JP4289837B2 - イオン注入方法及びsoiウエハの製造方法 - Google Patents
イオン注入方法及びsoiウエハの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4289837B2 JP4289837B2 JP2002206038A JP2002206038A JP4289837B2 JP 4289837 B2 JP4289837 B2 JP 4289837B2 JP 2002206038 A JP2002206038 A JP 2002206038A JP 2002206038 A JP2002206038 A JP 2002206038A JP 4289837 B2 JP4289837 B2 JP 4289837B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hydrogen
- ion implantation
- layer
- substrate
- ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title claims description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 77
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 55
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 54
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 54
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 claims description 53
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 50
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 50
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 27
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 23
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 7
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 8
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 0 C1C2C1CC*C2 Chemical compound C1C2C1CC*C2 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- IWDANOJGJIFBEL-UHFFFAOYSA-N C(C1)CC11CCCC1 Chemical compound C(C1)CC11CCCC1 IWDANOJGJIFBEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIIAONVJAUZQQR-UHFFFAOYSA-N CC1C=C(C)CC1 Chemical compound CC1C=C(C)CC1 QIIAONVJAUZQQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/16—Ion sources; Ion guns using high-frequency excitation, e.g. microwave excitation
- H01J27/18—Ion sources; Ion guns using high-frequency excitation, e.g. microwave excitation with an applied axial magnetic field
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/08—Ion sources; Ion guns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/2658—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation of a molecular ion, e.g. decaborane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
- H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/961—Ion beam source and generation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Element Separation (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、イオン注入方法及びSOIウエハの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
SOI(Silicon on Insulator)ウエハとは、一般的に、Si基板の表面近くに薄い絶縁層とSi単結晶層とを形成してSi層/絶縁層/Si基板の積層構造としたウエハを意味する。このSOIウエハは、通常のバルクSiウエハに比べて高集積化、高速化等の点で優れていることから近年注目されている。
【0003】
SOIウエハを製造する方法の一つとしてスマートカット法が知られている(特開2000−12285号公報等)。スマートカット法とは、Si基板の表面に形成された絶縁層(SiO2層等)を介してSi基板に水素イオンを注入し、この基板を別のSi基板と貼り合わせた後で水素イオン注入層の部分で分断することによってSOIウエハを作製するものである。
【0004】
上記スマートカット法においては、Si基板に水素イオンを注入する際に、イオン源としてホットカソードを用いたアーク放電型のプラズマ源を用いるのが一般的である。アーク放電型のイオン源は、陽極−陰極間で電子を高エネルギー状態に加速してガスをイオン化することから、単原子イオンや多価イオンを効率よく発生させるのに適している。従ってこの場合は、アーク放電型のイオン源から発生した水素原子イオン(H+)がSi基板に注入される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
SOIウエハの製造工程において、水素イオン注入層の部分での分断を容易に且つ確実に行うためにはSi基板への水素イオンの注入量を高めることが非常に重要であり(好ましくは5×1016イオン/cm2以上)、従って高いスループット(単位時間当たりのウエハへの水素注入速度)でイオン注入を行うことが望ましい。
【0006】
しかしながら、アーク放電型のイオン源中でのプラズマ密度には物理的な限界があることから、単原子イオンとして引き出される水素原子イオンビームの電流密度には上限があり、このことが水素イオンの注入速度を制約する原因となっている。典型的なスループットは10wafer/hour以下である。
【0007】
なお、イオン源を巨大化することで水素原子イオンのビーム電流を増大させることは理論的には可能であるが、装置全体が不必要に大きくなると共に装置の動作に必要なパワーも大きくなるので効率が悪く、さらにはメンテナンスも煩雑且つ困難となるため、上記課題の根本的な解決とはならない。
【0008】
本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、半導体基板への水素イオンの注入を効率よく行うことが可能なイオン注入方法、並びにSOIウエハの製造効率が十分に高いSOIウエハの製造方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明のイオン注入方法は、半導体基板の所定の深さに水素イオンを注入する方法であって、水素イオンビームの引き出し方向を有し、内部が減圧されており且つ所定の双極磁場が内部に広がるように引き出し方向に沿って形成された真空プラズマチャンバ内に水素ガスを導入し、磁場内にマイクロ波を導入してプラズマチャンバ内にプラズマを生成させ、このプラズマ中から水素分子イオンを含む水素イオンビームを引き出し方向に引き出し、水素イオンビームから水素分子イオンを質量選択し、水素分子イオンを半導体基板に照射することを特徴とする。
【0010】
本発明によれば、内部が減圧されており且つ所定磁場が形成された真空容器内に水素ガスを導入し、この磁場内にマイクロ波を導入してプラズマを生成させることによって、プラズマ生成の際に低エネルギー電子を利用して水素分子イオンの生成効率を高めることができ、また、非常に高いプラズマ密度が達成されるため、プラズマ中から引き出される水素イオンビームにおける水素分子イオンの割合及び電流密度を向上させることができる。そして、この水素イオンビーム中の水素分子イオンを半導体基板に照射することによって、半導体基板の所定深さに水素イオンを効率よく注入することができ、SOIウエハの製造工程等において高水準のスループットが実現可能となる。
【0011】
また、本発明のイオン注入方法は、プラズマチャンバ内の全体においてマイクロ波の周波数及び磁場の強さが、下記式(1)又は(2):
【数3】
【数4】
[式(1)、(2)中、ωはマイクロ波の周波数を表し、meは電子の質量を表し、eは電子の電荷を表し、Bは磁場の強さを表す]
で表される条件を満たす。これにより、低エネルギー電子による水素分子イオンの生成効率がより高められ、水素イオンビームの電流密度及び水素分子イオンの割合をさらに向上させることができる。
【0012】
また、本発明のイオン注入方法は、プラズマの生成領域に水素ガスが導入されてから水素イオンビームが引き出されるまでの平均滞留時間(Residential Time)が5×10-4〜5×10-3秒であることを特徴としてもよい。これにより、低エネルギー電子による水素分子イオンの生成効率をさらに高めることができ、水素イオンビームの電流密度及び水素分子イオンの割合を一層向上させることができる。
【0013】
なお、本発明でいう平均滞留時間は、下記式(3)に従って求められる。
【0014】
【数5】
[式(3)中、τは平均滞留時間を表し、vgはプラズマ室に導入された水素ガス分子のイオンが引き出される方向の平均速度を表し、Lは水素ガス分子がプラズマ室の導入口に導入されてから引き出し口に達するまでの平均移動距離を表す。]
【0015】
また、本発明のイオン注入方法は、半導体基板としてSi基板上に絶縁層を備えたものを用い、絶縁層の側から水素分子イオンを照射してSi基板の所定深さに水素分子イオンを注入することを特徴としてもよい。
【0016】
また、本発明のイオン注入方法は、半導体基板としてSi基板上にSiO2層を備えたものを用い、SiO2層の側から水素分子イオンを照射してSi基板の所定深さに水素分子イオンを注入することを特徴としてもよい。
【0017】
また、本発明のSOIウエハの第1の製造方法は、Si基板の一方面上に絶縁層を有する第1のウエハの所定深さに水素イオン注入層を形成するイオン注入工程と、イオン注入工程後の第1のウエハの絶縁層上にSi基板からなる第2のウエハを積層して積層体を得る積層工程と、積層体を水素イオン注入層で分断する分断工程と、を有するSOIウエハの製造方法であって、イオン注入工程において、上記本発明のイオン注入方法により水素イオン注入層を形成することを特徴とするものである。
【0018】
上記第1の製造方法では、第1のウエハ(絶縁層/Si基板)の所定深さに水素イオン注入層を形成し、その絶縁層上に第2のウエハを積層して積層体(Si基板/絶縁層/Si層/水素イオン注入層/Si基板)とし、この積層体を水素イオン注入層で分断することによって、SOIウエハ(Si層/絶縁層/Si基板)が得られる。このとき、イオン注入工程において上記本発明のイオン注入方法を適用することにより、Si基板の所定深さに水素イオンを効率よく注入してスループットを飛躍的に向上させることができる。また、このようにしてイオン注入を行うことで、Si基板中の絶縁層側の表面から比較的浅い位置への水素イオン注入層の形成も容易に達成できる。従って、高集積化等の点で優れたSOIウエハを効率よく且つ確実に製造可能な点で上記製造方法は非常に有用である。
【0019】
また、本発明のSOIウエハの第2の製造方法は、Si基板からなる第3のウエハの所定深さに水素イオン注入層を形成するイオン注入工程と、イオン注入工程後の第3のウエハの所定面上に絶縁層及びSi基板からなる第2のウエハを積層して積層体を得る積層工程と、積層体を水素イオン注入層で分断する分断工程と、を有するSOIウエハの製造方法であって、イオン注入工程において、上記本発明のイオン注入方法により水素イオン注入層を形成することを特徴とするものである。
【0020】
上記第2の製造方法では、Si基板からなる第3のウエハに水素イオン注入層を形成した後、第3のウエハの所定面上にウエハに絶縁層及び第4のウエハを積層し、その積層体を水素イオン注入層で分断することによって、SOIウエハ(Si層/絶縁層/Si基板)が得られる。この場合も、イオン注入工程において上記本発明のイオン注入方法を適用することにより、第1の製造方法と同様に、高集積化等の点で優れたSOIウエハを効率よく且つ確実に製造することができる。
【0021】
上記第1及び第2の製造方法においては、絶縁層がSiO2層であることを特徴としてもよい。これにより、Si層/SiO2層/Si基板の積層構造を有するSOIウエハが効率よく得られる。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付することとし、重複する説明は省略する。
【0023】
先ず、イオン注入方法について説明する。
【0024】
図1は本発明で用いられるイオン注入装置の一例を模式的に示す説明図である。図1に示した装置は、イオン源10、イオン源10に水素ガスを供給するボンベ17及び引き出し電極11を含むイオン引出アセンブリ1、イオン質量セレクタ13、並びにターゲット基板フォルダ14Aを備えるものである。イオン引出アセンブリ1からの水素イオンビームIBは、イオン質量セレクタ13を通してターゲット基板フォルダ14Aに向けて方向づけられる。このとき、イオン質量セレクタ13を通る水素イオンビームIBから水素分子イオンが選別され、この水素分子イオンがターゲット基板フォルダ14Aに装着されたターゲット基板14に照射される。
【0025】
イオン引出アセンブリ1は、マイクロ波を利用して水素分子イオンを含む水素イオンビームIBを供給するものである。なお、図1中にはイオン源10の構成の詳細及びマイクロ波の導光路等を図示していないが、これらの点については図2及び図3を参照して後述する。
【0026】
イオン質量セレクタ13は、質量、質量選択スリット131と共に作動する磁気セクタ質量分析器132を備える。分析器132は、図1の紙面に対して垂直方向の磁場の領域を含む。そのような磁場の中で、所定の質量/荷電比を持つ定エネルギーのイオンを含むイオンビームが、イオン源10のアークチャンバの出口アパーチャに接近した点を基点とし、分析器132の入口アパーチャから出口アパーチャを通って質量選択スリット131の面で焦点を結ぶ。
【0027】
図1には、単一の質量/荷電比のイオンのみを示すビームが描かれているので、ビームはスリット131のアパーチャに単一の焦点を結び、この質量/荷電比のイオンのビームはターゲット基板14に向かってスリット131を通過することができる。実際には、イオン源10によって放出されるビームには、基板14への注入に望ましいものとは異なる質量/荷電比のイオンも含まれる。これらの望ましくないイオンは、所望のイオンとは異なる曲率半径を持ち、スリットを通過しない。所望のイオンは、分析器132によって、スリット131の面内の一点に焦点を結ぶ。したがって分析器132は、図1の面内に分散面を持つ。
【0028】
図2はマイクロ波イオン源の一例を示す概略構成図である。図2中、マグネトロン21、マグネトロンマウント22、サーキュレータ23、パワーモニタ25、スタブチューナ26、インターフェースチューブ27、ソースヘッド28がこの順で連結されており、ソースヘッド28の前面にはプラズマチャンバ29が設けられている。また、サーキュレータ23の側部にはダミーロード24が設けられている。
【0029】
マグネトロン21は所定のマイクロ波(例えば2.45GHzのもの)を発生させるもので、このマイクロ波がソースヘッド28に導入されてプラズマ生成に利用される。サーキュレータ23はマグネトロン21側に戻ろうとする反射されたマイクロ波をダミーロード24に迂回させるものであり、迂回したマイクロ波はダミーロード24で吸収されて熱に変換される。また、スタブチューナ26はマイクロ波の反射を無くしてより多くのマイクロ波がプラズマ生成に消費されるように調整するものである。なお、マイクロ波の出力を検出するパワーモニタ25、インターフェースチューブ27等は必須の要素ではなく、適宜省略することができる。
【0030】
図3は、ソースヘッド28をマイクロ波の導入路を含む平面で切断したときの断面図である。図3中、ソースヘッド外壁31のマグネトロン側(マイクロ波MWの入口側)にはソースブッシング32が形成されており、その端部はソースヘッドの内側に向けて折れ曲がった形状となっている。この折れ曲がり部の先端にはマグネットヨーク33が設けられてソースヘッド28の内側に窪んだ空間を与えている。マグネットヨーク33の前面には開口部を有する出口側プレート34が設けられ、さらにプレート34のマグネトロン側の開口部には凹状のプラズマチャンバ29が配置されている。プラズマチャンバ29の凹部の空間37はプラズマ生成領域であり、この部分に水素ガスが供給される。
【0031】
また、凸状のマグネットポール35は、凸部の先端がプラズマチャンバ29に近接するとともに底部側面がマグネットヨーク33側部の内壁面と密着するように配置されている。このマグネットポール35には底部の中心から凸部先端までを連通するように導波管36が配置されている。この導波管36はマイクロ波をプラズマチャンバ29に導入するものである。
【0032】
マグネットヨーク33及びプレート34の内壁面並びにプラズマチャンバ29及びマグネットポール35の外壁面により形成される空間37には、マグネットポール35の凸部を巻回するようにソレノイドコイル38が配置されている。
【0033】
上記の構成を有するイオン源において、磁場内の電子はローレンツ力を受けて磁束線に沿って旋回する。このとき、プラズマ生成領域37に水素ガスを導入しながら導波管36にマイクロ波を導入すると、磁場内の電子がマイクロ波により励起され、この励起電子とプラズマ生成領域37内の水素ガスとの衝突により水素分子イオン(H2 +)を含むプラズマが生成する。
【0034】
このプラズマ生成は、非ECRモード(Off−ECRモード)で行う。非ECRモードでプラズマ生成を行うことで、低エネルギー電子による水素分子イオンの生成効率及びプラズマ密度をより高めることができ、水素イオンビームIBの電流密度及び水素分子イオンの割合をさらに向上させることができる。
【0035】
なお、ここでいうECR(Electron Cyclotron Resonance)モードとは、マイクロ波の周波数を下記式(4):
【数6】
[式(4)中、ωeは電子サイクロトロン周波数を表し、meは電子の質量を表し、eは電子の電荷を表し、Bは磁場の強さを表す。]
で表される電子サイクロトロン周波数(磁束線に沿って旋回する電子の周波数)と一致させることによって、電子サイクロトロン共鳴吸収過程で電子を選択的に励起し、その励起電子と水素分子とを衝突させてプラズマを生成させるものである。しかしながら、ECRモードでプラズマ生成を行うと、水素原子イオン(H+)が生成しやすく、水素イオンビームの電流密度が不十分となりやすい。
【0036】
一方、非ECRモードとは、ECR条件を満たさないように、すなわちマイクロ波の周波数及び磁場の強さが下記式(1)又は(2):
【数7】
【数8】
[式(1)、(2)中、ωはマイクロ波の周波数を表し、meは電子の質量を表し、eは電子の電荷を表し、Bは磁場の強さを表す]
で表される条件を満たすように設定してプラズマ生成を行うものである。なお、非ECRモード設定の際には、マイクロ波の周波数を固定して磁場の強さを調節してもよく、また、磁場の強さを固定してマイクロ波の周波数を調節してもよい。
【0037】
非ECRモードにおいては、マイクロ波の周波数ωが電子サイクロトロン周波数ωeよりも10〜50%(より好ましくは20〜40%)だけ高く(又は低く)なるように、マイクロ波の周波数及び磁場の強さを設定することが好ましい。従って、例えば2.45GHzのマイクロ波を用いる場合、磁場の強さは96〜131mT又は44〜79mT(より好ましくは105〜123mT又は53〜70mT)であることが好ましい。また、14.5GHzのマイクロ波を用いる場合、磁場の強さは570〜777mT又は259〜466mTであることが好ましい。
【0038】
また、プラズマ生成領域37に水素ガスが導入されてから水素イオンビームIBが引き出されるまでの水素分子の平均滞留時間は、5×10-4〜5×10-3秒であることが好ましく、7×10-4〜3×10-3秒であることがより好ましい。平均滞留時間が前記上限値を超えると水素分子イオンの割合が低下する傾向にあり、また、前記下限値未満であるとプラズマの生成効率が低下する傾向にある。当該平均滞留時間の設定は、プラズマチャンバ29の形状及びサイズ、水素ガスの供給量、水素イオンビームIBの引き出し量等の調節により行うことができる。
【0039】
このようにして生成した水素分子イオンを含む水素イオンビームIBをプラズマチャンバ29から引き出し、イオン質量セレクタ13において水素イオンビームIBから水素分子イオンを選別する。この水素分子イオンをターゲット基板14に照射することで、ターゲット基板の所定深さに十分な量の水素イオン注入層を効率よく形成することができる。
【0040】
ターゲット基板としては、Si基板等の半導体基板、あるいはこの半導体基板の一方面上にSiO2層等の絶縁層が形成されたもの等が好適に使用される。例えばSiO2層/Si基板の積層構造を有する半導体基板を用いる場合、SiO2層の側から水素分子イオンを照射することで、Si基板中に水素イオン注入層が形成される。そして、この水素イオン注入層の形成に伴い、SiO2層と水素イオン注入層との間に薄いSi層が形成される。
【0041】
なお、アーク放電型イオン源やRFイオン源等を用いた従来法では、水素分子イオンよりも水素原子イオンの方が生成しやすいため、イオン注入の際には専ら水素原子イオンが利用されていた。これに対して本発明のイオン注入方法では、マイクロ波を利用してプラズマ生成を行うことで、アーク放電型イオン源やRFイオン源等を用いた場合に比べてプラズマ中の水素分子イオンの割合を飛躍的に増大させることができるので、イオン注入の際に水素分子イオンを有効に利用することができる。
【0042】
例えば、本発明者は、マイクロ波の周波数が2.45GHz、マイクロ波の出力が700W、磁場の強さが70mTである非ECRモードにおいて、水素分子の平均滞留時間を8.9×10-4秒としてプラズマを生成させたとき、H+イオンが13.5%、H2 +イオンが78.1%、H3 +イオンが8.4%というイオン組成が達成されたことを確認している。これに対して、従来型のアーク放電型イオン源により生成したプラズマ中のイオン組成は、H+イオンが60.2%、H2 +イオンが22.9%、H3 +イオンが16.9%であった。
【0043】
次に、SOIウエハの製造方法について、Si層/SiO2層/Si基板の積層構造を有するSOIウエハを製造する場合を例にとって詳述する。
【0044】
図4(a)〜(d)はそれぞれ各工程におけるウエハの積層構造を模式的に示す断面図である。
【0045】
イオン注入工程においては、ターゲット基板として、Si基板(Si-donor wafer)41の一方面上にSiO2層42が形成されたものを用いる。SiO2層42は、例えばSi基板の表面を酸化させることにより形成可能であり、その厚さは例えば0.01〜1.0μmである。
【0046】
このターゲット基板に対して、ウエハのSiO2層42側から水素分子イオンを照射することによって、Si基板42中の所定深さに水素イオン注入層43が形成され、これに伴いSiO2層42と水素イオン注入層43との間に薄いSi層が形成される(図4(a))。
【0047】
イオン注入工程においては、上述のように、非ECRモードにより水素イオンビームを発生させる。これにより、非常に高いスループットが実現可能となり、その結果、SOIウエハの製造効率を飛躍的に向上させることができる。本発明者は、非ECRモードによるイオン注入を行った場合に、アーク放電型イオン源やRFイオン源等を用いる従来の製造方法の場合と比較して、SOIの製造効率が4倍以上にまで高められることを確認している。
【0048】
イオン注入工程におけるイオン注入量は1×1016イオン/cm2以上であることが好ましい。また、水素イオン注入層43は、例えばSi層44とSiO2層42との界面からの深さ0.005〜1.5μmの位置に形成される。
【0049】
次に、ターゲット基板のSiO2層42上にSi基板(Si-handle wafer)45を貼り合わせる(図4(b))。なお、SiO2層が形成されていないSi基板を用いて上記と同様のイオン注入工程を行い、その一方で表面にSiO2層が形成されたSi基板を用意して、積層工程において両者を貼り合わせることによっても目的の積層体を得ることができる。
【0050】
この積層体を水素イオン注入層43で分断する(図4(c))。水素イオン注入層43はシリコン原子同士の共有結合が切断された脆弱な層であるため、水素イオン注入層43の側面に乾燥空気等のガスを吹き付けたり、機械的に剪断を加えたりすることによって容易に分断することができる。
【0051】
このようにして、Si基板45上にSiO2層42及びSi層44がこの順で積層されたSOIウエハが得られる(図4(c))。なお、分断工程後のSi層44の表面に水素イオン注入層43の一部が残存する場合があるが、研磨処理等を行うことでその残さを容易に除去することができる。また、Si層44を更に研磨することにより、Si層44の厚みを調整することができる。
【0052】
【発明の効果】
以上説明した通り、本発明のイオン注入方法によれば、水素分子イオンの割合及び電流密度が高い水素イオンビームを引き出して、この水素イオンビームからの水素分子イオンを半導体基板に照射することによって、半導体基板の所定深さに水素イオンを効率よく注入することができる。
【0053】
また、本発明のSOIウエハの製造方法によれば、イオン注入工程の際に上記本発明のイオン注入方法を適用することで高水準のスループットが実現可能となり、高集積化等の点で優れたSOIウエハを効率よく且つ確実に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】イオン注入装置の一例を模式的に示す説明図である。
【図2】マイクロ波イオン源の一例を示す概略構成図である。
【図3】ソースヘッドをマイクロ波の導入路を含む平面で切断したときの断面図である
【図4】(a)〜(d)はそれぞれ各工程におけるウエハの積層構造を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
1…イオン引出アセンブリ、10…イオン源、11…引き出し電極、13…イオン質量セレクタ、131…質量選択スリット、132…磁気セクタ質量分析器、14…ターゲット基板、14A…ターゲット基板ホルダ、17…ボンベ、21…マグネトロン、22…マグネトロンマウント、23…サーキュレータ、24…ダミーロード、25…パワーモニタ、26…スタブチューナ、27…インターフェースチューブ、28…ソースヘッド、29…プラズマチャンバ、31…ソースヘッド外壁、32…ソースブッシング、33…マグネットヨーク、34…出口側プレート、35…マグネットポール、36…導波管、37…プラズマ生成領域、38…ソレノイドコイル、41、45…Si基板、42…SiO2層、43…水素イオン注入層、44…Si層、MW…マイクロ波、IB…イオンビーム。
Claims (6)
- 半導体基板の所定深さに水素イオンを注入する方法であって、水素イオンビームの引き出し方向を有し、内部が減圧されており且つ所定の双極磁場が内部に広がるように前記引き出し方向に沿って形成されたプラズマチャンバ内に水素ガスを導入し、前記磁場内にマイクロ波を導入して前記プラズマチャンバ内にプラズマを生成させ、このプラズマ中から水素分子イオンを含む前記水素イオンビームを前記引き出し方向に引き出し、前記水素イオンビームから前記水素分子イオンを質量選択し、前記水素分子イオンを前記半導体基板に照射し、
前記プラズマチャンバ内の全体において前記マイクロ波の周波数及び前記磁場の強さが、下記式(1)又は(2):
で表される条件を満たすことを特徴とするイオン注入方法。 - 前記半導体基板としてSi基板上に絶縁層を備えたものを用い、前記絶縁層の側から前記水素分子イオンを照射して前記Si基板の所定深さに水素分子イオンを注入することを特徴とする、請求項1に記載のイオン注入方法。
- 前記半導体基板としてSi基板上にSiO2層を備えたものを用い、前記SiO2層の側から前記水素分子イオンを照射して前記Si基板の所定深さに水素分子イオンを注入することを特徴とする、請求項1又は2に記載のイオン注入方法。
- Si基板の一方面上に絶縁層を有する第1のウエハの所定深さに水素イオン注入層を形成するイオン注入工程と、前記イオン注入工程後の前記第1のウエハの前記絶縁層上にSi基板からなる第2のウエハを積層して積層体を得る積層工程と、前記積層体を前記水素イオン注入層で分断する分断工程と、を有するSOIウエハの製造方法であって、前記イオン注入工程において、請求項1〜3のうちのいずれか一項に記載のイオン注入方法により前記水素イオン注入層を形成することを特徴とするSOIウエハの製造方法。
- Si基板からなる第3のウエハの所定深さに水素イオン注入層を形成するイオン注入工程と、前記イオン注入工程後の前記第3のウエハの所定面上に絶縁層及びSi基板からなる第2のウエハを積層して積層体を得る積層工程と、前記積層体を前記水素イオン注入層で分断する分断工程と、を有するSOIウエハの製造方法であって、
前記イオン注入工程において、請求項1〜3のうちのいずれか一項に記載のイオン注入方法により前記水素イオン注入層を形成することを特徴とするSOIウエハの製造方法。 - 前記絶縁層がSiO2層であることを特徴とする、請求項4又は5に記載のSOIウエハの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002206038A JP4289837B2 (ja) | 2002-07-15 | 2002-07-15 | イオン注入方法及びsoiウエハの製造方法 |
US10/619,193 US6927148B2 (en) | 2002-07-15 | 2003-07-14 | Ion implantation method and method for manufacturing SOI wafer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002206038A JP4289837B2 (ja) | 2002-07-15 | 2002-07-15 | イオン注入方法及びsoiウエハの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004047378A JP2004047378A (ja) | 2004-02-12 |
JP4289837B2 true JP4289837B2 (ja) | 2009-07-01 |
Family
ID=31711181
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002206038A Expired - Lifetime JP4289837B2 (ja) | 2002-07-15 | 2002-07-15 | イオン注入方法及びsoiウエハの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6927148B2 (ja) |
JP (1) | JP4289837B2 (ja) |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100112780A1 (en) * | 2005-07-12 | 2010-05-06 | The Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Acting On Behalf Of Arizona State University | Microwave-Induced Ion Cleaving and Patternless Transfer of Semiconductor Films |
US7608521B2 (en) * | 2006-05-31 | 2009-10-27 | Corning Incorporated | Producing SOI structure using high-purity ion shower |
KR101440930B1 (ko) * | 2007-04-20 | 2014-09-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Soi 기판의 제작방법 |
EP1993127B1 (en) * | 2007-05-18 | 2013-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of SOI substrate |
US7875532B2 (en) * | 2007-06-15 | 2011-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Substrate for manufacturing semiconductor device and manufacturing method thereof |
CN102592977B (zh) * | 2007-06-20 | 2015-03-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
US7763502B2 (en) * | 2007-06-22 | 2010-07-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Semiconductor substrate, method for manufacturing semiconductor substrate, semiconductor device, and electronic device |
JP5522917B2 (ja) * | 2007-10-10 | 2014-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Soi基板の製造方法 |
US8236668B2 (en) * | 2007-10-10 | 2012-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
JP5527956B2 (ja) * | 2007-10-10 | 2014-06-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体基板の製造方法 |
JP2009135430A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-06-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
TWI493609B (zh) * | 2007-10-23 | 2015-07-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體基板、顯示面板及顯示裝置的製造方法 |
CN101842910B (zh) * | 2007-11-01 | 2013-03-27 | 株式会社半导体能源研究所 | 用于制造光电转换器件的方法 |
US20090141004A1 (en) * | 2007-12-03 | 2009-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
JP5404064B2 (ja) | 2008-01-16 | 2014-01-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | レーザ処理装置、および半導体基板の作製方法 |
JP5654206B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2015-01-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Soi基板の作製方法及び該soi基板を用いた半導体装置 |
EP2105957A3 (en) * | 2008-03-26 | 2011-01-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing soi substrate and method for manufacturing semiconductor device |
JP2009260315A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-11-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Soi基板の作製方法及び半導体装置の作製方法 |
JP5264018B2 (ja) * | 2008-04-11 | 2013-08-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体基板の作製方法 |
US7687786B2 (en) * | 2008-05-16 | 2010-03-30 | Twin Creeks Technologies, Inc. | Ion implanter for noncircular wafers |
JP5386856B2 (ja) * | 2008-06-03 | 2014-01-15 | 株式会社Sumco | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
US7897945B2 (en) * | 2008-09-25 | 2011-03-01 | Twin Creeks Technologies, Inc. | Hydrogen ion implanter using a broad beam source |
JP5478199B2 (ja) * | 2008-11-13 | 2014-04-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US8227763B2 (en) * | 2009-03-25 | 2012-07-24 | Twin Creeks Technologies, Inc. | Isolation circuit for transmitting AC power to a high-voltage region |
US8278187B2 (en) * | 2009-06-24 | 2012-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for reprocessing semiconductor substrate by stepwise etching with at least two etching treatments |
WO2010150671A1 (en) * | 2009-06-24 | 2010-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for reprocessing semiconductor substrate and method for manufacturing soi substrate |
KR20120059509A (ko) * | 2009-08-25 | 2012-06-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
WO2011024619A1 (en) * | 2009-08-25 | 2011-03-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for reprocessing semiconductor substrate, method for manufacturing reprocessed semiconductor substrate, and method for manufacturing soi substrate |
US8318588B2 (en) * | 2009-08-25 | 2012-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for reprocessing semiconductor substrate, method for manufacturing reprocessed semiconductor substrate, and method for manufacturing SOI substrate |
WO2011043178A1 (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Reprocessing method of semiconductor substrate, manufacturing method of reprocessed semiconductor substrate, and manufacturing method of soi substrate |
US8476147B2 (en) * | 2010-02-03 | 2013-07-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | SOI substrate and manufacturing method thereof |
US20110207306A1 (en) * | 2010-02-22 | 2011-08-25 | Sarko Cherekdjian | Semiconductor structure made using improved ion implantation process |
TWI500118B (zh) | 2010-11-12 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體基底之製造方法 |
US8558195B2 (en) | 2010-11-19 | 2013-10-15 | Corning Incorporated | Semiconductor structure made using improved pseudo-simultaneous multiple ion implantation process |
US8008175B1 (en) | 2010-11-19 | 2011-08-30 | Coring Incorporated | Semiconductor structure made using improved simultaneous multiple ion implantation process |
US8196546B1 (en) | 2010-11-19 | 2012-06-12 | Corning Incorporated | Semiconductor structure made using improved multiple ion implantation process |
US8735263B2 (en) * | 2011-01-21 | 2014-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
US9123529B2 (en) | 2011-06-21 | 2015-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for reprocessing semiconductor substrate, method for manufacturing reprocessed semiconductor substrate, and method for manufacturing SOI substrate |
US9024282B2 (en) | 2013-03-08 | 2015-05-05 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques and apparatus for high rate hydrogen implantation and co-implantion |
US9006689B2 (en) * | 2013-03-26 | 2015-04-14 | Ion Technology Solutions, Llc | Source bushing shielding |
EP3417476A1 (en) * | 2016-02-16 | 2018-12-26 | G-Ray Switzerland SA | Structures, systems and methods for electrical charge transport across bonded interfaces |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51119287A (en) | 1975-04-09 | 1976-10-19 | Hitachi Ltd | Recutangular-shape beam ion source |
JPS5836455B2 (ja) | 1975-10-06 | 1983-08-09 | 株式会社日立製作所 | タンザクビ−ムヨウマイクロハイオンゲン |
JPS5836456B2 (ja) | 1975-10-22 | 1983-08-09 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波プラズマイオン源 |
JPS5254897A (en) | 1975-10-29 | 1977-05-04 | Hitachi Ltd | Plasma ion source for solid materials |
JPS5851378B2 (ja) | 1975-10-29 | 1983-11-16 | 株式会社日立製作所 | マイクロハスパツタリングイオンゲン |
JPS5852297B2 (ja) | 1979-06-04 | 1983-11-21 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波イオン源 |
JPS5916703B2 (ja) | 1980-12-17 | 1984-04-17 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波イオン源 |
JPS617452A (ja) | 1984-06-22 | 1986-01-14 | Shinagawa Refract Co Ltd | セラミツク等の熱間における変位測定装置 |
JPH0619961B2 (ja) | 1983-12-21 | 1994-03-16 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波イオン源 |
JPS60195853A (ja) | 1984-03-16 | 1985-10-04 | Hitachi Ltd | マイクロ波イオン源 |
JPH0622107B2 (ja) | 1984-03-16 | 1994-03-23 | 株式会社日立製作所 | イオン源 |
JPS60232652A (ja) | 1984-05-02 | 1985-11-19 | Hitachi Ltd | マイクロ波イオン源 |
JPS60243957A (ja) | 1984-05-18 | 1985-12-03 | Hitachi Ltd | マイクロ波イオン源 |
JPS60243952A (ja) | 1984-05-18 | 1985-12-03 | Hitachi Ltd | マイクロ波イオン源 |
JPS60243955A (ja) | 1984-05-18 | 1985-12-03 | Hitachi Ltd | マイクロ波イオン源 |
JPS60243953A (ja) | 1984-05-18 | 1985-12-03 | Hitachi Ltd | 同軸型マイクロ波イオン源 |
JPS61107643A (ja) | 1984-10-30 | 1986-05-26 | Hitachi Ltd | 蒸発炉付イオン源 |
JPS6271147A (ja) | 1985-09-25 | 1987-04-01 | Hitachi Ltd | 蒸発炉付イオン源 |
JPH0695451B2 (ja) | 1985-10-11 | 1994-11-24 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波イオン源 |
JPH0746587B2 (ja) | 1985-11-07 | 1995-05-17 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波プラズマ源 |
JPS62140339A (ja) | 1985-12-16 | 1987-06-23 | Hitachi Ltd | マイクロ波イオン源 |
JPH01128335A (ja) | 1987-11-12 | 1989-05-22 | Rikagaku Kenkyusho | 電子サイクロトロン共鳴型イオン源 |
JP3039985B2 (ja) | 1990-11-28 | 2000-05-08 | 株式会社日立製作所 | 多量体イオン発生用マイクロ波イオン源、及びこのイオン源を用いたイオンビーム照射装置 |
JPH05283194A (ja) | 1992-03-31 | 1993-10-29 | Toshiba Corp | マイクロ波プラズマ発生装置 |
JPH0636696A (ja) | 1992-07-14 | 1994-02-10 | Hitachi Ltd | マイクロ波イオン源 |
JP3198702B2 (ja) | 1993-02-02 | 2001-08-13 | 日新電機株式会社 | マイクロ波イオン源装置の自動復帰方法 |
JPH06267472A (ja) | 1993-03-12 | 1994-09-22 | Toshiba Corp | マイクロ波イオン源 |
JP2643763B2 (ja) | 1993-04-16 | 1997-08-20 | 株式会社日立製作所 | イオン打込み方法 |
US5523652A (en) | 1994-09-26 | 1996-06-04 | Eaton Corporation | Microwave energized ion source for ion implantation |
JP3313966B2 (ja) | 1996-03-12 | 2002-08-12 | 株式会社日立製作所 | イオン注入装置 |
US5789744A (en) * | 1996-04-26 | 1998-08-04 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method for the production of atomic ion species from plasma ion sources |
JP3284886B2 (ja) | 1996-06-20 | 2002-05-20 | 株式会社日立製作所 | イオン源及びイオン注入装置 |
JP2920188B1 (ja) | 1998-06-26 | 1999-07-19 | 日新電機株式会社 | パルスバイアス水素負イオン注入方法及び注入装置 |
DE19929278A1 (de) * | 1998-06-26 | 2000-02-17 | Nissin Electric Co Ltd | Verfahren zum Implantieren negativer Wasserstoffionen und Implantierungseinrichtung |
JP4089022B2 (ja) | 1998-07-22 | 2008-05-21 | 日新イオン機器株式会社 | 自己電子放射型ecrイオンプラズマ源 |
JP4328067B2 (ja) * | 2002-07-31 | 2009-09-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | イオン注入方法及びsoiウエハの製造方法、並びにイオン注入装置 |
-
2002
- 2002-07-15 JP JP2002206038A patent/JP4289837B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-07-14 US US10/619,193 patent/US6927148B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040038504A1 (en) | 2004-02-26 |
US6927148B2 (en) | 2005-08-09 |
JP2004047378A (ja) | 2004-02-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4289837B2 (ja) | イオン注入方法及びsoiウエハの製造方法 | |
JP4328067B2 (ja) | イオン注入方法及びsoiウエハの製造方法、並びにイオン注入装置 | |
CN106328584B (zh) | 制造硅通孔的方法和包括硅通孔的芯片 | |
US20080128641A1 (en) | Apparatus and method for introducing particles using a radio frequency quadrupole linear accelerator for semiconductor materials | |
JPH05326452A (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
US8698400B2 (en) | Method for producing a plasma beam and plasma source | |
JP2920188B1 (ja) | パルスバイアス水素負イオン注入方法及び注入装置 | |
US9247630B2 (en) | Surface-micromachined micro-magnetic undulator | |
JP3387488B2 (ja) | イオンビーム照射装置 | |
JP3265227B2 (ja) | ドーピング装置およびドーピング処理方法 | |
JP2016035925A (ja) | プラズマビーム発生方法並びにプラズマ源 | |
JPS5813626B2 (ja) | イオンシヤワ装置 | |
JP2004139944A (ja) | イオン注入装置及び方法 | |
JPH05101799A (ja) | イオンビーム発生装置および成膜装置および成膜方法 | |
JP3064214B2 (ja) | 高速原子線源 | |
JP4593548B2 (ja) | ドーピング処理装置 | |
JPH0770512B2 (ja) | 低エネルギイオン化粒子照射装置 | |
CN206697466U (zh) | 包括硅通孔的芯片 | |
JP3168776B2 (ja) | 高周波型荷電粒子加速装置 | |
JPH0585633B2 (ja) | ||
JPH06325710A (ja) | マイクロ波イオン源及びイオン打ち込み装置 | |
JPS6270569A (ja) | スパッタリング方法及びその装置 | |
JPH09106969A (ja) | 多重陰極電子ビームプラズマ食刻装置 | |
JP3265283B2 (ja) | ドーピング装置およびドーピング処理方法 | |
JP2000235959A (ja) | ドーピング処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050715 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071012 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071023 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080122 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080125 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080225 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080228 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080324 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080327 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080422 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20080422 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080527 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080922 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20081112 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090224 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090226 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090324 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090331 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4289837 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120410 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120410 Year of fee payment: 3 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130410 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140410 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |