JP4274520B2 - 発振振幅検出回路、発振回路及び発振用集積回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、発振振幅検出回路、発振回路及び発振用集積回路に関する。より詳細には、本発明は、発振出力が所定の振幅値にあるか否かを検出する発振振幅検出回路と、当該検出回路を利用して発振出力の振幅値が適正なときに発振出力を後段の回路に送る構成を備える発振回路及び発振用集積回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
発振回路及び発振用集積回路では、発振出力が所定の振幅値にあるか否かを検出し、所定の振幅値に満たない場合には発振の初期状態あるいは異常状態とみなして発振出力を後段の回路へ送ることを停止するものがある。
【0003】
例えば、CMOSインバータを発振部に用いるものでは、発振部のCMOSインバータの出力を、所定の振幅値に応じてしきい値電圧Vthを定めたCMOSインバータ段を介してコンデンサを放電するMOSトランジスタのゲートに印加し、コンデンサの一方の電極の電位を電圧検出用のCMOSインバータに印加し、電圧検出用のCMOSインバータの出力を検出出力とする発振振幅検出回路を用いる発振用集積回路及び発振回路があり、このようなものとしては、特許文献1に開示されるものがある。
【0004】
【特許文献1】
特開平7−193428号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
この特許文献1に記載された発振振幅検出回路では、MOSトランジスタにより構成されているので、MOSトランジスタのしきい値電圧Vthの製造時のばらつきにより、発振振幅値の検出精度にばらつきを生じていた。近年、電源電圧の低電圧化が進むにつれて発振振幅値も小さなものとなり、この検出精度のばらつきは無視できないものとなっている。
【0006】
【課題を解決するための手段】
従って、本発明は上記した従来技術の問題点を解決することを目的とする。
この目的を達成するため、請求項1に記載の本発明は、基準電位端子に基準電位を発生する基準電位源と、第1のコンデンサを介して発振出力をベースに印加してあり、上記ベースに上記基準電位端子を接続してあり、コレクタに接続された第2のコンデンサに充電された電荷を放電するバイポーラトランジスタと、上記バイポーラトランジスタのコレクタと上記第2のコンデンサとの接続点の電位を入力端子に印加してあり、上記発振出力が所定の振幅値を超えたときに出力端子に検出出力を発生するCMOSインバータとを特徴とする発振振幅検出回路を提供する。
【0007】
本発明は上記構成により、コンデンサの放電はバイポーラトランジスタにより行なわれ、バイポーラトランジスタのベース、エミッタ間電圧Vbeの製造時のばらつきはMOSトランジスタのしきい値電圧Vthの製造時のばらつきより小さいので、精度良く発振振幅値を検出することができる。
【0008】
請求項2に記載の本発明は、請求項1に記載の発振振幅検出回路において、上記基準電位源はさらに、基準電位設定用のバイポーラトランジスタのベース、エミッタ間電圧に基づいて基準電位を発生するものであることを特徴とする発振振幅検出回路を提供する。
【0009】
本発明は上記構成により、上記基準電位をバイポーラトランジスタのベース、エミッタ間電圧に基づいて発生するので、基準電位は製造時のばらつきの影響が抑えられるとともに、電源電圧の変動の影響を抑えて精度良く発振振幅値を検出することができる。
【0010】
請求項3に記載の本発明は、請求項1又は2に記載の発振振幅検出回路において、上記インバータはシュミットインバータであることを特徴とする発振振幅検出回路を提供する。
【0011】
本発明は上記構成により、所定の振幅値の近傍に長く振幅が滞留するような発振が生じる場合でも、検出出力を安定させることができる。
【0012】
請求項4に記載の本発明は、MOSトランジスタ、バイポーラトランジスタ等で構成され、水晶振動子、弾性表面波振動子等の圧電振動子を接続した発振部と、基準電位端子に基準電位を発生する基準電位源と、第1のコンデンサを介して上記発振部からの発振出力をベースに印加してあり、上記ベースに上記基準電位端子を接続してあり、コレクタに接続された第2のコンデンサに充電された電荷を放電するバイポーラトランジスタと、上記バイポーラトランジスタのコレクタと上記第2のコンデンサとの接続点の電位を入力端子に印加してあり、上記発振出力が所定の振幅値を超えたときに出力端子に検出出力を発生するCMOSインバータと、上記発振出力は、上記検出出力があるときに上記発振部から上記発振部の後段の回路に送られることを特徴とする発振回路を提供する。
【0013】
本発明は上記構成により、精度良く検出される発振振幅に応じて適正な発振出力のみ後段の回路に送ることができる。これにより、例えば、発振初期状態あるいは発振が不安定になる異常状態を精度良く検出し、その場合は後段の回路と発振部を切り離し、後段回路のノイズにより発振部の発振が不安定になることを抑えることができる。しかも、発振振幅を高精度に検出できるので電源電圧の低電圧化を進めることができる。
【0014】
請求項5に記載の本発明は、MOSトランジスタ、バイポーラトランジスタ等で構成され、水晶振動子、弾性表面波振動子等の圧電振動子を外付けにて接続される発振部と、基準電位端子に基準電位を発生する基準電位源と、第1のコンデンサを介して上記発振部からの発振出力をベースに印加してあり、上記ベースに上記基準電位端子を接続してあり、コレクタに接続された第2のコンデンサに充電された電荷を放電するバイポーラトランジスタと、上記バイポーラトランジスタのコレクタと上記第2のコンデンサとの接続点の電位を入力端子に印加してあり、上記発振出力が所定の振幅値を超えたときに出力端子に検出出力を発生するCMOSインバータとを備え、上記検出出力があるときに上記発振出力を上記発振部から上記発振部の後段の回路に送ることを特徴とする発振用集積回路を提供する。
【0015】
本発明は上記構成により、請求項4に記載の発振回路を実現する発振用集積回路を提供できる。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明を実施の形態について詳細に説明する。
図1は、本発明の第1の実施例による発振振幅検出回路、発振回路及び発振用集積回路の構成を示す構成図である。発振回路1は、圧電振動子としての水晶振動子Xlを接続した発振部OSC1と、発振部OSC1からの発振出力を入力して発振出力の振幅値が所定の値を超えたことを検出する発振振幅検出回路2と、発振振幅検出回路2の検出出力に応じて発振部OSC1の発振出力を発振部OSC1の後段の回路に送るトランスミッションゲート等のスイッチング回路3と、スイッチング回路3を介して入力される発振出力を増幅して発振回路1の外部に出力する後段の回路としての出力部4とからなる。発振回路1は、水晶振動子Xlを除いて1チップの発振用集積回路5に集積化されている。発振部OSC1としては、特に図示しないが、CMOSインバータの入出力間に圧電振動子と帰還抵抗とを接続する構成のものでも良いし、バイポーラトランジスタのベース、コレクタ間に圧電振動子と帰還抵抗とを接続する構成のものでも良い。また、圧電振動子としては水晶振動子に限らず、弾性表面波振動子等の他の圧電振動子であっても良い。
【0017】
発振振幅検出回路2の構成の詳細は次の通りである。発振振幅検出回路2の入力端子INには発振部1の発振出力が印加されてあり、コンデンサC1は入力端子INと、基準電位端子としての接続点Aとの間に接続されてあり、これによって入力信号が基準電位に交流カップリングさせている。基準電位端子に基準電位を発生する基準電位源21は、バイポーラトランジスタTR1、抵抗R1、R2及びR3から構成される。すなわち、電流を制限するための抵抗R1が電源端子VDDと、基準電位を設定するためにダイオード接続されたバイポーラトランジスタTR1のベース及びコレクタに接続される。バイポーラトランジスタTR1のエミッタは電源端子VSSに接続される。バイポーラトランジスタTR1で得られた電位から抵抗R2、R3で分圧することによって接続点Aで基準の電位を得る。また、接続点Aは検出用のバイポーラトランジスタTR2のベースにも接続されている。電源端子VDDとバイポーラトランジスタTR2のコレクタ(接続点B)間には、電荷を蓄えるためのコンデンサC2と、コンデンサC2に電荷を供給するために抵抗R4が接続されている。バイポーラトランジスタTR2のエミッタはVSSに接続されている。接続点BはCMOSインバータINV1の入力端子に接続されている。CMOSインバータINV1は、発振出力の振幅値が所定の値を超えてバイポーラトランジスタTR2がオンを繰り返し、コンデンサC2を放電して接続点Bの電位が所定の電位より低くなったときに出力端子OUTの論理レベルが反転して検出出力を発生するものである。
【0018】
次に本例の動作について、図1の各端子の信号状態を示す図2の波形図を参照しながら説明する。図2においてINは入力端子の電位を示し、Aは接続点Aの電位を示し、TR2はバイポーラトランジスタTR2に流れる電流を示し、Bは接続点Bの電位を示し、OUTはCMOSインバータINV1の出力端子OUTの電圧を示している。図2は発振部OSC1が発振初期の状態から次第に発振出力を大きくする場合を示している。発振出力の振幅が大きくなり、接続点Aの信号がある電位を超えると、バイポーラトランジスタTR2は発振出力の周期に対応してオンする。そのときバイポーラトランジスタTR2を流れる電流によってコンデンサC2に蓄えられた電荷を放電させる。発振出力の振幅が大きくなると、バイポーラトランジスタTR2がオンする時間が長くなり、より多くの電荷を放電するためにコンデンサC2に電荷が蓄えられなくなる。すると接続点Bの電位が下がり、CMOSインバータINV1の出力端子OUTの信号が反転し、これを発振出力の振幅値が所定の値を超えたことを示す検出出力とする。スイッチング回路3はCMOSインバータINV1からの検出出力によってオンとなり、発振出力を出力部4に送る。出力部4は、発振出力を増幅して発振回路1の外部、例えば、発振用集積回路5の外部に出力する。
【0019】
以上のように本例の発振振幅検出回路、発振回路及び発振用集積回路では、コンデンサC2を放電する検出用のトランジスタをバイポーラトランジスタTR2としてある。バイポーラトランジスタのベース、エミッタ間電圧Vbeの製造時のばらつきはMOSトランジスタのしきい値電圧Vthの製造時のばらつきより小さいことから、従来のMOSトランジスタにより構成された発振振幅検出回路に比べて、バイポーラトランジスタTR2は、発振出力が所定の発振振幅値となったときに精度良くオンするように製造でき、精度良く発振振幅値を検出することができる。また、基準電位源21としてバイポーラトランジスタTR1のベース、エミッタ間電圧Vbeを利用して基準電位を発生するものを用いるので、製造時のばらつき少なく基準電位を設定でき、また、電源電圧の変動の影響を抑えて安定した基準電位を発生できる。このため、バイポーラトランジスタTR2のベースに印加される信号の振幅中心を所望の電位に高精度にバイアスでき、このことからも精度良く発振振幅値を検出することを可能としている。このため、発振出力が発振初期状態あるいは異常状態にあるときは、後段の回路への発振出力を停止し、発振初期状態では後段回路のノイズの影響が発振部OSC1に及ぶことを抑えて発振を安定させた後に後段回路に発振出力を送り、異常状態では後段回路の誤作動を防止するという動作を高精度に行なうことが可能となる。これらにより、発振振幅検出回路、発振回路及び発振用集積回路の電源電圧の低電圧化に対応可能となる。
【0020】
次に本発明の第2の実施例について述べる。上記第1の実施例では、バイポーラトランジスタTR1のベース、エミッタ間電圧Vbeを利用して基準電位を発生することとしたが、本発明はこれに限るものではない。第2の実施例では、図3に示すように接続点Aに他の基準電位源22を接続している。このような変更点以外については、図1と同様の符号で各構成を示してある。他の基準電位源22としては、例えば、電源端子VDD、VSS間の電圧を抵抗分割して得たりすれば良い。また、本例では、CMOSインバータINV1に代わってシュミットインバータINV2を用いている。CMOSインバータINV1を用いた場合、所定の振幅値の近傍に長く振幅が滞留するような発振が生じることにより、接続点Bの電位が変動し、検出出力が変動する恐れがあるが、入出力特性としてヒステリシス特性を有するシュミットインバータINV2を用いることにより、接続点Bの電位の変動をヒステリシス特性によって吸収し、検出出力を安定させることができる。なお、本例のその他の構成及び動作については上記第1の実施例と同様のものであり、同様の作用、効果を奏する。
【0021】
次に本発明の第3の実施例について述べる。上記第1及び第2の実施例では、NPN型のバイポーラトランジスタTR2を例に述べたが、本発明はこれに限らず、PNP型のバイポーラトランジスタを用いても良い。第3の実施例の構成は図4に示すようにPNP型のバイポーラトランジスタTR2’を用い、上記第1及び第2の実施例の発振振幅検出回路2に対して電源極性を反転した構成の発振振幅検出回路2’となっている。便宜上、図1と同様の構成は同様の符号で示してあり、上記第1の実施例と同様の作用、効果を奏する。
【0022】
【発明の効果】
本発明の発振振幅検出回路、発振回路及び発振用集積回路によれば、発振出力に応じてコンデンサを放電する検出用のトランジスタをバイポーラトランジスタとすることにより、バイポーラトランジスタのベース、エミッタ間電圧Vbeの製造時のばらつきはMOSトランジスタのしきい値電圧Vthの製造時のばらつきより小さいので、発振出力が所定の発振振幅値となったときに精度良くオンするように製造でき、精度良く発振振幅値を検出することができる。
【0023】
さらに、基準電位源としてバイポーラトランジスタのベース、エミッタ間電圧Vbeを利用して基準電位を発生するものを用いることにより、製造時のばらつきの少ない基準電位を設定でき、また、電源電圧の変動の影響を抑えて安定した基準電位を発生できる。このため、バイポーラトランジスタのベースに印加される信号の振幅中心を高精度にバイアスでき、このことからも精度良く発振振幅値を検出することができる。
【0024】
特に発振回路及び発振用集積回路では、発振出力が発振初期状態あるいは異常状態にあるときは、後段の回路への発振出力を停止し、発振初期状態では後段回路のノイズの影響が発振部OSC1に及ぶことを抑えて発振を安定させた後に後段回路に発振出力を送り、異常状態では後段回路の誤作動を防止するという動作を高精度に行なうことが可能となる。
【0025】
高精度の発振振幅検出が可能となることから、本発明の発振振幅検出回路、発振回路及び発振用集積回路の電源電圧の低電圧化を進めることが容易となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施例の発振振幅検出回路、発振回路及び発振用集積回路の構成図。
【図2】 図1の発振振幅検出回路、発振回路及び発振用集積回路の動作説明のための波形図。
【図3】 本発明の第2の実施例の発振振幅検出回路、発振回路及び発振用集積回路の構成図。
【図4】 本発明の第3の実施例の発振振幅検出回路、発振回路及び発振用集積回路の構成図。
【符号の説明】
1 発振回路
2 発振振幅検出回路
5 発振用集積回路
C1 第1のコンデンサ
C2 第2のコンデンサ
21 基準電位源
TR2 バイポーラトランジスタ
INV1 CMOSインバータ
TR1 基準電位設定用のバイポーラトランジスタ
INV2 シュミットインバータ
Claims (5)
- 基準電位端子に基準電位を発生する抵抗分割を用いた基準電位源と、
第1のコンデンサを介して発振出力をベースに印加してあり、上記ベースに上記基準電位端子を接続してあり、コレクタに接続された第2のコンデンサに充電された電荷を放電するバイポーラトランジスタと、
上記バイポーラトランジスタのコレクタと上記第2のコンデンサとの接続点の電位を入力端子に印加してあり、上記発振出力が所定の振幅値を超えたときに出力端子に検出出力を発生するCMOSインバータと
を特徴とする発振振幅検出回路。 - 上記基準電位源は、基準電位設定用のバイポーラトランジスタのベース、エミッタ間電圧に基づいて基準電位を発生するものであることを特徴とする請求項1に記載の発振振幅検出回路。
- 上記インバータはシュミットインバータであることを特徴とする請求項1または2に記載の発振振幅検出回路。
- MOSトランジスタ、バイポーラトランジスタ等で構成され、水晶振動子、弾性表面波振動子等の圧電振動子を接続した発振部と、
基準電位端子に基準電位を発生する抵抗分割を用いた基準電位源と、
第1のコンデンサを介して上記発振部からの発振出力をベースに印加してあり、上記ベースに上記基準電位端子を接続してあり、コレクタに接続された第2のコンデンサに充電された電荷を放電するバイポーラトランジスタと、
上記バイポーラトランジスタのコレクタと上記第2のコンデンサとの接続点の電位を入力端子に印加してあり、上記発振出力が所定の振幅値を超えたときに出力端子に検出出力を発生するCMOSインバータと
上記発振出力は、上記検出出力があるときに上記発振部から上記発振部の後段の回路に送られること
を特徴とする発振回路。 - MOSトランジスタ、バイポーラトランジスタ等で構成され、水晶振動子、弾性表面波振動子等の圧電振動子を外付けにて接続される発振部と、
基準電位端子に基準電位を発生する抵抗分割を用いた基準電位源と、
第1のコンデンサを介して上記発振部からの発振出力をベースに印加してあり、上記ベースに上記基準電位端子を接続してあり、コレクタに接続された第2のコンデンサに充電された電荷を放電するバイポーラトランジスタと、
上記バイポーラトランジスタのコレクタと上記第2のコンデンサとの接続点の電位を入力端子に印加してあり、上記発振出力が所定の振幅値を超えたときに出力端子に検出出力を発生するCMOSインバータと
上記発振出力は、上記検出出力があるときに上記発振部から上記発振部の後段の回路に送られること
を特徴とする発振用集積回路。
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