JP4302809B2 - リソグラフィ用データ補正装置及びその装置での処理をコンピュータにて行なわせるためのプログラムを格納した記録媒体 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、リソグラフィ用データ補正装置に係り、特に、半導体集積回路のリソグラフィ用データの近接効果補正を行なうリソグラフィ用データ補正装置に関する。また、本発明は、そのようなリソグラフィ用データ補正装置での処理をコンピュータに行なわせるためのプログラムを格納した記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】
あらゆる産業分野に応用されるようになった半導体集積回路,いわゆるIC(Integrated Circuit),LSI(Large Scale IC)は、マイクロリソグラフィ(Microlithography)とフォトレジスト(Photoresist)の著しい進歩により更なる高集積化が進んでいる。
【0003】
このマイクロリソグラフィの分類は、微細パターンを形成する装置の線源の種類に従って分けられており、例えばフォトリソグラフィ,X線リソグラフィ,電子線リソグラフィ,及びイオンビームリソグラフィがある。
ここでは、マイクロリソグラフィの一例としてフォトリソグラフィについて説明する。フォトリソグラフィは光(可視,紫外,遠紫外光)を光源とする微細加工法であり、半導体集積回路開発の初期から利用されている。フォトリソグラフィは、原図となるマスクパターンを介して光を照射することにより、レジストを露光させてレジストパターンを生成している。
【0004】
ところで、LSI等の高集積化に伴うマスクパターンの微細化により、LSI等の物理レイアウトを精度良く描画することが困難となってきており、マスクパターンの製造データを近接効果補正することが必要となっている。ここで、近接効果補正とは、パターン幅や近接するパターンとの距離等のレイアウト上のパラメータにより発生すると予想されるマスクパターン寸法とレジストパターン寸法との差を補正することを言う。
【0005】
この近接効果補正の方法としては、例えば図1に示す方法がある。図1(A)は、隣接マスクパターンとの距離に応じてマスクパターン幅を変化させる方法である。図1(B)は、マスクパターンの頂点に矩形を配設する方法である。また、図1(C)はマスクパターン間に解像しない程度のマスクパターンを配設する方法である。以上、図1(A)〜図1(C)によって、マスクパターン形状が劣化するのを防いでいた。
【0006】
また、近接効果補正の他の方法としては、例えばルールベース補正がある。ルールベース補正は、マスクパターン幅や近接するマスクパターンとの距離等のレイアウト上のパラメータを軸にとり、その補正量を予め二次元,又は三次元のテーブルとして作成しておく。このテ−ブルは、例えば図2に示すように作成される。
【0007】
図2のテーブルは、縦軸にマスクパターン幅,横軸に近接するマスクパターンとの距離がパラメータとして選択されており、例えばマスクパターン幅が0.2μm,近接するマスクパターンとの距離が0.25μmである場合、その補正量は0.01μmである。このように、ルールベース補正では、図2に示すようなテーブルに従ってマスクパターンの補正を行なっていた。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の近接効果補正の方法は、レイアウト環境に応じて適切な補正を行なうことができないという問題があった。
例えば、図1(A)の方法では、隣接マスクパターンとの距離しか考慮していないため、レイアウト環境に応じて適切な補正を行なうことができない。また、図1(B),図1(C)の方法は、データ量が数倍から数十倍になるという傾向があり、現在のLSIの高集積化によってデータ量がギガバイト単位になっている現状を考えると記録媒体等への負担が大きく実用性に乏しい。さらに、レイアウト環境が異なる部分を近接効果補正することで、過剰補正がおこり、マスクパターンにショートが生じる可能性もあった。
【0009】
一方、ルールベース補正は、図1(B),図1(C)と同様に、きめ細かい近接効果補正を行なうほど補正後のマスクパターンの形状が複雑になり、そのデータ量が増大するという問題があった。このようなデータ量の増加は、データの保存,転送等を困難にする。また、マスクパターンの形状の複雑化に伴いデータの類似部分が減少し、圧縮効率の低下が生じるという問題もあった。
【0010】
本発明は、上記の点に鑑みなされたもので、レイアウト環境に応じた近接効果補正を行なうことが可能なリソグラフィ用データ補正装置を提供することを第一の目的とする。
また、近接効果補正によるデータ量の増加を抑制することが可能なリソグラフィ用データ補正装置を提供することを第二の目的とする。
【0011】
さらに、そのようなリソグラフィ用データ補正装置での処理をコンピュータに行なわせるためのプログラムを格納した記録媒体を提供することを第三の目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
そこで、上記課題を解決するため、本発明は、リソグラフィ用データを補正するリソグラフィ用データ補正装置において、前記リソグラフィ用データに基づくマスクパターンを所定の部分ごとに分割し、その部分の露光による劣化に基づいて補正値を決定する第一補正値決定手段と、前記補正値をその部分の周辺のレイアウト環境に基づいて調整する補正値調整手段とを有し、前記第一補正値決定手段は、前記マスクパターンをライン補正する辺と先端補正する辺とに分類する辺判定手段と、前記辺判定手段により先端補正する辺として分類された辺を、その辺の周辺のレイアウト環境に基づいてI字型の辺とT字型の辺とに分類するレイアウト環境決定手段と、前記分類された辺ごとに、その辺の露光による劣化に応じた補正値が設定されている第一補正テーブルと、前記第一補正テーブルからその辺の補正値を選択する第一補正値選択手段とを有し、前記補正値調整手段は、前記決定された補正値に基づき補正を行なった場合に前記マスクパターンの間隔が所定の間隔以下となる辺を検出する過剰補正検出手段と、前記検出された辺の補正により他のマスクパターンと短絡する可能性を有する場合、前記検出された辺の補正を、前記マスクパターンの間隔が前記所定の間隔以上となるように行った後、前記先端補正する辺にハンマーヘッドを付加する補正値変更手段とを有することを特徴とする。
【0013】
このように、マスクパターンを同様な形状を有する部分に分割し、その部分の露光による劣化を予想して補正値を決定することにより、適切な補正値を得ることができる。また、その部分の周辺のレイアウト環境に基づいて第一補正値決定手段により決定された補正値を調整することにより、周辺のレイアウト環境により露光による劣化の程度が異なることに対応することが可能となる。したがって、最適な補正値を得ることが可能となる。
【0015】
このように、辺判定手段によりマスクパターンの各辺をライン補正する辺と先端補正する辺とに分類し、更に先端補正する辺を周辺レイアウト環境に基づいてI字型の辺とT字型の辺とに分類することにより、各辺の特徴に応じて補正値を決定することが可能である。また、各辺の特徴に応じた補正値を設定している第一補正テーブルを有することにより最適な補正値を得ることが可能となる。
【0016】
特に、先端補正する辺として分類された辺を、その辺の周辺のレイアウト環境に基づいてI字型の辺とT字型の辺とに分類することは、露光時の劣化の程度の違いに対応することができ、パターンの短絡等を防止することができる。
【0017】
このように、決定された補正値に基づきそのまま補正を行なった場合に、マスクパターン同士の間隔が所定の間隔以下になる部分を検出して補正することで、露光後にレジストパターンが短絡することを防止することができる。
【0018】
このように、マスクパターンの補正の結果、露光後にレジストパターンが短絡する可能性がある補正部分をハンマーヘッドにより補正することにより、レジストパターンの短絡を防止することができる。
【0023】
また、本発明は、リソグラフィ用データを補正するリソグラフィ用データ補正装置での処理をコンピュータ装置に行なわせるためのプログラムを格納した記録媒体において、前記リソグラフィ用データに基づくマスクパターンを所定の部分ごとに分割し、その部分の露光による劣化に基づいて補正値を決定する第一補正値決定手順と、前記補正値をその部分の周辺のレイアウト環境に基づいて調整する補正値調整手順とを前記コンピュータ装置に行わせ、前記第一補正値決定手順は、前記マスクパターンをライン補正する辺と先端補正する辺とに分類する辺判定手順と、前記辺判定手順で先端補正する辺として分類された辺を、その辺の周辺のレイアウト環境に基づいてI字型の辺とT字型の辺とに分類するレイアウト環境決定手順と、前記分類された辺ごとに、その辺の露光による劣化に応じた補正値が設定されている第一補正テーブルからその辺の補正値を選択する第一補正値選択手順とを前記コンピュータ装置に行わせ、前記補正値調整手順は、前記決定された補正値に基づき補正を行なった場合に前記マスクパターンの間隔が所定の間隔以下となる辺を検出する過剰補正検出手順と、前記検出された辺の補正により他のマスクパターンと短絡する可能性を有する場合、前記検出された辺の補正を、前記マスクパターンの間隔が前記所定の間隔以上となるように行った後、前記先端補正する辺にハンマーヘッドを付加する補正値変更手順とを前記コンピュータ装置に行わせるためのプログラムを格納するように構成される。
【0025】
なお、このプログラムを格納する記録媒体は、CD−ROM、フロッピーディスク、光磁気ディスク(MO)等の様に情報を磁気的に記録する磁気記録媒体、ROM、フラッシュメモリ等の様に情報を電気的に記録する半導体メモリ等、様々のタイプの記録媒体を用いることができる。
【0026】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
図3は、本発明のリソグラフィ用データ補正装置の一実施例の構成図を示す。図3のリソグラフィ用データ補正装置1は、CPU(Central Processing Unit)10,RAM(Randam Access Memory)12,ROM(Read Only memory)14,及び外部記憶装置16を含む構成である。
【0027】
CPU10は、外部記憶装置16からLSIの設計レイアウトデータを読み出してRAM12に書き込み、その設計レイアウトデータをマスクパターンデータを変換する。変換されたマスクパターンデータは、後述するフローチャートにしたがって近接効果補正が行われ、その後外部記憶装置16に書き込まれる。
本発明の近接効果補正は、図4のフローチャートに示す手順に従って行われる。図4は、本発明のリソグラフィ用データ補正装置の処理を示す第一実施例のフローチャートを示す。ステップS100では、CPU10は設計レイアウトデータから生成されたマスクパターンデータを外部記憶装置16から読み出し、RAM12に書き込む。
【0028】
ステップS110では、図5に示すようなテーブルが外部記憶装置16から読み出され、RAM12に書き込まれる。また、テーブルはROM14から読み出すことも可能である。図5のテーブルは、マスクパターン幅の最小限界値,マスクパターン同士の最小限界距離等の近接効果補正に必要な情報を示す先端補正パラメータ,後述するライン補正に利用するライン補正テーブル,I字補正に利用するI字補正テーブル,T字補正に利用するT字補正テーブル,及びハンマーヘッド付加に利用するハンマーヘッドテーブルを含む。
【0029】
ステップS110に続いてステップS120に進み、マスクパターン幅を制御するためのライン補正を行なう辺と、マスクパターンの先端部分を制御するための先端補正を行なう辺とを分類する。なお、そのライン補正を行なう辺と先端補正を行なう辺との分類は、例えば図6に示すレジストパターンの幅X及び長さYの比に従って分類することが可能である。この分類は、細長いマスクパターンで特に生じる現象であるが、レジストを露光させてレジストパターンを生成する場合、その長辺と短辺とでは劣化の程度が異なることに対応するものである。
【0030】
例えば、図7は細長いマスクパターンからレジストパターンを生成した場合の劣化の様子を示す一例の説明図を示す。図7のマスクパターンに基づいてレジストを露光させてレジストパターンを生成した場合、長辺部分は元のマスクパターンに比べて増加する方向に劣化し、短辺部分に相当する先端部分は元のマスクパターンに比べて減少する方向に劣化している。したがって、細長いマスクパターンの長辺部分と短辺部分,言い換えればマスクパターンのライン補正を行なう辺と、先端補正を行なう辺とを分類する。
【0031】
ステップS120に続いてステップS130に進み、ステップS120にて分類した先端補正を行なう辺を更にI字型とT字型とに分類する。この分類は、マスクパターン同士の間隔が同じであってもレイアウト環境が異なると、レジストパターンを生成した場合の劣化の程度が異なることに対応するものである。
例えば、図8は異なるレイアウト環境でマスクパターンからレジストパターンを生成する場合の一例の説明図を示す。図8(A)に示すレイアウト環境及び図8(B)に示すレイアウト環境に同様の近接効果補正を行い、実際にマスクパターンからレジストパターンを生成すると、そのレイアウト環境の違いにより劣化の程度が異なる。
【0032】
具体的には、図8(A)に示すレイアウト環境の場合の方が劣化の程度が大きく、図8(B)に示すレイアウト環境の場合の方は劣化の程度が小さいため、図8(A)では適切に補正がされたとしても、図8(B)では過剰補正によりショートする可能性が生じてしまう。したがって、レイアウト環境の違いにより、図9に示すようにI字型先端とT字型先端とに分類する。図9は、I字型先端とT字型先端との一例の説明図を示す。
【0033】
ステップS130に続いてステップS140に進み、補正ルールに従ってマスクパターンの辺を分割する。ステップS140に続いてステップS150に進み、ステップS140にて分割された辺の補正値を、図5に示すライン補正に利用するライン補正テーブル,I字補正に利用するI字補正テーブル,T字補正に利用するT字補正テーブルに従って決定する。なお、各テーブルに記載されている負の補正値は図面を縮小する補正を示し、正の補正値は図面を拡大する補正を示している。
【0034】
ステップS150に続いてステップS160に進み、ステップS150にて決定された補正値で実際に補正を行なうと解像限界を下回る距離になる部分を検出する。ここで、解像限界とは、レチクルライタの解像限界とレジストの露光解像限界とにより決定されるものであり、例えば図5に示す先端補正パラメータに設定されている。
【0035】
これは、先端補正パラメータにも示すように、I字型先端とT字型先端とではその解像限界が異なり、そのままの補正値で補正を行なうとT字補正部分では過剰補正によりショートする可能性が生じてしまうことに対応するための処理である。
ステップS160に続いてステップS170に進み、ステップS160にて検出した部分の補正量を減少させ、図10に示すようにその減少分を補償するハンマーヘッドを付加する。図10は、ハンマーヘッドを付加する処理の一例の説明図を示す。
【0036】
図10のマスクパターンのT字型先端の部分は、本来近接効果補正に従って決定された補正値により補正パターン部分20が補正される。しかし、この補正値による補正ではマスクパターン同士の間隔が解像限界を下回る距離になっており、そのままの補正値で補正を行なうとT字補正部分では過剰補正によりショートする可能性が生じてしまう。したがって、近接効果補正に従って決定された補正パターン部分20の補正量を減少させ、その減少分を補償するハンマーヘッド21を付加している。
【0037】
また、ステップS170では更に、補正前のマスクパターンのT字型先端の部分であって、マスクパターン同士の間隔が解像限界を下回る距離になっている部分についても図11に示すようにT字型先端の部分を後退させる方向に補正し、そのその減少分を補償するハンマーヘッド21を付加している。
ステップS170に続いてステップS180に進み、ハンマーヘッドを付加したことにより、そのハンマーヘッドとハンマーヘッドに隣接するマスクパターンとの間隔が解像限界を下回る距離になる部分を検出する。
【0038】
ステップS180に続いてステップS190に進み、図12に示すように、ステップS180にて検出された部分のハンマーヘッドの幅を小さくして、そのハンマーヘッドとハンマーヘッドに隣接するマスクパターンとの間隔が解像限界を下回る距離にならないように補正を行なう。図12は、ハンマーヘッドの幅を補正する一例の説明図を示す。
【0039】
以上、図4のフローチャートに示すような処理により、最適な近接効果補正が可能となる。
次に、本発明の他の実施例について図面に基づいて説明する。この実施例は、図13のフローチャートに示す手順に従って行われる。図13は、本発明のリソグラフィ用データ補正装置の処理を示す第二実施例のフローチャートを示す。
【0040】
ステップS200では、設計レイアウトデータをマスクパターンデータに変換する。一般に、設計レイアウトデータはマスクパターンデータで表現できる単位より細かい単位で設計されていることが多く、データの変換のときに丸め計算誤差が発生する。
図14は、丸め計算誤差が発生する原因の一例の説明図を示す。例えば、図14(A)に示す設計レイアウトデータをマスクパターンデータに変換する場合、その単位の違いにより図14(B),図14(C)のような丸め計算誤差が発生するのは避けられない。
【0041】
しかし、この丸め計算誤差によるマスクパターン形状のバラツキは、データ量を増大させる原因となる。図15は、マスクパターン形状によるデータ量の違いの一例の説明図を示す。例えば、図15(A)のように同一形状のマスクパターンであれば同一データの繰り返しにより表現できるためデータ量は少ないが、図15(B)のようにマスクパターン形状にバラツキがあると同一データの繰り返しによる表現ができないため、そのデータ量は増大する。
【0042】
そこで、ステップS210では、データの変換時に生じる丸め計算誤差に基づくマスクパターン形状のバラツキを補正により削除する。図16は、マスクパターン形状のバラツキを補正する一例の説明図を示す。一般に、細かい単位から粗い単位への変換により生じる丸め計算誤差は、1単位となる。また、設計レイアウトデータは、一般に45度の倍角が使用されている。
【0043】
したがって、例えば図16(A),図16(B)の場合、頂点30,31の角度が45度の倍角となるようにその位置を補正することにより、図16(C)に示すように丸め計算誤差をなくすことが可能である。
ステップS210に続いてステップS220に進み、図2に示すようなテーブルに示される補正ルールに従って近接効果補正が行われる。図17は、近接効果補正の一例の説明図を示す。図17(A)に示すようなマスクパターンを図2のテーブルに示す補正ルールに従って近接効果補正すると、図17(B)のようなマスクパターンに補正される。
【0044】
具体的には、図17(A)のマスクパターンは、上側のマスクパターン35,下側のマスクパターン36より構成されており、マスクパターン36のマスクパターン35に対向する辺は、そのマスクパターン幅及びマスクパターン同士の距離により3つのレイアウト環境37,38,及び39が存在する。
レイアウト環境37は、マスクパターン幅0.2μm,マスクパターン同士の距離0.25μmであり、図2のテーブルから補正量0.01μmが求まる。レイアウト環境38は、マスクパターン幅0.2μm,マスクパターン同士の距離が0.3μmを超える距離であり、図2のテーブルから補正量0.03μmが求まる。
【0045】
また、レイアウト環境39は、マスクパターン幅0.6μm,マスクパターン同士の距離が0.3μmを超える距離であり、図2のテーブルから補正量0μmが求まる。したがって、図17(A)に示すようなマスクパターンは、図17(B)のようなマスクパターンに補正される。
しかし、図17(B)の補正部分42のように微細な補正部分はレジストの露光解像限界等により、作成されるレジストパターンに反映されないことが予想される。一方、このような複雑で微細な部分が増加すると、データ量の増加を生じるため問題となる。
【0046】
そこで、ステップS220に続いてステップS230に進み、補正により作成されるレジストパターンに反映されないような複雑で微細な部分を削除する補正を行なう。ステップS230の処理を行なうと、図17(B)のマスクパターンは、図17(C)に示すような単純なマスクパターンとなる。
ステップS230に続いてステップS240に進み、ステップS220での近接効果補正により作成されるマスクパターンから冗長部分を削除する補正を行なう。図18は、近接効果補正の一例の説明図を示す。
【0047】
図18(A)に示すマスクパターンを近接効果補正すると図18(B)に示すように補正される。図18(B)の補正部分45,47は、そのマスクパターン幅及びマスクパターン同士の距離が同一であり、その補正量は同一である。また、図18(B)の補正部分46,48は、そのマスクパターン幅及びマスクパターン同士の距離が同一であり、その補正量は同一である。
【0048】
しかし、実際に作成されるレジストパターンは、補正部分45,46が劣化する程度に比べて、補正部分47,48が劣化しないことが確認されている。したがって、劣化の程度が少ない補正部分を削除する補正を行なう。ステップS240の処理を行なうと、図18(C)に示すようなマスクパターンとなる。
ステップS240に続いてステップS250に進み、近接効果補正後のマスクパターンデータを圧縮する。ステップS250の圧縮処理は、既にマスクパターンのデータ量削減のための処理をステップS200〜ステップS240にて行なっており、マスクパターンデータの大幅な圧縮が可能である。
【0049】
以上、図4のフローチャートと図13のフローチャートを別々に説明したが、二つの処理を組み合わせて行なうことは当然可能であり、効率的な近接効果補正とデータ量削減が可能となる。
なお、特許請求の範囲に記載した第一補正値決定手段はステップS120〜S150での処理に対応し、補正値調整手段はステップS160〜S190での処理に対応し、辺判定手段はステップS120での処理に対応し、レイアウト環境決定手段はステップS130での処理に対応し、第一補正テーブルは図5のテーブルに対応し、第一補正値選択手段はステップS150での処理に対応し、過剰補正検出手段はステップS160,S180での処理に対応し、補正値変更手段はステップS170,S190での処理に対応する。
【0050】
また、誤差補正手段はステップS210での処理に対応し、第二補正値決定手段はステップS220での処理に対応し、補正部分調整手段はステップS230〜S240での処理に対応し、微細補正部分削除手段はステップS230での処理に対応し、冗長補正部分削除手段はステップS240での処理に対応し、第二補正テーブルは図2のテーブルに対応し、第二補正値選択手段はステップS220での処理に対応する。
【0051】
【発明の効果】
上述の如く、本発明によれば、マスクパターンを同様な形状を有する部分に分割し、その部分の露光による劣化を予想して補正値を決定することにより、適切な補正値を得ることができる。また、その部分の周辺のレイアウト環境に基づいて第一補正値決定手段により決定された補正値を調整することにより、周辺のレイアウト環境により露光による劣化の程度が異なることに対応することが可能となる。したがって、最適な補正値を得ることが可能となる。
【0052】
また、本発明によれば、辺判定手段によりマスクパターンの各辺をライン補正する辺と先端補正する辺とに分類し、更に先端補正する辺を周辺レイアウト環境に基づいてI字型の辺とT字型の辺とに分類することにより、各辺の特徴に応じて補正値を決定することが可能である。また、各辺の特徴に応じた補正値を設定している第一補正テーブルを有することにより最適な補正値を得ることが可能となる。
【0053】
特に、先端補正する辺として分類された辺を、その辺の周辺のレイアウト環境に基づいてI字型の辺とT字型の辺とに分類することは、露光時の劣化の程度の違いに対応することができ、パターンの短絡等を防止することができる。
また、本発明によれば、決定された補正値に基づきそのまま補正を行なった場合に、マスクパターン同士の間隔が所定の間隔以下になる部分を検出して補正することで、露光後にレジストパターンが短絡することを防止することができる。
【0054】
また、本発明によれば、マスクパターンの補正の結果、露光後にレジストパターンが短絡する可能性がある補正部分をハンマーヘッドにより補正することにより、レジストパターンの短絡を防止することができる。
【0057】
また、本発明によれば、リソグラフィ用データを補正するリソグラフィ用データ補正装置での処理をコンピュータ装置に行なわせるためのプログラムを格納した記録媒体において、前記リソグラフィ用データに基づくマスクパターンを所定の部分ごとに分割し、その部分の露光による劣化に基づいて補正値を決定する第一補正値決定手順と、前記補正値をその部分の周辺のレイアウト環境に基づいて調整する補正値調整手順とを前記コンピュータ装置に行わせ、前記第一補正値決定手順は、前記マスクパターンをライン補正する辺と先端補正する辺とに分類する辺判定手順と、前記辺判定手順で先端補正する辺として分類された辺を、その辺の周辺のレイアウト環境に基づいてI字型の辺とT字型の辺とに分類するレイアウト環境決定手順と、前記分類された辺ごとに、その辺の露光による劣化に応じた補正値が設定されている第一補正テーブルからその辺の補正値を選択する第一補正値選択手順とを前記コンピュータ装置に行わせ、前記補正値調整手順は、前記決定された補正値に基づき補正を行なった場合に前記マスクパターンの間隔が所定の間隔以下となる辺を検出する過剰補正検出手順と、前記検出された辺の補正により他のマスクパターンと短絡する可能性を有する場合、前記検出された辺の補正を、前記マスクパターンの間隔が前記所定の間隔以上となるように行った後、前記先端補正する辺にハンマーヘッドを付加する補正値変更手順とを前記コンピュータ装置に行わせるためのプログラムを格納するように構成される。
【図面の簡単な説明】
【図1】近接効果補正の一例の説明図である。
【図2】ルールベース補正用テーブルの一例の説明図である。
【図3】本発明のリソグラフィ用データ補正装置の一実施例の構成図である。
【図4】本発明のリソグラフィ用データ補正装置の処理を示す第一実施例のフローチャートである。
【図5】補正ルールを示す一例のテーブルである。
【図6】先端補正及びライン補正の対象となる辺の一例の説明図である。
【図7】細長いマスクパターンからレジストパターンを生成した場合の劣化の様子を示す一例の説明図である。
【図8】異なるレイアウト環境でマスクパターンからレジストパターンを生成する場合の一例の説明図である。
【図9】I字型先端とT字型先端との一例の説明図である。
【図10】ハンマーヘッドを付加する一例の説明図である。
【図11】ハンマーヘッドを付加する一例の説明図である。
【図12】ハンマーヘッドの幅を補正する一例の説明図である。
【図13】本発明のリソグラフィ用データ補正装置の処理を示す第二実施例のフローチャートである。
【図14】丸め計算誤差が発生する原因の一例の説明図である。
【図15】マスクパターン形状によるデータ量の違いの一例の説明図である。
【図16】マスクパターン形状のバラツキを補正する一例の説明図である。
【図17】近接効果補正の一例の説明図である。
【図18】近接効果補正の一例の説明図である。
【符号の説明】
1 リソグラフィ用データ補正装置
10 CPU
12 RAM
14 ROM
16 外部記憶装置
20 補正パターン部分
21 ハンマーヘッド
30,31 頂点
35,36 マスクパターン
37,38,39 レイアウト環境
42 補正部分
45,46,47,48 補正部分
Claims (2)
- リソグラフィ用データを補正するリソグラフィ用データ補正装置において、
前記リソグラフィ用データに基づくマスクパターンを所定の部分ごとに分割し、その部分の露光による劣化に基づいて補正値を決定する第一補正値決定手段と、
前記補正値をその部分の周辺のレイアウト環境に基づいて調整する補正値調整手段と
を有し、
前記第一補正値決定手段は、
前記マスクパターンをライン補正する辺と先端補正する辺とに分類する辺判定手段と、
前記辺判定手段により先端補正する辺として分類された辺を、その辺の周辺のレイアウト環境に基づいてI字型の辺とT字型の辺とに分類するレイアウト環境決定手段と、
前記分類された辺ごとに、その辺の露光による劣化に応じた補正値が設定されている第一補正テーブルと、
前記第一補正テーブルからその辺の補正値を選択する第一補正値選択手段と
を有し、
前記補正値調整手段は、
前記決定された補正値に基づき補正を行なった場合に前記マスクパターンの間隔が所定の間隔以下となる辺を検出する過剰補正検出手段と、
前記検出された辺の補正により他のマスクパターンと短絡する可能性を有する場合、前記検出された辺の補正を、前記マスクパターンの間隔が前記所定の間隔以上となるように行った後、前記先端補正する辺にハンマーヘッドを付加する補正値変更手段と
を有すること
を特徴とするリソグラフィ用データ補正装置。 - リソグラフィ用データを補正するリソグラフィ用データ補正装置での処理をコンピュータ装置に行なわせるためのプログラムを格納した記録媒体において、
前記リソグラフィ用データに基づくマスクパターンを所定の部分ごとに分割し、その部分の露光による劣化に基づいて補正値を決定する第一補正値決定手順と、
前記補正値をその部分の周辺のレイアウト環境に基づいて調整する補正値調整手順と
を前記コンピュータ装置に行わせ、
前記第一補正値決定手順は、
前記マスクパターンをライン補正する辺と先端補正する辺とに分類する辺判定手順と、
前記辺判定手順で先端補正する辺として分類された辺を、その辺の周辺のレイアウト環境に基づいてI字型の辺とT字型の辺とに分類するレイアウト環境決定手順と、
前記分類された辺ごとに、その辺の露光による劣化に応じた補正値が設定されている第一補正テーブルからその辺の補正値を選択する第一補正値選択手順と
を前記コンピュータ装置に行わせ、
前記補正値調整手順は、
前記決定された補正値に基づき補正を行なった場合に前記マスクパターンの間隔が所定の間隔以下となる辺を検出する過剰補正検出手順と、
前記検出された辺の補正により他のマスクパターンと短絡する可能性を有する場合、前記検出された辺の補正を、前記マスクパターンの間隔が前記所定の間隔以上となるように行った後、前記先端補正する辺にハンマーヘッドを付加する補正値変更手順と
を前記コンピュータ装置に行わせるためのプログラムを格納した記録媒体。
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