JP4377717B2 - ウエーハの分割方法 - Google Patents
ウエーハの分割方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4377717B2 JP4377717B2 JP2004053604A JP2004053604A JP4377717B2 JP 4377717 B2 JP4377717 B2 JP 4377717B2 JP 2004053604 A JP2004053604 A JP 2004053604A JP 2004053604 A JP2004053604 A JP 2004053604A JP 4377717 B2 JP4377717 B2 JP 4377717B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- dividing
- protective tape
- along
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 41
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 45
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 30
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 135
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 70
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910009372 YVO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Dicing (AREA)
Description
ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、
該変質層形成工程を実施する前または該変質層形成工程を実施した後に、ウエーハの一方の面を環状のフレームに装着された伸長可能な保護テープの表面に貼着する保護テープ貼着工程と、
環状のフレームに装着された保護テープの表面に貼着されたウエーハの中心領域を通り交差する分割予定ラインに沿って押圧手段を押圧することにより外力を付与し、ウエーハを中心領域を通り交差する分割予定ラインに沿って複数のブロックに分割するブロック形成工程と、
該ブロック形成工程を実施した後に、ウエーハが貼着された保護テープを拡張することによりウエーハを分割予定ラインに沿って分割する保護テープ拡張工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。
この変質層形成行程は、先ず上述した図2に示すレーザー加工装置1のチャックテーブル11上に半導体ウエーハ10を裏面10bを上にして載置し、該チャックテーブル11上に半導体ウエーハ10を吸着保持する。半導体ウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル11は、図示しない移動機構によって撮像手段13の直下に位置付けられる。
光源 ;LD励起QスイッチNd:YVO4スレーザー
波長 ;1064nmのパルスレーザー
パルス出力 :10μJ
集光スポット径 ;φ1μm
パルス幅 ;100nsec
集光点のピークパワー密度;1.3×1010W/cm2
繰り返し周波数 :400kHz
加工送り速度 ;400mm/秒
図9にはウエーハの分割装置の斜視図が示されており、図10には図9に示す分割装置の要部を分解して示す斜視図が示されている。図示の実施形態におけるウエーハの分割装置2は、基台20と、該基台20上に矢印Yで示す方向に移動可能に配設された第1のテーブル3と、該第1のテーブル3上に矢印Yと直交する矢印Xで示す方向に移動可能に配設された第2のテーブル4を具備している。基台20は矩形状に形成され、その両側部上面には矢印Yで示す方向に2本の案内レール21、22が互いに平行に配設されている。なお、2本の案内レールのうち一方案内レール21には、その上面に断面がV字状の案内溝211が形成されている。
上記図7に示すように分割予定ライン101に沿って強度が低下せしめられた半導体ウエーハ10を保護テープ16を介して支持した環状のフレーム15を、図12の(a)に示すようにフレーム保持手段5を構成するフレーム保持部材51の載置面511上に載置し、クランプ機構52によってフレーム保持部材51に固定する。このとき、フレーム保持部材51は図12の(a)に示す基準位置に位置付けられている。
上述した第1のブロック形成工程および第2のブロック形成工程を実施したならば、図13に示すように押圧手段7のエアシリンダ71を作動してピストンロッド72を下降せしめる。次に、テープ拡張手段6を構成する支持手段63としての複数のエアシリンダ630を作動して、環状のフレーム保持部材51を図13の(b)に示す拡張位置に下降せしめる。従って、フレーム保持部材51の載置面511上に固定されている環状のフレーム15も下降するため、図13の(b)に示すように環状のフレーム15に装着された保護テープ16は拡張ドラム60の上端縁に当接して拡張せしめられる。この結果、保護テープ16に貼着されている半導体ウエーハ10は放射状に引張力が作用する。このように半導体ウエーハ10に放射状に引張力が作用すると、各分割予定ライン101に沿って形成された変質層110は強度が低下せしめられているので、半導体ウエーハ10は変質層110に沿って破断され個々の半導体チップ120に分割される。このとき、半導体ウエーハ10は上述した第1のブロック形成工程および第2のブロック形成工程を実施することにより、中心領域を通り交差する2本の分割予定ライン101に沿って分割され4個のブロック10A、10B、10C、10Dに分割形成されているので、保護テープ16に作用する引張力が半導体ウエーハ10の中心領域まで十分に伝達されるため、変質層が形成された各分割予定ライン101に沿って効率良く且つ確実に分割することができる。なお、上記保護テープ拡張工程における保護テープ16の拡張量即ち伸び量はフレーム保持部材51の下方への移動量によって調整することができ、本発明者等の実験によると保護テープ16を20mm程度を引き伸ばしたときに半導体ウエーハ10を変質層110に沿って破断することができた。この後に、図9に示すピックアップ手段9を作動しピックアップコレット92によってチップ120をピックアップし、図示しないトレーまたはダイボンディング工程に搬送する。
11:レーザー加工装置のチャックテーブル
21:レーザー光線照射手段
13:撮像手段
2:ウエーハの分割装置
20:基台
3:第1のテーブル
4:第2のテーブル
5:フレーム保持手段
6:テープ拡張手段
60:拡張ドラム
65:回動手段
7:押圧手段
8:検出手段
9:ピックアップ手段
10:半導体ウエーハ
101:分割予定ライン
102:回路
110:変質層
120:半導体チップ
15:ダイシングフレーム
16:保護テープ
Claims (1)
- ウエーハを格子状に形成された分割予定ラインに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、
該変質層形成工程を実施する前または該変質層形成工程を実施した後に、ウエーハの一方の面を環状のフレームに装着された伸長可能な保護テープの表面に貼着する保護テープ貼着工程と、
環状のフレームに装着された保護テープの表面に貼着されたウエーハの中心領域を通り交差する分割予定ラインに沿って押圧手段を押圧することにより外力を付与し、ウエーハを中心領域を通り交差する分割予定ラインに沿って複数のブロックに分割するブロック形成工程と、
該ブロック形成工程を実施した後に、ウエーハが貼着された保護テープを拡張することによりウエーハを分割予定ラインに沿って分割する保護テープ拡張工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004053604A JP4377717B2 (ja) | 2004-02-27 | 2004-02-27 | ウエーハの分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004053604A JP4377717B2 (ja) | 2004-02-27 | 2004-02-27 | ウエーハの分割方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005244030A JP2005244030A (ja) | 2005-09-08 |
JP4377717B2 true JP4377717B2 (ja) | 2009-12-02 |
Family
ID=35025425
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004053604A Expired - Lifetime JP4377717B2 (ja) | 2004-02-27 | 2004-02-27 | ウエーハの分割方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4377717B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4927393B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2012-05-09 | 古河電気工業株式会社 | ダイシングテープ |
JP5318517B2 (ja) * | 2008-10-10 | 2013-10-16 | 株式会社ディスコ | チャックテーブル機構 |
JP2016004960A (ja) * | 2014-06-19 | 2016-01-12 | 住友電気工業株式会社 | 半導体デバイスの製造方法 |
-
2004
- 2004-02-27 JP JP2004053604A patent/JP4377717B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005244030A (ja) | 2005-09-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4733934B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP4769560B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP4694795B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP5203744B2 (ja) | ウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法 | |
JP2007173475A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2005129607A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2006229021A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP4447392B2 (ja) | ウエーハの分割方法および分割装置 | |
JP2006054246A (ja) | ウエーハの分離方法 | |
JP2008294191A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2008227470A (ja) | ウエーハの分割方法およびレーザー加工装置 | |
JP2006202933A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2007242787A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2006114691A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2006108273A (ja) | ウエーハの分割方法および分割装置 | |
KR20130137534A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP2008042110A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2011003757A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP4833657B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP4511903B2 (ja) | ウエーハの分割装置 | |
JP4402974B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP5144197B2 (ja) | レーザー加工装置および接着フィルム切断方法 | |
JP2006128211A (ja) | ウエーハの分割装置 | |
JP2008311404A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2005251986A (ja) | ウエーハの分離検出方法および分離検出装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061101 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090611 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090616 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090810 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090908 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090911 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4377717 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120918 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120918 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120918 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130918 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |