JP4341380B2 - Flexible wiring board, manufacturing method of flexible wiring board, electronic device, and electronic apparatus - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 95
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 90
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 82
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 55
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 54
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 51
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 49
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 44
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 27
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 26
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 20
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 19
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims description 14
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 51
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 19
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 18
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 12
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 6
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid Substances CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 5
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 3
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole-2-thiol Chemical compound C1=CC=C2SC(S)=NC2=C1 YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002855 Sn-Pd Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GJYJYFHBOBUTBY-UHFFFAOYSA-N alpha-camphorene Chemical compound CC(C)=CCCC(=C)C1CCC(CCC=C(C)C)=CC1 GJYJYFHBOBUTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 2
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 2
- CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N thioglycolic acid Chemical compound OC(=O)CS CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFKNYYQRWMMFSM-UHFFFAOYSA-N 1-ethyl-9h-carbazole;formaldehyde Chemical compound O=C.N1C2=CC=CC=C2C2=C1C(CC)=CC=C2 LFKNYYQRWMMFSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical group N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N Carbamic acid Chemical class NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N D-glucitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 125000005210 alkyl ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 229960001040 ammonium chloride Drugs 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003609 aryl vinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229960000686 benzalkonium chloride Drugs 0.000 description 1
- UREZNYTWGJKWBI-UHFFFAOYSA-M benzethonium chloride Chemical compound [Cl-].C1=CC(C(C)(C)CC(C)(C)C)=CC=C1OCCOCC[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 UREZNYTWGJKWBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229960001950 benzethonium chloride Drugs 0.000 description 1
- CADWTSSKOVRVJC-UHFFFAOYSA-N benzyl(dimethyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].C[NH+](C)CC1=CC=CC=C1 CADWTSSKOVRVJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002801 charged material Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- OPHUWKNKFYBPDR-UHFFFAOYSA-N copper lithium Chemical compound [Li].[Cu] OPHUWKNKFYBPDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N diphenylmethane Chemical compound C=1C=CC=CC=1CC1=CC=CC=C1 CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 208000023414 familial retinal arterial macroaneurysm Diseases 0.000 description 1
- OHUWRYQKKWKGKG-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;pyrene Chemical compound O=C.C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 OHUWRYQKKWKGKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSQIGGCOCHABAP-UHFFFAOYSA-N hexacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC6=CC=CC=C6C=C5C=C4C=C3C=C21 QSQIGGCOCHABAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- 239000006179 pH buffering agent Substances 0.000 description 1
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N pyrazoline Chemical compound C1CN=NC1 DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 1
- VQBIMXHWYSRDLF-UHFFFAOYSA-M sodium;azane;hydrogen carbonate Chemical compound [NH4+].[Na+].[O-]C([O-])=O VQBIMXHWYSRDLF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 229960004274 stearic acid Drugs 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
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Description
本発明は、可撓性配線基板、可撓性配線基板の製造方法、電子デバイスおよび電子機器に関するものである。 The present invention relates to a flexible wiring board, a method for manufacturing a flexible wiring board, an electronic device, and an electronic apparatus.
例えば、液晶パネルには、ＩＣチップが実装されたフレキシブル基板や、外部機器に接続ためのフレキシブル基板等が接続されている（例えば、特許文献１参照。）。
液晶パネルとフレキシブル基板との接続は、一般に、次のようにして行われている。
すなわち、まず、液晶パネル側の端子と、これと接続すべきフレキシブル基板側の端子とを、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）や異方性導電ペースト（ＡＣＰ）を介して位置決めする。次に、この状態で、フレキシブル基板を液晶パネル側に向かって押圧（加圧）することにより、接続すべき端子同士を導電性粒子を介して接続する。
For example, a flexible substrate on which an IC chip is mounted, a flexible substrate for connection to an external device, or the like is connected to the liquid crystal panel (see, for example, Patent Document 1).
Connection between the liquid crystal panel and the flexible substrate is generally performed as follows.
That is, first, the terminal on the liquid crystal panel side and the terminal on the flexible substrate side to be connected to the terminal are positioned via an anisotropic conductive film (ACF) or anisotropic conductive paste (ACP). Next, in this state, the terminals to be connected are connected to each other through conductive particles by pressing (pressing) the flexible substrate toward the liquid crystal panel.
一般的な液晶パネル、あるいは表示素子の基板にはガラスのように硬質な材料が使われる。この基板の上に設けられた端子は、一般的に真空プロセスで形成され、１μｍ以下の厚さで形成されている。一方、フレキシブル基板の基材は、樹脂材料で構成されていて柔軟性が高い。この上に設けられた端子は、金属箔を貼り合わせて、あるいは、メッキで形成されていて、一般的に５μｍ、あるいは１０μｍ以上の厚さがある。両者を導電性粒子を含むＡＣＦやＡＣＰを介して、押圧して貼り合わせると、それぞれの端子間が導電性粒子によって電気的に接続される。 A hard material such as glass is used for a general liquid crystal panel or a substrate of a display element. The terminals provided on the substrate are generally formed by a vacuum process and have a thickness of 1 μm or less. On the other hand, the base material of the flexible substrate is made of a resin material and has high flexibility. The terminals provided thereon are formed by bonding metal foils or plating, and generally have a thickness of 5 μm or 10 μm or more. When both are pressed and bonded through ACF or ACP containing conductive particles, the respective terminals are electrically connected by the conductive particles.
しかしながら、液晶パネルの基板が樹脂材料からなる場合は、上に述べたような接続が困難であるという問題があった。樹脂基板から構成される液晶パネルの端子と、フレキシブル基板とを、ＡＣＦやＡＣＰを介して、押圧して貼り合わせると、両者は接着されるものの、電気的な接続が得られないことが頻発する。発明者らはこの問題を解決するため、接続部について調査を行った。その結果、液晶パネル上の端子を導電性粒子が突き破って、端子を破壊していることが明らかになった。つまり、真空プロセスで形成された薄い（一般的に１μｍ以下）金属層（あるいは導電層）からなる端子は、それ自身の強度は小さい。しかも、その端子が柔らかい樹脂基板に形成されている場合、これを導電性粒子を含むＡＣＦやＡＣＰを介して、フレキシブル基板と押圧して貼り合わせると、導電性粒子が液晶パネルの端子を突き破って、端子が破壊されていることが明らかになった。 However, when the substrate of the liquid crystal panel is made of a resin material, there is a problem that the connection as described above is difficult. When a terminal of a liquid crystal panel composed of a resin substrate and a flexible substrate are pressed and bonded via an ACF or an ACP, both are bonded, but electrical connection is often not obtained. . Inventors investigated the connection part in order to solve this problem. As a result, it was revealed that the conductive particles broke through the terminals on the liquid crystal panel and destroyed the terminals. That is, a terminal made of a thin (generally 1 μm or less) metal layer (or conductive layer) formed by a vacuum process has a low strength. In addition, when the terminal is formed on a soft resin substrate, when the terminal is pressed and bonded to the flexible substrate through the ACF or ACP containing the conductive particles, the conductive particles break through the terminals of the liquid crystal panel. , It became clear that the terminal was destroyed.
これに対して、ガラス基板など硬質の基板を有する液晶パネル上の端子は非常に薄い金属層から成るものの、下地の基板が堅いために、導電性粒子が端子を突き破ることはない。また、フレキシブル基板の基板は柔らかいが、その上の端子の金属層が厚いため、端子自身の強度が高い。そのため、同じく、導電性粒子が端子を突き破ることがない。その結果、液晶パネル上の端子と、フレキシブル基板の端子とは、再現性良く接続されることになる。 On the other hand, although the terminal on the liquid crystal panel having a hard substrate such as a glass substrate is formed of a very thin metal layer, the conductive substrate does not break through the terminal because the base substrate is hard. Moreover, although the board | substrate of a flexible substrate is soft, since the metal layer of the terminal on it is thick, the intensity | strength of a terminal itself is high. Therefore, similarly, the conductive particles do not break through the terminals. As a result, the terminals on the liquid crystal panel and the terminals of the flexible substrate are connected with good reproducibility.
このように、従来主流であったガラス基板においては、フレキシブル基板あるいはＩＣチップとの接続が、ＡＣＦやＡＣＰを用いることによって、再現性良く実現されていたが、基板を樹脂基板に変更するだけで、この工程が非常に困難で、再現性の乏しいものに変わってしまった。 As described above, in the conventional glass substrate, the connection with the flexible substrate or the IC chip has been realized with good reproducibility by using ACF or ACP. However, it is only necessary to change the substrate to a resin substrate. This process has become very difficult and has poor reproducibility.
本発明の目的は、強度に優れる端子を備える可撓性配線基板、かかる可撓性配線基板を容易かつ確実に製造することができる可撓性配線基板の製造方法、および、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a flexible wiring board having a terminal having excellent strength, a method for manufacturing a flexible wiring board that can easily and reliably manufacture such a flexible wiring board, and a highly reliable electronic device. To provide devices and electronic equipment.
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の可撓性配線基板は、可撓性を有する基板と、複数のスイッチング素子と、少なくとも一部が前記スイッチング素子に接続された配線と、該配線に接続された複数の端子とを有し、前記スイッチング素子、前記配線および前記端子のいずれもが前記基板上に設けられた可撓性配線基板であって、
前記端子は、外部機器および駆動用ＩＣのうちの少なくとも一方が備える端子と、異方性導電フィルムまたは異方性導電ペーストに含まれる導電性粒子を介して電気的に接続されるものであり、
前記配線と一体的に形成された部分と、前記一体的に形成された部分に対応して設けられた導電性を有する補強層とを備え、
前記配線と一体的に形成された部分の厚さが１０〜５００ｎｍで、かつ前記補強層の厚さが３〜５０μｍに設定されていることを特徴とする。
これにより、強度に優れる端子を備える可撓性配線基板となる。
Such an object is achieved by the present invention described below.
The flexible wiring board of the present invention includes a flexible substrate, a plurality of switching elements, a wiring at least partially connected to the switching element, and a plurality of terminals connected to the wiring. The switching element, the wiring, and the terminal are all flexible wiring boards provided on the board,
The terminal is electrically connected to a terminal included in at least one of an external device and a driving IC via conductive particles contained in an anisotropic conductive film or an anisotropic conductive paste,
Comprising said wiring integrally formed portions, and a reinforcing layer having obtained conductive provided corresponding to said integrally formed part,
The thickness of the portion formed integrally with the wiring is set to 10 to 500 nm, and the thickness of the reinforcing layer is set to 3 to 50 μm .
Thereby, it becomes a flexible wiring board provided with the terminal excellent in intensity | strength.
本発明の可撓性配線基板では、前記基板は、前記スイッチング素子が設けられた第１の部分と、該第１の部分から側方へ突出する帯状の第２の部分とを有し、
該第２の部分に前記可撓性配線基板が有する端子の少なくとも一部が設けられていることが好ましい。
本発明の可撓性配線基板では、前記第１の部分と前記第２の部分とは、一体的に形成されていることが好ましい。
これにより、例えば、可撓性配線基板を屈曲または湾曲させた状態で使用しても、第１の部分と第２の部分とが分離してしまうことがないため、配線の切断が防止される。
In the flexible wiring board of the present invention, the substrate has a first portion provided with the switching element, and a strip-shaped second portion protruding laterally from the first portion,
It is preferable that at least a part of terminals of the flexible wiring board is provided in the second portion.
In the flexible wiring board of the present invention, it is preferable that the first portion and the second portion are integrally formed.
Accordingly, for example, even when the flexible wiring board is used in a bent or curved state, the first portion and the second portion are not separated, and thus cutting of the wiring is prevented. .
本発明の可撓性配線基板では、前記第１の部分と前記第２の部分との境界部付近で、屈曲または湾曲させた状態で使用されることが好ましい。
これにより、例えば、可撓性配線基板を用いて電子デバイスを構築し、かかる電子デバイスを電子機器に組み込む際には、電子デバイスを組み込む場所の小スペース化が可能であり、電子機器の小型化を図ることができる。
The flexible wiring board of the present invention is preferably used in a bent or curved state near the boundary between the first portion and the second portion.
As a result, for example, when an electronic device is constructed using a flexible wiring board and the electronic device is incorporated into an electronic apparatus, the space for incorporating the electronic device can be reduced, and the electronic apparatus can be reduced in size. Can be achieved.
本発明の可撓性配線基板では、前記スイッチング素子は、薄膜トランジスタであることが好ましい。
本発明の可撓性配線基板では、前記薄膜トランジスタは、主として有機半導体材料で構成される半導体層を有する有機薄膜トランジスタであることが好ましい。
これにより、薄膜トランジスタを別途作製する必要がなく、基板上に直接作製することができるようになり、可撓性配線基板の製造工程数の削減を図ることができる。
In the flexible wiring board of the present invention, the switching element is preferably a thin film transistor.
In the flexible wiring board of the present invention, the thin film transistor is preferably an organic thin film transistor having a semiconductor layer mainly composed of an organic semiconductor material.
Accordingly, it is not necessary to separately manufacture a thin film transistor, and the thin film transistor can be directly manufactured on the substrate, so that the number of manufacturing steps of the flexible wiring substrate can be reduced.
本発明の可撓性配線基板では、前記可撓性配線基板が有する端子は、その少なくとも表面付近がＡｕで構成されていることが好ましい。
これにより、可撓性配線基板が有する端子の酸化を防止することができる。また、駆動用ＩＣの端子との接合をより確実に行うことができる。
In the flexible wiring board of the present invention, it is preferable that at least the vicinity of the surface of the terminal of the flexible wiring board is made of Au.
Thereby, the oxidation of the terminal which a flexible wiring board has can be prevented. Further, it is possible to perform the bonding with the terminal of the driving IC more reliably.
本発明の可撓性配線基板では、前記可撓性配線基板が有する端子は、基板と反対側にＡｕで構成される層を有し、該層は、置換メッキ法により形成されたものであることが好ましい。
これにより、端子用として適した金属で覆われた可撓性配線基板が有する端子とすることができる。
本発明の可撓性配線基板の製造方法は、本発明の可撓性配線基板を製造する可撓性配線基板の製造方法であって、
前記配線および前記可撓性配線基板が有する端子に対応する部分を有する導電体パターンを形成する工程と、
前記導電体パターンの前記可撓性配線基板が有する端子に対応する部分に、前記導電性を有する補強層を形成して、前記可撓性配線基板が有する端子を得る工程とを有することを特徴とする。
これにより、可撓性配線基板を容易かつ確実に製造することができる。
In the flexible wiring board of the present invention, the terminal of the flexible wiring board has a layer made of Au on the opposite side of the substrate, and the layer is formed by a displacement plating method. It is preferable.
Thereby, it can be set as the terminal which the flexible wiring board covered with the metal suitable for terminal uses has.
A manufacturing method of a flexible wiring board of the present invention is a manufacturing method of a flexible wiring board for manufacturing the flexible wiring board of the present invention,
Forming a conductor pattern having portions corresponding to the terminals of the wiring and the flexible wiring board ;
Characterized in that the portion corresponding to the terminal to which the flexible wiring board of the conductive pattern has, to form a reinforcing layer having the conductivity, and a step of obtaining a terminal to which the flexible wiring board has And
Thereby, a flexible wiring board can be manufactured easily and reliably.
本発明の可撓性配線基板の製造方法では、前記補強層を、メッキ法により形成することが好ましい。
これにより、真空装置等の大掛かりな装置を用いずに、高い成膜精度で、所望の膜厚の補強層を成膜することができる。
本発明の可撓性配線基板の製造方法では、前記メッキ法は、無電解メッキ法であることが好ましい。
これにより、より高い成膜精度で補強層を成膜することができる。
In the method for manufacturing a flexible wiring board according to the present invention, the reinforcing layer is preferably formed by a plating method.
Thereby, a reinforcing layer having a desired film thickness can be formed with high film forming accuracy without using a large-scale apparatus such as a vacuum apparatus.
In the flexible wiring board manufacturing method of the present invention, the plating method is preferably an electroless plating method.
Thereby, the reinforcing layer can be formed with higher film forming accuracy.
本発明の可撓性配線基板の製造方法では、前記導電体パターンは、その少なくとも前記可撓性配線基板が有する端子に対応する部分が触媒機能を有する触媒金属を主材料として形成されることが好ましい。
これにより、例えば補強層を無電解メッキで形成する際に、導電体パターンの表面へ触媒を付着させる工程を省略することができる。
In the flexible wiring board manufacturing method of the present invention, the conductor pattern may be formed using a catalytic metal having a catalytic function as a main material at least at a portion corresponding to a terminal of the flexible wiring board. preferable.
Thereby, for example, when the reinforcing layer is formed by electroless plating, the step of attaching the catalyst to the surface of the conductor pattern can be omitted.
本発明の可撓性配線基板の製造方法では、前記触媒金属は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｐｄ、ＡｕおよびＰｔのうちの少なくとも１種を主成分とするものであることが好ましい。
これらのものは、いずれも、高い触媒作用を有することから好ましい。
本発明の可撓性配線基板の製造方法では、前記基板に分割する前のシート状またはロール状の元板上に、導電体パターンおよび補強層を順次形成した後、前記元板を、複数の前記基板に分割することが好ましい。
これにより、生産性が著しく向上して、低コストで本発明の可撓性配線基板を提供することが可能になる。さらに、可撓性配線基板の形状に依存しない、製造設備を準備できるので、迅速に多様な形状に対応が可能になる。
本発明の電子デバイスは、本発明の可撓性配線基板を有することを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
In the method for producing a flexible wiring board of the present invention, it is preferable that the catalytic metal is mainly composed of at least one of Ni, Cu, Co, Pd, Au, and Pt.
These are all preferable because they have high catalytic action.
In the method for manufacturing a flexible wiring board according to the present invention, a conductor pattern and a reinforcing layer are sequentially formed on a sheet-shaped or roll-shaped base plate before being divided into the substrates, and then the base plate is formed with a plurality of base plates. It is preferable to divide the substrate.
Thereby, productivity is remarkably improved and the flexible wiring board of the present invention can be provided at low cost. Furthermore, since a manufacturing facility that does not depend on the shape of the flexible wiring board can be prepared, it is possible to quickly cope with various shapes.
The electronic device of the present invention has the flexible wiring board of the present invention.
Thereby, an electronic device with high reliability can be obtained.
An electronic apparatus according to the present invention includes the electronic device according to the present invention.
As a result, a highly reliable electronic device can be obtained.
以下、本発明の可撓性配線基板、可撓性配線基板の製造方法を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜可撓性配線基板＞
まず、本発明の可撓性配線基板の構成について説明する。
図１は、本発明の可撓性配線基板の実施形態を示す斜視図、図２は、図１中のＡ−Ａ線における縦断面図である。なお、以下の説明では、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
Hereinafter, a flexible wiring board and a method of manufacturing the flexible wiring board of the present invention will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.
<Flexible wiring board>
First, the configuration of the flexible wiring board of the present invention will be described.
FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of a flexible wiring board according to the present invention, and FIG. 2 is a longitudinal sectional view taken along line AA in FIG. In the following description, the upper side in FIG. 2 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
図１に示す可撓性配線基板１は、可撓性を有する基板２と、画素電極３と、薄膜トランジスタ（スイッチング素子）４と、配線５と、端子６とで構成され、前記各部３〜６が基板２上に設けられている。
基板２は、この上に設けられた各部３〜６を支持するための支持体である。
基板２は、図１に示すように、第１の部分２１と、この第１の部分２１と一体的に形成された帯状の第２の部分２２とで構成されている。
A
The board |
As shown in FIG. 1, the
第１の部分２１には、画素電極３および薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」と略す。）４が設けられている。
また、第２の部分２２は、第１の部分２１から側方へ突出して設けられている。この第２の部分２２には、端子６が設けられている。
なお、本実施形態では、端子６の全てが第２の部分２２に設けられているが、一部の端子６は、第１の部分２１に設けられていてもよい。
The
The
In the present embodiment, all of the terminals 6 are provided in the
また、第２の部分および第２の部分から第１の部分にかけて、配線５が設けられ（引き回され）ている。
基板２の構成材料としては、可撓性を有するものであれば、特に限定されず、例えば、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、芳香族ポリアミド等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
A
The constituent material of the
また、基板２の平均厚さは、その構成材料等によって若干異なり、特に限定されないが、１０〜２０００μｍ程度であるのが好ましく、３０〜３００μｍ程度であるのがより好ましい。基板２の厚さが薄すぎると、基板２の強度が低下し、支持体としての機能が損なわれるおそれがあり、一方、基板２の厚さが厚過ぎると、基板２の可撓性が低下するおそれがある。
The average thickness of the
画素電極３は、可撓性配線基板１を用いて後述する電気泳動表示装置２０を構築した際に、各画素を駆動させるための電圧を印加する一方の電極を構成するものである。
画素電極３の構成材料としては、例えば、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂ等の金属、これらを含むＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ2、Ｓｂ含有ＳｎＯ2、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
The pixel electrode 3 constitutes one electrode for applying a voltage for driving each pixel when an
Examples of the constituent material of the pixel electrode 3 include Ni, Pd, Pt, Li, Mg, Ca, Sr, La, Ce, Er, Eu, Sc, Y, Yb, Ag, Cu, Co, Al, Cs, and Rb. Metals such as these, alloys such as MgAg, AlLi, CuLi, etc., ITO (Indium Tin Oxide), SnO 2 , Sb-containing SnO 2 , oxides such as Al-containing ZnO, etc. Two or more kinds can be used in combination.
画素電極３には、ＴＦＴ４が備えるドレイン電極が接続されている。ＴＦＴ４の作動を制御することにより、後述する電気泳動表示装置２０において各画素の駆動が制御される。
また、ＴＦＴ４は、主として有機半導体材料で構成される半導体層を有する有機薄膜トランジスタであるのが好ましい。これにより、ＴＦＴ４を基板２上に直接作製することができるようになり、可撓性配線基板１の製造工程数の削減を図ることができる。
A drain electrode provided in the TFT 4 is connected to the pixel electrode 3. By controlling the operation of the TFT 4, driving of each pixel is controlled in the
The TFT 4 is preferably an organic thin film transistor having a semiconductor layer mainly composed of an organic semiconductor material. As a result, the TFT 4 can be directly manufactured on the
この有機半導体層の構成材料としては、例えば、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、フタロシアニン、ペリレン、ヒドラゾン、トリフェニルメタン、ジフェニルメタン、スチルベン、アリールビニル、ピラゾリン、トリフェニルアミン、トリアリールアミン、オリゴチオフェン、フタロシアニンまたはこれらの誘導体のような低分子の有機半導体材料や、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ポリトリルアミン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂、フルオレン−ビチオフェン共重合体、フルオレン−アリルアミン共重合体またはこれらの誘導体のような高分子の有機半導体材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、特に、高分子の有機半導体材料を用いるのが好ましい。 Examples of the constituent material of the organic semiconductor layer include naphthalene, anthracene, tetracene, pentacene, hexacene, phthalocyanine, perylene, hydrazone, triphenylmethane, diphenylmethane, stilbene, arylvinyl, pyrazoline, triphenylamine, triarylamine, oligo Low molecular organic semiconductor materials such as thiophene, phthalocyanine or derivatives thereof, poly-N-vinylcarbazole, polyvinylpyrene, polyvinylanthracene, polythiophene, polyhexylthiophene, poly (p-phenylenevinylene), polytinylenevinylene, Polytolylamine, pyrene formaldehyde resin, ethylcarbazole formaldehyde resin, fluorene-bithiophene copolymer, fluorene-allylamine copolymer Alternatively, a high molecular organic semiconductor material such as a derivative thereof can be used, and one or more of these can be used in combination, but it is particularly preferable to use a high molecular organic semiconductor material. .
高分子の有機半導体材料は、簡易な方法で成膜することができるとともに、比較的容易に配向させることができる。また、このうち、空気中で酸化され難く、安定であること等の理由から、フルオレン−ビチオフェン共重合体、あるいは、ポリアリールアミン誘導体を用いるのが特に好ましい。
また、高分子の有機半導体材料を主材料として構成される有機半導体層は、薄型化・軽量化が可能であり、可撓性にも優れるため、フレキシブルディスプレイのスイッチング素子等として用いられる薄膜トランジスタへの適用に適している。
A polymer organic semiconductor material can be formed by a simple method and can be oriented relatively easily. Of these, it is particularly preferable to use a fluorene-bithiophene copolymer or a polyarylamine derivative because it is difficult to oxidize in air and is stable.
In addition, an organic semiconductor layer composed mainly of a polymer organic semiconductor material can be reduced in thickness and weight, and is excellent in flexibility. Therefore, the organic semiconductor layer can be applied to a thin film transistor used as a switching element of a flexible display. Suitable for application.
端子６は、第１の端子６１、第２の端子６２、第３の端子６３および第４の端子６４で構成されている。
これらのうち、第１の端子６１、第２の端子６２および第３の端子６３は、それぞれ、駆動用ＩＣを接続（実装）するための端子を構成する。また、第４の端子６４は、外部機器との接続を行うための端子を構成する。
The terminal 6 includes a
Among these, the
また、配線５は、第１の配線５１、第２の配線５２および第３の配線５３で構成されている。
これらのうち、第１の配線５１は、それぞれ、第１の端子６１とＴＦＴ４のゲート電極とを接続し、第２の配線５２は、それぞれ、第２の端子６１とＴＦＴ４のソース電極とを接続する。また、第３の配線５３は、それぞれ、第３の端子６３と第４の端子６４とを接続する。
The
Among these, the
このような可撓性配線基板１を用いて、電子デバイス（後述する電気泳動表示装置２０）を構築することにより、かかる電子デバイスを電子機器に組み込む際には、例えば、第１の部分２１と第２の部分２２との境界部付近で、可撓性配線基板１を屈曲または湾曲させた状態で組み込むことができる。これにより、電子デバイスを組み込む場所の小スペース化が可能であり、電子機器の小型化を図ることができる。
また、特に、第１の部分２１と第２の部分２２とが一体的に形成されていることにより、可撓性配線基板１を屈曲または湾曲させた状態で使用しても、第１の部分２１と第２の部分２２とが分離してしまうことがないため、配線５の切断が防止され、信頼性の高い電子デバイス（電子機器）とすることができる。
By constructing an electronic device (
In particular, since the
さて、本発明では、前述した端子６が、導電性を有する補強層を備えることに特徴を有している。
具体的には、端子６は、図２に示すように、導電体パターン７の端部に補強層８が形成されて構成されている。
ここで、端子６と駆動用ＩＣの端子（ＩＣ側端子）との接続には、一般に、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）や異方性導電ペースト（ＡＣＰ）が用いられる。
Now, the present invention is characterized in that the terminal 6 described above includes a reinforcing layer having conductivity.
Specifically, as shown in FIG. 2, the terminal 6 is configured by forming a reinforcing
Here, an anisotropic conductive film (ACF) or an anisotropic conductive paste (ACP) is generally used for connection between the terminal 6 and the terminal of the driving IC (IC side terminal).
補強層を備えない端子（基板側端子）は、基板上の配線を形成するのと同時に作製できるため、もっとも単純な構成として従来より用いられている。基板がガラスのような硬質の材料で構成される場合、この単純な構成でも、駆動用ＩＣの端子（ＩＣ側端子）を導電性粒子を含むＡＣＦやＡＣＰを両者の端子の間に挿入して、押圧すると再現性良く端子同士が接続される。ところが、基板の基材が樹脂材料である場合、同じ方法を適用しても、端子同士の接続が困難である、あるいは、再現性に乏しいことが分かった。この原因を、発明者らが調査したところ、導電性粒子が、基板上の（補強層を備えない）端子を突き破ってしまい、端子を破壊していることが原因であることが分かった。 A terminal without a reinforcing layer (substrate-side terminal) can be manufactured at the same time as the wiring on the substrate is formed, and thus has been conventionally used as the simplest configuration. When the substrate is made of a hard material such as glass, even in this simple structure, the ACF and ACP containing conductive particles are inserted between the terminals of the driving IC terminal (IC side terminal). When pressed, the terminals are connected with good reproducibility. However, when the base material of the substrate is a resin material, it has been found that even if the same method is applied, it is difficult to connect the terminals or the reproducibility is poor. When the inventors investigated the cause, it was found that the conductive particles broke through the terminals (not provided with the reinforcing layer) on the substrate and destroyed the terminals.
これに対して、本発明では、端子６が補強層を有することにより、端子６に充分な強度が付与される。これにより、端子６（第１〜第３の端子６１〜６３）と駆動用ＩＣの端子との接続を、特にＮｉ粒子のように硬度の高い導電性粒子を含むＡＣＦやＡＣＰを用いた場合でも確実に行うことができる。
導電体パターン７の構成材料としては、導電性を有するものであれば、いかなるものであってもよいが、例えば、前記画素電極３の構成材料として挙げたものと同様のものを用いることができる。
On the other hand, in this invention, sufficient intensity | strength is provided to the terminal 6 because the terminal 6 has a reinforcement layer. As a result, the connection between the terminal 6 (first to
The constituent material of the
また、後述するように、補強層８を無電解メッキ法を用いて形成する場合には、少なくとも導電体パターン７の端子に対応する部分が、触媒機能を有する触媒金属で構成されるのが好ましい。これにより、後に詳述するが、補強層８を無電解メッキで形成する際の前処理として行われる、導電体パターン７の表面へ触媒を付着させる工程を省略することができる。その結果、製造工程数の削減を図ることができる。
このような触媒金属としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらのものは、いずれも、高い触媒作用を有している。
As will be described later, when the reinforcing
As such a catalyst metal, one or more of Ni, Cu, Co, Pd, Au, and Pt can be used in combination. All of these have high catalytic action.
導電体パターン７の厚さ（平均）は、導電体パターン７の構成材料等によっても若干異なり限定されないが、１０〜５００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜２００ｎｍ程度であるのがより好ましい。導電体パターン７の厚さが薄すぎると、可撓性配線基板１を折り曲げて使用する際に、配線５の折り曲げ部分が破断するおそれがある。また、導電体パターン７を前記上限値よりも厚くしても、それ以上の効果が望めないばかりか、導電体パターン７にクラックや皺が発生しやすくなる。また、導電体パターン７の一部は、有機薄膜トランジスタのソース・ドレインあるいはゲート電極にも成りうるが、トランジスタが必要な性能を発揮するように、導電体パターン７の膜厚は最適化される。そのために必要な膜厚は、上述した範囲にある。これを越えるような膜厚は、有機薄膜トランジスタの性能を低下させてしまうことが、分かった。
The thickness (average) of the
補強層８の構成材料としても、導電性を有するものであれば、いかなるものであってもよいが、例えば、前記画素電極３の構成材料として挙げたものと同様のものを用いることができる。
なお、後述するように、補強層８を無電解メッキ法により形成する場合には、無電解メッキ法によって成膜し得る材料が選択される。
The constituent material of the reinforcing
As will be described later, when the reinforcing
このような材料としては、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ａｕ等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらのものは、いずれも、無電解メッキ法により成膜し易く、また、得られる補強層８は、高い強度を有するものとなる。
補強層８の厚さ（平均）は、３〜５０μｍ程度であるのが好ましく、５〜２０μｍ程度であるのがより好ましい。これにより、端子６の厚さが必要以上に厚くなるのを防止しつつ、端子６に充分な強度を付与することができる。
さらに、端子６の少なくとも表面付近は、Ａｕで構成されているのが好ましい。これにより、端子６の酸化を防止することができる。また、駆動用ＩＣの端子との接合をより確実に行うことができる。
このような可撓性配線基板１は、例えば、次のようにして製造することができる。
Examples of such a material include Ni, Pd, Pt, Cu, Co, Au, and the like, and one or more of these can be used in combination. Any of these materials can be easily formed by an electroless plating method, and the resulting reinforcing
The thickness (average) of the reinforcing
Furthermore, at least the vicinity of the surface of the terminal 6 is preferably made of Au. Thereby, the oxidation of the terminal 6 can be prevented. Further, it is possible to perform the bonding with the terminal of the driving IC more reliably.
Such a
＜可撓性配線基板の製造方法＞
図３および図４は、それぞれ、端子および配線の部分を形成する方法を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図３および図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
可撓性配線基板１の製造方法は、［１］導電体パターン形成工程と、［２］補強層形成工程と、［３］薄膜トランジスタ製造工程とを有している。
以下、これらの工程について、順次説明する。
<Method for manufacturing flexible wiring board>
FIG. 3 and FIG. 4 are views (longitudinal sectional views) for explaining a method of forming terminals and wiring portions, respectively. In the following description, the upper side in FIGS. 3 and 4 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
The manufacturing method of the
Hereinafter, these steps will be sequentially described.
［１］導電体パターン形成工程
まず、基板２上に導電体パターン７を形成する。基板２は図１に示すような、帯が突出した形状に予め加工しておいて、導電体パターン７の形成工程を行うこともできるが、より望ましくは、シート状、あるいはロール状の長尺プラスチックシート（基板２に分割する前の元板）を用いることが望ましい。そして、以下に述べる導電体パターン形成工程、補強層形成工程、薄膜トランジスタ製造工程が終了した後に、図１に示す目的の形状に打ち抜き加工（分割）を行う。また、薄膜トランジスタ製造工程が終了した後に、後述の電気泳動表示部を貼り合せた後に、打ち抜き加工を行うこともできる。
[1] Conductor Pattern Formation Step First, the
また、長尺プラスチックシートをシート状、ロール状として扱うことによって、生産性が著しく向上して、低コストで本発明の可撓性配線基板を提供することが可能になる。さらに、可撓性配線基板の形状に依存しない、製造設備を準備できるので、迅速に多様な形状に対応が可能になる。
この導電体パターン７は、配線５と、端子６と、ＴＦＴ４が備えるソース電極およびドレイン電極と、画素電極３とに対応する形状に形成される。
Further, by treating the long plastic sheet as a sheet or roll, the productivity is remarkably improved, and the flexible wiring board of the present invention can be provided at a low cost. Furthermore, since a manufacturing facility that does not depend on the shape of the flexible wiring board can be prepared, it is possible to quickly cope with various shapes.
The
この導電体パターン７は、例えば、基板２上に金属膜９を形成した後、この金属層９に対して、フォトリソグラフィー法等により形成したレジスト層をマスクとして、エッチングすることにより得ることができる。
まず、基板２上に、金属膜９を形成する（図３（ａ）参照。）。
The
First, the
金属膜９は、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。
これらのうち、金属膜９は、特に無電解メッキ法を用いて形成するのが好ましい。これにより、真空装置等の大がかりな装置を用いずに、簡易な製造装置および工程により、低コストで金属膜９を形成することができる。
The
Of these, the
次に、金属膜９上に、レジスト材料１１’を塗布（供給）する（図３（ｂ）参照。）。
レジスト材料１１’（後述のレジスト材料１３’）を塗布する方法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット法、マイクロコンタクトプリンティング法等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
Next, a resist
As a method of applying the resist
金属材料も２種類以上の材料を、積層することができる（すなわち、金属膜９は、２層以上の多層積層構造とすることができる）。例えば、ＣｒまたはＴｉの下地層上に、ＡｕあるいはＰｔ、Ｐｄ、Ｎｉを形成した２層構造とすることによって、金属膜９の密着性を向上させることができる。
次いで、導電体パターン７の形状に対応するフォトマスクを介して露光した後、現像液で現像する。これにより、導電体パターン７に対応する形状にパターニングされたレジスト層１１が得られる（図３（ｃ）参照。）。
Two or more kinds of metal materials can be laminated (that is, the
Subsequently, after exposing through the photomask corresponding to the shape of the
なお、フォトリソグラフィー法において用いるレジスト材料は、ネガ型のレジスト材料およびポジ型のレジスト材料のいずれであってもよい。
次に、このレジスト層１１をマスクとして、金属膜９の不要部分をエッチングにより除去する（図３（ｄ）参照。）。
次に、レジスト層１１を除去することにより、導電体パターン７が得られる（図３（ｅ）参照。）。
Note that the resist material used in the photolithography method may be either a negative resist material or a positive resist material.
Next, unnecessary portions of the
Next, the
このエッチングには、プラズマエッチング、リアクティブエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうち１種または２種以上を組み合わせて行うことができる。このうち、ウェットエッチングを用いるのが好ましい。これにより、真空装置等の大がかりな装置を用いずに、簡易な装置および工程でエッチングを行うことができる。 This etching can be performed by combining one or more of physical etching methods such as plasma etching, reactive etching, beam etching, and light assisted etching, and chemical etching methods such as wet etching. Among these, it is preferable to use wet etching. Thus, etching can be performed with a simple apparatus and process without using a large-scale apparatus such as a vacuum apparatus.
ウェットエッチングに用いるエッチング液としては、例えば、塩化第二鉄を含む溶液（ＮｉやＣｕのエッチング）、硫酸、硝酸、塩酸、王水、ヨウ化カリウム／ヨウ素混合水溶液（金のエッチング）、硝酸第二セリウムアンモン水溶液（Ｃｒのエッチング）等が挙げられる。
以上のように、フォトリソグラフィー法とエッチングとを組み合わせて用いることにより、寸法精度の高い導電体パターン７を、容易かつ確実に形成することができる。
Etching solutions used for wet etching include, for example, a solution containing ferric chloride (Ni or Cu etching), sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid, aqua regia, potassium iodide / iodine mixed aqueous solution (gold etching), nitric acid Examples include dicerium ammon water solution (Cr etching).
As described above, by using a combination of photolithography and etching, the
［２］補強層形成工程
次に、導電体パターン７の端部、すなわち、導電体パターン７の端子６に対応する部分に補強層８を形成する。
補強層８も、前述した金属膜９と同様の方法により形成することができるが、補強層８は、メッキ法を用いて形成するのが好ましい。これにより、真空装置等の大掛かりな装置を用いずに、高い成膜精度で、所望の膜厚の補強層を成膜することができる。
また、メッキ法の中でも、無電解メッキ法を用いるのがより好ましい。これにより、より高い成膜精度で補強層８を成膜することができる。
なお、以下では、補強層８を形成する方法として、無電解メッキ法を用いる場合を代表して説明する。
[2] Step of forming reinforcing layer Next, the reinforcing
The reinforcing
Of the plating methods, it is more preferable to use an electroless plating method. Thereby, the reinforcing
In the following, a case where an electroless plating method is used as a method of forming the reinforcing
［２−Ｉ］ 例えば、フォトリソグラフィー法によって、導電体パターン７の端子６に対応する部分以外の部分を覆うようにレジスト層を形成する。
まず、図４（ｆ）に示すように、基板２上に、導電体パターン７を覆うように、すなわち、基板２のほぼ全面にレジスト材料１３’を塗布（供給）する。
次いで、端子６の形状に対応するフォトマスクを介して露光した後、現像液で現像する。これにより、図４（ｇ）に示すように、端子６に対応する部分に凹部１３１を有する形状にパターニングされたレジスト層１３が得られる。
[2-I] For example, a resist layer is formed by photolithography so as to cover a portion other than the portion corresponding to the terminal 6 of the
First, as shown in FIG. 4 (f), a resist
Subsequently, after exposing through the photomask corresponding to the shape of the terminal 6, it develops with a developing solution. As a result, as shown in FIG. 4G, a resist
この凹部１３１において、導電体パターン７は、レジスト層１３から露出している。
このレジスト材料には、帯電制御剤を含み、正に帯電しているものを用いるのが好適である。これにより、次工程において用いるカチオン性界面活性剤がレジスト層１３には吸着せず、導電体パターン７の端子６に対応する部分に選択的に吸着するようになる。
かかるレジスト材料としては、例えば、東京応化工業社製の「ＰＭＥＲシリーズ」等の市販品を用いることができる。
In the
As this resist material, it is preferable to use a positively charged material containing a charge control agent. Thereby, the cationic surfactant used in the next step is not adsorbed on the resist
As such a resist material, for example, a commercial product such as “PMER series” manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. can be used.
［２−II］ 次に、凹部１３１においてレジスト層１３から露出した導電体パターン７に、メッキ膜１２を形成するための前処理を行う。
この前処理は、例えば、カチオン性界面活性剤を含む溶液（界面活性剤溶液）を導電体パターン７に接触させることにより行う。これにより、導電体パターン７表面にカチオン性界面活性剤を付着させる。
[2-II] Next, pretreatment for forming the plating film 12 is performed on the
This pretreatment is performed, for example, by bringing a solution containing a cationic surfactant (surfactant solution) into contact with the
導電体パターン７の表面は、カチオン性界面活性剤が付着することによりプラスに帯電し、無電解メッキで用いる触媒が吸着し易いようになり、結果として、形成されるメッキ膜１２（補強層８）と導電体パターン７との密着性が向上する。
界面活性剤溶液を導電体パターン７に接触させる方法としては、例えば、界面活性剤溶液中に導電体パターン７を浸漬させる方法（浸漬法）、界面活性剤溶液を導電体パターン７にシャワー（噴霧）する方法等が挙げられるが、特に、浸漬法を用いるのが好ましい、浸漬法によれば、大量の基板２を容易に処理することができる。
The surface of the
Examples of the method of bringing the surfactant solution into contact with the
このように、液体を基板２に接触させる方法には、各種方法があるが、以下の各工程では、液体を接触させる方法として、浸漬法を用いる場合を代表に説明する。
カチオン性界面活性剤としては、例えば、塩化アルキルアンモニウム、塩化ベンザルコニウム、塩化ベンゼトニウム、ステアリン酸等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
As described above, there are various methods for bringing the liquid into contact with the
Examples of the cationic surfactant include alkyl ammonium chloride, benzalkonium chloride, benzethonium chloride, stearic acid, and the like, and one or more of these can be used in combination.
処理に際する界面活性剤溶液の温度は、０〜７０℃程度であるのが好ましく、１０〜４０℃程度であるのがより好ましい。
また、界面活性剤溶液中での導電体パターン７の処理時間は、１０〜９０秒程度であるのが好ましく、３０〜６０秒程度であるのがより好ましい。
ここで、例えば、導電体パターン７がＩＴＯ等の酸化物により構成されている場合、導電体パターン７の表面は、マイナスに帯電する傾向を示すが、マイナスに帯電した表面には、次工程における触媒が付着し難い。このため、酸化物で構成される導電体パターン７に対して、前述のような前処理を施すことは特に有効である。
このようにして、前処理が施された導電体パターン７を、例えば、純水（超純水）、イオン交換水、蒸留水、ＲＯ水等を用いて洗浄する。
The temperature of the surfactant solution during the treatment is preferably about 0 to 70 ° C, more preferably about 10 to 40 ° C.
Further, the treatment time of the
Here, for example, when the
In this way, the
［２−III］ 次に、導電体パターン７の表面に、触媒を吸着させる。
触媒としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｐｔのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
このうち、触媒としてＰｄを用いる場合には、Ｓｎ−Ｐｄ等のＰｄ合金のコロイド液、または塩化パラジウム等のイオン系Ｐｄ触媒の溶液中に、基板２を浸漬することにより、Ｐｄ合金、またはイオン系Ｐｄ触媒を導電体パターン７の表面に吸着させる。その後、触媒に関与しない元素を除去することにより、Ｐｄを導電体パターン７の表面に露出させる。
[2-III] Next, the catalyst is adsorbed on the surface of the
As the catalyst, one or more of Ni, Cu, Co, Pd, and Pt can be used in combination.
Of these, when Pd is used as the catalyst, the
例えば、Ｓｎ−Ｐｄコロイド液を用いる場合には、導電体パターン７をコロイド液に浸漬した後、酸溶液に浸漬する。これにより、Ｐｄに配位しているＳｎが溶解して除去され、導電体パターン７の表面にＰｄが露出した状態になる。
酸溶液としては、例えば、ＨＢＦ４等の酸と、ブドウ糖等の還元剤とを含む溶液や、これに、さらに硫酸を添加した溶液等を用いることができる。
For example, when using a Sn—Pd colloidal solution, the
As the acid solution, for example, a solution containing an acid such as HBF 4 and a reducing agent such as glucose, or a solution obtained by further adding sulfuric acid to the solution can be used.
処理に際する触媒を含む溶液の温度は、０〜７０℃程度であるのが好ましく、１０〜４０℃程度であるのがより好ましい。
触媒を含む溶液中での導電体パターン７の処理時間は、１０秒〜５分程度であるのが好ましく、２０秒〜３分程度であるのがより好ましい。
一方、処理に際する酸溶液の温度は、０〜７０℃程度であるのが好ましく、１０〜４０℃程度であるのがより好ましい。
The temperature of the solution containing the catalyst in the treatment is preferably about 0 to 70 ° C, and more preferably about 10 to 40 ° C.
The treatment time of the
On the other hand, the temperature of the acid solution during the treatment is preferably about 0 to 70 ° C, and more preferably about 10 to 40 ° C.
酸溶液中での基板２の処理時間は、１０秒〜５分程度であるのが好ましく、３０秒〜３分程度であるのがより好ましい。
このようにして、触媒を付着（吸着）させた導電体パターン７を、例えば、純水（超純水）、イオン交換水、蒸留水、ＲＯ水等を用いて洗浄する。
なお、導電体パターン７の少なくとも端部、すなわち端子６に対応する部分を、触媒性を有する金属材料を主成分として構成する場合には、導電体パターン７自体が触媒として作用するため、本工程［２−III］および前記工程［２−II］は省略するようにしてもよい。
The treatment time of the
Thus, the
In the case where at least the end portion of the
［２−IV］ 次に、基板２をメッキ液に浸漬し、図４（ｉ）に示すように、レジスト層１３の凹部１３１内に、金属元素を析出させ、導電体パターン７の端子６に対応する部分に補強層８を形成する。
金属塩としては、例えば、硫酸塩、硝酸塩等が好適に用いられる。
還元剤としては、例えば、ヒドラジン、次亜隣酸アンモニウム、次亜燐酸ナトリウム等が挙げられるが、これらの中でも、ヒドラジンおよび次亜隣酸アンモニウムの少なくとも一方を主成分とするものが好ましい。還元剤としてこれらのものを用いることにより、メッキ膜１２の成膜速度が適正なものとなり、補強層８において求められる最適な膜厚範囲に、容易に膜厚を制御できるようになる。また、形成されるメッキ膜１２も、均一な膜厚、かつ、良好な表面性を有する（膜表面モフォロジーが高い）ものとなる。
[2-IV] Next, the
As the metal salt, for example, sulfate, nitrate and the like are preferably used.
Examples of the reducing agent include hydrazine, ammonium hypophosphite, sodium hypophosphite, and the like. Among these, those containing at least one of hydrazine and ammonium hypophosphite as a main component are preferable. By using these as reducing agents, the deposition rate of the plating film 12 becomes appropriate, and the film thickness can be easily controlled within the optimum film thickness range required for the reinforcing
メッキ液１０における金属塩の含有量（溶媒への金属塩の添加量）は、１〜５０ｇ／Ｌ程度であるのが好ましく、５〜２５ｇ／Ｌ程度であるのがより好ましい。金属塩の含有量が少な過ぎると、メッキ膜１２を形成するのに長時間を要するおそれがある。一方、金属塩の含有量を前記上限値を超えて多くしても、それ以上の効果の増大が期待できない。
また、メッキ液１０における還元剤の含有量（溶媒への還元剤の添加量）は、１０〜２００ｇ／Ｌ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｇ／Ｌ程度であるのが好ましい。還元剤の含有量が少な過ぎると、還元剤の種類等によっては、金属イオンの効率のよい還元が困難になるおそれがある。一方、還元剤の含有量を前記上限値を超えて多くしても、それ以上の効果の増大が期待できない。
The content of the metal salt in the plating solution 10 (addition amount of the metal salt to the solvent) is preferably about 1 to 50 g / L, and more preferably about 5 to 25 g / L. If the content of the metal salt is too small, it may take a long time to form the plating film 12. On the other hand, even if the content of the metal salt is increased beyond the upper limit, no further increase in effect can be expected.
The content of the reducing agent in the plating solution 10 (the amount of the reducing agent added to the solvent) is preferably about 10 to 200 g / L, and preferably about 50 to 150 g / L. When there is too little content of a reducing agent, there exists a possibility that efficient reduction | restoration of a metal ion may become difficult depending on the kind etc. of reducing agent. On the other hand, even if the content of the reducing agent is increased beyond the upper limit, no further increase in effect can be expected.
このようなメッキ液１０には、さらにｐＨ調整剤（ｐＨ緩衝剤）を混合（添加）するのが好ましい。これにより、無電解メッキの進行に伴って、メッキ液１０のｐＨが低下するのを防止または抑制することができ、その結果、成膜速度の低下や、メッキ膜１２の組成、性状の変化を効果的に防止することができる。
このｐＨ調整剤としては、各種のものが挙げられるが、アンモニア水、トリメチルアンモニウムハイドライド、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウムおよび硫化アンモニウムのうちの少なくとも１種を主成分とするものであるが好ましい。これらのものは、緩衝作用に優れるため、これらのものをｐＨ調整剤として用いることにより、前記効果がより顕著に発揮される。
It is preferable to mix (add) a pH adjusting agent (pH buffering agent) to the
Examples of the pH adjuster include various agents, and those having at least one of ammonia water, trimethylammonium hydride, sodium hydroxide, sodium carbonate and ammonium sulfide as a main component are preferable. Since these things are excellent in a buffering effect, the said effect is exhibited more notably by using these things as a pH adjuster.
以上のようなメッキ液１０に、図４（ｉ）に示すように、レジスト層１３が形成された基板２を浸漬すると、メッキ膜１２が導電体パターン７上の端子６に対応する部分に形成される。
処理に際するメッキ液１０のｐＨは、５〜１２程度であるのが好ましく、６〜１０程度であるのが好ましい。
処理に際するメッキ液１０の温度は、３０〜９０℃程度であるのが好ましく、４０〜８０℃程度であるのがより好ましい。
As shown in FIG. 4I, when the
The pH of the
The temperature of the
メッキ液１０中での基板２の処理時間は、１０秒〜５分程度であるのが好ましく、２０秒〜３分程度であるのがより好ましい。
メッキ液１０のｐＨ、温度、メッキ液１０による処理時間を、それぞれ前記範囲とすることにより、成膜速度が特に適正なものとなり、均一な膜厚のメッキ膜１２を高い精度で形成することができる。
The processing time of the
By setting the pH and temperature of the
なお、作業温度（メッキ液の温度）、作業時間（メッキ時間）、メッキ液の量、メッキ液のｐＨ、メッキ回数（ターン数）等のメッキ条件を設定することにより、形成されるメッキ膜１２の厚さを調整することができる。
また、メッキ液１０中には、例えば、錯化剤、安定化剤等の添加物を、適宜添加するようにしてもよい。
The plating film 12 is formed by setting the plating conditions such as the working temperature (plating solution temperature), the working time (plating time), the amount of the plating solution, the pH of the plating solution, the number of times of plating (the number of turns). The thickness can be adjusted.
Further, for example, additives such as a complexing agent and a stabilizing agent may be appropriately added to the
錯化剤としては、例えば、エチレンジアミン四酢酸、酢酸のようなカルボン酸類、酒石酸、クエン酸のようなオキシカルボン酸類、グリシンのようなアミノカルボン酸類、トリエタノールアミンのようなアミン類、グリセリン、ソルビトールのような多価アルコール類等が挙げられる。
安定化剤としては、例えば、２，２’−ビピリジル、シアン化合物、フェロシアン化合物、フェナントロリン、チオ尿素、メルカプトベンゾチアゾール、チオグリコール酸等が挙げられる。
このようにして、メッキ膜１２が導電体パターン７の端子６に対応する部分上に形成された基板２を、例えば、純水（超純水）、イオン交換水、蒸留水、ＲＯ水等を用いて洗浄する。
Examples of complexing agents include carboxylic acids such as ethylenediaminetetraacetic acid and acetic acid, oxycarboxylic acids such as tartaric acid and citric acid, aminocarboxylic acids such as glycine, amines such as triethanolamine, glycerin and sorbitol. And polyhydric alcohols.
Examples of the stabilizer include 2,2′-bipyridyl, cyanide, ferrocyan compound, phenanthroline, thiourea, mercaptobenzothiazole, thioglycolic acid, and the like.
In this way, the
［２−Ｖ］ 次に、レジスト層１３を除去する。
このレジスト層１３の除去は、好ましくはレジスト剥離液を用いて行うことができるが、その他、例えば、プラズマエッチング、リアクティブエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法を用いて行うようにしてもよい。
これにより、図４（ｊ）に示すように、導電体パターン７の端子６に対応する部分上に補強層８が形成された端子６を得ることができる。
[2-V] Next, the resist
The removal of the resist
Thereby, as shown in FIG. 4J, the terminal 6 in which the reinforcing
以上のような無電解メッキ法を用いることにより、寸法精度の高い補強層８を、容易かつ確実に形成することができる。
これにより、駆動用のＩＣとの接続をＡＣＦやＡＣＰにより行うことが充分可能な強度を有する端子６とすることができる。
本実施形態では、補強層８の形成は、無電解メッキ法を用いた方法について説明を行ったが、電解メッキ法を用いて補強層８を形成してもよい。
By using the electroless plating method as described above, it is possible to easily and reliably form the reinforcing
As a result, the terminal 6 can be made strong enough to be connected to the driving IC by ACF or ACP.
In the present embodiment, the reinforcing
なお、無電解メッキ法を用いる場合には、導電体パターン７の端子６に対応する部分の近傍に短絡線を設けておき電解浴槽中に入れて補強層８の成膜を行い、成膜の後に短絡線を除けばよい。電解メッキ法によれば、電気的に導電体パターン７の表面にメッキ膜を付着させ得るので、補強層８をより短時間で形成することができるという利点がある。
また、上述した［２−Ｉ］から［２−Ｖ］では無電解メッキに必要な触媒を、金属層９（導電体パターン７）上に付与する方法について説明したが、金属層９（導電体パターン７）自身を触媒として利用することによって、さらに簡便に補強層８を形成することができる。この工程について、次に説明する。
When the electroless plating method is used, a short-circuit wire is provided in the vicinity of the portion corresponding to the terminal 6 of the
Further, in the above [2-I] to [2-V], the method for applying the catalyst necessary for electroless plating onto the metal layer 9 (conductor pattern 7) has been described. However, the metal layer 9 (conductor) By using the pattern 7) itself as a catalyst, the reinforcing
［１’］導電体パターン形成工程
触媒性を有する金属材料（触媒金属）、すなわち、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ａｕのうちの少なくとも１種を用いて、前記工程［１］と同様にして、基板２上に、触媒金属を主成分とする導電体パターン７を形成する。
［２’］補強層形成工程
［２’−Ｉ］ 前記工程［２−Ｉ］と同様にして、導電体パターン７の端子６に対応する部分以外の部分を覆うように、レジスト層を形成する。
[1 ′] Conductor pattern forming step Similar to the above step [1] using at least one of catalytic metal materials (catalytic metals), that is, Ni, Pt, Pd, Co, Cu, and Au. Thus, the
[2 ′] Reinforcing Layer Formation Step [2′-I] In the same manner as in the step [2-I], a resist layer is formed so as to cover a portion other than the portion corresponding to the terminal 6 of the
［２’−IV］ 次に、前記工程［２−IV］と同様にして、図４（ｉ）に示すように、レジスト層１３の凹部１３１内に、金属元素を析出させ、導電体パターン７の端子６に対応する部分に補強層８を形成する。
［２’−Ｖ］ 次に、前記工程［２’−Ｖ］と同様にして、レジスト層１３を除去する。
以上のように、導電体パターン７を、触媒性を有する金属材料を主成分として構成することにより、寸法精度の高い補強層８を、容易かつ確実に形成することができる。
[2′-IV] Next, in the same manner as in the above step [2-IV], as shown in FIG. 4 (i), a metal element is deposited in the
[2′-V] Next, the resist
As described above, by forming the
次に、補強層８の少なくとも表面付近をＡｕで構成する場合、このＡｕで構成される部分（Ａｕ層）は、例えば、置換メッキ法により形成することができる。
この置換メッキ法は、メッキ液中の金属成分を卑金属と置換、あるいは接触させて、表面に還元析出させる方法である。
Next, when at least the vicinity of the surface of the reinforcing
This displacement plating method is a method in which a metal component in a plating solution is replaced with or brought into contact with a base metal to be reduced and deposited on the surface.
なお、以下では、Ｎｉ層上にＡｕ層を有する補強層８を形成する場合を代表に説明する。
この場合、まず、基板２をＮｉメッキ液に浸漬して、Ｎｉ膜（Ｎｉ層）を成長させた後、基板２をＮｉメッキ液から引き上げ、次に、Ａｕメッキ液に浸漬する。これにより、Ａｕメッキ液中のＡｕイオンがＮｉ膜の表面の溶出するＮｉと置換されて、Ａｕ薄膜（Ａｕ層）がＮｉ膜表面に析出する。
In the following, a case where the reinforcing
In this case, first, the
処理に際するＡｕメッキ液の温度は、３０〜９０℃程度であるのが好ましい。このような温度範囲とすることにより、Ｎｉ膜の全面がＡｕで覆われると、自動的（ほぼ同時）にＡｕの析出（置換メッキ）は止まり、通常３０〜７０ｎｍ程度の厚さのＡｕ薄膜を得ることができる。
これにより、端子用として適した金属で覆われた端子６とすることができる。
The temperature of the Au plating solution during the treatment is preferably about 30 to 90 ° C. By setting such a temperature range, when the entire surface of the Ni film is covered with Au, the Au deposition (substitution plating) automatically stops (substantially simultaneously), and an Au thin film having a thickness of about 30 to 70 nm is usually formed. Obtainable.
Thereby, it can be set as the terminal 6 covered with the metal suitable for terminals.
［３］薄膜トランジスタ製造工程
次に、導電体パターン形成工程において形成されたソース電極およびドレイン電極上に有機半導体層、ゲート絶縁層およびゲート電極を順次形成してＴＦＴ４を完成させる。
薄膜トランジスタの構成およびその製造方法は、公知の手法を用いて作製すれば、いかなる方法であってもよいが、以下では一例を挙げて説明する。
[3] Thin Film Transistor Manufacturing Process Next, the organic semiconductor layer, the gate insulating layer, and the gate electrode are sequentially formed on the source electrode and the drain electrode formed in the conductor pattern forming process to complete the TFT 4.
The structure of the thin film transistor and the method for manufacturing the thin film transistor may be any method as long as they are manufactured using a known method, but an example will be described below.
まず、ソース電極およびドレイン電極が形成された基板２上に、ソース電極およびドレイン電極を覆うように、有機半導体層を形成する。
このとき、ソース電極とドレイン電極との間（ゲート電極に対応する領域）には、チャネル領域が形成される。
有機半導体層は、有機高分子材料またはその前駆体を含む溶液を、例えば、塗布法を用いて、基板２上にソース電極およびドレイン電極を覆うように塗布（供給）した後、必要に応じて、この塗膜に対して後処理（例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等）を施すことにより形成することができる。
First, an organic semiconductor layer is formed on the
At this time, a channel region is formed between the source electrode and the drain electrode (region corresponding to the gate electrode).
For the organic semiconductor layer, a solution containing an organic polymer material or a precursor thereof is applied (supplied) on the
ここで、例えば、前記溶液の塗布には、レジスト材料１１’の塗布方法で挙げたのと同様の方法を用いることができる。
なお、有機半導体層は、少なくともソース電極とドレイン電極との間の領域（チャネル領域）に、これらと接触するように形成すればよい。チャンネル領域に有機半導体層を選択的に形成することにより、同一基板上に、複数のＴＦＴ４を並設する場合には、リーク電流の発生、各素子間のクロストークの発生等を抑えることができる。また、有機半導体材料の使用量を削減することができ、製造コストの削減を図ることもできる。
なお、有機半導体材料として低分子のものを用いる場合には、有機半導体層は、例えば、真空蒸着法等を用いて形成することもできる。
Here, for example, the same method as mentioned in the application method of the resist
Note that the organic semiconductor layer may be formed at least in a region (channel region) between the source electrode and the drain electrode so as to be in contact therewith. By selectively forming an organic semiconductor layer in the channel region, when a plurality of TFTs 4 are arranged in parallel on the same substrate, generation of leakage current, generation of crosstalk between elements, and the like can be suppressed. . Moreover, the usage-amount of organic-semiconductor material can be reduced and manufacturing cost can also be reduced.
In addition, when using a low molecular thing as an organic-semiconductor material, an organic-semiconductor layer can also be formed using a vacuum evaporation method etc., for example.
次に、有機半導体層上に、ゲート絶縁層を形成する。
例えば、ゲート絶縁層の構成材料（絶縁材料）として有機高分子材料（樹脂材料）を用いる場合には、ゲート絶縁層は、前記有機半導体層と同様にして形成することができる。
次に、ゲート絶縁層上に、ゲート電極を形成する。
例えば、ゲート電極の構成材料（導電材料）として有機高分子材料（樹脂材料）を用いる場合には、ゲート電極は、前記有機半導体層と同様にして形成することができる。
Next, a gate insulating layer is formed on the organic semiconductor layer.
For example, when an organic polymer material (resin material) is used as a constituent material (insulating material) of the gate insulating layer, the gate insulating layer can be formed in the same manner as the organic semiconductor layer.
Next, a gate electrode is formed over the gate insulating layer.
For example, when an organic polymer material (resin material) is used as a constituent material (conductive material) of the gate electrode, the gate electrode can be formed in the same manner as the organic semiconductor layer.
また、電極材料として各種金属材料を用いる場合には、ゲート電極は、例えば、次のようにしてを形成することができる。
まず、ゲート絶縁層上に金属膜（金属層）を形成する。これは、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング（低温スパッタリング）、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、金属箔の接合等により形成することができる。
Moreover, when using various metal materials as an electrode material, a gate electrode can be formed as follows, for example.
First, a metal film (metal layer) is formed over the gate insulating layer. This includes, for example, chemical vapor deposition (CVD) such as plasma CVD, thermal CVD, and laser CVD, vacuum deposition, sputtering (low temperature sputtering), dry plating methods such as ion plating, electrolytic plating, immersion plating, and electroless plating. It can be formed by a wet plating method such as a thermal spraying method, a sol-gel method, a MOD method, or a metal foil bonding.
この金属膜上に、レジスト材料を塗布（供給）する。次いで、ゲート電極の形状に対応するフォトマスクを介して露光した後、現像液で現像する。これにより、ゲート電極に対応する形状にパターニングされたレジスト層が得られる。
このレジスト層をマスクとして、金属膜の不要部分をエッチングにより除去する。このエッチングには、前記導電体パターン７で挙げたのと同様の方法を用いることができる。
A resist material is applied (supplied) onto the metal film. Subsequently, after exposing through the photomask corresponding to the shape of a gate electrode, it develops with a developing solution. Thereby, a resist layer patterned into a shape corresponding to the gate electrode is obtained.
Using this resist layer as a mask, unnecessary portions of the metal film are removed by etching. For this etching, the same method as mentioned for the
その後、例えばレジスト剥離液を用いて、レジスト層を除去することにより、ゲート電極が得られる。
以上のような工程を経て、ソース電極およびドレイン電極が、ゲート絶縁層を介してゲート電極よりも基板２側に設けられたトップゲート構造のＴＦＴ４が得られる。
次に、ゲート電極と配線５１とを接続する接続線を形成する。
Thereafter, the gate electrode is obtained by removing the resist layer using, for example, a resist stripping solution.
Through the steps as described above, a top gate TFT 4 in which the source electrode and the drain electrode are provided closer to the
Next, a connection line connecting the gate electrode and the
この接続線は、例えば、金属コロイド液をインクジェット法により、パターニングした後、熱処理等を施すことにより形成することができる。
以上の製造工程の説明は、トップゲート構造に基く薄膜トランジスタを備える可撓性配線基板の製造方法について示したものである。同様にして、ボトムゲート構造の薄膜トランジスタを有する可撓性配線基板の製造も可能である。
この場合、例えば、以下の［Ａ］および［Ｂ］の方法により製造することができる。
This connection line can be formed, for example, by performing a heat treatment after patterning the metal colloid liquid by an ink jet method.
The above description of the manufacturing process shows a method for manufacturing a flexible wiring board including a thin film transistor based on a top gate structure. Similarly, a flexible wiring substrate having a bottom-gate thin film transistor can be manufactured.
In this case, for example, it can be produced by the following methods [A] and [B].
［Ａ］ まず、基板２上に導電体パターン７を形成する。
この導電体パターン７は、配線５と、端子６と、ＴＦＴ４が備えるゲート電極とに対応する形状に形成される。
次に、導電体パターン７の端部、すなわち、導電体パターン７の端子６に対応する部分に補強層８を形成する。
次に、導電体パターン形成工程おいて形成されたゲート電極上にゲート絶縁層、ソース電極およびドレイン電極、有機半導体層を順次形成してＴＦＴ４を完成させる。
[A] First, the
The
Next, the reinforcing
Next, a gate insulating layer, a source electrode and a drain electrode, and an organic semiconductor layer are sequentially formed on the gate electrode formed in the conductor pattern forming step to complete the TFT 4.
［Ｂ］ まず、基板２上に導電体パターン７を形成する。
この導電体パターン７は、配線５と、端子６と、ＴＦＴ４が備えるゲート電極とに対応する形状に形成される。
次に、導電体パターン形成工程おいて形成されたゲート電極上にゲート絶縁層、ソース電極およびドレイン電極を順次形成させる。
[B] First, the
The
Next, a gate insulating layer, a source electrode, and a drain electrode are sequentially formed on the gate electrode formed in the conductor pattern forming step.
次に、導電体パターン７の端部、すなわち、導電体パターン７の端子６に対応する部分に補強層８を形成する。
次に、ソース電極、ドレイン電極を覆うように、有機半導体層を形成してＴＦＴ４を完成させる。
以上のような工程を経て、可撓性配線基板１が製造される。
Next, the reinforcing
Next, an organic semiconductor layer is formed so as to cover the source electrode and the drain electrode, and the TFT 4 is completed.
The
ここで、図５に、可撓性配線基板１の他の構成例を示す。
図５に示す可撓性配線基板１は、全体形状が図１に示す可撓性配線基板１と異なっている。
すなわち、図１の可撓性配線基板１は、１つの帯状の第２の部分２２が、第１の部分２１から側方へ突出した形状である。
これに対して、図５の可撓性配線基板１は、複数の矩形状の第２の部分２２が第１の部分からほぼ等間隔で側方へ突出した形状をなしている。これにより、複数の駆動用ＩＣ、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＦＲＡＭ等を実装可能な可撓性配線基板１とすることができる
Here, FIG. 5 shows another configuration example of the
The
That is, the
On the other hand, the
＜電子デバイス＞
次に、前述したような可撓性配線基板１が組み込まれた電子デバイスについて、電気泳動装置を一例に説明する。
図６は、本発明の電子デバイスを電気泳動表示装置に適用した場合の実施形態を示す縦断面図である。
図６に示す電気泳動表示装置２０は、可撓性配線基板１と、この可撓性配線基板１上に設けられた電気泳動表示部２５とで構成されている。
<Electronic device>
Next, an electrophoretic apparatus will be described as an example of an electronic device in which the
FIG. 6 is a longitudinal sectional view showing an embodiment when the electronic device of the present invention is applied to an electrophoretic display device.
The
図６に示すように、電気泳動表示部２５は、透明基板２５１と、透明電極（共通電極）２５２と、マイクロカプセル４０と、バインダ材４５とを有している。
透明基板２５１上に、透明電極２５２が積層され、マイクロカプセル４０がバインダ材４５により、透明電極２５２上に固定されている。
さらに、この電気泳動表示部２５と可撓性配線基板１とが、バインダ材４５を介して接合されている。
As shown in FIG. 6, the
A
Further, the
画素電極３は、マトリクス状に、すなわち、縦横に規則正しく配列するように分割されている。
また、各カプセル４０内には、それぞれ、特性の異なる複数種の電気泳動粒子、本実施形態では、電荷および色（色相）の異なる２種の電気泳動粒子４０１、４０２を含む電気泳動分散液４００が封入されている。
The pixel electrodes 3 are divided so as to be regularly arranged in a matrix, that is, vertically and horizontally.
In each
さらに、可撓性配線基板１が有する端子６（端子６１〜６３）には、駆動用ＩＣの端子が接続され、これにより、可撓性配線基板１に駆動用ＩＣが実装されている。
このような電気泳動表示装置２０では、１本あるいは複数本の配線５１に選択信号（選択電圧）を供給すると、この選択信号（選択電圧）が供給された配線５１に接続されているＴＦＴ４がＯＮとなる。
Further, the terminals of the driving IC are connected to the terminals 6 (
In such an
これにより、かかるＴＦＴ４に接続されている配線５２と画素電極３とは、実質的に導通する。このとき、配線５２に所望のデータ（電圧）を供給した状態であれば、このデータ（電圧）は画素電極３に供給される。
このとき、画素電極３と透明電極２５２との間に電界が生じ、この電界の方向、強さ、電気泳動粒子４０１、４０２の特性等に応じて、電気泳動粒子４０１、４０２は、いずれかの電極の方向に向かって電気泳動する。
Thereby, the wiring 52 connected to the TFT 4 and the pixel electrode 3 are substantially conducted. At this time, if desired data (voltage) is supplied to the wiring 52, this data (voltage) is supplied to the pixel electrode 3.
At this time, an electric field is generated between the pixel electrode 3 and the
一方、この状態から、配線５１への選択信号（選択電圧）の供給を停止すると、ＴＦＴ４はＯＦＦとなり、かかるＴＦＴ４に接続されている配線５２と画素電極３とは非導通状態となる。
したがって、配線５１への選択信号の供給および停止、あるいは、配線５２へのデータの供給および停止を適宜組み合わせて行うことにより、電気泳動表示装置２０の表示面側（透明基板）には、所望の画像（情報）を表示させることができる。
On the other hand, when the supply of the selection signal (selection voltage) to the
Therefore, the display surface side (transparent substrate) of the
特に、本実施形態の電気泳動表示装置２０では、電気泳動粒子４０１、４０２の色を異ならせていることにより、多階調の画像を表示することが可能となっている。
また、本実施形態の電気泳動表示装置２０は、本発明の可撓性配線基板１を有することにより、特定の配線５１に接続されたＴＦＴ４を選択的にＯＮ／ＯＦＦすることができるので、クロストークの問題が生じにくく、また、回路動作の高速化が可能であることから、高い品質の画像（情報）を得ることができる。
In particular, in the
In addition, since the
また、本実施形態の電気泳動表示装置２０は、低い駆動電圧で作動するため、省電力化が可能である。
このような電気泳動表示装置２０は、可撓性配線基板１と電気泳動表示部２５とを予め作製しておき、可撓性配線基板１の画素電極３と、電気泳動表示部２５のマイクロカプセル４０とを接触させた状態で、例えば、可撓性配線基板１と電気泳動表示部２５とが接近するように加圧しつつ、加熱することにより製造することができる。
なお、本発明の電子デバイスは、このような電気泳動表示装置２０への適用に限定されるものではなく、液晶表示装置、有機または無機ＥＬ表示装置等に適用することもできる。
In addition, since the
In the
Note that the electronic device of the present invention is not limited to the application to the
＜電子機器＞
このような電気泳動表示装置２０は、各種電子機器に組み込むことができる。以下、電気泳動表示装置２０を備える本発明の電子機器について説明する。
＜＜電子ペーパー＞＞
まず、本発明の電子機器を電子ペーパーに適用した場合の実施形態について説明する。
<Electronic equipment>
Such an
<< Electronic Paper >>
First, an embodiment when the electronic apparatus of the present invention is applied to electronic paper will be described.
図７は、本発明の電子機器を電子ペーパーに適用した場合の実施形態を示す斜視図である。
この図に示す電子ペーパー６００は、紙と同様の質感および柔軟性を有するリライタブルシートで構成される本体６０１と、表示ユニット６０２とを備えている。
このような電子ペーパー６００では、表示ユニット６０２が、前述したような電気泳動表示装置２０で構成されている。
FIG. 7 is a perspective view showing an embodiment when the electronic apparatus of the present invention is applied to electronic paper.
An
In such an
＜＜ディスプレイ＞＞
次に、本発明の電子機器をディスプレイに適用した場合の実施形態について説明する。
図８は、本発明の電子機器をディスプレイに適用した場合の実施形態を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
この図に示すディスプレイ８００は、本体部８０１と、この本体部８０１に対して着脱自在に設けられた電子ペーパー６００とを備えている。なお、この電子ペーパー６００は、前述したような構成、すなわち、図７に示す構成と同様のものである。
<< Display >>
Next, an embodiment when the electronic apparatus of the present invention is applied to a display will be described.
8A and 8B are diagrams showing an embodiment in which the electronic apparatus of the present invention is applied to a display. FIG. 8A is a cross-sectional view and FIG. 8B is a plan view.
A
本体部８０１は、その側部（図中、右側）に電子ペーパー６００を挿入可能な挿入口８０５が形成され、また、内部に二組の搬送ローラ対８０２ａ、８０２ｂが設けられている。電子ペーパー６００を、挿入口８０５を介して本体部８０１内に挿入すると、電子ペーパー６００は、搬送ローラ対８０２ａ、８０２ｂにより挟持された状態で本体部８０１に設置される。
The
また、本体部８０１の表示面側（下図（ｂ）中、紙面手前側）には、矩形状の孔部８０３が形成され、この孔部８０３には、透明ガラス板８０４が嵌め込まれている。これにより、本体部８０１の外部から、本体部８０１に設置された状態の電子ペーパー６００を視認することができる。すなわち、このディスプレイ８００では、本体部８０１に設置された状態の電子ペーパー６００を、透明ガラス板８０４において視認させることで表示面を構成している。
Further, a
また、電子ペーパー６００の挿入方向先端部（図中、左側）には、端子部８０６が設けられており、本体部８０１の内部には、電子ペーパー６００を本体部８０１に設置した状態で端子部８０６が接続されるソケット８０７が設けられている。このソケット８０７には、コントローラー８０８と操作部８０９とが電気的に接続されている。
このようなディスプレイ８００では、電子ペーパー６００は、本体部８０１に着脱自在に設置されており、本体部８０１から取り外した状態で携帯して使用することもできる。
In addition, a
In such a
また、このようなディスプレイ８００では、電子ペーパー６００が、前述したような電気泳動表示装置２０で構成されている。
なお、本発明の電子機器は、以上のようなものへの適用に限定されず、例えば、テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、電子新聞、ワードプロセッサ、パーソナルコンピュータ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等を挙げることができ、これらの各種電子機器の表示部に、電気泳動表示装置２０を適用することが可能である。
In such a
Note that the electronic apparatus of the present invention is not limited to the application to the above, and for example, a television, a viewfinder type, a monitor direct view type video tape recorder, a car navigation device, a pager, an electronic notebook, a calculator, an electronic Examples include newspapers, word processors, personal computers, workstations, videophones, POS terminals, and devices equipped with touch panels. The
以上、本発明の可撓性配線基板、可撓性配線基板の製造方法、電子デバイスおよび電子機器について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
また、本発明は、前述したような工程に、必要に応じて、１または２以上の任意の目的の工程を追加することもできる。
また、本発明の可撓性配線基板、可撓性配線基板の製造方法、電子デバイスおよび電子機器の各部の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。
また、前記実施形態では、スイッチング素子として薄膜トランジスタを代表に説明したが、スイッチング素子は、これに限定されず、例えば、薄膜ダイオード（ＴＦＤ）等であってもよい。
As described above, the flexible wiring board, the manufacturing method of the flexible wiring board, the electronic device, and the electronic apparatus of the present invention have been described, but the present invention is not limited to these.
Moreover, this invention can also add the process of 1 or 2 or more arbitrary objectives to the process as mentioned above as needed.
In addition, the configuration of each part of the flexible wiring board, the manufacturing method of the flexible wiring board, the electronic device, and the electronic apparatus of the present invention can be replaced with any one that can exhibit the same function, or Arbitrary configurations can also be added.
Moreover, in the said embodiment, although the thin film transistor was typically demonstrated as a switching element, a switching element is not limited to this, For example, a thin film diode (TFD) etc. may be sufficient.
１‥‥可撓性配線基板 ２‥‥基板 ２１‥‥第１の部分 ２２‥‥第２の部分 ３‥‥画素電極 ４‥‥薄膜トランジスタ（スイッチング素子） ５‥‥配線 ５１‥‥第１の配線 ５２‥‥第２の配線 ５３‥‥第３の配線 ６‥‥端子 ６１‥‥第１の端子 ６２‥‥第２の端子 ６３‥‥第３の端子 ６４‥‥第４の端子 ７‥‥導電体パターン ８‥‥補強層 ９‥‥金属膜 １０‥‥メッキ液 １１、１３‥‥レジスト層 １１’、１３’‥‥レジスト材料 １２‥‥メッキ膜 ２０‥‥電気泳動表示装置 ２５‥‥電気泳動表示部 ２５１‥‥透明基板 ２５２‥‥透明電極（共通基板） ４０‥‥マイクロカプセル ４００‥‥電気泳動分散液 ４０１、４０２‥‥電気泳動粒子 ４５‥‥バインダ材 ６００‥‥電子ペーパー ６０１‥‥本体 ６０２‥‥表示ユニット ８００‥‥ディスプレイ ８０１‥‥本体部 ８０２ａ、８０２ｂ‥‥搬送ローラ対 ８０３‥‥孔部 ８０４‥‥透明ガラス板 ８０５‥‥挿入口 ８０６‥‥端子部 ８０７‥‥ソケット ８０８‥‥コントローラー ８０９‥‥操作部
DESCRIPTION OF
Claims (16)
前記端子は、外部機器および駆動用ＩＣのうちの少なくとも一方が備える端子と、異方性導電フィルムまたは異方性導電ペーストに含まれる導電性粒子を介して電気的に接続されるものであり、
前記配線と一体的に形成された部分と、前記一体的に形成された部分に対応して設けられた導電性を有する補強層とを備え、
前記配線と一体的に形成された部分の厚さが１０〜５００ｎｍで、かつ前記補強層の厚さが３〜５０μｍに設定されていることを特徴とする可撓性配線基板。 A flexible substrate; a plurality of switching elements; a wiring at least partially connected to the switching element; and a plurality of terminals connected to the wiring; the switching element, the wiring, and the wiring Any of the terminals is a flexible wiring board provided on the board,
The terminal is electrically connected to a terminal included in at least one of an external device and a driving IC via conductive particles contained in an anisotropic conductive film or an anisotropic conductive paste,
Comprising said wiring integrally formed portions, and a reinforcing layer having obtained conductive provided corresponding to said integrally formed part,
A flexible wiring board , wherein a thickness of a portion integrally formed with the wiring is 10 to 500 nm, and a thickness of the reinforcing layer is set to 3 to 50 μm .
該第２の部分に前記可撓性配線基板が有する端子の少なくとも一部が設けられている請求項１に記載の可撓性配線基板。 The substrate has a first portion provided with the switching element, and a strip-shaped second portion protruding laterally from the first portion,
The flexible wiring board according to claim 1, wherein at least a part of terminals of the flexible wiring board is provided in the second portion.
前記配線および前記可撓性配線基板が有する端子に対応する部分を有する導電体パターンを形成する工程と、
前記導電体パターンの前記可撓性配線基板が有する端子に対応する部分に、前記導電性を有する補強層を形成して、前記可撓性配線基板が有する端子を得る工程とを有することを特徴とする可撓性配線基板の製造方法。 A method of manufacturing a flexible wiring board for producing a flexible wiring board according to any one of claims 1 to 8,
Forming a conductor pattern having portions corresponding to the terminals of the wiring and the flexible wiring board ;
Characterized in that the portion corresponding to the terminal to which the flexible wiring board of the conductive pattern has, to form a reinforcing layer having the conductivity, and a step of obtaining a terminal to which the flexible wiring board has A method for manufacturing a flexible wiring board.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003390003A JP4341380B2 (en) | 2003-11-19 | 2003-11-19 | Flexible wiring board, manufacturing method of flexible wiring board, electronic device, and electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003390003A JP4341380B2 (en) | 2003-11-19 | 2003-11-19 | Flexible wiring board, manufacturing method of flexible wiring board, electronic device, and electronic apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005150642A JP2005150642A (en) | 2005-06-09 |
| JP4341380B2 true JP4341380B2 (en) | 2009-10-07 |
Family
ID=34696522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003390003A Expired - Fee Related JP4341380B2 (en) | 2003-11-19 | 2003-11-19 | Flexible wiring board, manufacturing method of flexible wiring board, electronic device, and electronic apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4341380B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5700761B2 (en) * | 2010-07-13 | 2015-04-15 | 日本電子材料株式会社 | Electrical connection device |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01303789A (en) * | 1988-06-01 | 1989-12-07 | Hitachi Ltd | Formation of partial thickening gold film of ceramic wiring substrate |
| JPH1115008A (en) * | 1997-06-19 | 1999-01-22 | Seiko Instr Inc | Method for plating display panel |
| JP2001358182A (en) * | 2000-06-14 | 2001-12-26 | Seiko Epson Corp | Method of manufacturing wiring board, semiconductor device and manufacturing method therefor, circuit board and electronic apparatus |
| JP2002261416A (en) * | 2001-03-01 | 2002-09-13 | Denso Corp | Connection structure of electrode |
| JP2003177682A (en) * | 2001-09-05 | 2003-06-27 | Konica Corp | Display panel and its manufacturing method |
| JP3810064B2 (en) * | 2002-03-15 | 2006-08-16 | 松下電器産業株式会社 | Liquid crystal display |
| JP2003280548A (en) * | 2002-03-25 | 2003-10-02 | Toshiba Corp | Flexible display panel |
-
2003
- 2003-11-19 JP JP2003390003A patent/JP4341380B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2005150642A (en) | 2005-06-09 |
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