JP4476217B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
L≦Re・sinθ+(Wn/2)
ただし、
Re…角型基板の回転中心から列状処理液の角型基板の回転中心側の端部着液位置までの距離、
θ…角型基板の回転中心と列状処理液の角型基板の回転中心側の端部着液位置とを結ぶ線分と、角型基板の回転中心を通ってオフセット方向に伸びる線とがなす角、
Wn…角型基板の短辺の長さ、
に設定することが好ましい。
図1は、この発明にかかる基板処理装置の第1実施形態を示す図である。この基板処理装置は、長方形の角型基板であるLCD用ガラス基板W(以下、単に「基板W」という)に処理液として希フッ酸等の薬液を供給して、該基板Wの上面に不所望に形成された薄膜(不要物)をエッチング除去する装置である。この装置は、図1に示すように、基板Wを略水平姿勢で保持する基板保持部1(基板保持手段)と、その基板保持部1を回転駆動する回転駆動部2と、基板保持部1に保持された基板Wの上面に処理液を供給する液吐出ノズル部3と、液吐出ノズル部3を上下方向および水平方向に移動させるノズル駆動部4と、基板Wから振り切られる液体を回収するカップ部5と、それぞれの装置各部を収納するハウジング6と、装置全体を制御する制御部(図示省略)とを備えている。
図6は、この発明にかかる基板処理装置の第2実施形態を示す図である。また、図7は図6の基板処理装置の要部拡大図である。この第2実施形態が第1実施形態と大きく相違する点は、多孔ノズルのみから供給される薬液で基板Wの上面に対してエッチング処理を施している点であり、そのように処理するために多孔ノズルから吐出され基板Wの上面に着液する薬液の着液位置を変更している。なお、その他の構成は基本的に第1実施形態と同様であり、第1実施形態と対比しながら、第2実施形態の特徴について以下に詳述する。
L2≦Re・sinθ+(Wn/2)
ただし、Wn…角型基板の短辺の長さ、
を満足するように、多孔ノズル34から処理液を吐出させている。このように、列状薬液の長さL2を規定することにより、回転される基板Wの上面に対して列状薬液を確実に着液させることができる。これにより、回転される基板Wの角部(4隅)が多孔ノズル34から吐出された基板Wの端縁側の薬液を切ってしまうのを防止することができる。その結果、薬液の跳ね返りを防止して、基板Wを均一にエッチング処理することができる。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記第1実施形態では、ノズル本体30に多孔ノズル32と中心処理ノズル33とが設けられ、多孔ノズル32と中心処理ノズル33とを一体的に構成しているが、これに限定されない。例えば図8に示すように、多孔ノズル32とは別に、中心処理ノズル35を別体に設けて、多孔ノズル32と中心処理ノズル35とを個別に配置してもよい(第3実施形態)。このように構成することで、基板Wの中心部を確実に処理しながら、中心処理ノズル35の配設位置にかかわりなく、処理内容に応じて多孔ノズル32から吐出する処理液の吐出方向、列状処理液の着液位置等の処理パラメータを自在に変更することができる。
2…回転駆動部(回転駆動手段)
32…多孔ノズル(第1吐出手段)
33,35…中心処理ノズル(第2吐出手段)
34…多孔ノズル(吐出手段)
321a,341a…複数の吐出孔
A…(基板の)回転方向
A0…(基板の)回転中心
CL…オフセット方向に伸びる線
L1,L2…列状処理液の配列方向における長さ
RL…回転半径線
W…基板
W1〜W4…(基板の回転中心を通ってオフセット方向に伸びる線と回転半径線とで基板上面を分割して規定される)4つの象限
X…配列方向
+X…回転半径線のうち基板の回転中心に対して一方側
−X…回転半径線のうち基板の回転中心に対して他方側
Y…オフセット方向
Claims (8)
- 基板を略水平姿勢で回転させながら該基板に処理液を供給して前記基板に対して所定の処理を施す基板処理装置において、
基板を略水平姿勢で保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段を回転駆動して前記基板を所定の回転中心回りに回転させる回転駆動手段と、
前記回転駆動手段により回転される前記基板の上面に向けて、前記基板の回転半径方向に略平行な所定の配列方向に沿って列状に処理液を吐出する第1吐出手段と、
前記基板上面の回転中心に向けて処理液を吐出する第2吐出手段と
を備え、
前記基板の回転中心を通って前記基板の回転半径方向に伸びる線を回転半径線としたとき、前記第1吐出手段から吐出され前記基板上面に着液する前記列状処理液を構成する処理液の各々の着液位置が、前記回転半径線上から該回転半径線に直交するオフセット方向に所定の距離だけずれていることを特徴とする基板処理装置。 - 前記第1吐出手段は、複数の吐出孔が前記配列方向に沿って設けられた多孔ノズルを備え、
前記多孔ノズルは前記複数の吐出孔の各々から処理液を吐出することで、前記基板上面に前記列状処理液を供給する請求項1記載の基板処理装置。 - 前記第1吐出手段は、前記基板の回転中心を通って前記オフセット方向に伸びる線と前記回転半径線とで前記基板上面を分割して規定される4つの象限のいずれかに前記着液位置が限定されるように、処理液を吐出する請求項1または2記載の基板処理装置。
- 前記第1吐出手段は、前記基板の回転方向に沿って前記基板上面に対して斜め上方から列状に処理液を吐出する請求項3記載の基板処理装置。
- 前記基板として長方形の角型基板に前記所定の処理を施す請求項3または4記載の基板処理装置であって、
前記第1吐出手段から吐出され前記角型基板の上面に着液する前記列状処理液の前記配列方向における長さは、前記角型基板の短辺の半分の長さ以下である基板処理装置。 - 基板を略水平姿勢で回転させながら該基板に処理液を供給して前記基板に対して所定の処理を施す基板処理装置において、
基板を略水平姿勢で保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段を回転駆動して前記基板を所定の回転中心回りに回転させる回転駆動手段と、
前記回転駆動手段により回転される前記基板の上面に向けて、前記基板の回転半径方向に略平行な所定の配列方向に沿って列状に、しかも前記基板の回転方向に沿って前記基板上面に対して斜め上方から処理液を吐出する吐出手段と
を備え、
前記吐出手段から吐出され前記基板上面に着液する前記列状処理液を構成する処理液の各々の着液位置は、前記基板の回転中心を通って前記基板の回転半径方向に伸びる線を回転半径線としたとき、前記基板上面において以下の条件の両方を満足することを特徴とする基板処理装置。
第1条件:前記回転半径線のうち前記基板の回転中心に対して一方側に伸びる線上から前記回転半径線に直交するオフセット方向に前記基板の回転方向と反対方向に所定の距離だけずれている。
第2条件:前記着液位置の前記基板の回転中心側の端部が、前記基板の回転中心を通って前記オフセット方向に伸びる線に対して、前記回転半径線の伸びる方向において前記基板の回転中心に対して前記一方側と反対の他方側に位置している。 - 前記吐出手段は、複数の吐出孔が前記配列方向に沿って設けられた多孔ノズルを備え、
前記多孔ノズルは前記複数の吐出孔の各々から処理液を吐出することで、前記基板上面に前記列状処理液を供給する請求項6記載の基板処理装置。 - 前記基板として長方形の角型基板に前記所定の処理を施す請求項6または7記載の基板処理装置であって、
前記吐出手段から吐出され前記角型基板の上面に着液する前記列状処理液の前記配列方向における長さLが以下の条件を満足することを特徴とする基板処理装置。
L≦Re・sinθ+(Wn/2)
ただし、
Re…前記角型基板の回転中心から前記列状処理液の前記角型基板の回転中心側の端部着液位置までの距離、
θ…前記角型基板の回転中心と前記列状処理液の前記角型基板の回転中心側の端部着液位置とを結ぶ線分と、前記角型基板の回転中心を通って前記オフセット方向に伸びる線とがなす角、
Wn…前記角型基板の短辺の長さ。
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