JP4312704B2 - Light emitting device - Google Patents

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本発明は、有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸送媒体及び発光媒体を含む発光素子を備えた発光装置に係り、特に、電界効果型トランジスタにより発光素子の印加電圧を制御するアクティブマトリクス駆動方式の発光装置に関する。   The present invention relates to a light-emitting device including a charge injecting and transporting medium including an organic compound or an inorganic compound and a light-emitting element including a light-emitting medium. The present invention relates to a light emitting device.

有機エレクトロルミネセンス媒体などの発光体を含む発光素子は、一対の電極間に有機アミン系のホール輸送層、電子導電性を示すと共に発光性を示すＡｌｑ3などの有機化合物を含む層を積層し、６〜８Vの直流電圧の印加により数１００cd/cm2の輝度が得られることから、表示媒体などに適用可能な性能を有している。 A light-emitting element including a light emitter such as an organic electroluminescent medium is formed by stacking an organic amine-based hole transport layer between a pair of electrodes, a layer containing an organic compound such as Alq3 that exhibits electronic conductivity and also emits light, Since a luminance of several hundred cd / cm 2 can be obtained by applying a DC voltage of 6 to 8 V, it has a performance applicable to a display medium or the like.

発光素子を形成する目的で多くの場合用いられる有機化合物は、大別して低分子系有機化合物と高分子系有機化合物の両者がある。低分子系有機化合物の一例は、正孔注入層として銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、芳香族アミン系材料であるα−ＮＰＤ（4,4'-ビス-[N-(ナフチル)-N-フェニル-アミノ]ビフェニル）、ＭＴＤＡＴＡ（4,4',4"-トリス(N-3-メチルフェニル-N-フェニル-アミノ)トリフェニルアミン）などが知られ、発光層としてトリス−８−キノリノラトアルミニウム錯体（Ａｌｑ3）などがある。高分子有機化合物材料では、ポリアニリンやポリチオフェン誘導体（ＰＥＤＯＴ）などがある。 Organic compounds often used for the purpose of forming a light-emitting element are roughly classified into low molecular organic compounds and high molecular organic compounds. An example of a low molecular weight organic compound is copper phthalocyanine (CuPc) as a hole injection layer and α-NPD (4,4'-bis- [N- (naphthyl) -N-phenyl-amino) which is an aromatic amine material. ] Biphenyl), MTDATA (4,4 ', 4 "-tris (N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino) triphenylamine) and the like, and tris-8-quinolinolato aluminum complex as the light emitting layer (Alq 3 ), etc. Examples of the polymer organic compound material include polyaniline and polythiophene derivative (PEDOT).

材料の多様性という観点から蒸着法で作製される低分子系有機化合物は、高分子系有機系材料と比較して格段の多様性があるとされている。また、このような有機化合物材料と無機化合物材料を組み合わせて発光素子を形成する場合もある。例えば、特開２００１−２３００８２号公報には無機電子注入輸送層又は無機正孔注入輸送層を適用し、高発光効率で長寿命化を図る技術が開示されている。いずれにしても、発光素子の構造には様々な種類があることが知られている。   From the viewpoint of material diversity, low molecular weight organic compounds produced by vapor deposition are said to have a great variety compared to high molecular weight organic materials. In some cases, a light-emitting element is formed by combining such an organic compound material and an inorganic compound material. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-230082 discloses a technique for applying an inorganic electron injecting and transporting layer or an inorganic hole injecting and transporting layer to increase the lifetime with high luminous efficiency. In any case, it is known that there are various types of structures of light emitting elements.

このような発光素子を電界効果型トランジスタで制御するアクティブマトリクス駆動方式の表示装置の一例は、特開平８−２３４６８３号公報に開示されている。同公報には、多結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の上層に二酸化シリコンから成る絶縁膜を介して有機エレクトロルミネセンス層が形成された構成が開示されている。また、陽極上にテーパー形状に加工された端部を有するパッシベーション層は、有機エレクトロルミネセンス層の下層側に位置している。また、陰極は仕事関数が４eVより低い材料が選択され、Ａｇ又はＡｌのような金属とＭｇとを合金化したものが適用される。   An example of an active matrix driving display device in which such a light emitting element is controlled by a field effect transistor is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-234683. This publication discloses a configuration in which an organic electroluminescence layer is formed on an upper layer of a thin film transistor (TFT) using polycrystalline silicon via an insulating film made of silicon dioxide. Further, the passivation layer having an end processed into a tapered shape on the anode is located on the lower layer side of the organic electroluminescence layer. For the cathode, a material having a work function lower than 4 eV is selected, and an alloy of a metal such as Ag or Al and Mg is used.

また、特開２００１−１４７６５９号公報には、各画素にＴＦＴでカレントミラー回路を形成し、ＴＦＴの特性ばらつきの影響を防ぐことが可能な電流駆動型の表示装置の一例が開示されている。   Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-147659 discloses an example of a current-driven display device in which a current mirror circuit is formed in each pixel by a TFT and the influence of variation in TFT characteristics can be prevented.

しかしながら、このような従来の発光素子は、作製直後において十分な輝度が得られていても、経時変化により発光輝度が低下してしまうことが問題となっている。つまり、発光の積算時間の増加と共に輝度が低下し、その半減値に達する時間（半減寿命）が短いので安定性が悪く、とても実用に耐えうるものではなかった。   However, such a conventional light-emitting element has a problem that even if sufficient luminance is obtained immediately after fabrication, the luminance is lowered due to a change with time. In other words, the luminance decreased with the increase of the accumulated light emission time, and since the time to reach the half value (half life) was short, the stability was poor and it was not very practical.

発光素子の劣化の要因としては、有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸送媒体及び発光媒体の化学的な変化、駆動時の発熱によるその構造変化、マクロな欠陥に由来し通電よる絶縁破壊、電極又は電極界面の劣化、有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸送媒体及び発光媒体の非晶質構造に基づく構造不安定性、素子構造に起因する応力又は歪みによる不可逆的な破壊などの要因がある。   Factors that cause deterioration of light-emitting elements include chemical changes in charge injecting and transporting media and organic light-emitting media containing organic or inorganic compounds, structural changes due to heat generation during driving, dielectric breakdown due to energization due to macro defects, electrodes Alternatively, there are factors such as deterioration of the electrode interface, structural instability based on the amorphous structure of the charge injecting and transporting medium containing the organic compound or inorganic compound and the light emitting medium, and irreversible destruction due to stress or strain due to the element structure.

画素に現れる非発光点（ダークスポットとも呼ばれる）などの不良は、発光素子の封止方法の向上により改善可能なことが判明している。これに対し発光輝度の低下は用いる材料自体の問題であり、電流が流れることによる直接的な原因の他に、発熱による構造変化を主な要因として考えることが出来る。発熱は発光素子に流れる電流がジュール熱として必然的に発生する。これは発光素子に電流を流すことによる発熱のみでなく、画素の能動素子の発熱も加わる。特に一定電流を各画素の能動素子が供給する電流駆動型の発光装置では、この発熱が顕著な問題となる。   It has been found that defects such as non-light emitting points (also called dark spots) appearing in the pixel can be improved by improving the sealing method of the light emitting element. On the other hand, a decrease in emission luminance is a problem of the material itself, and it can be considered as a main factor in the structural change due to heat generation in addition to the direct cause due to current flow. Heat generation inevitably occurs as current flowing through the light emitting element as Joule heat. This not only generates heat due to current flowing through the light emitting element, but also adds heat generated by the active element of the pixel. In particular, in a current-driven light-emitting device in which a constant current is supplied by an active element of each pixel, this heat generation becomes a significant problem.

いずれにしても、発光素子を発光させることにより生じる輝度の不可逆的な低下は、それを用いた発光装置を実用化する上で解決しなければならない問題である。これには、有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸送媒体及び発光媒体自体の素材の改良も必要であるが、それのみでなく素子構造や発光装置の構成又は駆動方式の改良により解決することも対策として必要である。   In any case, the irreversible decrease in luminance caused by causing the light emitting element to emit light is a problem that must be solved in order to put a light emitting device using the light emitting device into practical use. For this purpose, it is necessary to improve the material of the charge injection transport medium containing the organic compound or the inorganic compound and the light emitting medium itself, but not only that but also the problem can be solved by improving the element structure, the structure of the light emitting device or the driving system. It is necessary as a countermeasure.

本発明は、このような問題点を鑑み成されたものであり、実用的な輝度と安定性を兼ね備えた発光素子又は発光装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a light-emitting element or a light-emitting device having both practical luminance and stability.

本発明は上記問題点を解決するために、一対の電極間に有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸送媒体及び発光媒体が形成された発光素子を有し、当該発光素子に電圧を印加する制御手段である能動素子との間に抵抗体を介在させ、それを介して電圧を印加する発光装置であり、当該抵抗体が一定の抵抗値を保持することにより発光素子が経時変化して内部抵抗値が増加しても、定電圧駆動時においてその影響を低減するものである。抵抗体は一対の電極間に発光体となる有機化合物を含む発光素子の少なくとも一方の電極の有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸送媒体及び発光媒体が配置されない反対側の面に形成されるものである。   In order to solve the above problems, the present invention has a light-emitting element in which a charge injecting and transporting medium containing an organic compound or an inorganic compound and a light-emitting medium are formed between a pair of electrodes, and control for applying a voltage to the light-emitting element This is a light emitting device in which a resistor is interposed between active elements as means and voltage is applied via the resistor. When the resistor maintains a certain resistance value, the light emitting element changes over time, and the internal resistance Even if the value increases, the influence is reduced at the time of constant voltage driving. A resistor is formed on the opposite surface where a light-injecting and transporting medium containing an organic compound or an inorganic compound and a light-emitting medium are not disposed on at least one electrode of a light-emitting element containing an organic compound serving as a light emitter between a pair of electrodes. It is.

また、他の構成として、一対の電極間に有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸送媒体及び発光媒体が形成された発光素子を有し、当該一対の電極の少なくとも一方の電極の当該有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸送媒体及び発光媒体が形成されない反対側の面に抵抗体が設けられ、一定電位を付与する共通電極に接続し発光素子の一方の電極は、当該発光素子に電圧を印加する制御手段である能動素子に接続された発光装置であり、当該抵抗体が一定の抵抗値を保持することにより発光素子が経時変化して内部抵抗値が増加しても、定電圧駆動時においてその影響を低減するものである。   Further, as another configuration, a light-emitting element in which a charge injecting and transporting medium containing an organic compound or an inorganic compound and a light-emitting medium are formed between a pair of electrodes, and the organic compound or at least one electrode of the pair of electrodes A resistor is provided on the opposite surface on which the charge injecting and transporting medium containing the inorganic compound and the light emitting medium are not formed, and one electrode of the light emitting element applies a voltage to the light emitting element connected to a common electrode that applies a constant potential. The light emitting device is connected to an active element that is a control means, and even if the resistance keeps a certain resistance value, the light emitting element changes over time and the internal resistance value increases. The effect is reduced.

上記発明の構成において、発光素子に電圧を印加する制御手段に含まれる能動素子としては、電界効果型トランジスタ、絶縁ゲート型トランジスタ、又は薄膜トランジスタであり、シングルドレイン、低濃度ドレイン、シングルゲート、マルチゲート、トップゲート型、ボトムゲート（逆スタガ）型などその構造に特に限定されるものはない。これらの能動素子は絶縁表面上の半導体層を用いて形成されるものであっても良いし、単結晶又は多結晶半導体基板に作り込まれたものであっても良い。   In the structure of the present invention, the active element included in the control means for applying a voltage to the light emitting element is a field effect transistor, an insulated gate transistor, or a thin film transistor, and includes a single drain, a low concentration drain, a single gate, and a multi gate. There is no particular limitation on the structure such as a top gate type and a bottom gate (reverse stagger) type. These active elements may be formed using a semiconductor layer on an insulating surface, or may be fabricated on a single crystal or polycrystalline semiconductor substrate.

抵抗体は、能動素子とそれに接続する発光素子の一方の電極との間、又は発光素子の他方の電極と共通電位線との間に形成すれば良い。抵抗体を形成する材料としては、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅから選ばれた非晶質、微結晶又は多結晶体の被膜、ＳｉＣ、ＳｉＧｅの非晶質、微結晶又は多結晶体の被膜、又はそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物が適用される。抵抗率を制御するためには、これにＰ、Ｂなどを適宜ドーピングしても良い。適用される他の材料として、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ａｌ、Ｗ、Ｉｎ、Ｚｎから選ばれた非晶質、微結晶又は多結晶体の被膜又はそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物が適用される。   The resistor may be formed between the active element and one electrode of the light emitting element connected thereto or between the other electrode of the light emitting element and the common potential line. The material for forming the resistor is an amorphous, microcrystalline, or polycrystalline film selected from C, Si, or Ge, an amorphous, microcrystalline, or polycrystalline film of SiC, SiGe, or these These oxides, nitrides, and oxynitrides are applied. In order to control the resistivity, P, B or the like may be doped as appropriate. Other materials that can be applied include amorphous, microcrystalline, or polycrystalline coatings selected from Ti, Mo, Ta, Al, W, In, and Zn, or oxides, nitrides, and oxynitrides thereof. Applied.

また、単に抵抗体の被膜を用いるのみでなく、２端子非線形素子を介在させても良い。端的な一例はダイオードであり、Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣを適宜用いて形成されたｐｉｎダイオード、ｐｎダイオード、ｐｉダイオード、ｉｎダイオード、ｎｉｎダイオード、ｐｉｐダイオードなどを適用することできる。   Further, not only a resistor film but also a two-terminal nonlinear element may be interposed. A simple example is a diode, and a pin diode, a pn diode, a pi diode, an in diode, a nin diode, a pip diode, or the like formed using Si, SiGe, or SiC as appropriate can be applied.

発光素子における有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸送媒体及び発光媒体は、低分子系有機化合物、中分子系有機化合物、高分子系有機化合物から選ばれた一種又は複数種の層を含み、電子注入輸送性又は正孔注入輸送性の無機化合物と組み合わせても良い。発光体は、フェニルアントラセン誘導体、テトラアリールジアミン誘導体、キノリノール錯体誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体などが適用可能であり、これをホスト物質として、クマリン誘導体、ＤＣＭ、キナクリドン、ルブレンなどをドーパントとして添加しても良い。高分子系有機化合物としては、ポリパラフェニレンビニレン系、ポリパラフェニレン系、ポリチオフェン系、ポリフルオレン系などがあり、ポリ（パラフェニレンビニレン）(poly(p-phenylene vinylene))：（ＰＰＶ）、ポリ（２，５−ジアルコキシ−１，４−フェニレンビニレン）(poly(2,5-dialkoxy-1,4-phenylene vinylene))：（ＲＯ−ＰＰＶ）、ポリ（２−（２'−エチル−ヘキソキシ）−５−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン）(poly[2-(2'-ethylhexoxy)-5-methoxy-1,4-phenylene vinylene])：（ＭＥＨ−ＰＰＶ）、ポリ（２−（ジアルコキシフェニル）−１,４−フェニレンビニレン）(poly[2-(dialkoxyphenyl)-1,4-phenylene vinylene])：（ＲＯＰｈ−ＰＰＶ）、ポリパラフェニレン（poly[p-phenylene]）：（ＰＰＰ）、ポリ（２，５−ジアルコキシ−１，４−フェニレン）(poly(2,5-dialkoxy-1,4-phenylene))：（ＲＯ−ＰＰＰ）、ポリ（２，５−ジヘキソキシ−１，４−フェニレン）(poly(2,5-dihexoxy-1,4-phenylene))、ポリチオフェン（polythiophene）：（ＰＴ）、ポリ（３−アルキルチオフェン）(poly(3-alkylthiophene))：（ＰＡＴ）、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）(poly(3-hexylthiophene))：（ＰＨＴ）、ポリ（３−シクロヘキシルチオフェン）(poly(3-cyclohexylthiophene))：（ＰＣＨＴ）、ポリ（３−シクロヘキシル−４−メチルチオフェン）(poly(3-cyclohexyl-4-methylthiophene))：（ＰＣＨＭＴ）、ポリ（３，４−ジシクロヘキシルチオフェン）(poly(3,4-dicyclohexylthiophene))：（ＰＤＣＨＴ）、ポリ［３−（４−オクチルフェニル）−チオフェン］(poly[3-(4octylphenyl)-thiophene])：（ＰＯＰＴ）、ポリ［３−（４−オクチルフェニル）−２，２ビチオフェン］(poly[3-(4-octylphenyl)-2,2-bithiophene])：（ＰＴＯＰＴ）、ポリフルオレン（polyfluorene）：（ＰＦ）、ポリ（９，９−ジアルキルフルオレン）(poly(9,9-dialkylfluorene)：（ＰＤＡＦ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン）(poly(9,9-dioctylfluorene)：（ＰＤＯＦ）などが挙げられる。無機化合物材料としては、ダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）、Ｓｉ、Ｇｅ、及びこれらの酸化物又は窒化物であり、Ｐ、Ｂ、Ｎなどが適宜ドーピングされていても良い。またアルカリ金属又はアルカリ土類金属の、酸化物、窒化物又はフッ化物や、当該金属と少なくともＺｎ、Ｓｎ、Ｖ、Ｒｕ、Ｓｍ、Ｉｎの化合物又は合金であっても良い。   The charge injecting and transporting medium and the light emitting medium containing an organic compound or an inorganic compound in the light emitting element include one or a plurality of layers selected from a low molecular weight organic compound, a medium molecular weight organic compound, and a high molecular weight organic compound. You may combine with the injection | pouring transport property or a hole injection transport property inorganic compound. The phosphor can be a phenylanthracene derivative, a tetraaryldiamine derivative, a quinolinol complex derivative, a distyrylbenzene derivative, or the like. good. High molecular organic compounds include polyparaphenylene vinylene, polyparaphenylene, polythiophene, polyfluorene, and the like. Poly (p-phenylene vinylene): (PPV), poly (2,5-dialkoxy-1,4-phenylene vinylene) (RO-PPV), poly (2- (2′-ethyl-hexoxy) ) -5-methoxy-1,4-phenylene vinylene (poly [2- (2'-ethylhexoxy) -5-methoxy-1,4-phenylene vinylene]): (MEH-PPV), poly (2- (di (Alkoxyphenyl) -1,4-phenylene vinylene) (poly [2- (dialkoxyphenyl) -1,4-phenylene vinylene]): (ROPh-PPV), polyparaphenylene (poly [p-phenylene]): (PPP) , Poly (2,5-dialkoxy-1,4-phenylene) (poly (2,5-dialkoxy-1,4-ph enylene)): (RO-PPP), poly (2,5-dihexoxy-1,4-phenylene) (poly (2,5-dihexoxy-1,4-phenylene)), polythiophene: (PT), Poly (3-alkylthiophene): (PAT), poly (3-hexylthiophene): (PHT), poly (3-cyclohexylthiophene) (poly ( 3-cyclohexylthiophene)): (PCHT), poly (3-cyclohexyl-4-methylthiophene): (PCHMT), poly (3,4-dicyclohexylthiophene) (poly ( 3,4-dicyclohexylthiophene)): (PDCHT), poly [3- (4-octylphenyl) -thiophene]: (POPT), poly [3- (4-octyl) Phenyl) -2,2-bithiophene] (poly [3- (4-octylphenyl) -2,2-bithi ophene]): (PTOPT), polyfluorene: (PF), poly (9,9-dialkylfluorene) (poly (9,9-dialkylfluorene): (PDAF), poly (9,9-dioctylfluorene) (poly (9,9-dioctylfluorene): (PDOF)) and the like. As the inorganic compound material, diamond-like carbon (DLC), Si, Ge, and oxides or nitrides thereof may be appropriately doped with P, B, N, and the like. Alternatively, an oxide, nitride, or fluoride of an alkali metal or an alkaline earth metal, or a compound or alloy of the metal and at least Zn, Sn, V, Ru, Sm, or In may be used.

以上に掲げる材料は一例であり、これらを用いて正孔注入輸送層、正孔輸送層、電子注入輸送層、電子輸送層、発光層、電子ブロック層、正孔ブロック層などの機能性の各層を適宜積層することで発光素子を形成することができる。また、これらの各層を合わせた混合層又は混合接合を形成しても良い。   The materials listed above are examples, and functional layers such as a hole injecting and transporting layer, a hole transporting layer, an electron injecting and transporting layer, an electron transporting layer, a light emitting layer, an electron blocking layer, and a hole blocking layer using these materials. A light-emitting element can be formed by appropriately stacking layers. Moreover, you may form the mixed layer or mixed junction which combined these each layer.

本発明の発光装置は、発光素子、能動素子、抵抗体を含む画素を構成し、表示体として機能させることができる。   The light-emitting device of the present invention can form a pixel including a light-emitting element, an active element, and a resistor, and can function as a display body.

抵抗体の抵抗値は、非線形性を有する発光素子の電流電圧と特性を考慮すべきものであり、その最大定格電圧、即ち実用に供する最大発光輝度を基準とすると、その電流対電圧特性から求められる内部抵抗値に対し０．０５〜５０倍の範囲内とする。本発明において、抵抗体が必要とする抵抗値は、（（一画素に形成される発光素子の抵抗／一画素に形成される発光素子の面積）×０．０５）Ω以上、（（一画素に形成される発光素子の抵抗／一画素に形成される発光素子の面積）×５０）Ω以下で規定されるものである。   The resistance value of the resistor should take into account the current voltage and characteristics of the non-linear light-emitting element, and can be obtained from the current-voltage characteristics based on the maximum rated voltage, that is, the maximum light emission luminance for practical use. The range is 0.05 to 50 times the internal resistance value. In the present invention, the resistance value required by the resistor is ((resistance of light emitting element formed in one pixel / area of light emitting element formed in one pixel) × 0.05) Ω or more ((one pixel The resistance of the light-emitting element formed in (1) / the area of the light-emitting element formed in one pixel) × 50) Ω or less.

又は、非線形性を有する発光素子の電流電圧と特性を考慮すべきものであり、その最大定格電圧、即ち実用に供する最大発光輝度を基準とすると、その電流対電圧特性を考慮して、抵抗体の抵抗値は、（（一画素に印加する電界／一画素に流れる電流密度）×０．０５）Ω以上、（（一画素に印加する電界／一画素に流れる電流密度）×５０）Ω以下で規定されるものである。   Alternatively, the current voltage and characteristics of the non-linear light emitting element should be taken into consideration. When the maximum rated voltage, that is, the maximum light emission luminance for practical use is used as a reference, the current vs. voltage characteristics are taken into consideration, and The resistance value is ((electric field applied to one pixel / current density flowing through one pixel) × 0.05) Ω or more and ((electric field applied to one pixel / current density flowing through one pixel) × 50) Ω or less. It is specified.

このように規定される抵抗体の抵抗値は、下限値以下であれば抵抗体挿入の効果を十分得ることができなくなり、また上限値以上とすると駆動電圧が増大し、能動素子の駆動電圧が大きくなり負担となる。即ち、実用的な駆動電圧で発光装置を動作させることができなくなる。   If the resistance value of the resistor thus defined is less than or equal to the lower limit value, the effect of inserting the resistor cannot be sufficiently obtained, and if the resistance value exceeds the upper limit value, the drive voltage increases, and the drive voltage of the active element is reduced. It becomes large and burdensome. That is, the light emitting device cannot be operated with a practical driving voltage.

発熱による影響は、勿論、このように抵抗体を介在させることでさらに無視できないものとなる。しかしながらその影響は、発光素子の下層側、上層側、側壁側の少なくともいずれか一方の側に熱伝導性の高い絶縁材料を使うことで緩和される。熱伝導性の高い材料としては窒酸化アルミニウム（ＡｌＯxＮ1-x：ｘ＝０．０１〜２０原子％）、窒化アルミニウム、窒化シリコン、ＤＬＣが選択される。また、熱の放散させ発光素子の温度上昇を抑えるためには、発光素子をパルス点灯又は間欠点灯させることが望ましい。特に、表示体として機能させる場合には、時分割階調駆動方式を適用することが望ましい。 Of course, the influence of heat generation cannot be further ignored by interposing a resistor in this way. However, the influence is mitigated by using an insulating material having high thermal conductivity on at least one of the lower layer side, the upper layer side, and the side wall side of the light emitting element. Aluminum oxynitride (AlO x N 1-x : x = 0.01 to 20 atom%), aluminum nitride, silicon nitride, and DLC are selected as materials having high thermal conductivity. Further, in order to dissipate heat and suppress the temperature rise of the light emitting element, it is desirable that the light emitting element is pulsed or intermittently lit. In particular, when functioning as a display body, it is desirable to apply a time-division gradation driving method.

発光素子に一定電圧を印加した場合、時間と共に輝度が低下する現象があり、これは内部抵抗の増加を意味している。よってこの内部抵抗の変化を見かけ上緩和する手段として、能動素子と発光素子との間、又は発光素子と共通電位線の間に抵抗体を介在させることで実現する。さらに発光素子を熱伝導性の高い絶縁材料と接して形成することにより熱放散性を高め、発光素子の温度上昇を抑えることにより劣化を抑制させることができる。このような本発明の構成により、発光装置の安定性を向上させることができる。   When a constant voltage is applied to the light emitting element, there is a phenomenon that luminance decreases with time, which means an increase in internal resistance. Therefore, as a means of apparently mitigating the change in the internal resistance, it is realized by interposing a resistor between the active element and the light emitting element or between the light emitting element and the common potential line. Further, by forming the light-emitting element in contact with an insulating material having high thermal conductivity, heat dissipation can be improved, and deterioration can be suppressed by suppressing a temperature rise of the light-emitting element. With such a configuration of the present invention, the stability of the light emitting device can be improved.

以上、説明したように、発光素子とその発光を制御する能動素子との間、又は発光素子と一定電位を付与する共通電位線との間に抵抗体を直列に接続して設けることにより、発光素子の輝度の経時変化を低減することができる。即ち、本発明の構成により、発光装置の安定性を向上させることができる。抵抗体は、薄膜状として能動素子と発光素子を接続する配線上、或いは、発光素子の電極の一方の面に形成することにより開口率を損なうことなく、各画素に作り込むことができる。このような効果は、定電圧駆動時において特に顕著に効果を奏でることができる。   As described above, by providing a resistor connected in series between a light emitting element and an active element that controls the light emission, or between a light emitting element and a common potential line that applies a constant potential, light emission is achieved. It is possible to reduce a change in luminance of the element over time. That is, the structure of the present invention can improve the stability of the light emitting device. The resistor can be formed in each pixel without impairing the aperture ratio by being formed as a thin film on a wiring connecting the active element and the light emitting element or on one surface of the electrode of the light emitting element. Such an effect can be remarkably exhibited particularly at the time of constant voltage driving.

以下、本発明の実施の態様について、図面を参照して詳細に説明する。本実施の形態に係る発光装置の代表的な一態様は、一対の電極間に有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸送媒体及び発光媒体を形成した発光素子と、抵抗体と、その発光素子に印加する電圧を制御する少なくとも一つの能動素子が備えられた画素をマトリクス状に配設して画像表示部を形成したものである。当該発光装置は図１（Ａ）に斜視図で示され、図１（Ｂ）はＡ−Ａ'線の縦断面図、図１（Ｃ）はＢ−Ｂ'線の縦断面図を示している。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. One typical embodiment of the light-emitting device according to this embodiment is a light-emitting element in which a charge injecting and transporting medium containing an organic compound or an inorganic compound and a light-emitting medium are formed between a pair of electrodes, a resistor, and the light-emitting element. An image display unit is formed by arranging pixels provided with at least one active element for controlling an applied voltage in a matrix. 1A is a perspective view, FIG. 1B is a longitudinal sectional view taken along line AA ′, and FIG. 1C is a longitudinal sectional view taken along line BB ′. Yes.

これらの図に示されるように、発光装置は画像表示領域１２、走査線駆動回路１３、データ線駆動回路１４、入出力端子１５などが備えられた素子基板１０と、カラーフィルター１８が備えられた対向基板１１がシール材１９により固着された構成となっている。   As shown in these drawings, the light emitting device includes an element substrate 10 provided with an image display region 12, a scanning line driving circuit 13, a data line driving circuit 14, an input / output terminal 15 and the like, and a color filter 18. The counter substrate 11 is fixed by a sealing material 19.

素子基板１０にはガラスや石英、プラスチック、若しくは半導体や金属基板などが用いられる。対向基板１１も同様であるが、少なくとも一方は発光素子の発光を視認できるように透光性の基板を適用する。また、シール材１９は対向基板１１の周辺部に沿って形成されるが、素子基板との位置関係においては、層間絶縁膜１６を介して走査線駆動回路１３やデータ線駆動回路１４と重畳して形成されている。層間絶縁膜１６はその形成表面を平坦に形成するものであるが、最表面及び側面部は窒酸化アルミニウム（ＡｌＯxＮ1-x：ｘ＝０．０１〜２０原子％）、窒化アルミニウム、窒化シリコン、ＤＬＣ、窒化シリコン又は酸窒化シリコンなどの無機絶縁体材料で形成する。 As the element substrate 10, glass, quartz, plastic, a semiconductor, a metal substrate, or the like is used. The same applies to the counter substrate 11, but at least one of the counter substrate 11 is a light-transmitting substrate so that light emission of the light-emitting element can be visually recognized. In addition, the sealing material 19 is formed along the peripheral portion of the counter substrate 11, but is superimposed on the scanning line driving circuit 13 and the data line driving circuit 14 via the interlayer insulating film 16 in the positional relationship with the element substrate. Is formed. The interlayer insulating film 16 has a flat formation surface, but the outermost surface and side surface portions are aluminum oxynitride (AlO x N 1-x : x = 0.01 to 20 atom%), aluminum nitride, nitride It is formed of an inorganic insulator material such as silicon, DLC, silicon nitride, or silicon oxynitride.

画像表示部１２は、走査線駆動回路１３やデータ線駆動回路１４から延在する走査線とデータ線によりマトリクスが形成され、各所の適宜配列したスイッチング素子群と、そのスイッチング素子群に電気的に接続する有機発光素子群１７とから画素マトリクスが形成されている。走査線駆動回路１３は画像表示領域１２の両側から駆動する構成となっているが、信号遅延が問題にならない場合には片側一方のみとしても良い。   The image display unit 12 has a matrix formed by scanning lines and data lines extending from the scanning line driving circuit 13 and the data line driving circuit 14, and appropriately arranged switching element groups at various places, and the switching element groups electrically A pixel matrix is formed from the organic light emitting element group 17 to be connected. The scanning line driving circuit 13 is configured to be driven from both sides of the image display area 12, but when signal delay does not become a problem, only one side may be provided.

多色表示を行うには発光素子群１７は個々の画素毎に発光色を変え、例えば、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の各色を行又は列毎に或いはデルタ配置様に配列させ画像表示部１２を形成する。又は、白色発光の発光素子を全面一様に形成し、画像表示部１２に対向するカラーフィルター１８を設け、各画素に対応して所定の着色層を配列させる。カラーフィルター１８は、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の各色を発光する発光素子と組み合わせてもその色純度を高める効果を持っている。   In order to perform multicolor display, the light emitting element group 17 changes the light emission color for each pixel. For example, each color of R (red), G (green), and B (blue) is arranged in rows or columns or in a delta arrangement. The image display unit 12 is formed. Alternatively, white light emitting elements are uniformly formed on the entire surface, a color filter 18 facing the image display unit 12 is provided, and a predetermined colored layer is arranged corresponding to each pixel. The color filter 18 has an effect of increasing its color purity even when combined with a light emitting element that emits each color of R (red), G (green), and B (blue).

素子基板１０の外周部分には、入力端子部１５が形成され、外部回路から各種信号が入力され、また電源と接続している。また、素子基板１０及び対向基板１１とシール材１９により囲まれた空間には不活性気体が充填され有機発光素子群１７の腐食を防いでいる。この空間には酸化バリウムなどの乾燥剤があっても良い。   An input terminal portion 15 is formed on the outer peripheral portion of the element substrate 10, and various signals are input from an external circuit and are connected to a power source. The space surrounded by the element substrate 10 and the counter substrate 11 and the sealing material 19 is filled with an inert gas to prevent the organic light emitting element group 17 from being corroded. This space may contain a desiccant such as barium oxide.

画素の基本的な構成要素となる発光素子、抵抗体、及び能動素子との相互の関係は図１１及び図１２で示されている。   The relationship between the light emitting element, the resistor, and the active element, which are basic components of the pixel, is shown in FIGS.

図１１（Ａ）において、発光素子３００は第１電極３０１と第２電極３０３との間に有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸送媒体及び発光媒体を含む層３０２が形成された積層型の構造を有し、第１の電極の有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸送媒体及び発光媒体を含む層３０２が形成されない面に固有抵抗ρを持つ抵抗体３０４が形成されている。抵抗体３０４の一方の側には能動素子３１０に接続する電極若しくは配線３０５が形成され、第１電極３０１と抵抗体３０４と電極若しくは配線３０５とが重畳する面積により、能動素子３１０と発光素子３００との間に直列に接続される抵抗体３０４の抵抗値が規定される。 In FIG. 11A, a light-emitting element 300 has a stacked structure in which a charge injection / transport medium containing an organic compound or an inorganic compound and a layer 302 containing a light-emitting medium are formed between a first electrode 301 and a second electrode 303. A resistor 304 having a specific resistance ρ is formed on the surface of the first electrode on which the charge injection / transport medium containing the organic compound or inorganic compound and the layer 302 containing the light emitting medium are not formed. An electrode or wiring 305 connected to the active element 310 is formed on one side of the resistor 304, and the active element 310 and the light-emitting element 300 are formed depending on an area where the first electrode 301, the resistor 304, and the electrode or wiring 305 overlap. A resistance value of the resistor 304 connected in series is defined.

抵抗体３０４はＣ、Ｓｉ、Ｇｅから選ばれた非晶質、微結晶、又は多結晶体の被膜、ＳｉＣ、ＳｉＧｅの非晶質、微結晶、又は多結晶体の被膜、又はそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物を適用することができる。さらに抵抗率を制御するためには、これにＰ、Ｂなどを適宜ドーピングしても良い。適用可能な他の材料としてはＴｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ａｌ、Ｗ、Ｉｎ、Ｚｎから選ばれた非晶質、微結晶、又は多結晶体の被膜又はそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物などがある。また、単に抵抗体の被膜を用いるのみでなく、２端子非線形素子を介在させても良い。端的な一例はダイオードであり、Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣを適宜用いて形成されたｐｉｎダイオード、ｐｎダイオード、ｐｉダイオード、ｉｎダイオード、ｎｉｎダイオード、ｐｉｐダイオードなどを適用することできる。   The resistor 304 is an amorphous, microcrystalline, or polycrystalline film selected from C, Si, and Ge, an amorphous, microcrystalline, or polycrystalline film of SiC, SiGe, or an oxide thereof. Nitride and oxynitride can be applied. Further, in order to control the resistivity, P, B, or the like may be doped as appropriate. Other applicable materials include amorphous, microcrystalline, or polycrystalline coatings selected from Ti, Mo, Ta, Al, W, In, and Zn, or oxides, nitrides, and oxynitrides thereof. and so on. Further, not only a resistor film but also a two-terminal nonlinear element may be interposed. A simple example is a diode, and a pin diode, a pn diode, a pi diode, an in diode, a nin diode, a pip diode, or the like formed using Si, SiGe, or SiC as appropriate can be applied.

抵抗体の抵抗率は上記の如く、その膜厚と積層体の重畳面積により自由に設定することが可能である。設定すべき値は非線形性を有する発光素子の電流電圧と特性が考慮されるものであり、その最大定格電圧、即ち実用に供する最大発光輝度を基準とすると、その電流電圧特性から求められる内部抵抗値に対し０．０５〜５０倍の範囲内とする。具体的には、抵抗体が必要とする抵抗値は、（（一画素に形成される発光素子の抵抗／一画素に形成される発光素子の面積）×０．０５）Ω以上、（（一画素に形成される発光素子の抵抗／一画素に形成される発光素子の面積）×５０）Ω以下となるようにする。   As described above, the resistivity of the resistor can be freely set by the film thickness and the overlapping area of the stacked body. The value to be set takes into account the current voltage and characteristics of the non-linear light emitting element, and the internal resistance obtained from the current voltage characteristics based on the maximum rated voltage, that is, the maximum light emission luminance for practical use. It shall be in the range of 0.05 to 50 times the value. Specifically, the resistance value required by the resistor is ((resistance of light emitting element formed in one pixel / area of light emitting element formed in one pixel) × 0.05) Ω or more ((one The resistance of the light emitting element formed in the pixel / the area of the light emitting element formed in one pixel) × 50) Ω or less.

又は、非線形性を有する発光素子の電流電圧と特性を考慮すべきものであり、その最大定格電圧、即ち実用に供する最大発光輝度を基準とすると、その電流対電圧特性を考慮して、抵抗体の抵抗値は、（（一画素に印加する電界／一画素に流れる電流密度）×０．０５）Ω以上、（（一画素に印加する電界／一画素に流れる電流密度）×５０）Ω以下となるようにする。   Alternatively, the current voltage and characteristics of the non-linear light emitting element should be taken into consideration. When the maximum rated voltage, that is, the maximum light emission luminance for practical use is used as a reference, the current vs. voltage characteristics are taken into consideration, and The resistance value is ((electric field applied to one pixel / current density flowing through one pixel) × 0.05) Ω or more and ((electric field applied to one pixel / current density flowing through one pixel) × 50) Ω or less. To be.

発光素子に一定電圧を印加した場合、時間と共に輝度が低下する現象があり、これは内部抵抗の増加を意味している。よってこの内部抵抗の変化を見かけ上緩和する手段として、能動素子と発光素子との間、又は発光素子と共通電位線の間に抵抗体を介在させることで輝度の安定性を向上させることができる。   When a constant voltage is applied to the light emitting element, there is a phenomenon that luminance decreases with time, which means an increase in internal resistance. Therefore, luminance stability can be improved by interposing a resistor between the active element and the light emitting element or between the light emitting element and the common potential line as a means of apparently mitigating the change in internal resistance. .

図１１（Ｂ）はその等価回路図を示している。発光素子３００はダイオードＤと発光素子を形成する薄膜の電気抵抗に起因すると考えられる直列抵抗Ｒｓと、容量Ｃと、洩れ電流が流れる場合の並列抵抗Ｒｓｈで表している。   FIG. 11B shows an equivalent circuit diagram thereof. The light emitting element 300 is represented by a series resistance Rs which is considered to be caused by the electric resistance of the thin film forming the diode D and the light emitting element, a capacitance C, and a parallel resistance Rsh when a leakage current flows.

図１２（Ａ）は第２電極３０３の側に抵抗体を設けた一例を示している。第２電極３０３は一定電位を付与する共通電極に接続している。抵抗体を第２電極側に接続しても同様な効果を得ることができる。図１２（Ｂ）はその等価回路図を示している。   FIG. 12A shows an example in which a resistor is provided on the second electrode 303 side. The second electrode 303 is connected to a common electrode that applies a constant potential. The same effect can be obtained even if the resistor is connected to the second electrode side. FIG. 12B shows an equivalent circuit diagram thereof.

図２はこのような画素構成を持って形成される発光装置の画像表示部の回路図の一例を示している。一つの画素２００にはＴＦＴ２０１、２０２、２０３と発光素子２０５、抵抗体２０４とが含まれている。ＴＦＴ２０１は走査信号線２０７の信号に基づきオン・オフ動作をするアドレス選択手段であり、ＴＦＴ２０３は発光素子２０５の発光を制御する駆動手段であり、ＴＦＴ２０２は消去信号線２０８の信号に基づきオン・オフ動作をし、ＴＦＴ２０３の導通を制御して発光及び非発光を強制的に行わせる制御手段である。   FIG. 2 shows an example of a circuit diagram of an image display portion of a light emitting device formed with such a pixel configuration. One pixel 200 includes TFTs 201, 202, and 203, a light emitting element 205, and a resistor 204. The TFT 201 is an address selection unit that performs an on / off operation based on the signal of the scanning signal line 207, the TFT 203 is a driving unit that controls the light emission of the light emitting element 205, and the TFT 202 is on / off based on the signal of the erase signal line 208. This is a control means that operates and controls the conduction of the TFT 203 to forcibly emit light and not emit light.

ＴＦＴ２０３と発光素子２０５の間に直列に挿入される抵抗体２０４は、特に定電圧駆動時において、発光素子２０５の抵抗変化の影響を緩和する作用を持ち、輝度に変化を抑制させることができる。   The resistor 204 inserted in series between the TFT 203 and the light emitting element 205 has a function of reducing the influence of the resistance change of the light emitting element 205, particularly during constant voltage driving, and can suppress the change in luminance.

図３と図４はこの効果を説明する図である。図３は抵抗体を設けない従来の構成であり、ＴＦＴ２０３と発光素子２０５が直接接続されている。発光素子２０５はその等価回路で示しており、ダイオードＤと発光素子を形成する薄膜の電気抵抗に起因すると考えられる直列抵抗Ｒｓと、容量Ｃと、洩れ電流が流れる場合の並列抵抗Ｒｓｈとで表している。尚、ここではＲｓｈ＞＞Ｒｓとして、並列抵抗の影響を無視して考えている。   3 and 4 are diagrams for explaining this effect. FIG. 3 shows a conventional configuration in which a resistor is not provided, and the TFT 203 and the light emitting element 205 are directly connected. The light emitting element 205 is shown in its equivalent circuit, and is represented by a series resistance Rs that is considered to be caused by the electric resistance of the diode D and the thin film forming the light emitting element, a capacitance C, and a parallel resistance Rsh when leakage current flows. ing. Here, Rsh >> Rs is assumed and the influence of the parallel resistance is ignored.

ここで、ＴＦＴ２０３を介して電源線２０９より電圧Ｖが印加されると、発光素子２０５に流れる電流ＩはＶ／Ｒｓで表される。その後、発光素子が劣化して直列抵抗がＲｓ＋ｒに増えると、劣化後の電流値Ｉ'はＶ／（Ｒｓ＋ｒ）となり発光素子の直列抵抗変化が直接影響することになる。仮に劣化による抵抗値増加分ｒ＝Ｒｓとすると、結局電流値は１／２となる。   Here, when the voltage V is applied from the power supply line 209 via the TFT 203, the current I flowing through the light emitting element 205 is represented by V / Rs. Thereafter, when the light emitting element deteriorates and the series resistance increases to Rs + r, the current value I ′ after deterioration becomes V / (Rs + r), and the series resistance change of the light emitting element directly affects. If the increase in resistance value due to deterioration is r = Rs, the current value will eventually be ½.

一方、図４で示すようにＴＦＴ２０３と発光素子２０５との間に抵抗値Ｒｅの抵抗体２０４を直列に挿入すると、同じ輝度を得るためにはＶ＋Ｖ'として電源線２０９から印加する電圧を上げる必要があるが、電流Ｉは（Ｖ＋Ｖ'）／（Ｒｓ＋Ｒｅ）となる。その後、発光素子が劣化して直列抵抗がＲｓ＋ｒに増えると、劣化後の電流値Ｉ'は（Ｖ＋Ｖ'）／（Ｒｓ＋ｒ＋Ｒｅ）となる。仮にＲｓ＝ｒ＝Ｒｅであるとすると、電流値の変化は２／３となり、見かけ上の変動率を比較すると高抵抗体を介在させた方が小さくなる。   On the other hand, when a resistor 204 having a resistance value Re is inserted in series between the TFT 203 and the light emitting element 205 as shown in FIG. 4, in order to obtain the same luminance, it is necessary to increase the voltage applied from the power line 209 as V + V ′. However, the current I is (V + V ′) / (Rs + Re). Thereafter, when the light emitting element deteriorates and the series resistance increases to Rs + r, the current value I ′ after deterioration becomes (V + V ′) / (Rs + r + Re). Assuming that Rs = r = Re, the change in current value is 2/3, and when the apparent variation rate is compared, it becomes smaller when a high resistance element is interposed.

図２で示す画素２００の具体的な構造の一例は図５に示されている。図５では回路を構成する主要な構成要素を示し、ＴＦＴ２０１、２０２、２０３と走査信号線２０７、消去信号線２０８、電源線２０９との配置関係を示している。   An example of a specific structure of the pixel 200 shown in FIG. 2 is shown in FIG. FIG. 5 shows main components constituting the circuit, and shows an arrangement relationship between the TFTs 201, 202, and 203, the scanning signal line 207, the erasing signal line 208, and the power supply line 209.

図５で示す画素構造は、ガラスや石英、プラスチック、若しくは半導体や金属材料を基板とし、その主表面に形成される絶縁表面上に形成されるものである。その作製工程においては、図６で示すように、島状に分割して形成される半導体層１０３、１０４を形成した後、ゲート絶縁膜を介して走査信号線２０７、消去信号線２０８、ゲート電極１０６を形成する。走査信号線２０７、消去信号線２０８は半導体層１０３と重畳することでそれぞれ別体のＴＦＴにおけるゲートを形成する。半導体層は結晶性シリコンで形成することが好ましく、ソース及びドレイン領域、低濃度ドレイン領域などは適宜形成すればよい。また、半導体層とゲートを形成する配線との積層形態は、配線を先に絶縁表面上に形成して、ボトムゲート型（逆スタガ型）のＴＦＴとしても良い。   The pixel structure shown in FIG. 5 is formed on an insulating surface formed on a main surface of glass, quartz, plastic, or a semiconductor or metal material as a substrate. In the manufacturing process, as shown in FIGS. 6A and 6B, after forming semiconductor layers 103 and 104 divided into islands, a scanning signal line 207, an erasing signal line 208, and a gate electrode through a gate insulating film 106 is formed. The scanning signal line 207 and the erasing signal line 208 overlap with the semiconductor layer 103 to form gates in separate TFTs. The semiconductor layer is preferably formed using crystalline silicon, and the source and drain regions, the low concentration drain region, and the like may be formed as appropriate. Further, the stacked form of the semiconductor layer and the wiring for forming the gate may be a bottom gate type (reverse stagger type) TFT in which the wiring is first formed on the insulating surface.

その後、層間絶縁膜を形成し、発光素子の第１電極２１１を形成する。この電極２１１を正孔注入電極とする場合には、通常ＩＴＯと呼ばれる酸化インジウム・スズ合金やＺｎＯ、ＴｉＮ、ＴａＮなど仕事関数が４eV以上の導電性材料を適用する。或いは、この第１電極２１１を電子注入電極とする場合には、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む合金、又は酸化物、フッ化物、窒化物などの各種化合物でその表面を形成する。   Thereafter, an interlayer insulating film is formed, and the first electrode 211 of the light emitting element is formed. When this electrode 211 is used as a hole injection electrode, a conductive material having a work function of 4 eV or more, such as an indium tin oxide alloy usually called ITO, ZnO, TiN, or TaN is applied. Alternatively, when the first electrode 211 is an electron injection electrode, the surface thereof is formed of an alloy containing an alkali metal or an alkaline earth metal, or various compounds such as oxide, fluoride, and nitride.

その後、図５で示すように各種配線２０６、２０９、２１０、２１２を形成することにより画素が形成される。また、発光素子の第１電極２１１の外周部を覆う隔壁層２１３が形成されその上層に発光体となる有機化合物を含む層を形成し、発光素子が自己整合的に形成される。発光素子の第１電極２１１とＴＦＴ２０３との間には抵抗体が設けられるが、その詳細はＡ−Ａ'線に従う縦断面図で説明されている。   Thereafter, as shown in FIG. 5, pixels are formed by forming various wirings 206, 209, 210, and 212. In addition, a partition layer 213 that covers the outer periphery of the first electrode 211 of the light emitting element is formed, and a layer containing an organic compound that serves as a light emitter is formed thereon, so that the light emitting element is formed in a self-aligning manner. A resistor is provided between the first electrode 211 of the light emitting element and the TFT 203, and the details thereof are described in a longitudinal sectional view along the line AA ′.

図７で示す一形態は、基板１０１上に下地絶縁膜１０２、半導体層１０６、ゲート絶縁膜１０５、ゲート電極１０６、第１無機層間絶縁膜１０７、有機層間絶縁膜１０８、第２無機層間絶縁膜１０９が形成されている。半導体層１０４に形成されているソース及びドレイン領域１１０には電源線２０９と発光素子と接続する配線２１２が形成されている。   In one embodiment shown in FIG. 7, a base insulating film 102, a semiconductor layer 106, a gate insulating film 105, a gate electrode 106, a first inorganic interlayer insulating film 107, an organic interlayer insulating film 108, a second inorganic interlayer insulating film are formed on a substrate 101. 109 is formed. In the source and drain regions 110 formed in the semiconductor layer 104, a power supply line 209 and a wiring 212 connected to the light emitting element are formed.

第１無機層間絶縁膜１０７は窒化シリコン又は窒酸化シリコンで形成し、発光素子の電極の構成材料であるアルカリ金属やアルカリ土類金属が半導体層１０６に拡散するのを防止する。有機層間絶縁膜１０８はアクリル、ポリイミド、ポリイミドアミドなどを塗布法で形成し、その表面を平坦に形成することで上層に形成する発光素子の被覆性を良くする。第２層間絶縁膜１０９は有機層間絶縁膜１０８上に緻密な膜を形成する目的に対し、高周波スパッタリング法で形成される窒化シリコン、窒化酸化アルミニウム、窒化アルミニウムを適用する。ＴＦＴ及び発光素子の発熱を放散させる観点からは、熱伝導率の高い絶縁材料をこの部位に適用するのが好ましく、窒化アルミニウム、窒酸化アルミニウムなどはこの点に関し適している。   The first inorganic interlayer insulating film 107 is formed of silicon nitride or silicon oxynitride, and prevents alkali metal or alkaline earth metal that is a constituent material of the light emitting element from diffusing into the semiconductor layer 106. The organic interlayer insulating film 108 is formed of acryl, polyimide, polyimide amide, or the like by a coating method, and the surface thereof is formed flat to improve the coverage of the light emitting element formed in the upper layer. As the second interlayer insulating film 109, silicon nitride, aluminum nitride oxide, or aluminum nitride formed by a high-frequency sputtering method is applied for the purpose of forming a dense film on the organic interlayer insulating film 108. From the viewpoint of dissipating heat generated by the TFT and the light emitting element, it is preferable to apply an insulating material having high thermal conductivity to this portion, and aluminum nitride, aluminum nitride oxide, and the like are suitable in this respect.

発光素子の第１電極２１１と配線２１２との間には抵抗体２１５が介在している。抵抗体はＣ、Ｓｉ、Ｇｅから選ばれた非晶質、微結晶、又は多結晶体の被膜、ＳｉＣ、ＳｉＧｅの非晶質、微結晶、又は多結晶体の被膜、又はそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物が適用される。抵抗率を制御するためには、これにＰ、Ｂなどを適宜ドーピングしても良い。適用される他の材料として、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ａｌ、Ｗ、Ｉｎ、Ｚｎから選ばれた非晶質、微結晶、又は多結晶体の被膜又はそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物が適用される。   A resistor 215 is interposed between the first electrode 211 and the wiring 212 of the light emitting element. The resistor is an amorphous, microcrystalline, or polycrystalline film selected from C, Si, and Ge, an amorphous, microcrystalline, or polycrystalline film of SiC, SiGe, or an oxide thereof. Nitride and oxynitride are applied. In order to control the resistivity, P, B or the like may be doped as appropriate. Other materials to be applied include amorphous, microcrystalline, or polycrystalline coatings selected from Ti, Mo, Ta, Al, W, In, and Zn or their oxides, nitrides, oxynitrides Applies.

勿論、実際の抵抗値はその接続部における面積、被膜の厚さにより調整することも可能であり、介在させる抵抗値の目安は発光素子に印加する最大定格電圧印加時における内部抵抗の値に対し０．０５〜５０倍の範囲内とするような抵抗率で規定される。   Of course, the actual resistance value can also be adjusted by the area of the connecting portion and the thickness of the coating, and the standard value of the intervening resistance value is the value of the internal resistance when the maximum rated voltage applied to the light emitting element is applied. It is defined by a resistivity that is in a range of 0.05 to 50 times.

抵抗体を設けることの優位性を図１６を用いて説明する。図１６は挿入図で示すように、発光素子に固定抵抗Ｒｄを接続してその両端子部の電流電圧特性を示している。Ｒｄ＝０の場合にはかなり大きい傾きの電流電圧特性を示している。それに対しＲｄを増加させるに従い、その傾きは小さくなる。発光素子は輝度の劣化と共に内部抵抗値が増加して同様に傾向を示すが、固定抵抗を予め接続しておくことにより内部抵抗変化が与える影響（変動率）を小さくすることができ、輝度の経時変化を少なくすることができる。   The advantage of providing a resistor will be described with reference to FIG. FIG. 16 shows the current-voltage characteristics of both terminal portions when a fixed resistor Rd is connected to the light emitting element, as shown in the inset. When Rd = 0, the current-voltage characteristic with a considerably large slope is shown. On the other hand, as Rd is increased, the slope becomes smaller. The light emitting element shows the same tendency as the internal resistance value increases with the deterioration of the brightness. However, the influence (variation rate) given by the change of the internal resistance can be reduced by connecting the fixed resistance in advance. Changes with time can be reduced.

発光素子の抵抗値は発光体となる有機化合物を含む層の構成や面積により異なる。発光素子は酸化インジウム・スズ合金（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）など透光性導電膜で３０〜１５０nmの厚さで形成される第１電極２１１上に１０〜１０００nm、好ましくは５０〜１５０nmの厚さで形成される有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸送媒体及び発光媒体を含む層１１２及び、ＣｓＦ、ＢａＦ、ＣａＦ、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉなどアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む導電性材料を用いる第２電極１１３で形成される。   The resistance value of the light-emitting element varies depending on the configuration and area of a layer containing an organic compound that serves as a light emitter. The light emitting element is a light-transmitting conductive film such as indium tin oxide alloy (ITO), zinc oxide (ZnO), indium zinc oxide (IZO), and is formed on a first electrode 211 having a thickness of 30 to 150 nm. , Preferably a layer 112 including a charge injecting and transporting medium containing an organic compound or an inorganic compound and a light emitting medium formed with a thickness of 50 to 150 nm, and an alkali metal or alkaline earth metal such as CsF, BaF, CaF, MgAg, AlLi The second electrode 113 is formed using a conductive material including

隔壁層１１１は第１電極２１１上に開口部を有し、その側面部を囲むように形成する。これら部材に上層に形成する有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸送媒体及び発光媒体を含む層１１２の応力を緩和させる目的においては、開口部の端部のエッジ部に０．２〜３μmの曲率をもたせ、且つ側壁の傾斜角を３５〜７０度に形成すると良い。   The partition layer 111 has an opening on the first electrode 211 and is formed so as to surround the side surface. In order to relieve the stress of the layer 112 containing the charge injection / transport medium and the light emitting medium containing the organic compound or inorganic compound formed on the upper layer of these members, the curvature of 0.2 to 3 μm is provided at the edge of the end of the opening. And the inclination angle of the side wall is preferably 35 to 70 degrees.

有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸送媒体及び発光媒体を含む層１１２は、低分子系有機化合物、中分子系有機化合物、高分子系有機化合物から選ばれた一種又は複数種の層を含み、電子注入輸送性又は正孔注入輸送性の無機化合物と組み合わせても良い。発光体は、フェニルアントラセン誘導体、テトラアリールジアミン誘導体、キノリノール錯体誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体などが適用可能であり、これをホスト物質として、クマリン誘導体、ＤＣＭ、キナクリドン、ルブレンなどをドーパントとして添加しても良い。高分子系有機化合物としては、ポリパラフェニレンビニレン系、ポリパラフェニレン系、ポリチオフェン系、ポリフルオレン系などがあり、ポリ（パラフェニレンビニレン）(poly(p-phenylene vinylene))：（ＰＰＶ）、ポリ（２，５−ジアルコキシ−１，４−フェニレンビニレン）(poly(2,5-dialkoxy-1,4-phenylene vinylene))：（ＲＯ−ＰＰＶ）、ポリ（２−（２'−エチル−ヘキソキシ）−５−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン）(poly[2-(2'-ethylhexoxy)-5-methoxy-1,4-phenylene vinylene])：（ＭＥＨ−ＰＰＶ）、ポリ（２−（ジアルコキシフェニル）−１,４−フェニレンビニレン）(poly[2-(dialkoxyphenyl)-1,4-phenylene vinylene])：（ＲＯＰｈ−ＰＰＶ）、ポリパラフェニレン（poly[p-phenylene]）：（ＰＰＰ）、ポリ（２，５−ジアルコキシ−１，４−フェニレン）(poly(2,5-dialkoxy-1,4-phenylene))：（ＲＯ−ＰＰＰ）、ポリ（２，５−ジヘキソキシ−１，４−フェニレン）(poly(2,5-dihexoxy-1,4-phenylene))、ポリチオフェン（polythiophene）：（ＰＴ）、ポリ（３−アルキルチオフェン）(poly(3-alkylthiophene))：（ＰＡＴ）、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）(poly(3-hexylthiophene))：（ＰＨＴ）、ポリ（３−シクロヘキシルチオフェン）(poly(3-cyclohexylthiophene))：（ＰＣＨＴ）、ポリ（３−シクロヘキシル−４−メチルチオフェン）(poly(3-cyclohexyl-4-methylthiophene))：（ＰＣＨＭＴ）、ポリ（３，４−ジシクロヘキシルチオフェン）(poly(3,4-dicyclohexylthiophene))：（ＰＤＣＨＴ）、ポリ［３−（４−オクチルフェニル）−チオフェン］(poly[3-(4octylphenyl)-thiophene])：（ＰＯＰＴ）、ポリ［３−（４−オクチルフェニル）−２，２ビチオフェン］(poly[3-(4-octylphenyl)-2,2-bithiophene])：（ＰＴＯＰＴ）、ポリフルオレン（polyfluorene）：（ＰＦ）、ポリ（９，９−ジアルキルフルオレン）(poly(9,9-dialkylfluorene)：（ＰＤＡＦ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン）(poly(9,9-dioctylfluorene)：（ＰＤＯＦ）などが挙げられる。無機化合物材料としては、ダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）、Ｓｉ、Ｇｅ、及びこれらの酸化物又は窒化物であり、Ｐ、Ｂ、Ｎなどが適宜ドーピングされていても良い。またアルカリ金属又はアルカリ土類金属の、酸化物、窒化物又はフッ化物や、当該金属と少なくともＺｎ、Ｓｎ、Ｖ、Ｒｕ、Ｓｍ、Ｉｎの化合物又は合金であっても良い。   The layer 112 including a charge injecting and transporting medium containing an organic compound or an inorganic compound and a light emitting medium includes one or a plurality of layers selected from a low molecular organic compound, a medium molecular organic compound, and a high molecular organic compound, You may combine with the inorganic compound of electron injection transport property or hole injection transport property. The phosphor can be a phenylanthracene derivative, a tetraaryldiamine derivative, a quinolinol complex derivative, a distyrylbenzene derivative, or the like. good. High molecular organic compounds include polyparaphenylene vinylene, polyparaphenylene, polythiophene, polyfluorene, and the like. Poly (p-phenylene vinylene): (PPV), poly (2,5-dialkoxy-1,4-phenylene vinylene) (RO-PPV), poly (2- (2′-ethyl-hexoxy) ) -5-methoxy-1,4-phenylene vinylene (poly [2- (2'-ethylhexoxy) -5-methoxy-1,4-phenylene vinylene]): (MEH-PPV), poly (2- (di (Alkoxyphenyl) -1,4-phenylene vinylene) (poly [2- (dialkoxyphenyl) -1,4-phenylene vinylene]): (ROPh-PPV), polyparaphenylene (poly [p-phenylene]): (PPP) , Poly (2,5-dialkoxy-1,4-phenylene) (poly (2,5-dialkoxy-1,4-ph enylene)): (RO-PPP), poly (2,5-dihexoxy-1,4-phenylene) (poly (2,5-dihexoxy-1,4-phenylene)), polythiophene: (PT), Poly (3-alkylthiophene): (PAT), poly (3-hexylthiophene): (PHT), poly (3-cyclohexylthiophene) (poly ( 3-cyclohexylthiophene)): (PCHT), poly (3-cyclohexyl-4-methylthiophene): (PCHMT), poly (3,4-dicyclohexylthiophene) (poly ( 3,4-dicyclohexylthiophene)): (PDCHT), poly [3- (4-octylphenyl) -thiophene]: (POPT), poly [3- (4-octyl) Phenyl) -2,2-bithiophene] (poly [3- (4-octylphenyl) -2,2-bithi ophene]): (PTOPT), polyfluorene: (PF), poly (9,9-dialkylfluorene) (poly (9,9-dialkylfluorene): (PDAF), poly (9,9-dioctylfluorene) (poly (9,9-dioctylfluorene): (PDOF)) and the like. As the inorganic compound material, diamond-like carbon (DLC), Si, Ge, and oxides or nitrides thereof may be appropriately doped with P, B, N, and the like. Alternatively, an oxide, nitride, or fluoride of an alkali metal or an alkaline earth metal, or a compound or alloy of the metal and at least Zn, Sn, V, Ru, Sm, or In may be used.

低分子有機化合物において、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）と芳香族アミン系材料であるＭＴＤＡＴＡ及びα−ＮＰＤで形成される正孔注入輸送層、トリス−８−キノリノラトアルミニウム錯体（Ａｌｑ3）で形成される電子注入層兼発光層を積層させて形成することができる。Ａｌｑ3は一重項励起状態からの発光（蛍光）を可能としている。輝度を高めるには三重項励起状態からの発光（燐光）を利用することが好ましい。この場合には、有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸送媒体及び発光媒体を含む層２１としてフタロシアニン系材料であるＣｕＰｃと芳香族アミン系材料であるα−ＮＰＤで形成される正孔注入輸送層上に、カルバゾール系のＣＢＰ＋Ｉｒ（ｐｐｙ）3を用いて発光層を形成し、さらにバソキュプロイン(ＢＣＰ)を用いて正孔ブロック層、Ａｌｑ3による電子注入輸送層を積層させた構造とすることもできる。 In a low molecular weight organic compound, a hole injection transport layer formed of copper phthalocyanine (CuPc) and aromatic amine-based material MTDATA and α-NPD, formed of a tris-8-quinolinolato aluminum complex (Alq 3 ) It can be formed by laminating an electron injection layer and a light emitting layer. Alq 3 enables light emission (fluorescence) from a singlet excited state. In order to increase luminance, it is preferable to use light emission (phosphorescence) from a triplet excited state. In this case, a hole injecting and transporting layer formed of CuPc, which is a phthalocyanine-based material, and α-NPD, which is an aromatic amine-based material, as the layer 21 including a charge injecting and transporting medium containing an organic compound or an inorganic compound and a light-emitting medium. A light-emitting layer is formed using carbazole-based CBP + Ir (ppy) 3, and a hole blocking layer and an electron injection / transport layer using Alq 3 are stacked using bathocuproin (BCP). .

上記二つの構造は低分子系有機化合物を用いた例であるが、高分子系有機化合物と低分子系有機化合物を組み合わせた有機発光素子を実現することもできる。例えば、有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸送媒体及び発光媒体を含む層２１として陽極側から、高分子系有機化合物のポリチオフェン誘導体(ＰＥＤＯＴ)により正孔注入輸送層、α−ＮＰＤによる正孔注入輸送層、ＣＢＰ＋Ｉｒ（ｐｐｙ）3による発光層、ＢＣＰによる正孔ブロック層、Ａｌｑ3による電子注入輸送層を積層させても良い。正孔注入層をＰＥＤＯＴに変えることにより、正孔注入特性が改善され、発光効率を向上させることができる。 The above two structures are examples using a low molecular weight organic compound, but an organic light emitting device combining a high molecular weight organic compound and a low molecular weight organic compound can also be realized. For example, as a layer 21 containing a charge injecting and transporting medium containing an organic compound or an inorganic compound and a light emitting medium, from the anode side, a hole injecting and transporting layer using a polythiophene derivative (PEDOT) of a macromolecular organic compound, and hole injection using α-NPD A transport layer, a light emitting layer made of CBP + Ir (ppy) 3 , a hole blocking layer made of BCP, and an electron injection transport layer made of Alq 3 may be laminated. By changing the hole injection layer to PEDOT, the hole injection characteristics can be improved and the light emission efficiency can be improved.

また、正孔注入輸送層及び電子注入輸送層に無機化合物材料を用いても良い。無機化合物材料としては、ダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）、Ｓｉ、Ｇｅ、及びこれらの酸化物又は窒化物であり、Ｐ、Ｂ、Ｎなどが適宜ドーピングされていても良い。またアルカリ金属又はアルカリ土類金属の、酸化物、窒化物又はフッ化物や、当該金属と少なくともＺｎ、Ｓｎ、Ｖ、Ｒｕ、Ｓｍ、Ｉｎの化合物又は合金であっても良い。   Moreover, you may use an inorganic compound material for a positive hole injection transport layer and an electron injection transport layer. As the inorganic compound material, diamond-like carbon (DLC), Si, Ge, and oxides or nitrides thereof may be appropriately doped with P, B, N, and the like. Alternatively, an oxide, nitride, or fluoride of an alkali metal or an alkaline earth metal, or a compound or alloy of the metal and at least Zn, Sn, V, Ru, Sm, or In may be used.

低分子系有機化合物材料を用いた場合と高分子系有機化合物材料を用いた場合に得られる発光素子の内部抵抗値の一例を表１に示す。表１において発光素子の面積は０．１mm2である。低分子系有機化合物材料を用いた発光素子の構成は、第１電極２２３上にＣｕＰｃを２０nm、α−ＮＰＤを６０nm、Ａｌｑ3：ＤＭＱｄを３８nm、Ａｌｑ3を３８nm積層し、第２電極をＣａＦを１nmとＡｌを２００nmである。高分子系有機化合物材料を用いた発光素子の構成は、ＰＥＤＯＴを３０nm、ＰＰＶを８０nm形成し、第２電極としてＣａを２０nm、Ａｌを１００nm積層した構造である。 Table 1 shows an example of the internal resistance value of the light emitting element obtained when the low molecular organic compound material is used and when the high molecular organic compound material is used. In Table 1, the area of the light emitting element is 0.1 mm 2 . The structure of the light emitting element using the low molecular weight organic compound material is that CuPc is 20 nm, α-NPD is 60 nm, Alq3: DMQd is 38 nm, Alq3 is 38 nm on the first electrode 223, and CaF is 1 nm. And Al is 200 nm. The structure of the light-emitting element using the high molecular organic compound material is a structure in which PEDOT is formed to 30 nm, PPV is formed to 80 nm, Ca is 20 nm, and Al is stacked to 100 nm as the second electrode.

また、これら有機化合物材料に無機化合物材料を組み合わせる形態の一例としては、ＰＥＤＯＴ上に２〜３nmのダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）を形成しその上に発光体を含む層を形成する。又は、ＰＥＤＯＴ上に２〜３nmのＤＬＣを形成し、正孔注入輸送層及び発光層を形成する。又は、ＰＥＤＯＴ上に２〜３nmのＤＬＣの積層体を２回以上繰り返し積層する構成とする。或いは、同一の発色又は異なる発色の発光層とＤＬＣとを積層し、その積層体を複数層重ね合わせる。ＤＬＣは熱伝導率が高いので、このように無機化合物材料としてＤＬＣを組み合わせることにより、発光素子の発熱による温度上昇を抑え、輝度の劣化を低減させる効果を付与することができる。   Further, as an example of a mode in which an inorganic compound material is combined with these organic compound materials, a diamond-like carbon (DLC) of 2 to 3 nm is formed on PEDOT, and a layer including a light emitter is formed thereon. Alternatively, a 2-3 nm DLC is formed on PEDOT to form a hole injection transport layer and a light emitting layer. Or it is set as the structure which laminates | stacks the laminated body of 2-3 nm DLC on PEDOT twice or more. Alternatively, a light emitting layer having the same color or different color and a DLC are stacked, and a plurality of stacked layers are stacked. Since DLC has high thermal conductivity, combining DLC as an inorganic compound material in this manner can provide an effect of suppressing a temperature increase due to heat generation of the light emitting element and reducing luminance deterioration.

一画素当たりの抵抗値は、低分子系有機化合物材料を用いた低分子系素子と、高分子有機化合物系材料を用いた高分子系素子とでは異なり、駆動条件によっても異なるが、発光素子の面積を４．８×１０-5cm2として１００cd/m2〜２００cd/m2の輝度で発光させた場合に８ＭΩ〜３４ＭΩの抵抗値が得られている。本発明において抵抗体が必要とする抵抗値は、（（一画素に形成される発光素子の抵抗／一画素に形成される発光素子の面積）×０．０５）Ω以上、（（一画素に形成される発光素子の抵抗／一画素に形成される発光素子の面積）×５０）Ω以下で規定されるものである。又は、非線形性を有する発光素子の電流電圧と特性を考慮すべきものであり、その最大定格電圧、即ち実用に供する最大発光輝度を基準とすると、その電流対電圧特性を考慮して、抵抗体の抵抗値は、（（一画素に印加する電界／一画素に流れる電流密度）×０．０５）Ω以上、（（一画素に印加する電界／一画素に流れる電流密度）×５０）Ω以下となるようにする。 The resistance value per pixel differs between a low-molecular element using a low-molecular organic compound material and a high-molecular element using a high-molecular organic compound material, and varies depending on driving conditions. resistance of 8MΩ~34MΩ are obtained when the area is caused to emit light as 4.8 × 10 -5 cm 2 at a luminance of 100cd / m 2 ~200cd / m 2 . In the present invention, the resistance value required by the resistor is ((resistance of the light emitting element formed in one pixel / area of the light emitting element formed in one pixel) × 0.05) Ω or more, ((in one pixel Resistance of light emitting element to be formed / area of light emitting element formed in one pixel) × 50) Ω or less. Alternatively, the current voltage and characteristics of the non-linear light emitting element should be taken into consideration. When the maximum rated voltage, that is, the maximum light emission luminance for practical use is used as a reference, the current vs. voltage characteristics are taken into consideration, and The resistance value is ((electric field applied to one pixel / current density flowing through one pixel) × 0.05) Ω or more and ((electric field applied to one pixel / current density flowing through one pixel) × 50) Ω or less. To be.

表１の結果に基づけば、発光素子の抵抗率に合わせて１画素に０．８〜３４０ＭΩの抵抗を挿入すれば良いことになる。   Based on the results in Table 1, it is sufficient to insert a resistance of 0.8 to 340 MΩ in one pixel in accordance with the resistivity of the light emitting element.

Figure 0004312704
Figure 0004312704

発光素子に接続するのに適した抵抗値は、本来その駆動条件によって異なる。発光素子の発光輝度は、図１３に示すように流れる電流密度に比例するが、図１４に示すように印加電圧に対しては指数関数的な変化を示す。即ち、発光素子の電流電圧特性は図１５に示すように非線形性を示し、印加電圧が変わるとその時の抵抗値は連続的に変化する。従って、実用的な輝度が得られる範囲において、直列に挿入される抵抗体の抵抗値は所定の範囲を持って規定されるべきである。   The resistance value suitable for connection to the light emitting element originally varies depending on the driving conditions. The light emission luminance of the light emitting element is proportional to the current density flowing as shown in FIG. 13, but changes exponentially with the applied voltage as shown in FIG. That is, the current-voltage characteristics of the light-emitting element exhibit nonlinearity as shown in FIG. 15, and when the applied voltage changes, the resistance value at that time changes continuously. Accordingly, the resistance value of the resistor inserted in series should be defined with a predetermined range in a range where practical luminance can be obtained.

抵抗体の抵抗値は、発光素子の抵抗値との対比でその値が十分大きければ輝度の経時変化をより安定化させることが可能になる。しかしその分、発光素子を発光させる印加電圧も上昇するので、発光装置の駆動電圧を考慮して適当な抵抗値を選択する必要がある。   If the resistance value of the resistor is sufficiently large in comparison with the resistance value of the light emitting element, it is possible to further stabilize the luminance change with time. However, the applied voltage for causing the light emitting element to emit light increases accordingly, and it is necessary to select an appropriate resistance value in consideration of the driving voltage of the light emitting device.

抵抗体２１５をＴＦＴと発光素子の第１電極との間に形成することにより、静電気によりＴＦＴの破壊を防ぐ保護抵抗として機能させることもできる。即ち、有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸送媒体及び発光媒体を含む層１１２や陰極１１３を電子ビーム蒸着やスパッタリング法など荷電粒子を伴う成膜法で行う場合に、第１電極２１１がアンテナとなりそれに接続するＴＦＴの静電破壊を防ぐことができる。   By forming the resistor 215 between the TFT and the first electrode of the light emitting element, the resistor 215 can function as a protective resistor that prevents the TFT from being destroyed by static electricity. In other words, the first electrode 211 serves as an antenna when the layer 112 containing the organic compound or inorganic compound and the layer 112 containing the light emitting medium and the cathode 113 are formed by a film forming method involving charged particles such as electron beam evaporation or sputtering. The electrostatic breakdown of the TFT connected to the TFT can be prevented.

抵抗体をこのように形成することにより、発光素子の駆動時の発熱箇所が増えることになるが、図７の形態であるように第２無機層間絶縁膜１０９に熱伝導性の高い部材を用いることにより、熱が周辺部に放散され、発熱による発光素子の温度上昇を抑えることができる。このような効果を得るためには、第２電極１１３上に同様の材料の被膜を形成しても良い。熱伝導性の高い部材としては、窒酸化アルミニウム（ＡｌＯxＮ1-x：ｘ＝０．０１〜２０原子％）、窒化アルミニウム、窒化シリコン、ＤＬＣなどを選択することができる。 By forming the resistor in this way, the number of heat generation points when the light emitting element is driven increases. However, a member having high thermal conductivity is used for the second inorganic interlayer insulating film 109 as shown in FIG. Accordingly, heat is dissipated to the peripheral portion, and an increase in temperature of the light emitting element due to heat generation can be suppressed. In order to obtain such an effect, a film of the same material may be formed on the second electrode 113. As the member having high thermal conductivity, aluminum oxynitride (AlO x N 1-x : x = 0.01 to 20 atom%), aluminum nitride, silicon nitride, DLC, or the like can be selected.

図７と異なる抵抗体の配置が図８に示されており、第２無機層間絶縁膜１０９上に電源線２０９と発光素子と接続する配線２１２を形成した後、抵抗体２１５をほぼ全面に形成した構成となっている。その後、発光素子の第１電極２１１を形成する。この時、抵抗体２１５が実質的に付与する抵抗値は、配線２１２と抵抗体２１５と第１電極２１３が重畳する面積で規定される。また、隔壁層１１１の上面部及び側面部を覆う第３無機絶縁膜１１６を窒酸化アルミニウム（ＡｌＯxＮ1-x：ｘ＝０．０１〜２０原子％）、窒化アルミニウム、窒化シリコン、ＤＬＣで形成することにより、発光素子の発熱が放散され、その部位からの温度上昇による有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸送媒体及び発光媒体の変質を防止することができる。ＴＦＴ２０３など他の構成要素は図７と同様である。 The arrangement of resistors different from FIG. 7 is shown in FIG. 8. After the wiring 212 connecting the power supply line 209 and the light emitting element is formed on the second inorganic interlayer insulating film 109, the resistor 215 is formed on almost the entire surface. It has become the composition. Thereafter, the first electrode 211 of the light emitting element is formed. At this time, the resistance value substantially given by the resistor 215 is defined by the area where the wiring 212, the resistor 215, and the first electrode 213 overlap. Further, the third inorganic insulating film 116 covering the upper surface portion and the side surface portion of the partition wall layer 111 is made of aluminum oxynitride (AlO x N 1-x : x = 0.01 to 20 atom%), aluminum nitride, silicon nitride, or DLC. By forming, the heat generated in the light-emitting element is dissipated, and alteration of the charge injecting and transporting medium and the light-emitting medium containing the organic compound or inorganic compound due to the temperature rise from the portion can be prevented. Other components such as the TFT 203 are the same as those in FIG.

また、図９に示す構成は、第２無機層間絶縁膜１０９上に電源線２０９と発光素子と接続する配線２１２を形成した後、抵抗体２１５を残存せしめ、さらに第２有機層間絶縁膜１１５を形成して発光素子の第１電極２１１を形成して、配線２１２と電気的に接続している。この接続においては、抵抗体２１５が介在している。即ち、抵抗体２１５が付与する実質的な抵抗値は、配線２１２と抵抗体２１５と第１電極２１１が重畳するコンタクト部の面積で規定される。   Further, in the configuration shown in FIG. 9, after the wiring 212 connecting the power supply line 209 and the light emitting element is formed on the second inorganic interlayer insulating film 109, the resistor 215 is left, and the second organic interlayer insulating film 115 is further formed. The first electrode 211 of the light emitting element is formed to be electrically connected to the wiring 212. In this connection, a resistor 215 is interposed. That is, the substantial resistance value provided by the resistor 215 is defined by the area of the contact portion where the wiring 212, the resistor 215, and the first electrode 211 overlap.

第２電極側に抵抗体を形成する一例は図１０において示されている。図１０では図７と同様に発光素子の第１電極２１１、隔壁層１１１を形成した後、有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸送媒体及び発光媒体を含む層１１２を形成する。その後、第２電極１１３を所定のパターンで形成し、これをエッチングマスクとして下層側の有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸送媒体及び発光媒体を含む層１１２を除去する。その後、抵抗体２１５及び配線１１５を形成することにより、共通電位を付与する電極側に抵抗体を作り込むことができる。この接続において抵抗体２１５が付与する実質的な抵抗値は、第２電極１１３と抵抗体２１５が重畳する面積で規定される。   An example of forming a resistor on the second electrode side is shown in FIG. 10, the first electrode 211 and the partition wall layer 111 of the light-emitting element are formed as in FIG. 7, and then the charge injecting and transporting medium containing an organic compound or an inorganic compound and the layer 112 containing a light-emitting medium are formed. After that, the second electrode 113 is formed in a predetermined pattern, and the layer 112 including the charge injecting and transporting medium containing the organic compound or inorganic compound on the lower layer side and the light emitting medium is removed using this as an etching mask. After that, by forming the resistor 215 and the wiring 115, the resistor can be formed on the electrode side to which the common potential is applied. The substantial resistance value provided by the resistor 215 in this connection is defined by the area where the second electrode 113 and the resistor 215 overlap.

以上説明した本発明の発光装置により様々な電子装置を完成させることができる。その一例は、携帯情報端末(電子手帳、モバイルコンピュータ、携帯電話など)、ビデオカメラ、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、テレビ受像器、携帯電話などが挙げられる。それらの一例を図１７に示す。   Various electronic devices can be completed by the light-emitting device of the present invention described above. Examples thereof include portable information terminals (electronic notebooks, mobile computers, mobile phones, etc.), video cameras, digital cameras, personal computers, television receivers, mobile phones, and the like. An example of them is shown in FIG.

図１７(Ａ)は本発明を適用してテレビ受像器を完成させる一例であり、筐体３００１、支持台３００２、表示部３００３などにより構成されている。本発明によりテレビ受像器を完成させることができる。   FIG. 17A illustrates an example of completing a television receiver by applying the present invention, which includes a housing 3001, a support base 3002, a display portion 3003, and the like. According to the present invention, a television receiver can be completed.

図１７(Ｂ)は本発明を適用してビデオカメラを完成させた一例であり、本体３０１１、表示部３０１２、音声入力部３０１３、操作スイッチ３０１４、バッテリー３０１５、受像部３０１６などにより構成されている。本発明によりビデオカメラを完成させることができる。   FIG. 17B shows an example in which the present invention is applied to complete a video camera, which includes a main body 3011, a display portion 3012, an audio input portion 3013, an operation switch 3014, a battery 3015, an image receiving portion 3016, and the like. . A video camera can be completed by the present invention.

図１７(Ｃ)は本発明を適用してノート型のパーソナルコンピュータを完成させた一例であり、本体３０２１、筐体３０２２、表示部３０２３、キーボード３０２４などにより構成されている。本発明によりパーソナルコンピュータを完成させることができる。   FIG. 17C illustrates an example in which a laptop personal computer is completed by applying the present invention, which includes a main body 3021, a housing 3022, a display portion 3023, a keyboard 3024, and the like. The personal computer can be completed by the present invention.

図１７(Ｄ)は本発明を適用してＰＤＡ(Personal Digital Assistant)を完成させた一例であり、本体３０３１、スタイラス３０３２、表示部３０３３、操作ボタン３０３４、外部インターフェース３０３５などにより構成されている。本発明によりＰＤＡを完成させることができる。   FIG. 17D is an example in which a PDA (Personal Digital Assistant) is completed by applying the present invention, and includes a main body 3031, a stylus 3032, a display portion 3033, operation buttons 3034, an external interface 3035, and the like. A PDA can be completed by the present invention.

図１７(Ｅ)は本発明を適用して音響再生装置を完成させた一例であり、具体的には車載用のオーディオ装置であり、本体３０４１、表示部３０４２、操作スイッチ３０４３、３０４４などにより構成されている。本発明によりオーディオ装置を完成させることができる。   FIG. 17E is an example in which a sound reproducing device is completed by applying the present invention, specifically, an in-vehicle audio device, which includes a main body 3041, a display portion 3042, operation switches 3043, 3044, and the like. Has been. According to the present invention, an audio device can be completed.

図１７(Ｆ)は本発明を適用してデジタルカメラを完成させた一例であり、本体３０５１、表示部(Ａ)３０５２、接眼部３０５３、操作スイッチ３０５４、表示部(Ｂ)３０５５、バッテリー３０５６などにより構成されている。本発明によりデジタルカメラを完成させることができる。   FIG. 17F illustrates an example in which the present invention is applied to complete a digital camera. A main body 3051, a display portion (A) 3052, an eyepiece portion 3053, an operation switch 3054, a display portion (B) 3055, a battery 3056. Etc. According to the present invention, a digital camera can be completed.

図１７(Ｇ)は本発明を適用して携帯電話を完成させた一例であり、本体３０６１、音声出力部３０６２、音声入力部３０６３、表示部３０６４、操作スイッチ３０６５、アンテナ３０６６などにより構成されている。本発明により携帯電話を完成させることができる。   FIG. 17G illustrates an example in which a cellular phone is completed by applying the present invention, which includes a main body 3061, an audio output portion 3062, an audio input portion 3063, a display portion 3064, operation switches 3065, an antenna 3066, and the like. Yes. According to the present invention, a mobile phone can be completed.

またその他にも、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）に加え、冷蔵庫装置、洗濯機、炊飯器、固定電話装置、真空掃除機、体温計など家庭電化製品から、電車内の吊し広告、鉄道駅や空港の発着案内版など大面積のインフォメーションディスプレイまで様々な分野に適用することができる。   In addition, in addition to navigation systems, sound playback devices (car audio, audio components, etc.), personal computers, game machines, portable information terminals (mobile computers, mobile phones, portable game machines, electronic books, etc.), refrigerator devices , Washing machines, rice cookers, landline telephones, vacuum cleaners, thermometers, etc., as well as large-area information displays, such as hanging advertisements in trains, and information on arrivals and departures at train stations and airports. be able to.

発光素子と能動素子とを含む画素部に抵抗体を設ける構成を図７〜図１０を用いて説明したが、本発明はこの実施形態に限定されるものではなく、これらを自由に組み合わせて実施することができる。尚、本発明における好適な実施の形態については以上のように示されているが、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなく、その形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解されるものである。   Although the structure in which the resistor is provided in the pixel portion including the light emitting element and the active element has been described with reference to FIGS. 7 to 10, the present invention is not limited to this embodiment and can be implemented by freely combining them. can do. The preferred embodiment of the present invention has been described above. However, it will be understood by those skilled in the art that various changes can be made in the form and details without departing from the spirit and scope of the present invention. If so, it will be easily understood.

本発明の発光装置の構成を説明する斜視図及び縦断面図である。It is the perspective view and longitudinal cross-sectional view explaining the structure of the light-emitting device of this invention. 本発明の発光装置の画像表示部の等価回路図である。It is an equivalent circuit schematic of the image display part of the light-emitting device of this invention. 従来の画素構成と経時変化による輝度の変化量を説明する図である。It is a figure explaining the change amount of the brightness | luminance by the conventional pixel structure and a time-dependent change. 本発明の画素構成と経時変化による輝度の変化量を説明する図である。It is a figure explaining the variation | change_quantity of the brightness | luminance by a pixel structure of this invention and a time-dependent change. 本発明の画素の画素の構成を示す上面図である。It is a top view which shows the structure of the pixel of the pixel of this invention. 本発明の画素の画素の作製工程を説明する上面図である。It is a top view illustrating a manufacturing process of a pixel of the pixel of the present invention. 本発明の画素の画素の構成を示す上面図であり、抵抗体の一配置例を示す縦断面図である。It is a top view which shows the structure of the pixel of the pixel of this invention, and is a longitudinal cross-sectional view which shows the example of 1 arrangement | positioning of a resistor. 本発明の画素の画素の構成を示す上面図であり、抵抗体の一配置例を示す縦断面図である。It is a top view which shows the structure of the pixel of the pixel of this invention, and is a longitudinal cross-sectional view which shows the example of 1 arrangement | positioning of a resistor. 本発明の画素の画素の構成を示す上面図であり、抵抗体の一配置例を示す縦断面図である。It is a top view which shows the structure of the pixel of the pixel of this invention, and is a longitudinal cross-sectional view which shows the example of 1 arrangement | positioning of a resistor. 本発明の画素の画素の構成を示す上面図であり、抵抗体の一配置例を示す縦断面図である。It is a top view which shows the structure of the pixel of the pixel of this invention, and is a longitudinal cross-sectional view which shows the example of 1 arrangement | positioning of a resistor. 本発明に係る画素の構成であり、発光素子と能動素子と抵抗体との接続を説明する図である。It is a structure of the pixel which concerns on this invention, and is a figure explaining the connection of a light emitting element, an active element, and a resistor. 本発明に係る画素の構成であり、発光素子と能動素子と抵抗体との接続を説明する図である。It is a structure of the pixel which concerns on this invention, and is a figure explaining the connection of a light emitting element, an active element, and a resistor. 発光素子の電流対発光輝度特性を示すグラフである。It is a graph which shows the electric current vs. light-emitting luminance characteristic of a light emitting element. 発光素子の電圧対発光輝度特性を示すグラフである。It is a graph which shows the voltage vs. light emission luminance characteristic of a light emitting element. 発光素子の電圧対電流特性を示すグラフである。It is a graph which shows the voltage vs. current characteristic of a light emitting element. 発光素子に抵抗を直列に接続した時に電圧対電流特性を示すグラフである。It is a graph which shows a voltage versus current characteristic when resistance is connected in series with a light emitting element. 発光装置の具体的な適用例を示す図である。It is a figure which shows the specific application example of a light-emitting device.

Claims (11)

絶縁表面上に設けられた薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に設けられた第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に設けられた発光素子と、を有する発光装置であって、
前記発光素子は、前記第１の層間絶縁膜上に第１の電極と、有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸送媒体及び発光媒体と、第２の電極とを順に有し、
前記第１の電極は、前記第１の電極と接するように積層された抵抗体を介して前記薄膜トランジスタに電気的に接続され、
前記第１の電極上には、開口部を有し、前記第１の電極の外周部を覆う隔壁層が設けられ、
前記開口部の縦断面の上端部は丸みを帯び、その側壁は傾斜形状であり、
前記隔壁層の上面部及び側面部を窒酸化アルミニウム或いは窒化アルミニウムの第２の層間絶縁膜で覆うことを特徴とする発光装置。 A thin film transistor provided on an insulating surface;
A first interlayer insulating film provided on the thin film transistor;
A light emitting device having a light emitting element provided on the first interlayer insulating film,
The light-emitting element has a first electrode, a charge injection transport medium and a light-emitting medium containing an organic compound or an inorganic compound, and a second electrode in order on the first interlayer insulating film,
The first electrode is electrically connected to the thin film transistor through a resistor stacked so as to be in contact with the first electrode ,
On the first electrode, a partition layer having an opening and covering the outer periphery of the first electrode is provided,
The upper end of the longitudinal section of the opening is rounded, and its side wall is inclined.
A light emitting device, wherein an upper surface portion and a side surface portion of the partition wall layer are covered with a second interlayer insulating film of aluminum nitride oxide or aluminum nitride. 絶縁表面上に設けられた薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に設けられた第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に設けられた発光素子と、を有する発光装置であって、
前記発光素子は、前記第１の層間絶縁膜上に第１の電極と、有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸送媒体及び発光媒体と、第２の電極とを順に有し、
前記第１の電極は、前記第１の電極と接するように積層された抵抗体を介して前記薄膜トランジスタのソース又はドレインに電気的に接続され、
前記第１の電極上には、開口部を有し、前記第１の電極の外周部を覆う隔壁層が設けられ、
前記開口部の縦断面の上端部は丸みを帯び、その側壁は傾斜形状であり、
前記隔壁層の上面部及び側面部を窒酸化アルミニウム或いは窒化アルミニウムの第２の層間絶縁膜で覆うことを特徴とする発光装置。 A thin film transistor provided on an insulating surface;
A first interlayer insulating film provided on the thin film transistor;
A light emitting device having a light emitting element provided on the first interlayer insulating film,
The light-emitting element has a first electrode, a charge injection transport medium and a light-emitting medium containing an organic compound or an inorganic compound, and a second electrode in order on the first interlayer insulating film,
The first electrode is electrically connected to the source or drain of the thin film transistor through a resistor stacked so as to be in contact with the first electrode ,
On the first electrode, a partition layer having an opening and covering the outer periphery of the first electrode is provided,
The upper end of the longitudinal section of the opening is rounded, and its side wall is inclined.
A light emitting device, wherein an upper surface portion and a side surface portion of the partition wall layer are covered with a second interlayer insulating film of aluminum nitride oxide or aluminum nitride. 請求項１または２において、前記抵抗体に接して窒酸化アルミニウム或いは窒化アルミニウムの第３の層間絶縁膜を介在させることを特徴とする発光装置。   3. The light emitting device according to claim 1, wherein a third interlayer insulating film of aluminum oxynitride or aluminum nitride is interposed in contact with the resistor. 絶縁表面上に設けられた薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に設けられた第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に設けられた発光素子と、を有する発光装置であって、
前記発光素子は、前記第１の層間絶縁膜上に第１の電極と、有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸送媒体及び発光媒体と、第２の電極とを順に有し、
前記第１の電極は前記薄膜トランジスタに電気的に接続され、
前記第２の電極は、前記第２の電極と接するように積層された抵抗体を介して一定電位を付与する共通電極に電気的に接続され、
前記第１の電極上には、開口部を有し、前記第１の電極の外周部を覆う隔壁層が設けられ、
前記開口部の縦断面の上端部は丸みを帯び、その側壁は傾斜形状であり、
前記隔壁層の上面部及び側面部を窒酸化アルミニウム或いは窒化アルミニウムの第２の層間絶縁膜で覆うことを特徴とする発光装置。 A thin film transistor provided on an insulating surface;
A first interlayer insulating film provided on the thin film transistor;
A light emitting device having a light emitting element provided on the first interlayer insulating film,
The light-emitting element has a first electrode, a charge injection transport medium and a light-emitting medium containing an organic compound or an inorganic compound, and a second electrode in order on the first interlayer insulating film,
The first electrode is electrically connected to the thin film transistor;
The second electrode is electrically connected to a common electrode that applies a constant potential via a resistor laminated so as to be in contact with the second electrode ,
On the first electrode, a partition layer having an opening and covering the outer periphery of the first electrode is provided,
The upper end of the longitudinal section of the opening is rounded, and its side wall is inclined.
A light emitting device, wherein an upper surface portion and a side surface portion of the partition wall layer are covered with a second interlayer insulating film of aluminum nitride oxide or aluminum nitride. 絶縁表面上に設けられた薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に設けられた第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に設けられた発光素子と、を有する発光装置であって、
前記発光素子は、前記第１の層間絶縁膜上に第１の電極と、有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸送媒体及び発光媒体と、第２の電極とを順に有し、
前記第１の電極は前記薄膜トランジスタのソース又はドレインに電気的に接続され、
前記第２の電極は、前記第２の電極と接するように積層された抵抗体を介して一定電位を付与する共通電極に電気的に接続され、
前記第１の電極上には、開口部を有し、前記第１の電極の外周部を覆う隔壁層が設けられ、
前記開口部の縦断面の上端部は丸みを帯び、その側壁は傾斜形状であり、
前記隔壁層の上面部及び側面部を窒酸化アルミニウム或いは窒化アルミニウムの第２の層間絶縁膜で覆うことを特徴とする発光装置。 A thin film transistor provided on an insulating surface;
A first interlayer insulating film provided on the thin film transistor;
A light emitting device having a light emitting element provided on the first interlayer insulating film,
The light-emitting element has a first electrode, a charge injection transport medium and a light-emitting medium containing an organic compound or an inorganic compound, and a second electrode in order on the first interlayer insulating film,
The first electrode is electrically connected to a source or a drain of the thin film transistor;
The second electrode is electrically connected to a common electrode that applies a constant potential via a resistor laminated so as to be in contact with the second electrode ,
On the first electrode, a partition layer having an opening and covering the outer periphery of the first electrode is provided,
The upper end of the longitudinal section of the opening is rounded, and its side wall is inclined.
A light emitting device, wherein an upper surface portion and a side surface portion of the partition wall layer are covered with a second interlayer insulating film of aluminum nitride oxide or aluminum nitride. 請求項１から５のいずれか一項において、前記薄膜トランジスタにより、前記発光素子に電圧を印加して発光を制御することを特徴とする発光装置。   6. The light-emitting device according to claim 1, wherein light emission is controlled by applying a voltage to the light-emitting element using the thin film transistor. 7. 請求項１から６のいずれか一項において、前記抵抗体は、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅから選ばれた一種又は複数種を含むことを特徴とする発光装置。   7. The light emitting device according to claim 1, wherein the resistor includes one or more selected from C, Si, and Ge. 請求項１から６のいずれか一項において、前記抵抗体は、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ａｌ、Ｗ、Ｉｎ、Ｚｎの酸化物又は窒化物から選ばれた一種又は複数種を含むことを特徴とする発光装置。   7. The resistor according to claim 1, wherein the resistor includes one or more selected from oxides or nitrides of Ti, Mo, Ta, Al, W, In, and Zn. Light-emitting device. 請求項１から８のいずれか一項において、前記抵抗体の抵抗値は、前記発光素子に印加する最大定格電圧印加時における内部抵抗の値に対し０．０５〜５０倍の範囲内にあることを特徴とする発光装置。   9. The resistance value according to claim 1, wherein the resistance value of the resistor is in a range of 0.05 to 50 times the value of the internal resistance when the maximum rated voltage applied to the light emitting element is applied. A light emitting device characterized by the above. 請求項１乃至９のいずれか一項において、前記発光素子は、デジタル映像信号に基づき一定電圧が印加されて発光していることを特徴とする発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting element emits light by applying a constant voltage based on a digital video signal. 請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の発光装置を有することを特徴とするテレビ、カメラ、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末又はオーディオ装置。   A television set, a camera, a personal computer, a portable information terminal, or an audio device comprising the light-emitting device according to any one of claims 1 to 10.
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