JP4381435B2 - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4381435B2 JP4381435B2 JP2007179693A JP2007179693A JP4381435B2 JP 4381435 B2 JP4381435 B2 JP 4381435B2 JP 2007179693 A JP2007179693 A JP 2007179693A JP 2007179693 A JP2007179693 A JP 2007179693A JP 4381435 B2 JP4381435 B2 JP 4381435B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- groove
- impurity
- impurity region
- drain region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
図1は、本発明の第1実施形態によるトレンチゲート型のパワーMOSFET(半導体装置)100の構造を示した断面図であり、図2は、図1に示した第1実施形態によるパワーMOSFET100の不純物領域11近傍を示した拡大断面図である。図3は、図1に示した第1実施形態によるパワーMOSFET100の概略を示した平面図である。
図9は、本発明の第2実施形態によるトレンチゲート型のパワーMOSFET200の構造を示した断面図である。この第2実施形態のパワーMOSFET200では、上記第1実施形態と異なり、不純物領域216が所定の領域に形成されている。
図12は、本発明の第3実施形態によるトレンチゲート型のパワーMOSFET300の構造を示した断面図である。この第3実施形態のパワーMOSFET300では、上記第1実施形態と異なり、不純物領域316がドレインドリフト領域3の表面に露出しないように形成されている。
3 ドレインドリフト領域(第2ドレイン領域)
6a 溝部
7 ゲート絶縁膜(絶縁膜)
8 ゲート電極
9 ベース領域
10 ソース領域
11 不純物領域(第2不純物領域)
15 引き出し部
16、216、316 不純物領域(第1不純物領域)
61a 一方側面
62a 他方側面
63a 下端部
100、200、300 パワーMOSFET(半導体装置)
Claims (6)
- 第1導電型の第1ドレイン領域と、
前記第1ドレイン領域上に形成され、前記第1ドレイン領域の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有する第1導電型の第2ドレイン領域と、
前記第2ドレイン領域を貫通して前記第1ドレイン領域まで達するように形成された前記第1ドレイン領域の引き出し部と、
前記第2ドレイン領域に形成された溝部内に形成されたゲート電極と、
前記引き出し部と隣接するように形成されるとともに、少なくとも前記溝部の下端部よりも下方に形成された第2導電型の第1不純物領域とを備えた、半導体装置。 - 前記第1不純物領域は、前記第1ドレイン領域まで達するように形成されている、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記溝部と前記引き出し部との間に形成されるとともに、前記溝部の下端部よりも下方に延びるように形成された第2導電型の第2不純物領域をさらに備える、請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記第1不純物領域は、前記第2ドレイン領域の表面まで達するように形成されている、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 第1導電型の第1ドレイン領域を形成する工程と、
前記第1ドレイン領域上に、前記第1ドレイン領域の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有する第1導電型の第2ドレイン領域を形成する工程と、
前記第2ドレイン領域を貫通して前記第1ドレイン領域まで達するように前記第1ドレイン領域の引き出し部を形成する工程と、
前記第2ドレイン領域に溝部を形成する工程と、
前記溝部内にゲート電極を形成する工程と、
前記引き出し部と隣接するとともに、少なくとも前記溝部の下端部よりも下方に、不純物をイオン注入することにより、第2導電型の第1不純物領域を形成する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。 - 前記溝部と前記引き出し部との間に、前記溝部の下端部よりも下方に延びるように、不純物をイオン注入することにより、第2導電型の第2不純物領域を形成する工程をさらに備える、請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007179693A JP4381435B2 (ja) | 2007-07-09 | 2007-07-09 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
CN2008101295781A CN101339958B (zh) | 2007-07-03 | 2008-07-02 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
US12/167,764 US7948031B2 (en) | 2007-07-03 | 2008-07-03 | Semiconductor device and method of fabricating semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007179693A JP4381435B2 (ja) | 2007-07-09 | 2007-07-09 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009016735A JP2009016735A (ja) | 2009-01-22 |
JP4381435B2 true JP4381435B2 (ja) | 2009-12-09 |
Family
ID=40357245
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007179693A Expired - Fee Related JP4381435B2 (ja) | 2007-07-03 | 2007-07-09 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4381435B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7495257B2 (ja) * | 2020-03-24 | 2024-06-04 | 株式会社東海理化電機製作所 | 半導体集積回路、および半導体集積回路の製造方法 |
-
2007
- 2007-07-09 JP JP2007179693A patent/JP4381435B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009016735A (ja) | 2009-01-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8399921B2 (en) | Metal oxide semiconductor (MOS) structure and manufacturing method thereof | |
JP6666671B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5136578B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6092749B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP5767857B2 (ja) | トレンチ型mosfet及びその製造方法 | |
JP2011100877A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
CN110676310B (zh) | 高压垂直功率部件 | |
JP2008159916A (ja) | 半導体装置 | |
KR20140085141A (ko) | 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
CN108400166A (zh) | 在端子降低表面电场区域中具有端子沟槽的功率晶体管 | |
JP2020129597A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
US7948031B2 (en) | Semiconductor device and method of fabricating semiconductor device | |
US8524559B2 (en) | Manufacturing method of power transistor device | |
TWI571959B (zh) | 改善uis性能的溝槽式功率半導體器件及其製備方法 | |
JP5055722B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP4381435B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
KR100906557B1 (ko) | 반도체소자 및 그 제조방법 | |
JP4425295B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2011171602A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2008198676A (ja) | 半導体装置 | |
TWI548090B (zh) | 半導體裝置及其製作方法 | |
JP2006278465A (ja) | 固体撮像装置 | |
US20140120670A1 (en) | Trenched power mosfet with enhanced breakdown voltage and fabrication method thereof | |
JP2009043795A (ja) | 半導体装置 | |
JP6215647B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090813 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090818 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090915 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121002 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121002 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131002 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |