JP2001319789A - Light emission device and its preparation method - Google Patents
Light emission device and its preparation methodInfo
- Publication number
- JP2001319789A JP2001319789A JP2001056033A JP2001056033A JP2001319789A JP 2001319789 A JP2001319789 A JP 2001319789A JP 2001056033 A JP2001056033 A JP 2001056033A JP 2001056033 A JP2001056033 A JP 2001056033A JP 2001319789 A JP2001319789 A JP 2001319789A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- emitting device
- light emitting
- anode
- cathode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 62
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 8
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 3
- 238000012216 screening Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 169
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 68
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 53
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 13
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 10
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 9
- -1 polyethylene sulphate Polymers 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 5
- JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N trifluorochlorine Chemical compound FCl(F)F JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- INJJUVRCCVMHPA-UHFFFAOYSA-N 2-dodecan-3-ylthiophene Chemical compound CCCCCCCCCC(CC)C1=CC=CS1 INJJUVRCCVMHPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CRFAKQQUNCZMID-UHFFFAOYSA-N 2-octadecan-3-ylthiophene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(CC)C1=CC=CS1 CRFAKQQUNCZMID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LCCZHWHVBHKPCD-UHFFFAOYSA-N 2-octan-3-ylthiophene Chemical compound CCCCCC(CC)C1=CC=CS1 LCCZHWHVBHKPCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- KYXNZHWESMSPDE-UHFFFAOYSA-N CCCCCCCCCCCCCCCCCC(CC)C1=CC=CS1 Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(CC)C1=CC=CS1 KYXNZHWESMSPDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical class C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- DTZWGKCFKSJGPK-VOTSOKGWSA-N (e)-2-(2-methyl-6-(2-(1,1,7,7-tetramethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydropyrido[3,2,1-ij]quinolin-9-yl)vinyl)-4h-pyran-4-ylidene)malononitrile Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 DTZWGKCFKSJGPK-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 2-[2-[(e)-2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- ROTNFTXFUKFPHE-UHFFFAOYSA-N 2-butan-2-ylthiophene Chemical compound CCC(C)C1=CC=CS1 ROTNFTXFUKFPHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJQBWCOFORHRQI-UHFFFAOYSA-N 2-hexan-3-ylthiophene Chemical compound CCCC(CC)C1=CC=CS1 JJQBWCOFORHRQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UKABIYSGSMJORK-UHFFFAOYSA-N 2-methylperylene Chemical group C1=CC(C2=CC(C)=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 UKABIYSGSMJORK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylthiophene Chemical compound CC=1C=CSC=1 QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLDBAXYJAIRQMX-UHFFFAOYSA-N 3-ethylthiophene Chemical compound CCC=1C=CSC=1 SLDBAXYJAIRQMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4h-pyran Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(CCCN2CCC3)=C2C3=C1 ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 125000000732 arylene group Chemical class 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZJUGRUTVANEDW-UHFFFAOYSA-N bromine fluoride Chemical compound BrF MZJUGRUTVANEDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- OMRRUNXAWXNVFW-UHFFFAOYSA-N fluoridochlorine Chemical compound ClF OMRRUNXAWXNVFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- PDJAZCSYYQODQF-UHFFFAOYSA-N iodine monofluoride Chemical compound IF PDJAZCSYYQODQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VJUJMLSNVYZCDT-UHFFFAOYSA-N iodine trifluoride Chemical compound FI(F)F VJUJMLSNVYZCDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- FQFKTKUFHWNTBN-UHFFFAOYSA-N trifluoro-$l^{3}-bromane Chemical compound FBr(F)F FQFKTKUFHWNTBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電極間に発光性材
料を挟んだ素子（以下、発光素子という）を有する装置
（以下、発光装置という）およびその作製方法に関す
る。特に発光性材料としてＥＬ（Electro Luminescenc
e）が得られる発光性材料（以下、ＥＬ材料という）を
利用した発光素子（以下、ＥＬ素子という）を用いた発
光装置（特にＥＬ発光装置という）に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a device (hereinafter, referred to as a light emitting device) having an element having a light emitting material sandwiched between electrodes (hereinafter, referred to as a light emitting device) and a method for manufacturing the same. In particular, EL (Electro Luminescenc) is used as a luminescent material.
The present invention relates to a light-emitting device (in particular, an EL light-emitting device) using a light-emitting element (hereinafter, referred to as an EL element) using a light-emitting material (hereinafter, referred to as an EL material) from which e) is obtained.
【０００２】なお、本発明に用いることのできるＥＬ材
料は、一重項励起もしくは三重項励起または両者の励起
を経由して発光（燐光および／または蛍光）するすべて
の発光性材料を含む。[0002] EL materials that can be used in the present invention include all luminescent materials that emit light (phosphorescence and / or fluorescence) via singlet excitation or triplet excitation or both.
【０００３】[0003]
【従来の技術】近年、ＥＬ発光装置の開発が進んでい
る。ＥＬ発光装置は、陽極と陰極との間にＥＬ材料を挟
んだ構造のＥＬ素子を有した構造からなる。この陽極と
陰極との間に電圧を加えてＥＬ材料中に電流を流するこ
とによりキャリアを再結合させて発光させる。即ち、Ｅ
Ｌ発光装置は発光素子自体に発光能力があるため、液晶
表示装置に用いるようなバックライトが不要である。さ
らに視野角が広く、軽量であり、且つ、低消費電力とい
う利点をもつ。2. Description of the Related Art In recent years, EL light emitting devices have been developed. The EL light emitting device has a structure having an EL element having a structure in which an EL material is interposed between an anode and a cathode. By applying a voltage between the anode and the cathode to cause a current to flow through the EL material, the carriers are recombined to emit light. That is, E
The L light emitting device does not require a backlight as used in a liquid crystal display device because the light emitting element itself has a light emitting ability. Further, it has the advantages of a wide viewing angle, light weight, and low power consumption.
【０００４】ＥＬ発光装置の陽極としては仕事関数の大
きい導電膜、代表的には透明な酸化物導電膜が用いられ
る。酸化物導電膜は可視光を透過するためＥＬ層から発
した光を容易に取り出すことができるが、金属膜に比べ
て抵抗が高いという欠点を持っていた。陽極の抵抗が高
いとＥＬ層に電流を注入する効率が悪くなるばかりでな
く、応答の遅い素子となってしまうといった問題があっ
た。A conductive film having a large work function, typically a transparent oxide conductive film, is used as the anode of the EL light emitting device. The oxide conductive film transmits visible light so that light emitted from the EL layer can be easily extracted, but has a drawback that its resistance is higher than that of a metal film. If the resistance of the anode is high, not only does the efficiency of injecting current into the EL layer deteriorate, but also the device has a slow response.
【０００５】また、酸化物導電膜は蒸着法もしくはスパ
ッタ法により形成されるが、成膜時にゴミが出るなどの
問題が多かった。また、結晶化することでエッチングが
困難になるといった問題もあり、金属膜に比べて取り扱
いが難しい導電膜の一つであった。[0005] Further, the oxide conductive film is formed by a vapor deposition method or a sputtering method, but there are many problems such as generation of dust during film formation. In addition, there is a problem that crystallization makes etching difficult, and this is one of the conductive films that is more difficult to handle than a metal film.
【０００６】ところが、ＥＬ発光装置の陰極が金属膜で
あるため、陽極側には透明な導電膜を用いないと発光が
取り出せないといった問題があった。そのため現状では
陽極材料としては酸化物導電膜を用いる以外になかっ
た。However, since the cathode of the EL light emitting device is a metal film, there is a problem that light cannot be extracted unless a transparent conductive film is used on the anode side. Therefore, at present, there has been no choice but to use an oxide conductive film as the anode material.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】本発明は陽極として酸
化物導電膜の代わりに仕事関数の高い金属膜もしくは半
導体膜を用いることで陽極の抵抗を低め、電流注入効率
が高く、応答性に優れた発光装置を作製することを課題
とする。また、そのために必要な素子構造を有した発光
装置およびそれを用いた電気器具を提供することを課題
とする。According to the present invention, a metal film or a semiconductor film having a high work function is used instead of an oxide conductive film as an anode to reduce the resistance of the anode, to increase the current injection efficiency and to improve the response. It is an object to manufacture a light emitting device. It is another object of the present invention to provide a light-emitting device having an element structure required for that purpose and an electric appliance using the same.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明では、陽極として
仕事関数の高い金属膜もしくは半導体膜を用いるため
に、発光素子の陽極もしくは陰極にスリット（光を遮ら
ないようにするための細隙）を設け、陽極もしくは陰極
としての機能を果たすと同時に光の通路を確保する電極
構造を用いることを特徴とする。このとき、スリットは
陽極に設けても良いし、陰極に設けても良い。また、陽
極と陰極の両方に設けても良い。本発明では光の通路と
してスリットを設けた電極を用いることで、陽極として
金属膜もしくは半導体膜を用いることができる。According to the present invention, since a metal film or a semiconductor film having a high work function is used as an anode, a slit (a gap for preventing light from being blocked) is formed in an anode or a cathode of a light emitting element. And an electrode structure that functions as an anode or a cathode and secures a light passage at the same time is used. At this time, the slit may be provided on the anode or on the cathode. Further, it may be provided on both the anode and the cathode. In the present invention, a metal film or a semiconductor film can be used as an anode by using an electrode provided with a slit as a light passage.
【０００９】ここで、スリットの間隔（隣接するスリッ
ト間の距離）は０．５〜３μｍ（好ましくは１．０〜
２．０μｍ）で、スリットの幅はスリットの間隔の５〜
１５倍が良い。例えば、スリットの間隔が１．５μｍの
とき、スリットの幅は１０〜１５μｍが望ましい。ま
た、陽極においてスリットの占める割合が７０〜９０％
となるように設けると良い。Here, the interval between slits (distance between adjacent slits) is 0.5 to 3 μm (preferably 1.0 to 3 μm).
2.0 μm), and the width of the slit is 5 to 5
15 times better. For example, when the interval between the slits is 1.5 μm, the width of the slit is desirably 10 to 15 μm. The ratio of the slit in the anode is 70 to 90%.
It is good to provide so that it becomes.
【００１０】ＥＬ発光装置において、陽極の役割は正孔
（ホール）を注入することであり、ＥＬ材料よりもＨＯ
ＭＯ準位の高い材料であることが要求される。即ち、仕
事関数の大きい材料であることが望ましい。このような
要求を満たす材料ならば酸化物導電膜に限らず、金属膜
もしくは半導体膜を用いることも可能である。そのよう
な金属膜としては、白金（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）、タ
ングステン（Ｗ）もしくはニッケル（Ｎｉ）を用いるこ
とができる。また、半導体膜としては、シリコン（Ｓ
ｉ）もしくはゲルマニウム（Ｇｅ）を用いることができ
る。In an EL light-emitting device, the role of the anode is to inject holes, and the HO is more HO than the EL material.
It is required that the material has a high MO level. That is, a material having a large work function is desirable. As long as the material satisfies such requirements, not only the oxide conductive film but also a metal film or a semiconductor film can be used. As such a metal film, platinum (Pt), chromium (Cr), tungsten (W), or nickel (Ni) can be used. Further, as the semiconductor film, silicon (S
i) or germanium (Ge) can be used.
【００１１】このように本発明を実施することで、陽極
として使用可能な材料の選択の幅が増加し、従来の発光
装置よりも駆動電圧の低い発光装置や発光輝度の高い発
光装置を得ることが可能となる。また、酸化物導電膜よ
りも抵抗の低い金属膜もしくは半導体膜を陽極として用
いることも可能となるため、電流注入効率が高く、応答
性に優れた発光装置を得ることができる。By implementing the present invention in this manner, the range of choice of materials usable as the anode is increased, and a light emitting device having a lower driving voltage and a higher light emission luminance than a conventional light emitting device can be obtained. Becomes possible. Further, since a metal film or a semiconductor film having lower resistance than the oxide conductive film can be used as the anode, a light-emitting device with high current injection efficiency and excellent responsiveness can be obtained.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図
１、２を用いて説明する。なお、図１、２に示したのは
画素部における作製工程を示す断面図である。また、本
実施の形態によって作製される画素の上面図を図３に示
す。図３に用いた符号は図１、２で用いた符号に対応し
ている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. Note that FIGS. 1 and 2 are cross-sectional views illustrating a manufacturing process in a pixel portion. FIG. 3 is a top view of a pixel manufactured according to this embodiment. The reference numerals used in FIG. 3 correspond to the reference numerals used in FIGS.
【００１３】図１（Ａ）において、１０１は素子が形成
される基板（以下、素子形成基板という）であり、その
上には非晶質シリコン膜からなる剥離層１０２が１００
〜５００ｎｍ（本実施の形態では３００ｎｍ）の厚さに
形成される。本実施の形態では素子形成基板１０１とし
てガラス基板を用いるが、石英基板、シリコン基板、金
属基板もしくはセラミックス基板を用いても構わない。In FIG. 1A, reference numeral 101 denotes a substrate on which an element is formed (hereinafter, referred to as an element forming substrate), on which a release layer 102 made of an amorphous silicon film is provided.
It is formed to a thickness of about 500 nm (300 nm in the present embodiment). In this embodiment mode, a glass substrate is used as the element formation substrate 101; however, a quartz substrate, a silicon substrate, a metal substrate, or a ceramic substrate may be used.
【００１４】なお、本明細書中では、半導体素子もしく
は発光素子が形成された基板全体を指して素子形成基板
と呼ぶ場合もある。In this specification, the entire substrate on which a semiconductor element or a light emitting element is formed may be referred to as an element forming substrate.
【００１５】また、剥離層１０２の成膜は減圧熱ＣＶＤ
法、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法もしくは蒸着法を用
いれば良い。剥離層１０２の上には酸化シリコン膜から
なる絶縁膜１０３が２００ｎｍの厚さに形成される。絶
縁膜１０３の形成は減圧熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ
法、スパッタ法もしくは蒸着法を用いれば良い。The release layer 102 is formed under reduced pressure thermal CVD.
Method, a plasma CVD method, a sputtering method, or an evaporation method may be used. On the release layer 102, an insulating film 103 made of a silicon oxide film is formed to a thickness of 200 nm. The insulating film 103 is formed by a low pressure thermal CVD method or a plasma CVD method.
Method, a sputtering method, or an evaporation method may be used.
【００１６】また、絶縁膜１０３の上には結晶質シリコ
ン膜１０４が５０ｎｍの厚さに形成される。結晶質シリ
コン膜１０４の形成方法としては公知の手段を用いるこ
とが可能である。固体レーザーもしくはエキシマレーザ
ーを用いて非晶質シリコン膜をレーザー結晶化させても
良いし、非晶質シリコン膜を加熱処理（ファーネスアニ
ール）により結晶化させても良い。On the insulating film 103, a crystalline silicon film 104 is formed to a thickness of 50 nm. As a method for forming the crystalline silicon film 104, known means can be used. The amorphous silicon film may be laser-crystallized using a solid-state laser or excimer laser, or the amorphous silicon film may be crystallized by heat treatment (furnace annealing).
【００１７】次に、図１（Ｂ）に示すように、結晶質シ
リコン膜１０４をパターニングして島状の結晶質シリコ
ン膜（以下、活性層という）１０５、１０６を形成す
る。そして活性層を覆って酸化シリコン膜からなるゲー
ト絶縁膜１０７を８０ｎｍの厚さに形成する。さらに、
ゲート絶縁膜１０７の上にゲート電極１０８、１０９を
形成する。本実施の形態ではゲート電極１０８、１０９
の材料として、３５０ｎｍ厚のタングステン膜もしくは
タングステン合金膜を用いる。勿論、ゲート電極の材料
としては他の公知の材料を用いることができる。Next, as shown in FIG. 1B, the crystalline silicon film 104 is patterned to form island-like crystalline silicon films (hereinafter, referred to as active layers) 105 and 106. Then, a gate insulating film 107 made of a silicon oxide film is formed to a thickness of 80 nm so as to cover the active layer. further,
Gate electrodes 108 and 109 are formed on the gate insulating film 107. In this embodiment mode, the gate electrodes 108 and 109
As the material for the first electrode, a tungsten film or a tungsten alloy film having a thickness of 350 nm is used. Of course, other known materials can be used as the material of the gate electrode.
【００１８】そして、ゲート電極１０８、１０９をマス
クとして周期表の１３族に属する元素（代表的にはボロ
ン）を添加する。添加方法は公知の手段を用いれば良
い。こうしてｐ型の導電型を示す不純物領域（以下、ｐ
型不純物領域という）１１０〜１１４が形成される。ま
た、ゲート電極の直下にはチャネル形成領域１１５〜１
１７が画定する。なお、ｐ型不純物領域１１０〜１１４
はＴＦＴのソース領域もしくはドレイン領域となる。Then, an element belonging to Group 13 of the periodic table (typically, boron) is added using the gate electrodes 108 and 109 as a mask. A known method may be used for the addition method. Thus, the impurity region (hereinafter referred to as p
110-114 are formed. In addition, immediately below the gate electrode, channel forming regions 115 to 1 are formed.
17 are defined. The p-type impurity regions 110 to 114
Is the source or drain region of the TFT.
【００１９】次に、図１（Ｃ）に示すように、保護膜
（ここでは窒化シリコン膜）１１８を５０ｎｍの厚さに
形成し、その後、加熱処理を行って添加された周期表の
１３族に属する元素の活性化を行う。この活性化はファ
ーネスアニール、レーザーアニールもしくはランプアニ
ールにより行うか、又はそれらを組み合わせて行えば良
い。本実施の形態では５００℃４時間の加熱処理を窒素
雰囲気で行う。Next, as shown in FIG. 1C, a protective film (silicon nitride film in this case) 118 is formed to a thickness of 50 nm, and then heat treatment is performed to add a group 13 of the periodic table. Activate the elements belonging to This activation may be performed by furnace annealing, laser annealing, lamp annealing, or a combination thereof. In this embodiment, heat treatment at 500 ° C. for 4 hours is performed in a nitrogen atmosphere.
【００２０】活性化が終了したら、水素化処理を行うと
効果的である。水素化処理は公知の水素アニール技術も
しくはプラズマ水素化技術を用いれば良い。After the activation is completed, it is effective to carry out a hydrogenation treatment. The hydrogenation treatment may use a known hydrogen annealing technique or a plasma hydrogenation technique.
【００２１】次に、図１（Ｄ）に示すように、酸化シリ
コン膜からなる第１層間絶縁膜１１９を８００ｎｍの厚
さに形成し、コンタクトホールを形成して配線１２０〜
１２３を形成する。第１層間絶縁膜１１９としては他の
無機絶縁膜を用いても良いし、樹脂（有機絶縁膜）を用
いても良い。本実施の形態では配線１２０〜１２３とし
てチタン／アルミニウム／チタンの三層構造からなる金
属配線を用いる。勿論、導電膜であれば如何なる材料を
用いても良い。配線１２０〜１２３はＴＦＴのソース配
線もしくはドレイン配線となる。Next, as shown in FIG. 1D, a first interlayer insulating film 119 made of a silicon oxide film is formed to a thickness of 800 nm, a contact hole is formed, and the wirings 120 to 120 are formed.
123 is formed. As the first interlayer insulating film 119, another inorganic insulating film may be used, or a resin (organic insulating film) may be used. In this embodiment mode, metal wirings having a three-layer structure of titanium / aluminum / titanium are used as the wirings 120 to 123. Of course, any material may be used as long as it is a conductive film. The wirings 120 to 123 serve as a source wiring or a drain wiring of the TFT.
【００２２】この状態でスイッチング用ＴＦＴ２０１及
び電流制御用ＴＦＴ（駆動用ＴＦＴ）２０２が完成す
る。本実施の形態ではどちらのＴＦＴもｐチャネル型Ｔ
ＦＴで形成される。但し、スイッチング用ＴＦＴ２０１
はゲート電極が活性層を二カ所で横切るように形成され
ており、二つのチャネル形成領域が直列に接続された構
造となっている。このような構造とすることでオフ電流
値（ＴＦＴがオフされた時に流れる電流）を効果的に抑
制することができる。In this state, the switching TFT 201 and the current controlling TFT (driving TFT) 202 are completed. In this embodiment, both TFTs are p-channel TFTs.
It is formed of FT. However, the switching TFT 201
Has a structure in which a gate electrode is formed so as to cross an active layer at two places, and two channel forming regions are connected in series. With such a structure, an off-current value (a current flowing when the TFT is turned off) can be effectively suppressed.
【００２３】また、同時に図３（Ｂ）に示すように保持
容量３０１が形成される。保持容量３０１はＴＦＴの活
性層と同時に形成された半導体層３０２、ゲート絶縁膜
１０７及びゲート電極１０９で形成される下側保持容量
と、ゲート電極１０９、第１層間絶縁膜１１９及び配線
１２３で形成される上側保持容量とで形成される。ま
た、半導体層３０２は配線１２３と電気的に接続されて
いる。At the same time, a storage capacitor 301 is formed as shown in FIG. The storage capacitor 301 is formed by the semiconductor layer 302 formed simultaneously with the active layer of the TFT, the lower storage capacitor formed by the gate insulating film 107 and the gate electrode 109, and the gate electrode 109, the first interlayer insulating film 119, and the wiring 123. And an upper storage capacitor. The semiconductor layer 302 is electrically connected to the wiring 123.
【００２４】次に、図１（Ｅ）に示すように、金属膜を
１００ｎｍの厚さに形成し、パターニングにより画素電
極（ＥＬ素子の陽極として機能する）１２４を形成す
る。このとき、配線１２２と画素電極１２４とはオーミ
ック接触をする。従って、画素電極１２４と電流制御用
ＴＦＴ２０２とは電気的に接続される。なお、金属膜と
しては、白金（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン
（Ｗ）もしくはニッケル（Ｎｉ）を用いることができ
る。また、半導体膜としては、シリコン（Ｓｉ）もしく
はゲルマニウム（Ｇｅ）を用いることができる。Next, as shown in FIG. 1E, a metal film is formed to a thickness of 100 nm, and a pixel electrode (functioning as an anode of an EL element) 124 is formed by patterning. At this time, the wiring 122 and the pixel electrode 124 make ohmic contact. Therefore, the pixel electrode 124 and the current control TFT 202 are electrically connected. Note that platinum (Pt), chromium (Cr), tungsten (W), or nickel (Ni) can be used as the metal film. As the semiconductor film, silicon (Si) or germanium (Ge) can be used.
【００２５】また、ここで形成された画素電極１２４を
上面から見ると図３（Ａ）に示すような構造となってい
る。但し、図３（Ａ）に示す上面図では有機ＥＬ材料お
よび陰極を図示していない。When the pixel electrode 124 formed here is viewed from above, it has a structure as shown in FIG. 3A. Note that the organic EL material and the cathode are not illustrated in the top view illustrated in FIG.
【００２６】図３（Ａ）に示すように、画素電極１２４
は複数のスリット３００を有し、電流制御ＴＦＴ２０２
のドレイン配線１２２に接続される。また、画素電極１
２４はスイッチングＴＦＴ２０１および電流制御ＴＦＴ
２０２のチャネル形成領域を隠す遮光膜としても機能し
ている。また、本実施の形態では、スリット３００の間
隔（図３（Ａ）中のＡで示される距離）を２μｍ、スリ
ットの幅（図３（Ａ）中のＢで示される距離）を２０μ
ｍとする。As shown in FIG. 3A, the pixel electrode 124
Has a plurality of slits 300 and a current control TFT 202
Is connected to the drain wiring 122 of FIG. Also, the pixel electrode 1
24 is a switching TFT 201 and a current control TFT
It also functions as a light shielding film for hiding the channel formation region 202. In the present embodiment, the interval between the slits 300 (the distance indicated by A in FIG. 3A) is 2 μm, and the width of the slits (the distance indicated by B in FIG. 3A) is 20 μm.
m.
【００２７】画素電極１２４を形成したら、酸化シリコ
ン膜からなる第２層間絶縁膜１２５を３００ｎｍの厚さ
に形成する。そして、開口部１２６を形成し、１〜２０
ｎｍ（好ましくは３〜５ｎｍ）の厚さの無機材料からな
る絶縁膜を形成する。この様子を図４に示す。図４
（Ａ）において４０１で示された領域を拡大したのが図
４（Ｂ）である。図４（Ｂ）に示すように画素電極１２
４を覆うように無機材料からなる絶縁膜４０２が形成さ
れている。After the formation of the pixel electrode 124, a second interlayer insulating film 125 made of a silicon oxide film is formed to a thickness of 300 nm. Then, an opening 126 is formed.
An insulating film made of an inorganic material having a thickness of nm (preferably 3 to 5 nm) is formed. This is shown in FIG. FIG.
FIG. 4B is an enlarged view of the area indicated by 401 in FIG. As shown in FIG.
An insulating film 402 made of an inorganic material is formed to cover the insulating film 4.
【００２８】無機材料からなる絶縁膜４０２としては、
珪素を含む絶縁膜（典型的には酸化珪素膜、窒化珪素
膜、窒化酸化珪素膜もしくはこれらにアルミニウムを添
加した膜）、酸化タンタル膜、酸化アルミニウムまたは
非晶質炭素膜（ダイヤモンドライクカーボン膜を含む）
を用いることができる。膜厚はトンネル電流が流れる程
度に薄いことが望ましく、１〜２０ｎｍ（好ましくは３
〜５ｎｍ）とする。As the insulating film 402 made of an inorganic material,
An insulating film containing silicon (typically, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon nitride oxide film, or a film obtained by adding aluminum to them), a tantalum oxide film, an aluminum oxide film, or an amorphous carbon film (such as a diamond-like carbon film) Including)
Can be used. The film thickness is desirably small enough to allow a tunnel current to flow, and is 1 to 20 nm (preferably 3 nm).
５5 nm).
【００２９】図４（Ｂ）のような構造とすると、有機Ｅ
Ｌ層１２７が直接第１層間絶縁膜１１９に触れることが
ない。第１層間絶縁膜１１９として樹脂膜を用いるよう
な場合には有効な構造である。もちろん、無機材料から
なる絶縁膜４０２は省略することも可能である。With the structure shown in FIG.
The L layer 127 does not directly touch the first interlayer insulating film 119. This is an effective structure when a resin film is used as the first interlayer insulating film 119. Of course, the insulating film 402 made of an inorganic material can be omitted.
【００３０】次に、７０ｎｍ厚の有機ＥＬ層１２７及び
３００ｎｍ厚の陰極１２８を蒸着法により形成する。な
お、陰極１２８としては、ＭｇＡｇ（マグネシウムと銀
の合金）膜とアルミニウム膜との積層膜またはリチウム
を含有したアルミニウム膜を用いることができる。Next, an organic EL layer 127 having a thickness of 70 nm and a cathode 128 having a thickness of 300 nm are formed by a vapor deposition method. As the cathode 128, a stacked film of an MgAg (alloy of magnesium and silver) film and an aluminum film or an aluminum film containing lithium can be used.
【００３１】また、本実施の形態では有機ＥＬ層１２７
として２０ｎｍ厚の正孔注入層及び５０ｎｍ厚の発光層
を積層した構造を用いる。勿論、発光層に正孔注入層、
正孔輸送層、電子輸送層もしくは電子注入を組み合わせ
た公知の他の構造を用いても良い。In this embodiment, the organic EL layer 127 is used.
A structure in which a hole injection layer having a thickness of 20 nm and a light emitting layer having a thickness of 50 nm are stacked is used. Of course, the light emitting layer has a hole injection layer,
Other known structures combining a hole transport layer, an electron transport layer, or electron injection may be used.
【００３２】本実施の形態では、正孔注入層としてＣｕ
Ｐｃ（銅フタロシアニン）を用いる。この場合、まず全
ての画素電極を覆うように銅フタロシアニンを形成し、
その後、赤色、緑色及び青色に対応する画素ごとに各々
赤色の発光層、緑色の発光層及び青色の発光層を形成す
る。形成する領域の区別は蒸着時にシャドーマスクを用
いて行えば良い。このようにすることでカラー表示が可
能となる。In this embodiment, Cu is used as the hole injection layer.
Pc (copper phthalocyanine) is used. In this case, first, copper phthalocyanine is formed so as to cover all the pixel electrodes,
Thereafter, a red light emitting layer, a green light emitting layer, and a blue light emitting layer are formed for each of the pixels corresponding to red, green, and blue. The regions to be formed may be distinguished by using a shadow mask at the time of vapor deposition. By doing so, color display becomes possible.
【００３３】なお、緑色の発光層を形成する時は、発光
層の母体材料としてＡｌｑ3（トリス−８−キノリノラ
トアルミニウム錯体）を用い、キナクリドンもしくはク
マリン６をドーパントとして添加する。また、赤色の発
光層を形成する時は、発光層の母体材料としてＡｌｑ3
を用い、ＤＣＪＴ、ＤＣＭ１もしくはＤＣＭ２をドーパ
ントとして添加する。また、青色の発光層を形成する時
は、発光層の母体材料としてＢＡｌｑ3（２−メチル−
８−キノリノールとフェノール誘導体の混合配位子を持
つ５配位の錯体）を用い、ペリレンをドーパントとして
添加する。When a green light emitting layer is formed, Alq 3 (tris-8-quinolinolato aluminum complex) is used as a base material of the light emitting layer, and quinacridone or coumarin 6 is added as a dopant. When a red light emitting layer is formed, Alq 3 is used as a base material of the light emitting layer.
, And DCJT, DCM1 or DCM2 is added as a dopant. When forming a blue light-emitting layer, BAlq 3 (2-methyl-
Perylene is added as a dopant using a 5-coordinate complex having a mixed ligand of 8-quinolinol and a phenol derivative.
【００３４】また、陽極とＥＬ層との間に導電性ポリマ
ーを設けても良い。可溶性の導電性ポリマーを印刷法も
しくはインクジェット法で塗布すると、画素電極１２４
のスリット３００による段差を平坦化するという効果が
得られる。Further, a conductive polymer may be provided between the anode and the EL layer. When a soluble conductive polymer is applied by a printing method or an inkjet method, the pixel electrode 124
The effect of flattening the step due to the slit 300 is obtained.
【００３５】勿論、本願発明では上記有機材料に限定す
る必要はなく、公知の低分子系有機ＥＬ材料、高分子系
有機ＥＬ材料もしくは無機ＥＬ材料を用いることが可能
である。高分子系有機ＥＬ材料を用いる場合は塗布法を
用いることもできる。Of course, in the present invention, it is not necessary to limit to the above-mentioned organic materials, and it is possible to use known low-molecular-weight organic EL materials, high-molecular-weight organic EL materials, or inorganic EL materials. When a polymer organic EL material is used, a coating method can be used.
【００３６】以上のようにして、画素電極（陽極）１２
４、無機材料からなる絶縁膜４０２、有機ＥＬ層１２７
及び陰極１２８からなるＥＬ素子（図３（Ｂ）において
３０３で示される）が形成される。本実施の形態ではこ
のＥＬ素子が発光素子として機能する。As described above, the pixel electrode (anode) 12
4. Insulating film 402 made of inorganic material, organic EL layer 127
Then, an EL element (indicated by reference numeral 303 in FIG. 3B) composed of the cathode 128 and the cathode 128 is formed. In this embodiment mode, this EL element functions as a light emitting element.
【００３７】次に、図２（Ａ）に示すように、第１接着
剤１２９により素子を固定するための基板（以下、固定
基板という）１３０を貼り合わせる。本実施の形態では
固定基板１３０として可撓性のプラスチックフィルムを
用いるが、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、
シリコン基板もしくはセラミックス基板を用いても良
い。なお、プラスチックフィルムとしては、ＰＥＳ（ポ
リエチレンサルファイル）、ＰＣ（ポリカーボネー
ト）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）もしくは
ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）を用いることがで
きる。Next, as shown in FIG. 2A, a substrate (hereinafter, referred to as a fixed substrate) 130 for fixing the element is attached by a first adhesive 129. Although a flexible plastic film is used as the fixed substrate 130 in this embodiment, a glass substrate, a quartz substrate, a plastic substrate,
A silicon substrate or a ceramic substrate may be used. In addition, as a plastic film, PES (polyethylene sulphate), PC (polycarbonate), PET (polyethylene terephthalate) or PEN (polyethylene naphthalate) can be used.
【００３８】また、第１接着剤１２９としては、後に剥
離層１０２を除去する際に選択比のとれる材料を用いる
必要がある。代表的には樹脂からなる絶縁膜を用いるこ
とができ、本実施の形態ではポリイミドを用いるが、ア
クリル、ポリアミドもしくはエポキシ樹脂を用いても良
い。なお、ＥＬ素子から見て観測者側（発光装置の使用
者側）に位置する場合は、光を透過する材料であること
が必要である。Further, as the first adhesive 129, it is necessary to use a material having a selective ratio when the release layer 102 is removed later. Typically, an insulating film made of a resin can be used. In this embodiment, polyimide is used; however, acrylic, polyamide, or epoxy resin may be used. In addition, when it is located on the observer side (user side of the light emitting device) when viewed from the EL element, it is necessary that the material is a material that transmits light.
【００３９】図２（Ａ）のプロセスを行うことによりＥ
Ｌ素子を完全に大気から遮断することができる。これに
より酸化による有機ＥＬ材料の劣化をほぼ完全に抑制す
ることができ、ＥＬ素子の信頼性を大幅に向上させるこ
とができる。By performing the process shown in FIG.
The L element can be completely shielded from the atmosphere. Thereby, the deterioration of the organic EL material due to oxidation can be almost completely suppressed, and the reliability of the EL element can be greatly improved.
【００４０】次に、図２（Ｂ）に示すように、ＥＬ素子
の形成された基板全体を、フッ化ハロゲンを含むガス中
に晒し、剥離層１０２の除去を行う。なお、フッ化ハロ
ゲンとは化学式ＸＦn（Ｘはフッ素以外のハロゲン、ｎ
は整数）で示される物質であり、一フッ化塩素（Ｃｌ
Ｆ）、三フッ化塩素（ＣｌＦ3）、一フッ化臭素（Ｂｒ
Ｆ）、三フッ化臭素（ＢｒＦ3）、一フッ化ヨウ素（Ｉ
Ｆ）もしくは三フッ化ヨウ素（ＩＦ3）を用いることが
できる。Next, as shown in FIG. 2B, the entire substrate on which the EL element is formed is exposed to a gas containing halogen fluoride to remove the peeling layer 102. Note that halogen fluoride is represented by the chemical formula XFn (X is a halogen other than fluorine, n
Is an integer) and chlorine monofluoride (Cl
F), chlorine trifluoride (ClF 3 ), bromine monofluoride (Br)
F), bromine trifluoride (BrF 3 ), iodine monofluoride (I
F) or iodine trifluoride (IF 3 ) can be used.
【００４１】本実施の形態ではフッ化ハロゲンとして三
フッ化塩素（ＣｌＦ3）を用い、希釈ガスとして窒素を
用いる。希釈ガスとしては、アルゴン、ヘリウムもしく
はネオンを用いても良い。流量は共に５００ｓｃｃｍ
（８．３５×１０-6ｍ3／ｓ）とし、反応圧力は１〜１
０Ｔｏｒｒ（１．３×１０2〜１．３×１０3Ｐａ）とす
れば良い。また、処理温度は室温（典型的には２０〜２
７℃）で良い。In this embodiment, chlorine trifluoride (ClF 3 ) is used as halogen fluoride, and nitrogen is used as a diluent gas. Argon, helium, or neon may be used as the diluent gas. Both flow rates are 500sccm
(8.35 × 10 −6 m 3 / s) and the reaction pressure is 1 to 1
The pressure may be set to 0 Torr (1.3 × 10 2 to 1.3 × 10 3 Pa). The processing temperature is room temperature (typically 20 to 2).
7 ° C).
【００４２】この場合、シリコン膜はエッチングされる
が、プラスチックフィルム、ガラス基板、ポリイミド
膜、酸化シリコン膜はエッチングされない。即ち、三フ
ッ化塩素ガスに晒すことで剥離層１０２が選択的にエッ
チングされ、最終的には完全に除去される。なお、同じ
くシリコン膜で形成されている活性層１０５、１０６は
ゲート絶縁膜１０７に覆われているため三フッ化塩素ガ
スに晒されることがなく、エッチングされることはな
い。In this case, the silicon film is etched, but the plastic film, glass substrate, polyimide film, and silicon oxide film are not etched. That is, the release layer 102 is selectively etched by being exposed to chlorine trifluoride gas, and is finally completely removed. Since the active layers 105 and 106 also formed of a silicon film are covered with the gate insulating film 107, they are not exposed to chlorine trifluoride gas and are not etched.
【００４３】本実施の形態の場合、剥離層１０２は露呈
した端部から徐々にエッチングされていき、完全に除去
された時点で素子形成基板１０１と絶縁膜１０３が分離
される。このとき、ＴＦＴ及びＥＬ素子は薄膜を積層し
て形成されているが、固定基板１３０に移された形で残
る。In the case of this embodiment, the peeling layer 102 is gradually etched from the exposed end, and the element forming substrate 101 and the insulating film 103 are separated when completely removed. At this time, the TFT and the EL element are formed by laminating thin films, but remain in a form transferred to the fixed substrate 130.
【００４４】なお、ここでは剥離層１０２が端部からエ
ッチングされていくことになるが、素子形成基板１０１
が大きくなると完全に除去されるまでの時間が長くなり
好ましいものではない。従って、本実施の形態は素子形
成基板１０１が対角３インチ以下（好ましくは対角１イ
ンチ以下）の場合に実施することが望ましい。In this case, although the peeling layer 102 is etched from the end, the element forming substrate 101
Is large, the time required for complete removal is undesirably long. Therefore, this embodiment is desirably implemented when the element forming substrate 101 has a diagonal of 3 inches or less (preferably 1 inch or less).
【００４５】こうして固定基板１３０にＴＦＴ及びＥＬ
素子を移したら、図２（Ｃ）に示すように、第２接着剤
１３１を形成し、プラスチックフィルム１３２を貼り合
わせる。第２接着剤１３１としては樹脂からなる絶縁膜
（代表的にはポリイミド、アクリル、ポリアミドもしく
はエポキシ樹脂）を用いても良いし、無機材料からなる
絶縁膜（代表的には酸化シリコン膜）を用いても良い。
なお、ＥＬ素子から見て観測者側に位置する場合は、光
を透過する材料であることが必要である。Thus, the TFT and the EL are fixed on the fixed substrate 130.
After the transfer of the element, a second adhesive 131 is formed and a plastic film 132 is attached as shown in FIG. As the second adhesive 131, an insulating film made of a resin (typically, polyimide, acrylic, polyamide, or epoxy resin) may be used, or an insulating film made of an inorganic material (typically, a silicon oxide film) may be used. May be.
In addition, when it is located on the observer side when viewed from the EL element, it is necessary that the material is a material that transmits light.
【００４６】こうしてガラス基板１０１からプラスチッ
クフィルム１３２へとＴＦＴ及びＥＬ素子が移される。
その結果、二枚のプラスチックフィルム１３０、１３２
によって挟まれたフレキシブルなＥＬ表示装置を得るこ
とができる。このように固定基板（ここではプラスチッ
クフィルム）１３０と貼り合わせ基板（ここではプラス
チックフィルム）１３２を同一材料とすると熱膨張係数
が等しくなるので、温度変化による応力歪みの影響を受
けにくくすることができる。Thus, the TFT and the EL element are transferred from the glass substrate 101 to the plastic film 132.
As a result, the two plastic films 130, 132
Thus, a flexible EL display device sandwiched therebetween can be obtained. As described above, when the fixed substrate (here, plastic film) 130 and the bonded substrate (here, plastic film) 132 are made of the same material, the thermal expansion coefficients become equal, so that it is possible to reduce the influence of stress distortion due to temperature change. .
【００４７】以上のような本発明の発光装置は、ＥＬ素
子の陽極として金属膜もしくは半導体膜を用いることが
できるため、ゴミの発生等の成膜時の不具合を従来の酸
化物導電膜よりも低減しうる。そのため、作製工程にお
ける歩留まりが向上し、製造コストの低減を図ることが
できる。In the light emitting device of the present invention as described above, since a metal film or a semiconductor film can be used as an anode of an EL element, problems at the time of film formation, such as generation of dust, can be reduced as compared with the conventional oxide conductive film. Can be reduced. Therefore, the yield in the manufacturing process is improved, and the manufacturing cost can be reduced.
【００４８】さらに本実施の形態により作製されたＥＬ
表示装置は、フォトリソグラフィに必要なマスク枚数が
トータルで６枚と非常に少なく、高い歩留まりと低い製
造コストを達成することができる。また、こうして形成
されたＥＬ表示装置は、プラスチック支持体の耐熱性に
制限されることなく形成されたＴＦＴを半導体素子とし
て用いることができるので非常に高性能なものとするこ
とができる。Further, the EL fabricated according to the present embodiment
In the display device, the number of masks required for photolithography is extremely small as a total of six, and a high yield and a low manufacturing cost can be achieved. In addition, the EL display device thus formed can have extremely high performance because the TFT formed without being limited by the heat resistance of the plastic support can be used as a semiconductor element.
【００４９】なお、本発明の構成は、本実施の形態の構
成に限定されるべきものではない。本発明は陰極もしく
は陽極にスリットが設けられている点に特徴があり、そ
の他の構成は如何なる構成であっても良い。例えば、ア
クティブマトリクス型の表示装置に限らず、パッシブマ
トリクス型の表示装置に適用することもできる。The configuration of the present invention is not limited to the configuration of the present embodiment. The present invention is characterized in that a slit is provided in a cathode or an anode, and other configurations may be any configurations. For example, the present invention is not limited to an active matrix display device, and can be applied to a passive matrix display device.
【００５０】[0050]
【実施例】〔実施例１〕本実施例では、図１〜図３とは
異なる構造の画素部を有する発光装置について説明す
る。説明には図５、図６を用いる。[Embodiment 1] In this embodiment, a light emitting device having a pixel portion having a structure different from those of FIGS. 1 to 3 will be described. 5 and 6 are used for the description.
【００５１】まず、図１の作製工程に従って図１（Ｄ）
の工程まで行う。但し、本実施例では画素電極５０１
を、スリットを設けずに形成する。また、本実施例では
画素電極５０１の形成材料として白金を用いる。（図５
（Ａ））First, according to the manufacturing process of FIG.
Up to the step. However, in this embodiment, the pixel electrode 501 is used.
Is formed without providing a slit. In this embodiment, platinum is used as a material for forming the pixel electrode 501. (FIG. 5
(A))
【００５２】次に、発明の実施の形態で説明したよう
に、同様に第２層間絶縁膜１２５を形成し、開口部１２
６を形成して有機ＥＬ層５０２を形成する。ＥＬ層５０
２の形成は実施例１に従えば良い。また、ＥＬ層５０２
の上に陰極５０３を形成する。本実施例では陰極５０３
の材料としてリチウムを添加したアルミニウム膜を用い
る。なお、陰極５０３の成膜は蒸着法を用いるが、本実
施例ではシャドーマスクを用いることによりスリットを
有した陰極とする。ここで図５（Ｂ）の状態の上面図を
図６に示す。Next, as described in the embodiment of the present invention, similarly, the second interlayer insulating film 125 is formed, and the opening 12 is formed.
6 to form an organic EL layer 502. EL layer 50
2 may be formed according to the first embodiment. In addition, the EL layer 502
The cathode 503 is formed on the substrate. In this embodiment, the cathode 503 is used.
An aluminum film to which lithium is added is used as a material for the above. Note that the cathode 503 is formed by an evaporation method. In this embodiment, a cathode having a slit is formed by using a shadow mask. Here, FIG. 6 shows a top view of the state of FIG.
【００５３】図６において、５０３が陰極であり、陰極
５０３には複数のスリット５０４が設けられている。こ
の場合、スリット５０４の部分だけ陰極５０３の下に形
成されたＥＬ層が露呈することになる。そこで本実施例
では図５（Ｃ）に示すように陰極５０３を覆うパッシベ
ーション膜５０５を形成する。In FIG. 6, reference numeral 503 denotes a cathode, and the cathode 503 is provided with a plurality of slits 504. In this case, the EL layer formed below the cathode 503 only at the slit 504 is exposed. Therefore, in this embodiment, a passivation film 505 covering the cathode 503 is formed as shown in FIG.
【００５４】パッシベーション膜５０５としては、無機
材料からなる絶縁膜を用いることができる。本実施例で
は３００ｎｍの厚さの窒化珪素膜を用い、有機ＥＬ層５
０２が外気に触れることを防ぐ構造となっている。この
パッシベーション膜５０５は陰極５０３を形成した後に
大気解放しないで連続的に形成することが望ましい。As the passivation film 505, an insulating film made of an inorganic material can be used. In this embodiment, a silicon nitride film having a thickness of 300 nm is used, and the organic EL layer 5 is formed.
02 has a structure to prevent it from touching the outside air. It is desirable that the passivation film 505 be formed continuously after forming the cathode 503 without exposing it to the atmosphere.
【００５５】このあとは、発明の実施の形態で説明した
ように、第１接着剤１２９により固定基板１３０を貼り
合わせ、ＥＬ素子の形成された基板全体を、フッ化ハロ
ゲンを含むガス中に晒して剥離層１０２の除去を行う。
本実施例ではフッ化ハロゲンとして三フッ化塩素（Ｃｌ
Ｆ3）を用い、希釈ガスとして窒素を用いる。その他の
条件は発明の実施の形態を参照すれば良い。Thereafter, as described in the embodiment of the present invention, the fixed substrate 130 is attached with the first adhesive 129, and the entire substrate on which the EL element is formed is exposed to a gas containing halogen fluoride. Then, the release layer 102 is removed.
In this embodiment, chlorine trifluoride (Cl
F 3 ) and nitrogen as diluent gas. For other conditions, the embodiment of the invention may be referred to.
【００５６】そして、固定基板１３０にＴＦＴ及びＥＬ
素子を移したら、第２接着剤１３１によりプラスチック
フィルム１３２を貼り合わせる。こうしてガラス基板１
０１からプラスチックフィルム１３２へとＴＦＴ及びＥ
Ｌ素子が移され、図５（Ｃ）に示すＥＬ発光装置が得ら
れる。The TFT and the EL are provided on the fixed substrate 130.
After the transfer of the element, a plastic film 132 is bonded with the second adhesive 131. Thus, the glass substrate 1
01 to plastic film 132, TFT and E
The L element is moved, and the EL light emitting device shown in FIG. 5C is obtained.
【００５７】〔実施例２〕本発明において、固定基板及
び／又は貼り合わせ基板の片面もしくは両面にＤＬＣ
（ダイヤモンドライクカーボン）膜を形成しておくこと
は有効である。但し、膜厚が厚すぎると透過率が落ちる
ので、５０ｎｍ以下（好ましくは１０〜２０ｎｍ）とす
ると良い。[Embodiment 2] In the present invention, DLC is applied to one or both surfaces of a fixed substrate and / or a bonded substrate.
It is effective to form a (diamond-like carbon) film in advance. However, if the film thickness is too large, the transmittance is reduced. Therefore, the thickness is preferably 50 nm or less (preferably 10 to 20 nm).
【００５８】ＤＬＣ膜の特徴としては、１５５０ｃｍ-1
くらいに非対称のピークを有し、１３００ｃｍ-1くらい
に肩をもつラマンスペクトル分布を有する。また、微小
硬度計で測定した時に１５〜２５Ｐａの硬度を示すとい
う特徴をもつ。The characteristic of the DLC film is 1550 cm -1
And a Raman spectrum distribution with a shoulder at about 1300 cm -1 . Further, it has a feature of exhibiting a hardness of 15 to 25 Pa when measured by a micro hardness tester.
【００５９】ＤＬＣ膜はプラスチック支持体に比べて硬
度が大きく、熱伝導率も大きいため、表面保護や熱分散
のための保護膜として設けておくことが有効である。Since the DLC film has a higher hardness and a higher thermal conductivity than a plastic support, it is effective to provide a DLC film as a protective film for surface protection and heat dispersion.
【００６０】従って、プラスチック支持体を貼り付ける
前に予めＤＬＣ膜を成膜しておいて貼り付けるか、プラ
スチック支持体を貼り付けた後にＤＬＣ膜を成膜するこ
とも可能である。いずれにしてもＤＬＣ膜の成膜はスパ
ッタ法もしくはＥＣＲプラズマＣＶＤ法を用いれば良
い。Accordingly, it is also possible to form a DLC film in advance before attaching the plastic support, and to attach the DLC film, or to attach the plastic support and then form the DLC film. In any case, the DLC film may be formed by a sputtering method or an ECR plasma CVD method.
【００６１】〔実施例３〕本発明のＥＬ発光装置は図７
に示す回路構成の画素部とすることができる。図７にお
いて、７０１はソース配線、７０２はゲート配線、７０
３はスイッチングＴＦＴ、７０４は電流制御ＴＦＴ、７
０５は電流供給線、７０６はＥＬ素子である。本実施例
ではスイッチングＴＦＴ７０３および電流制御ＴＦＴ７
０４がｐチャネル型ＴＦＴで作製されている。勿論、ス
イッチングＴＦＴ７０３および電流制御ＴＦＴ７０４は
どちらか片方がｎチャネル型ＴＦＴであっても良いし、
両者がｎチャネル型ＴＦＴであっても良い。[Embodiment 3] The EL light emitting device of the present invention is shown in FIG.
A pixel portion having a circuit configuration shown in FIG. 7, 701 is a source wiring, 702 is a gate wiring, 70
3 is a switching TFT, 704 is a current control TFT, 7
05 is a current supply line, and 706 is an EL element. In this embodiment, the switching TFT 703 and the current control TFT 7
04 is made of a p-channel TFT. Of course, one of the switching TFT 703 and the current control TFT 704 may be an n-channel TFT,
Both may be n-channel TFTs.
【００６２】なお、本実施例では図３のコンデンサ３０
１と同じ役割を、電流制御ＴＦＴ７０４のゲート容量で
補っている。これは、デジタル駆動により時分割階調表
示を行う場合、１フレーム期間（もしくは１フィールド
期間）が短いため、電流制御ＴＦＴのゲート容量だけで
電荷を保持しうるためである。In this embodiment, the capacitor 30 shown in FIG.
The same role as 1 is supplemented by the gate capacitance of the current control TFT 704. This is because, when time-division gray scale display is performed by digital driving, since one frame period (or one field period) is short, charges can be held only by the gate capacitance of the current control TFT.
【００６３】なお、本実施例の構成は実施例１、２の構
成と組み合わせて実施することが可能である。The structure of this embodiment can be implemented in combination with the structures of the first and second embodiments.
【００６４】〔実施例４〕実施例３において、図７に示
した画素部の回路構成は、図８に示した回路構成として
も良い。図８において、８０１はソース配線、８０２は
ゲート配線、８０３はスイッチングＴＦＴ、８０４は電
流制御ＴＦＴ、８０５は電流供給線、８０６はＥＬ素子
である。本実施例ではスイッチングＴＦＴ８０３および
電流制御ＴＦＴ８０４がｐチャネル型ＴＦＴで作製され
ている。勿論、スイッチングＴＦＴ７０３および電流制
御ＴＦＴ７０４はどちらか片方がｎチャネル型ＴＦＴで
あっても良いし、両者がｎチャネル型ＴＦＴであっても
良い。[Embodiment 4] In Embodiment 3, the circuit configuration of the pixel section shown in FIG. 7 may be the circuit configuration shown in FIG. 8, reference numeral 801 denotes a source wiring, 802 denotes a gate wiring, 803 denotes a switching TFT, 804 denotes a current control TFT, 805 denotes a current supply line, and 806 denotes an EL element. In this embodiment, the switching TFT 803 and the current control TFT 804 are made of p-channel TFTs. Of course, one of the switching TFT 703 and the current control TFT 704 may be an n-channel TFT, or both may be n-channel TFTs.
【００６５】このとき、ゲート配線８０２と電流供給線
８０５は異なる層に形成されるため、両者が層間絶縁膜
を挟んで重なるように設けることは有効である。このよ
うにすることで実質的に配線の占有面積を共通化するこ
とができ、画素の有効発光面積を増やすことができる。At this time, since the gate wiring 802 and the current supply line 805 are formed in different layers, it is effective to provide both so as to overlap with the interlayer insulating film interposed therebetween. By doing so, the area occupied by the wiring can be substantially shared, and the effective light emitting area of the pixel can be increased.
【００６６】なお、本実施例の構成は実施例１〜３のい
ずれの構成とも自由に組み合わせて実施することが可能
である。The configuration of this embodiment can be implemented by freely combining with any of the configurations of the first to third embodiments.
【００６７】〔実施例５〕本実施例では、本発明のＥＬ
発光装置の外観図を説明する。なお、図９（Ａ）は本発
明のＥＬ発光装置の上面図であり、図９（Ｂ）はその断
面図である。[Embodiment 5] In this embodiment, the EL of the present invention is used.
An external view of the light emitting device will be described. Note that FIG. 9A is a top view of the EL light-emitting device of the present invention, and FIG. 9B is a cross-sectional view thereof.
【００６８】図９（Ａ）において、９０１は素子形成基
板、９０２は画素部、９０３はソース側駆動回路、９０
４はゲート側駆動回路であり、それぞれの駆動回路は配
線９０５を経てＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキッ
ト）９０６に至り、外部機器へと接続される。このと
き、画素部９０２、ソース側駆動回路９０３及びゲート
側駆動回路９０４を囲むようにして第１シール材９１
１、カバー材９１２、接着剤９１３（図９（Ｂ）参照）
及び第２シール材９１４が設けられている。In FIG. 9A, reference numeral 901 denotes an element forming substrate; 902, a pixel portion; 903, a source side driving circuit;
Reference numeral 4 denotes a gate-side drive circuit. Each drive circuit reaches a flexible printed circuit (FPC) 906 via a wiring 905 and is connected to an external device. At this time, the first sealing material 91 is surrounded so as to surround the pixel portion 902, the source side driving circuit 903, and the gate side driving circuit 904.
1, cover material 912, adhesive 913 (see FIG. 9B)
And a second sealing material 914.
【００６９】また、図９（Ｂ）は図９（Ａ）をＡ−Ａ’
で切断した断面図に相当する。このとき、素子形成基板
９０１の上方（厳密には素子形成基板９０１上に設けら
れた絶縁体の上）には駆動回路を形成するＴＦＴ９１、
スイッチングＴＦＴ９２および電流制御ＴＦＴ９３が設
けられる。スイッチングＴＦＴ９２および電流制御ＴＦ
Ｔ９３の形成方法は既に説明したので省略する。本実施
例では電流制御ＴＦＴ９３の画素電極（陽極）にスリッ
トが設けられている。また、駆動回路を形成するＴＦＴ
９３は、公知のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮ
ＭＯＳ回路で形成すれば良い。FIG. 9 (B) shows FIG. 9 (A) by AA '.
It corresponds to the cross-sectional view cut by. At this time, a TFT 91 for forming a driving circuit is provided above the element formation substrate 901 (strictly, on an insulator provided on the element formation substrate 901).
A switching TFT 92 and a current control TFT 93 are provided. Switching TFT 92 and current control TF
The method of forming T93 has already been described, and a description thereof will be omitted. In this embodiment, a slit is provided in the pixel electrode (anode) of the current control TFT 93. Also, a TFT forming a driving circuit
93 is a known CMOS circuit, PMOS circuit or N
What is necessary is just to form with a MOS circuit.
【００７０】ＥＬ素子の陰極は９１５で示される領域に
おいて配線９０５に電気的に接続される。配線９０５は
陰極に所定の電圧を与えるための配線であり、異方導電
性フィルム９１６を介してＦＰＣ９０６に電気的に接続
される。さらにＥＬ素子は、第１シール材９１１及びそ
れによって基板９０１に貼り合わされたカバー材９１２
で囲まれ、接着剤９１３により封入されている。The cathode of the EL element is electrically connected to the wiring 905 in a region 915. The wiring 905 is a wiring for applying a predetermined voltage to the cathode, and is electrically connected to the FPC 906 via the anisotropic conductive film 916. The EL element further includes a first sealing material 911 and a cover material 912 bonded to the substrate 901 by the first sealing material 911.
And enclosed by an adhesive 913.
【００７１】なお、接着剤９１３の中にスペーサを含有
させてもよい。このとき、スペーサを酸化バリウムで形
成すればスペーサ自体に吸湿性をもたせることが可能で
ある。また、スペーサを設けた場合、スペーサからの圧
力を緩和するバッファ層として陰極上に樹脂膜を設ける
ことも有効である。Note that the adhesive 913 may contain a spacer. At this time, if the spacer is made of barium oxide, the spacer itself can have hygroscopicity. When a spacer is provided, it is also effective to provide a resin film on the cathode as a buffer layer for relaxing the pressure from the spacer.
【００７２】また、接着剤９１３の代わりに不活性ガス
（希ガスもしくは窒素ガス）を封入することもできる。
この際、加圧雰囲気で不活性ガスの封入工程を行えば、
外部からの酸素や水の侵入を効果的に防ぐことが可能で
ある。Further, an inert gas (a rare gas or a nitrogen gas) can be filled in place of the adhesive 913.
At this time, if the inert gas sealing step is performed in a pressurized atmosphere,
It is possible to effectively prevent entry of oxygen or water from the outside.
【００７３】また、配線９０５は異方導電性フィルム９
１６を介してＦＰＣ９０６に電気的に接続される。配線
９０５は画素部９０２、ソース側駆動回路９０３及びゲ
ート側駆動回路９０４に送られる信号をＦＰＣ９０６に
伝え、ＦＰＣ９０６により外部機器と電気的に接続され
る。The wiring 905 is formed by the anisotropic conductive film 9.
16 and is electrically connected to the FPC 906. The wiring 905 transmits a signal transmitted to the pixel portion 902, the source driver circuit 903, and the gate driver circuit 904 to the FPC 906, and is electrically connected to an external device by the FPC 906.
【００７４】また、本実施例では第１シール材９１１の
露呈部及びＦＰＣ９０６の一部を覆うように第２シール
材９１４を設け、ＥＬ素子を徹底的に外気から遮断する
構造となっている。こうして図９（Ｂ）の断面構造を有
するＥＬ発光装置となる。なお、本実施例のＥＬ発光装
置は実施例１〜４のいずれの構成を組み合わせて作製し
ても構わない。Further, in this embodiment, a second sealing material 914 is provided so as to cover the exposed portion of the first sealing material 911 and a part of the FPC 906, so that the EL element is completely shielded from the outside air. Thus, an EL light emitting device having the cross-sectional structure of FIG. 9B is obtained. Note that the EL light emitting device of this embodiment may be manufactured by combining any of the configurations of the first to fourth embodiments.
【００７５】〔実施例６〕本実施例では、本発明のＥＬ
発光装置の画素構造について図１０（Ａ）、（Ｂ）に示
す。本実施例において、１００１はスイッチングＴＦＴ
１００２のソース配線、１００３はスイッチングＴＦＴ
１００２のゲート配線、１００４は電流制御ＴＦＴ、１
００５はコンデンサ（省略することも可能）、１００６
は電流供給線、１００７は電源制御ＴＦＴ、１００８は
ＥＬ素子、１００９は電源制御線とする。このとき、ソ
ース配線１００１、ゲート配線１００３、電流供給線１
００６および電源制御線１００９が同一の層に同一の導
電膜で形成される。[Embodiment 6] In this embodiment, the EL of the present invention is used.
FIGS. 10A and 10B illustrate a pixel structure of a light-emitting device. In this embodiment, reference numeral 1001 denotes a switching TFT.
Source wiring 1002, switching TFT 1003
1002 is a gate wiring, 1004 is a current control TFT, 1
005 is a capacitor (can be omitted), 1006
Is a current supply line, 1007 is a power control TFT, 1008 is an EL element, and 1009 is a power control line. At this time, the source wiring 1001, the gate wiring 1003, the current supply line 1
006 and the power supply control line 1009 are formed in the same layer with the same conductive film.
【００７６】なお、電源制御ＴＦＴ１００７の動作につ
いては特願平１１−３４１２７２号を参照すると良い。
ただし本実施例では電源制御ＴＦＴを電流制御ＴＦＴと
同一構造のｐチャネル型ＴＦＴとする。For the operation of the power supply control TFT 1007, refer to Japanese Patent Application No. 11-341272.
However, in this embodiment, the power supply control TFT is a p-channel TFT having the same structure as the current control TFT.
【００７７】また、本実施例では電源制御ＴＦＴ１００
７を電流制御ＴＦＴ１００４とＥＬ素子１００８との間
に設けているが、電源制御ＴＦＴ１００７とＥＬ素子１
００８との間に電流制御ＴＦＴ１００４が設けられた構
造としても良い。また、電源制御ＴＦＴ１００７は電流
制御ＴＦＴ１００４と同一構造とするか、同一の活性層
で直列させて形成するのが好ましい。In this embodiment, the power supply control TFT 100
7 is provided between the current control TFT 1004 and the EL element 1008.
008 may be provided with a current control TFT 1004. It is preferable that the power supply control TFT 1007 has the same structure as the current control TFT 1004 or is formed in series with the same active layer.
【００７８】また、図１０（Ａ）は、二つの画素間で電
流供給線１００６を共通とした場合の例である。即ち、
二つの画素が電流供給線１００６を中心に線対称となる
ように形成されている点に特徴がある。この場合、電流
供給線の本数を減らすことができるため、画素部をさら
に高精細化することができる。また、図１０（Ｂ）は、
ゲート配線１００３と平行に電流供給線１０１０を設
け、ソース配線１００１と平行に電源制御線１０１１を
設けた場合の例である。FIG. 10A shows an example in which the current supply line 1006 is shared between two pixels. That is,
It is characterized in that two pixels are formed so as to be line-symmetric with respect to the current supply line 1006. In this case, the number of current supply lines can be reduced, so that the pixel portion can have higher definition. Further, FIG.
This is an example in which a current supply line 1010 is provided in parallel with a gate wiring 1003 and a power supply control line 1011 is provided in parallel with a source wiring 1001.
【００７９】なお、本実施例の構成は実施例１〜５のい
ずれの構成とも自由に組み合わせて実施することが可能
である。The structure of this embodiment can be implemented by freely combining with any of the structures of the first to fifth embodiments.
【００８０】〔実施例７〕本実施例では、本発明のＥＬ
発光装置の画素構造について図１１（Ａ）、（Ｂ）に示
す。なお、本実施例において、１１０１はスイッチング
ＴＦＴ１１０２のソース配線、１１０３はスイッチング
ＴＦＴ１１０２のゲート配線、１１０４は電流制御ＴＦ
Ｔ、１１０５はコンデンサ（省略することも可能）、１
１０６は電流供給線、１１０７は消去ＴＦＴ、１１０８
は消去用ゲート配線、１１０９はＥＬ素子とする。この
とき、ソース配線１１０１、ゲート配線１１０３、電流
供給線１１０６および消去用ゲート配線１１０８が同一
の層に同一の導電膜で形成される。[Embodiment 7] In this embodiment, the EL of the present invention is used.
FIGS. 11A and 11B illustrate a pixel structure of a light-emitting device. In this embodiment, 1101 is a source wiring of the switching TFT 1102, 1103 is a gate wiring of the switching TFT 1102, and 1104 is a current control TF.
T, 1105 are capacitors (can be omitted), 1
106 is a current supply line, 1107 is an erasing TFT, 1108
Denotes an erasing gate wiring, and 1109 denotes an EL element. At this time, the source wiring 1101, the gate wiring 1103, the current supply line 1106, and the erasing gate wiring 1108 are formed in the same layer with the same conductive film.
【００８１】なお、消去ＴＦＴ１１０７の動作について
は特願平１１−３３８７８６号を参照すると良い。ただ
し本実施例では電源制御ＴＦＴを電流制御ＴＦＴと同一
構造のｐチャネル型ＴＦＴとする。また、特願平１１−
３３８７８６号では消去用ゲート配線を消去用ゲート信
号線と呼んでいる。For the operation of the erasing TFT 1107, refer to Japanese Patent Application No. 11-338786. However, in this embodiment, the power supply control TFT is a p-channel TFT having the same structure as the current control TFT. Also, Japanese Patent Application No. 11-
In 338786, the erasing gate wiring is called an erasing gate signal line.
【００８２】消去ＴＦＴ１１０７のドレインは電流制御
ＴＦＴ１１０４のゲートに接続され、電流制御ＴＦＴ１
１０４のゲート電圧を強制的に変化させることができる
ようになっている。なお、消去ＴＦＴ１１０７はｐチャ
ネル型ＴＦＴとし、オフ電流を小さくできるようにスイ
ッチング用ＴＦＴ１１０２と同一構造とすることが好ま
しい。The drain of the erase TFT 1107 is connected to the gate of the current control TFT 1104, and the current control TFT 1104
The gate voltage of 104 can be forcibly changed. Note that the erasing TFT 1107 is preferably a p-channel TFT and preferably has the same structure as the switching TFT 1102 so that off-state current can be reduced.
【００８３】また、図１１（Ａ）は、二つの画素間で電
流供給線１１０６を共通とした場合の例である。即ち、
二つの画素が電流供給線１１０６を中心に線対称となる
ように形成されている点に特徴がある。この場合、電流
供給線の本数を減らすことができるため、画素部をさら
に高精細化することができる。また、図１１（Ｂ）は、
ゲート配線１１０３と平行に電流供給線１１１０を設
け、ソース配線１１０１と平行に消去ゲート配線１１１
１を設けた場合の例である。FIG. 11A shows an example in which the current supply line 1106 is shared between two pixels. That is,
It is characterized in that two pixels are formed to be line-symmetric with respect to the current supply line 1106. In this case, the number of current supply lines can be reduced, so that the pixel portion can have higher definition. Further, FIG.
A current supply line 1110 is provided in parallel with the gate wiring 1103, and an erase gate wiring 111 is provided in parallel with the source wiring 1101.
This is an example in the case where 1 is provided.
【００８４】なお、本実施例の構成は実施例１〜５のい
ずれの構成とも自由に組み合わせて実施することが可能
である。The structure of this embodiment can be implemented by freely combining with any of the structures of the first to fifth embodiments.
【００８５】〔実施例８〕本発明のＥＬ発光装置は画素
内にいくつのＴＦＴを設けた構造としても良い。実施例
６、７ではＴＦＴを三つ設けた例を示しているが、四つ
乃至六つのＴＦＴを設けても構わない。本発明はＥＬ発
光装置の画素構造に限定されずに実施することが可能で
ある。[Embodiment 8] The EL light emitting device of the present invention may have a structure in which any number of TFTs are provided in a pixel. Embodiments 6 and 7 show an example in which three TFTs are provided, but four to six TFTs may be provided. The present invention can be implemented without being limited to the pixel structure of the EL light emitting device.
【００８６】なお、本実施例の構成は実施例１〜５のい
ずれの構成とも自由に組み合わせて実施することが可能
である。The structure of this embodiment can be implemented by freely combining with any of the structures of the first to fifth embodiments.
【００８７】〔実施例９〕「発明の実施の形態」におい
て、絶縁膜１０３に窒化珪素膜もしくは窒化酸化珪素膜
を設け、保護膜１１８に窒化珪素膜もしくは窒化酸化珪
素膜を設ける構成とすることが好ましい。[Embodiment 9] In Embodiment 9, a silicon nitride film or a silicon nitride oxide film is provided for the insulating film 103, and a silicon nitride film or a silicon nitride oxide film is provided for the protective film 118. Is preferred.
【００８８】このような構造とすると、スイッチング用
ＴＦＴ２０１および電流制御用ＴＦＴ２０２が窒化珪素
膜もしくは窒化酸化珪素膜で挟まれた構造となり、外部
からの水分や可動イオンの侵入を効果的に防ぐことがで
きる。With such a structure, the switching TFT 201 and the current control TFT 202 are sandwiched between a silicon nitride film or a silicon nitride oxide film, so that the intrusion of moisture and mobile ions from the outside can be effectively prevented. it can.
【００８９】また、第１層間絶縁膜１１９として有機絶
縁膜を用いる場合、第１層間絶縁膜１１９と画素電極１
２４の間に窒化珪素膜もしくはＤＬＣ（ダイヤモンドラ
イクカーボン）膜を設け、さらに陰極１２８の上に前述
の窒化珪素膜もしくはＤＬＣ膜を設けることは好まし
い。When an organic insulating film is used as the first interlayer insulating film 119, the first interlayer insulating film 119 and the pixel electrode 1
It is preferable to provide a silicon nitride film or a DLC (diamond-like carbon) film between the gate electrodes 24 and further provide the silicon nitride film or the DLC film on the cathode 128.
【００９０】このような構造とすると、ＥＬ素子３０３
が窒化珪素膜もしくはＤＬＣ膜で挟まれた構造となり、
外部からの水分や可動イオンの侵入を防ぐだけでなく、
酸素の侵入をも効果的に防ぐことができる。ＥＬ素子中
の発光層などの有機材料は酸素によって容易に酸化して
劣化するため、本実施例のような構造とすることで大幅
に信頼性を向上することができる。With such a structure, the EL element 303
Is sandwiched between silicon nitride films or DLC films,
Not only does it prevent moisture and mobile ions from entering from outside,
Intrusion of oxygen can also be effectively prevented. An organic material such as a light-emitting layer in an EL element is easily oxidized and deteriorated by oxygen. Therefore, the structure as in this embodiment can significantly improve reliability.
【００９１】以上のように、ＴＦＴを保護するための対
策とＥＬ素子を保護するための対策を併用して施すこと
で電子装置全体の信頼性を高めることができる。As described above, the reliability of the entire electronic device can be improved by taking both the measures for protecting the TFT and the measures for protecting the EL element.
【００９２】なお、本実施例の構成は、実施例１〜実施
例８のいずれの構成とも自由に組み合わせることが可能
である。The structure of this embodiment can be freely combined with any of the structures of the first to eighth embodiments.
【００９３】〔実施例１０〕本実施例では、スリットを
設けた画素電極の上に導電性ポリマー膜を形成した例を
図１５に示す。なお、本実施例の発光装置は、ＥＬ層の
構成以外の構成において[Embodiment 10] In this embodiment, FIG. 15 shows an example in which a conductive polymer film is formed on a pixel electrode provided with a slit. Note that the light emitting device of this embodiment has a configuration other than the configuration of the EL layer.
【発明の実施の形態】に示した発光装置と同じである。
従って、ＥＬ層の構成以外の説明は省略する。This is the same as the light emitting device shown in the preferred embodiment.
Therefore, description other than the structure of the EL layer is omitted.
【００９４】導電性ポリマーとしては、共役系高分子で
あるポリアセチレン、ポリチオフェン、ポリ（３−メチ
ル）チオフェン、ポリ（３−エチル）チオフェン、ポリ
（３−ｎ−ブチル）チオフェン、ポリ（３−ヘキシル）
チオフェン、ポリ（３−オクチル）チオフェン、ポリ
（３−ドデシル）チオフェン、ポリ（３−オクタデシ
ル）チオフェン、ポリ（３−アイコシル）チオフェンも
しくはポリ（３−メチル−Ｃｏ−ブチル）チオフェン
に、ドーパントとしてＰＦ6 -、臭素もしくはヨウ素を用
いたものを用いることができる。Examples of the conductive polymer include conjugated polymers such as polyacetylene, polythiophene, poly (3-methyl) thiophene, poly (3-ethyl) thiophene, poly (3-n-butyl) thiophene, and poly (3-hexyl). )
Thiophene, poly (3-octyl) thiophene, poly (3-dodecyl) thiophene, poly (3-octadecyl) thiophene, poly (3-icosyl) thiophene or poly (3-methyl-Co-butyl) thiophene; 6 -, it can be used with bromine or iodine.
【００９５】なお、ポリ（３−ヘキシル）チオフェン、
ポリ（３−オクチル）チオフェン、ポリ（３−ドデシ
ル）チオフェン、ポリ（３−オクタデシル）チオフェ
ン、ポリ（３−アイコシル）チオフェン及びポリ（３−
メチル−Ｃｏ−ブチル）チオフェンは可溶性である。溶
媒としては、クロロホルム、ベンゼンもしくはテトラリ
ンなどを用いることができる。Incidentally, poly (3-hexyl) thiophene,
Poly (3-octyl) thiophene, poly (3-dodecyl) thiophene, poly (3-octadecyl) thiophene, poly (3-icosyl) thiophene and poly (3-
Methyl-Co-butyl) thiophene is soluble. As a solvent, chloroform, benzene, tetralin, or the like can be used.
【００９６】本実施例では、スリット３００を設けた画
素電極（陽極）１２４上に導電性ポリマー膜１５０を１
０〜５０ｎｍ（好ましくは２０〜３０ｎｍ）の厚さに形
成する。導電性ポリマー膜１５０として可溶性のものを
用い、印刷法もしくはインクジェット法により成膜すれ
ばスリット３００による段差を平坦化することが可能で
ある。In this embodiment, one conductive polymer film 150 is formed on the pixel electrode (anode) 124 provided with the slit 300.
It is formed to a thickness of 0 to 50 nm (preferably 20 to 30 nm). If a soluble polymer is used as the conductive polymer film 150 and the film is formed by a printing method or an ink-jet method, the step due to the slit 300 can be flattened.
【００９７】そして、導電性ポリマー膜１５０上に、発
光層１５１としてＡｌｑ3を蒸着法により形成する。勿
論、公知の発光層で代用しても良い。Then, Alq 3 is formed as the light emitting layer 151 on the conductive polymer film 150 by a vapor deposition method. Of course, a known light emitting layer may be used instead.
【００９８】こうしてＥＬ層が形成されたら、その上に
陰極１２８としてリチウムを含有したアルミニウム膜を
形成する。After the EL layer is thus formed, an aluminum film containing lithium is formed as a cathode 128 thereon.
【００９９】以上のようにして、画素電極１２４、導電
性ポリマー膜１５０、発光層１５１および陰極１２８か
らなるＥＬ素子１５２が形成される。As described above, the EL element 152 including the pixel electrode 124, the conductive polymer film 150, the light emitting layer 151, and the cathode 128 is formed.
【０１００】なお、本実施例の構成は、実施例１〜９の
いずれの構成とも組み合わせて実施することが可能であ
る。The structure of this embodiment can be implemented in combination with any of the structures of the first to ninth embodiments.
【０１０１】〔実施例１１〕本実施例ではＥＬ層および
陰極を形成するための成膜装置について図１２を用いて
説明する。図１２において、１２０１は搬送室（Ａ）で
あり、搬送室（Ａ）１２０１には搬送機構（Ａ）１２０
２が備えられ、基板１２０３の搬送が行われる。搬送室
（Ａ）１２０１は減圧雰囲気にされており、各処理室と
はゲートによって遮断されている。各処理室への基板の
受け渡しは、ゲートを開けた際に搬送機構（Ａ）によっ
て行われる。[Embodiment 11] In this embodiment, a film forming apparatus for forming an EL layer and a cathode will be described with reference to FIG. 12, reference numeral 1201 denotes a transfer chamber (A), and a transfer mechanism (A) 120 is provided in the transfer chamber (A) 1201.
2 is provided, and the substrate 1203 is transported. The transfer chamber (A) 1201 is in a reduced pressure atmosphere, and is isolated from each processing chamber by a gate. The transfer of the substrate to each processing chamber is performed by the transfer mechanism (A) when the gate is opened.
【０１０２】また、搬送室（Ａ）１２０１を減圧するた
めにクライオポンプを用いる。なお、図１２の成膜装置
では、搬送室（Ａ）１２０１の側面に排気ポート１２０
４が設けられ、その下に排気ポンプが設置される。この
ような構造とすると排気ポンプのメンテナンスが容易に
なるという利点がある。Further, a cryopump is used to decompress the transfer chamber (A) 1201. In the film forming apparatus of FIG. 12, the exhaust port 120 is provided on the side of the transfer chamber (A) 1201.
4 is provided, and an exhaust pump is installed thereunder. With such a structure, there is an advantage that maintenance of the exhaust pump is facilitated.
【０１０３】以下に、各処理室についての説明を行う。
なお、搬送室（Ａ）１２０１は減圧雰囲気となるので、
搬送室（Ａ）１２０１に直接的に連結された処理室には
全て排気ポンプ（図示せず）が備えられている。排気ポ
ンプとしては油回転ポンプ、メカニカルブースターポン
プ、ターボ分子ポンプもしくはクライオポンプが用いら
れる。Hereinafter, each processing chamber will be described.
Since the transfer chamber (A) 1201 has a reduced pressure atmosphere,
All processing chambers directly connected to the transfer chamber (A) 1201 are provided with exhaust pumps (not shown). As the exhaust pump, an oil rotary pump, a mechanical booster pump, a turbo molecular pump, or a cryopump is used.
【０１０４】まず、１２０５は基板のセッティング（設
置）を行うストック室であり、ロードロック室とも呼ば
れる。ストック室１２０５はゲート１２００aにより搬
送室（Ａ）１２０１と遮断され、ここに基板１２０３を
セットしたキャリア（図示せず）が配置される。また、
ストック室１２０５は上述の排気ポンプと高純度の窒素
ガスまたは希ガスを導入するためのパージラインを備え
ている。First, reference numeral 1205 denotes a stock room for setting (installing) a substrate, which is also called a load lock room. The stock chamber 1205 is cut off from the transfer chamber (A) 1201 by the gate 1200a, and a carrier (not shown) on which the substrate 1203 is set is disposed here. Also,
The stock chamber 1205 includes the above-described exhaust pump and a purge line for introducing high-purity nitrogen gas or rare gas.
【０１０５】また、本実施例では基板１２０３を、素子
形成面を下向きにしてキャリアにセットする。これは後
に蒸着法による成膜を行う際に、フェイスダウン方式を
行いやすくするためである。フェイスダウン方式とは、
基板の素子形成面が下を向いた状態で成膜する方式をい
い、この方式によればゴミの付着などを抑えることがで
きる。In this embodiment, the substrate 1203 is set on a carrier with the element forming surface facing downward. This is for facilitating the face-down method when forming a film later by the vapor deposition method. What is the face-down method?
A method of forming a film in a state where the element formation surface of the substrate faces downward. According to this method, adhesion of dust and the like can be suppressed.
【０１０６】次に、１２０６は搬送室（Ｂ）であり、ス
トック室１２０５とはゲート１２００bを介して連結さ
れ、搬送機構（Ｂ）１２０７を備えている。また、１２
０８は焼成室（ベーク室）であり、ゲート１２００cを
介して搬送室（Ｂ）１２０６と連結している。Reference numeral 1206 denotes a transfer chamber (B). The transfer chamber (B) is connected to the stock chamber 1205 via a gate 1200b, and has a transfer mechanism (B) 1207. Also, 12
Reference numeral 08 denotes a baking chamber (bake chamber), which is connected to the transfer chamber (B) 1206 via the gate 1200c.
【０１０７】なお、焼成室１２０８は基板の面の上下を
反転させる機構を有する。即ち、フェイスダウン方式で
搬送されてきた基板はここで一旦フェイスアップ方式に
切り替わる。これは次のスピンコータ室１２０９での処
理がフェイスアップ方式で行えるようにするためであ
る。また逆に、スピンコータ室１２０９で処理を終えた
基板は再び焼成室１２０８に戻ってきて焼成され、再び
上下を反転させてフェイスダウン方式に切り替わり、ス
トック室１２０５へ戻る。Note that the firing chamber 1208 has a mechanism for inverting the surface of the substrate. That is, the substrate transported by the face-down method is temporarily switched to the face-up method here. This is to enable the next processing in the spin coater room 1209 to be performed in a face-up manner. Conversely, the substrate that has been processed in the spin coater chamber 1209 returns to the firing chamber 1208 and is fired again, is turned upside down again, switches to the face-down method, and returns to the stock chamber 1205.
【０１０８】ところでスピンコータ室１２０９はゲート
１２００dを介して搬送室（Ｂ）１２０６と連結してい
る。スピンコータ室１２０９はＥＬ材料を含む溶液を基
板上に塗布することでＥＬ材料を含む膜を形成する成膜
室であり、主に高分子系（ポリマー系）有機ＥＬ材料を
成膜する。このとき、成膜室は常に窒素やアルゴンなど
の不活性ガスで充填しておく。Incidentally, the spin coater chamber 1209 is connected to the transfer chamber (B) 1206 through the gate 1200d. The spin coater chamber 1209 is a film formation chamber for forming a film containing an EL material by applying a solution containing the EL material onto a substrate, and mainly forms a film of a polymer (polymer) organic EL material. At this time, the film formation chamber is always filled with an inert gas such as nitrogen or argon.
【０１０９】なお、成膜されるＥＬ材料は、発光層とし
て用いるものだけでなく、電荷注入層または電荷輸送層
をも含む。また、公知の如何なる高分子系有機ＥＬ材料
を用いても良い。発光層となる代表的な有機ＥＬ材料と
しては、ＰＰＶ（ポリパラフェニレンビニレン）誘導
体、ＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）誘導体またはポ
リフルオレン誘導体が挙げられる。これはπ共役ポリマ
ーとも呼ばれる。また、電荷注入層としては、ＰＥＤＯ
Ｔ（ポリチオフェン）またはＰＡｎｉ（ポリアニリン）
が挙げられる。The EL material to be formed includes not only a material used as a light emitting layer but also a charge injection layer or a charge transport layer. Further, any known polymer organic EL material may be used. As a typical organic EL material to be a light emitting layer, a PPV (polyparaphenylenevinylene) derivative, a PVK (polyvinylcarbazole) derivative, or a polyfluorene derivative can be given. This is also called a π-conjugated polymer. Also, as the charge injection layer, PEDO
T (polythiophene) or PAni (polyaniline)
Is mentioned.
【０１１０】次に、１２１０で示されるのはＥＬ素子の
画素電極となる陰極もしくは陽極の表面を処理する処理
室（以下、前処理室という）であり、前処理室１２１０
はゲート１２００eにより搬送室（Ａ）１２０１と遮断
される。前処理室はＥＬ素子の作製プロセスによって様
々に変えることができるが、ここでは画素電極の表面に
紫外光を照射しつつ１００〜１２０℃で加熱できるよう
にする。このような前処理は、ＥＬ素子の陽極表面を処
理する際に有効である。Next, reference numeral 1210 denotes a processing chamber for processing the surface of a cathode or an anode serving as a pixel electrode of an EL element (hereinafter referred to as a preprocessing chamber).
Is separated from the transfer chamber (A) 1201 by the gate 1200e. The pretreatment chamber can be variously changed depending on the manufacturing process of the EL element. Here, the pretreatment chamber is heated at 100 to 120 ° C. while irradiating the surface of the pixel electrode with ultraviolet light. Such a pretreatment is effective when treating the anode surface of the EL element.
【０１１１】次に、１２１１は蒸着法により導電膜また
はＥＬ材料を形成するための蒸着室であり、ゲート１２
００fを介して搬送室（Ａ）１２０１に連結される。蒸
着室１２１１は内部に複数の蒸着源を設置できる。ま
た、抵抗加熱または電子ビームにより蒸着源を蒸発さ
せ、成膜を行うことができる。Next, reference numeral 1211 denotes an evaporation chamber for forming a conductive film or an EL material by an evaporation method.
00f is connected to the transfer chamber (A) 1201. A plurality of evaporation sources can be installed inside the evaporation chamber 1211. Further, the evaporation source can be evaporated by resistance heating or an electron beam to form a film.
【０１１２】この蒸着室１２１１で形成される導電膜は
ＥＬ素子の陰極側の電極として設けられる導電膜であ
り、仕事関数の小さい金属、代表的には周期表の１族も
しくは２族に属する元素（代表的にはリチウム、マグネ
シウム、セシウム、カルシウム、カリウム、バリウム、
ナトリウムもしくはベリリウム）またはそれらに近い仕
事関数をもつ金属を蒸着できる。また、低抵抗な導電膜
としてアルミニウム、銅もしくは銀を蒸着することもで
きる。さらに、透明導電膜として酸化インジウムと酸化
スズとの化合物からなる導電膜や酸化インジウムと酸化
亜鉛との化合物からなる導電膜を蒸着法により形成する
ことも可能である。The conductive film formed in the vapor deposition chamber 1211 is a conductive film provided as an electrode on the cathode side of the EL element, and is a metal having a small work function, typically, an element belonging to Group 1 or 2 of the periodic table. (Typically lithium, magnesium, cesium, calcium, potassium, barium,
Sodium or beryllium) or a metal having a work function close to them. Alternatively, aluminum, copper, or silver can be deposited as a low-resistance conductive film. Further, as a transparent conductive film, a conductive film made of a compound of indium oxide and tin oxide or a conductive film made of a compound of indium oxide and zinc oxide can be formed by an evaporation method.
【０１１３】また、蒸着室１２１１では公知のあらゆる
ＥＬ材料（特に低分子系有機ＥＬ材料）を形成すること
が可能である。発光層の代表例としてはＡｌｑ3（トリ
ス−８−キノリノラトアルミニウム錯体）もしくはＤＳ
Ａ（ジスチルアリーレン誘導体）があり、電荷注入層の
代表例としてはＣｕＰｃ（銅フタロシアニン）、ＬｉＦ
（フッ化リチウム）もしくはａｃａｃＫ（カリウムアセ
チルアセトネート）があり、電荷輸送層の代表例として
はＴＰＤ（トリフェニルアミン誘導体）もしくはＮＰＤ
（アントラセン誘導体）が挙げられる。In the vapor deposition chamber 1211, any known EL material (particularly, a low molecular organic EL material) can be formed. Representative examples of the light emitting layer include Alq 3 (tris-8-quinolinolato aluminum complex) or DS
A (distyl arylene derivative), and typical examples of the charge injection layer are CuPc (copper phthalocyanine) and LiF
(Lithium fluoride) or acacK (potassium acetylacetonate). Typical examples of the charge transport layer are TPD (triphenylamine derivative) and NPD
(Anthracene derivative).
【０１１４】また、上記ＥＬ材料と蛍光物質（代表的に
は、クマリン６、ルブレン、ナイルレッド、ＤＣＭ、キ
ナクリドン等）とを共蒸着することも可能である。蛍光
物質としては公知の如何なる材料を用いても良い。ま
た、ＥＬ材料と周期表の１族または２族に属する元素と
を共蒸着して発光層の一部に電荷輸送層または電荷注入
層としての役割をもたせることも可能である。なお、共
蒸着とは、同時に蒸着源を加熱し、成膜段階で異なる物
質を混合する蒸着法をいう。It is also possible to co-evaporate the EL material and a fluorescent substance (typically, coumarin 6, rubrene, Nile red, DCM, quinacridone, etc.). As the fluorescent substance, any known material may be used. Further, it is also possible to co-evaporate an EL material and an element belonging to Group 1 or 2 of the periodic table so that part of the light-emitting layer has a role as a charge transport layer or a charge injection layer. Note that co-evaporation refers to an evaporation method in which an evaporation source is simultaneously heated and different substances are mixed in a film formation stage.
【０１１５】いずれにしてもゲート１２００fによって
搬送室（Ａ）１２０１と遮断され、真空下でＥＬ材料ま
たは導電膜の成膜が行われる。なお、成膜はフェイスダ
ウン方式で行われる。In any case, the transfer chamber (A) 1201 is cut off by the gate 1200f, and the EL material or the conductive film is formed under vacuum. Note that the film is formed by a face-down method.
【０１１６】次に、１２１２は封止室（封入室またはグ
ローブボックスともいう）であり、ゲート１２００gを
介して搬送室（Ａ）１２０１に連結されている。封止室
１２１２では、最終的にＥＬ素子を密閉空間に封入する
ための処理が行われる。この処理は形成されたＥＬ素子
を酸素や水分から保護するための処理であり、カバー材
で機械的に封入する、又は熱硬化性樹脂若しくは紫外光
硬化性樹脂で封入するといった手段を用いる。Next, reference numeral 1212 denotes a sealing chamber (also referred to as an enclosing chamber or a glove box), which is connected to the transfer chamber (A) 1201 through a gate 1200g. In the sealing chamber 1212, a process for finally sealing the EL element in a closed space is performed. This process is a process for protecting the formed EL element from oxygen and moisture, and uses a method of mechanically encapsulating with a cover material or encapsulating with a thermosetting resin or an ultraviolet light curable resin.
【０１１７】カバー材と上記ＥＬ素子が形成された基板
とは熱硬化性樹脂又は紫外光硬化性樹脂を用いて貼り合
わせられ、熱処理又は紫外光照射処理によって樹脂を硬
化させて密閉空間を形成する。The cover material and the substrate on which the EL element is formed are bonded using a thermosetting resin or an ultraviolet light curable resin, and the resin is cured by heat treatment or ultraviolet light irradiation treatment to form a closed space. .
【０１１８】図１２に示した成膜装置では、封止室１２
１２の内部に紫外光を照射するための機構（以下、紫外
光照射機構という）１２１３が設けられており、この紫
外光照射機構１２１３から発した紫外光によって紫外光
硬化性樹脂を硬化させる構成となっている。封止室１２
１２の内部は排気ポンプを取り付けることで減圧するこ
とも可能であるし、高純度な窒素ガスや希ガスでパージ
しつつ与圧とすることも可能である。In the film forming apparatus shown in FIG.
A mechanism 1213 for irradiating ultraviolet light (hereinafter, referred to as an ultraviolet light irradiating mechanism) 1213 is provided in the inside of the lens 12. Has become. Sealing chamber 12
The inside of 12 can be reduced in pressure by attaching an exhaust pump, or can be pressurized while purging with high-purity nitrogen gas or rare gas.
【０１１９】次に、封止室１２１２には受渡室（パスボ
ックス）１２１４が連結される。受渡室１２１４には搬
送機構（Ｃ）１２１５が設けられ、封止室１２１２でＥ
Ｌ素子の封入が完了した基板を受渡室１２１４へと搬送
する。受渡室１２１４も排気ポンプを取り付けることで
減圧することが可能である。この受渡室１２１４は封止
室１２１２を直接外気に晒さないようにするための設備
であり、ここから基板を取り出す。Next, a delivery room (pass box) 1214 is connected to the sealing room 1212. A transfer mechanism (C) 1215 is provided in the delivery chamber 1214, and E
The substrate in which the L element has been sealed is transported to the delivery chamber 1214. The delivery chamber 1214 can also be decompressed by attaching an exhaust pump. The delivery chamber 1214 is a facility for preventing the sealing chamber 1212 from being directly exposed to the outside air, and takes out the substrate therefrom.
【０１２０】以上のように、図１２に示した成膜装置を
用いることで完全にＥＬ素子を密閉空間に封入するまで
外気に晒さずに済む。このような成膜装置を用いること
で信頼性の高いＥＬ発光装置を作製することが可能とな
る。As described above, by using the film forming apparatus shown in FIG. 12, it is not necessary to expose the EL element to the outside air until the EL element is completely sealed in the closed space. By using such a film formation apparatus, a highly reliable EL light-emitting device can be manufactured.
【０１２１】〔実施例１２〕本発明は、バックライト等
の光源として用いるＥＬ発光装置に対して実施すること
が可能である。光源として用いる場合、基板上に発光素
子を形成すれば良いだけである。[Embodiment 12] The present invention can be applied to an EL light emitting device used as a light source such as a backlight. When used as a light source, a light-emitting element only needs to be formed over a substrate.
【０１２２】本発明は発光素子の陽極もしくは陰極にス
リットを設けることで、陽極として金属膜もしくは半導
体膜を用いることができる。従って、発光素子の面積に
拘わらず本発明を実施することが可能である。In the present invention, a metal film or a semiconductor film can be used as the anode by providing a slit in the anode or the cathode of the light emitting element. Therefore, the present invention can be implemented regardless of the area of the light emitting element.
【０１２３】〔実施例１３〕本発明を実施して形成した
ＥＬ発光装置は様々な電気器具の表示部もしくは光源と
して用いることができる。例えば、ＴＶ放送等を鑑賞す
るには対角２０〜６０インチの本発明のＥＬ発光装置を
筐体に組み込んだディスプレイを用いるとよい。なお、
ＥＬ発光装置を筐体に組み込んだディスプレイには、パ
ソコン用ディスプレイ、ＴＶ放送受信用ディスプレイ、
広告表示用ディスプレイ等の全ての情報表示用ディスプ
レイが含まれる。[Embodiment 13] An EL light emitting device formed by carrying out the present invention can be used as a display portion or a light source of various electric appliances. For example, to watch a TV broadcast or the like, it is preferable to use a display in which the EL light emitting device of the present invention having a diagonal of 20 to 60 inches is incorporated in a housing. In addition,
The displays incorporating the EL light emitting device in the housing include a display for a personal computer, a display for receiving a TV broadcast,
All information displays such as advertisement displays are included.
【０１２４】また、その他の本発明の電気器具として
は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディス
プレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーショ
ンシステム、音楽再生装置（カーオーディオ、オーディ
オコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲー
ム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電
話、携帯型ゲーム機または電子書籍）、画像再生装置
（記録媒体に記録された画像を再生し、その画像を表示
する表示部を備えた装置）が挙げられる。それら電気器
具の具体例を図１３、図１４に示す。Other electric appliances of the present invention include a video camera, a digital camera, a goggle type display (head mounted display), a navigation system, a music reproducing device (car audio, audio component, etc.), a notebook personal computer, Game devices, portable information terminals (mobile computers, mobile phones, portable game machines or electronic books), and image reproducing devices (devices having a display unit that reproduces images recorded on a recording medium and displays the images) No. Specific examples of these electric appliances are shown in FIGS.
【０１２５】図１３（Ａ）はＥＬ発光装置を筐体に組み
込んだディスプレイであり、筐体２００１、支持台２０
０２、表示部２００３を含む。本発明のＥＬ発光装置は
表示部２００３に用いることができる。このようなディ
スプレイは自発光型であるためバックライトが必要な
く、液晶ディスプレイよりも薄い表示部とすることがで
きる。FIG. 13A shows a display in which an EL light emitting device is incorporated in a housing.
02, including the display unit 2003. The EL light-emitting device of the present invention can be used for the display portion 2003. Since such a display is a self-luminous type, it does not require a backlight and can be a display portion thinner than a liquid crystal display.
【０１２６】図１３（Ｂ）はビデオカメラであり、本体
２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０３、操作
スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０
６を含む。本発明のＥＬ発光装置は表示部２１０２に用
いることができる。FIG. 13B shows a video camera, which includes a main body 2101, a display section 2102, an audio input section 2103, operation switches 2104, a battery 2105, and an image receiving section 210.
6 inclusive. The EL light emitting device of the present invention can be used for the display portion 2102.
【０１２７】図１３（Ｃ）は頭部取り付け型のＥＬディ
スプレイの一部（右片側）であり、本体２２０１、信号
ケーブル２２０２、頭部固定バンド２２０３、表示部２
２０４、光学系２２０５、発光装置２２０６を含む。本
発明はＥＬ発光装置２２０６に用いることができる。FIG. 13C shows a part (right side) of the head-mounted EL display, which includes a main body 2201, a signal cable 2202, a head fixing band 2203, and a display unit 2.
204, an optical system 2205, and a light emitting device 2206. The present invention can be used for the EL light emitting device 2206.
【０１２８】図１３（Ｄ）は記録媒体を備えた画像再生
装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２３０
１、記録媒体（ＤＶＤ等）２３０２、操作スイッチ２３
０３、表示部（ａ）２３０４、表示部（ｂ）２３０５を
含む。表示部（ａ）は主として画像情報を表示し、表示
部（ｂ）は主として文字情報を表示するが、本発明のＥ
Ｌ発光装置はこれら表示部（ａ）、（ｂ）に用いること
ができる。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家
庭用ゲーム機器なども含まれる。FIG. 13D shows an image reproducing apparatus (specifically, a DVD reproducing apparatus) provided with a recording medium.
1, recording medium (DVD or the like) 2302, operation switch 23
03, a display unit (a) 2304 and a display unit (b) 2305. The display unit (a) mainly displays image information, and the display unit (b) mainly displays character information.
The L light emitting device can be used for these display portions (a) and (b). Note that the image reproducing device provided with the recording medium includes a home game machine and the like.
【０１２９】図１３（Ｅ）は携帯型（モバイル）コンピ
ュータであり、本体２４０１、カメラ部２４０２、受像
部２４０３、操作スイッチ２４０４、表示部２４０５を
含む。本発明のＥＬ発光装置は表示部２４０５に用いる
ことができる。FIG. 13E shows a portable computer, which includes a main body 2401, a camera section 2402, an image receiving section 2403, operation switches 2404, and a display section 2405. The EL light emitting device of the present invention can be used for the display portion 2405.
【０１３０】図１３（Ｆ）はパーソナルコンピュータで
あり、本体２５０１、筐体２５０２、表示部２５０３、
キーボード２５０４を含む。本発明のＥＬ発光装置は表
示部２５０３に用いることができる。FIG. 13F shows a personal computer, which includes a main body 2501, a housing 2502, a display portion 2503,
A keyboard 2504 is included. The EL light-emitting device of the present invention can be used for the display portion 2503.
【０１３１】なお、将来的に発光輝度がさらに高くなれ
ば、出力した画像情報を含む光をレンズや光ファイバー
等で拡大投影してフロント型若しくはリア型のプロジェ
クターに用いることも可能となる。If the light emission luminance further increases in the future, it becomes possible to use a lens or an optical fiber for enlarging and projecting the light including the output image information and use it for a front-type or rear-type projector.
【０１３２】また、発光装置は発光している部分が電力
を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報
を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特
に携帯電話や音楽再生装置のような文字情報を主とする
表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景
として文字情報を発光部分で形成するように駆動するこ
とが望ましい。In the light emitting device, since the light emitting portion consumes power, it is desirable to display information so that the light emitting portion is reduced as much as possible. Therefore, when a light emitting device is used for a portable information terminal, particularly a display portion mainly for character information such as a mobile phone or a music reproducing device, the character information is driven by the light emitting portion with the non-light emitting portion as a background. It is desirable to do.
【０１３３】ここで図１４（Ａ）は携帯電話であり、本
体２６０１、音声出力部２６０２、音声入力部２６０
３、表示部２６０４、操作スイッチ２６０５、アンテナ
２６０６を含む。本発明のＥＬ発光装置は表示部２６０
４に用いることができる。なお、表示部２６０４は黒色
の背景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電
力を抑えることができる。FIG. 14A shows a mobile phone, which includes a main body 2601, an audio output unit 2602, and an audio input unit 260.
3, including a display unit 2604, operation switches 2605, and an antenna 2606. The EL light emitting device of the present invention has a display section 260.
4 can be used. Note that the display portion 2604 can display power of the mobile phone by displaying white characters on a black background.
【０１３４】また、図１４（Ｂ）は音楽再生装置、具体
的にはカーオーディオであり、本体２７０１、表示部２
７０２、操作スイッチ２７０３、２７０４を含む。本発
明のＥＬ発光装置は表示部２７０２に用いることができ
る。また、本実施例では車載用のカーオーディオを示す
が、携帯型や家庭用の音楽再生装置に用いても良い。な
お、表示部２７０４は黒色の背景に白色の文字を表示す
ることで消費電力を抑えられる。これは携帯型の音楽再
生装置において特に有効である。FIG. 14B shows a music reproducing apparatus, specifically, a car audio system.
702, and operation switches 2703 and 2704. The EL light-emitting device of the present invention can be used for the display portion 2702. In this embodiment, an in-vehicle car audio device is shown, but the present invention may be applied to a portable or home music playback device. Note that the display portion 2704 can suppress power consumption by displaying white characters on a black background. This is particularly effective in a portable music player.
【０１３５】以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広
く、あらゆる分野の電気器具に用いることが可能であ
る。また、本実施例の電気器具は実施例１〜１２に示し
たいずれの構成の発光装置を用いても良い。As described above, the applicable range of the present invention is extremely wide, and the present invention can be used for electric appliances in various fields. Further, the electric appliance of this embodiment may use the light emitting device having any of the configurations shown in the first to twelfth embodiments.
【０１３６】[0136]
【発明の効果】発光素子の陽極もしくは陰極にスリット
を設けることで、陽極として金属膜もしくは半導体膜を
用いることが可能となる。これにより従来用いられてい
た酸化物導電膜を陽極に用いることなく、発光の取り出
しが可能な発光素子を形成することが可能となる。By providing a slit on the anode or the cathode of the light emitting element, a metal film or a semiconductor film can be used as the anode. This makes it possible to form a light-emitting element from which light can be extracted without using a conventionally used oxide conductive film as an anode.
【０１３７】また、酸化物導電膜よりも抵抗の低い材料
を陽極として用いることが可能となることから、電流注
入効率が高く、応答性に優れた発光装置とすることがで
きる。また、そのような発光装置を表示部として用いた
高性能な電気器具を得ることができる。[0137] Further, since a material having lower resistance than the oxide conductive film can be used as the anode, a light emitting device with high current injection efficiency and excellent responsiveness can be obtained. In addition, a high-performance electric appliance using such a light-emitting device as a display portion can be obtained.
【図１】 発光装置の作製工程を示す図。FIG. 1 illustrates a manufacturing process of a light-emitting device.
【図２】 発光装置の作製工程を示す図。FIG. 2 illustrates a manufacturing process of a light-emitting device.
【図３】 発光装置の上面構造及び回路構成を示す
図。FIG. 3 illustrates a top structure and a circuit configuration of a light-emitting device.
【図４】 発光装置の断面構造を示す図。FIG. 4 illustrates a cross-sectional structure of a light-emitting device.
【図５】 発光装置の作製工程を示す図。FIG. 5 illustrates a manufacturing process of a light-emitting device.
【図６】 発光装置の上面構造を示す図。FIG. 6 illustrates a top structure of a light-emitting device.
【図７】 発光装置の回路構成を示す図。FIG. 7 illustrates a circuit configuration of a light-emitting device.
【図８】 発光装置の回路構成を示す図。FIG. 8 illustrates a circuit configuration of a light-emitting device.
【図９】 発光装置の上面構造および断面構造を示す
図。FIG. 9 illustrates a top structure and a cross-sectional structure of a light-emitting device.
【図１０】 発光装置の回路構成を示す図。FIG. 10 illustrates a circuit configuration of a light-emitting device.
【図１１】 発光装置の回路構成を示す図。FIG. 11 illustrates a circuit configuration of a light-emitting device.
【図１２】 薄膜形成装置の構成を示す図。FIG. 12 is a diagram showing a configuration of a thin film forming apparatus.
【図１３】 電気器具の一例を示す図。FIG. 13 illustrates an example of an electric appliance.
【図１４】 電気器具の一例を示す図。FIG. 14 illustrates an example of an electric appliance.
【図１５】 発光装置の断面構造を示す図。FIG. 15 illustrates a cross-sectional structure of a light-emitting device.
Claims (13)
の間に挟まれた発光性材料を含み、前記陽極はスリット
を有することを特徴とする発光装置。1. A light-emitting device comprising an anode, a cathode, and a light-emitting material sandwiched between the anode and the cathode, wherein the anode has a slit.
の間に挟まれた発光性材料を含み、前記陰極はスリット
を有することを特徴とする発光装置。2. A light emitting device comprising an anode, a cathode, and a luminescent material sandwiched between the anode and the cathode, wherein the cathode has a slit.
に挟まれた発光性材料並びに前記陽極に電気的に接続さ
れた半導体素子を含み、前記陽極はスリットを有するこ
とを特徴とする発光装置。3. A light emitting device comprising: an anode, a cathode, a luminescent material sandwiched between the anode and the cathode, and a semiconductor element electrically connected to the anode, wherein the anode has a slit. apparatus.
に挟まれた発光性材料並びに前記陽極に電気的に接続さ
れた半導体素子を含み、前記陰極はスリットを有するこ
とを特徴とする発光装置。4. A light emitting device comprising: an anode, a cathode, a luminescent material sandwiched between the anode and the cathode, and a semiconductor element electrically connected to the anode, wherein the cathode has a slit. apparatus.
に挟まれた発光性材料並びに前記陰極に電気的に接続さ
れた半導体素子を含み、前記陽極はスリットを有するこ
とを特徴とする発光装置。5. A light emitting device comprising: an anode, a cathode, a luminescent material sandwiched between the anode and the cathode, and a semiconductor element electrically connected to the cathode, wherein the anode has a slit. apparatus.
に挟まれた発光性材料並びに前記陰極に電気的に接続さ
れた半導体素子を含み、前記陰極はスリットを有するこ
とを特徴とする発光装置。6. A light emitting device comprising: an anode, a cathode, a luminescent material sandwiched between the anode and the cathode, and a semiconductor element electrically connected to the cathode, wherein the cathode has a slit. apparatus.
れか一において、前記陽極は金属膜もしくは半導体膜か
らなることを特徴とする発光装置。7. The light emitting device according to claim 1, wherein the anode is made of a metal film or a semiconductor film.
て、前記発光性材料に接して無機材料からなる絶縁膜が
設けられていることを特徴とする発光装置。8. The light emitting device according to claim 1, wherein an insulating film made of an inorganic material is provided in contact with the light emitting material.
て、前記発光性材料とはＥＬ材料であることを特徴とす
る発光装置。9. The light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting material is an EL material.
載の発光装置を用いたことを特徴とする電気器具。10. An electric appliance using the light emitting device according to claim 1. Description:
よび前記スリットを有した電極に接するＥＬ層を形成す
る工程を含むことを特徴とする発光装置の作製方法。11. A method for manufacturing a light emitting device, comprising a step of forming an electrode having a slit and a step of forming an EL layer in contact with the electrode having a slit.
ＴＦＴに電気的に接続するスリットを有した電極を形成
する工程および前記スリットを有した電極の上にＥＬ層
を形成する工程を含むことを特徴とする発光装置の作製
方法。12. A step of forming a TFT on an insulator, a step of forming an electrode having a slit electrically connected to the TFT, and a step of forming an EL layer on the electrode having the slit. A method for manufacturing a light-emitting device, comprising:
ＴＦＴに電気的に接続する電極を形成する工程、前記電
極の上にＥＬ層を形成する工程および前記ＥＬ層の上に
スリットを有した電極を形成する工程を含むことを特徴
とする発光装置の作製方法。13. A step of forming a TFT on an insulator, a step of forming an electrode electrically connected to the TFT, a step of forming an EL layer on the electrode, and a step of forming a slit on the EL layer. A method for manufacturing a light-emitting device, comprising a step of forming a patterned electrode.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001056033A JP4601843B2 (en) | 2000-02-29 | 2001-02-28 | Light emitting device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-55020 | 2000-02-29 | ||
| JP2000055020 | 2000-02-29 | ||
| JP2001056033A JP4601843B2 (en) | 2000-02-29 | 2001-02-28 | Light emitting device |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001319789A true JP2001319789A (en) | 2001-11-16 |
| JP2001319789A5 JP2001319789A5 (en) | 2008-03-27 |
| JP4601843B2 JP4601843B2 (en) | 2010-12-22 |
Family
ID=26586480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001056033A Expired - Fee Related JP4601843B2 (en) | 2000-02-29 | 2001-02-28 | Light emitting device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4601843B2 (en) |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002202737A (en) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Nec Corp | Method of manufacturing light-emitting element, and the light-emitting element |
| JP2003092191A (en) * | 2001-07-11 | 2003-03-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Luminescent device and method for manufacturing the same |
| JP2003243182A (en) * | 2002-02-19 | 2003-08-29 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic el element |
| JP2003264071A (en) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Ulvac Japan Ltd | Manufacturing method of organic el element and installation of the same |
| JP2004087358A (en) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Rohm Co Ltd | Organic el display device |
| WO2005017861A1 (en) * | 2003-08-13 | 2005-02-24 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Optical device and organic el display |
| JP2005093989A (en) * | 2003-08-04 | 2005-04-07 | Iwatani Internatl Corp | Surface treatment method for printed circuit board |
| JP2005182005A (en) * | 2003-11-27 | 2005-07-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Display device and electronic equipment |
| JP2005209612A (en) * | 2003-11-07 | 2005-08-04 | Seiko Epson Corp | Light emitting device, its manufacturing method, and electronic equipment |
| JP2005310779A (en) * | 2005-04-18 | 2005-11-04 | Seiko Epson Corp | Electro-optical apparatus and electronic apparatus |
| JP2005316469A (en) * | 2001-12-06 | 2005-11-10 | Seiko Epson Corp | Electro-optical device and electronic equipment |
| JP2005316468A (en) * | 2005-04-18 | 2005-11-10 | Seiko Epson Corp | Electro-optical device, test method of the electro-optical device, and electronic equipment |
| JP2006216561A (en) * | 2005-02-05 | 2006-08-17 | Samsung Sdi Co Ltd | Organic light-emitting device and white light emitting device |
| JP2007200907A (en) * | 2003-11-07 | 2007-08-09 | Seiko Epson Corp | Light emitting device, and electronic equipment |
| US7304437B2 (en) | 2001-12-06 | 2007-12-04 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and an electronic apparatus |
| JP2008004554A (en) * | 2001-11-21 | 2008-01-10 | Seiko Epson Corp | Electro-optical device |
| US7405514B2 (en) | 2002-08-06 | 2008-07-29 | Rohm Co., Ltd. | Organic EL display device with plural electrode segments |
| JP2009231278A (en) * | 2008-02-29 | 2009-10-08 | Mitsubishi Chemicals Corp | Method for manufacturing organic el element, organic el display, and organic el lighting |
| JP2011243592A (en) * | 2003-03-25 | 2011-12-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Display device |
| JP2012114093A (en) * | 2002-01-24 | 2012-06-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting device |
| JP2012124175A (en) * | 2004-03-16 | 2012-06-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting device |
| JP2013122598A (en) * | 2001-11-30 | 2013-06-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting device |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62296152A (en) * | 1986-06-17 | 1987-12-23 | Konica Corp | Electrophotographic sensitive body |
| JPS63264642A (en) * | 1987-04-22 | 1988-11-01 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Molding of five-membered cyclic compound polymer |
| JPH02269360A (en) * | 1989-04-11 | 1990-11-02 | Mitsubishi Kasei Corp | Memory type electrophotographic sensitive body |
| JPH0334292A (en) * | 1989-06-29 | 1991-02-14 | Komatsu Ltd | Dot matrix display using membtanous el element |
| JPH04132189A (en) * | 1990-09-21 | 1992-05-06 | Toppan Printing Co Ltd | Organic thin film el element |
| WO1998057381A1 (en) * | 1997-06-10 | 1998-12-17 | Uniax Corporation | Ultra-thin layer alkaline earth metals as stable electron-injecting cathodes for polymer light emitting diodes |
| JPH11251059A (en) * | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Sanyo Electric Co Ltd | Color display device |
| WO1999048339A1 (en) * | 1998-03-17 | 1999-09-23 | Seiko Epson Corporation | Substrate for patterning thin film and surface treatment thereof |
| JP2000012922A (en) * | 1998-06-25 | 2000-01-14 | Toshiba Corp | Organic thin-film element |
-
2001
- 2001-02-28 JP JP2001056033A patent/JP4601843B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62296152A (en) * | 1986-06-17 | 1987-12-23 | Konica Corp | Electrophotographic sensitive body |
| JPS63264642A (en) * | 1987-04-22 | 1988-11-01 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Molding of five-membered cyclic compound polymer |
| JPH02269360A (en) * | 1989-04-11 | 1990-11-02 | Mitsubishi Kasei Corp | Memory type electrophotographic sensitive body |
| JPH0334292A (en) * | 1989-06-29 | 1991-02-14 | Komatsu Ltd | Dot matrix display using membtanous el element |
| JPH04132189A (en) * | 1990-09-21 | 1992-05-06 | Toppan Printing Co Ltd | Organic thin film el element |
| WO1998057381A1 (en) * | 1997-06-10 | 1998-12-17 | Uniax Corporation | Ultra-thin layer alkaline earth metals as stable electron-injecting cathodes for polymer light emitting diodes |
| JP2002504261A (en) * | 1997-06-10 | 2002-02-05 | ユニアックス コーポレイション | Ultrathin alkaline earth metals as stable electron injection cathodes in polymer light emitting diodes |
| JPH11251059A (en) * | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Sanyo Electric Co Ltd | Color display device |
| WO1999048339A1 (en) * | 1998-03-17 | 1999-09-23 | Seiko Epson Corporation | Substrate for patterning thin film and surface treatment thereof |
| JP2000012922A (en) * | 1998-06-25 | 2000-01-14 | Toshiba Corp | Organic thin-film element |
Cited By (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002202737A (en) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Nec Corp | Method of manufacturing light-emitting element, and the light-emitting element |
| JP2003092191A (en) * | 2001-07-11 | 2003-03-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Luminescent device and method for manufacturing the same |
| US7247512B2 (en) | 2001-07-11 | 2007-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US6844672B2 (en) | 2001-07-11 | 2005-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2008004554A (en) * | 2001-11-21 | 2008-01-10 | Seiko Epson Corp | Electro-optical device |
| US7982692B2 (en) | 2001-11-21 | 2011-07-19 | Seiko Epson Corporation | Active matrix substrate, electro-optical device, and electronic device |
| US8294637B2 (en) | 2001-11-21 | 2012-10-23 | Seiko Epson Corporation | Active matrix substrate, electro-optical device, and electronic device |
| US8525760B2 (en) | 2001-11-21 | 2013-09-03 | Seiko Epson Corporation | Active matrix substrate, electro-optical device, and electronic device |
| JP2017191338A (en) * | 2001-11-30 | 2017-10-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| US9493119B2 (en) | 2001-11-30 | 2016-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Vehicle, display device and manufacturing method for a semiconductor device |
| JP2019082729A (en) * | 2001-11-30 | 2019-05-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| US10325940B2 (en) | 2001-11-30 | 2019-06-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Vehicle, display device and manufacturing method for a semiconductor device |
| JP2013122598A (en) * | 2001-11-30 | 2013-06-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting device |
| US10629637B2 (en) | 2001-11-30 | 2020-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Vehicle, display device and manufacturing method for a semiconductor device |
| JP2020170169A (en) * | 2001-11-30 | 2020-10-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device |
| US10957723B2 (en) | 2001-11-30 | 2021-03-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Vehicle, display device and manufacturing method for a semiconductor device |
| JP2005316469A (en) * | 2001-12-06 | 2005-11-10 | Seiko Epson Corp | Electro-optical device and electronic equipment |
| US7304437B2 (en) | 2001-12-06 | 2007-12-04 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and an electronic apparatus |
| US7977863B2 (en) | 2001-12-06 | 2011-07-12 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and an electronic apparatus |
| US8188653B2 (en) | 2001-12-06 | 2012-05-29 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and an electronic apparatus |
| US9236418B2 (en) | 2002-01-24 | 2016-01-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US9653519B2 (en) | 2002-01-24 | 2017-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of preparing the same and device for fabricating the same |
| JP2012114093A (en) * | 2002-01-24 | 2012-06-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting device |
| JP2003243182A (en) * | 2002-02-19 | 2003-08-29 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic el element |
| JP2003264071A (en) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Ulvac Japan Ltd | Manufacturing method of organic el element and installation of the same |
| US7405514B2 (en) | 2002-08-06 | 2008-07-29 | Rohm Co., Ltd. | Organic EL display device with plural electrode segments |
| JP2004087358A (en) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Rohm Co Ltd | Organic el display device |
| US8432505B2 (en) | 2003-03-25 | 2013-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| JP2011243592A (en) * | 2003-03-25 | 2011-12-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Display device |
| JP2005093989A (en) * | 2003-08-04 | 2005-04-07 | Iwatani Internatl Corp | Surface treatment method for printed circuit board |
| WO2005017861A1 (en) * | 2003-08-13 | 2005-02-24 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Optical device and organic el display |
| US7375463B2 (en) | 2003-08-13 | 2008-05-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical device and organic EL display |
| JP2007200907A (en) * | 2003-11-07 | 2007-08-09 | Seiko Epson Corp | Light emitting device, and electronic equipment |
| US7868543B2 (en) | 2003-11-07 | 2011-01-11 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device having openings in electrode |
| US7449833B2 (en) | 2003-11-07 | 2008-11-11 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device having openings in electrode |
| JP2005209612A (en) * | 2003-11-07 | 2005-08-04 | Seiko Epson Corp | Light emitting device, its manufacturing method, and electronic equipment |
| JP2005182005A (en) * | 2003-11-27 | 2005-07-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Display device and electronic equipment |
| JP2016085990A (en) * | 2004-03-16 | 2016-05-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light emitting device |
| JP2013008694A (en) * | 2004-03-16 | 2013-01-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting device |
| JP2012124175A (en) * | 2004-03-16 | 2012-06-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting device |
| JP2006216561A (en) * | 2005-02-05 | 2006-08-17 | Samsung Sdi Co Ltd | Organic light-emitting device and white light emitting device |
| JP2005310779A (en) * | 2005-04-18 | 2005-11-04 | Seiko Epson Corp | Electro-optical apparatus and electronic apparatus |
| JP2005316468A (en) * | 2005-04-18 | 2005-11-10 | Seiko Epson Corp | Electro-optical device, test method of the electro-optical device, and electronic equipment |
| JP2009231278A (en) * | 2008-02-29 | 2009-10-08 | Mitsubishi Chemicals Corp | Method for manufacturing organic el element, organic el display, and organic el lighting |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4601843B2 (en) | 2010-12-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6633665B2 (en) | Light emitting device | |
| US6882102B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
| JP4601843B2 (en) | Light emitting device | |
| US20050231123A1 (en) | Semiconductor device | |
| US7220988B2 (en) | Luminescent device and process of manufacturing the same | |
| US7488986B2 (en) | Light emitting device | |
| KR100925807B1 (en) | A luminous device | |
| JP2001195016A (en) | Electronic device | |
| JP2001318624A (en) | Display device and manufacturing method therefor | |
| JP3708916B2 (en) | Light emitting device | |
| JP4260440B2 (en) | Light emitting device and electric appliance | |
| JP4244126B2 (en) | Method for manufacturing light emitting device | |
| JP2004079452A6 (en) | Light emitting device | |
| JP3691475B2 (en) | Light emitting device | |
| JP2004127592A6 (en) | Method for manufacturing light emitting device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080206 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080206 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100723 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100727 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100902 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100928 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100929 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131008 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4601843 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131008 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |