JP4324195B2 - パスメモリ回路 - Google Patents
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Description
図4は、本発明によるパスメモリ回路を示している。図4中、1がメモリ領域A、2がメモリ領域B、3がメモリ領域C、10が選択回路、11が記憶要素回路、12が選択記憶要素回路、13が1段の記憶回路を示す。選択記憶要素回路12は、ビタビ復号によってそれぞれのステート毎に求められる最も確からしいブランチを示す信号に応じて入力信号を選択して出力する選択回路10と、その出力をクロック信号に同期して保持する記憶要素回路11とから構成される。記憶回路13は、同じ段に属する全てのステートに関する選択記憶要素回路12から構成される。
次に、本発明の第2の実施形態を示す。第2の実施形態におけるメモリ領域Bの記憶要素回路11は、メモリ長制御信号がLの場合にはクロック信号に同期して入力信号を保持、出力を行い、メモリ長制御信号がHの場合にはクロック信号に関わらず入力信号をそのまま出力する動作を行う。すなわち、第1の実施形態ではメモリ領域Bとメモリ領域Cとのクロック配線を分離する必要があったが、第2の実施形態ではその必要はない。また、メモリ領域Cの記憶要素回路11にはメモリ領域Bと同じ構成の記憶要素回路11を使用することができる。
図10に第3の実施形態の構成図を示す。図10中、14はリピータ型選択記憶要素回路、15は同期型選択記憶要素回路、16はメモリ長制御信号に応じてクロック信号を制御するクロック制御回路である。リピータ型選択記憶要素回路14は前述の選択記憶要素回路12と同様の構造であるが、その内部の記憶要素回路11は、メモリ長制御信号がHのときにクロック信号に関わらず入力信号をそのまま出力する記憶要素回路である。同期型選択記憶要素回路15は前述の選択記憶要素回路12と同様の構造であるが、その内部の記憶要素回路11は、メモリ長制御信号がHのときにクロック信号に同期して入力信号を保持、出力する記憶要素回路である。ただし、図10ではメモリ領域Aは図示を省略している。
同期型選択記憶要素回路15の配置間隔 ≦ (Tc-Tl-To-Ts)/(Td+Tl)
のように決定できる。
図11に第4の実施形態におけるメモリ領域Bの構成図を示す。図11中、17はスキャンパス、18は動作モード制御回路である。ただし、図11ではメモリ領域A及びメモリ領域Cは図示を省略している。
2 メモリ領域B
3 メモリ領域C
10,20 選択回路
11,21 記憶要素回路
12,22 選択記憶要素回路
13,23 記憶回路
14 リピータ型選択記憶要素回路
15 同期型選択記憶要素回路
16 クロック制御回路
17 スキャンパス
18 動作モード制御回路
24 出力選択回路
31 同期パルス生成回路
32 データ保持回路
41 同期信号生成回路
42 マスター記憶回路
43 スレーブ記憶回路
51 同期パルス生成回路
52 ドライバ回路
61 収束判定回路
62 論理和回路
71 メモリ長設定ユニット
72 論理和回路
81,82 遅延素子
83,84 加算器
101 選択回路
102 データ保持回路
Claims (14)
- 状態数n(nは正の整数)の状態遷移に応じて復号を行うビタビ復号に用いられ、ビタビ復号の結果に応じて任意の入力を選択し出力する選択回路と、前記選択回路が選択し出力した結果を記憶する記憶要素回路とから構成される選択記憶要素回路をn列備えた記憶回路がM(Mは正の整数)段縦続接続されたパスメモリ回路であって、
先頭からi(iは0以上、M以下の整数)段の前記記憶回路によって構成されるメモリ領域Aと、
i+1段目からM段目までの前記記憶回路のうち任意の状態k(kは1以上、n以下の整数)に関する復号結果を選択、保持する前記選択記憶要素回路によって構成されるメモリ領域Bと、
前記メモリ領域A及び前記メモリ領域B以外の前記選択記憶要素回路によって構成されるメモリ領域Cとから構成され、
メモリ長制御信号に応じて前記メモリ領域Cのj(jはi+1以上、M以下の整数)段目以降の記憶回路を停止し、かつ前記メモリ領域Bのj段目以降の前記選択回路が前段の記憶回路のうち前記メモリ領域Bに属する前記選択記憶要素回路の出力を選択することを特徴とするパスメモリ回路。 - 請求項1記載のパスメモリ回路において、
ビタビ復号する信号の状況に応じてパスメモリ長を所望の長さに設定するように任意の段の記憶回路への前記メモリ長制御信号を一状態に設定するメモリ長設定手段と、
ある段の記憶回路への前記メモリ長制御信号が前記一状態に設定された場合に次段の記憶回路への前記メモリ長制御信号を前記一状態に設定する論理和手段とを更に備えたことを特徴とするパスメモリ回路。 - 請求項1記載のパスメモリ回路において、
任意の段の前記記憶要素回路の出力が全て等しいと判定した場合に次段の記憶回路への前記メモリ長制御信号を一状態に設定する収束判定手段と、
ある段の記憶回路への前記メモリ長制御信号が前記一状態に設定された場合に次段の記憶回路への前記メモリ長制御信号を前記一状態に設定する論理和手段とを更に備えたことを特徴とするパスメモリ回路。 - 請求項1記載のパスメモリ回路において、
前記メモリ長制御信号に応じて前記メモリ領域Cのj段目以降の記憶回路を停止したとき、前記メモリ領域Bのj段目以降の前記記憶要素回路の各々がクロック信号に関わらず入力信号をそのまま出力することを特徴とするパスメモリ回路。 - 請求項4記載のパスメモリ回路において、
前記メモリ領域Bの記憶要素回路は、
同期パルス信号が一状態のときに入力信号を取り込み、他状態のときに保持するデータ保持手段と、
同期信号と制御信号とを入力とし前記制御信号が一状態のときに一状態の前記同期パルス信号を出力し、前記制御信号が他状態のときに前記同期信号からパルス信号を生成し前記同期パルス信号として出力する同期パルス生成手段とを有し、
前記メモリ長制御信号を前記同期パルス生成手段の制御信号として用いることを特徴とするパスメモリ回路。 - 請求項4記載のパスメモリ回路において、
前記メモリ領域Bの記憶要素回路は、
第1の同期信号が一状態のときに入力信号を保持し、他状態のときに前記入力信号を取り込むマスター記憶手段と、
第2の同期信号が一状態のときに前記マスター記憶手段の出力を取り込み、他状態のときに保持するスレーブ記憶手段と、
同期信号と制御信号とを入力とし前記第1の同期信号として前記同期信号を出力し、前記制御信号が一状態のとき前記同期信号の反転を前記第2の同期信号として出力し、前記制御信号が他状態のとき前記第2の同期信号として前記同期信号をそのまま出力する同期信号生成手段とを有し、
前記メモリ長制御信号を前記同期信号生成手段の制御信号として用いることを特徴とするパスメモリ回路。 - 請求項4記載のパスメモリ回路において、
前記メモリ領域Bの記憶要素回路はラッチ回路であり、
入力した同期信号からパルス信号を生成し出力する同期パルス生成手段と、
前記同期パルス生成手段の出力と前記メモリ長制御信号とを受け、前記メモリ長制御信号が一状態の場合には一状態の信号を出力し、他状態の場合には前記同期パルス生成手段の出力を出力するドライバ回路とを更に備え、
前記メモリ領域Bへ前記ドライバ回路の出力信号を同期信号として与えることを特徴とするパスメモリ回路。 - 請求項1記載のパスメモリ回路において、
前記メモリ領域Bは、
前記メモリ長制御信号が一状態の場合にクロック信号に同期して入力を保持、出力する同期型記憶要素回路と、
前記メモリ長制御信号が前記一状態の場合に前記クロック信号に関わらず入力信号をそのまま出力するリピータ型記憶要素回路とを有することを特徴とするパスメモリ回路。 - 請求項1記載のパスメモリ回路において、
前記メモリ領域Bの前記記憶要素回路はスキャンテスト用の回路を備え、当該記憶要素回路間にi+1段目からM段目への順番で順次スキャンパスが接続され、
前記メモリ長制御信号に応じて前記メモリ領域Cのj段目以降の記憶回路を停止したとき、前記メモリ領域Bのj段目以降の前記記憶要素回路がスキャンテストモードで動作することを特徴とするパスメモリ回路。 - 請求項1記載のパスメモリ回路において、
前記メモリ領域A、前記メモリ領域B及び前記メモリ領域Cを構成する回路素子がそれぞれ独立した1つずつの領域に配置され、前記メモリ領域Bが前記メモリ領域Aの1列目又はn列目に対応しかつ当該メモリ領域Aの列に隣接して配置されたことを特徴とするパスメモリ回路。 - 請求項1記載のパスメモリ回路において、
前記メモリ領域Bは、前記選択回路の入力の1つが1時刻前の同じステートの前記選択記憶要素回路の出力となるステートに属する前記選択記憶要素回路で構成されたことを特徴とするパスメモリ回路。 - 請求項1記載のパスメモリ回路において、
前記メモリ領域Cのうちj段目以降が停止する場合、前記メモリ領域Cのj段目以降へのクロック信号の供給が停止することを特徴とするパスメモリ回路。 - 請求項12記載のパスメモリ回路において、
前記メモリ領域Cのうちj段目以降が停止する場合、前記メモリ領域Cのj段目以降に含まれるトランジスタの基板に逆バイアスが与えられることを特徴とするパスメモリ回路。 - 請求項1記載のパスメモリ回路において、
前記メモリ領域Cのうちj段目以降が停止する場合、前記メモリ領域Cのj段目以降への電源供給が遮断されることを特徴とするパスメモリ回路。
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