JP4302809B2 - リソグラフィ用データ補正装置及びその装置での処理をコンピュータにて行なわせるためのプログラムを格納した記録媒体 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、リソグラフィ用データ補正装置に係り、特に、半導体集積回路のリソグラフィ用データの近接効果補正を行なうリソグラフィ用データ補正装置に関する。また、本発明は、そのようなリソグラフィ用データ補正装置での処理をコンピュータに行なわせるためのプログラムを格納した記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
あらゆる産業分野に応用されるようになった半導体集積回路，いわゆるＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ），ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ ＩＣ）は、マイクロリソグラフィ（Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）とフォトレジスト（Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）の著しい進歩により更なる高集積化が進んでいる。
【０００３】
このマイクロリソグラフィの分類は、微細パターンを形成する装置の線源の種類に従って分けられており、例えばフォトリソグラフィ，Ｘ線リソグラフィ，電子線リソグラフィ，及びイオンビームリソグラフィがある。
ここでは、マイクロリソグラフィの一例としてフォトリソグラフィについて説明する。フォトリソグラフィは光（可視，紫外，遠紫外光）を光源とする微細加工法であり、半導体集積回路開発の初期から利用されている。フォトリソグラフィは、原図となるマスクパターンを介して光を照射することにより、レジストを露光させてレジストパターンを生成している。
【０００４】
ところで、ＬＳＩ等の高集積化に伴うマスクパターンの微細化により、ＬＳＩ等の物理レイアウトを精度良く描画することが困難となってきており、マスクパターンの製造データを近接効果補正することが必要となっている。ここで、近接効果補正とは、パターン幅や近接するパターンとの距離等のレイアウト上のパラメータにより発生すると予想されるマスクパターン寸法とレジストパターン寸法との差を補正することを言う。
【０００５】
この近接効果補正の方法としては、例えば図１に示す方法がある。図１（Ａ）は、隣接マスクパターンとの距離に応じてマスクパターン幅を変化させる方法である。図１（Ｂ）は、マスクパターンの頂点に矩形を配設する方法である。また、図１（Ｃ）はマスクパターン間に解像しない程度のマスクパターンを配設する方法である。以上、図１（Ａ）〜図１（Ｃ）によって、マスクパターン形状が劣化するのを防いでいた。
【０００６】
また、近接効果補正の他の方法としては、例えばルールベース補正がある。ルールベース補正は、マスクパターン幅や近接するマスクパターンとの距離等のレイアウト上のパラメータを軸にとり、その補正量を予め二次元，又は三次元のテーブルとして作成しておく。このテ−ブルは、例えば図２に示すように作成される。
【０００７】
図２のテーブルは、縦軸にマスクパターン幅，横軸に近接するマスクパターンとの距離がパラメータとして選択されており、例えばマスクパターン幅が０．２μｍ，近接するマスクパターンとの距離が０．２５μｍである場合、その補正量は０．０１μｍである。このように、ルールベース補正では、図２に示すようなテーブルに従ってマスクパターンの補正を行なっていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の近接効果補正の方法は、レイアウト環境に応じて適切な補正を行なうことができないという問題があった。
例えば、図１（Ａ）の方法では、隣接マスクパターンとの距離しか考慮していないため、レイアウト環境に応じて適切な補正を行なうことができない。また、図１（Ｂ），図１（Ｃ）の方法は、データ量が数倍から数十倍になるという傾向があり、現在のＬＳＩの高集積化によってデータ量がギガバイト単位になっている現状を考えると記録媒体等への負担が大きく実用性に乏しい。さらに、レイアウト環境が異なる部分を近接効果補正することで、過剰補正がおこり、マスクパターンにショートが生じる可能性もあった。
【０００９】
一方、ルールベース補正は、図１（Ｂ），図１（Ｃ）と同様に、きめ細かい近接効果補正を行なうほど補正後のマスクパターンの形状が複雑になり、そのデータ量が増大するという問題があった。このようなデータ量の増加は、データの保存，転送等を困難にする。また、マスクパターンの形状の複雑化に伴いデータの類似部分が減少し、圧縮効率の低下が生じるという問題もあった。
【００１０】
本発明は、上記の点に鑑みなされたもので、レイアウト環境に応じた近接効果補正を行なうことが可能なリソグラフィ用データ補正装置を提供することを第一の目的とする。
また、近接効果補正によるデータ量の増加を抑制することが可能なリソグラフィ用データ補正装置を提供することを第二の目的とする。
【００１１】
さらに、そのようなリソグラフィ用データ補正装置での処理をコンピュータに行なわせるためのプログラムを格納した記録媒体を提供することを第三の目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
そこで、上記課題を解決するため、本発明は、リソグラフィ用データを補正するリソグラフィ用データ補正装置において、前記リソグラフィ用データに基づくマスクパターンを所定の部分ごとに分割し、その部分の露光による劣化に基づいて補正値を決定する第一補正値決定手段と、前記補正値をその部分の周辺のレイアウト環境に基づいて調整する補正値調整手段とを有し、前記第一補正値決定手段は、前記マスクパターンをライン補正する辺と先端補正する辺とに分類する辺判定手段と、前記辺判定手段により先端補正する辺として分類された辺を、その辺の周辺のレイアウト環境に基づいてＩ字型の辺とＴ字型の辺とに分類するレイアウト環境決定手段と、前記分類された辺ごとに、その辺の露光による劣化に応じた補正値が設定されている第一補正テーブルと、前記第一補正テーブルからその辺の補正値を選択する第一補正値選択手段とを有し、前記補正値調整手段は、前記決定された補正値に基づき補正を行なった場合に前記マスクパターンの間隔が所定の間隔以下となる辺を検出する過剰補正検出手段と、前記検出された辺の補正により他のマスクパターンと短絡する可能性を有する場合、前記検出された辺の補正を、前記マスクパターンの間隔が前記所定の間隔以上となるように行った後、前記先端補正する辺にハンマーヘッドを付加する補正値変更手段とを有することを特徴とする。
【００１３】
このように、マスクパターンを同様な形状を有する部分に分割し、その部分の露光による劣化を予想して補正値を決定することにより、適切な補正値を得ることができる。また、その部分の周辺のレイアウト環境に基づいて第一補正値決定手段により決定された補正値を調整することにより、周辺のレイアウト環境により露光による劣化の程度が異なることに対応することが可能となる。したがって、最適な補正値を得ることが可能となる。
【００１５】
このように、辺判定手段によりマスクパターンの各辺をライン補正する辺と先端補正する辺とに分類し、更に先端補正する辺を周辺レイアウト環境に基づいてＩ字型の辺とＴ字型の辺とに分類することにより、各辺の特徴に応じて補正値を決定することが可能である。また、各辺の特徴に応じた補正値を設定している第一補正テーブルを有することにより最適な補正値を得ることが可能となる。
【００１６】
特に、先端補正する辺として分類された辺を、その辺の周辺のレイアウト環境に基づいてＩ字型の辺とＴ字型の辺とに分類することは、露光時の劣化の程度の違いに対応することができ、パターンの短絡等を防止することができる。
【００１７】
このように、決定された補正値に基づきそのまま補正を行なった場合に、マスクパターン同士の間隔が所定の間隔以下になる部分を検出して補正することで、露光後にレジストパターンが短絡することを防止することができる。
【００１８】
このように、マスクパターンの補正の結果、露光後にレジストパターンが短絡する可能性がある補正部分をハンマーヘッドにより補正することにより、レジストパターンの短絡を防止することができる。
【００２３】
また、本発明は、リソグラフィ用データを補正するリソグラフィ用データ補正装置での処理をコンピュータ装置に行なわせるためのプログラムを格納した記録媒体において、前記リソグラフィ用データに基づくマスクパターンを所定の部分ごとに分割し、その部分の露光による劣化に基づいて補正値を決定する第一補正値決定手順と、前記補正値をその部分の周辺のレイアウト環境に基づいて調整する補正値調整手順とを前記コンピュータ装置に行わせ、前記第一補正値決定手順は、前記マスクパターンをライン補正する辺と先端補正する辺とに分類する辺判定手順と、前記辺判定手順で先端補正する辺として分類された辺を、その辺の周辺のレイアウト環境に基づいてＩ字型の辺とＴ字型の辺とに分類するレイアウト環境決定手順と、前記分類された辺ごとに、その辺の露光による劣化に応じた補正値が設定されている第一補正テーブルからその辺の補正値を選択する第一補正値選択手順とを前記コンピュータ装置に行わせ、前記補正値調整手順は、前記決定された補正値に基づき補正を行なった場合に前記マスクパターンの間隔が所定の間隔以下となる辺を検出する過剰補正検出手順と、前記検出された辺の補正により他のマスクパターンと短絡する可能性を有する場合、前記検出された辺の補正を、前記マスクパターンの間隔が前記所定の間隔以上となるように行った後、前記先端補正する辺にハンマーヘッドを付加する補正値変更手順とを前記コンピュータ装置に行わせるためのプログラムを格納するように構成される。
【００２５】
なお、このプログラムを格納する記録媒体は、ＣＤ−ＲＯＭ、フロッピーディスク、光磁気ディスク（ＭＯ）等の様に情報を磁気的に記録する磁気記録媒体、ＲＯＭ、フラッシュメモリ等の様に情報を電気的に記録する半導体メモリ等、様々のタイプの記録媒体を用いることができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
図３は、本発明のリソグラフィ用データ補正装置の一実施例の構成図を示す。図３のリソグラフィ用データ補正装置１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）１０，ＲＡＭ（Ｒａｎｄａｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）１２，ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒｙ）１４，及び外部記憶装置１６を含む構成である。
【００２７】
ＣＰＵ１０は、外部記憶装置１６からＬＳＩの設計レイアウトデータを読み出してＲＡＭ１２に書き込み、その設計レイアウトデータをマスクパターンデータを変換する。変換されたマスクパターンデータは、後述するフローチャートにしたがって近接効果補正が行われ、その後外部記憶装置１６に書き込まれる。
本発明の近接効果補正は、図４のフローチャートに示す手順に従って行われる。図４は、本発明のリソグラフィ用データ補正装置の処理を示す第一実施例のフローチャートを示す。ステップＳ１００では、ＣＰＵ１０は設計レイアウトデータから生成されたマスクパターンデータを外部記憶装置１６から読み出し、ＲＡＭ１２に書き込む。
【００２８】
ステップＳ１１０では、図５に示すようなテーブルが外部記憶装置１６から読み出され、ＲＡＭ１２に書き込まれる。また、テーブルはＲＯＭ１４から読み出すことも可能である。図５のテーブルは、マスクパターン幅の最小限界値，マスクパターン同士の最小限界距離等の近接効果補正に必要な情報を示す先端補正パラメータ，後述するライン補正に利用するライン補正テーブル，Ｉ字補正に利用するＩ字補正テーブル，Ｔ字補正に利用するＴ字補正テーブル，及びハンマーヘッド付加に利用するハンマーヘッドテーブルを含む。
【００２９】
ステップＳ１１０に続いてステップＳ１２０に進み、マスクパターン幅を制御するためのライン補正を行なう辺と、マスクパターンの先端部分を制御するための先端補正を行なう辺とを分類する。なお、そのライン補正を行なう辺と先端補正を行なう辺との分類は、例えば図６に示すレジストパターンの幅Ｘ及び長さＹの比に従って分類することが可能である。この分類は、細長いマスクパターンで特に生じる現象であるが、レジストを露光させてレジストパターンを生成する場合、その長辺と短辺とでは劣化の程度が異なることに対応するものである。
【００３０】
例えば、図７は細長いマスクパターンからレジストパターンを生成した場合の劣化の様子を示す一例の説明図を示す。図７のマスクパターンに基づいてレジストを露光させてレジストパターンを生成した場合、長辺部分は元のマスクパターンに比べて増加する方向に劣化し、短辺部分に相当する先端部分は元のマスクパターンに比べて減少する方向に劣化している。したがって、細長いマスクパターンの長辺部分と短辺部分，言い換えればマスクパターンのライン補正を行なう辺と、先端補正を行なう辺とを分類する。
【００３１】
ステップＳ１２０に続いてステップＳ１３０に進み、ステップＳ１２０にて分類した先端補正を行なう辺を更にＩ字型とＴ字型とに分類する。この分類は、マスクパターン同士の間隔が同じであってもレイアウト環境が異なると、レジストパターンを生成した場合の劣化の程度が異なることに対応するものである。
例えば、図８は異なるレイアウト環境でマスクパターンからレジストパターンを生成する場合の一例の説明図を示す。図８（Ａ）に示すレイアウト環境及び図８（Ｂ）に示すレイアウト環境に同様の近接効果補正を行い、実際にマスクパターンからレジストパターンを生成すると、そのレイアウト環境の違いにより劣化の程度が異なる。
【００３２】
具体的には、図８（Ａ）に示すレイアウト環境の場合の方が劣化の程度が大きく、図８（Ｂ）に示すレイアウト環境の場合の方は劣化の程度が小さいため、図８（Ａ）では適切に補正がされたとしても、図８（Ｂ）では過剰補正によりショートする可能性が生じてしまう。したがって、レイアウト環境の違いにより、図９に示すようにＩ字型先端とＴ字型先端とに分類する。図９は、Ｉ字型先端とＴ字型先端との一例の説明図を示す。
【００３３】
ステップＳ１３０に続いてステップＳ１４０に進み、補正ルールに従ってマスクパターンの辺を分割する。ステップＳ１４０に続いてステップＳ１５０に進み、ステップＳ１４０にて分割された辺の補正値を、図５に示すライン補正に利用するライン補正テーブル，Ｉ字補正に利用するＩ字補正テーブル，Ｔ字補正に利用するＴ字補正テーブルに従って決定する。なお、各テーブルに記載されている負の補正値は図面を縮小する補正を示し、正の補正値は図面を拡大する補正を示している。
【００３４】
ステップＳ１５０に続いてステップＳ１６０に進み、ステップＳ１５０にて決定された補正値で実際に補正を行なうと解像限界を下回る距離になる部分を検出する。ここで、解像限界とは、レチクルライタの解像限界とレジストの露光解像限界とにより決定されるものであり、例えば図５に示す先端補正パラメータに設定されている。
【００３５】
これは、先端補正パラメータにも示すように、Ｉ字型先端とＴ字型先端とではその解像限界が異なり、そのままの補正値で補正を行なうとＴ字補正部分では過剰補正によりショートする可能性が生じてしまうことに対応するための処理である。
ステップＳ１６０に続いてステップＳ１７０に進み、ステップＳ１６０にて検出した部分の補正量を減少させ、図１０に示すようにその減少分を補償するハンマーヘッドを付加する。図１０は、ハンマーヘッドを付加する処理の一例の説明図を示す。
【００３６】
図１０のマスクパターンのＴ字型先端の部分は、本来近接効果補正に従って決定された補正値により補正パターン部分２０が補正される。しかし、この補正値による補正ではマスクパターン同士の間隔が解像限界を下回る距離になっており、そのままの補正値で補正を行なうとＴ字補正部分では過剰補正によりショートする可能性が生じてしまう。したがって、近接効果補正に従って決定された補正パターン部分２０の補正量を減少させ、その減少分を補償するハンマーヘッド２１を付加している。
【００３７】
また、ステップＳ１７０では更に、補正前のマスクパターンのＴ字型先端の部分であって、マスクパターン同士の間隔が解像限界を下回る距離になっている部分についても図１１に示すようにＴ字型先端の部分を後退させる方向に補正し、そのその減少分を補償するハンマーヘッド２１を付加している。
ステップＳ１７０に続いてステップＳ１８０に進み、ハンマーヘッドを付加したことにより、そのハンマーヘッドとハンマーヘッドに隣接するマスクパターンとの間隔が解像限界を下回る距離になる部分を検出する。
【００３８】
ステップＳ１８０に続いてステップＳ１９０に進み、図１２に示すように、ステップＳ１８０にて検出された部分のハンマーヘッドの幅を小さくして、そのハンマーヘッドとハンマーヘッドに隣接するマスクパターンとの間隔が解像限界を下回る距離にならないように補正を行なう。図１２は、ハンマーヘッドの幅を補正する一例の説明図を示す。
【００３９】
以上、図４のフローチャートに示すような処理により、最適な近接効果補正が可能となる。
次に、本発明の他の実施例について図面に基づいて説明する。この実施例は、図１３のフローチャートに示す手順に従って行われる。図１３は、本発明のリソグラフィ用データ補正装置の処理を示す第二実施例のフローチャートを示す。
【００４０】
ステップＳ２００では、設計レイアウトデータをマスクパターンデータに変換する。一般に、設計レイアウトデータはマスクパターンデータで表現できる単位より細かい単位で設計されていることが多く、データの変換のときに丸め計算誤差が発生する。
図１４は、丸め計算誤差が発生する原因の一例の説明図を示す。例えば、図１４（Ａ）に示す設計レイアウトデータをマスクパターンデータに変換する場合、その単位の違いにより図１４（Ｂ），図１４（Ｃ）のような丸め計算誤差が発生するのは避けられない。
【００４１】
しかし、この丸め計算誤差によるマスクパターン形状のバラツキは、データ量を増大させる原因となる。図１５は、マスクパターン形状によるデータ量の違いの一例の説明図を示す。例えば、図１５（Ａ）のように同一形状のマスクパターンであれば同一データの繰り返しにより表現できるためデータ量は少ないが、図１５（Ｂ）のようにマスクパターン形状にバラツキがあると同一データの繰り返しによる表現ができないため、そのデータ量は増大する。
【００４２】
そこで、ステップＳ２１０では、データの変換時に生じる丸め計算誤差に基づくマスクパターン形状のバラツキを補正により削除する。図１６は、マスクパターン形状のバラツキを補正する一例の説明図を示す。一般に、細かい単位から粗い単位への変換により生じる丸め計算誤差は、１単位となる。また、設計レイアウトデータは、一般に４５度の倍角が使用されている。
【００４３】
したがって、例えば図１６（Ａ），図１６（Ｂ）の場合、頂点３０，３１の角度が４５度の倍角となるようにその位置を補正することにより、図１６（Ｃ）に示すように丸め計算誤差をなくすことが可能である。
ステップＳ２１０に続いてステップＳ２２０に進み、図２に示すようなテーブルに示される補正ルールに従って近接効果補正が行われる。図１７は、近接効果補正の一例の説明図を示す。図１７（Ａ）に示すようなマスクパターンを図２のテーブルに示す補正ルールに従って近接効果補正すると、図１７（Ｂ）のようなマスクパターンに補正される。
【００４４】
具体的には、図１７（Ａ）のマスクパターンは、上側のマスクパターン３５，下側のマスクパターン３６より構成されており、マスクパターン３６のマスクパターン３５に対向する辺は、そのマスクパターン幅及びマスクパターン同士の距離により３つのレイアウト環境３７，３８，及び３９が存在する。
レイアウト環境３７は、マスクパターン幅０．２μｍ，マスクパターン同士の距離０．２５μｍであり、図２のテーブルから補正量０．０１μｍが求まる。レイアウト環境３８は、マスクパターン幅０．２μｍ，マスクパターン同士の距離が０．３μｍを超える距離であり、図２のテーブルから補正量０．０３μｍが求まる。
【００４５】
また、レイアウト環境３９は、マスクパターン幅０．６μｍ，マスクパターン同士の距離が０．３μｍを超える距離であり、図２のテーブルから補正量０μｍが求まる。したがって、図１７（Ａ）に示すようなマスクパターンは、図１７（Ｂ）のようなマスクパターンに補正される。
しかし、図１７（Ｂ）の補正部分４２のように微細な補正部分はレジストの露光解像限界等により、作成されるレジストパターンに反映されないことが予想される。一方、このような複雑で微細な部分が増加すると、データ量の増加を生じるため問題となる。
【００４６】
そこで、ステップＳ２２０に続いてステップＳ２３０に進み、補正により作成されるレジストパターンに反映されないような複雑で微細な部分を削除する補正を行なう。ステップＳ２３０の処理を行なうと、図１７（Ｂ）のマスクパターンは、図１７（Ｃ）に示すような単純なマスクパターンとなる。
ステップＳ２３０に続いてステップＳ２４０に進み、ステップＳ２２０での近接効果補正により作成されるマスクパターンから冗長部分を削除する補正を行なう。図１８は、近接効果補正の一例の説明図を示す。
【００４７】
図１８（Ａ）に示すマスクパターンを近接効果補正すると図１８（Ｂ）に示すように補正される。図１８（Ｂ）の補正部分４５，４７は、そのマスクパターン幅及びマスクパターン同士の距離が同一であり、その補正量は同一である。また、図１８（Ｂ）の補正部分４６，４８は、そのマスクパターン幅及びマスクパターン同士の距離が同一であり、その補正量は同一である。
【００４８】
しかし、実際に作成されるレジストパターンは、補正部分４５，４６が劣化する程度に比べて、補正部分４７，４８が劣化しないことが確認されている。したがって、劣化の程度が少ない補正部分を削除する補正を行なう。ステップＳ２４０の処理を行なうと、図１８（Ｃ）に示すようなマスクパターンとなる。
ステップＳ２４０に続いてステップＳ２５０に進み、近接効果補正後のマスクパターンデータを圧縮する。ステップＳ２５０の圧縮処理は、既にマスクパターンのデータ量削減のための処理をステップＳ２００〜ステップＳ２４０にて行なっており、マスクパターンデータの大幅な圧縮が可能である。
【００４９】
以上、図４のフローチャートと図１３のフローチャートを別々に説明したが、二つの処理を組み合わせて行なうことは当然可能であり、効率的な近接効果補正とデータ量削減が可能となる。
なお、特許請求の範囲に記載した第一補正値決定手段はステップＳ１２０〜Ｓ１５０での処理に対応し、補正値調整手段はステップＳ１６０〜Ｓ１９０での処理に対応し、辺判定手段はステップＳ１２０での処理に対応し、レイアウト環境決定手段はステップＳ１３０での処理に対応し、第一補正テーブルは図５のテーブルに対応し、第一補正値選択手段はステップＳ１５０での処理に対応し、過剰補正検出手段はステップＳ１６０，Ｓ１８０での処理に対応し、補正値変更手段はステップＳ１７０，Ｓ１９０での処理に対応する。
【００５０】
また、誤差補正手段はステップＳ２１０での処理に対応し、第二補正値決定手段はステップＳ２２０での処理に対応し、補正部分調整手段はステップＳ２３０〜Ｓ２４０での処理に対応し、微細補正部分削除手段はステップＳ２３０での処理に対応し、冗長補正部分削除手段はステップＳ２４０での処理に対応し、第二補正テーブルは図２のテーブルに対応し、第二補正値選択手段はステップＳ２２０での処理に対応する。
【００５１】
【発明の効果】
上述の如く、本発明によれば、マスクパターンを同様な形状を有する部分に分割し、その部分の露光による劣化を予想して補正値を決定することにより、適切な補正値を得ることができる。また、その部分の周辺のレイアウト環境に基づいて第一補正値決定手段により決定された補正値を調整することにより、周辺のレイアウト環境により露光による劣化の程度が異なることに対応することが可能となる。したがって、最適な補正値を得ることが可能となる。
【００５２】
また、本発明によれば、辺判定手段によりマスクパターンの各辺をライン補正する辺と先端補正する辺とに分類し、更に先端補正する辺を周辺レイアウト環境に基づいてＩ字型の辺とＴ字型の辺とに分類することにより、各辺の特徴に応じて補正値を決定することが可能である。また、各辺の特徴に応じた補正値を設定している第一補正テーブルを有することにより最適な補正値を得ることが可能となる。
【００５３】
特に、先端補正する辺として分類された辺を、その辺の周辺のレイアウト環境に基づいてＩ字型の辺とＴ字型の辺とに分類することは、露光時の劣化の程度の違いに対応することができ、パターンの短絡等を防止することができる。
また、本発明によれば、決定された補正値に基づきそのまま補正を行なった場合に、マスクパターン同士の間隔が所定の間隔以下になる部分を検出して補正することで、露光後にレジストパターンが短絡することを防止することができる。
【００５４】
また、本発明によれば、マスクパターンの補正の結果、露光後にレジストパターンが短絡する可能性がある補正部分をハンマーヘッドにより補正することにより、レジストパターンの短絡を防止することができる。
【００５７】
また、本発明によれば、リソグラフィ用データを補正するリソグラフィ用データ補正装置での処理をコンピュータ装置に行なわせるためのプログラムを格納した記録媒体において、前記リソグラフィ用データに基づくマスクパターンを所定の部分ごとに分割し、その部分の露光による劣化に基づいて補正値を決定する第一補正値決定手順と、前記補正値をその部分の周辺のレイアウト環境に基づいて調整する補正値調整手順とを前記コンピュータ装置に行わせ、前記第一補正値決定手順は、前記マスクパターンをライン補正する辺と先端補正する辺とに分類する辺判定手順と、前記辺判定手順で先端補正する辺として分類された辺を、その辺の周辺のレイアウト環境に基づいてＩ字型の辺とＴ字型の辺とに分類するレイアウト環境決定手順と、前記分類された辺ごとに、その辺の露光による劣化に応じた補正値が設定されている第一補正テーブルからその辺の補正値を選択する第一補正値選択手順とを前記コンピュータ装置に行わせ、前記補正値調整手順は、前記決定された補正値に基づき補正を行なった場合に前記マスクパターンの間隔が所定の間隔以下となる辺を検出する過剰補正検出手順と、前記検出された辺の補正により他のマスクパターンと短絡する可能性を有する場合、前記検出された辺の補正を、前記マスクパターンの間隔が前記所定の間隔以上となるように行った後、前記先端補正する辺にハンマーヘッドを付加する補正値変更手順とを前記コンピュータ装置に行わせるためのプログラムを格納するように構成される。
【図面の簡単な説明】
【図１】近接効果補正の一例の説明図である。
【図２】ルールベース補正用テーブルの一例の説明図である。
【図３】本発明のリソグラフィ用データ補正装置の一実施例の構成図である。
【図４】本発明のリソグラフィ用データ補正装置の処理を示す第一実施例のフローチャートである。
【図５】補正ルールを示す一例のテーブルである。
【図６】先端補正及びライン補正の対象となる辺の一例の説明図である。
【図７】細長いマスクパターンからレジストパターンを生成した場合の劣化の様子を示す一例の説明図である。
【図８】異なるレイアウト環境でマスクパターンからレジストパターンを生成する場合の一例の説明図である。
【図９】Ｉ字型先端とＴ字型先端との一例の説明図である。
【図１０】ハンマーヘッドを付加する一例の説明図である。
【図１１】ハンマーヘッドを付加する一例の説明図である。
【図１２】ハンマーヘッドの幅を補正する一例の説明図である。
【図１３】本発明のリソグラフィ用データ補正装置の処理を示す第二実施例のフローチャートである。
【図１４】丸め計算誤差が発生する原因の一例の説明図である。
【図１５】マスクパターン形状によるデータ量の違いの一例の説明図である。
【図１６】マスクパターン形状のバラツキを補正する一例の説明図である。
【図１７】近接効果補正の一例の説明図である。
【図１８】近接効果補正の一例の説明図である。
【符号の説明】
１ リソグラフィ用データ補正装置
１０ ＣＰＵ
１２ ＲＡＭ
１４ ＲＯＭ
１６ 外部記憶装置
２０ 補正パターン部分
２１ ハンマーヘッド
３０，３１ 頂点
３５，３６ マスクパターン
３７，３８，３９ レイアウト環境
４２ 補正部分
４５，４６，４７，４８ 補正部分
【発明の属する技術分野】
本発明は、リソグラフィ用データ補正装置に係り、特に、半導体集積回路のリソグラフィ用データの近接効果補正を行なうリソグラフィ用データ補正装置に関する。また、本発明は、そのようなリソグラフィ用データ補正装置での処理をコンピュータに行なわせるためのプログラムを格納した記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
あらゆる産業分野に応用されるようになった半導体集積回路，いわゆるＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ），ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ ＩＣ）は、マイクロリソグラフィ（Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）とフォトレジスト（Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）の著しい進歩により更なる高集積化が進んでいる。
【０００３】
このマイクロリソグラフィの分類は、微細パターンを形成する装置の線源の種類に従って分けられており、例えばフォトリソグラフィ，Ｘ線リソグラフィ，電子線リソグラフィ，及びイオンビームリソグラフィがある。
ここでは、マイクロリソグラフィの一例としてフォトリソグラフィについて説明する。フォトリソグラフィは光（可視，紫外，遠紫外光）を光源とする微細加工法であり、半導体集積回路開発の初期から利用されている。フォトリソグラフィは、原図となるマスクパターンを介して光を照射することにより、レジストを露光させてレジストパターンを生成している。
【０００４】
ところで、ＬＳＩ等の高集積化に伴うマスクパターンの微細化により、ＬＳＩ等の物理レイアウトを精度良く描画することが困難となってきており、マスクパターンの製造データを近接効果補正することが必要となっている。ここで、近接効果補正とは、パターン幅や近接するパターンとの距離等のレイアウト上のパラメータにより発生すると予想されるマスクパターン寸法とレジストパターン寸法との差を補正することを言う。
【０００５】
この近接効果補正の方法としては、例えば図１に示す方法がある。図１（Ａ）は、隣接マスクパターンとの距離に応じてマスクパターン幅を変化させる方法である。図１（Ｂ）は、マスクパターンの頂点に矩形を配設する方法である。また、図１（Ｃ）はマスクパターン間に解像しない程度のマスクパターンを配設する方法である。以上、図１（Ａ）〜図１（Ｃ）によって、マスクパターン形状が劣化するのを防いでいた。
【０００６】
また、近接効果補正の他の方法としては、例えばルールベース補正がある。ルールベース補正は、マスクパターン幅や近接するマスクパターンとの距離等のレイアウト上のパラメータを軸にとり、その補正量を予め二次元，又は三次元のテーブルとして作成しておく。このテ−ブルは、例えば図２に示すように作成される。
【０００７】
図２のテーブルは、縦軸にマスクパターン幅，横軸に近接するマスクパターンとの距離がパラメータとして選択されており、例えばマスクパターン幅が０．２μｍ，近接するマスクパターンとの距離が０．２５μｍである場合、その補正量は０．０１μｍである。このように、ルールベース補正では、図２に示すようなテーブルに従ってマスクパターンの補正を行なっていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の近接効果補正の方法は、レイアウト環境に応じて適切な補正を行なうことができないという問題があった。
例えば、図１（Ａ）の方法では、隣接マスクパターンとの距離しか考慮していないため、レイアウト環境に応じて適切な補正を行なうことができない。また、図１（Ｂ），図１（Ｃ）の方法は、データ量が数倍から数十倍になるという傾向があり、現在のＬＳＩの高集積化によってデータ量がギガバイト単位になっている現状を考えると記録媒体等への負担が大きく実用性に乏しい。さらに、レイアウト環境が異なる部分を近接効果補正することで、過剰補正がおこり、マスクパターンにショートが生じる可能性もあった。
【０００９】
一方、ルールベース補正は、図１（Ｂ），図１（Ｃ）と同様に、きめ細かい近接効果補正を行なうほど補正後のマスクパターンの形状が複雑になり、そのデータ量が増大するという問題があった。このようなデータ量の増加は、データの保存，転送等を困難にする。また、マスクパターンの形状の複雑化に伴いデータの類似部分が減少し、圧縮効率の低下が生じるという問題もあった。
【００１０】
本発明は、上記の点に鑑みなされたもので、レイアウト環境に応じた近接効果補正を行なうことが可能なリソグラフィ用データ補正装置を提供することを第一の目的とする。
また、近接効果補正によるデータ量の増加を抑制することが可能なリソグラフィ用データ補正装置を提供することを第二の目的とする。
【００１１】
さらに、そのようなリソグラフィ用データ補正装置での処理をコンピュータに行なわせるためのプログラムを格納した記録媒体を提供することを第三の目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
そこで、上記課題を解決するため、本発明は、リソグラフィ用データを補正するリソグラフィ用データ補正装置において、前記リソグラフィ用データに基づくマスクパターンを所定の部分ごとに分割し、その部分の露光による劣化に基づいて補正値を決定する第一補正値決定手段と、前記補正値をその部分の周辺のレイアウト環境に基づいて調整する補正値調整手段とを有し、前記第一補正値決定手段は、前記マスクパターンをライン補正する辺と先端補正する辺とに分類する辺判定手段と、前記辺判定手段により先端補正する辺として分類された辺を、その辺の周辺のレイアウト環境に基づいてＩ字型の辺とＴ字型の辺とに分類するレイアウト環境決定手段と、前記分類された辺ごとに、その辺の露光による劣化に応じた補正値が設定されている第一補正テーブルと、前記第一補正テーブルからその辺の補正値を選択する第一補正値選択手段とを有し、前記補正値調整手段は、前記決定された補正値に基づき補正を行なった場合に前記マスクパターンの間隔が所定の間隔以下となる辺を検出する過剰補正検出手段と、前記検出された辺の補正により他のマスクパターンと短絡する可能性を有する場合、前記検出された辺の補正を、前記マスクパターンの間隔が前記所定の間隔以上となるように行った後、前記先端補正する辺にハンマーヘッドを付加する補正値変更手段とを有することを特徴とする。
【００１３】
このように、マスクパターンを同様な形状を有する部分に分割し、その部分の露光による劣化を予想して補正値を決定することにより、適切な補正値を得ることができる。また、その部分の周辺のレイアウト環境に基づいて第一補正値決定手段により決定された補正値を調整することにより、周辺のレイアウト環境により露光による劣化の程度が異なることに対応することが可能となる。したがって、最適な補正値を得ることが可能となる。
【００１５】
このように、辺判定手段によりマスクパターンの各辺をライン補正する辺と先端補正する辺とに分類し、更に先端補正する辺を周辺レイアウト環境に基づいてＩ字型の辺とＴ字型の辺とに分類することにより、各辺の特徴に応じて補正値を決定することが可能である。また、各辺の特徴に応じた補正値を設定している第一補正テーブルを有することにより最適な補正値を得ることが可能となる。
【００１６】
特に、先端補正する辺として分類された辺を、その辺の周辺のレイアウト環境に基づいてＩ字型の辺とＴ字型の辺とに分類することは、露光時の劣化の程度の違いに対応することができ、パターンの短絡等を防止することができる。
【００１７】
このように、決定された補正値に基づきそのまま補正を行なった場合に、マスクパターン同士の間隔が所定の間隔以下になる部分を検出して補正することで、露光後にレジストパターンが短絡することを防止することができる。
【００１８】
このように、マスクパターンの補正の結果、露光後にレジストパターンが短絡する可能性がある補正部分をハンマーヘッドにより補正することにより、レジストパターンの短絡を防止することができる。
【００２３】
また、本発明は、リソグラフィ用データを補正するリソグラフィ用データ補正装置での処理をコンピュータ装置に行なわせるためのプログラムを格納した記録媒体において、前記リソグラフィ用データに基づくマスクパターンを所定の部分ごとに分割し、その部分の露光による劣化に基づいて補正値を決定する第一補正値決定手順と、前記補正値をその部分の周辺のレイアウト環境に基づいて調整する補正値調整手順とを前記コンピュータ装置に行わせ、前記第一補正値決定手順は、前記マスクパターンをライン補正する辺と先端補正する辺とに分類する辺判定手順と、前記辺判定手順で先端補正する辺として分類された辺を、その辺の周辺のレイアウト環境に基づいてＩ字型の辺とＴ字型の辺とに分類するレイアウト環境決定手順と、前記分類された辺ごとに、その辺の露光による劣化に応じた補正値が設定されている第一補正テーブルからその辺の補正値を選択する第一補正値選択手順とを前記コンピュータ装置に行わせ、前記補正値調整手順は、前記決定された補正値に基づき補正を行なった場合に前記マスクパターンの間隔が所定の間隔以下となる辺を検出する過剰補正検出手順と、前記検出された辺の補正により他のマスクパターンと短絡する可能性を有する場合、前記検出された辺の補正を、前記マスクパターンの間隔が前記所定の間隔以上となるように行った後、前記先端補正する辺にハンマーヘッドを付加する補正値変更手順とを前記コンピュータ装置に行わせるためのプログラムを格納するように構成される。
【００２５】
なお、このプログラムを格納する記録媒体は、ＣＤ−ＲＯＭ、フロッピーディスク、光磁気ディスク（ＭＯ）等の様に情報を磁気的に記録する磁気記録媒体、ＲＯＭ、フラッシュメモリ等の様に情報を電気的に記録する半導体メモリ等、様々のタイプの記録媒体を用いることができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
図３は、本発明のリソグラフィ用データ補正装置の一実施例の構成図を示す。図３のリソグラフィ用データ補正装置１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）１０，ＲＡＭ（Ｒａｎｄａｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）１２，ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒｙ）１４，及び外部記憶装置１６を含む構成である。
【００２７】
ＣＰＵ１０は、外部記憶装置１６からＬＳＩの設計レイアウトデータを読み出してＲＡＭ１２に書き込み、その設計レイアウトデータをマスクパターンデータを変換する。変換されたマスクパターンデータは、後述するフローチャートにしたがって近接効果補正が行われ、その後外部記憶装置１６に書き込まれる。
本発明の近接効果補正は、図４のフローチャートに示す手順に従って行われる。図４は、本発明のリソグラフィ用データ補正装置の処理を示す第一実施例のフローチャートを示す。ステップＳ１００では、ＣＰＵ１０は設計レイアウトデータから生成されたマスクパターンデータを外部記憶装置１６から読み出し、ＲＡＭ１２に書き込む。
【００２８】
ステップＳ１１０では、図５に示すようなテーブルが外部記憶装置１６から読み出され、ＲＡＭ１２に書き込まれる。また、テーブルはＲＯＭ１４から読み出すことも可能である。図５のテーブルは、マスクパターン幅の最小限界値，マスクパターン同士の最小限界距離等の近接効果補正に必要な情報を示す先端補正パラメータ，後述するライン補正に利用するライン補正テーブル，Ｉ字補正に利用するＩ字補正テーブル，Ｔ字補正に利用するＴ字補正テーブル，及びハンマーヘッド付加に利用するハンマーヘッドテーブルを含む。
【００２９】
ステップＳ１１０に続いてステップＳ１２０に進み、マスクパターン幅を制御するためのライン補正を行なう辺と、マスクパターンの先端部分を制御するための先端補正を行なう辺とを分類する。なお、そのライン補正を行なう辺と先端補正を行なう辺との分類は、例えば図６に示すレジストパターンの幅Ｘ及び長さＹの比に従って分類することが可能である。この分類は、細長いマスクパターンで特に生じる現象であるが、レジストを露光させてレジストパターンを生成する場合、その長辺と短辺とでは劣化の程度が異なることに対応するものである。
【００３０】
例えば、図７は細長いマスクパターンからレジストパターンを生成した場合の劣化の様子を示す一例の説明図を示す。図７のマスクパターンに基づいてレジストを露光させてレジストパターンを生成した場合、長辺部分は元のマスクパターンに比べて増加する方向に劣化し、短辺部分に相当する先端部分は元のマスクパターンに比べて減少する方向に劣化している。したがって、細長いマスクパターンの長辺部分と短辺部分，言い換えればマスクパターンのライン補正を行なう辺と、先端補正を行なう辺とを分類する。
【００３１】
ステップＳ１２０に続いてステップＳ１３０に進み、ステップＳ１２０にて分類した先端補正を行なう辺を更にＩ字型とＴ字型とに分類する。この分類は、マスクパターン同士の間隔が同じであってもレイアウト環境が異なると、レジストパターンを生成した場合の劣化の程度が異なることに対応するものである。
例えば、図８は異なるレイアウト環境でマスクパターンからレジストパターンを生成する場合の一例の説明図を示す。図８（Ａ）に示すレイアウト環境及び図８（Ｂ）に示すレイアウト環境に同様の近接効果補正を行い、実際にマスクパターンからレジストパターンを生成すると、そのレイアウト環境の違いにより劣化の程度が異なる。
【００３２】
具体的には、図８（Ａ）に示すレイアウト環境の場合の方が劣化の程度が大きく、図８（Ｂ）に示すレイアウト環境の場合の方は劣化の程度が小さいため、図８（Ａ）では適切に補正がされたとしても、図８（Ｂ）では過剰補正によりショートする可能性が生じてしまう。したがって、レイアウト環境の違いにより、図９に示すようにＩ字型先端とＴ字型先端とに分類する。図９は、Ｉ字型先端とＴ字型先端との一例の説明図を示す。
【００３３】
ステップＳ１３０に続いてステップＳ１４０に進み、補正ルールに従ってマスクパターンの辺を分割する。ステップＳ１４０に続いてステップＳ１５０に進み、ステップＳ１４０にて分割された辺の補正値を、図５に示すライン補正に利用するライン補正テーブル，Ｉ字補正に利用するＩ字補正テーブル，Ｔ字補正に利用するＴ字補正テーブルに従って決定する。なお、各テーブルに記載されている負の補正値は図面を縮小する補正を示し、正の補正値は図面を拡大する補正を示している。
【００３４】
ステップＳ１５０に続いてステップＳ１６０に進み、ステップＳ１５０にて決定された補正値で実際に補正を行なうと解像限界を下回る距離になる部分を検出する。ここで、解像限界とは、レチクルライタの解像限界とレジストの露光解像限界とにより決定されるものであり、例えば図５に示す先端補正パラメータに設定されている。
【００３５】
これは、先端補正パラメータにも示すように、Ｉ字型先端とＴ字型先端とではその解像限界が異なり、そのままの補正値で補正を行なうとＴ字補正部分では過剰補正によりショートする可能性が生じてしまうことに対応するための処理である。
ステップＳ１６０に続いてステップＳ１７０に進み、ステップＳ１６０にて検出した部分の補正量を減少させ、図１０に示すようにその減少分を補償するハンマーヘッドを付加する。図１０は、ハンマーヘッドを付加する処理の一例の説明図を示す。
【００３６】
図１０のマスクパターンのＴ字型先端の部分は、本来近接効果補正に従って決定された補正値により補正パターン部分２０が補正される。しかし、この補正値による補正ではマスクパターン同士の間隔が解像限界を下回る距離になっており、そのままの補正値で補正を行なうとＴ字補正部分では過剰補正によりショートする可能性が生じてしまう。したがって、近接効果補正に従って決定された補正パターン部分２０の補正量を減少させ、その減少分を補償するハンマーヘッド２１を付加している。
【００３７】
また、ステップＳ１７０では更に、補正前のマスクパターンのＴ字型先端の部分であって、マスクパターン同士の間隔が解像限界を下回る距離になっている部分についても図１１に示すようにＴ字型先端の部分を後退させる方向に補正し、そのその減少分を補償するハンマーヘッド２１を付加している。
ステップＳ１７０に続いてステップＳ１８０に進み、ハンマーヘッドを付加したことにより、そのハンマーヘッドとハンマーヘッドに隣接するマスクパターンとの間隔が解像限界を下回る距離になる部分を検出する。
【００３８】
ステップＳ１８０に続いてステップＳ１９０に進み、図１２に示すように、ステップＳ１８０にて検出された部分のハンマーヘッドの幅を小さくして、そのハンマーヘッドとハンマーヘッドに隣接するマスクパターンとの間隔が解像限界を下回る距離にならないように補正を行なう。図１２は、ハンマーヘッドの幅を補正する一例の説明図を示す。
【００３９】
以上、図４のフローチャートに示すような処理により、最適な近接効果補正が可能となる。
次に、本発明の他の実施例について図面に基づいて説明する。この実施例は、図１３のフローチャートに示す手順に従って行われる。図１３は、本発明のリソグラフィ用データ補正装置の処理を示す第二実施例のフローチャートを示す。
【００４０】
ステップＳ２００では、設計レイアウトデータをマスクパターンデータに変換する。一般に、設計レイアウトデータはマスクパターンデータで表現できる単位より細かい単位で設計されていることが多く、データの変換のときに丸め計算誤差が発生する。
図１４は、丸め計算誤差が発生する原因の一例の説明図を示す。例えば、図１４（Ａ）に示す設計レイアウトデータをマスクパターンデータに変換する場合、その単位の違いにより図１４（Ｂ），図１４（Ｃ）のような丸め計算誤差が発生するのは避けられない。
【００４１】
しかし、この丸め計算誤差によるマスクパターン形状のバラツキは、データ量を増大させる原因となる。図１５は、マスクパターン形状によるデータ量の違いの一例の説明図を示す。例えば、図１５（Ａ）のように同一形状のマスクパターンであれば同一データの繰り返しにより表現できるためデータ量は少ないが、図１５（Ｂ）のようにマスクパターン形状にバラツキがあると同一データの繰り返しによる表現ができないため、そのデータ量は増大する。
【００４２】
そこで、ステップＳ２１０では、データの変換時に生じる丸め計算誤差に基づくマスクパターン形状のバラツキを補正により削除する。図１６は、マスクパターン形状のバラツキを補正する一例の説明図を示す。一般に、細かい単位から粗い単位への変換により生じる丸め計算誤差は、１単位となる。また、設計レイアウトデータは、一般に４５度の倍角が使用されている。
【００４３】
したがって、例えば図１６（Ａ），図１６（Ｂ）の場合、頂点３０，３１の角度が４５度の倍角となるようにその位置を補正することにより、図１６（Ｃ）に示すように丸め計算誤差をなくすことが可能である。
ステップＳ２１０に続いてステップＳ２２０に進み、図２に示すようなテーブルに示される補正ルールに従って近接効果補正が行われる。図１７は、近接効果補正の一例の説明図を示す。図１７（Ａ）に示すようなマスクパターンを図２のテーブルに示す補正ルールに従って近接効果補正すると、図１７（Ｂ）のようなマスクパターンに補正される。
【００４４】
具体的には、図１７（Ａ）のマスクパターンは、上側のマスクパターン３５，下側のマスクパターン３６より構成されており、マスクパターン３６のマスクパターン３５に対向する辺は、そのマスクパターン幅及びマスクパターン同士の距離により３つのレイアウト環境３７，３８，及び３９が存在する。
レイアウト環境３７は、マスクパターン幅０．２μｍ，マスクパターン同士の距離０．２５μｍであり、図２のテーブルから補正量０．０１μｍが求まる。レイアウト環境３８は、マスクパターン幅０．２μｍ，マスクパターン同士の距離が０．３μｍを超える距離であり、図２のテーブルから補正量０．０３μｍが求まる。
【００４５】
また、レイアウト環境３９は、マスクパターン幅０．６μｍ，マスクパターン同士の距離が０．３μｍを超える距離であり、図２のテーブルから補正量０μｍが求まる。したがって、図１７（Ａ）に示すようなマスクパターンは、図１７（Ｂ）のようなマスクパターンに補正される。
しかし、図１７（Ｂ）の補正部分４２のように微細な補正部分はレジストの露光解像限界等により、作成されるレジストパターンに反映されないことが予想される。一方、このような複雑で微細な部分が増加すると、データ量の増加を生じるため問題となる。
【００４６】
そこで、ステップＳ２２０に続いてステップＳ２３０に進み、補正により作成されるレジストパターンに反映されないような複雑で微細な部分を削除する補正を行なう。ステップＳ２３０の処理を行なうと、図１７（Ｂ）のマスクパターンは、図１７（Ｃ）に示すような単純なマスクパターンとなる。
ステップＳ２３０に続いてステップＳ２４０に進み、ステップＳ２２０での近接効果補正により作成されるマスクパターンから冗長部分を削除する補正を行なう。図１８は、近接効果補正の一例の説明図を示す。
【００４７】
図１８（Ａ）に示すマスクパターンを近接効果補正すると図１８（Ｂ）に示すように補正される。図１８（Ｂ）の補正部分４５，４７は、そのマスクパターン幅及びマスクパターン同士の距離が同一であり、その補正量は同一である。また、図１８（Ｂ）の補正部分４６，４８は、そのマスクパターン幅及びマスクパターン同士の距離が同一であり、その補正量は同一である。
【００４８】
しかし、実際に作成されるレジストパターンは、補正部分４５，４６が劣化する程度に比べて、補正部分４７，４８が劣化しないことが確認されている。したがって、劣化の程度が少ない補正部分を削除する補正を行なう。ステップＳ２４０の処理を行なうと、図１８（Ｃ）に示すようなマスクパターンとなる。
ステップＳ２４０に続いてステップＳ２５０に進み、近接効果補正後のマスクパターンデータを圧縮する。ステップＳ２５０の圧縮処理は、既にマスクパターンのデータ量削減のための処理をステップＳ２００〜ステップＳ２４０にて行なっており、マスクパターンデータの大幅な圧縮が可能である。
【００４９】
以上、図４のフローチャートと図１３のフローチャートを別々に説明したが、二つの処理を組み合わせて行なうことは当然可能であり、効率的な近接効果補正とデータ量削減が可能となる。
なお、特許請求の範囲に記載した第一補正値決定手段はステップＳ１２０〜Ｓ１５０での処理に対応し、補正値調整手段はステップＳ１６０〜Ｓ１９０での処理に対応し、辺判定手段はステップＳ１２０での処理に対応し、レイアウト環境決定手段はステップＳ１３０での処理に対応し、第一補正テーブルは図５のテーブルに対応し、第一補正値選択手段はステップＳ１５０での処理に対応し、過剰補正検出手段はステップＳ１６０，Ｓ１８０での処理に対応し、補正値変更手段はステップＳ１７０，Ｓ１９０での処理に対応する。
【００５０】
また、誤差補正手段はステップＳ２１０での処理に対応し、第二補正値決定手段はステップＳ２２０での処理に対応し、補正部分調整手段はステップＳ２３０〜Ｓ２４０での処理に対応し、微細補正部分削除手段はステップＳ２３０での処理に対応し、冗長補正部分削除手段はステップＳ２４０での処理に対応し、第二補正テーブルは図２のテーブルに対応し、第二補正値選択手段はステップＳ２２０での処理に対応する。
【００５１】
【発明の効果】
上述の如く、本発明によれば、マスクパターンを同様な形状を有する部分に分割し、その部分の露光による劣化を予想して補正値を決定することにより、適切な補正値を得ることができる。また、その部分の周辺のレイアウト環境に基づいて第一補正値決定手段により決定された補正値を調整することにより、周辺のレイアウト環境により露光による劣化の程度が異なることに対応することが可能となる。したがって、最適な補正値を得ることが可能となる。
【００５２】
また、本発明によれば、辺判定手段によりマスクパターンの各辺をライン補正する辺と先端補正する辺とに分類し、更に先端補正する辺を周辺レイアウト環境に基づいてＩ字型の辺とＴ字型の辺とに分類することにより、各辺の特徴に応じて補正値を決定することが可能である。また、各辺の特徴に応じた補正値を設定している第一補正テーブルを有することにより最適な補正値を得ることが可能となる。
【００５３】
特に、先端補正する辺として分類された辺を、その辺の周辺のレイアウト環境に基づいてＩ字型の辺とＴ字型の辺とに分類することは、露光時の劣化の程度の違いに対応することができ、パターンの短絡等を防止することができる。
また、本発明によれば、決定された補正値に基づきそのまま補正を行なった場合に、マスクパターン同士の間隔が所定の間隔以下になる部分を検出して補正することで、露光後にレジストパターンが短絡することを防止することができる。
【００５４】
また、本発明によれば、マスクパターンの補正の結果、露光後にレジストパターンが短絡する可能性がある補正部分をハンマーヘッドにより補正することにより、レジストパターンの短絡を防止することができる。
【００５７】
また、本発明によれば、リソグラフィ用データを補正するリソグラフィ用データ補正装置での処理をコンピュータ装置に行なわせるためのプログラムを格納した記録媒体において、前記リソグラフィ用データに基づくマスクパターンを所定の部分ごとに分割し、その部分の露光による劣化に基づいて補正値を決定する第一補正値決定手順と、前記補正値をその部分の周辺のレイアウト環境に基づいて調整する補正値調整手順とを前記コンピュータ装置に行わせ、前記第一補正値決定手順は、前記マスクパターンをライン補正する辺と先端補正する辺とに分類する辺判定手順と、前記辺判定手順で先端補正する辺として分類された辺を、その辺の周辺のレイアウト環境に基づいてＩ字型の辺とＴ字型の辺とに分類するレイアウト環境決定手順と、前記分類された辺ごとに、その辺の露光による劣化に応じた補正値が設定されている第一補正テーブルからその辺の補正値を選択する第一補正値選択手順とを前記コンピュータ装置に行わせ、前記補正値調整手順は、前記決定された補正値に基づき補正を行なった場合に前記マスクパターンの間隔が所定の間隔以下となる辺を検出する過剰補正検出手順と、前記検出された辺の補正により他のマスクパターンと短絡する可能性を有する場合、前記検出された辺の補正を、前記マスクパターンの間隔が前記所定の間隔以上となるように行った後、前記先端補正する辺にハンマーヘッドを付加する補正値変更手順とを前記コンピュータ装置に行わせるためのプログラムを格納するように構成される。
【図面の簡単な説明】
【図１】近接効果補正の一例の説明図である。
【図２】ルールベース補正用テーブルの一例の説明図である。
【図３】本発明のリソグラフィ用データ補正装置の一実施例の構成図である。
【図４】本発明のリソグラフィ用データ補正装置の処理を示す第一実施例のフローチャートである。
【図５】補正ルールを示す一例のテーブルである。
【図６】先端補正及びライン補正の対象となる辺の一例の説明図である。
【図７】細長いマスクパターンからレジストパターンを生成した場合の劣化の様子を示す一例の説明図である。
【図８】異なるレイアウト環境でマスクパターンからレジストパターンを生成する場合の一例の説明図である。
【図９】Ｉ字型先端とＴ字型先端との一例の説明図である。
【図１０】ハンマーヘッドを付加する一例の説明図である。
【図１１】ハンマーヘッドを付加する一例の説明図である。
【図１２】ハンマーヘッドの幅を補正する一例の説明図である。
【図１３】本発明のリソグラフィ用データ補正装置の処理を示す第二実施例のフローチャートである。
【図１４】丸め計算誤差が発生する原因の一例の説明図である。
【図１５】マスクパターン形状によるデータ量の違いの一例の説明図である。
【図１６】マスクパターン形状のバラツキを補正する一例の説明図である。
【図１７】近接効果補正の一例の説明図である。
【図１８】近接効果補正の一例の説明図である。
【符号の説明】
１ リソグラフィ用データ補正装置
１０ ＣＰＵ
１２ ＲＡＭ
１４ ＲＯＭ
１６ 外部記憶装置
２０ 補正パターン部分
２１ ハンマーヘッド
３０，３１ 頂点
３５，３６ マスクパターン
３７，３８，３９ レイアウト環境
４２ 補正部分
４５，４６，４７，４８ 補正部分
Claims (2)
- リソグラフィ用データを補正するリソグラフィ用データ補正装置において、
前記リソグラフィ用データに基づくマスクパターンを所定の部分ごとに分割し、その部分の露光による劣化に基づいて補正値を決定する第一補正値決定手段と、
前記補正値をその部分の周辺のレイアウト環境に基づいて調整する補正値調整手段と
を有し、
前記第一補正値決定手段は、
前記マスクパターンをライン補正する辺と先端補正する辺とに分類する辺判定手段と、
前記辺判定手段により先端補正する辺として分類された辺を、その辺の周辺のレイアウト環境に基づいてＩ字型の辺とＴ字型の辺とに分類するレイアウト環境決定手段と、
前記分類された辺ごとに、その辺の露光による劣化に応じた補正値が設定されている第一補正テーブルと、
前記第一補正テーブルからその辺の補正値を選択する第一補正値選択手段と
を有し、
前記補正値調整手段は、
前記決定された補正値に基づき補正を行なった場合に前記マスクパターンの間隔が所定の間隔以下となる辺を検出する過剰補正検出手段と、
前記検出された辺の補正により他のマスクパターンと短絡する可能性を有する場合、前記検出された辺の補正を、前記マスクパターンの間隔が前記所定の間隔以上となるように行った後、前記先端補正する辺にハンマーヘッドを付加する補正値変更手段と
を有すること
を特徴とするリソグラフィ用データ補正装置。 - リソグラフィ用データを補正するリソグラフィ用データ補正装置での処理をコンピュータ装置に行なわせるためのプログラムを格納した記録媒体において、
前記リソグラフィ用データに基づくマスクパターンを所定の部分ごとに分割し、その部分の露光による劣化に基づいて補正値を決定する第一補正値決定手順と、
前記補正値をその部分の周辺のレイアウト環境に基づいて調整する補正値調整手順と
を前記コンピュータ装置に行わせ、
前記第一補正値決定手順は、
前記マスクパターンをライン補正する辺と先端補正する辺とに分類する辺判定手順と、
前記辺判定手順で先端補正する辺として分類された辺を、その辺の周辺のレイアウト環境に基づいてＩ字型の辺とＴ字型の辺とに分類するレイアウト環境決定手順と、
前記分類された辺ごとに、その辺の露光による劣化に応じた補正値が設定されている第一補正テーブルからその辺の補正値を選択する第一補正値選択手順と
を前記コンピュータ装置に行わせ、
前記補正値調整手順は、
前記決定された補正値に基づき補正を行なった場合に前記マスクパターンの間隔が所定の間隔以下となる辺を検出する過剰補正検出手順と、
前記検出された辺の補正により他のマスクパターンと短絡する可能性を有する場合、前記検出された辺の補正を、前記マスクパターンの間隔が前記所定の間隔以上となるように行った後、前記先端補正する辺にハンマーヘッドを付加する補正値変更手順と
を前記コンピュータ装置に行わせるためのプログラムを格納した記録媒体。
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