JP4271544B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
では、凸状の電極素子が回路表面より突出して形成されており、その高低差は30μm以上となり、また場合によっては100μmを超えるものも現れている。このような半導体ウエハの表面に形成される凸状部分はバンプと呼ばれている。フリップチップボンディングでは、このバンプを介して、リードフレーム等のチップ搭載用基板とチップとの導通が確保される。
(1)バンプが形成されているチップをチップ搭載用基板に載置し、バンプを介してチップとチップ搭載用基板とを接続し、その後樹脂封止する。
(2)異方導電性ペーストを介して高バンプチップとチップ搭載用基板とを接続し、その後樹脂封止する。
該半導体ウエハを、回路毎に個別のチップに切断分離し、
該個別のチップを該接着性薄膜層を介して、チップ搭載用基板の所定位置に載置し、
該個別のチップと該チップ搭載用基板との導通を確保しながら該個別のチップを該チップ搭載用基板に接着固定することを特徴とする半導体装置の製造方法。」が開示されている。
除去するために、裏面研削が行われる。裏面研削では、機械研削によってチップ裏面に微小な筋状の傷が形成される。この微小な傷は、パッケージングの後に、クラック発生の原因となることがある。このため、従来は、機械研削後に、微小な傷を除くためのケミカルエッチングが必要になる場合があった。しかし、ケミカルエッチングには、もとより設備費、運転費が必要になり、コスト増の原因となる。
表面に回路が形成された半導体ウエハの回路面に、接着膜形成層を形成する工程、
該半導体ウエハおよび接着膜形成層を、フルカットダイシングしてチップ化する工程、
各半導体チップの裏面および側面に、保護膜形成層を貼着する工程、
個々の半導体チップ毎に分割されるように保護膜形成層を切断する工程、および
個別のチップを、該接着膜形成層を介して、チップ搭載用基板の所定位置に載置し、該個別のチップと該チップ搭載用基板との導通を確保しながら該個別のチップを該チップ搭載用基板に接着固定する工程を含む。
表面に回路が形成された半導体ウエハをダイシングしてチップ化する工程、
各半導体チップの回路面に、接着膜形成層を形成する工程、
各半導体チップの裏面および側面に、保護膜形成層を貼着する工程、
個々の半導体チップ毎に分割されるように保護膜形成層を切断する工程、および
個別のチップを、該接着膜形成層を介して、チップ搭載用基板の所定位置に載置し、該個別のチップと該チップ搭載用基板との導通を確保しながら該個別のチップを該チップ搭載用基板に接着固定する工程を含む。
表面に回路が形成された半導体ウエハをダイシングしてチップ化する工程、
各半導体チップの裏面および側面に、保護膜形成層を貼着する工程、
個々の半導体チップ毎に分割されるように保護膜形成層を切断する工程、
各半導体チップの回路面に、接着膜形成層を形成する工程、
および
個別のチップを、該接着膜形成層を介して、チップ搭載用基板の所定位置に載置し、該個別のチップと該チップ搭載用基板との導通を確保しながら該個別のチップを該チップ搭載用基板に接着固定する工程を含む。
半導体ウエハ1としては、従来より用いられているシリコン半導体ウエハ、ガリウム・ヒ素半導体ウエハなどが挙げられるが、これらに限定されず、種々の半導体ウエハを用いることができる。ウエハ表面への回路の形成は、エッチング法、リフトオフ法などの従来より汎用されている方法を含む、様々な方法により行うことができる。半導体ウエハの回路形成工程において、所定の回路が形成される。また回路面には、チップ搭載用基板との導通に用いられる導通用突起物(バンプ)2が形成されていることが望ましい。バンプ2の高さ、径は、半導体装置の設計に応じ様々だが、一般的には、高さは10〜100μm程度であり、径は20〜100μm程度である。このようなバンプ2は、金、銅、ハンダ等の金属から形成されることが多い。
接着膜形成用シート10は、支持フィルム11と支持フィルム11の片面に形成された接着膜形成層12の積層体よりなる。支持フィルム11は、接着膜形成層12が転写可能なように、接着膜形成層12に面した側が剥離性を有する。
は37mN/m以下、特に好ましくは35mN/m以下であることが望ましい。このような表面張力の低い支持フィルム11は、材質を適宜に選択して得ることが可能であるし、またフィルムの表面にシリコーン樹脂等を塗布して離型処理を施すことで得ることもできる。
0重量部に対して、1〜500重量部程度の割合で用いられる。
あり、より好ましくは5〜200μm程度であり、特に好ましくは10〜100μm程度
である。
保護膜形成用シート20は、支持フィルム21と支持フィルム21の片面に形成された保護膜形成層22の積層体よりなる。
転写することで、印字適性を制御することができる。
本発明に係る半導体装置の第1の製造方法は、
上述した半導体ウエハ1の回路面に、接着膜形成層12を形成する工程(以下「A1工程」)、
該半導体ウエハ1および接着膜形成層12を、フルカットダイシングしてチップ化する工程(以下「A2工程」)、
各半導体チップ3の裏面および側面に、保護膜形成層22を貼着する工程(以下「A3工程」)、
個々の半導体チップ3毎に分割されるように保護膜形成層22を切断する工程(以下「A4工程」)、および
個別のチップ3を、該接着膜形成層12を介して、チップ搭載用基板30の所定位置に載置し、該個別のチップ3と該チップ搭載用基板30との導通を確保しながら該個別のチップ3を該チップ搭載用基板30に接着固定する工程(以下「A5工程」)を含む。
(A1工程)
半導体ウエハ1の回路面への接着膜形成層12の形成(A1工程)は、前述したように、通常の貼付装置を用いた接着膜形成用シート10の貼付によって行なわれる。貼付の際の圧力は、貼付装置の貼付方法(ゴムローラー式、真空密着式)により適宜に設定されるが、加圧条件が弱過ぎるとウエハに接着膜形成用シート10が密着しないことがあり、また強過ぎるとウエハを破損することがある。
(A2工程)
次に、図1または図2に示すように、ウエハのダイシング(A2工程)を行う。ウエハのダイシングは、通常のダイシング装置を用いて行なわれる。図1に示す態様では、ウエハの裏面にダイシングテープ4を貼着し、これを介して円形のフレーム5に固定してダイシングが行なわれる。図2に示す態様では、支持フィルム11の背面にダイシングテープ4を貼着し、これを介して円形のフレーム5に固定してダイシングが行なわれる。ダイシングに際しては、接着膜形成層12もウエハとともに切断される。また、接着膜形成層12に支持フィルム11が積層されている場合には、支持フィルム11も同時に切断される。ダイシングテープ4としては、従来よりこの種の用途に用いられてきた各種粘着テープが特に制限されることなく用いられる。
(A3工程)
次いで、各半導体チップ3の裏面および側面に、保護膜形成用シート20を貼着するすることで、保護膜形成層22を形成する(A3工程)。
(A3a法)
ダイシング工程を図1の態様で行った場合には、チップの裏面が露出していないため、まずチップ3を他の粘着テープ6に転写する(図3)。他の粘着テープ6としては、被着体の再剥離が可能であり、エキスパンド性を有するテープが用いられる。他の粘着テープ6としては、前述のダイシングテープが一般的に再剥離性を有し、エキスパンド性に優れるものがあるので、市販されているものの中より適宜選択することができる。
(A3b法)
この方法では、ダイシング工程(A2工程)後、チップ3のピックアップを行う。なお、図面では、ダイシング後に支持フィルム11を剥離した態様を示している。
、収縮性フィルムとしては、一軸または二軸延伸した各種の樹脂フィルムが用いられる。(A3c法)
この方法では、ダイシング工程(A2工程)後、チップ3のピックアップを行う。なお、図面では、ダイシング後に支持フィルム11を剥離した態様を示している。
(A4工程)
したがって、本発明では、必要に応じ支持フィルム21を剥離した後、該保護膜形成用シート20を切断し、個々のチップ毎に切断分割する(A4工程)。この切断工程は、前記したダイシング工程と同様に、公知の手法により行うことができる。
(A5工程)
次いで、本発明では、該チップをフリップチップボンディングによりチップ搭載用基板30に実装する。
プ搭載用基板30を用いる。もちろんこれらを併用してもよい。図8に示したものは、導通用突起物2を有するチップ3および導通用突起物2'を有するチップ搭載用基板30を
併用した例である。
この時点では、チップ3とチップ搭載用基板30との導通はとれていないので、絶縁性接着剤12を流動化させてバンプ2、2'を介してチップ3とチップ搭載用基板30とを接
続し、導通を確保した後、チップ3の固着を行う。
剤の硬化温度以上に加熱して、チップの固着を行う。なお、接着膜形成層12と保護膜形成層22は、双方ともに熱硬化性でない方が好ましい。しかし、接着膜形成層12と保護膜形成層22が双方とも、熱硬化性または粘接着性のものが選択された場合は、始めに硬化される保護膜形成層22の硬化温度を低温とし、次に硬化される接着膜形成層12の硬化温度を高温とすることにより、保護膜形成層22の硬化の際に接着膜形成層12が硬化してしまわないようにすることができる。
載用基板30との間の導通を確保した後、該熱可塑性絶縁性接着剤の可塑化温度未満に冷却して、チップの固着を行う。
またどちらか一方のみ有するものであってもよい。図9に示したものは、バンプ2を有するチップ3を用いた例である。
ものが好ましい。このような本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、チップ3とチップ搭載用基板30とを、空間を生じることなく、密着した状態で固着できる。また、チップ3の裏面および側面にも保護膜形成層22の硬化被膜が形成されるので、別途樹脂封止を行う必要もなく、ボイドのない、信頼性の高い、半導体装置を得ることができる。
「第2の製造方法」
本発明に係る半導体装置の第2の製造方法は、
表面に回路が形成された半導体ウエハをダイシングしてチップ化する工程(以下「B1工程」)、
各半導体チップ3の回路面に、接着膜形成層12を形成する工程(以下「B2工程」)、
各半導体チップ3の裏面および側面に、保護膜形成層22を貼着する工程(以下「B3工程」)、
個々の半導体チップ毎に分割されるように保護膜形成層22を切断する工程(以下「B4工程」)、および
個別のチップ3を、該接着膜形成層12を介して、チップ搭載用基板30の所定位置に載置し、該個別のチップ3と該チップ搭載用基板30との導通を確保しながら該個別のチップ3を該チップ搭載用基板30に接着固定する工程(以下「B5工程」)を含む。
(B1工程)
ウエハのダイシングは、通常のダイシング装置を用いて行なわれる。すなわち、前記A2工程の説明において述べたように、ウエハの裏面にダイシングテープ4を貼着し、これを介して円形のフレーム5に固定してダイシングが行なわれる。ダイシングテープ4としては、従来よりこの種の用途に用いられてきた各種粘着テープが特に制限されることなく用いられる。
(B2工程)
B1工程によって、ダイシングテープ4上にチップがウエハ形状を保ちつつ整列固着された状態となる。次いで、各半導体チップ3の回路面に、接着膜形成層12を形成する。接着膜形成層12の形成は、次の方法により行うことができる。
(B2a法)
チップの露出面全体を覆うように、接着膜形成用シート10を形成(図10)し、その後、接着膜形成層12を各チップ形状に切断する(図11)。接着膜形成層12の切断は、カッターやダイシングブレードを用いて行ってもよく、また、ダイシングテープ4をエキスパンドして、接着膜形成層12を引きちぎるように切断してもよい。この場合、チップ上に貼着されている接着膜形成層12は延伸されず、チップ間の空隙部に存在する接着膜形成層12のみが延伸されるため、接着膜形成層12の破断伸び以上にチップ間の空隙部が延伸されると、この部分で接着膜形成層12が切断される。
(B2b法)
また、図12に示すように、支持フィルム11上の接着膜形成層12にチップと同形状の切込みを設けておき、接着膜形成層12の切断片を各チップ3に接着するようにしてもよい。
(B3工程)、(B4工程)、(B5工程)
これらの工程は、前記(A3工程)、(A4工程)、(A5工程)と同様にして行われる。
表面に回路が形成された半導体ウエハ1をダイシングしてチップ化する工程(以下「C1工程」)、
各半導体チップ3の裏面および側面に、保護膜形成層22を貼着する工程(以下「C2
工程」)、
個々の半導体チップ毎に分割されるように保護膜形成層22を切断する工程(以下「C3工程」)、
各半導体チップ3の回路面に、接着膜形成層12を形成する工程(以下「C4工程」)、
および
個別のチップ3を、該接着膜形成層12を介して、チップ搭載用基板30の所定位置に載置し、該個別のチップ3と該チップ搭載用基板30との導通を確保しながら該個別のチップ3を該チップ搭載用基板30に接着固定する工程(以下「C5工程」)を含む。
2,2'…バンプ(導電性突起物)
3…半導体チップ
4…ダイシングテープ
5…リングフレーム
6…粘着テープ
10…接着膜形成用シート
11…支持フィルム
12…接着膜形成層
13…剥離性シート
20…保護膜形成用シート
21…支持フィルム
22…保護膜形成層
30…チップ搭載用基板
40…治具
41…キャビティー
50…吸着テーブル
Claims (11)
- 表面に回路が形成された半導体ウエハの回路面に、接着膜形成層を形成する工程、
該半導体ウエハおよび接着膜形成層を、フルカットダイシングしてチップ化する工程、
接着膜形成層を有する各半導体チップの裏面および側面に、支持フィルムと該支持フィルムの片面に形成された保護膜形成層との積層体よりなる保護膜形成層用シートを、保護膜形成層を介して貼着する工程、
個々の半導体チップ毎に分割されるように保護膜形成層を切断する工程、
個別のチップを、該接着膜形成層を介して、チップ搭載用基板の所定位置に載置し、該個別のチップと該チップ搭載用基板との導通を確保しながら該個別のチップを該チップ搭載用基板に接着固定する工程、および
該保護膜形成層から該支持フィルムを剥離する工程を含む半導体装置の製造方法。 - 表面に回路が形成された半導体ウエハをダイシングしてチップ化する工程、
各半導体チップの回路面に、接着膜形成層を形成する工程、
接着膜形成層を有する各半導体チップの裏面および側面に、支持フィルムと該支持フィルムの片面に形成された保護膜形成層との積層体よりなる保護膜形成層用シートを、保護膜形成層を介して貼着する工程、
個々の半導体チップ毎に分割されるように保護膜形成層を切断する工程、
個別のチップを、該接着膜形成層を介して、チップ搭載用基板の所定位置に載置し、該個別のチップと該チップ搭載用基板との導通を確保しながら該個別のチップを該チップ搭載用基板に接着固定する工程、および
該保護膜形成層から該支持フィルムを剥離する工程を含む半導体装置の製造方法。 - 表面に回路が形成された半導体ウエハをダイシングしてチップ化する工程、
各半導体チップの裏面および側面に、支持フィルムと該支持フィルムの片面に形成された保護膜形成層との積層体よりなる保護膜形成層用シートを、保護膜形成層を介して貼着する工程、
個々の半導体チップ毎に分割されるように保護膜形成層を切断する工程、
保護膜形成層を有する各半導体チップの回路面に、接着膜形成層を形成する工程、
個別のチップを、該接着膜形成層を介して、チップ搭載用基板の所定位置に載置し、該個別のチップと該チップ搭載用基板との導通を確保しながら該個別のチップを該チップ搭載用基板に接着固定する工程、および
該保護膜形成層から該支持フィルムを剥離する工程を含む半導体装置の製造方法。 - 前記支持フィルムが、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢ビフィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体フィルムおよびエチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体フィルム、ならびにこれらの架橋フィルム、ならびにこれらの積層フィルムから選択され、
前記支持フィルムの膜厚が5〜300μmである
請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記支持フィルムが、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢ビフィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体フィルムおよびエチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体フィルム、ならびにこれらの架橋フィルム、ならびにこれらの積層フィルムから選択され、
前記支持フィルムの膜厚が5〜300μmである
請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記支持フィルムが、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢ビフィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体フィルムおよびエチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体フィルム、ならびにこれらの架橋フィルム、ならびにこれらの積層フィルムから選択され、
前記支持フィルムの膜厚が5〜300μmである
請求項3に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記保護膜形成層が2層以上の構成層を有し、
各構成層がバインダー樹脂と熱硬化性成分および/またはエネルギー線硬化性成分とを含み、前記支持フィルムと接触する該構成層がフィラー成分をさらに含む請求項1または4に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記保護膜形成層が2層以上の構成層を有し、
各構成層がバインダー樹脂と熱硬化性成分および/またはエネルギー線硬化性成分とを含み、前記支持フィルムと接触する該構成層がフィラー成分をさらに含む請求項2または5に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記保護膜形成層が2層以上の構成層を有し、
各構成層がバインダー樹脂と熱硬化性成分および/またはエネルギー線硬化性成分とを含み、前記支持フィルムと接触する該構成層がフィラー成分をさらに含む請求項3または6に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記の保護膜形成層用シートを貼着する工程において、各半導体チップの裏面および側面ならびに前記接着膜形成層の側面に、支持フィルムと該支持フィルムの片面に形成された保護膜形成層との積層体よりなる保護膜形成層用シートを、保護膜形成層を介して貼着する請求項1、4および7のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記の保護膜形成層用シートを貼着する工程において、各半導体チップの裏面および側
面ならびに前記接着膜形成層の側面に、支持フィルムと該支持フィルムの片面に形成された保護膜形成層との積層体よりなる保護膜形成層用シートを、保護膜形成層を介して貼着する請求項2、5および8のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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