントロリンーイル基など。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレン、酸素などを含みフルオレン構造を有する基（前記式、７９〜９３で示された環を有する基）、
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレン、酸素などを含む５員環複素環基（前記式、９４〜９８で示された環を有する基）ヘテロ原子として、けい素、窒素、硫黄、セレン、酸素などを含む５員環縮合複素環基（前記式、９９〜１０８で示された環を有する基）。
ヘテロ原子として、硫黄などを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し２両体やオリゴマーになっている基（前記式、１０９〜１１０で示された環を有する基）。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレン、酸素などを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基（前記式、１１１〜１１７で示された環を有する基）。

１価の芳香族アミン基とは、芳香族アミンから水素原子１個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常４〜６０程度である。炭素数には置換基の炭素数は含まない。１価の芳香族アミン基としては、例えば、下記式１２３〜１２７に示す基が例示される。

上記式１２３〜１２７において、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、式（2）で示される基、またはシアノ基を示し、少なくとも1つは式（2）で示される基である。上記の例において、１つの構造式中に複数のＲを有しているが、それらは同一であってもよいし、異なる基であってもよい。

式（1）において、Ｂ₁は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、フェノキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリール基、１価の複素環基または１価の芳香族アミン基を表し、該Ｂ₁がアリール基、１価の複素環基または１価の芳香族アミン基である場合、これらは上式（２）で示される基を有していてもよい。

ここで、ハロゲン原子としては、ふっ素原子、塩素原子、臭素原子、よう素原子等が挙げられる。

アルキル基としては、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、 ｉ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、フェニルプロピル基、フェニルブチル基などが挙げられる。
アルコキシ基としては、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、 ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、 ｉ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、フェニルプロピルオキシ基、フェニルブチルオキシ基などが挙げられる。
アルキルオキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロピルオキシカルボニル基、 ｉ−プロピルオキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、 ｉ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシルオキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ラウリルオキシカルボニル基、フェニルプロピルオキシカルボニル基、フェニルブチルオキシカルボニル基などが挙げられる。
アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、プロピルカルボニルオキシ基、ｉ−プロピルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、 ｉ−ブチル基カルボニルオキシ、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基、ヘプチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、２−エチルヘキシルカルボニルオキシ基、ノニルカルボニルオキシ基、デシルカルボニルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルカルボニルオキシ基、ラウリルカルボニルオキシ基、フェニルプロピルカルボニルオキシ基、フェニルブチルカルボニルオキシ基などが挙げられる。
アルキルアミノ基としては、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、モノアルキルアミノ基でもジアルキルアミノ基でもよく、炭素数は通常１〜４０程度であり、具体的には、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、 ｉ−プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、 ｉ−ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基などが挙げられる。
アリール基、１価の複素環基または１価の芳香族アミン基としては、Ａ₁と同様な基が挙げられる。
合成の容易さからは、Ｂ₁は、水素原子またはアルキル基であることがより好ましい。

式（1）において、Ｚ₁は、−ＣＲ₁＝ＣＲ₂−または−Ｃ≡Ｃ−を表す。Ｒ₁、Ｒ₂はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。ｎは、０または１を示す。
光安定性の観点からは、ｎは、０であることが好ましい。

上記式（１）としては、具体的には以下のような単位が例示される。

式（１）で示される繰り返し単位の合計は、通常、全繰り返し単位の０．１モル％以上１００モル％以下であり、０．５モル％以上１００モル％以下が好ましく、１モル％以上１００モル％以下がより好ましい。

本発明の高分子錯体化合物の中では、さらに下記式（１０）で示される繰り返し単位を含むものが好ましい。

− Ａｒ₂₃−（Ｚ’）_p− （１０）

上記式（１０）におけるＡｒ₂₃は、アリーレン基、２価の複素環基、または２価の芳香族アミン基である。Ａｒ₂₃としては、Ａｒ₁と同じ基が例示される。
上記式（１０）において、Ｚ’は、 −ＣＲ₄＝ＣＲ₅−または−Ｃ≡Ｃ−を表す。Ｒ₄およびＲ₅はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。ｐは、０または１を示す。

式（１０）で示される繰り返し単位として具体的には、上記式１から１１７、上記式ＡからＦ、上記式１１８〜１２２、および下記式１２８〜１３３に記載の構造のものが挙げられる。

ここにＲは前記と同じ意味を表す。
中でも、フェニレン基（例えば、上図の式１〜３）、ナフタレンジイル基（上図の式４〜１３）、アントラセニレン基（上図の式１４〜１９）、ビフェニレン基（上図の式２０〜２５）、トリフェニレン基（上図の式２６〜２８）、縮合環化合物基（上図の式２９〜３８）、ジベンゾフランージイル基（上図の式８５〜８７）、ジベンゾチオフェンージイル基（上図の式８８〜９０）、スチルベン−ジイル基、ジスチルベン−ジイル基、２価の芳香族アミン基（上図の１１８〜１１９、１２２）、アリーレンビニレン基（下図の式１２８〜１３３）などが好ましく、中でもフェニレン基、ビフェニレン基、フルオレンージイル基（上図の式３６〜３８）、ジベンゾフランージイル基（上図の式８５〜８７）、ジベンゾチオフェンージイル基（上図の式８８〜９０）、スチルベン−ジイル基、ジスチルベン−ジイル基、２価の芳香族アミン基が特に好ましい。

式（1）及び（１０）で示される繰り返し単位を含む高分子錯体化合物の中で、式（１）および式（１０）で示される繰り返し単位の合計が全繰り返し単位の５０モル％以上であり、かつ式（１）および式（１０）で示される繰り返し単位の合計に対して、式（１）で示される繰り返し単位が １モル％以上９０モル％以下であるものが耐熱性の観点からより好ましい。

本発明の高分子錯体化合物は、典型的には、ポリスチレン換算の数平均分子量１０³〜１０⁸ 程度であり、２×１０³〜１０⁷であることが好ましい。

また、本発明の高分子錯体化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、素子にしたときの発光特性や寿命が低下する可能性があるので、安定な基で保護されていてもよい。主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく、また、例えば、ビニレン基を介してアリール基または複素環基と結合している構造であっても良い。具体的には、特開平９−４５４７８号公報の化１０に記載の置換基等が例示される。

なお、本発明の高分子錯体化合物は、燐光、蛍光特性や電荷輸送特性を損なわない範囲で上記、式（１）及び（１０）で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位を含んでいてもよいが、実質的に式（1）で示される繰り返し単位からなるもの、実質的に式（1）および（１０）で示される繰り返し単位からなるものが好ましい。

繰り返し単位が、ビニレンや非共役部分で連結されていてもよいし、繰り返し単位にそれらのビニレンや非共役部分が含まれていてもよい。上記非共役部分を含む結合構造としては、以下に示すもの、以下に示すものとビニレン基を組み合わせたもの、および以下に示すもののうち２つ以上を組み合わせたものなどが例示される。ここで、Ｒは前記のものと同じ置換基から選ばれる基であり、Ａｒは炭素数６〜６０個の炭化水素基を示す。

本発明の高分子錯体化合物は、ランダム、ブロックまたはグラフト共重合体であってもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子、例えばブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。燐光、蛍光の量子収率の高い高分子錯体化合物を得る観点からは完全なランダム共重合体よりブロック性を帯びたランダム共重合体やブロックまたはグラフト共重合体が好ましい。主鎖に枝分かれがあり、末端部が３つ以上ある場合やデンドリマーも含まれる。

本発明の高分子錯体化合物を高分子ＬＥＤの発光材料として用いる場合、薄膜からの蛍光やりん光を利用するので本発明の高分子錯体化合物としては、固体状態で蛍光またはりん光を有するものが好ましい。

本発明の高分子錯体化合物に対する良溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ｎ−ブチルベンゼンなどが例示される。高分子化合物の構造や分子量にもよるが、通常はこれらの溶媒に０．１重量％以上溶解させることができる。

次に、本発明の高分子錯体化合物の製造方法について説明する。

本発明の高分子錯体化合物は、例えば、
〔１〕Ｘ₁−Ｇ−Ｘ₂で示される単量体（ここにＸ₁、Ｘ₂はそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシまたはアリールスルホニルオキシ基を示す。−Ｇ−は、式（1）で示される繰り返し単位を示す。）をＮi触媒の存在下反応させて得ることができる。
高分子錯体化合物が例えば、式（10）で示される繰り返し単位を有する場合には、Ｚ₃−Ｄ−Ｚ₄で示される単量体（Ｚ₃、Ｚ₄はそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基またはアリールスルホニルオキシ基を示す。−Ｄ−は、式（１０）で示される繰り返し単位を示す。）を共存させればよい。

また、本発明の高分子錯体化合物は、Ｙ₁−Ｇ−Ｙ₂（ここにＹ₁、Ｙ₂はそれぞれ独立にホウ酸基またはホウ酸エステル基を示す。−Ｇ−は、式（1）で示される繰り返し単位を示す。）で示される単量体と、Ｚ₅−Ｇ−Ｚ₆で示される単量体（Ｚ₅、Ｚ₆はハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基またはアリールスルホニルオキシ基を示す。−Ｇ−は、式（1）で示される繰り返し単位を示す。）とをＰｄ触媒の存在下反応させて得ることができる。

さらに、本発明の高分子錯体化合物のうち、式（10）で示される繰り返し単位を有するものは、Ｙ₃−Ｇ−Ｙ₄（ここにＹ₃、Ｙ₄はそれぞれ独立にホウ酸基またはホウ酸エステル基である。−Ｇ−は、式（1）で示される繰り返し単位を示す。）で示される単量体と、Ｚ₃−Ｄ−Ｚ₄で示される単量体（Ｚ₃、Ｚ₄はそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基またはアリールスルホニルオキシ基を示す。−Ｄ−は、式（１０）で示される繰り返し単位を示す。）とをＰｄ触媒の存在下反応させて得ることができる。

また、本発明の高分子錯体化合物は、〔２〕１価の金属錯体基Ｔから金属部分を除いた構造Ｔ’を有する高分子化合物と、金属部分に対応する金属錯体化合物を反応させることにより製造できる。
すなわち、三重項発光錯体の配位子となる、例えば、８−キノリノールおよびその誘導体、ベンゾキノリノールおよびその誘導体、２−フェニル−ピリジンおよびその誘導体、２−フェニル−ベンゾチアゾールおよびその誘導体、２−フェニル−ベンゾオキサゾールおよびその誘導体、ポルフィリンおよびその誘導体などを有する高分子化合物を得た後、該高分子化合物に金属化合物を反応させて、高分子錯体化合物を得ることができる。

Ｔ’としては、Ｔに対応するものであれば特に限定されないが、例えば、ピリジン環、チオフェン環、ベンゾオキサゾール環などの複素環類やベンゼン環が結合して構成された配位子となる基で、具体的には、４−（２−ピリジル）フェニレン、４−｛４−（２−ピリジル）フェニレン｝フェニレン、ベンゾ[ｈ]キノリン−２−イル、４−（２−ピリジル）チオフェン−２−イル、４−｛４−（２−ピリジル）フェニレン｝チオフェン−２−イル、４−（２−ベンゾオキサゾール）フェニレン、４−｛４−（２−ベンゾオキサゾール）フェニレン｝フェニレン、４−（２−ベンゾチアゾール）フェニレン、４−｛４−（２−ベンゾチアゾール）フェニレン｝フェニレン、５−（２−ピリジン）ベンゾチオフェン−２−イル、７,8,12,13,17,18-ヘキサキスエチル-21H,23H-ポルフィリンーイルなどが例示され、これらに置換基を有していてもよい。置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリールチオ基、アリールアルケニル基、環状アルケニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリール基、1価の複素環基が挙げられ、その定義、具体例は上記におけるそれと同様である。

具体的な基を下記に示す。

この高分子化合物は、例えば、Ｘ₃−Ｊ−Ｘ₄（ここにＸ₃、Ｘ₄はそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシまたはアリールスルホニルオキシ基を示す。−Ｊ−は、式（１）のＴがＴ’に置き換えられた繰り返し単位を表す。）で示される単量体をＮi触媒の存在下反応させて得ることができる。
また、Ｘ₃−Ｊ−Ｘ₄で示される単量体とＹ₃−Ｊ−Ｙ₄（ここにＹ₃、Ｙ₄はそれぞれ独立にホウ酸基またはホウ酸エステル基を示す。−Ｊ−は、前記とおなじ意味を表す。）で示される単量体とをＰｄ触媒の存在下反応させて得ることができる。

上記高分子化合物に、金属錯体化合物を反応させて、高分子錯体化合物を製造する。
具体的には、上記高分子化合物と、式（３）で示される金属錯体であって、その配位子の中心金属に対する配位能力が、高分子の配位部分の配位能力よりも低い配位子を構造単位として有する金属錯体を反応させ、配位子交換反応により、本発明の高分子錯体化合物を製造することができる。

具体的には、例えば、下記に示すような金属錯体構造部分を有する高分子化合物に

次に示すような金属錯体化合物を

例えば、不活性ガス雰囲気下、反応を阻害することがない溶媒、例えば、脱水グリセロール等の高沸点溶媒中、反応温度は、特に限定されないが、通常は、０から３００℃、好ましくは、６０から２５０℃、より好ましくは、７０から２００℃程度、反応時間は、特に限定されないが、通常は、０．５時間から１００時間、好ましくは、３から５０時間、より好ましくは、６から２４時間程度反応させることにより、例えば、次のような構造単位を有する、本発明の高分子錯体化合物を製造することができる。

この場合、高分子化合物に反応させる金属錯体化合物の量を調整することにより、次に示すような、高分子化合物の繰り返し単位を含む、高分子錯体化合物を製造することもできる。

また、本発明の高分子錯体化合物は、具体的に次のような方法によっても合成できる。
〔３〕例えば、下図のような、反応活性基Ｚ₇を有する高分子化合物に、

（ここにＺ₇は、例えば、ハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシまたはアリールスルホニルオキシ基を示す。）
例えば、下図のような、反応活性基Ｚ₇と反応する反応活性基を有する金属錯体化合物

を、パラジウム触媒存在下、反応（Ｈｅｃｋ反応）させることにより、下図のような、高分子金属錯体化合物を得ることができる。

合成の容易さからは、上記〔２〕、〔３〕の方法が好ましい。

上記式中 Ｘ₁、Ｘ₂、Ｘ₃、Ｘ₄、Ｚ₃、Ｚ₄、Ｚ₅、Ｚ₆、Ｚ₇で示されるハロゲン原子としては、よう素、臭素、塩素、などが例示される。また、アリールスルホニルオキシ基としては、ペンタフルオロフェニルスルホニルオキシ基、パラトルエンスルホニルオキシ基などが、アルキルスルホニルオキシ基としては、メタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、などが例示される。

Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃、Ｙ₄で示されるホウ酸基、ホウ酸エステル基としては、ホウ酸基、ジメチルホウ酸エステル、エチレンホウ酸エステル、トリメチレンホウ酸エステルなどが例示される。

Ｎｉ触媒を用いた反応としては、ゼロ価ニッケル錯体｛Ｎｉ（ＣＯＤ）２｝の存在下、重合する方法が例示される。
ゼロ価ニッケル錯体としては、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）、（エチレン）ビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（０）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）ニッケルなどが例示され、中でも、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）が、汎用性で安価という観点で好ましい。
また、中性配位子を添加することが、収率向上の観点から好ましい。
ここに、中性配位子とは、アニオンやカチオンを有していない配位子であり、２，２’−ビピリジル、１，１０−フェナントロリン、メチレンビスオキサゾリン、Ｎ，Ｎ‘−テトラメチルエチレンジアミン等の含窒素配位子；トリフェニルホスフィン、トリトリルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェノキシホスフィン等の第三ホスフィン配位子などが例示され、汎用性、安価の点で含窒素配位子が好ましく、２，２’−ビピリジルが高反応性、高収率の点で特に好ましい。 特に、重合体の収率向上の点から、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）を含む系に中性配位子として２，２’−ビピリジルを加えた系が好ましい。
重合溶媒としては、重合を阻害しないものであれば特に限定されないが、例えば、アミド系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒などが挙げられる。
ここに、アミド系溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等が挙げられる。
芳香族炭化水素系溶媒としては、芳香族炭化水素化合物からなる溶媒であり、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、ブチルベンゼン、ナフタリン、テトラリン等が挙げられ、トルエン、キシレン、テトラリン、テトラメチルベンゼンなどが好ましい。
また、エーテル系溶媒としては、酸素原子で炭化水素基が結合した化合物からなる溶媒であり、例えば、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジフェニルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル等が挙げられ、高分子化合物に対する良溶媒である、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサンなどが好ましい。
また、重合性、溶解性を改良する観点から、これら溶媒を混合して用いてもよい。

重合反応は、通常アルゴン、窒素等の不活性ガス雰囲気下、行われる。
重合時間は、通常０．５〜１００時間程度であるが、製造コストの点から、３０時間以内が好ましい。
重合温度は、通常０〜２００℃程度であるが、高収率、低加熱費の点から、０〜１００℃が好ましい。

Ｐｄ触媒の存在下反応させる例としては、例えば、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応が挙げられる。
Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応に用いられるパラジウム触媒としては、酢酸パラジウム、パラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］錯体、ビス(トリシクロヘキシルホスフィン)パラジウム錯体などが例示される。
例えば、パラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］を用い、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化バリウム等の無機塩基、トリエチルアミン等の有機塩基、フッ化セシウムなどの無機塩をモノマーに対して当量以上、好ましくは１〜１０当量加えて反応させる。無機塩を水溶液として、２相系で反応させてもよい。溶媒としては、 Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、トルエン、ジメトキシエタン、テトラヒドロフランなどが例示される。溶媒にもよるが５０〜１６０℃程度の温度が好適に用いられる。溶媒の沸点近くまで昇温し、環流させてもよい。反応時間は１時間から２００時間程度である。

Ｈｅｃｋ反応に用いられるパラジウム触媒としては、酢酸パラジウム、パラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］錯体、ビス(トリシクロヘキシルホスフィン)パラジウム錯体などが例示される。リン配位子としては、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパンなどが例示される。
例えば、パラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］を用い、トリエチルアミン等の塩基を、モノマーに対して当量以上、好ましくは１〜１０当量加えて反応させる。溶媒としては、 Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、トルエン、アセトニトリル、テトラヒドロフランなどが例示される。溶媒にもよるが５０〜１６０℃程度の温度が好適に用いられる。溶媒の沸点近くまで昇温し、環流させてもよい。反応時間は１時間から２００時間程度である。

本発明の高分子錯体化合物は、反応後、必要に応じ、酸洗浄、アルカリ洗浄、中和、水洗浄、有機溶媒洗浄、再沈殿、遠心分離、抽出、カラムクロマトグラフィーなどの慣用の分離操作、精製操作、乾燥その他の操作に供してもよい。

本発明の高分子錯体化合物を高分子ＬＥＤの発光材料として用いる場合、その純度が発光特性に影響を与えるため、本発明の製造方法においては、上記分離操作、精製操作を十分行い、未反応モノマー、副生成物、触媒残渣などを十分除いておくことが好ましい。
乾燥の際には、残存する溶媒が十分に除去される条件であればよい。高分子化合物の変質を防止するために、不活性な雰囲気で遮光して乾燥することが好ましい。また、高分子錯体化合物が熱的に変質しない温度で乾燥することが好ましい。

本発明の高分子錯体化合物は、発光材料の有効成分として用いることができる。さらに、電荷輸送性材料有機半導体材料、光学材料、あるいはドーピングにより導電性材料として用いることもできる。

次に、本発明の高分子ＬＥＤについて説明する。
本発明の高分子ＬＥＤは、陽極および陰極からなる電極間に、発光層を有し、該発光層が本発明の高分子錯体化合物を含むことを特徴とする。

また、本発明の高分子ＬＥＤとしては、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ等が挙げられる。

本発明の高分子ＬＥＤには少なくとも一方の電極と発光層との間に該電極に隣接して導電性高分子を含む層を設けた高分子ＬＥＤ；少なくとも一方の電極と発光層との間に該電極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤも含まれる。

例えば、具体的には、以下のａ）〜ｄ）の構造が例示される。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）

ここで、発光層とは、発光する機能を有する層であり、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層であり、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層である。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。
発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に２層以上用いてもよい。

また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれることがある。

さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。
積層する層の順番や数、および各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜用いることができる。

本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。
例えば、具体的には、以下のe)〜p）の構造が挙げられる。
e）陽極／電荷注入層／発光層／陰極
f）陽極／発光層／電荷注入層／陰極
g）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極
h）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
i）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
j）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
k）陽極／電荷注入層／発光層／電荷輸送層／陰極
l）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
m）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
n）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極

電荷注入層の具体的な例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層などが例示される。

上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０³Ｓ／ｃｍ以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０²Ｓ／ｃｍ以下がより好ましく、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０¹Ｓ／ｃｍ以下がさらに好ましい。
通常は該導電性高分子の電気伝導度を１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０³Ｓ／ｃｍ以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。

ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンなどが例示され、カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンなどが例示される。
電荷注入層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１００ｎｍであり、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。

電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキノキサリンおよびその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む重合体などの導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニンなど）、カーボンなどが例示される。

膜厚２ｎｍ以下の絶縁層は電荷注入を容易にする機能を有するものである。上記絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。

具体的には、例えば、以下のｑ)〜ab）の構造が挙げられる。
ｑ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／陰極
ｒ）陽極／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｓ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｔ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極
u）陽極／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
v）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
w）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極
x）陽極／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
y）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
z）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
aa）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ab）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極

本発明の高分子ＬＥＤにおける 発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

本発明の高分子ＬＥＤにおいては、発光層に上記高分子錯体化合物以外の発光材料を混合して使用してもよい。また、本発明の高分子ＬＥＤにおいては、上記高分子錯体化合物以外の発光材料を含む発光層が、上記高分子錯体化合物を含む発光層と積層されていてもよい。
該発光材料としては、公知のものが使用できる。低分子化合物では、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセンもしくはその誘導体、ペリレンもしくはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエンもしくはその誘導体、またはテトラフェニルブタジエンもしくはその誘導体などを用いることができる。また、前記のような三重項発光錯体も使用可能である。
具体的には、例えば特開昭５７−５１７８１号、同５９−１９４３９３号公報に記載されているもの等、公知のものが使用可能である。

発光層の成膜の方法に制限はないが、溶液からの成膜による方法が例示される。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。

本発明の高分子ＬＥＤが正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体などが例示される。

具体的には、該正孔輸送材料として、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。

これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料として、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。

ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体は、例えばビニルモノマーからカチオン重合またはラジカル重合によって得られる。

ポリシランもしくはその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）第８９巻、１３５９頁（１９８９年）、英国特許ＧＢ２３００１９６号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。

ポリシロキサンもしくはその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖または主鎖に上記低分子正孔輸送材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖または主鎖に有するものが例示される。

正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。

溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。

混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。

正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

本発明の高分子ＬＥＤが電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送材料としては公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体等が例示される。

具体的には、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。

これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。

電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、または溶液もしくは溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液または溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液または溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料および／または高分子バインダーを溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。

溶液または溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。

混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また、可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、またはポリシロキサンなどが例示される。

電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

本発明の高分子ＬＥＤを形成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板などが例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明または半透明であることが好ましい。

本発明において、陽極および陰極からなる電極の少なくとも一方が透明または半透明であり、陽極側が透明または半透明であることが好ましい。
該陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜（ＮＥＳＡなど）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボンなどからなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよい。

本発明の高分子ＬＥＤで用いる陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、およびそれらのうち２つ以上の合金、あるいはそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。
陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。

陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよく、陰極作製後、該高分子ＬＥＤを保護する保護層を装着していてもよい。該高分子ＬＥＤを長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層および／または保護カバーを装着することが好ましい。

該保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物などを用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板などを用いることができ、該カバーを熱効果樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。

また、陽極および陰極からなる電極間に、電荷輸送層と発光層とを有し、該電荷輸送層が本発明の高分子錯体化合物を含む高分子ＬＥＤも可能である。

本発明の高分子発光素子は、面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置のバックライトとして用いることができる。

本発明の高分子ＬＥＤを用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極または陰極のいずれか一方、または両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯｎ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号などを表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる発光材料を塗り分ける方法や、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴなどと組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダーなどの表示装置として用いることができる。
さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、あるいは面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。

以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
ここで、数および重量平均分子量については、テトラヒドロフランを溶媒として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によりポリスチレン換算の数および重量平均分子量を求めた。

実施例１
＜高分子化合物１の合成＞
１−（４−（ブロモメチル）フェニル）−１‘−（４−クロロフェニル）−１’‘−（４−クロロフェニル）メタンと亜りん酸トリエチルとを反応させて、ホスホン酸エステルを得る。このホスホン酸エステルと４−（２−ピリジル）ベンズアルデヒドとを反応して、下記の化合物を得る。

この化合物と１，４−ジクロロー２−｛４−（３，７−ジメチルオクチルオキシ）フェニル｝ベンゼンと２，２‘−ビピリジルとをテトラヒドロフラン（脱水）に溶解する。窒素ガスでバブリングして、系内を窒素ガス置換する。この溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ni(COD)2｝を加え、室温で約１０分間程度攪拌する。次に、昇温し、６０℃で８時間程度反応する。なお、反応は、窒素雰囲気中で行う。
この反応液を、冷却する。この反応溶液から、通常の一連の単離操作によって重合体を得ることができるが、例えば、この反応溶液に、２５％アンモニア水／メタノール／イオン交換水混合溶液を加え、約１時間攪拌する。この溶液を室温で一夜静置する。生成した沈殿をろ過することにより、回収する。次に、この沈殿を乾燥する。この沈殿をトルエンに溶解する。不溶物をろ過することにより、除去する。次に、このトルエン溶液を、アルミナを充填したカラムを通過させることにより精製する。次に、このトルエン溶液をメタノール中に注ぎ込み、再沈精製する。沈殿を回収し、エタノールで洗浄する。次に、この沈殿を減圧乾燥して、重合体を得る。
この重合体を高分子化合物１と呼ぶ。

仕込みから推定される高分子化合物１に含まれる繰り返し単位の構造を下記に示す。

実施例２
＜高分子錯体化合物１の合成＞
実施例１の高分子化合物１と下記のＩｒ金属錯体化合物

とをジエチレングリコール等の脱水溶媒に溶解する。この溶液を窒素ガスでバブリングすることにより、反応系内を窒素ガスで置換する。次に、この溶液を昇温し、１７５℃程度の高温で数十時間反応する。反応液を冷却した後、この反応溶液から、通常の、一連の単離操作により、重合体を得ることができるが、例えば、トルエンを加え攪拌、反応生成物を抽出する。分液により、トルエン層を回収する。次に、このトルエン溶液をメタノール中に注ぎ込み、再沈精製する。生成した沈殿を回収し、エタノールで洗浄した後、これを減圧乾燥して、重合体を得る。
この重合体を高分子錯体化合物１と呼ぶ。

仕込みから推定される高分子錯体化合物１に含まれる繰り返し単位の構造を下記に示す。

実施例３
＜薄膜の作成および薄膜のＰＬスペクトル＞
高分子錯体化合物１を石英ガラスプレートに１０００ｒｐｍで約４０秒間スピンコートし、得られた薄膜を、減圧下一昼夜乾燥することで膜中の残存溶媒を除去する。ＪＡＳＣＯ ＦＰ−６５００ ｓｐｅｃｔｒｏｆｌｕｏｒｏｍｅｔｅｒで薄膜のＰＬスペクトルを測定する。

実施例４
単量体（１）

単量体（２）

単量体（３）

４，４‘、４’‘−トリヒドロキシトリフェニルメタンにトリフルオロメタンスルホン酸無水物を反応させて、トリフルオロメタンスルホネート｛単量体（１）｝を得た。この単量体（１）０．６６ｇと単量体（２）０．５６ｇと単量体（３）０．３８ｇとを、トルエン２５ｇに溶解した。この溶液に、４ｗｔ％Ｋ₂ＣＯ₃水溶液２５ｇを加え、この溶液に、アルゴンガスをバブリンして、反応系内をアルゴンガスで置換した。この溶液にテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．１ｇを、あらかじめアルゴンガスで脱気したトルエン１５ｇに溶解した溶液を加え、９５℃で８時間反応させた。なお、反応は窒素雰囲気中で行った。
反応後、この溶液を室温まで冷却した後、トルエンを加え、攪拌した後、静置、分液、トルエン溶液を回収した。このトルエン溶液をろ過し、不溶物を除去した後、このトルエン溶液を、アルミナを充填したカラムを通すことにより、精製した。このトルエン溶液を減圧濃縮し、トルエンを留去して、重合体を得た。この重合体をメタノールで洗浄した後、減圧乾燥して、重合体０．０３ｇを得た。この重合体を高分子化合物２と呼ぶ。
高分子化合物２のポリスチレン換算数平均分子量は２ｘ１０³であり、重量平均分子量は、４ｘ１０³であった。
仕込みから推定される高分子化合物２に含まれる繰り返し単位の構造を下記に示す。

実施例５
単量体（４）

高分子化合物２と単量体（４）とを、ジエチレングリコールモノエチルエーテルなどの脱水溶媒に溶解した後、この溶液をアルゴンガスでバブリングすることにより、反応系内をアルゴンガスで置換する。次に、昇温して、１７５℃程度の高温で、数十時間反応する。なお、反応は、窒素雰囲気中で行う。
反応後、反応溶液を冷却した後、この反応溶液から、通常の、一連の単離操作によって、重合体を得ることができるが、例えば、この溶液をメタノール中に注ぎ込み、再沈精製する。生成した沈殿を回収し、エタノールで洗浄した後、これを減圧乾燥して、重合体を得る。
この重合体を高分子錯体化合物２と呼ぶ。
仕込みから推定される高分子錯体化合物２に含まれる繰り返し単位の構造を下記に示す

実施例６
４，４‘、４’‘−トリヒドロキシトリフェニルメタンにトリフルオロメタンスルホン酸無水物を反応させて、トリフルオロメタンスルホネート｛単量体（１）｝を得た。この単量体（１）０．６６ｇと単量体（２）０．５６ｇとをトルエン３５ｇに溶解した。この溶液に、４ｗｔ％Ｋ₂ＣＯ₃水溶液３５ｇを加え、この溶液に、アルゴンガスをバブリンすることで、反応系内を、アルゴンガスで置換した。次に、この溶液に、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．０５８ｇを、あらかじめアルゴンガスで脱気したトルエン溶液に溶解した溶液を加え、９０〜９５℃で８時間反応した。なお、反応は窒素雰囲気中で行った。
反応後、この溶液を室温まで冷却した後、トルエンを加え、攪拌、攪拌後、静置、分液し、トルエン溶液を回収した。このトルエン溶液をろ過し、不溶物を除去した後、このトルエン溶液を、アルミナを充填したカラムを通すことにより、精製した。このトルエン溶液を減圧濃縮し、トルエンを留去して、重合体０．０９ｇを得た。この重合体を高分子化合物３と呼ぶ。
高分子化合物３のポリスチレン換算数平均分子量は３．２ｘ１０³であり、重量平均分子量は、３．７ｘ１０³であった。
仕込みから推定される高分子化合物３に含まれる繰り返し単位の構造を下記に示す。

実施例７
単量体（５）

高分子化合物３をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の脱水溶媒に溶解した後、この溶液をアルゴンガスでバブリングすることにより、反応系内をアルゴンガスで置換する。次に、この溶液に、トリス（ｏ−トリル）ホスフィンなどのリン配位子と酢酸パラジウムＰｄ（ＯＡｃ）₂を加え、攪拌する。次に、この溶液に、単量体（５）とトリエチルアミン等の塩基を加えた後、１００℃程度の温度で数十時間反応する。なお、反応は窒素雰囲気中で行う。
反応後、反応溶液を冷却した後、この反応溶液から、通常の、一連の単離操作によって、重合体を得ることができるが、例えば、この溶液をメタノール中に注ぎ込み、再沈精製する。生成した沈殿を回収し、エタノールで洗浄した後、減圧乾燥して、重合体を得る。この重合体を高分子錯体化合物３と呼ぶ。
仕込みから推定される高分子錯体化合物３に含まれる繰り返し単位の構造を下記に示す。

実施例８
単量体（６）

単量体（７）

単量体（８）

単量体（６）０．７３ｇと単量体（７）１．４２ｇとを、テトラヒドロフラン（脱水）５０ｇに溶解した。この溶液に、あらかじめカリウム−ｔｅｒｔ．−ブトキシド ０．６７ｇをテトラヒドロフラン（脱水）１０ｇに溶解した溶液を、室温で滴下した。引き続き、室温で、５時間反応させた。なお、反応は、窒素雰囲気中で行った。
反応後、反応液を減圧濃縮して、沈殿を得た。次に、この沈殿を、メタノールで洗浄した。次に、この沈殿をトルエンに溶解した後、この溶液をろ過して、不溶物を除いた。次に、このトルエン溶液を、アルミナを充填したカラムを通すことにより、精製した。次に、このトルエン溶液を、減圧濃縮、続いて、生成した沈殿を減圧乾燥して、単量体（８）０．６ｇを得た。

実施例９
単量体（１）を、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の脱水溶媒に溶解した後、この溶液をアルゴンガスでバブリングすることにより、反応系内をアルゴンガスで置換する。次に、この溶液に、トリス（ｏ−トリル）ホスフィン等のリン配位子と酢酸パラジウムＰｄ（ＯＡｃ）₂とを加え、攪拌する。次に、この溶液に、単量体（５）と単量体（８）とトリエチルアミン等の塩基とを加えた後、１００℃程度の温度で数十時間反応する。なお、反応は窒素雰囲気中で行う。
反応後、反応溶液を冷却した後、この反応溶液から、通常の、一連の単離操作によって、重合体を得ることができるが、例えば、この溶液をメタノール中に注ぎ込み、再沈精製する。生成した沈殿を回収し、エタノールで洗浄した後、減圧乾燥して、重合体を得る。この重合体を高分子錯体化合物４と呼ぶ。
仕込みから推定される高分子錯体化合物４に含まれる繰り返し単位の構造を下記に示す。

Claims (8)

1. 下記式（１）で示される繰り返し単位を含み、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０³〜１×１０⁸である高分子錯体化合物。
   

   

   
   〔式中、Ａｒ₁およびＡｒ₂は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基または２価の芳香族アミン基を表し、Ａ₁は、アリール基、１価の複素環基または１価の芳香族アミン基を表し、該Ａ₁は、下式（２）
   −Ｚ―Ｔ （２）
   （式中、Ｔは１価の金属錯体基を表し、Ｚは、直接結合、−ＣＲ₂₀＝ＣＲ₂₁−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｒ₂₂−、−Ｏ−Ｒ₂₂−、―Ｒ₂₂−Ｏ−、−Ｏ−Ｒ₂₂−Ｏ−、―Ｃ（Ｏ）―Ｏ―、―Ｏ―Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−、−Ｎ（Ｒ₂₃）−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｎ（Ｒ₂₃）−、−Ｎ＝ＣＨ−または−ＣＨ＝Ｎ―を表す。Ｒ₂₀およびＲ₂₁は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。Ｒ₂₂は、アルキレン基またはアルケニレン基を表す。Ｒ₂₃は、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の複素環基を示す。）
   で示される基を有する。
   Ｂ₁は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、フェノキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリール基、１価の複素環基または１価の芳香族アミン基を表し、該Ｂ₁がアリール基、１価の複素環基または１価の芳香族アミン基である場合、これらは上式（２）で示される基を有していてもよく、Ｚ₁は、−ＣＲ₁＝ＣＲ₂−または−Ｃ≡Ｃ−を表す。Ｒ₁およびＲ₂は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。ｎは、０または１を示す。〕
2. さらに下記式（１０）で示される繰り返し単位を含むことを特徴とする請求項１記載の高分子錯体化合物。
   
   − Ａｒ₂₃−（Ｚ’）_p− （１０）
   〔ここで、Ａｒ₂₃は、アリーレン基、２価の複素環基または２価の芳香族アミン基を示す。Ｚ’は、 −ＣＲ₄＝ＣＲ₅−または−Ｃ≡Ｃ−を表す。Ｒ₄およびＲ₅はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。ｐは、０または１を示す。〕
3. 請求項１または２記載の高分子錯体化合物を含有することを特徴とする発光材料。
4. 陽極および陰極からなる電極間に、発光層を有し、該発光層が請求項３に記載の発光材料を含むことを特徴とする高分子発光素子。
5. 請求項4に記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とする面状光源。
6. 請求項4に記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とするセグメント表示装置。
7. 請求項４に記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とするドットマトリックス表示装置。
8. 請求項４に記載の高分子発光素子をバックライトとすることを特徴とする液晶表示装置。