JP4295163B2 - 表示装置、有機電界発光表示装置及び表示装置の駆動方法 - Google Patents

Description

本発明は、自己発光型表示装置に関する。更に詳しく説明すると、隣接する二つの画素のＲ、Ｇ、Ｂ発光素子のうち、二つの発光素子を時分割的に駆動する有機電界発光表示装置及びその駆動方法(Ｐｉｘｅｌ ｃｉｒｃｕｉｔ ｉｎ ｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ ａｎｄ Ｄｒｉｖｉｎｇ ｍｅｔｈｏｄ ｔｈｅｒｅｏｆ)に関する。

最近は、軽量、薄型などの特性から携帯用情報機器に液晶表示装置（ＬＣＤ）と有機電界発光表示装置（ＯＬＥＤ）などがよく使用されている。有機電界発光表示装置は、液晶表示装置と比べて輝度特性及び視野角特性が優れているため次世代平板表示装置として注目を浴びている。

通常、アクティブマトリクス有機電界発光表示装置は、一つの画素がＲ、Ｇ、Ｂ単位画素で構成され、各Ｒ、Ｇ、Ｂ単位画素はＥＬ素子を有する。各ＥＬ素子は、アノード電極とカソード電極との間に各Ｒ、Ｇ、Ｂ有機発光層が介在されて、アノード電極とカソード電極に印加される電圧によりＲ、Ｇ、Ｂ有機発光層から光を発光する。

図１６は、従来のアクティブマトリクス有機電界発光表示装置の構成を示す図である。図１６を参照すると、従来のアクティブマトリクス有機電界発光表示装置１０は、画素部１００、ゲートライン駆動回路１１０、データライン駆動回路１２０及び制御部（図示せず）を備える。前記画素部１００は、前記ゲートライン駆動回路１１０からスキャン信号Ｓ１−Ｓｍが提供される多数のゲートライン１１１−１１ｍと、前記データライン駆動回路１２０からデータ信号ＤＲ１、ＤＧ１、ＤＢ１−ＤＲｎ、ＤＧｎ、ＤＢｎを提供するための多数のデータライン１２１−１２ｎ及び電源電圧ＶＤＤ１−ＶＤＤｎを提供する多数の電源ライン１３１−１３ｎを備える。

前記画素部１００は、多数のゲートライン１１１−１１ｍ、多数のデータライン１２１−１２ｎ及び多数の電源ライン１３１−１３ｎに連結される多数の画素Ｐ１１−Ｐｍｎがマトリクス形態で配列される。各画素Ｐ１１−Ｐｍｎは、三つの単位画素、つまりＲ、Ｇ、Ｂ単位画素ＰＲ１１、ＰＧ１１、ＰＢ１１−ＰＲｍｎ、ＰＧｍｎ、ＰＢｍｎで構成されて、多数のゲートライン、データライン及び電源供給ラインのうち、該当する一つのゲートライン、データライン及び電源供給ラインにそれぞれ連結される。

例えば、画素Ｐ１１は、Ｒ単位画素ＰＲ１１、Ｇ単位画素ＰＧ１１、Ｂ単位画素ＰＢ１１を備え、多数のゲートライン１１１−１１ｍのうち、第１スキャン信号Ｓ１を提供する第１ゲートライン１１１、多数のデータライン１２１−１２ｎのうち、第１データライン１２１、そして多数の電源ライン１３１−１３ｎのうち、第１電源ライン１３１に連結される。

すなわち、前記画素Ｐ１１のうち、Ｒ単位画素ＰＲ１１は、第１ゲートライン１１１と第１データライン１２１のうち、Ｒデータ信号ＤＲ１が提供されるＲデータライン１２１Ｒ、そして第１電源ライン１３１のうち、Ｒ電源ライン１３１Ｒに連結され、Ｇ単位画素ＰＧ１１は第１ゲートライン１１１と、第１データライン１２１のうち、Ｇデータ信号ＤＧ１が提供されるＧデータライン１２１Ｇ、そして第１電源ライン１３１のうち、Ｇ電源ライン１３１Ｇに連結され、Ｂ単位画素ＰＢ１１は第１ゲートライン１１１と、第１データライン１２１のうち、Ｂデータ信号ＤＢ１が提供されるＢデータライン１２１Ｂ、そして第１電源ライン１３１のうち、Ｂ電源ライン１３１Ｂに連結される。

図１７は、従来の有機電界発光表示装置のピクセル回路を示したものであり、図１６でＲ、Ｇ、Ｂ単位画素で構成される一つの画素Ｐ１１の回路構成図を示したものである。

図１７を参照すると、画素Ｐ１１を構成するＲ、Ｇ、Ｂ単位画素ＰＲ１１、ＰＧ１１、ＰＢ１１のうち、Ｒ単位画素ＰＲ１１は第１ゲートライン１１１から印加されるスキャン信号Ｓ１がゲートに提供され、ソースにＲデータライン１２１Ｒからデータ信号ＤＲ１が提供されるスイッチングトランジスターＭ１＿Ｒと、前記スイッチングトランジスターＭ１＿Ｒのドレーンにゲートが連結され、ソースに電源ライン１３１Ｒから電源電圧ＶＤＤ１が提供される駆動トランジスターＭ２＿Ｒと、前記駆動トランジスターＭ２＿Ｒのゲートとソースに連結されるキャパシターＣ１＿Ｒと、前記駆動トランジスターＭ２＿Ｒのドレーンにアノードが連結され、カソードが接地電圧ＶＳＳに連結されるＲ−ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｒで構成される。

これと同様に、Ｇ単位画素ＰＧ１１は、第１ゲートライン１１１から印加されるスキャン信号Ｓ１がゲートに提供され、ソースにＧデータライン１２１Ｇからデータ信号ＤＧ１が提供されるスイッチングトランジスターＭ１＿Ｇと、前記スイッチングトランジスターＭ１＿Ｇのドレーンにゲートが連結され、ソースに電源ライン１３１Ｇから電源電圧ＶＤＤ１が提供される駆動トランジスターＭ２＿Ｇと、前記駆動トランジスターＭ２＿Ｇのゲートとソースに連結されるキャパシターＣ１＿Ｇと、前記駆動トランジスターＭ２＿Ｇのドレーンにアノードが連結され、カソードが接地電圧ＶＳＳに連結されるＧ−ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｇで構成される。

また、Ｂ単位画素ＰＢ１１は、第１ゲートライン１１１から印加されるスキャン信号Ｓ１がゲートに提供され、ソースにＢデータライン１２１Ｂからデータ信号ＤＢ１が提供されるスイッチングトランジスターＭ１＿Ｂと、前記スイッチングトランジスターＭ１＿Ｂのドレーンにゲートが連結され、ソースに電源ライン１３１Ｂから電源電圧ＶＤＤ１が提供される駆動トランジスターＭ２＿Ｂと、前記駆動トランジスターＭ２＿Ｂのゲートとソースに連結されるキャパシターＣ１＿Ｂと、前記駆動トランジスターＭ２＿Ｂのドレーンにアノードが連結され、カソードが接地電圧ＶＳＳに連結されるＢ−ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｂで構成される。

前述のピクセル回路の動作を見ると、ゲートライン１１１にスキャン信号Ｓ１が印加されると、画素Ｐ１１を構成するＲ、Ｇ、Ｂ単位画素のスイッチングトランジスターＭ１＿Ｒ、Ｍ１＿Ｇ、Ｍ１＿Ｂが駆動され、Ｒ、Ｇ、Ｂデータライン１２１Ｒ、１２１Ｇ、１２１ＢからＲ、Ｇ、ＢデータＤＲ１、ＤＧ１、ＤＢ１が駆動トランジスターＭ２＿Ｒ、Ｍ２＿Ｇ、Ｍ２＿Ｂのゲートにそれぞれ印加される。

前記駆動トランジスターＭ２＿Ｒ、Ｍ２＿Ｇ、Ｍ２＿Ｂは、ゲートに印加されるデータ信号ＤＲ１、ＤＧ１、ＤＢ１とＲ、Ｇ、Ｂ電源ライン１３１Ｒ、１３１Ｇ、１３１Ｂからそれぞれ提供される電源電圧ＶＤＤ１との差に相応する駆動電流をＥＬ素子ＥＬ１＿Ｒ、ＥＬ１＿Ｇ、ＥＬ１＿Ｂに提供する。各ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｒ、ＥＬ１＿Ｇ、ＥＬ１＿Ｂは、駆動トランジスターＭ２＿Ｒ、Ｍ２＿Ｇ、Ｍ２＿Ｂを通じて印加される駆動電流により駆動されて画素Ｐ１１が駆動される。キャパシターＣ１＿Ｒ、Ｃ１＿Ｇ、Ｃ１＿Ｂは、各Ｒ、Ｇ、Ｂデータライン１２１Ｒ、１２１Ｇ、１２１Ｂに印加されるデータ信号ＤＲ１、ＤＧ１、ＤＢ１を貯蔵するための手段である。

前述したような構成を有する従来の有機電界発光表示装置の動作を図１８の駆動波形図を参照して説明すると次のようになる。

まず、第１ゲートライン１１１にスキャン信号Ｓ１が印加されると、前記第１ゲートライン１１１が駆動し、前記第１ゲートライン１１１に連結された画素Ｐ１１−Ｐ１ｎが駆動する。

つまり、第１ゲートライン１１１に印加されるスキャン信号Ｓ１により第１ゲートライン１１１に連結された画素Ｐ１１−Ｐ１ｎのＲ、Ｇ、Ｂ単位画素ＰＲ１１−ＰＲ１ｎ、ＰＧ１１−ＰＧ１ｎ、ＰＢ１１−ＰＢ１ｎのスイッチングトランジスターが駆動する。スイッチングトランジスターの駆動により、第１データライン１２１ないし第ｎデータライン１２ｎを構成するＲ、Ｇ、Ｂデータライン１２１Ｒ−１２ｎＲ、１２１Ｇ−１２ｎＧ、１２１Ｂ−１２ｎＢからＲ、Ｇ、Ｂデータ信号Ｄ（Ｓ１）ＤＲ１−ＤＲｎ、ＤＧ１−ＤＧｎ、ＤＢ１−ＤＢｎがＲ、Ｇ、Ｂ単位画素の駆動トランジスターのゲートに同時にそれぞれ印加される。

Ｒ、Ｇ、Ｂ単位画素の駆動トランジスターは、Ｒ、Ｇ、Ｂデータライン１２１Ｒ−１２ｎＲ、１２１Ｇ−１２ｎＧ、１２１Ｂ−１２ｎＢにそれぞれ印加されるＲ、Ｇ、Ｂデータ信号Ｄ（Ｓ１）ＤＲ１−ＤＲｎ、ＤＧ１−ＤＧｎ、ＤＢ１−ＤＢｎに相応な駆動電流をＲ、Ｇ、Ｂ−ＥＬ素子に提供する。従って、第１ゲートライン１１１に連結される画素Ｐ１１−Ｐ１ｎのＲ、Ｇ、Ｂ単位画素ＰＲ１１−ＰＲ１ｎ、ＰＧ１１−ＰＧ１ｎ、ＰＢ１１−ＰＢ１ｎを構成するＥＬ素子は、第１ゲートライン１１１にスキャン信号Ｓ１が印加されると、同時に駆動する。

これと同様に、第２ゲートライン１１２を駆動するためのスキャン信号Ｓ２が印加されると、第２ゲートライン１１２に連結される画素Ｐ２１−Ｐ２ｎのＲ、Ｇ、Ｂ単位画素ＰＲ２１−ＰＲ２ｎ、ＰＧ２１−ＰＧ２ｎ、ＰＢ２１−ＰＢ２ｎには、第１データライン１２１ないし第ｎデータライン１２ｎを構成するＲ、Ｇ、Ｂデータライン１２１Ｒ−１２ｎＲ、１２１Ｇ−１２ｎＧ、１２１Ｂ−１２ｎＢからデータ信号Ｄ（Ｓ２）ＤＲ１−ＤＲｎ、ＤＧ１−ＤＧｎ、ＤＢ１−ＤＢｎが印加される。

第２ゲートライン１１２に連結される画素Ｐ２１−Ｐ２ｎのＲ、Ｇ、Ｂ単位画素ＰＲ２１−ＰＲ２ｎ、ＰＧ２１−ＰＧ２ｎ、ＰＢ２１−ＰＢ２ｎを構成するＥＬ素子がデータ信号Ｄ（Ｓ２）ＤＲ１−ＤＲｎ、ＤＧ１−ＤＧｎ、ＤＢ１−ＤＢｎに相応な駆動電流により同時に駆動する。

このような動作を繰り返して最終的にｍ番目のゲートライン１１ｍにスキャン信号Ｓｍが印加されると、Ｒ、Ｇ、Ｂデータライン１２１Ｒ−１２ｎＲ、１２１Ｇ−１２ｎＧ、１２１Ｂ−１２ｎＢに印加されるＲ、Ｇ、Ｂデータ信号Ｄ（Ｓｍ）ＤＲ１−ＤＲｎ、ＤＧ１−ＤＧｎ、ＤＢ１−ＤＢｎによりｍ番目のゲートライン１１ｍに連結される画素Ｐｍ１−ＰｍｎのＲ、Ｇ、Ｂ単位画素ＰＲｍ１−ＰＲｍｎ、ＰＧｍ１−ＰＧｍｎ、ＰＢｍ１−ＰＢｍｎを構成するＥＬ素子が同時に駆動される。

従って、第１ゲートライン１１１から第ｍゲートライン１１ｍに順にスキャン信号Ｓ１−Ｓｍが印加されると、各ゲートライン１１１−１１ｍに連結される画素（Ｐ１１−Ｐ１ｎ）−（Ｐｍ１−Ｐｍｎ）が順に駆動され、１フレーム１Ｆの間、画素を駆動して画像をディスプレイするようになる。

しかし、前述したような構成を有する有機電界発光表示装置は、各画素が三つのＲ、Ｇ、Ｂ単位画素で構成され、各Ｒ、Ｇ、Ｂ単位画素ごとにＲ、Ｇ、Ｂ−ＥＬ素子を駆動させるための駆動素子、すなわち、スイッチング薄膜トランジスター及び駆動薄膜トランジスターとキャパシターがそれぞれ配列され、各駆動素子にデータ信号と電源（ＥＬＶＤＤ）を提供するためのデータライン及び電源ラインが単位画素ごとにそれぞれ配列される。

従って、各画素ごとに三つのデータライン及び三つの電源ラインが配置され、三つのスイッチング薄膜トランジスターと三つの駆動薄膜トランジスターの、少なくとも六つのトランジスターと三つのキャパシターが要求される。一方、各画素が発光制御信号によりコントロールされる場合には、発光制御信号を提供するための別途の発光制御ラインが必要である。従来の表示装置は、各画素ごとに多数の配線と多数の素子が配列されることにより回路構成が複雑となり、それによって欠陥も発生しやすくなり収率が低下するという問題点がある。

また、表示装置が更に高精細化されることにより各画素の面積が減少し、それによって、一つの画素にたくさんの要素を配列することが難しいだけではなく、開口率が減少するという問題点がある。

本発明の目的は、高精細に適した有機電界発光表示装置のピクセル回路及びその駆動方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、開口率及び収率を向上させることができる有機電界発光表示装置のピクセル回路及びその駆動方法を提供することにある。
本発明の更に他の他の目的は、画素構成及び配線を単純化することができる有機電界発光表示装置のピクセル回路及びその駆動方法を提供することにある。

前述したような目的を達成するために、本発明は、一定区間ごとに所定の色を具現する表示装置において、それぞれ一定区間内で一つの色を放出する少なくとも２個以上の発光素子を備える多数の画素を含み、多数の画素のうち、隣接する二つの画素の発光素子のうち、二つの発光素子は一つの能動素子により一定区間内の一定期間ごとに時分割的に駆動されて、前記一定区間で所定の色を具現する表示装置を提供する。

前記一定区間は１フレームであり、一定期間はサブフレームとして、前記１フレームは、二つのサブフレームに分割され、二つの発光素子は、１フレーム内で各サブフレームごとに時分割的に駆動される。前記サブフレーム内で互いに異なる色を放出する発光素子が同時に発光されて前記サブフレーム内では、少なくとも２個以上の互いに異なる色が放出される。前記発光素子はＦＥＤであるか、Ｒ、Ｇ、ＢまたはＷ−ＥＬ素子である。前記発光素子がＥＬ素子である場合、二つのＥＬ素子は第１電極が前記能動素子にそれぞれ連結され、第２電極が接地電圧に共通で連結されて、前記ＥＬ素子はストライプタイプまたは、デルタタイプに配列される。前記能動素子は、前記発光素子を駆動するための少なくとも一つ以上のスイッチング素子で構成される。前記能動素子を構成するスイッチング素子は、薄膜トランジスター、薄膜ダイオード、ダイオード、またはＴＲＳで構成される。

また、本発明はそれぞれ一定区間内で一つの色を放出する少なくとも二つ以上のＥＬ素子を備える多数の画素を含み、多数の画素のうち、隣接する二つの画素のＥＬ素子のうち、二つのＥＬ素子は一つの能動素子により一定区間内の一定期間ごとに時分割的に駆動されて、前記一定期間内に互いに異なる色を放出するＥＬ素子が同時に駆動されて少なくとも二つ以上の色を放出する表示装置を提供する。

前記能動素子は前記二つ以上のＥＬ素子に共通で連結されて前記ＥＬ素子を駆動するための駆動手段と、発光制御素子信号によって前記二つのＥＬ素子が順に駆動されるように制御する順次制御手段とを含む。前記駆動手段は少なくともデータ信号をスイッチングするための一つまたは、それ以上のスイッチングトランジスターと、前記データ信号に相応な駆動電流を前記ＥＬ素子に提供するための一つまたは、それ以上の駆動トランジスターと、前記データ信号を貯蔵するためのキャパシターとを含む。前記駆動手段は前記駆動トランジスターのスレッショルド電圧を補償するためのスレッショルド電圧補償手段をさらに含む。

前記順次制御手段は、ゲートに第１発光制御信号が提供され、ソースが前記駆動手段に連結されてドレーンが二つのＥＬ素子のうち、一つのアノード電極に連結される第１薄膜トランジスターと、ゲートに第２発光制御信号が提供されソースが前記駆動手段に連結され、ドレーンが二つのＥＬ素子のうち、他の一つのアノード電極に連結される第２薄膜トランジスターと、で構成される。また、前記順次制御手段はゲートに発光制御信号が提供され、ソースが前記駆動手段に連結されて、ドレーンが二つのＥＬ素子のうち、一つのアノード電極に連結される第１薄膜トランジスターと、ゲートに前記発光制御信号が提供されドレーンが前記駆動手段に連結され、ソースが二つのＥＬ素子のうち、他の一つのアノード電極に連結される第２薄膜トランジスターとで構成される。

また、本発明は、それぞれ一定区間内で一つの色を放出する少なくとも二つ以上のＥＬ素子を備える多数の画素を含み、多数の画素のうち隣接する二つの画素のＥＬ素子のうち、二つのＥＬ素子は一つの能動素子により一定区間内の一定期間ごとに時分割的に駆動され、前記能動素子はゲートがゲートラインに連結され、ソース／ドレーンがデータラインに連結される第１薄膜トランジスターと、前記第１薄膜トランジスターのドレーン／ソースにゲートが連結され、ソース／ドレーンに電源ラインが連結される第２薄膜トランジスターと、前記第２薄膜トランジスターのゲートとソース／ドレーンに連結されるキャパシターと、前記第２薄膜トランジスターのドレーン／ソースにソース／ドレーンが連結され、ゲートに第１発光制御信号が印加され、二つのＥＬ素子のうち、一つのＥＬ素子のアノード電極にドレーン／ソースが連結される第３薄膜トランジスターと、前記第２薄膜トランジスターのドレーン／ソースにソース／ドレーンが連結され、ゲートに第２発光制御信号が印加され、二つのＥＬ素子のうち、他の一つのＥＬ素子のアノード電極にドレーン／ソースが連結される第４薄膜トランジスターとを含む有機電界発光表示装置を提供する。

また、本発明は、それぞれ一定区間内で一つの色を放出する少なくとも二つ以上のＥＬ素子を備える多数の画素を含み、多数の画素のうち隣接する二つの画素のＥＬ素子のうち、二つのＥＬ素子は一つの能動素子により一定区間内の一定期間ごとに時分割的に駆動され、前記能動素子はゲートがゲートラインに連結され、ソース／ドレーンがデータラインに連結される第１薄膜トランジスターと、前記第１薄膜トランジスターのドレーン／ソースにゲートが連結され、ソース／ドレーンに電源ラインが連結される第２薄膜トランジスターと、前記第２薄膜トランジスターのゲートとソース／ドレーンに連結されるキャパシターと、前記第２薄膜トランジスターのドレーン／ソースにソース／ドレーンが連結され、ゲートに発光制御信号が印加され、二つのＥＬ素子のうち、一つのＥＬ素子のアノード電極にドレーン／ソースが連結される第３薄膜トランジスターと、前記第２薄膜トランジスターのドレーン／ソースにドレーン／ソースが連結され、ゲートに前記発光制御信号が印加されて、二つのＥＬ素子のうち、他の一つのＥＬ素子のアノード電極にソース／ドレーンが連結される第４薄膜トランジスターとを含む有機電界発光表示装置を提供する。

また、本発明は、一定区間ごとに所定の色を具現する表示装置において、それぞれ一定区間内で一つの色を放出する少なくとも二つ以上の発光素子を備える多数の画素を含み、多数の画素のうち隣接する二つの画素の二つ以上の発光素子のうち、一部発光素子は第１発光素子グループにグルーピングされ、残りの発光素子は第２発光素子グループにグルーピングされて、前記第１発光素子グループと第２発光素子グループは前記一定区間内で時分割的に駆動され、前記一定区間で所定の色を具現する表示装置を提供する。

前記一定区間は１フレームであり、前記１フレームは二つのサブフレームに分割され、第１発光素子グループと第２発光素子グループは各サブフレームで時分割的に駆動され、前記第１発光素子グループと第２発光素子グループの発光素子が発光される時間を調節して、前記具現される所定色のホワイトバランスを調節する。前記第１発光素子グループと第２発光素子グループの発光素子は、隣接する二つの画素の発光素子のうち、各素子の少なくとも二つの発光素子のうち、少なくとも一つ以上が発光素子にグルーピングされる。

また、本発明は一定区間ごとに所定の色を具現する表示装置において、それぞれ一定区間内で一つの色を放出する少なくとも二つ以上の発光素子を備える多数の画素を含み、多数の画素のうち隣接する二つの画素の少なくとも二つ以上の発光素子のうち、一部発光素子は第１発光素子グループにグルーピングされ、残りの発光素子は第２発光素子グループにグルーピングされて、前記一定区間内の一定期間の間、前記第１発光素子グループと第２発光素子グループのうち、一つの発光素子グループの発光素子だけが駆動されて前記一定区間内で所定の色が具現される表示装置を提供する。

また、本発明は多数のゲートライン、多数のデータライン、多数の発光制御ライン及び多数の電源ラインと、前記多数のゲートライン、データライン、発光制御ライン及び電源ラインのうち、該当するゲートライン、データライン及び電源ラインにそれぞれ連結され、それぞれ一定区間内で一つの色を放出する少なくとも二つ以上のＥＬ素子を備える多数の画素を含み、多数の画素のうち隣接する二つの画素のＥＬ素子のうち、二つのＥＬ素子は一つの能動素子により一定区間内の一定期間ごとに時分割的に駆動されて、前記能動素子は該当するゲートラインから印加されるスキャン信号により前記該当するデータラインから提供されるデータ信号をスイッチングするための一つ以上のスイッチングトランジスターと、前記スイッチングトランジスターを通じて提供されるデータ信号により、前記ＥＬ素子を駆動するための一つ以上の駆動トランジスターと、前記多数の発光制御ラインのうち、該当する少なくとも一つの発光制御ラインから提供される少なくとも一つの発光制御信号により前記ＥＬ素子が一定期間ごとに時分割的に駆動されるように制御する一つ以上の薄膜トランジスターとを備える有機電界発光表示装置を提供する。

また、本発明は、多数のゲートライン、多数のデータライン、多数の発光制御ライン及び多数の電源ラインと、前記多数のゲートライン、データライン、発光制御ライン及び電源ラインのうち、該当するゲートライン、データライン及び電源ラインにそれぞれ連結され、それぞれ一定区間内で一つの色を放出する少なくとも二つ以上のＥＬ素子を備える多数の画素を含み、多数の画素のうち隣接する二つの画素のＥＬ素子のうち、二つのＥＬ素子は一つの能動素子により一定区間内の一定期間ごとに時分割的に駆動され、前記能動素子はゲートがゲートラインに連結され、ソース／ドレーンがデータラインに連結される第１薄膜トランジスターと、前記第１薄膜トランジスターのドレーン／ソースにゲートが連結され、ソース／ドレーンに電源ラインが連結される第２薄膜トランジスターと、前記第２薄膜トランジスターのゲートとソース／ドレーンに連結されるキャパシターと、前記第２薄膜トランジスターのドレーン／ソースにソース／ドレーンが連結され、ゲートに第１発光制御信号が印加されて、二つのＥＬ素子のうち、一つのＥＬ素子のアノード電極にドレーン／ソースが連結される第３薄膜トランジスターと、前記第２薄膜トランジスターのドレーン／ソースにソース／ドレーンが連結され、ゲートに第２発光制御信号が印加されて、二つのＥＬ素子のうち、もう一つのＥＬ素子のアノード電極にドレーン／ソースが連結される第４薄膜トランジスターとを含む有機電界発光表示装置を提供する。

また、本発明は、多数のゲートライン、多数のデータライン多数の発光制御ライン及び多数の電源ラインと、前記多数のゲートライン、データライン、発光制御ライン及び電源ラインのうち、該当するゲートライン、データライン及び電源ラインにそれぞれ連結され、それぞれ一定区間内で一つの色を放出する少なくとも二つ以上のＥＬ素子を備える多数の画素を含み、多数の画素のうち、隣接する二つの画素のＥＬ素子のうち、二つのＥＬ素子は一つの能動素子により一定区間内の一定期間ごとに時分割的に駆動され、前記能動素子はゲートがゲートラインに連結され、ソース／ドレーンがデータラインに連結される第１薄膜トランジスターと、前記第１薄膜トランジスターのドレーン／ソースにゲートが連結され、ソース／ドレーンに電源ラインが連結される第２薄膜トランジスターと、前記第２薄膜トランジスターのゲートとソース／ドレーンに連結されるキャパシターと、前記第２薄膜トランジスターのドレーン／ソースにソース／ドレーンが連結され、ゲートに発光制御信号が印加されて、二つのＥＬ素子のうち、一つのＥＬ素子のアノード電極にドレーン／ソースが連結される第３薄膜トランジスターと、前記第２薄膜トランジスターのドレーン／ソースにドレーン／ソースが連結され、ゲートに前記発光制御信号が印加されて、二つのＥＬ素子のうち、もう一つのＥＬ素子のアノード電極にソース／ドレーンが連結される第４薄膜トランジスターとを含む有機電界発光表示装置を提供する。

また、本発明は多数のゲートライン、多数のデータライン、多数の発光制御ライン及び多数の電源ラインと、前記多数のゲートライン、データライン、発光制御ライン及び電源ラインのうち、該当するゲートライン、データライン及び電源ラインにそれぞれ連結される多数の画素を含む画素部と、前記多数のゲートラインで多数のスキャン信号を提供するためのゲートライン駆動回路と、前記多数のデータラインでＲ、Ｇ、Ｂデータ信号を提供するためのデータライン駆動回路と、前記多数の発光制御ラインで発光制御信号を提供するための発光制御信号発生回路とを備え、前記画素部の各画素Ｒ、Ｇ、Ｂ発光素子を備え、多数の画素のうち、隣接する二つの画素のＲ、Ｇ、Ｂ発光素子のうち、一部の発光素子は第１発光素子グループにグルーピングされ、残りの発光素子は第２素子グループにグルーピングされて、前記一定区間内の一定期間の間、前記発光制御信号により、前記第１発光素子グループと第２発光素子グループのうち、一つの発光素子グループの発光素子だけが前記データ信号に対応して駆動される有機電界発光表示装置を提供する。

また、本発明は、多数のゲートライン、多数のデータライン、多数の発光制御ライン及び多数の電源ラインと、多数のゲートライン、データライン発光制御ライン及び電源ラインのうち、該当するゲートライン、データライン及び電源ラインにそれぞれ連結される多数の画素とを含み、各画素は少なくともＲ、Ｇ、Ｂ発光素子を備える表示装置を駆動する方法において、多数の画素のうち、隣接する二つの画素のＲ、Ｇ、Ｂ発光素子のうち、一部の発光素子を第１発光素子グループにグルーピングし、残りの発光素子を第２発光素子グループにグルーピングし、前記一定区間内で前記第１発光素子グループと第２発光素子グループのうち、一つの発光素子グループの発光素子を駆動し、前記一定区間内で残りの発光素子グループの発光素子を駆動することを含む表示装置の駆動方法を提供する。前記表示装置の駆動方法において、前記第１発光素子グループまたは、第２発光素子グループの発光素子は前記一定区間の間、ゲートラインごとに順に発光されるか、または一括発光される。

また、本発明は、多数のゲートライン、データライン、発光制御ライン及び電源ラインのうち、該当されるゲートライン、データライン及び電源ラインにそれぞれ連結される多数の画素とを含み、各画素は少なくともＲ、Ｇ、Ｂ発光素子を備える表示装置を駆動する方法において、多数の画素のうち、隣接する二つの画素のＲ、Ｇ、Ｂ発光素子のうち、一部の発光素子を第１発光素子グループにグルーピングし、残りの発光素子を第２発光素子グループにグルーピングし、一定区間の一定期間内の、第１期間の間にゲートラインから提供されるスキャン信号により、ゲートラインごとに前記第１発光素子グループまたは、第２発光素子グループの発光素子を駆動するためのデータをデータラインを通じて書き込みし、前記一定区間の一定期間内の第２期間の間、書き込みされたデータにより第１発光素子グループまたは、第２発光素子グループの発光素子を一括発光させることを含み、前記第１発光素子グループまたは、第２発光素子グループは一定区間の一定期間ごとに順に駆動する表示装置の駆動方法を提供する。

前述したように本発明の実施例による有機電界発光表示装置は、隣接する二つのＲ、Ｇ、Ｂ−ＥＬ素子のうち、二つの駆動薄膜トランジスターとスイッチング薄膜トランジスターを共有して時分割的に駆動されるので高精細化が可能であり、素子及び配線数を減少させ開口率及び収率を向上させることができる。

以下、本発明の実施例を添付された図面を参照して説明すると次のようである。

図１は、本発明の第1実施例による有機電界発光表示装置のブロック構成図を示したものである。図１を参照すると、第１実施例による有機電界発光表示装置５０は、画素部５００、ゲートライン駆動回路５１０、データライン駆動回路５２０及び発光制御信号発生回路５９０を備える。前記ゲートライン駆動回路５１０は、前記画素部５００のゲートラインにスキャン信号Ｓ１−Ｓｍを１フレームの間、順に発生する。前記データライン駆動回路５２０は、前記画素部５００のデータラインにＲ，Ｇ，Ｂデータ信号Ｄ１ａ−Ｄ１ｃ〜Ｄｎａ−Ｄｎｃを１フレームの間、スキャン信号が印加されるたびに順に提供する。前記発光制御信号発生回路５９０は、画素部５００の発光制御ラインにＲ，Ｇ、Ｂ−ＥＬ素子の発光を制御するための発光制御信号ＥＣ＿１１、２１−ＥＣ＿１ｍ、２ｍを１フレームの間、スキャン信号が印加されるたびに順に発生する。

図３は、図１に示された本発明の第１実施例による有機電界発光表示装置において、画素部のブロック構成の一例を示したものである。

図３を参照すると、前記画素部５００は、前記ゲートライン駆動回路５１０からスキャン信号Ｓ１−Ｓｍがそれぞれ提供される多数のゲートライン５１１−５１ｍと、前記データライン駆動回路５２０からデータ信号Ｄ１ａ−Ｄ１ｃ〜Ｄｎａ−Ｄｎｃがそれぞれ提供される多数のデータライン５２１ａ−５２１ｃ〜５２ｎａ−５２ｎｃと、前記発光制御信号発生回路５９０から発光制御信号ＥＣ＿１１、ＥＣ＿２１−ＥＣ＿１ｍ、２ｍがそれぞれ提供される多数の発光制御ライン５９１ａ、５９１ｂ−５９ｍａ、５９ｍｂ及び電源電圧ＶＤＤ１ａ−ＶＤＤ１ｃ〜ＶＤＤｎａ−ＶＤＤｎｃを提供する多数の電源ライン５３１ａ−５３１ｃ〜５３ｎａ−５３ｎｃを備える。

前記画素部５００は、多数のゲートライン５１１−５１ｍ、多数のデータライン５２１ａ−５２１ｃ〜５２ｎａ−５２ｎｃ、多数の発光制御ライン５９１ａ、５９１ｂ−５９ｍａ、５９ｍｂ及び多数の電源ライン５３１ａ−５３１ｃ〜５３ｎａ−５３ｎｃに連結されて、マトリクス形態で配列される多数の画素Ｐ１１−Ｐｍ２ｎをさらに含む。多数の画素Ｐ１１−Ｐｍ２ｎのうちゲートラインに沿って隣接した二つの画素Ｐ１１、Ｐ１２〜Ｐｍ２ｎ−１、Ｐｍ２ｎは多数のゲートライン５１１−５１ｍのうち該当する一つのゲートライン、多数のデータライン５２１ａ−５２１ｃ〜５２ｎａ−５２ｎｃのうち該当する三つのデータライン、多数の発光制御ライン５９１ａ、５９１ｂ〜５９ｍａ−５９ｍｂのうち該当する二つの発光制御ライン、そして多数の電源ライン５３１ａ−５３１ｃ〜５３ｎａ−５３ｎｃのうち該当する三つの電源ラインに連結される。

例えば、隣接する二つの画素Ｐ１１、Ｐ１２は、多数のゲートライン５１１−５１ｍのうち第１スキャン信号Ｓ１を提供するゲートライン５１１、多数のデータライン５２１ａ−５２１ｃ〜５２ｎａ−５２ｎｃのうちデータ信号Ｄ１ａ−Ｄ１ｃを提供するデータライン５２１ａ−５２１ｃ、多数の発光制御ライン５９１ａ、５９１ｂ〜５９ｍａ、５９ｍｂのうち発光制御信号ＥＣ＿１１、ＥＣ＿２１を発生する発光制御ライン５９１ａ、５９１ｂ、そして多数の電源ライン５３１ａ−５３１ｃ〜５３ｎａ−５３ｎｃのうち電源ライン５３１ａ−５３１ｃに連結される。

図５は、図３に示された本発明の第１実施例による有機電界発光表示装置において、隣接する二つの画素に対するピクセル回路を概略的に示したブロック構成図である。図５は、多数の画素のうち隣接する二つの画素Ｐ１１、Ｐ１２に対して示したものである。

図５を参照すると、隣接する二つの画素Ｐ１１、Ｐ１２は、Ｒ、Ｇ、Ｂ−ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｒ、ＥＬ１＿Ｇ、ＥＬ１＿Ｂ、ＥＬ２＿Ｒ、ＥＬ２＿Ｇ、ＥＬ２＿Ｂを備える表示素子５６０と、前記Ｒ、Ｇ、Ｂ−ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｒ、ＥＬ１＿Ｇ、ＥＬ１＿Ｂ、ＥＬ２＿Ｒ、ＥＬ２＿Ｇ、ＥＬ２＿Ｂを駆動するための第１能動素子５７０ａ、第２能動素子５７０ｂ及び第３能動素子５７０ｃを備える。第１能動素子５７０ａは、ゲートライン５１１、データライン５２１ａ、発光制御ライン５９１ａ、５９１ｂ及び電源ライン５３１ａに連結され、第２能動素子５７０ｂは、ゲートライン５１１、データライン５２１ｂ、発光制御ライン５９１ａ、５９１ｂ及び電源ライン５３１ｂに連結され、第３能動素子５７０ｃは、ゲートライン５１１、データライン５２１ｃ、発光制御ライン５９１ａ、５９１ｂ及び電源ライン５３１ｃに連結される。

一方、前記第１能動素子５７０ａと接地ＶＳＳとの間には、第１画素Ｐ１１のＲ、Ｇ、Ｂ−ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｒ、ＥＬ１＿Ｇ、ＥＬ１＿Ｂのうち、Ｒ及びＧ−ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｒ、ＥＬ１＿Ｇのアノード電極とカソード電極が連結され、第２能動素子５７０ｂと接地との間には、第１画素のＢ−ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｂと第２画素のＲ、Ｇ、Ｂ−ＥＬ素子ＥＬ２＿Ｒ、ＥＬ２＿Ｇ、ＥＬ２＿Ｂのうち、Ｒ−ＥＬ素子ＥＬ２＿Ｒのアノード電極とカソード電極が連結され、第３能動素子５７０ｃと接地との間には、第２画素のＧ及びＢ−ＥＬ素子ＥＬ２＿Ｇ、ＥＬ２＿Ｂのアノード電極とカソード電極が連結される。

前述したような構成を有するピクセル回路は、隣接する二つの画素Ｐ１１，Ｐ１２のＲ、Ｇ、Ｂ−ＥＬ素子（ＥＬ１＿Ｒ、ＥＬ１＿Ｇ、ＥＬ１＿Ｂ）、（ＥＬ２＿Ｒ、ＥＬ２＿Ｇ、ＥＬ２＿Ｂ）のうち、二つのＥＬ素子（ＥＬ１＿Ｒ、ＥＬ１＿Ｇ）、（ＥＬ１＿Ｂ、ＥＬ２＿Ｒ）、（ＥＬ２＿Ｇ、ＥＬ２＿Ｂ）がそれぞれの能動素子５７０ａ、５７０ｂ、５７０ｃを共有する。従って、一つの能動素子５７０ａ、５７０ｂ、５７０ｃを共有する二つのＥＬ素子（ＥＬ１＿Ｒ、ＥＬ１＿Ｇ）、（ＥＬ１＿Ｂ、ＥＬ２＿Ｒ）、（ＥＬ２＿Ｇ、ＥＬ２＿Ｂ）は１フレームを構成するサブフレームごとに時分割的に駆動される。

つまり、二つの画素Ｐ１１、Ｐ１２のＲ、Ｇ、Ｂ−ＥＬ素子（ＥＬ１＿Ｒ、ＥＬ１＿Ｇ、ＥＬ１＿Ｂ）、（ＥＬ２＿Ｒ、ＥＬ２＿Ｇ、ＥＬ２＿Ｂ）で、一つの能動素子５７０ａ、５７０ｂ、５７０ｃを共有する二つのＥＬ素子（ＥＬ１＿Ｒ、ＥＬ１＿Ｇ）、（ＥＬ１＿Ｂ、ＥＬ２＿Ｒ）、（ＥＬ２＿Ｇ、ＥＬ２＿Ｂ）のうち、それぞれ一つのＥＬ素子ＥＬ１＿Ｒ、ＥＬ１＿Ｂ、ＥＬ２＿Ｇを第１ＥＬ素子グループにグルーピングし、それぞれ残りの一つのＥＬ素子ＥＬ１＿Ｇ、ＥＬ２＿Ｒ，ＥＬ２＿Ｂを第２ＥＬ素子グループにグルーピングする。従って、一つのサブフレームでは二つのＥＬ素子グループのうち、第１ＥＬ素子グループに属するＥＬ素子ＥＬ１＿Ｒ、ＥＬ１＿Ｂ、ＥＬ２＿Ｇを同時に駆動し、続いて次のサブフレームでは第２ＥＬ素子グループに属するＥＬ素子ＥＬ１＿Ｇ、ＥＬ２＿Ｒ、ＥＬ２＿Ｂを同時に駆動する。

従って、本発明では１フレームを二つのサブフレームに分け、隣接する二つの画素のＲ、Ｇ、Ｂ発光素子（ＥＬ１＿Ｒ、ＥＬ１＿Ｇ、ＥＬ１＿Ｂ）、（ＥＬ２＿Ｒ、ＥＬ２＿Ｇ、ＥＬ２＿Ｂ）のうち、二つの発光素子（ＥＬ１＿Ｒ、ＥＬ１＿Ｇ）、（ＥＬ１＿Ｂ、ＥＬ２＿Ｒ）、（ＥＬ２＿Ｇ、ＥＬ２＿Ｂ）をそれぞれの能動素子５７０ａ、５７０ｂ、５７０ｃによって一つのサブフレームでそれぞれ一つずつ同時に駆動し、次のサブフレームでそれぞれ一つずつ同時に駆動することによって、隣接する画素Ｐ１１、Ｐ１２が駆動されて所定の色を表示するようになる。

図７は、図５に示された本発明の第１実施例による順次駆動方式の有機電界発光表示装置のピクセル回路のブロック構成図を示したものであり、図９は、図７のピクセル回路の詳細回路の第１例を示したものである。図７及び図９のピクセル回路は、隣接する二つの画素Ｐ１１、Ｐ１２のＲ、Ｇ、Ｂ−ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｒ、ＥＬ１＿Ｇ、ＥＬ１＿Ｂ、ＥＬ２＿Ｒ、ＥＬ２＿Ｇ、ＥＬ２＿Ｂを１フレームの間、時分割的に順次駆動するためのピクセル回路の具体例を示したものである。

図７及び図９を参照すると、第１表示手段５６０ａを駆動するための第１能動素子５７０ａは、第１駆動手段５７１ａ及び第１順次制御手段５７５ａを備える。第１駆動手段５７１ａはゲートライン５１１にゲートが連結されソースがデータライン５２１ａに連結されるＰ型第１薄膜トランジスターＭ５１ａと、ソースが電源ライン５３１ａに連結されゲートが第１薄膜トランジスターＭ５１ａのドレーンに連結されるＰ型第２薄膜トランジスターＭ５２ａと、前記電源ライン５３１ａと第２薄膜トランジスターＭ５２ａのゲートに連結されるキャパシターＣ５１ａを備える。第１順次制御手段５７５ａは、ゲートに発光制御ライン５９１ａから発光制御信号ＥＣ＿１１が印加され、ソースが前記第２薄膜トランジスターＭ５２ａのドレーンに連結されるＰ型第３薄膜トランジスターＭ５３ａと、ゲートに発光制御ライン５９１ｂから発光制御信号ＥＣ＿２１が印加され、ソースが前記第２薄膜トランジスターＭ５２ａのドレーンに連結されるＰ型第４薄膜トランジスターＭ５４ａを備える。第１表示手段５６０ａは、前記第３薄膜トランジスターＭ５３ａのドレーンと接地にアノード電極とカソード電極がそれぞれ連結される第１画素Ｐ１１のＲ−ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｒと、第４薄膜トランジスターＭ５４ａのドレーンと接地にアノード電極とカソード電極がそれぞれ連結される第１画素Ｐ１１のＧ−ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｇを備える。

第２表示手段５６０ｂを駆動するための第２能動素子５７０ｂは、第２駆動手段５７１ｂ及び第２順次制御手段５７５ｂを備える。第２駆動手段５７１ｂは、ゲートライン５１１にゲートが連結されソースがデータライン５２１ｂに連結されるＰ型第１薄膜トランジスターＭ５１ｂと、ソースが電源ライン５３１ｂに連結されゲートが第１薄膜トランジスターＭ５１ｂのドレーンに連結されるＰ型第２薄膜トランジスターＭ５２ｂと、前記電源ライン５３１ｂと第２薄膜トランジスターＭ５２ｂのゲートに連結されるキャパシターＣ５１ｂを備える。第２順次制御手段５７５ｂは、ゲートに発光制御ライン５９１ａから発光制御信号ＥＣ＿１１が印加され、ソースが前記第２薄膜トランジスターＭ５２ｂのドレーンに連結されるＰ型第３薄膜トランジスターＭ５３ｂと、ゲートに発光制御ライン５９１ｂから発光制御信号ＥＣ＿２１が印加され、ソースが前記第２薄膜トランジスターＭ５２ｂのドレーンに連結されるＰ型第４薄膜トランジスターＭ５４ｂを備える。第２表示手段５６０ｂは、前記第３薄膜トランジスターＭ５３ｂのドレーンと接地にアノード電極とカソード電極がそれぞれ連結される第１画素Ｐ１１のＢ−ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｂと、第４薄膜トランジスターＭ５４ｂのドレーンと接地にアノード電極とカソード電極がそれぞれ連結される第２画素Ｐ１２のＲ−ＥＬ素子ＥＬ２＿Ｒを備える。

第３表示手段５６０ｃを駆動するための第３能動素子５７０ｃは、第３駆動手段５７１ｃ及び第３順次制御手段５７５ｃを備える。第３駆動手段５７１ｃは、ゲートライン５１１にゲートが連結されソースがデータライン５２１ｃに連結されるＰ型第１薄膜トランジスターＭ５１ｃと、ソースが電源ライン５３１ｃに連結されゲートがＰ型第１薄膜トランジスターＭ５１ｃのドレーンが連結されるＰ型第２薄膜トランジスターＭ５２ｃと、前記電源ライン５３１ｃと第２薄膜トランジスターＭ５２ｃのゲートに連結されるキャパシターＣ５１ｃを備える。第３順次制御手段５７５ｃは、ゲートに発光制御ライン５９１ａから発光制御信号ＥＣ＿１１が印加され、ソースが前記第２薄膜トランジスターＭ５２ｃのドレーンに連結されるＰ型第３薄膜トランジスターＭ５３ｃと、ゲートに発光制御ライン５９１ｂから発光制御信号ＥＣ＿２１が印加され、ソースが前記第２薄膜トランジスターＭ５２ｃのドレーンに連結されるＰ型第４薄膜トランジスターＭ５４ｃを備える。第３表示手段５６０ｃは、前記第３薄膜トランジスターＭ５３ｃのドレーンと接地にアノード電極とカソード電極がそれぞれ連結される第２画素Ｐ１２のＧ−ＥＬ素子ＥＬ２＿Ｇと、第４薄膜トランジスターＭ５４ｃのドレーンと接地にアノード電極とカソード電極がそれぞれ連結される第２画素Ｐ１２のＢ−ＥＬ素子ＥＬ２＿Ｂを備える。

本発明の有機電界発光表示装置のピクセル回路の駆動方式を説明すると次のようになる。

従来では図１８に示されたように、多数のゲートラインにゲートライン駆動回路１１０から一つのスキャン信号Ｓ１−Ｓｍがそれぞれ順に印加されて１フレームの間、ｍ個のスキャン信号が印加され、各スキャン信号Ｓ１−Ｓｍが印加されるたびにデータライン駆動回路１２０からＲ、Ｇ、Ｂデータ信号ＤＲ１−ＤＲｎ、ＤＧ１−ＤＧｎ、ＤＢ１−ＤＢｎが同時にＲ、Ｇ、Ｂデータラインに印加されて画素を駆動させる。

これとは異なって、本発明では、１フレームが２サブフレームに分けられ、各サブフレームの間、各ゲートラインにゲートライン駆動回路５１０からスキャン信号がそれぞれ印加されて、１フレームの間に２ｍ個のスキャン信号が印加される。隣接する二つの画素の場合、つまり、第１画素Ｐ１１及び第２画素Ｐ１２の場合、第１サブフレームの間、第１ゲートライン５１１ａにスキャン信号Ｓ１が印加されると、第１駆動手段５７１ａ、第２駆動手段５７１ｂ及び第３駆動手段５７１ｃのスイッチングトランジスターＭ５１ａ−Ｍ５１ｃがターンオンされ、データライン５２１ａ−５２１ｃから第１画素Ｐ１１のＲデータ信号Ｄ１ａとＢデータ信号Ｄ１ｂ、そして第２画素Ｐ１２のＧデータ信号Ｄ１ｃが駆動トランジスターＭ５２ａ−Ｍ５２ｃに提供される。この時、第１順次制御手段５７５ａ、第２順次制御手段５７５ｂ及び第３順次制御手段５７５ｃは、発光制御ライン５９１ａから提供される発光制御信号ＥＣ＿１１によって薄膜トランジスターＭ５３ａ−Ｍ５３ｃがターンオンされるため、第１画素Ｐ１１のＲデータ信号Ｄ１ａとＢデータ信号Ｄ１ｂ、そして第２画素Ｐ１２のＧデータ信号Ｄ１ｃに相応して第１画素のＲ−ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｒ及びＢ−ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｂと第２画素のＧ−ＥＬ素子ＥＬ２＿Ｇが同時に駆動される。

次に、第２サブフレームの間、第１ゲートライン５１１にスキャン信号Ｓ１が印加されてデータライン５２１ａ−５２１ｃから第１画素Ｐ１１のＧデータ信号Ｄ１ａと第２画素Ｐ１２のＲデータ信号Ｄ１ｂ及びＢデータ信号Ｄ１ｃが駆動トランジスターＭ５２ａ−Ｍ５２ｃに提供され、第１順次制御手段５７５ａ、第２順次制御手段５７５ｂ及び第３順次制御手段５７５ｃは、発光制御ライン５９１ｂから提供される発光制御信号ＥＣ＿２１によって薄膜トランジスターＭ５４ａ−Ｍ５４ｃがターンオンされるため、第１画素Ｐ１１のＧデータ信号Ｄ１ａと第２画素Ｐ１２のＲデータ信号Ｄ１ｂ及びＢデータ信号Ｄ１ｃに相応して第１画素Ｐ１１のＧ−ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｇと第２画素Ｐ１２のＲ−ＥＬ素子ＥＬ２＿Ｒ及びＢ−ＥＬ素子ＥＬ２＿Ｂ同時に駆動される。

このように、隣接する二つの画素を構成するＲ、Ｇ、Ｂ−ＥＬ素子を二つのグループにグルーピングし、１フレームの間、各サブフレームでそれぞれのグループに属するＥＬ素子を駆動することによって、１フレームの間、二つの画素のＲ、Ｇ、Ｂ−ＥＬ素子を時分割的に順次駆動することができる。つまり、図９を参照すると、第１画素Ｐ１１及び第２画素Ｐ１２のＲ、Ｇ、Ｂ−ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｒ、ＥＬ１＿Ｇ、ＥＬ１＿Ｂ、ＥＬ２＿Ｒ、ＥＬ２＿Ｇ、ＥＬ２＿Ｂのうち、ＥＬ１＿Ｒ、ＥＬ１＿Ｂ、ＥＬ２＿Ｇを第１グループのＥＬ素子でグルーピングし、ＥＬ１＿Ｇ、ＥＬ２＿Ｒ、ＥＬ２＿Ｂを第２グループにグルーピングして、第１サブフレームでは第１グループのＥＬ素子ＥＬ１＿Ｒ、ＥＬ１＿Ｂ、ＥＬ２＿Ｂを、第２サブフレームでは第２グループＥＬ１＿Ｇ、ＥＬ２＿Ｒ、ＥＬ２＿Ｂを駆動して画像をディスプレイする。本発明では、一つのサブフレームで互いに異なる色を有するＥＬ素子が同時に発光するため、１サブフレーム内で互いに異なる二つ以上の色が発光するようになる。

従って、本発明のピクセル回路は、隣接する二つの画素のＲ、Ｇ、Ｂ発光素子を二つのグループにグルーピングして能動素子５７０ａ−５７０ｃを共有するため、回路構成を単純化することができる。

図１０は、図７に示された本発明の第１実施例による有機電界発光表示装置において、画素部のピクセル回路の詳細回路の第２例を示したものである。図１０は、図９に示された画素部の詳細回路とほぼ同一な構成を有する。但し、第１グループのＥＬ素子を第１画素Ｐ１１のＲ−ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｒと第２画素Ｐ１２のＲ及びＧ−ＥＬ素子ＥＬ２＿Ｒ、ＥＬ２＿Ｇでグルーピングし、第２グループのＥＬ素子を第１画素Ｐ１１のＧ及びＢ−ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｇ、ＥＬ１＿Ｂと第２画素Ｐ１２のＢ−ＥＬ素子ＥＬ２＿Ｂでグルーピングする。

従って、１フレームのうち、第１サブフレームで第１グループのＥＬ素子である第１画素Ｐ１１のＲ−ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｒと第２画素Ｐ１２のＲ及びＧ−ＥＬ素子ＥＬ２＿Ｒ、ＥＬ２＿Ｇを同時に駆動し、第２グループのＥＬ素子である第１画素Ｐ１１のＧ及びＢ−ＥＬ素子ＥＬ１＿Ｇ、ＥＬ１＿Ｂと第２画素Ｐ１２のＢ−ＥＬ素子ＥＬ２＿Ｂを同時に駆動する。

図９及び図１０は、同一な第１ゲートライン上に配列される第１画素Ｐ１１及び第２画素Ｐ１２のＲ、Ｇ、Ｂ−ＥＬ素子のグルーピングに対してのみ説明したが、図３に示されたように互いに隣接な画素間には前述したような同一な方法で隣接する二つの画素のＥＬ素子が第１グループ及び第２グループの二つのグループにグルーピングされる。

図１２は、本発明の第１実施例による有機電界発光表示装置を時分割的に順次駆動する方法を説明するための動作波形図であり、各サブフレーム内でスキャンラインごとにＥＬ素子を順に発光させる順次発光方式の動作波形図である。図１２の動作波形図を参照して順次発光方式で有機電界発光表示装置を駆動させる方法を詳しく説明すると次のようになる。

まず、一つのフレーム１Ｆのうち、第１サブフレーム１ＳＦの間、ゲートライン駆動回路５１０から第１ゲートライン５１１にスキャン信号Ｓ１が印加されると、前記第１ゲートライン５１１が駆動され、データライン駆動回路５２０からデータ信号Ｄ１ａ−Ｄ１ｃ〜Ｄｎａ−Ｄｎｃとして第１ゲートライン５１１に連結された画素Ｐ１１−Ｐ１２ｎのＲ、Ｇ、Ｂ−ＥＬ素子のうち、第１グループに属するＥＬ素子を駆動させるためのデータ信号がそれぞれ該当する駆動トランジスターに提供される。

この時、発光制御信号発生回路５９０から発光制御ライン５９１ａ、５９１ｂを通じてそれぞれロー及びハイ状態の発光制御信号ＥＣ＿１１、ＥＣ＿２１が印加されると、順次制御手段を構成する薄膜トランジスターのうち、前記第１グループに属するＥＬ素子を制御するための薄膜トランジスターだけがターンオンされるため、前記データ信号Ｄ１ａ−Ｄ１ｃ〜Ｄｎａ−Ｄｎｃに相応な駆動電流が第１グループのＥＬ素子に提供されて駆動される。

続いて、一つのフレーム１Ｆのうち、第２サブフレーム２ＳＦの間、第１ゲートライン５１１に二つ目のスキャン信号Ｓ１が印加されると、データライン５２１ａ−５２１ｃ〜５２１ａ−５２ｎｃに第２グループに属するＥＬ素子を駆動するためのデータ信号Ｄ１ａ−Ｄ１ｃ〜Ｄｎａ−Ｄｎｃがそれぞれ該当する駆動トランジスターに提供される。この時、発光制御信号発生回路５９０から発光制御ライン５９１ａ、５９１ｂを通じてそれぞれハイ状態及びロー状態の発光制御信号ＥＣ＿１１、ＥＣ＿２１が順次制御手段に印加されると、順次制御手段の薄膜トランジスターのうち、第２グループのＥＬ素子を制御するための薄膜トランジスターがターンオンされて前記データ信号Ｄ１ａ−Ｄ１ｃ〜Ｄｎａ−Ｄｎｃに相応する駆動電流が第２グループのＥＬ素子に提供されて駆動される。

前述のような動作を繰り返して１フレームの各サブフレームごとにゲートライン５１１−５１ｍにスキャン信号が印加されると、データライン５２１ａ−５２１ｃ〜５２ｎａ−５２ｎｃにデータ信号Ｄ１ａ−Ｄ１ｃ〜Ｄｎａ−Ｄｎｃが順に印加され、発光制御信号発生回路５９０から発光制御ライン５９１ａ、５９１ｂを通じてゲートライン５１１−５１ｍに連結された画素Ｐ１１−Ｐ１２ｎ〜Ｐｍ１−Ｐｍ２ｎのうち隣接した二つの画素のＲ、Ｇ、Ｂ−ＥＬ素子を順に制御するための発光制御信号ＥＣ＿１１、ＥＣ＿２１〜ＥＣ＿１ｍ、ＥＣ＿２ｍが順次制御手段に順に発生する。従って、１フレームのうち、一つ目のサブフレームでは順次制御手段の薄膜トランジスターのうち、第１グループのＥＬ素子に対応する薄膜トランジスターがターンオンされてデータ信号Ｄ１ａ−Ｄ１ｃ〜Ｄｎａ−Ｄｎｃにより第１グループのＥＬ素子が駆動され、二つ目のサブフレームでは順次制御手段の薄膜トランジスターのうち、第２グループのＥＬ素子に対応する薄膜トランジスターがターンオンされてデータ信号Ｄ１ａ−Ｄ１ｃ〜Ｄｎａ−Ｄｎｃにより第２グループのＥＬ素子が駆動される。

前述したような有機電界発光表示装置の駆動方式は、１フレームを２サブフレームに分け、第１サブフレームでは第１ゲートライン５１１から第ｍゲートライン５１ｍに連結された画素のうち隣接する二つの画素のＲ、Ｇ、Ｂ−ＥＬ素子のうち、第１グループにグルーピングされたＥＬ素子を順に駆動させ、第２サブフレームでは第２グループにグルーピングされたＥＬ素子を順に駆動させることにより、１フレーム内でサブフレームごとに、第１グループにグルーピングされたＥＬ素子と第２グループにグルーピングされたＥＬ素子を順に駆動して画像をディスプレイするようになる。

図１４は、本発明の第１実施例による有機電界発光表示装置を時分割的に順次駆動する方法を説明するための動作波形図であり、各サブフレーム内でスキャンラインに連結されたＥＬ素子を一括発光させる一括発光方式の動作波形図である。図１４の動作波形図を参照して一括発光方式で有機電界発光表示装置を駆動させる方法を詳細に説明すると次のようになる。

一括発光方法は、一つのフレーム１Ｆを２サブフレーム１ＳＦ、２ＳＦに分割し、各サブフレーム１ＳＦ、２ＳＦをもう一度データ書き込み期間とピクセル発光区間とで区分する。第１サブプレーム１ＳＦのデータ書き込み期間の間に、ゲートライン駆動回路５１０で第１ゲートライン５１１から第ｍゲートラインにスキャン信号Ｓ１−Ｓｍが順に印加されると、前記第１ゲートライン５１１から第ｍゲートライン５１ｍに連結される画素Ｐ１１−Ｐ１２ｎ〜Ｐｍ１−Ｐｍ２ｎのＲ、Ｇ、Ｂ−ＥＬ素子のうち、第１グループに属するＥＬ素子を駆動させるためのデータ信号Ｄ１ａ−Ｄ１ｃ〜Ｄ１ｃ−Ｄｎｃがデータライン駆動回路５２０からそれぞれ該当する駆動トランジスターに順に提供される。

前述のように第１グループに属するＥＬ素子を駆動させるためのデータ書き込みが完了されると、第１サブフレームのピクセル発光期間の間、発光制御信号発生回路５９０からそれぞれロー状態の発光制御信号ＥＣ＿１１−ＥＣ１ｍとハイ状態の発光制御信号ＥＣ＿２１−ＥＣ＿２ｍがそれぞれの発光制御ライン５９１ａ−５９ｍａと５９１ｂ−５９ｍｂに同時に提供されるので、順次制御手段を構成する薄膜トランジスターのうち、前記第１グループに属するＥＬ素子を制御するための薄膜トランジスターが同時にターンオンされる。従って、前記データ信号Ｄ１ａ−Ｄ１ｃ〜Ｄｎａ−Ｄｎｃに相応な駆動電流が第１グループのＥＬ素子に同時に提供されて第１グループのＥＬ素子が一括的に同時に発光される。

続いて、第２サブフレーム２ＳＦのデータ書き込み期間の間に、ゲートライン駆動回路５１０で第１ゲートライン５１１から第ｍゲートライン５１ｍにスキャン信号Ｓ１−Ｓｍが順に印加されると、前記第１ゲートライン５１１から第ｍゲートライン５１ｍに連結される画素Ｐ１１−Ｐ１２ｎ〜Ｐｍ１−Ｐｍ２ｎのＲ、Ｇ、Ｂ−ＥＬ素子のうち、第２グループに属するＥＬ素子を駆動させるためのデータ信号Ｄ１ａ−Ｄ１ｃ〜Ｄｎａ−Ｄｎｃがデータライン駆動回路５２０からそれぞれ該当する駆動トランジスターに順に提供する。

従って、第２グループに属するＥＬ素子を駆動させるためのデータ書き込みが完了されると、第２サブフレームのピクセル発光期間の間、発光制御信号発生回路５９０からそれぞれハイ状態の発光制御信号ＥＣ＿１１−ＥＣ１ｍとロー状態の発光制御信号ＥＣ＿２１−ＥＣ＿２ｍがそれぞれ発光制御ライン５９１ａ−５９ｍａと５９１ｂ−５９ｍｂに同時に提供されるので、順次制御手段を構成する薄膜トランジスターのうち、前記第２グループに属するＥＬ素子を制御するための薄膜トランジスターが同時にターンオンされる。従って、前記データ信号Ｄ１ａ−Ｄ１ｃ〜Ｄｎａ−Ｄｎｃに相応な駆動電流が第２グループのＥＬ素子に同時に提供されて第２グループのＥＬ素子が一括的に同時に発光される。従って、１フレーム内で画像がディスプレーされる。

図２は、本発明の第２実施例による有機電界発光表示装置のブロック構成図を示したものであり、図４は、図２に示された有機電界発光表示装置の詳細ブロック図を示したものである。

図２及び図４を参照すると、第２実施例による有機電界発光表示装置５０は、図１及び図３に示した第１実施例による有機電界発光表示装置と同一である。但し、第１実施例では同一走査ラインに配列される画素Ｐ１１−Ｐ１２ｎ〜Ｐｍ１−Ｐｍ２ｎにそれぞれ発光制御信号発生回路５９０からそれぞれの二つの発光制御ライン５９１ａ、５９１ｂ−５９ｍａ、５９ｍｂを通じて発光制御信号ＥＣ＿１１、ＥＣ＿２１〜ＥＣ＿１ｍ、ＥＣ＿２ｍが提供される。一方、第２実施例では同一走査ラインに配列される画素Ｐ１１−Ｐ１２ｎ〜Ｐｍ１−Ｐｍ２ｎに発光制御信号発生回路５９０から一つの発光制御ライン５９１−５９ｍを通じて発光制御信号ＥＣ＿１〜ＥＣ＿１ｍがそれぞれ提供される。

図６は、図４に示された本発明の第２実施例による有機電界発光表示装置において、隣接する二つの画素に対するピクセル回路を概略的に示したブロック構成図であり、図８は、図６のピクセル回路の詳細ブロック構成図を示したものである。図１１は、図６及び図８に示したピクセル回路の詳細構成の一例を示したものである。このとき、図６、図８及び図１１は、多数の画素のうち、隣接する二つの画素、つまり、第１画素Ｐ１１及び第２画素Ｐ１２に限定して示したものである。

図６、図８及び図１１を参照すると、隣接する二つの画素Ｐ１１、Ｐ１２は、Ｒ、Ｇ、Ｂ−ＥＬ素子（ＥＬ１＿Ｒ、ＥＬ１＿Ｇ、ＥＬ１＿Ｂ）、（ＥＬ２＿Ｒ、ＥＬ２＿Ｇ、ＥＬ２＿Ｂ）を備える表示素子５６０と、前記Ｒ、Ｇ、Ｂ−ＥＬ素子（ＥＬ１＿Ｒ、ＥＬ１＿Ｇ、ＥＬ１＿Ｂ）、（ＥＬ２＿Ｒ、ＥＬ２＿Ｇ、ＥＬ２＿Ｂ）を駆動するための第１能動素子５７０ａ、第２能動素子５７０ｂ及び第３能動素子５７０ｃを備える。第１能動素子５７０ａ、第２能動素子５７０ｂ及び第３能動素子５７０ｃは、それぞれ第１駆動手段５７１ａ、第２駆動手段５７１ｂ及び第３駆動手段５７１ｃと順次制御手段５７５ａ−５７５ｃを備える。

前記第１能動素子５７０ａ、第２能動素子５７０ｂ及び第３能動素子５７０ｃの第１駆動手段５７１ａ、第２駆動手段５７１ｂ及び第３駆動手段５７１ｃは、図９で示したように第１実施例のピクセル回路と同一な構成を有する。第１表示手段５６０ａ、第２表示手段５６０ｂ及び第３表示手段５６０ｃを備える表示素子５６０のグルーピング方式も、図９で示したように第１実施例のピクセル回路と同一である。

前記第１能動素子５７０ａの第１順次制御手段５７５ａは、ゲートに発光制御ライン５９１を通じて提供される発光制御信号ＥＣ＿１が印加され、ソースが前記駆動手段５７１ａの駆動トランジスターＭ５２ａのドレーンに連結され、ドレーンが表示手段５６０ａのＥＬ素子ＥＬ１＿Ｒのアノード電極に連結されるＰ型薄膜トランジスターＭ５３ａと、ゲートに発光制御ライン５９１を通じて提供される発光制御信号ＥＣ＿１が印加され、ドレーンが前記駆動手段５７１ａの駆動トランジスターＭ５２ａのドレーンに連結され、ソースが表示手段５６０ａのＥＬ素子ＥＬ１＿Ｇのアノード電極に連結されるＮ型薄膜トランジスターＭ５４ａに構成される。

前記第２能動素子５７０ｂの第２順次制御手段５７５ｂは、ゲートに発光制御ライン５９１を通じて提供される発光制御信号ＥＣ＿１が印加され、ソースが前記駆動手段５７１ｂの駆動トランジスターＭ５２ｂのドレーンに連結され、ドレーンが表示手段５６０ｂのＥＬ素子ＥＬ１＿Ｂのアノード電極に連結されるＰ型薄膜トランジスターＭ５３ｂと、ゲートに発光制御ライン５９１を通じて提供される発光制御信号ＥＣ＿１が印加され、ドレーンが前記駆動手段５７１ｂの駆動トランジスターＭ５２ｂのドレーンに連結され、ソースが表示手段５６０ｂのＥＬ素子ＥＬ２＿Ｒのアノード電極に連結されるＮ型薄膜トランジスターＭ５４ｂに構成される。

前記第３能動素子５７０ｃの第３順次制御手段５７５ｃは、ゲートに発光制御ライン５９１を通じて提供される発光制御信号ＥＣ＿１が印加され、ソースが前記駆動手段５７１ｃの駆動トランジスターＭ５２ｃのドレーンに連結され、ドレーンが表示手段５６０ｃのＥＬ素子ＥＬ２＿Ｇのアノード電極に連結されるＰ型薄膜トランジスターＭ５３ｃと、ゲートに発光制御ライン５９１を通じて提供される発光制御信号ＥＣ＿１が印加され、ドレーンが前記駆動手段５７１ｃの駆動トランジスターＭ５２ｃのドレーンに連結され、ソースが表示手段５６０ｃのＥＬ素子ＥＬ２＿Ｂのアノード電極に連結されるＮ型薄膜トランジスターＭ５４ｃで構成される。

本発明の有機電界発光表示装置のピクセル回路の駆動方式を見ると、各順次制御手段５７５ａ−５７５ｃがＰ型薄膜トランジスターとＮ型薄膜トランジスターで構成され、一つの発光制御信号により制御されることだけが異なり、残りの動作は第１実施例のピクセル回路の駆動方式と同一である。

図１３は、本発明の第２実施例による有機電界発光表示装置を時分割的に順次駆動する方法を説明するための動作波形図であり、各サブフレーム内でスキャンラインごとにＥＬ素子を順に発光させる順次発光方式の動作波形図である。図１３の動作波形図を参照して順次発光方式で有機電界発光表示装置を駆動させる方法を詳細に説明すると次のようである。

まず、一つのフレーム１Ｆのうち、第１サブフレーム１ＳＦの間、ゲートライン駆動回路５１０から第１ゲートライン５１１にスキャン信号Ｓ１が印加されると、前記第１ゲートライン５１１が駆動され、データライン駆動回路５２０からデータ信号Ｄ１ａ−Ｄ１ｃ〜Ｄｎａ−Ｄｎｃとして第１ゲートライン５１１に連結される画素Ｐ１１−Ｐ２ｎのＲ、Ｇ、Ｂ−ＥＬ素子のうち、第１グループに属するＥＬ素子を駆動させるためのデータ信号がそれぞれ該当する駆動トランジスターに提供される。

このとき、発光制御信号発生回路５９０から発光制御ライン５９１を通じてロー状態の発光制御信号ＥＣ＿１が発生されると、順次制御手段を構成する薄膜トランジスターのうち、前記第１グループに属するＥＬ素子を制御するためのＰ型薄膜トランジスターのみがターンオンされるので、前記データ信号Ｄ１ａ−Ｄ１ｃ〜Ｄｎａ−Ｄｎｃに相応な駆動電流が第１グループのＥＬ素子に提供されて駆動される。

続いて、一つのフレーム１Ｆのうち、第２サブフレーム２ＳＦの間、第１ゲートライン５１１に二番目のスキャン信号Ｓ１が印加されると、データライン５２１ａ−５２１ｃ〜５２ｎａ−５２ｎｃに第２グループに属するＥＬ素子を駆動するためのデータ信号Ｄ１ａ−Ｄ１ｃ〜Ｄｎａ−Ｄｎｃが提供され、第２グループに属するＥＬ素子に対応する前記駆動トランジスターが駆動される。このとき、発光制御信号発生回路５９０から発光制御ライン５９１を通じてハイ状態の発光制御信号ＥＣ＿１が順次制御手段に印加されると、順次制御手段の薄膜トランジスターのうち、第２グループのＥＬ素子を制御するためのＮ型薄膜トランジスターがターンオンされて、前記データ信号Ｄ１ａ−Ｄ１ｃ〜Ｄｎａ−Ｄｎｃに相応な駆動電流が第２グループのＥＬ素子に提供されて駆動される。

前述のような動作を繰り返して、１フレームの各サブフレームごとにゲートライン５１１−５１ｍにスキャン信号がされると、データライン５２１ａ−５２１ｃ〜５２ｎａ−５２ｎｃにデータ信号Ｄ１ａ−Ｄ１ｃ〜Ｄｎａ−Ｄｎｃが順に印加され、発光制御信号発生回路５９０から発光制御ライン５９１を通じてゲートライン５１１−５１ｍに連結される画素Ｐ１１−Ｐ１２ｎ〜Ｐｍ１−Ｐｍ２ｎのうち、隣接する二つの画素のＲ、Ｇ、Ｂ−ＥＬ素子を順に制御するための発光制御信号ＥＣ＿１１−ＥＣ＿１ｍが順次制御手段に順に発生される。これによって、順次制御手段の薄膜トランジスターのうち、第１グループのＥＬ素子に対応するＰ型薄膜トランジスターがターンオンされてデータ信号Ｄ１ａ−Ｄ１ｃ〜Ｄｎａ−Ｄｎｃによって第１グループのＥＬ素子が駆動される。次に、サブフレームで順次制御手段の薄膜トランジスターのうち、第２グループのＥＬ素子に対応するｎ型薄膜トランジスターがターンオンされてデータ信号Ｄ１ａ−Ｄ１ｃ〜Ｄｎａ−Ｄｎｃによって第２グループのＥＬ素子が駆動される。

図１５は、本発明の第２実施例による有機電界発光表示装置を時分割的に順に駆動する方法を説明するための動作波形図であり、各サブフレーム内でスキャンラインに連結されるＥＬ素子を一括発光させる一括発光方式の動作波形図である。図１５の動作波形図を参照して一括発光方式で有機電界発光表示装置を駆動させる方法を詳細に説明すると次のようなる。

第１サブフレーム１ＳＦのデータ書き込み期間の間、ゲートライン駆動回路５１０で第１ゲートライン５１１から第ｍゲートライン５１ｍにスキャン信号Ｓ１−Ｓｍが順に印加されると、前記第１ゲートライン５１１から第ｍゲートライン５１ｍに連結される画素Ｐ１１−Ｐ１２ｎ〜Ｐｍ１−Ｐｍ２ｎのＲ、Ｇ、Ｂ−ＥＬ素子のうち、第１グループに属するＥＬ素子を駆動させるためのデータ信号Ｄ１ａ−Ｄ１ｃ〜Ｄｎａ−Ｄｎｃがデータライン駆動回路５２０からそれぞれ該当する駆動トランジスターに順に提供される。

前述のように第１グループに属するＥＬ素子を駆動させるためのデータ書き込みが完了されると、第１サブフレームのピクセル発光期間の間、発光制御信号発生回路５９０からロー状態の発光制御信号ＥＣ＿１１−ＥＣ１ｍが発光制御ライン５９１−５９ｍに同時に提供されるので、順次制御手段を構成する薄膜トランジスターのうち、前記第１グループに属するＥＬ素子を制御するための薄膜トランジスターが同時にターンオンされる。従って、前記データ信号Ｄ１ａ−Ｄ１ｃ〜Ｄｎａ−Ｄｎｃに相応な駆動電流が第１グループのＥＬ素子に同時に提供されて第１グループのＥＬ素子が一括的に同時に発光される。

続いて、第２サブフレーム２ＳＦのデータ書き込み期間の間に、ゲートライン駆動回路５１０で第１ゲートライン５１１から第ｍゲートライン５１ｍにスキャン信号Ｓ１−Ｓｍが順次印加されると、前記第１ゲートライン５１１から第ｍゲートライン５１ｍに連結される画素Ｐ１１−Ｐ１２ｎ〜Ｐｍ１−Ｐｍ２ｎのＲ、Ｇ、Ｂ−ＥＬ素子のうち、第２グループに属するＥＬ素子を駆動させるためのデータ信号Ｄ１ａ−Ｄ１ｃ〜Ｄｎａ−Ｄｎｃがデータライン駆動回路５２０からそれぞれ該当する駆動トランジスターに順に提供される。

従って、第２グループに属するＥＬ素子を駆動させるためのデータ書き込みが完了されると、第２サブフレームのピクセル発光期間の間、発光制御信号発生回路５９０からハイ状態の発光制御信号ＥＣ＿１１−ＥＣ１ｍとロー状態の発光制御信号ＥＣ＿２１−ＥＣ＿２ｍがそれぞれの発光制御ライン５９１−５９ｍに同時に提供されるので、順次制御手段を構成する薄膜トランジスターのうち、前記第２グループに属するＥＬ素子を制御するための薄膜トランジスターが同時にターンオンされる。従って、前記データ信号Ｄ１ａ−Ｄ１ｃ〜Ｄｎａ−Ｄｎｃに相応な駆動電流が第２グループのＥＬ素子に同時に提供されて第２グループのＥＬ素子が一括的に同時に発光される。従って、１フレーム内で画像がディスプレーされる。

前述で説明したように、本発明の第１実施例及び第２実施例による有機電界発光表示装置の駆動方式は、１フレームを２サブフレームに分割し、第１サブフレームでは第１ゲートライン５１１から第ｍゲートライン５１ｍに連結される画素のうち、隣接する二つの画素のＲ、Ｇ、Ｂ−ＥＬ素子のうち、第１グループにグルーピングされるＥＬ素子を順次または、一括駆動させ、第２サブフレームでは第２グループにグルーピングされるＥＬ素子を順次または、一括駆動させることによって、１フレーム内でサブフレームごとに第１グループにグルーピングされるＥＬ素子と第２グループにグルーピングされるＥＬ素子を時分割的に駆動して画素をディスプレーするようになる。

本発明の実施例では、隣接する二つの画素のＲ、Ｇ、Ｂ−ＥＬ素子を二つのグループに分類して各サブフレームごとに時分割的に駆動するが、このとき、第１グループに属するＥＬ素子と第２グループに属するＥＬ素子のグルーピングは任意に変更可能であり、第１グループ及び第２グループのＥＬ素子の駆動順序も変更可能である。

また、本発明の有機電界発光表示装置は、Ｒ、Ｇ、Ｂ−ＥＬ素子の発光時間を調節してホワイトバランスを調節することができるが、順次制御手段の薄膜トランジスターがターンオンされる時間、つまり、発光制御信号のデューティー比を調節してＲ、Ｇ、Ｂ−ＥＬ素子の発光時間を調節することによってホワイトバランスが調節できる。

本発明の第１実施例及び第２実施例では、第１駆動手段５７１ａ、第２駆動手段５７１ｂ及び第３駆動手段５７１ｃがスイッチングトランジスターと駆動トランジスターの二つの薄膜トランジスターと一つのキャパシターで構成されたが、前記表示手段５６０を構成する発光素子を駆動することができる構造はすべて可能であり、表示手段５６０の発光素子を駆動する駆動特性を向上させるすべての手段、例えば、スレッショルド電圧補償手段などが追加されることができる。また、第１駆動手段５７１ａ、第２駆動手段５７１ｂ及び第３駆動手段５７１ｃを構成する薄膜トランジスターがすべてＰ型薄膜トランジスターで構成されたが、Ｎ型薄膜トランジスターまたは、Ｎ型薄膜トランジスターとＰ型薄膜トランジスターが混合された形態で構成可能であり、また、ディプリションモード（ｄｅｐｌｅｔｉｏｎ ｍｏｄｅ）または、インハンスメントモード（ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ ｍｏｄｅ）のＮ型または、Ｐ型薄膜トランジスターとして構成することも可能である。また、駆動手段５７１ａ−５７１ｃを薄膜トランジスターで構成する代わりに薄膜ダイオード（ＴＦＤ、ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｄｉｏｄｅ）、ダイオード、ＴＲＳ（Ｔｒｉｏｄｉｃ ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ ｓｗｉｔｃｈ）等のような多様な形態のスイッチング素子が使用できる。

前記第１順次制御手段５７５ａ、第２順次制御手段５７５ｂ及び第３順次制御手段５７５ｃは、Ｐ型薄膜トランジスターだけで構成されるかまたは、Ｎ型とＰ型薄膜トランジスターの組み合わせで構成されたが、Ｎ型または、Ｐ型薄膜トランジスターを他の形態で組み合わせで構成できるたけではなく薄膜トランジスターをディプリションモードまたは、インハンスメントモードのＮ型薄膜トランジスターまたは、Ｐ型薄膜トランジスターで構成することも可能である。また、順次制御手段５７５ａ、５７５ｂ、５７５ｃを薄膜トランジスターで構成する代わりに薄膜ダイオード（ＴＦＤ、ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｄｉｏｄｅ）、ダイオード、ＴＲＳ等のような多様な形態のスイッチング素子が使用でき、Ｒ、Ｇ、Ｂ−ＥＬ素子を順に駆動させる多様な形態として構成することも可能である。

本発明の実施例では、一つの能動素子を利用して駆動されるＲ、Ｇ、Ｂ発光素子としてＲ、Ｇ、Ｂ−ＥＬ素子を例示したが、本発明の実施例のように一つの能動素子を利用してＲ、Ｇ、Ｂ発光素子を駆動する方式をＦＥＤ（ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｄｉｓｐｌａｙ）等のような発光素子にも適用できる。

前述では、本発明の望ましい実施例を参照して説明したが、当該技術分野の熟練した当業者は、前記の特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から外れない範囲内で、本発明を多様に修正及び変更させられることが理解できるだろう。

本発明の第１実施例による有機電界発光表示装置を示すブロック構成図である。 本発明の第２実施例による有機電界発光表示装置を示すブロック構成図である。 図１の本発明の第１実施例による有機電界発光表示装置の画素部を示す構成図である。 図２の本発明の第２実施例による有機電界発光表示装置の画素部を示す構成図である。 図１の本発明の第１実施例による有機電界発光表示装置のピクセル回路の示すブロック構成図である。 図２の本発明の第２実施例による有機電界発光表示装置のピクセル回路を示すブロック構成図である。 図５の本発明の第１実施例による有機電界発光表示装置のピクセル回路を示す詳細ブロック構成図である。 図６の本発明の第２実施例による有機電界発光表示装置のピクセル回路を示す詳細ブロック構成図である。 図７の本発明の第１実施例による有機電界発光表示装置のピクセル回路の第１例を示す図である。 図７の本発明の第１実施例による有機電界発光表示装置のピクセル回路の第２例を示す図である。 図８の本発明の第２実施例による有機電界発光表示装置のピクセル回路の第１例を示す図である。 本発明の第１実施例による有機電界発光表示装置のピクセル回路を順次発光駆動方式で駆動する場合の動作波形図である。 本発明の第２実施例による有機電界発光表示装置のピクセル回路を一括発光駆動方式で駆動する場合の動作波形図である。 本発明の第１実施例による有機電界発光表示装置のピクセル回路を順次発光駆動方式で駆動する場合の動作波形図である。 本発明の第２実施例による有機電界発光表示装置のピクセル回路を一括発光駆動方式で駆動する場合の動作波形図である。 通常の有機電界発光表示装置を示す構成図である。 図１６の有機電界発光表示装置のピクセル回路を示す構成図である。 図1６の有機電界発光表示装置を示す動作波形図である。

符号の説明

５００ 画素部
５１０ ゲートライン駆動回路
５１１−５１ｍ ゲートライン
５２０ データライン駆動回路
５２１ａ−５２１ｃ〜５２ｎａ−５２１ｃ データライン
５３１ａ−５３１ｃ〜５３ｎａ−５３ｎｃ 電源ライン
５６０ａ、５６０ｂ、５６０ｃ 表示手段
５７０ａ、５７０ｂ、５７０ｃ 能動素子
５７１ａ、５７１ｂ、５７１ｃ 駆動手段
５７５ａ、５７５ｂ、５７５ｃ 順次制御手段
５９０、５９１−１ 発光制御信号発生回路
５９１ａ、５９１ｂ〜５９ｍａ、５９ｍｂ、５９１−５９ｍ 発光制御ライン
Ｐ１１−Ｐｍ２ｎ 画素
ＥＬ１＿Ｒ、ＥＬ１＿Ｇ、ＥＬ１＿Ｂ、ＥＬ２＿Ｒ、ＥＬ２＿Ｇ、ＥＬ２＿Ｂ Ｒ、Ｇ、Ｂ−ＥＬ素子

Claims (32)

1. ゲートラインに沿ってR、G、Bの各発光素子を配列して構成された画素をマトリクス状に配置して形成された表示装置において、
   前記発光素子の発光を制御する能動素子を備え、
   前記能動素子は、前記ゲートラインと、前記ゲートラインに直交したデータライン及び電源ラインとに接続され、前記ゲートラインに沿って隣接する二つの前記発光素子を時分割で駆動し、時分割で駆動する際には１フレームを二つのサブフレームに分割し、前記二つの発光素子はそれぞれ別の前記サブフレームで駆動されることを特徴とする表示装置。
2. 請求項１記載の表示装置において、
   前記サブフレーム内で互いに異なる色を放出する発光素子が同時に発光され、前記サブフレーム内では少なくとも二つ以上の互いに異なる色が放出されることを特徴とする表示装置。
3. 請求項１記載の表示装置において、
   前記二つの発光素子の発光時間を調節して発光される色のホワイトバランスを調節することを特徴とする表示装置。
4. 請求項１記載の表示装置において、
   前記発光素子はＦＥＤであることを特徴とする表示装置。
5. 請求項１記載の表示装置において、
   前記発光素子はＲ、Ｇ、Ｂ及びＷ−ＥＬ素子から選択されることを特徴とする表示装置。
6. 請求項５記載の表示装置において、
   前記二つのＥＬ素子は、第１電極が前記能動素子にそれぞれ連結され、第２電極が接地電圧に共通連結されることを特徴とする表示装置。
7. 請求項６記載の表示装置において、
   前記ＥＬ素子は、ストライプタイプまたは、デルタタイプに配列されることを特徴とする表示装置。
8. 請求項１記載の表示装置において、
   前記能動素子は前記発光素子を駆動するための少なくとも一つ以上のスイッチング素子で構成されることを特徴とする表示装置。
9. 請求項８記載の表示装置において、
   前記能動素子を構成するスイッチング素子は、薄膜トランジスター、薄膜ダイオード、ダイオード、またはＴＲＳで構成されることを特徴とする表示装置。
10. ゲートラインに沿ってR、G、Bの各ＥＬ素子を配列して構成された画素をマトリクス状に配置して形成された有機電界発光表示装置において、
    前記ＥＬ素子の発光を制御する能動素子を備え、
    前記能動素子は、前記ゲートラインと、前記ゲートラインに直交したデータライン及び電源ラインとに接続され、前記ゲートラインに沿って隣接する二つの前記ＥＬ素子を時分割で駆動し、時分割で駆動する際には１フレームを二つのサブフレームに分割し、前記二つのＥＬ素子はそれぞれ別の前記サブフレームで駆動されることを特徴とする有機電界発光表示装置。
11. 請求項１０記載の有機電界発光表示装置において、
    前記能動素子は、前記二つのＥＬ素子に共通で連結され、前記ＥＬ素子を駆動するための駆動手段と、
    発光制御信号によって前記二つのＥＬ素子が時分割的に駆動されるように制御する順次制御手段と、
    を有することを特徴とする有機電界発光表示装置。
12. 請求項１１記載の有機電界発光表示装置において、
    前記駆動手段は、少なくともデータ信号をスイッチングするための一つまたは、それ以上のスイッチングトランジスターと、
    前記データ信号に相応する駆動電流を前記ＥＬ素子に提供するための一つまたは、それ以上の駆動トランジスターと、
    前記データ信号を貯蔵するためのキャパシターと、
    を有することを特徴とする有機電界発光表示装置。
13. 請求項１２記載の有機電界発光表示装置において、
    前記駆動手段は、前記駆動トランジスターのスレッショルド電圧を補償するためのスレッショルド電圧補償手段をさらに有することを特徴とする有機電界発光表示装置。
14. 請求項１１記載の有機電界発光表示装置において、
    前記順次制御手段は、ゲートに第１発光制御信号が提供され、ソースが前記駆動手段に連結され、ドレーンが前記二つのＥＬ素子のうち、一つのアノード電極に連結される第１薄膜トランジスターと、
    ゲートに第２発光制御信号が提供され、ソースが前記駆動手段に連結され、ドレーンが前記二つのＥＬ素子のうち、他の一つのアノード電極に連結される第２薄膜トランジスターと、
    で構成されることを特徴とする有機電界発光表示装置。
15. 請求項１１記載の有機電界発光表示装置において、
    前記順次制御手段は、ゲートに発光制御信号が提供され、ソースが前記駆動手段に連結され、ドレーンが前記二つのＥＬ素子のうち、一つのアノード電極に連結される第１薄膜トランジスターと、
    ゲートに前記発光制御信号が提供され、ドレーンが前記駆動手段に連結され、ソースが前記二つのＥＬ素子のうち、他の一つのアノード電極に連結される第２トランジスターと、
    で構成されることを特徴とする有機電界発光表示装置。
16. 請求項１０記載の有機電界発光表示装置において、
    前記ＥＬ素子はストライプタイプまたは、デルタタイプに配列されることを特徴とする有機電界発光表示装置。
17. ゲートラインに沿ってR、G、Bの各ＥＬ素子を配列して構成された画素をマトリクス状に配置して形成された有機電界発光表示装置において、
    前記ＥＬ素子の発光を制御する能動素子を備え、
    前記能動素子は、前記ゲートラインと、前記ゲートラインに直交したデータライン及び電源ラインとに接続され、前記ゲートラインに沿って隣接する二つの前記ＥＬ素子を時分割で駆動し、時分割で駆動する際には１フレームを二つのサブフレームに分割し、前記二つのＥＬ素子はそれぞれ別の前記サブフレームで駆動されており、
    ゲートが前記ゲートラインに連結され、ソース／ドレーンが前記データラインに連結される第１薄膜トランジスターと、
    前記第１薄膜トランジスターのドレーン／ソースにゲートが連結され、ソース／ドレーンに前記電源ラインが連結される第２薄膜トランジスターと、
    前記第２薄膜トランジスターのゲートとソース／ドレーンに連結されるキャパシターと、
    前記第２薄膜トランジスターのドレーン／ソースにソース／ドレーンが連結され、ゲートに第１発光制御信号が印加され、前記二つのＥＬ素子のうち、一つのＥＬ素子のアノード電極にドレーン／ソースが連結される第３薄膜トランジスターと、
    前記第２薄膜トランジスターのドレーン／ソースにソース／ドレーンが連結され、ゲートに第２発光制御信号が印加され、前記二つのＥＬ素子のうち、他の一つのＥＬ素子のアノード電極にドレーン／ソースが連結される第４薄膜トランジスターと、
    を有することを特徴とする有機電界発光表示装置。
18. ゲートラインに沿ってR、G、Bの各ＥＬ素子を配列して構成された画素をマトリクス状に配置して形成された有機電界発光表示装置において、
    前記ＥＬ素子の発光を制御する能動素子を備え、
    前記能動素子は、前記ゲートラインと、前記ゲートラインに直交したデータライン及び電源ラインとに接続され、前記ゲートラインに沿って隣接する二つの前記ＥＬ素子を時分割で駆動しており、
    ゲートが前記ゲートラインに連結され、ソース／ドレーンが前記データラインに連結される第１薄膜トランジスターと、
    前記第１薄膜トランジスターのドレーン／ソースにゲートが連結され、ソース／ドレーンに前記電源ラインが連結される第２薄膜トランジスターと、
    前記第２薄膜トランジスターのゲートとソース／ドレーンに連結されるキャパシターと、
    前記第２薄膜トランジスターのドレーン／ソースにソース／ドレーンが連結され、ゲートに発光制御信号が印加され、前記二つのＥＬ素子のうち、一つのＥＬ素子のアノード電極にドレーン／ソースが連結される第３薄膜トランジスターと、
    前記第２薄膜トランジスターのドレーン／ソースにドレーン／ソースが連結され、ゲートに前記発光制御信号が印加され、前記二つのＥＬ素子のうち、他の一つのＥＬ素子のアノード電極にソース／ドレーンが連結される第４薄膜トランジスターと、
    を有することを特徴とする有機電界発光表示装置。
19. ゲートラインに沿ってR、G、Bの各発光素子を配列して構成された画素をマトリクス状に配置して形成された表示装置において、
    前記発光素子の発光を制御する能動素子を備え、
    前記能動素子は、前記ゲートラインと、前記ゲートラインに直交したデータライン及び電源ラインとに接続され、前記ゲートラインに沿って隣接する二つの前記発光素子を駆動しており、前記二つの発光素子のうち１つを第１発光素子グループにグルーピングし、残りの１つを第２発光素子グループにグルーピングして時分割で駆動し、時分割で駆動する際には１フレームを二つのサブフレームに分割し、前記第１発光素子グループと前記第２発光素子グループは各サブフレームで時分割的に駆動されることを特徴とする表示装置。
20. 請求項１９記載の表示装置において、
    前記第１発光素子グループと前記第２発光素子グループの発光素子が発光される時間を調節して、発光される色のホワイトバランスを調節することを特徴とする表示装置。
21. ゲートラインに沿ってR、G、Bの各発光素子を配列して構成された画素をマトリクス状に配置して形成された表示装置において、
    前記発光素子の発光を制御する能動素子を備え、
    前記能動素子は、前記ゲートラインと、前記ゲートラインに直交したデータライン及び電源ラインとに接続され、前記ゲートラインに沿って隣接する二つの前記発光素子を駆動しており、前記二つの発光素子のうち１つを第１発光素子グループにグルーピングし、残りの１つを第２発光素子グループにグルーピングして、一定期間毎にいずれかの発光素子グループの発光素子だけが駆動され、前記一定期間は１フレームを二つに分割したサブフレームであり、前記第１発光素子グループと前記第２発光素子グループはそれぞれのサブフレームで駆動されるようにすることを特徴とする表示装置。
22. 請求項２１記載の表示装置において、
    各サブフレームで前記第１発光素子グループと前記第２発光素子グループの発光素子が発光される時間を調節して、発光される色のホワイトバランスを調節することを特徴とする表示装置。
23. 請求項２１記載の表示装置において、
    前記第１発光素子グループまたは、前記第２発光素子グループの発光素子は、前記一定期間毎に順に発光されるかまたは、一括発光されることを特徴とする表示装置。
24. ゲートラインに沿ってR、G、Bの各ＥＬ素子を配列して構成された画素をマトリクス状に配置して形成された有機電界発光表示装置において、
    前記ＥＬ素子の発光を制御する能動素子を備え、
    前記能動素子は、前記ゲートラインと、発光制御ラインと、前記ゲートラインに直交したデータライン及び電源ラインとに接続され、前記ゲートラインに沿って隣接する二つの前記ＥＬ素子を時分割で駆動し、時分割で駆動する際には１フレームを二つのサブフレームに分割し、前記二つのＥＬ素子はそれぞれ別の前記サブフレームで駆動されており、
    前記ゲートラインから印加されるスキャン信号により前記データラインから提供されるデータ信号をスイッチングするための一つ以上のスイッチングトランジスターと、
    前記スイッチングトランジスターを通じて提供されるデータ信号により前記ＥＬ素子を駆動するための一つ以上の駆動トランジスターと、
    前記発光制御ラインから提供される発光制御信号により前記ＥＬ素子が一定期間ごとに順に駆動されるように制御する一つ以上の薄膜トランジスターと、
    を備えることを特徴とする有機電界発光表示装置。
25. ゲートラインに沿ってR、G、Bの各ＥＬ素子を配列して構成された画素をマトリクス状に配置して形成された有機電界発光表示装置において、
    前記ＥＬ素子の発光を制御する能動素子を備え、
    前記能動素子は、前記ゲートラインと、発光制御ラインと、前記ゲートラインに直交したデータライン及び電源ラインとに接続され、前記ゲートラインに沿って隣接する二つの前記ＥＬ素子を時分割で駆動し、時分割で駆動する際には１フレームを二つのサブフレームに分割し、前記二つのＥＬ素子はそれぞれ別の前記サブフレームで駆動されており、
    ゲートが前記ゲートラインに連結され、ソース／ドレーンが前記データラインに連結される第１薄膜トランジスターと、
    前記第１薄膜トランジスターのドレーン／ソースにゲートが連結され、ソース／ドレーンに前記電源ラインが連結される第２薄膜トランジスターと、
    前記第２薄膜トランジスターのゲートとソース／ドレーンに連結されるキャパシターと、
    前記第２薄膜トランジスターのドレーン／ソースにソース／ドレーンが連結され、ゲートに第１発光制御信号が印加され、前記二つのＥＬ素子のうち一つのＥＬ素子のアノード電極にドレーン／ソースが連結される第３薄膜トランジスターと、
    前記第２薄膜トランジスターのドレーン／ソースにソース／ドレーンが連結され、ゲートに第２発光制御信号が印加され、前記二つのＥＬ素子のうち、他の一つのＥＬ素子のアノード電極にドレーン／ソースが連結される第４薄膜トランジスターと、
    を有することを特徴とする有機電界発光表示装置。
26. ゲートラインに沿ってR、G、Bの各ＥＬ素子を配列して構成された画素をマトリクス状に配置して形成された有機電界発光表示装置において、
    前記ＥＬ素子の発光を制御する能動素子を備え、
    前記能動素子は、前記ゲートラインと、発光制御ラインと、前記ゲートラインに直交したデータライン及び電源ラインとに接続され、前記ゲートラインに沿って隣接する二つの前記ＥＬ素子を時分割で駆動しており、
    ゲートが前記ゲートラインに連結され、ソース／ドレーンが前記データラインに連結される第１薄膜トランジスターと、
    前記第１薄膜トランジスターのドレーン／ソースにゲートが連結され、ソース／ドレーンに前記電源ラインが連結される第２薄膜トランジスターと、
    前記第２薄膜トランジスターのゲートとソース／ドレーンに連結されるキャパシターと、
    前記第２薄膜トランジスターのドレーン／ソースにソース／ドレーンが連結され、ゲートに発光制御信号が印加され、前記二つのＥＬ素子のうち、一つのＥＬ素子のアノード電極にドレーン／ソースが連結される第３薄膜トランジスターと、
    前記第２薄膜トランジスターのドレーン／ソースにドレーン／ソースが連結され、ゲートに前記発光制御信号が印加され、前記二つのＥＬ素子のうち、他の一つのＥＬ素子のアノード電極にソース／ドレーンが連結される第４薄膜トランジスターと、
    を有することを特徴とする有機電界発光表示装置。
27. 多数のゲートラインと、多数の発光制御ラインと、前記ゲートラインと直交する多数のデータライン及び多数の電源ラインと、
    前記ゲートライン、前記データライン、前記発光制御ライン及び前記電源ラインのうち、該当するゲートライン、データライン及び電源ラインにそれぞれ連結される多数の画素とを含む画素部と、
    前記多数のゲートラインに多数のスキャン信号を提供するためのゲートライン駆動回路と、
    前記多数のデータラインにＲ、Ｇ、Ｂデータ信号を提供するためのデータライン駆動回路と、
    前記多数の発光制御ラインに発光制御信号を提供するための発光制御信号発生回路とを備え、
    前記画素部の各画素はＲ、Ｇ、Ｂの各ＥＬ素子が前記ゲートラインに沿って配列されており、前記ゲートラインに沿って隣接する二つの前記ＥＬ素子は１つの能動素子で駆動され、前記二つのＥＬ素子のうち１つを第１発光素子グループにグルーピングし、残りの１つを第２発光素子グループにグルーピングして、前記発光制御信号により一定期間毎にいずれかの発光素子グループのＥＬ素子だけが前記データ信号に対応して駆動され、前記一定期間は１フレームを二つに分割したサブフレームであり、前記サブフレームごとに前記第１発光素子グループ及び前記第２発光素子グループのいずれかのＥＬ素子が時分割的に発光されて、１フレームの間に所定の色を具現することを特徴とする有機電界発光表示装置。
28. 請求項２７記載の有機電界発光表示装置において、
    前記第１発光素子グループまたは、前記第２発光素子グループのＥＬ素子は前記一定期間の間にゲートラインごとに順に発光するか、または一括発光することを特徴とする有機電界発光表示装置。
29. 多数のゲートラインと、多数の発光制御ラインと、前記ゲートラインと直交する多数のデータライン及び多数の電源ラインと、
    前記ゲートライン、前記データライン、前記発光制御ライン及び前記電源ラインのうち、該当するゲートライン、データライン及び電源ラインにそれぞれ連結された多数の画素とを含み、
    前記画素のそれぞれはＲ、Ｇ、Ｂの各発光素子を前記ゲートラインに沿って配列して構成された表示装置の駆動方法において、
    前記ゲートラインに沿って隣接する二つの前記発光素子を１つの能動素子で駆動し、前記二つの発光素子のうち１つを第１発光素子グループにグルーピングし、残りの１つを第２発光素子グループにグルーピングして、前記発光制御信号により一定期間毎にいずれかの発光素子グループの発光素子だけが駆動され、前記一定期間は１フレームを二つに分割したサブフレームであり、前記サブフレームごとに前記第１発光素子グループ及び前記第２発光素子グループのいずれかの発光素子が時分割的に発光されて、１フレームの間に所定の色を具現することを特徴とする表示装置の駆動方法。
30. 請求項２９記載の表示装置の駆動方法において、
    前記サブフレームごとに発光される前記第１発光素子グループまたは、前記第２発光素子グループは互いに異なる色を放出する二つ以上の発光素子を含み、前記サブフレームごとに互いに異なる色を同時に放出することを特徴とする表示装置の駆動方法。
31. 請求項２９記載の表示装置の駆動方法において、
    前記第１発光素子グループまたは、前記第２発光素子グループの発光素子は前記サブフレームの間、ゲートラインごとに順に発光されるか、または一括発光されることを特徴とする表示装置の駆動方法。
32. 多数のゲートラインと、多数の発光制御ラインと、前記ゲートラインと直交する多数のデータライン及び多数の電源ラインと、
    前記ゲートライン、前記データライン、前記発光制御ライン及び前記電源ラインのうち、該当するゲートライン、データライン及び電源ラインにそれぞれ連結される多数の画素とを含み、
    前記画素のそれぞれはＲ、Ｇ、Ｂの各発光素子を前記ゲートラインに沿って配列して構成された表示装置の駆動方法において、
    前記ゲートラインに沿って隣接する二つの前記発光素子を１つの能動素子で駆動し、前記二つの発光素子のうち１つを第１発光素子グループにグルーピングし、残りの１つを第２発光素子グループにグルーピングして、
    前記ゲートラインから提供されるスキャン信号により前記ゲートラインごとに前記第１発光素子グループまたは、前記第２発光素子グループの発光素子を駆動するためのデータを、前記データラインを通じて書き込みし、
    前記書き込まれたデータにより前記第１発光素子グループまたは、前記第２発光素子グループを一定期間ごとに順に駆動して一括発光させ、前記一定期間は１フレームを二つに分割したサブフレームであり、前記サブフレームにはデータを書き込む第１期間と発光素子を一括発光させる発光期間とがあることを特徴とする表示装置の駆動方法。

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