JP4290553B2 - 画像化装置 - Google Patents
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Description
投影放射ビームを供給するための放射システムと、
投影ビームを所望のパターンに従ってパターン化するべく機能するプログラム可能パターン化手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターン化されたビームを基板の目標部分に投射するための投影システムと
を備えた画像化装置に関する。
プログラム可能ミラー・アレイ:粘弾性制御層及び反射型表面を有するマトリックス処理可能表面は、このようなデバイスの実施例の1つである。このような装置の基礎をなしている基本原理は、(例えば)反射型表面の処理領域が入射光を回折光として反射し、一方、未処理領域が入射光を非回折光として反射することである。適切なフィルタを使用することにより、前記非回折光を反射ビームからフィルタ除去し、回折光のみを残すことができるため、この方法により、マトリックス処理可能表面の処理パターンに従ってビームがパターン化される。プログラム可能ミラー・アレイの代替実施例には、マトリックス配列された微小ミラーが使用されている。微小ミラーの各々は、適切な局部電界を印加することによって、あるいは圧電駆動手段を使用することによって、1つの軸の周りに個々に傾斜させることが可能である。この場合も、微小ミラーは、入射する放射ビームを反射する方向が、処理済みミラーと未処理ミラーとでそれぞれ異なるようにマトリックス処理することが可能であり、この方法により、マトリックス処理可能ミラーの処理パターンに従って反射ビームがパターン化される。必要なマトリックス処理は、適切な電子手段を使用して実行される。上で説明したいずれの状況においても、プログラム可能パターン化手段は、1つ又は複数のプログラム可能ミラー・アレイを備えている。上で参照したミラー・アレイに関する詳細な情報については、例えば、いずれも参照により本明細書に援用されている米国特許第5,296,891号及び第5,523,193号、並びにPCT特許出願WO98/38597号及びWO98/33096号を参照されたい。プログラム可能ミラー・アレイの場合、前記支持構造は、例えば、必要に応じて固定又は移動させることができるフレーム又はテーブルとして具体化されている。
プログラム可能LCDアレイ:参照により本明細書に援用されている米国特許第5,229,872号に、このような構造の実施例の1つが記載されている。この場合の支持構造も、プログラム可能ミラー・アレイの場合と同様、例えば、必要に応じて固定又は移動させることができるフレーム又はテーブルとして具体化されている。
プログラム可能パターン化手段と基板テーブルの間に設けられた、パターン化されたビームの一部をわきへ逸らせるべく機能するビーム分割手段と、
パターン化されたビームの前記部分を解析するための画像検出手段と
をさらに備えたことを特徴とする、本発明による画像化装置によって達成される。
(a)少なくとも一部が放射線感応材料の層で被覆された基板を提供するステップと、
(b)放射システムを使用して投影放射ビームを提供するステップと、
(c)投影ビームの断面に所望のパターンを付与するためのプログラム可能パターン化手段を使用するステップと、
(d)パターン化された放射ビームを放射線感応材料の層の目標部分に投射するステップとを含み、
ステップ(d)に先立って、あるいはステップ(d)を実行中に、
パターン化されたビームの一部がわきへ逸れて画像検出手段に導かれ、
前記画像検出手段を使用して、パターン化されたビームの前記部分が解析され、かつ、前記所望のパターンに対応するパターンを含有している領域の範囲が決定される
ことを特徴とするデバイス製造方法が提供される。
投影放射ビームPB(例えばUV放射若しくはEUV放射)を供給するための放射システムRS(この特定の実施例の場合、放射システムにはさらに放射源LAが含まれている)と、
パターン・ラスタライザ(パターン化手段をマトリックス処理するためのもの)に接続された、偏向手段DMを使用してビームPBが導かれるパターン化手段PM(例えばプログラム可能ミラー・アレイ若しくはこのようなアレイの集合)と、
アイテムPLに対して基板を正確に位置決めするための干渉測定及び位置決め手段IFに接続された、基板W(例えばレジスト被覆シリコン・ウェハ)を保持するための基板テーブルWTと、
ビームPBを基板Wの目標部分C(例えば1つ又は複数のダイからなっている)に結像させるための投影システム(「レンズ」)PL(例えば屈折系、カタディオプトリック系若しくはカトプトリック系)と
を備えている。
図2は、本発明の第1の実施例による画像化装置の一部を示したもので、パターン化手段PMと基板Wの間に、投影ビームPBの一部PB’をわきへ逸らせ、かつ、画像検出手段IDに導くべく機能しているビーム分割手段BSが使用されている。ビーム分割手段BSは、図1に示す、異なる目的を果たしている偏向手段DMと混同してはならない。ビーム分割手段BSは、原理的には、アイテムPMとWの間の都合の良い任意のポイントに配置することができる。
図3は、図2に示す状況に対する代替実施例を示したものである。この代替実施例では、基準パターン化手段PM2(例えば、実施例1の場合と同じタイプ及びサイズのプログラム可能ミラー・アレイ)が、メイン・パターン化手段PM1(図2のアイテムPMに対応している)と同じパターン・ラスタライザPRに接続されている。ただし、基準パターン化手段PM2へのラスタ化信号は、最初にインバータINVを通過している。この場合、理論的には、メイン・パターン化手段PM1及び基準パターン化手段PM2は、同じパターンを生成することになるが、そのパターンは、互いにネガ(すなわち相補)をなしている。基準パターン化手段PM2によって生成されたパターン化ビームPB2は、ビーム分割手段BS中に結合され、最終的には画像検出手段IDに結合される。
図4は、図3に示す実施例の変形態様を示したものである。図4では、ビーム分割手段BSと検出器IDの間に基準パターン化手段PM2が置かれている。図に示すように、基準パターン化手段PM2は透過型であるが、図4に示す動作原理を逸脱することなく、基準パターン化手段PM2を反射型にすることもできる。
Claims (4)
- 投影放射ビームを提供するための放射システムと、
前記投影ビームを、基板の目標部分に生成すべき所望のパターンに対応するパターンにパターン化するべく機能するプログラム可能パターン化手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターン化されたビームを前記基板の目標部分に投射するための投影システムとを備えた画像化装置において、該装置が、
前記プログラム可能パターン化手段と前記基板テーブルの間に設けられた、前記パターン化されたビームの一部をわきへ逸らせるべく機能するビーム分割手段と、
前記パターン化されたビームの前記部分を解析するための画像検出手段とをさらに備え、
前記画像検出手段が、前記プログラム可能パターン化手段によって生成される実際の画像と、基準パターン化手段によって生成される基準画像とを比較するべく具体化されたことを特徴とする画像化装置。 - 前記基準画像が前記実際の画像のネガであることを特徴とし、かつ、前記画像検出手段が、前記実際の画像と基準画像を加え合わせための手段若しくは控除するための手段を備えたことを特徴とする、請求項1に記載の画像化装置。
- 前記画像検出手段が、電荷結合デバイス、CMOS検出器、フォトダイオード及び光電子増倍管からなるグループから選択された検出デバイスを備えたことを特徴とする、請求項1または2に記載の画像化装置。
- (a)少なくとも一部が放射線感応材料の層で被覆された基板を提供するステップと、
(b)放射システムを使用して投影放射ビームを提供するステップと、
(c)前記投影ビームの断面に、基板の目標部分に生成すべき所望のパターンに対応するパターンを付与するためのプログラム可能パターン化手段を使用するステップと、
(d)パターン化された放射ビームを前記放射線感応材料の層の目標部分に投射するステップとを含むデバイス製造方法において、
ステップ(d)に先立って、あるいはステップ(d)を実行中に、
前記パターン化されたビームの一部がわきへ逸れて画像検出手段に導かれ、また、
前記画像検出手段を使用して、前記パターン化されたビームの前記部分が解析され、かつ、前記所望のパターンに対応するパターンを含有している領域の範囲が決定され、
前記画像検出手段が、前記プログラム可能パターン化手段によって生成される実際の画像と、基準パターン化手段によって生成される基準画像とを比較するべく具体化されていることを特徴とする、デバイス製造方法。
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