JP4312016B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
請求項1記載の構成によれば、基板の処理時に生じる処理液の廃液は、廃液配管を通して容器に導入され、その容器内で希釈用液によって希釈されて、容器からオーバフロー配管を通して排出される。処理液が高温の場合には、低温の希釈用液を容器に供給することにより、容器に導入される高温の処理液の廃液が希釈用液によって冷却されて、容器からオーバフロー配管を通して排出される。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す図である。この基板処理装置は、基板の一例であるシリコン半導体ウエハW(以下、単に「ウエハW」という。)の表面(上面)にSPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:硫酸過酸化水素水)を供給して、そのウエハWの表面から不要になったレジスト膜を剥離するレジスト剥離処理を行う枚葉式の装置であり、隔壁で区画された処理室1内に、ウエハWをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック2と、このスピンチャック2に保持されたウエハWの表面にSPMを供給するためのノズル3と、ウエハWから流下または飛散するSPMなどの処理液を受け取るためのカップ4とを備えている。
スピンチャック2の側方には、旋回軸31が鉛直方向にほぼ沿って配置されており、ノズル3は、その旋回軸31の上端部からほぼ水平に延びたノズルアーム32の先端部に取り付けられている。旋回軸31は、その中心軸線まわりに回転可能に設けられていて、旋回軸31を回転させることにより、ノズル3をスピンチャック2に保持されたウエハWの上方に配置したり、カップ4の外側に設定された待機位置に配置したりすることができる。また、旋回軸31を所定の角度範囲内で往復回転させることにより、スピンチャック2に保持されたウエハWの上方でノズルアーム32を揺動させることができ、これに伴って、スピンチャック2に保持されたウエハWの表面上で、ノズル3からのSPMの供給位置をスキャン(移動)させることができる。
ミキシングバルブ61は、硫酸ポート611、過酸化水素水ポート612および窒素ガスポート613の3つの入力ポートを有している。これらの硫酸ポート611、過酸化水素水ポート612および窒素ガスポート613には、それぞれ、硫酸供給源からの一定温度(たとえば、80℃)に温度調節された硫酸を供給するための硫酸配管62、過酸化水素水供給源からの過酸化水素水を供給するための過酸化水素水配管63および窒素ガス供給源からの窒素ガスを供給するための窒素ガス配管64が接続されている。
硫酸バルブ621および過酸化水素水バルブ631が開かれるとともに、ミキシングバルブ61の硫酸ポート611および過酸化水素水ポート612が開かれると、硫酸配管62および過酸化水素水配管63からそれぞれ硫酸および過酸化水素水がミキシングバルブ61に流入し、このミキシングバルブ61で硫酸と過酸化水素水とが合流することによって、硫酸および過酸化水素水の混合液が作成される。この作成された硫酸および過酸化水素水の混合液は、ミキシングバルブ61から処理液配管5に流出し、処理液配管5をノズル3に向けて流れる。
図1を再び参照して、カップ4の底面には、カップ4内の雰囲気を排気するための耐熱性PVCまたはPFA製の排気配管71と、カップ4に受け取られたSPMなどの廃液(ウエハWの処理に用いられた後に廃棄されるべき処理液)を排出するためのPFA製の廃液配管72とが接続されている。
図3は、この基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。この基板処理装置はさらに、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置100を備えている。
さらにまた、ノズル3がウエハWの上方からカップ4の外側に設定された待機位置に戻される時には、ミキシングバルブ61、処理液配管5およびノズル3内に硫酸および過酸化水素水の混合液またはSPMは残っていないから、そのノズル3の移動の途中で、ノズル3からSPMが漏れ出るといったことがない。よって、カップ4外がSPMによって汚染されるおそれがない。
SPM吐出工程では、ウエハWに対して高温のSPMが供給され、ウエハWから流下または飛散するSPMがカップ4に受け取られるから、カップ4から廃液配管72を通して高濃度廃液導入管73に流れ込む廃液は、ほぼ高温のSPMのみからなる高濃度廃液(SPMを高濃度に含む廃液)である。したがって、SPM吐出工程では、高濃度廃液導入管73から希釈タンク8に高濃度廃液が導入され、その導入された高濃度廃液が、希釈タンク8に貯留されている液体(冷却水)に混入されることになる。また、その希釈タンク8に貯留されている液体に、希釈タンク用冷却水配管82から希釈タンク8に供給される冷却水が大流量で混入される。これにより、希釈タンク8に導入される高濃度廃液は、希釈タンク8に貯留されている液体および希釈タンク用冷却水配管82から供給される冷却水によって希釈および冷却される。そして、十分に希釈および冷却された廃液(高濃度廃液と多量の冷却水との混合液)は、希釈タンク8内に突出した希釈廃液オーバフロー配管83の上端を超えると、希釈廃液オーバフロー配管83に流入して廃液ユーティリティラインへと排出される。
さらに、ウエハWの表面から不要になったレジスト膜を剥離するレジスト剥離処理を例にとったが、処理対象となる基板は、ウエハWに限らず、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディプレイパネル用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板および磁気/光ディスク用基板などの他の種類の基板であってもよい。また、基板に対する処理は、レジスト剥離処理以外の処理であってもよい。
8 希釈タンク
9 気液分離タンク
72 廃液配管
73 高濃度廃液導入管
74 一般廃液導入管
75 廃液切替バルブ
81 希釈タンク用冷却水バルブ
82 希釈タンク用冷却水配管
83 希釈廃液オーバフロー配管
84 希釈廃液温度センサ
91 気液分離タンク用冷却水バルブ
92 気液分離タンク用冷却水配管
93 一般廃液オーバフロー配管
95 一般廃液温度センサ
100 制御装置
W ウエハ
Claims (2)
- 基板に対して処理液による処理を施すための基板処理装置であって、
一定液位まで液体を貯留可能な容器と、
この容器から上記一定液位を超えて溢れる液体を排出するためのオーバフロー配管と、
基板の処理時に生じる廃液を上記容器に導入するための廃液配管と、
廃液を希釈するための希釈用液を上記容器に供給する希釈用液供給手段と、
上記容器内に溜められた液体の温度を検出するための液温検出手段と、
上記希釈用液供給手段を制御して、上記廃液配管から上記容器への廃液の導入開始に応答して上記容器への希釈用液の所定流量での供給を開始させ、上記廃液配管から上記容器への廃液の導入停止後、上記液温検出手段による検出温度が予め定める供給停止温度以下に下がったことに応答して上記容器への希釈用液の所定流量での供給を停止させる希釈用液供給制御手段と
を含むことを特徴とする基板処理装置。 - 上記希釈用液供給手段は、
上記容器へ供給すべき希釈用液が流通する希釈用液配管と、
この希釈用液配管に介装されて、開状態で希釈用液を上記所定流量で流通させ、閉状態で希釈用液を上記所定流量よりも小さな微小流量で流通させるスローリーク機能付バルブと
を備えていることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
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