JP4313986B2 - 半導体集積回路とその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数のスタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)と、これらのSRAMにそれぞれアクセスする複数の論理回路とを搭載したCMOS構成の半導体集積回路と、その製造方法とに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
携帯電話等の携帯機器用に開発された最近のシステムLSIは、音声や動画データの高速処理動作が要求されるデジタル信号処理装置(Digital Signal Processor:DSP)と、アプリケーション処理や待ち受け時のシステム制御を行う中央処理ユニット(Central Processing Unit:CPU)とを搭載している。DSPは、送受信データのバッファメモリとして高速SRAMを必要とする。また、CPUにはワークメモリとして使うべきSRAMが必要である。
【0003】
従来の携帯機器用のシステムLSIは、待ち受け時のリーク電流を削減するために、MOSトランジスタの閾値電圧(Vt)を比較的高くする傾向にあるが、同時に、DSPやCPUの速度を維持していかなければならないため、その速度とリーク電流のトレードオフの関係で、ぎりぎりのトランジスタ設計、回路設計を行ってきた。そこで、現実には、携帯機器以外のための標準プロセスとは別に、Vtをわずかに高くしたり、リーク電流のばらつきの問題を回避するためにMOSトランジスタのゲート長をわずかに大きくしたりした、携帯機器用の特殊プロセスが開発されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、携帯電話をはじめとする携帯機器がインターネットに接続され、データ処理量が急激に増大してきた。また、動画やインターネットのデータをバッファリングするメモリの容量も大きくなってきた。
【0005】
そのため、メモリの大容量化に伴うリーク電流増大と、DSPやCPUの高速動作の要求が同時に発生したため、前記したトランジスタ設計や回路設計の最適化のレベルでは、もはや解決できなくなってきた。
【0006】
もちろん、リーク電流の削減の問題は、LSIの内蔵回路に対する電源を遮断することで解決が期待できるが、携帯機器は無線のネットワークに接続していることから待ち受け時に処理しなければならない処理も残存するので、単純に電源遮断することができない問題がある。
【0007】
今後、種々の目的を持った多数の回路ブロックを同一チップ上に搭載する場合、その回路ブロック毎に個別に最適化した製造プロセスを採用すると、製造プロセスが複雑になることで製造コストが上昇する。
【0008】
本発明の目的は、製造プロセスを複雑にすることなく、種々の要求性能を満たす複数の回路ブロックを同一チップ上に搭載できるようにすることにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明は、高速動作が要求される第1のSRAMセルアレイと、これより低速で動作する第2のSRAMセルアレイとを備えたCMOS構成の半導体集積回路を前提とする。第1のSRAMセルアレイは、必要に応じて、例えば待ち受け時に電源が遮断される。第2のSRAMセルアレイは、データ保持のために、第1のSRAMの電源が遮断されているときにも電源供給がなされる。したがって、待ち受け時のリーク削減必要度は、第1のSRAMセルアレイでは小さく、第2のSRAMセルアレイでは大きい。そこで、本発明によれば、NチャネルMOSトランジスタとPチャネルMOSトランジスタとのうちの少なくとも一方について、第1のSRAMセルアレイに高速化のために低VtのMOSトランジスタを、第2のSRAMセルアレイにリーク削減のために高VtのMOSトランジスタをそれぞれ採用する。そのため、まず高集積度が要求される第1及び第2のSRAMセルアレイで「逆ナローチャネル特性(チャネル幅が小さくなるほどVtの絶対値が小さくなる特性)」が利用できるように、第1及び第2のSRAMセルアレイの各々を構成するMOSトランジスタの平均チャネル幅を、その他の回路ブロック(例えば、SRAM周辺回路や論理回路)の各々を構成するMOSトランジスタの平均チャネル幅の半分以下に設定する。しかも、第2のSRAMセルアレイのMOSトランジスタのチャネル不純物濃度を、追加イオン注入によって第1のSRAMセルアレイのMOSトランジスタのチャネル不純物濃度より高く設定する。この追加イオン注入により、第2のSRAMセルアレイのMOSトランジスタにおける逆ナローチャネル効果によるVtの絶対値の減少が補償されて、高VtのMOSトランジスタが得られる。なお、ここに言う「高Vt」とは、NチャネルMOSトランジスタとPチャネルMOSトランジスタとのいずれにおいても閾値電圧の絶対値が大きいことを意味する。
【0010】
また、上記追加イオン注入に代えてゲート酸化膜厚の調整を行うこととしてもよい。すなわち、第2のSRAMセルアレイのMOSトランジスタのゲート酸化膜厚を、膜厚調整によって第1のSRAMセルアレイのMOSトランジスタのゲート酸化膜厚より厚く設定する。この膜厚調整によっても、第2のSRAMセルアレイのMOSトランジスタにおける逆ナローチャネル効果によるVtの絶対値の減少が補償されて、高VtのMOSトランジスタが得られる。
【0011】
第2のSRAMセルアレイと同様に第1のSRAMセルアレイより低速で動作し、かつ第2のSRAMセルアレイより大きい記憶容量を持つ第3のSRAMセルアレイを更に備える場合には、第2のSRAMセルアレイと同様に高Vtのトランジスタ条件で第3のSRAMセルアレイを作って1メモリセル当たりのリーク電流を削減しても、当該第3のSRAMセルアレイの動作時に総メモリセルに流れる総リーク電流を無視できない。そこで、本発明によれば、データ保持の必要がない第3のSRAMセルアレイについては、必要に応じて電源を遮断することとする。
【0012】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明に係る半導体集積回路の内部構成例を示している。図1の半導体集積回路10は、例えば携帯電話用のCMOSシステムLSIである。この半導体集積回路10は、待ち受け時に電源が遮断される第1の領域11と、常に電源供給がなされる第2の領域12とを持つ。第1の領域11には、第1のSRAMセルアレイ21と、第1の周辺回路22と、第1の論理回路23とが配置される。第1の周辺回路22は、第1のSRAMセルアレイ21へのアクセスを仲介するための回路であって、アドレスデコーダ、センスアンプ等を含み、第1のSRAMセルアレイ21とともに第1のSRAMを構成する。第1の論理回路23は、音声や動画データの高速ベースバンド処理を司るDSPであって、送受信データのバッファメモリである第1のSRAMにアクセスする。第2の領域12には、第2のSRAMセルアレイ24と、第2の周辺回路25と、第2の論理回路26とが配置される。第2の周辺回路25は、第2のSRAMセルアレイ24へのアクセスを仲介するための回路であって、アドレスデコーダ、センスアンプ等を含み、第2のSRAMセルアレイ24とともに第2のSRAMを構成する。第2の論理回路26は、アプリケーション処理や待ち受け時のシステム制御を行うCPUであって、ワークメモリである第2のSRAMにアクセスする。第1の領域11には更に、第3のSRAMセルアレイ27と、第3の周辺回路28と、第3の論理回路29とが配置される。第3の周辺回路28は、第3のSRAMセルアレイ27へのアクセスを仲介するための回路であって、アドレスデコーダ、センスアンプ等を含み、第3のSRAMセルアレイ27とともに第3のSRAMを構成する。第3の論理回路29は、動画データの圧縮・伸張処理を司る画像処理ユニット(Image Processing Unit:IPU)であって、画像フレームのバッファメモリである第3のSRAMにアクセスするようになっている。
【0013】
図2(a)は図1中の第1、第2及び第3のSRAMセルアレイ21,24,27の部分回路構成を、図2(b)は図1中の第1、第2及び第3の周辺回路22,25,28の部分構成を、図2(c)は図1中の第1、第2及び第3の論理回路23,26,29の部分回路構成をそれぞれ示している。図2(a)は6トランジスタ構成の単一メモリセルを表しており、BL及び/BLは各々ビット線、WLはワード線、MN0及びMN1は各々ドライブトランジスタの機能を持つNチャネルMOSトランジスタ、MN2及びMN3は各々アクセストランジスタの機能を持つNチャネルMOSトランジスタ、MP0及びMP1は各々負荷トランジスタの機能を持つPチャネルMOSトランジスタ、Vccは電源、Vssは接地である。図2(b)はCMOSアドレスデコーダを表しており、Ai-1、Ai、Ai+1は各々アドレスビットである。図2(c)は単一のCMOSフリップフロップを表しており、Dinは入力データ、Doutは出力データ、CLKはクロックである。
【0014】
図3は、図1中の第1、第2及び第3のSRAMの各々の要求特性を示している。第1のSRAMセルアレイ21と第1の周辺回路22とで構成される第1のSRAMは、250MHzの周波数で動作する高速SRAMであって、100Kビットの記憶容量を持つ。待ち受け時に電源が遮断される当該第1のSRAMでは、動作時、待ち受け時ともにリーク削減必要度は小さい。第2のSRAMセルアレイ24と第2の周辺回路25とで構成される第2のSRAMは、100MHzの周波数で動作する中速SRAMであって、100Kビットの記憶容量を持つ。データ保持の必要がある当該第2のSRAMでは、動作時のリーク削減必要度は小さいものの、常に電源供給がなされるため待ち受け時のリーク削減必要度は大きい。第3のSRAMセルアレイ27と第3の周辺回路28とで構成される第3のSRAMは、33MHzの周波数で動作する低速SRAMであって、500Kビットを超える記憶容量を持つ。待ち受け時に電源が遮断される当該第3のSRAMでは、待ち受け時のリーク削減必要度は小さいものの、記憶容量が大きいため動作時のリーク削減必要度は大きい。
【0015】
図4は、図1中の9個の回路ブロック21〜29の各々におけるトランジスタ諸特性の第1の例を示している。図4によれば、高集積度が要求される第1〜第3のSRAMセルアレイ21,24,27の各々を構成するNチャネルMOSトランジスタとPチャネルMOSトランジスタとの平均チャネル幅は、逆ナローチャネル特性が利用できるように、その他の回路ブロック22,23,25,26,28,29の各々を構成するNチャネルMOSトランジスタとPチャネルMOSトランジスタとの平均チャネル幅(例えば0.6μmより大)の半分以下に、例えば0.25μmに設定される。しかも、第2及び第3のSRAMセルアレイ24,27のNチャネルMOSトランジスタのチャネル不純物濃度(n3)は、追加イオン注入により、その他の回路ブロック21,22,23,25,26,28,29の各々のNチャネルMOSトランジスタのチャネル不純物濃度(n1)より高く設定される。また、第2及び第3のSRAMセルアレイ24,27のPチャネルMOSトランジスタのチャネル不純物濃度(n4)は、追加イオン注入により、その他の回路ブロック21,22,23,25,26,28,29の各々のPチャネルMOSトランジスタのチャネル不純物濃度(n2)より高く設定される。その結果、第1のSRAMセルアレイ21のNチャネルMOSトランジスタはその他の回路ブロック22〜29の各々のNチャネルMOSトランジスタより低いVtを持ち、第1のSRAMセルアレイ21のPチャネルMOSトランジスタはその他の回路ブロック22〜29の各々のPチャネルMOSトランジスタより低い(絶対値が小さい)Vtを持つこととなる。低VtのMOSトランジスタで構成された第1のSRAMセルアレイ21は高速動作が可能であり、高VtのMOSトランジスタで構成された第2及び第3のSRAMセルアレイ24,27ではリーク削減が達成される。なお、第2の周辺回路25をなすアドレスデコーダやセンスアンプは、支障がない限り待ち受け時に電源を遮断することとしてもよい。ただし、第2の論理回路(CPU)26はフリップフロップを含むので、その記憶データを消失させないために、第2のSRAMセルアレイ24と同様に電源遮断無とする。
【0016】
なお、追加イオン注入の対象を、図2(a)中のドライブトランジスタMN0,MN1及び負荷トランジスタMP0,MP1に限定してもよい。つまり、第2及び第3のSRAMセルアレイ24,27中のドライブトランジスタMN0,MN1及び負荷トランジスタMP0,MP1のみのチャネル不純物濃度を選択的に高く設定するのである。アクセストランジスタMN0,MN1は、接地Vssの電位を制御したり、ワード線WLの電位を負に制御したりすることで、そのリーク電流を抑制することができる。
【0017】
図5は、図4のトランジスタ諸特性に対応したイオン注入工程のフローチャートを示している。図5の前工程として、前記のとおり、第1〜第3のSRAMセルアレイ21,24,27の各々を構成するNチャネルMOSトランジスタとPチャネルMOSトランジスタとの平均チャネル幅を、その他の回路ブロック22,23,25,26,28,29の各々を構成するNチャネルMOSトランジスタとPチャネルMOSトランジスタとの平均チャネル幅の半分以下に設定する。そして、図5の工程S1では、全回路ブロック21〜29について、NチャネルMOSトランジスタのチャネル領域にイオン注入を施すことにより、均一なチャネル不純物濃度n1を実現する。工程S2では、全回路ブロック21〜29について、PチャネルMOSトランジスタのチャネル領域にイオン注入を施すことにより、均一なチャネル不純物濃度n2を実現する。工程S3では、特定の回路ブロック24,27のみについて、NチャネルMOSトランジスタのチャネル領域に追加イオン注入を施すことにより、n1より高いチャネル不純物濃度n3を実現する。工程S4では、特定の回路ブロック24,27のみについて、PチャネルMOSトランジスタのチャネル領域に追加イオン注入を施すことにより、n2より高いチャネル不純物濃度n4を実現するのである。
【0018】
図6は、図1中の9個の回路ブロック21〜29の各々におけるトランジスタ諸特性の第2の例を示している。図6によれば、図4の例と違って第2及び第3のSRAMセルアレイ24,27のPチャネルMOSトランジスタが追加イオン注入の対象から外される。つまり、全回路ブロック21〜29のPチャネルMOSトランジスタのチャネル不純物濃度(n2)が均一である。逆ナローチャネルの効果はNチャネルMOSトランジスタの方がPチャネルMOSトランジスタより大きいので、NチャネルMOSトランジスタのみVtを上昇させるための追加イオン注入を行うこととするのである。これにより、図5中の工程S4の実施を省略できるので、イオン注入の工程数が減る効果がある。
【0019】
図7は、図1中の9個の回路ブロック21〜29の各々におけるトランジスタ諸特性の第3の例を示している。図7によれば、図4の例と違って回路ブロック24〜29の全てが追加イオン注入の対象となる。つまり、第2及び第3のSRAMセルアレイ24,27、第2及び第3の周辺回路25,28並びに第2及び第3の論理回路26,29の各々のNチャネルMOSトランジスタのチャネル不純物濃度(n3)は、追加イオン注入により、その他の回路ブロック21,22,23の各々のNチャネルMOSトランジスタのチャネル不純物濃度(n1)より高く設定される。また、第2及び第3のSRAMセルアレイ24,27、第2及び第3の周辺回路25,28並びに第2及び第3の論理回路26,29の各々のPチャネルMOSトランジスタのチャネル不純物濃度(n4)は、追加イオン注入により、その他の回路ブロック21,22,23の各々のPチャネルMOSトランジスタのチャネル不純物濃度(n2)より高く設定される。その結果、第2及び第3のSRAMセルアレイ24,27、第2及び第3の周辺回路25,28並びに第2及び第3の論理回路26,29の各々が高VtのMOSトランジスタで構成され、リーク削減が達成される。
【0020】
図8は、図1中の9個の回路ブロック21〜29の各々におけるトランジスタ諸特性の第4の例を示している。図8によれば、図7の例と違って第2及び第3のSRAMセルアレイ24,27、第2及び第3の周辺回路25,28並びに第2及び第3の論理回路26,29の各々のPチャネルMOSトランジスタが追加イオン注入の対象から外される。つまり、全回路ブロック21〜29のPチャネルMOSトランジスタのチャネル不純物濃度(n2)が均一である。図6の例と同様に、イオン注入の工程数が減る効果がある。
【0021】
図9は、図1中の9個の回路ブロック21〜29の各々におけるトランジスタ諸特性の第5の例を示している。図9によれば、図7の例と違って回路ブロック24,25,27,28のみが追加イオン注入の対象となる。つまり、第2及び第3のSRAMセルアレイ24,27並びに第2及び第3の周辺回路25,28の各々のNチャネルMOSトランジスタのチャネル不純物濃度(n3)は、追加イオン注入により、その他の回路ブロック21,22,23,26,29の各々のNチャネルMOSトランジスタのチャネル不純物濃度(n1)より高く設定される。また、第2及び第3のSRAMセルアレイ24,27並びに第2及び第3の周辺回路25,28の各々のPチャネルMOSトランジスタのチャネル不純物濃度(n4)は、追加イオン注入により、その他の回路ブロック21,22,23,26,29の各々のPチャネルMOSトランジスタのチャネル不純物濃度(n2)より高く設定される。その結果、第2及び第3のSRAMセルアレイ24,27並びに第2及び第3の周辺回路25,28の各々が高VtのMOSトランジスタで構成され、リーク削減が達成される。なお、図9の例でもPチャネルMOSトランジスタを追加イオン注入の対象から外すことができる。
【0022】
図10は、図1中の9個の回路ブロック21〜29の各々におけるトランジスタ諸特性の第6の例を示している。図10によれば、高集積度が要求される第1〜第3のSRAMセルアレイ21,24,27の各々を構成するNチャネルMOSトランジスタとPチャネルMOSトランジスタとの平均チャネル幅は、逆ナローチャネル特性が利用できるように、その他の回路ブロック22,23,25,26,28,29の各々を構成するNチャネルMOSトランジスタとPチャネルMOSトランジスタとの平均チャネル幅(例えば0.6μmより大)の半分以下に、例えば0.25μmに設定される。しかも、第2及び第3のSRAMセルアレイ24,27のNチャネルMOSトランジスタのゲート酸化膜厚は、膜厚調整により、その他の回路ブロック21,22,23,25,26,28,29の各々のNチャネルMOSトランジスタのゲート酸化膜厚より厚く設定される。また、第2及び第3のSRAMセルアレイ24,27のPチャネルMOSトランジスタのゲート酸化膜厚は、膜厚調整により、その他の回路ブロック21,22,23,25,26,28,29の各々のPチャネルMOSトランジスタのゲート酸化膜厚より厚く設定される。その結果、第1のSRAMセルアレイ21のNチャネルMOSトランジスタはその他の回路ブロック22〜29の各々のNチャネルMOSトランジスタより低いVtを持ち、第1のSRAMセルアレイ21のPチャネルMOSトランジスタはその他の回路ブロック22〜29の各々のPチャネルMOSトランジスタより低い(絶対値が小さい)Vtを持つこととなる。低VtのMOSトランジスタで構成された第1のSRAMセルアレイ21は高速動作が可能であり、高VtのMOSトランジスタで構成された第2及び第3のSRAMセルアレイ24,27ではリーク削減が達成される。なお、第2の周辺回路25をなすアドレスデコーダやセンスアンプは、支障がない限り待ち受け時に電源を遮断することとしてもよい。ただし、第2の論理回路(CPU)26はフリップフロップを含むので、その記憶データを消失させないために、第2のSRAMセルアレイ24と同様に電源遮断無とする。
【0023】
なお、膜厚増加の対象を、図2(a)中のドライブトランジスタMN0,MN1及び負荷トランジスタMP0,MP1に限定してもよい。つまり、第2及び第3のSRAMセルアレイ24,27中のドライブトランジスタMN0,MN1及び負荷トランジスタMP0,MP1のみのゲート酸化膜厚を選択的に厚く設定するのである。アクセストランジスタMN0,MN1は、接地Vssの電位を制御したり、ワード線WLの電位を負に制御したりすることで、そのリーク電流を抑制することができる。
【0024】
図11は、図10のトランジスタ諸特性に対応したゲート酸化膜形成工程のフローチャートを示している。図11の前工程として、前記のとおり、第1〜第3のSRAMセルアレイ21,24,27の各々を構成するNチャネルMOSトランジスタとPチャネルMOSトランジスタとの平均チャネル幅を、その他の回路ブロック22,23,25,26,28,29の各々を構成するNチャネルMOSトランジスタとPチャネルMOSトランジスタとの平均チャネル幅の半分以下に設定する。そして、図11の工程S11では、全回路ブロック21〜29について、NチャネルMOSトランジスタ及びPチャネルMOSトランジスタのゲート酸化膜を薄く形成する。工程S12では、特定の回路ブロック24,27のみについて、NチャネルMOSトランジスタ及びPチャネルMOSトランジスタのゲート酸化膜を増加させる膜厚調整を施すことにより、厚いゲート酸化膜を実現するのである。
【0025】
図12は、図10のトランジスタ諸特性に対応したゲート酸化膜形成工程の他のフローチャートを示している。図12の前工程として、前記のとおり、第1〜第3のSRAMセルアレイ21,24,27の各々を構成するNチャネルMOSトランジスタとPチャネルMOSトランジスタとの平均チャネル幅を、その他の回路ブロック22,23,25,26,28,29の各々を構成するNチャネルMOSトランジスタとPチャネルMOSトランジスタとの平均チャネル幅の半分以下に設定する。そして、図12の工程S21では、全回路ブロック21〜29について、NチャネルMOSトランジスタ及びPチャネルMOSトランジスタのゲート酸化膜を厚く形成する。工程S22では、特定の回路ブロック24,27以外について、NチャネルMOSトランジスタ及びPチャネルMOSトランジスタのゲート酸化膜を減少させる膜厚調整を施すことにより、薄いゲート酸化膜を実現するのである。
【0026】
図13は、図1中の9個の回路ブロック21〜29の各々におけるトランジスタ諸特性の第7の例を示している。図13によれば、図10の例と違って第2及び第3のSRAMセルアレイ24,27のPチャネルMOSトランジスタが膜厚調整の対象から外される。つまり、全回路ブロック21〜29のPチャネルMOSトランジスタのゲート酸化膜厚が均一である。逆ナローチャネルの効果はNチャネルMOSトランジスタの方がPチャネルMOSトランジスタより大きいので、NチャネルMOSトランジスタのみVtを上昇させるための膜厚調整を行うこととするのである。
【0027】
図14は、図1中の9個の回路ブロック21〜29の各々におけるトランジスタ諸特性の第8の例を示している。図14によれば、図10の例と違って回路ブロック24〜29の全てが膜厚調整の対象となる。つまり、第2及び第3のSRAMセルアレイ24,27、第2及び第3の周辺回路25,28並びに第2及び第3の論理回路26,29の各々のNチャネルMOSトランジスタのゲート酸化膜厚は、膜厚調整により、その他の回路ブロック21,22,23の各々のNチャネルMOSトランジスタのゲート酸化膜厚より厚く設定される。また、第2及び第3のSRAMセルアレイ24,27、第2及び第3の周辺回路25,28並びに第2及び第3の論理回路26,29の各々のPチャネルMOSトランジスタのゲート酸化膜厚は、膜厚調整により、その他の回路ブロック21,22,23の各々のPチャネルMOSトランジスタのゲート酸化膜厚より厚く設定される。その結果、第2及び第3のSRAMセルアレイ24,27、第2及び第3の周辺回路25,28並びに第2及び第3の論理回路26,29の各々が高VtのMOSトランジスタで構成され、リーク削減が達成される。なお、第1のSRAMセルアレイ21、第1の周辺回路22及び第1の論理回路23の各々の電源は待ち受け時に遮断されるので、ゲート酸化膜が薄膜であることに伴うリーク増加が問題になることはない。
【0028】
図15は、図1中の9個の回路ブロック21〜29の各々におけるトランジスタ諸特性の第9の例を示している。図15によれば、図14の例と違って第2及び第3のSRAMセルアレイ24,27、第2及び第3の周辺回路25,28並びに第2及び第3の論理回路26,29の各々のPチャネルMOSトランジスタが膜厚調整の対象から外される。つまり、全回路ブロック21〜29のPチャネルMOSトランジスタのゲート酸化膜厚が均一である。
【0029】
図16は、図1中の9個の回路ブロック21〜29の各々におけるトランジスタ諸特性の第10の例を示している。図16によれば、図14の例と違って回路ブロック24,25,27,28のみが膜厚調整の対象となる。つまり、第2及び第3のSRAMセルアレイ24,27並びに第2及び第3の周辺回路25,28の各々のNチャネルMOSトランジスタのゲート酸化膜厚は、膜厚調整により、その他の回路ブロック21,22,23,26,29の各々のNチャネルMOSトランジスタのゲート酸化膜厚より厚く設定される。また、第2及び第3のSRAMセルアレイ24,27並びに第2及び第3の周辺回路25,28の各々のPチャネルMOSトランジスタのゲート酸化膜厚は、膜厚調整により、その他の回路ブロック21,22,23,26,29の各々のPチャネルMOSトランジスタのゲート酸化膜厚より厚く設定される。その結果、第2及び第3のSRAMセルアレイ24,27並びに第2及び第3の周辺回路25,28の各々が高VtのMOSトランジスタで構成され、リーク削減が達成される。なお、図16の例でもPチャネルMOSトランジスタを膜厚調整の対象から外すことができる。
【0030】
ここで、上記逆ナローチャネル特性及び追加イオン注入について、具体的かつ詳細に説明する。
【0031】
図17は、NチャネルMOSトランジスタのチャネル幅Wをパラメータとしたチャネル不純物濃度と閾値電圧Vtとの関係を示している。チャネル幅Wが一定であるとき、Vtはチャネル不純物濃度の2乗に略比例する。しかも、W=0.25μmの場合の比例係数は、W>0.60μmの場合より小さい。
【0032】
図18は、NチャネルMOSトランジスタのチャネル不純物濃度をパラメータとしたチャネル幅Wと閾値電圧Vtとの関係を示している。図18中の黒丸は、図4に示したトランジスタ諸特性に対応している。チャネル不純物濃度がn1で一定であるとき、チャネル幅Wが小さくなるほどVtが低くなる逆ナローチャネル特性を示す。したがって、第1のSRAMセルアレイ21のNチャネルMOSトランジスタは、回路ブロック22,23,25,26,28,29の各々のNチャネルMOSトランジスタより低いVtを持つ。つまり、チャネル不純物濃度が同じでもチャネル幅Wを変えることによりVtの大きさを制御できるのである。第2及び第3のSRAMセルアレイ24,27のNチャネルMOSトランジスタは、追加イオン注入によりチャネル不純物濃度がn3に引き上げられることで、回路ブロック22,23,25,26,28,29の各々のNチャネルMOSトランジスタと同程度の大きさのVtを持つ。この結果、第1のSRAMセルアレイ21のNチャネルMOSトランジスタが最も低いVtを持つこととなる。
【0033】
図19は、NチャネルMOSトランジスタのチャネル不純物濃度をパラメータとしたチャネル幅Wと単位長さ当たりのドレイン電流Idsとの関係を示している。セル電流に直接影響するIdsは、図19に示すとおり第1のSRAMセルアレイ21のNチャネルMOSトランジスタが最大値を示す。つまり、回路ブロック22,23,25,26,28,29と同じ製造プロセスで、最も高い駆動能力を持つNチャネルMOSトランジスタを第1のSRAMセルアレイ21に実現することができる。
【0034】
なお、ゲート酸化膜厚を変えることによっても閾値電圧Vtの大きさを制御できる。つまり、ゲート酸化膜の厚みを厚くすればVtを上昇させることができて、リーク削減が達成される。
【0035】
MOSトランジスタのゲート幅の選定にあたっては、以下に述べる点に注意が必要である。
【0036】
図20は、図1の半導体集積回路10におけるNチャネルMOSトランジスタとPチャネルMOSトランジスタとの断面図である。図20において、左側がNチャネルMOSトランジスタの領域を、右側がPチャネルMOSトランジスタの領域をそれぞれ示している。図21は、図20中のNチャネルMOSトランジスタのゲート幅方向の断面図である。両図において、30はP型半導体基板、31はNウェル、32は分離領域、41及び51はゲート酸化膜、42及び52はゲート電極、43及び53はソース電極、44及び54はドレイン電極である。図20に示すように、チャネル幅がかなり小さくなると、実効チャネル幅Weffがマスク幅Wmaskより小さくなる。
【0037】
図22は、チャネル幅がかなり小さい場合のNチャネルMOSトランジスタのチャネル不純物濃度をパラメータとした実効チャネル幅Weffと単位長さ当たりのドレイン電流Idsとの関係を示している。図19と図22とを比較して判るように、WeffがWmaskより小さくなるとIdsが減少する。この減少分を小さくしないと、せっかく逆ナローチャネル特性で第1のSRAMセルアレイ21のNチャネルMOSトランジスタのVtが下がっても、Idsがむしろ減少するのである。
【0038】
Wmaskが小さくなると、図21に示したNチャネルMOSトランジスタと分離領域32との境界部のトランジスタ特性の影響が大きくなる。分離領域32との境界部に形成されるトランジスタのVtが低ければ、その影響で全体のVtが低くなる。このような分離領域32のトランジスタ特性は、当該分離領域32を形成する際の側壁注入や、電界分布に影響する分離領域32の形状に依存し、特にゲート電極42の直下に位置する分離領域32の境界部の電界分布に影響することで、Vtに影響する。よって、分離領域32の形状や、その側壁への注入、分離領域32に埋め込まれた酸化膜のゲート電極42の直下での形状を制御することで、図18の逆ナローチャネル特性を示すように不純物濃度分布を決定する必要がある。
【0039】
最後に、第1、第2及び第3のSRAMセルアレイ21,24,27のレイアウトについて説明する。第1のSRAMセルアレイ21には、1メモリセル当たりのビット線の長さが1メモリセル当たりのワード線より短くなる横型メモリセル構造を採用する。一方、第2及び第3のSRAMセルアレイ24,27には、それぞれ1メモリセル当たりのビット線の長さが1メモリセル当たりのワード線より長くなる縦型メモリセル構造を採用する。
【0040】
図23は、第1のSRAMセルアレイ21の横型メモリセルを示している。図23において、BL及び/BLは各々ビット線、WLはワード線、MN0及びMN1は各々ドライブトランジスタの機能を持つNチャネルMOSトランジスタ、MN2及びMN3は各々アクセストランジスタの機能を持つNチャネルMOSトランジスタ、MP0及びMP1は各々負荷トランジスタの機能を持つPチャネルMOSトランジスタ、NWはNウェル、BCはビット線コンタクト、SH0及びSH1は各々シェアドコンタクトである。NウェルNWの中に2個のPチャネルMOSトランジスタMP0及びMP1が、NウェルNWの左側の領域に2個のNチャネルMOSトランジスタMN0及びMN2が、NウェルNWの右側の領域に他の2個のNチャネルMOSトランジスタMN1及びMN3がそれぞれ配置されている。
【0041】
図24は、図1中の第2及び第3のSRAMセルアレイ24,27の縦型メモリセルを示している。図24において、BL及び/BLは各々ビット線、WLはワード線、MN0及びMN1は各々ドライブトランジスタの機能を持つNチャネルMOSトランジスタ、MN2及びMN3は各々アクセストランジスタの機能を持つNチャネルMOSトランジスタ、MP0及びMP1は各々負荷トランジスタの機能を持つPチャネルMOSトランジスタ、NWはNウェル、BCはビット線コンタクトである。NウェルNWの中に2個のPチャネルMOSトランジスタMP0及びMP1が、NウェルNWの下側の領域に4個のNチャネルMOSトランジスタMN0〜MN3がそれぞれ配置されている。
【0042】
図25(a)は図23の横型メモリセルのビット配線を、図25(b)は図24の縦型メモリセルのビット配線をそれぞれ示している。図25(a)に示す横型メモリセルでは、図25(b)に示す縦型メモリセルに比べてドライブトランジスタMN0及びMN1のチャネル幅を小さくできる。その理由は2つある。1つは、横型メモリセルの方が1メモリセル当たりのビット線容量が小さいからである。ビット線容量が小さい理由は、1メモリセル当たりのビット線自体が短く、かつ隣接配線間の距離が大きいからである。もう1つの理由は、横型メモリセルの方がビット線対間の電位差が大きくなりやすいからである。それは、ビット線間に電源線などのシールド線がレイアウトされるため、隣接ビット線間のカップリングによるデータの消失が少ないからである。以上の理由で、横型メモリセルによれば、ビット線を放電するために大きなセル電流が必要でなく、セル電流を決めるドライブトランジスタMN0及びMN1のチャネル幅を小さくできる。
【0043】
図26は、図23の横型メモリセルと図24の縦型メモリセルとの各々におけるアクセス時間とMOSトランジスタに必要なチャネル幅との関係を示す図である。図26によれば、横型メモリセルの方が、縦型メモリセルよりも同じアクセス時間を実現するときのチャネル幅を小さくでき、低Vtを実現しやすい。したがって、リーク電流を許容でき高速化を優先する第1のSRAMセルアレイ21では横型メモリセルの方が都合がよく、リーク電流を抑制しなければならない第2及び第3のSRAMセルアレイ24,27では縦型メモリセルの方が都合がよい。
【0044】
【発明の効果】
以上説明してきたとおり、本発明によれば、MOSトランジスタの逆ナローチャネル特性を利用し、チャネル不純物濃度を調整するための追加イオン注入又はゲート酸化膜厚の調整を採用し、かつ回路ブロック毎の動作速度、電源遮断の有無に応じて低VtのMOSトランジスタと高VtのMOSトランジスタとを使い分けることとしたので、製造プロセスを複雑にすることなく、種々の要求性能を満たす複数の回路ブロックを同一チップ上に搭載できる効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体集積回路の内部構成例を示すブロック図である。
【図2】(a)は図1中の第1、第2及び第3のSRAMセルアレイの部分回路構成を、(b)は図1中の第1、第2及び第3の周辺回路の部分構成を、(c)は図1中の第1、第2及び第3の論理回路の部分回路構成をそれぞれ示す回路図である。
【図3】図1中の第1、第2及び第3のSRAMの各々の要求特性を示す図である。
【図4】図1中の9個の回路ブロックの各々におけるトランジスタ諸特性の第1の例を示す図である。
【図5】図4のトランジスタ諸特性に対応したイオン注入工程のフローチャート図である。
【図6】図1中の9個の回路ブロックの各々におけるトランジスタ諸特性の第2の例を示す図である。
【図7】図1中の9個の回路ブロックの各々におけるトランジスタ諸特性の第3の例を示す図である。
【図8】図1中の9個の回路ブロックの各々におけるトランジスタ諸特性の第4の例を示す図である。
【図9】図1中の9個の回路ブロックの各々におけるトランジスタ諸特性の第5の例を示す図である。
【図10】図1中の9個の回路ブロックの各々におけるトランジスタ諸特性の第6の例を示す図である。
【図11】図10のトランジスタ諸特性に対応したゲート酸化膜形成工程のフローチャート図である。
【図12】図10のトランジスタ諸特性に対応したゲート酸化膜形成工程の他のフローチャート図である。
【図13】図1中の9個の回路ブロックの各々におけるトランジスタ諸特性の第7の例を示す図である。
【図14】図1中の9個の回路ブロックの各々におけるトランジスタ諸特性の第8の例を示す図である。
【図15】図1中の9個の回路ブロックの各々におけるトランジスタ諸特性の第9の例を示す図である。
【図16】図1中の9個の回路ブロックの各々におけるトランジスタ諸特性の第10の例を示す図である。
【図17】NチャネルMOSトランジスタのチャネル幅をパラメータとしてチャネル不純物濃度と閾値電圧との関係を示す図である。
【図18】NチャネルMOSトランジスタのチャネル不純物濃度をパラメータとしてチャネル幅と閾値電圧との関係を示す図である。
【図19】NチャネルMOSトランジスタのチャネル不純物濃度をパラメータとしてチャネル幅と単位長さ当たりのドレイン電流との関係を示す図である。
【図20】図1の半導体集積回路におけるNチャネルMOSトランジスタとPチャネルMOSトランジスタとの断面図である。
【図21】図20中のNチャネルMOSトランジスタのゲート幅方向の断面図である。
【図22】チャネル幅がかなり小さい場合のNチャネルMOSトランジスタのチャネル不純物濃度をパラメータとして実効チャネル幅と単位長さ当たりのドレイン電流との関係を示す図である。
【図23】図1中の第1のSRAMセルアレイのレイアウトの一例を示す平面図である。
【図24】図1中の第2及び第3のSRAMセルアレイのレイアウトの一例を示す平面図である。
【図25】(a)は図23の横型メモリセルのビット配線を、(b)は図24の縦型メモリセルのビット配線をそれぞれ示す概念図である。
【図26】図23の横型メモリセルと図24の縦型メモリセルとの各々におけるアクセス時間とMOSトランジスタに必要なチャネル幅との関係を示す図である。
【符号の説明】
10 半導体集積回路(システムLSI)
11 第1の領域(電源遮断有)
12 第2の領域(電源遮断無)
21 第1のSRAMセルアレイ
22 第1の周辺回路
23 第1の論理回路(Digital Signal Processor:DSP)
24 第2のSRAMセルアレイ
25 第2の周辺回路
26 第2の論理回路(Central Processing Unit:CPU)
27 第3のSRAMセルアレイ
28 第3の周辺回路
29 第3の論理回路(Image Processing Unit:IPU)
30 P型半導体基板
31 Nウェル
32 分離領域
41,51 ゲート酸化膜
42,52 ゲート電極
43,53 ソース電極
44,54 ドレイン電極
BC ビット線コンタクト
BL,/BL ビット線
MN0,MN1 ドライブトランジスタ
MN2,MN3 アクセストランジスタ
MP0,MP1 負荷トランジスタ
NW Nウェル
SH0,SH1 シェアドコンタクト
WL ワード線
Claims (24)
- 第1の周波数で動作しかつ必要に応じて電源が遮断される第1のSRAM(スタティックランダムアクセスメモリ)と、該第1のSRAMにアクセスする第1の論理回路と、前記第1の周波数より低い第2の周波数で動作しかつ前記第1のSRAMの電源が遮断されているときにも電源供給がなされる第2のSRAMと、該第2のSRAMにアクセスする第2の論理回路とを備えたCMOS構成の半導体集積回路であって、
前記第1のSRAMは、第1のSRAMセルアレイと、該第1のSRAMセルアレイへのアクセスを仲介する第1の周辺回路とを含み、
前記第2のSRAMは、第2のSRAMセルアレイと、該第2のSRAMセルアレイへのアクセスを仲介する第2の周辺回路とを含み、
NチャネルMOSトランジスタとPチャネルMOSトランジスタとのうちの少なくとも一方について、前記第1のSRAMセルアレイのMOSトランジスタが前記第2のSRAMセルアレイのMOSトランジスタより低い閾値電圧を持つように、前記第1及び第2のSRAMセルアレイの各々を構成するMOSトランジスタの平均チャネル幅は、前記第1及び第2の周辺回路並びに前記第1及び第2の論理回路の各々を構成するMOSトランジスタの平均チャネル幅の半分以下に設定され、かつ前記第2のSRAMセルアレイは、前記第1のSRAMセルアレイ、前記第1の周辺回路及び前記第1の論理回路の各々のMOSトランジスタのチャネル不純物濃度と異なったチャネル不純物濃度に設定されたMOSトランジスタを含むことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1記載の半導体集積回路において、
前記第2のSRAMセルアレイ中のドライブトランジスタ及び負荷トランジスタのみのチャネル不純物濃度が選択的に高く設定されたことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1記載の半導体集積回路において、
NチャネルMOSトランジスタとPチャネルMOSトランジスタとのうちの少なくとも一方について、前記第2の周辺回路のMOSトランジスタが前記第1の周辺回路のMOSトランジスタより高い閾値電圧を持つように、前記第2の周辺回路のMOSトランジスタのチャネル不純物濃度は、前記第1のSRAMセルアレイ、前記第1の周辺回路及び前記第1の論理回路の各々のMOSトランジスタのチャネル不純物濃度より高く設定されたことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1記載の半導体集積回路において、
NチャネルMOSトランジスタとPチャネルMOSトランジスタとのうちの少なくとも一方について、前記第2の論理回路のMOSトランジスタが前記第1の論理回路のMOSトランジスタより高い閾値電圧を持つように、前記第2の論理回路のMOSトランジスタのチャネル不純物濃度は、前記第1のSRAMセルアレイ、前記第1の周辺回路及び前記第1の論理回路の各々のMOSトランジスタのチャネル不純物濃度より高く設定されたことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1記載の半導体集積回路において、
前記第2のSRAMセルアレイ及び前記第2の論理回路には常に電源供給がなされる一方、前記第2の周辺回路は必要に応じて電源が遮断されるように構成されたことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1記載の半導体集積回路において、
前記第1のSRAMセルアレイは1メモリセル当たりのビット線の長さが1メモリセル当たりのワード線より短くなる横型メモリセルを、前記第2のSRAMセルアレイは1メモリセル当たりのビット線の長さが1メモリセル当たりのワード線より長くなる縦型メモリセルをそれぞれ有することを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1記載の半導体集積回路において、
前記第1の周波数より低い第3の周波数で動作しかつ必要に応じて電源が遮断される第3のSRAMと、該第3のSRAMにアクセスする第3の論理回路とを更に備え、
前記第3のSRAMは、前記第2のSRAMセルアレイより大きい記憶容量を持つ第3のSRAMセルアレイと、該第3のSRAMセルアレイへのアクセスを仲介する第3の周辺回路とを含み、
NチャネルMOSトランジスタとPチャネルMOSトランジスタとのうちの少なくとも一方について、前記第3のSRAMセルアレイのMOSトランジスタが前記第1のSRAMセルアレイのMOSトランジスタより高い閾値電圧を持つように、前記第3のSRAMセルアレイを構成するMOSトランジスタの平均チャネル幅は、前記第1、第2及び第3の周辺回路並びに前記第1、第2及び第3の論理回路の各々を構成するMOSトランジスタの平均チャネル幅の半分以下に設定され、かつ前記第3のSRAMセルアレイのMOSトランジスタのチャネル不純物濃度は、前記第1のSRAMセルアレイ、前記第1の周辺回路及び前記第1の論理回路の各々のMOSトランジスタのチャネル不純物濃度より高く設定されたことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項7記載の半導体集積回路において、
前記第3のSRAMセルアレイ中のドライブトランジスタ及び負荷トランジスタのみのチャネル不純物濃度が選択的に高く設定されたことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項7記載の半導体集積回路において、
NチャネルMOSトランジスタとPチャネルMOSトランジスタとのうちの少なくとも一方について、前記第3の周辺回路のMOSトランジスタが前記第1の周辺回路のMOSトランジスタより高い閾値電圧を持つように、前記第3の周辺回路のMOSトランジスタのチャネル不純物濃度は、前記第1のSRAMセルアレイ、前記第1の周辺回路及び前記第1の論理回路の各々のMOSトランジスタのチャネル不純物濃度より高く設定されたことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項7記載の半導体集積回路において、
NチャネルMOSトランジスタとPチャネルMOSトランジスタとのうちの少なくとも一方について、前記第3の論理回路のMOSトランジスタが前記第1の論理回路のMOSトランジスタより高い閾値電圧を持つように、前記第3の論理回路のMOSトランジスタのチャネル不純物濃度は、前記第1のSRAMセルアレイ、前記第1の周辺回路及び前記第1の論理回路の各々のMOSトランジスタのチャネル不純物濃度より高く設定されたことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項7記載の半導体集積回路において、
前記第1のSRAMセルアレイは1メモリセル当たりのビット線の長さが1メモリセル当たりのワード線より短くなる横型メモリセルを、前記第2及び第3のSRAMセルアレイは1メモリセル当たりのビット線の長さが1メモリセル当たりのワード線より長くなる縦型メモリセルをそれぞれ有することを特徴とする半導体集積回路。 - 第1の周波数で動作しかつ必要に応じて電源が遮断される第1のSRAM(スタティックランダムアクセスメモリ)と、該第1のSRAMにアクセスする第1の論理回路と、前記第1の周波数より低い第2の周波数で動作しかつ前記第1のSRAMの電源が遮断されているときにも電源供給がなされる第2のSRAMと、該第2のSRAMにアクセスする第2の論理回路とを備えたCMOS構成の半導体集積回路であって、
前記第1のSRAMは、第1のSRAMセルアレイと、該第1のSRAMセルアレイへのアクセスを仲介する第1の周辺回路とを含み、
前記第2のSRAMは、第2のSRAMセルアレイと、該第2のSRAMセルアレイへのアクセスを仲介する第2の周辺回路とを含み、
NチャネルMOSトランジスタとPチャネルMOSトランジスタとのうちの少なくとも一方について、前記第1のSRAMセルアレイのMOSトランジスタが前記第2のSRAMセルアレイのMOSトランジスタより低い閾値電圧を持つように、前記第1及び第2のSRAMセルアレイの各々を構成するMOSトランジスタの平均チャネル幅は、前記第1及び第2の周辺回路並びに前記第1及び第2の論理回路の各々を構成するMOSトランジスタの平均チャネル幅の半分以下に設定され、かつ前記第2のSRAMセルアレイのMOSトランジスタは、前記第1のSRAMセルアレイ、前記第1の周辺回路及び前記第1の論理回路の各々のMOSトランジスタのゲート酸化膜厚と異なったゲート酸化膜厚を持つMOSトランジスタを含むことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項12記載の半導体集積回路において、
前記第2のSRAMセルアレイ中のドライブトランジスタ及び負荷トランジスタのみのゲート酸化膜厚が選択的に厚く設定されたことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項12記載の半導体集積回路において、
NチャネルMOSトランジスタとPチャネルMOSトランジスタとのうちの少なくとも一方について、前記第2の周辺回路のMOSトランジスタが前記第1の周辺回路のMOSトランジスタより高い閾値電圧を持つように、前記第2の周辺回路のMOSトランジスタのゲート酸化膜は、前記第1のSRAMセルアレイ、前記第1の周辺回路及び前記第1の論理回路の各々のMOSトランジスタのゲート酸化膜より厚い膜厚を持つことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項12記載の半導体集積回路において、
NチャネルMOSトランジスタとPチャネルMOSトランジスタとのうちの少なくとも一方について、前記第2の論理回路のMOSトランジスタが前記第1の論理回路のMOSトランジスタより高い閾値電圧を持つように、前記第2の論理回路のMOSトランジスタのゲート酸化膜は、前記第1のSRAMセルアレイ、前記第1の周辺回路及び前記第1の論理回路の各々のMOSトランジスタのゲート酸化膜より厚い膜厚を持つことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項12記載の半導体集積回路において、
前記第2のSRAMセルアレイ及び前記第2の論理回路には常に電源供給がなされる一方、前記第2の周辺回路は必要に応じて電源が遮断されるように構成されたことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項12記載の半導体集積回路において、
前記第1のSRAMセルアレイは1メモリセル当たりのビット線の長さが1メモリセル当たりのワード線より短くなる横型メモリセルを、前記第2のSRAMセルアレイは1メモリセル当たりのビット線の長さが1メモリセル当たりのワード線より長くなる縦型メモリセルをそれぞれ有することを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項12記載の半導体集積回路において、
前記第1の周波数より低い第3の周波数で動作しかつ必要に応じて電源が遮断される第3のSRAMと、該第3のSRAMにアクセスする第3の論理回路とを更に備え、
前記第3のSRAMは、前記第2のSRAMセルアレイより大きい記憶容量を持つ第3のSRAMセルアレイと、該第3のSRAMセルアレイへのアクセスを仲介する第3の周辺回路とを含み、
NチャネルMOSトランジスタとPチャネルMOSトランジスタとのうちの少なくとも一方について、前記第3のSRAMセルアレイのMOSトランジスタが前記第1のSRAMセルアレイのMOSトランジスタより高い閾値電圧を持つように、前記第3のSRAMセルアレイを構成するMOSトランジスタの平均チャネル幅は、前記第1、第2及び第3の周辺回路並びに前記第1、第2及び第3の論理回路の各々を構成するMOSトランジスタの平均チャネル幅の半分以下に設定され、かつ前記第3のSRAMセルアレイのMOSトランジスタのゲート酸化膜は、前記第1のSRAMセルアレイ、前記第1の周辺回路及び前記第1の論理回路の各々のMOSトランジスタのゲート酸化膜より厚い膜厚を持つことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項18記載の半導体集積回路において、
前記第3のSRAMセルアレイ中のドライブトランジスタ及び負荷トランジスタのみのゲート酸化膜厚が選択的に厚く設定されたことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項18記載の半導体集積回路において、
NチャネルMOSトランジスタとPチャネルMOSトランジスタとのうちの少なくとも一方について、前記第3の周辺回路のMOSトランジスタが前記第1の周辺回路のMOSトランジスタより高い閾値電圧を持つように、前記第3の周辺回路のMOSトランジスタのゲート酸化膜は、前記第1のSRAMセルアレイ、前記第1の周辺回路及び前記第1の論理回路の各々のMOSトランジスタのゲート酸化膜より厚い膜厚を持つことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項18記載の半導体集積回路において、
NチャネルMOSトランジスタとPチャネルMOSトランジスタとのうちの少なくとも一方について、前記第3の論理回路のMOSトランジスタが前記第1の論理回路のMOSトランジスタより高い閾値電圧を持つように、前記第3の論理回路のMOSトランジスタのゲート酸化膜は、前記第1のSRAMセルアレイ、前記第1の周辺回路及び前記第1の論理回路の各々のMOSトランジスタのゲート酸化膜より厚い膜厚を持つことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項18記載の半導体集積回路において、
前記第1のSRAMセルアレイは1メモリセル当たりのビット線の長さが1メモリセル当たりのワード線より短くなる横型メモリセルを、前記第2及び第3のSRAMセルアレイは1メモリセル当たりのビット線の長さが1メモリセル当たりのワード線より長くなる縦型メモリセルをそれぞれ有することを特徴とする半導体集積回路。 - 第1の周波数で動作しかつ必要に応じて電源が遮断される第1のSRAM(スタティックランダムアクセスメモリ)と、該第1のSRAMにアクセスする第1の論理回路と、前記第1の周波数より低い第2の周波数で動作しかつ前記第1のSRAMの電源が遮断されているときにも電源供給がなされる第2のSRAMと、該第2のSRAMにアクセスする第2の論理回路とを備え、前記第1のSRAMは第1のSRAMセルアレイと該第1のSRAMセルアレイへのアクセスを仲介する第1の周辺回路とを含み、前記第2のSRAMは第2のSRAMセルアレイと該第2のSRAMセルアレイへのアクセスを仲介する第2の周辺回路とを含むCMOS構成の半導体集積回路の製造方法であって、
NチャネルMOSトランジスタとPチャネルMOSトランジスタとのうちの少なくとも一方について、前記第1のSRAMセルアレイのMOSトランジスタが前記第2のSRAMセルアレイのMOSトランジスタより低い閾値電圧を持つように、
前記第1及び第2のSRAMセルアレイの各々を構成するMOSトランジスタの平均チャネル幅を、前記第1及び第2の周辺回路並びに前記第1及び第2の論理回路の各々を構成するMOSトランジスタの平均チャネル幅の半分以下に設定する工程と、
前記第1及び第2のSRAMセルアレイ、前記第1の周辺回路並びに前記第1の論理回路の各々のMOSトランジスタのチャネル不純物濃度が均一になるようにイオン注入を行う工程と、
前記第2のSRAMセルアレイのMOSトランジスタのチャネル不純物濃度が前記第1のSRAMセルアレイ、前記第1の周辺回路及び前記第1の論理回路の各々のMOSトランジスタのチャネル不純物濃度より高くなるように、前記第2のSRAMセルアレイのMOSトランジスタのチャネル領域に追加イオン注入を行う工程とを備えたことを特徴とする半導体集積回路の製造方法。 - 第1の周波数で動作しかつ必要に応じて電源が遮断される第1のSRAM(スタティックランダムアクセスメモリ)と、該第1のSRAMにアクセスする第1の論理回路と、前記第1の周波数より低い第2の周波数で動作しかつ前記第1のSRAMの電源が遮断されているときにも電源供給がなされる第2のSRAMと、該第2のSRAMにアクセスする第2の論理回路とを備え、前記第1のSRAMは第1のSRAMセルアレイと該第1のSRAMセルアレイへのアクセスを仲介する第1の周辺回路とを含み、前記第2のSRAMは第2のSRAMセルアレイと該第2のSRAMセルアレイへのアクセスを仲介する第2の周辺回路とを含むCMOS構成の半導体集積回路の製造方法であって、
NチャネルMOSトランジスタとPチャネルMOSトランジスタとのうちの少なくとも一方について、前記第1のSRAMセルアレイのMOSトランジスタが前記第2のSRAMセルアレイのMOSトランジスタより低い閾値電圧を持つように、
前記第1及び第2のSRAMセルアレイの各々を構成するMOSトランジスタの平均チャネル幅を、前記第1及び第2の周辺回路並びに前記第1及び第2の論理回路の各々を構成するMOSトランジスタの平均チャネル幅の半分以下に設定する工程と、
前記第1及び第2のSRAMセルアレイ、前記第1の周辺回路並びに前記第1の論理回路の各々のMOSトランジスタのゲート酸化膜厚が均一になるように膜形成を行う工程と、
前記第2のSRAMセルアレイのMOSトランジスタのゲート酸化膜が前記第1のSRAMセルアレイ、前記第1の周辺回路及び前記第1の論理回路の各々のMOSトランジスタのゲート酸化膜より厚い膜厚を持つように膜厚調整を行う工程とを備えたことを特徴とする半導体集積回路の製造方法。
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