JP4261267B2 - 半導体素子のキャパシタ形成方法 - Google Patents
半導体素子のキャパシタ形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4261267B2 JP4261267B2 JP2003188411A JP2003188411A JP4261267B2 JP 4261267 B2 JP4261267 B2 JP 4261267B2 JP 2003188411 A JP2003188411 A JP 2003188411A JP 2003188411 A JP2003188411 A JP 2003188411A JP 4261267 B2 JP4261267 B2 JP 4261267B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- storage electrode
- forming
- film
- capacitor
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 44
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 42
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 35
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 96
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 13
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 134
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 2
- VMSRVIHUFHQIAL-UHFFFAOYSA-M sodium;n,n-dimethylcarbamodithioate Chemical compound [Na+].CN(C)C([S-])=S VMSRVIHUFHQIAL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910004129 HfSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/314—Inorganic layers
- H01L21/3141—Deposition using atomic layer deposition techniques [ALD]
- H01L21/3142—Deposition using atomic layer deposition techniques [ALD] of nano-laminates, e.g. alternating layers of Al203-Hf02
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/01—Manufacture or treatment
- H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/03—Making the capacitor or connections thereto
- H10B12/033—Making the capacitor or connections thereto the capacitor extending over the transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/31—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells having a storage electrode stacked over the transistor
- H10B12/318—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells having a storage electrode stacked over the transistor the storage electrode having multiple segments
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
- H01L21/02178—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing aluminium, e.g. Al2O3
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
- H01L21/02181—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing hafnium, e.g. HfO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
- H01L21/02189—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing zirconium, e.g. ZrO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
- H01L21/02194—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing more than one metal element
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/022—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being a laminate, i.e. composed of sublayers, e.g. stacks of alternating high-k metal oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/314—Inorganic layers
- H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
- H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
- H01L21/31616—Deposition of Al2O3
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/314—Inorganic layers
- H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
- H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
- H01L21/31645—Deposition of Hafnium oxides, e.g. HfO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
- H01L28/82—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
- H01L28/90—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having vertical extensions
- H01L28/91—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having vertical extensions made by depositing layers, e.g. by depositing alternating conductive and insulating layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子のキャパシタ形成方法に関し、特に、キャパシタの誘電体膜をAl−rich HfO2−Al2O3混合膜とHf−rich HfO2−Al2O3混合膜の積層構造で形成することにより、貯蔵電極と誘電体膜の界面に発生するシリコン酸化膜の発生を抑えて誘電率の減少を防ぎ、高い静電容量を提供するキャパシタの形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子が高集積化されてセルの大きさが減少するに伴い、貯蔵電極の面積に比例するキャパシタの静電容量を充分確保するのが困難になっている。
特に、単位セルが1つのMOSトランジスタとキャパシタから構成されるディラム素子では、相対的に多い面積を占めるキャパシタの静電容量は増加させながらその面積を減少させるのが、ディラム素子の高集積化を達成するために重要な要因の1つである。
【0003】
したがって、(εo×εr×A)/T(但し、前記εoは真空誘電率、前記εrは誘電膜の誘電率、前記Aは貯蔵電極の面積、また前記Tは誘電膜の厚さ)で示されるキャパシタの静電容量Cを増加させるため、誘電定数の高い物質を誘電体膜に用いるか、又は誘電体膜を薄く形成するか、又は貯蔵電極の表面積を増加させる等の方法を用いた。
【0004】
最近は、前記貯蔵電極の表面積を増加させる方法中の1つでコンケーブキャパシタの側壁に半球形多結晶シリコンを形成して半導体素子の高集積化を可能にしたが、0.12μm以下のデザインルールに従う高集積半導体素子のMIS構造で誘電体膜に用いるタンタリウム酸化膜は28オングストロ−ム以下の低い酸化膜換算厚さ(Tox、Oxide Equivalent Thickness)の確保が困難であるという問題点がある。
【0005】
図1は、従来の技術に係る半導体素子のキャパシタ形成方法を示す部分断面図である。
図1に示されているように、前記半導体基板(図示省略)の素子分離膜(図示省略)、不純物接合領域(図示省略)、ワードライン(図示省略)、ビットライン(図示省略)及び貯蔵電極用コンタクトプラグ(図示省略)が備えられる層間絶縁膜(図示省略)を形成する。
全体表面の上部に貯蔵電極用酸化膜(図示省略)を形成する。このとき、前記酸化膜(図示省略)は不純物が含まれた酸化膜で形成する。
貯蔵電極マスク(図示省略)を利用した写真エッチング工程で貯蔵電極に予定された領域の前記貯蔵電極用酸化膜(図示省略)を除去し、前記貯蔵電極コンタクトプラグ(図示省略)を露出させる貯蔵電極領域(図示省略)を定義する。
【0006】
次に、前記貯蔵電極コンタクトプラグ(図示省略)に接続されるよう前記貯蔵電極領域(図示省略)を含む全体表面の上部に貯蔵電極用導電層(図示省略)を蒸着する。このとき、前記貯蔵電極用導電層はドーピングされた多結晶シリコン膜11で形成する。
前記貯蔵電極領域(図示省略)を埋め込む感光膜(図示省略)を全体表面の上部に形成し、前記貯蔵電極用酸化膜(図示省略)が露出するよう平坦化エッチングする。
前記感光膜(図示省略)を除去して前記貯蔵電極領域(図示省略)の表面に貯蔵電極を形成する。ここで、前記貯蔵電極の表面に半球形多結晶シリコン膜を形成することも可能である。
【0007】
前記貯蔵電極用酸化膜(図示省略)を除去し、前記貯蔵電極のドーピングされた多結晶シリコン膜11の表面に誘電体膜のタンタリウム酸化膜15を形成する。このとき、タンタリウム酸化膜15とドーピングされた多結晶シリコン膜11の界面にシリコン酸化膜13が形成される。
【0008】
タンタリウム酸化膜15の結晶化及び酸素の欠乏を解決するためN2O又はO2アニーリング工程を行う。ここで、ドーピングされた多結晶シリコン膜11とタンタリウム酸化膜15の界面にシリコン酸化窒化膜17が形成され、シリコン酸化窒化膜17を含むタンタリウム酸化膜15の酸化膜換算厚さが28オングストロ−ムより大きくなるので、0.12μmデザインルールに適したキャパシタの静電容量の確保が困難であるという問題点がある。
したがって、半導体素子の高集積化に十分な静電容量を確保するため貯蔵電極の高さを増加させなければならないが、貯蔵電極の高さが大きくなると貯蔵電極の倒れ等により素子の不良及び収率の低下が発生するという問題点がある。
【0009】
図2〜図4は、それぞれ従来の技術の他の実施の形態に係る半導体素子のキャパシタを部分的に示した断面写真と、スパッタリング時間に従う高誘電率酸化膜の強度を示したグラフ等を示す図である。
図2は、貯蔵電極用導電層のドーピングされた多結晶シリコン膜21上に高誘電率酸化膜のHfO2膜25を蒸着しこれをアニーリングして誘電体膜を形成した後、プレート電極27を形成したことを示す部分断面写真である。
前記アニーリング工程により前記HfO2膜25とドーピングされた多結晶シリコン膜21の界面に低誘電率のシリコン酸化膜又はHfSiOx膜23が生成されて誘電体膜の誘電率を低下させる。
【0010】
図3及び図4は、AES(Auger electron spectroscopy)深さプロファイル(Depth Profile)資料で、ここでスパッタリング時間は薄膜をArイオンを利用してスパッタリングエッチングした時間を示すものであり、時間の増加に伴い薄膜の表面からバルク(bulk)内部に入っていくことを意味する。さらに、強度(intensity)はAE(Auger electron)の強度を示すもので強度が大きいというのは含量が多いことを意味する。
【0011】
前記のように、従来の技術に係る半導体素子のキャパシタ形成方法において誘電体膜にタンタリウム酸化膜だけを用いる場合は、厚い酸化膜換算厚さにより半導体素子の高集積化に十分な静電容量を確保することができず、HfO2膜を用いる場合アニーリング工程時に低誘電率薄膜が生成されて素子の誘電率が低下し、半導体素子の高集積化に十分な静電容量を確保することができないという問題点がある。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、キャパシタの誘電体膜をAl−rich HfO2−Al2O3混合膜とHf−rich HfO2−Al2O3混合膜の積層構造で形成することにより、貯蔵電極と誘電体膜の界面に発生するシリコン酸化膜の発生を抑えて誘電率の減少を防ぎ、高い静電容量を提供するキャパシタの形成方法を提供することにその目的がある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体素子のキャパシタ形成方法は、(a)貯蔵電極コンタクトプラグを備えた層間絶縁膜の上部に貯蔵電極用酸化膜を形成する段階、(b)前記貯蔵電極用酸化膜の所定領域をエッチングして前記貯蔵電極コンタクトプラグの上部面を露出させる貯蔵電極領域を形成する段階、(c)前記貯蔵電極コンタクトプラグに接続する貯蔵電極であって多結晶シリコンから構成される貯蔵電極を、前記貯蔵電極領域に形成する段階、(d)前記貯蔵電極用酸化膜を除去する段階、(e)前記貯蔵電極の表面にAl−rich HfO2−Al2O3混合膜及びHf−rich HfO2−Al2O3混合膜の積層構造でなる誘電体膜を形成する段階、(f)前記誘電体膜を熱処理する段階、及び(g)前記誘電体膜の上部にプレート電極を形成する段階を含むことを第1の特徴とする。
【0014】
本発明に係る半導体素子のキャパシタ形成方法は、(a)貯蔵電極コンタクトプラグを備えた層間絶縁膜の上部に貯蔵電極用酸化膜を形成する段階、(b)前記貯蔵電極用酸化膜の所定領域をエッチングして前記貯蔵電極コンタクトプラグの上部面を露出させる貯蔵電極領域を形成する段階、(c)前記貯蔵電極コンタクトプラグに接続する貯蔵電極であって多結晶シリコンから構成される貯蔵電極を、前記貯蔵電極領域に形成する段階、(d)前記貯蔵電極用酸化膜を除去する段階、(e)前記貯蔵電極の表面にAl−rich HfO2−Al2O3混合膜で成る誘電体膜を形成する段階、(f)前記誘電体膜を熱処理する段階、及び(g)前記誘電体膜の上部にプレート電極を形成する段階を含むことを第2の特徴とする。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明に係る実施の形態について詳しく説明する。
図5〜図10は、本発明の実施の形態に係る半導体素子のキャパシタ形成方法を示す断面図である。
【0017】
図5に示されているように、半導体素子(図示省略)に素子分離膜(図示省略)、不純物接合領域(図示省略)、ワードライン(図示省略)及びビットライン(図示省略)を形成し、その上部に平坦化形成された層間絶縁膜31を形成する。
【0018】
次に、層間絶縁膜31の上部にエッチング障壁層33の窒化膜を形成した後、貯蔵電極コンタクトマスク(図示省略)を利用した写真エッチング工程で層間絶縁膜31をエッチングして貯蔵電極コンタクトホールを形成し、これを導電層で埋め込んで貯蔵電極コンタクトプラグ35を形成する。
図6に示されているように、全体表面の上部に貯蔵電極用酸化膜37を形成する。貯蔵電極用酸化膜37は、半導体素子の製造工程に用いられる通常の酸化膜である。
【0019】
図7に示されているように、貯蔵電極マスク(図示省略)を利用した写真エッチング工程で前記貯蔵電極用酸化膜37をエッチングし、前記貯蔵電極コンタクトプラグ35を露出させる貯蔵電極領域39を形成する。
【0020】
図8に示されているように、貯蔵電極領域39を含む全体表面の上部に貯蔵電極用導電層のドーピングされた多結晶シリコン膜(図示省略)を形成する。次に、全体表面の上部に感光膜(図示省略)を塗布し貯蔵電極用酸化膜37が露出するよう平坦化エッチングした後、前記感光膜を除去して貯蔵電極41を形成する。貯蔵電極41は、表面に半球形多結晶シリコン膜(図示省略)を追加的に含むことができる。ここで、貯蔵電極41が半球形多結晶シリコン膜を含む場合は、ドーピングされた非晶質シリコン膜とアンドーピングされた非晶質シリコン膜を積層し、前記アンドーピングされた非晶質シリコン膜を半球形多結晶シリコン膜に成長させる熱処理工程を行った後、後続熱処理工程を行って貯蔵電極と半球形多結晶シリコン膜を形成する。
図9に示されているように、貯蔵電極用酸化膜37を周辺層とのエッチング選択比の差を利用して除去する。
【0021】
次に、NH4OH:H2O2:H2=1:(4〜5):(20〜50)の組成比を有する洗浄液で貯蔵電極41の表面を洗浄し、3〜5オングストロ−ムの厚さを有する化学酸化膜(図示省略)を形成するか、HF又はBOE溶液を利用して貯蔵電極41の表面を洗浄し、RTO工程を利用して8〜15オングストロ−ムの厚さを有する酸化膜(図示省略)を形成する。
【0022】
その次に、全体表面の上部に誘電体膜43を形成する。ここで、誘電体膜43は貯蔵電極41の表面にAl−rich HfO2−Al2O3混合膜47とHf−richHfO2−Al2O3混合膜49を順次積層し、これを熱処理して形成したものである。ここで、Al−rich HfO2−Al2O3混合膜47に代えて純粋なAl2O3膜を用いることができ、誘電体膜43はHf−rich HfO2−Al2O3混合膜49を形成せずAl−rich HfO2−Al2O3混合膜だけで成る単一膜で形成することもできる。ドーピングされたポリシリコンから成る貯蔵電極41とAl−rich HfO2−Al2O3混合膜47の界面にはシリコン酸化膜45が形成されるが、SiO2より酸化力の大きいAl2O3が前記熱処理工程でSiO2をAl2O3に変更させてシリコン酸化膜45が全て除去されるので、シリコン酸化膜45による誘電率の低下問題は発生しない。
【0023】
Al−rich HfO2−Al2O3混合膜47とHf−rich HfO2−Al2O3混合膜49は、ALD方法を利用してそれぞれ5〜30オングストロ−ム及び10〜100オングストロ−ムの厚さで形成するのが好ましい。具体的には、AlのソースにAl(CH4)3、HfのソースにHfCl4、及びOのソースにH2Oを用い、Alパルス(pulse)、N2パージ(purge)、H2Oパルス及びN2パージの工程をAl2O3の1サイクルにし、Hfパルス、N2パージ、H2Oパルス及びN2パージの工程をHfO2の1サイクルにし、150〜600℃温度の範囲でALD方法で形成する。
さらに、HfのソースにHfCl4、Hf[N(C2H5)2]4、HF[N(CH3)2]4、Hf[N(CH3)(C2H5)]4、Hf[OC(CH3)3]4、Hf(NO3)4及びこれらの組合せのうち選択された何れか1つを用い、OのソースにH2O、O2、N2O、O3及びこれらの組合せのうち何れか1つを用いてHfパルス、N2パージ、Oパルス及びN2パージをHfO2の1サイクルにすることもできる。
【0024】
Al−rich HfO2−Al2O3混合膜47はHfO2:Al2O3=(1サイクル:1サイクル)〜(1サイクル:9サイクル)の比率で蒸着するのが好ましく、Hf−rich HfO2−Al2O3混合膜はHfO2:Al2O3=(9サイクル:1サイクル)〜(2サイクル:1サイクル)の比率で蒸着するのが好ましい。
【0025】
前記熱処理工程は、500〜900℃の温度及び酸素又は窒素ガス雰囲気で1〜10分間急速熱処理工程で行うか、又は500〜900℃の温度及び酸素、窒素又はN2Oガス雰囲気で10〜60分間ファーネス(furnace)で行う。
【0026】
図10に示されているように、誘電体膜43の上部にプレート電極51を形成する。プレート電極51はTaN、TiN、WN、W、Pt、ルテニウム、イリジウム、ドーピングされた多結晶シリコン及びこれらの組合せで成る群から選択された何れか1つで形成するが、CVD方法で形成するのが好ましい。
【0027】
図11は、本発明と従来の技術に係る薄膜の蒸着厚さに伴う誘電体膜の厚さを比較して示したグラフ図であり、本発明に係るHfO2−Al2O3混合膜の厚さがより小さいことが分かる。
【0028】
【発明の効果】
本発明に係る半導体素子のキャパシタ形成方法は、キャパシタの誘電体膜をAl−rich HfO2−Al2O3混合膜とHf−rich HfO2−Al2O3混合膜の積層構造で形成することにより、貯蔵電極と誘電体膜の界面に発生するシリコン酸化膜の発生を抑えて誘電率の減少を防ぎ、高い静電容量を提供するという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の技術に係る半導体素子のキャパシタを示す部分断面図である。
【図2】従来技術の他の実施の形態に基づき形成されたキャパシタの断面図写真と、前記キャパシタの誘電体膜の特性変化を示すグラフ図である。
【図3】従来技術の他の実施の形態に基づき形成されたキャパシタの断面図写真と、前記キャパシタの誘電体膜の特性変化を示すグラフ図である。
【図4】従来技術の他の実施の形態に基づき形成されたキャパシタの断面図写真と、前記キャパシタの誘電体膜の特性変化を示すグラフ図である。
【図5】本発明の実施の形態に基づき形成された半導体素子のキャパシタ形成方法を示す断面図である。
【図6】本発明の実施の形態に基づき形成された半導体素子のキャパシタ形成方法を示す断面図である。
【図7】本発明の実施の形態に基づき形成された半導体素子のキャパシタ形成方法を示す断面図である。
【図8】本発明の実施の形態に基づき形成された半導体素子のキャパシタ形成方法を示す断面図である。
【図9】本発明の実施の形態に基づき形成された半導体素子のキャパシタ形成方法を示す断面図である。
【図10】本発明の実施の形態に基づき形成された半導体素子のキャパシタ形成方法を示す断面図である。
【図11】高誘電率薄膜の蒸着厚さに従う誘電体膜の厚さを示すグラフ図である。
【符号の説明】
11、21 ドーピングされた多結晶シリコン膜、貯蔵電極
13、45 シリコン酸化膜
15 タンタリウム酸化膜
17 シリコン酸化窒化膜
23 シリコン酸化膜又はHfSiOx
25 HfO2膜
27、51 プレート電極
31 層間絶縁膜
33 エッチング障壁層
35 貯蔵電極コンタクトプラグ
37 貯蔵電極用酸化膜
39 貯蔵電極領域
41 貯蔵電極、ドーピングされた多結晶シリコン膜
43 誘電体膜
47 Al−rich HfO2−Al2O3混合膜
49 Hf−rich HfO2−Al2O3混合膜
Claims (13)
- (a)貯蔵電極コンタクトプラグを備えた層間絶縁膜の上部に貯蔵電極用酸化膜を形成する段階、
(b)前記貯蔵電極用酸化膜の所定領域をエッチングして前記貯蔵電極コンタクトプラグの上部面を露出させる貯蔵電極領域を形成する段階、
(c)前記貯蔵電極コンタクトプラグに接続する貯蔵電極であって多結晶シリコンから構成される貯蔵電極を、前記貯蔵電極領域に形成する段階、
(d)前記貯蔵電極用酸化膜を除去する段階、
(e)前記貯蔵電極の表面にAl−rich HfO2−Al2O3混合膜及びHf−rich HfO2−Al2O3混合膜の積層構造でなる誘電体膜を形成する段階、
(f)前記誘電体膜を熱処理する段階、及び
(g)前記誘電体膜の上部にプレート電極を形成する段階を含むことを特徴とする半導体素子のキャパシタ形成方法。 - 前記(d)段階を行った後、NH4OH:H2O2:H2O=1:(4〜5):(20〜50)の組成比を有する洗浄液で前記貯蔵電極の表面を洗浄し、3〜5オングストロ−ムの厚さを有する酸化膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のキャパシタ形成方法。
- 前記(d)段階を行った後、HF又はBOE溶液を利用して前記貯蔵電極の表面を洗浄し、RTO工程を利用して8〜15オングストロ−ムの厚さを有する酸化膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のキャパシタ形成方法。
- 前記(e)段階は、ALD方法を利用してそれぞれ5〜30A及び10〜100オングストロ−ムの厚さで形成する工程であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のキャパシタ形成方法。
- 前記(e)段階は、AlのソースにAl(CH4)3、HfのソースにHfCl4、及びOのソースにH2O、O3、O2、N2O及びこれらの混合ガスのうち何れか1つを用いてAlパルス、N2パージ、Oパルス及びN2パージの工程をAl2O3の1サイクルにし、Hfパルス、N2パージ、Oパルス及びN2パージの工程をHfO2の1サイクルにするALD方法であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のキャパシタ形成方法。
- 前記(e)段階は、150〜600℃の温度で行われるALD又はCVD工程であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のキャパシタ形成方法。
- 前記(e)段階はHfのソースにHfCl4、Hf[N(C2H5)2]4、HF[N(CH3)2]4、Hf[N(CH3)(C2H5)]4、Hf[OC(CH3)3]4、Hf(NO3)4及びこれらの組合せのうち選択された何れか1つを用い、OのソースにH2O、O2、N2O、O3及びこれらの組合せのうち何れか1つを用いてHfパルス、N2パージ、Oパルス及びN2パージをHfO2の1サイクルにするALD方法であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のキャパシタ形成方法。
- 前記Al−rich HfO2−Al2O3混合膜は、HfO2:Al2O3=(1サイクル:1サイクル)〜(1サイクル:9サイクル)の比率で形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のキャパシタ形成方法。
- Hf−rich HfO2−Al2O3混合膜は、HfO2:Al2O3=(9サイクル:1サイクル)〜(2サイクル:1サイクル)の比率で形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のキャパシタ形成方法。
- 前記(f)段階は、500〜900℃の温度及び酸素又は窒素ガス雰囲気で1〜10分間行われることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のキャパシタ形成方法。
- 前記(f)段階は、500〜900℃の温度及び酸素、窒素又はN2Oガス雰囲気で10〜60分間ファーネスで行われることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のキャパシタ形成方法。
- 前記(g)段階はTaN、TiN、WN、W、Pt、ルテニウム、イリジウム、ドーピングされた多結晶シリコン及びこれらの組合せのうち選択された何れか1つで貯蔵電極を形成するCVD工程であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のキャパシタ形成方法。
- (a)貯蔵電極コンタクトプラグを備えた層間絶縁膜の上部に貯蔵電極用酸化膜を形成する段階、
(b)前記貯蔵電極用酸化膜の所定領域をエッチングして前記貯蔵電極コンタクトプラグの上部面を露出させる貯蔵電極領域を形成する段階、
(c)前記貯蔵電極コンタクトプラグに接続する貯蔵電極であって多結晶シリコンから構成される貯蔵電極を、前記貯蔵電極領域に形成する段階、
(d)前記貯蔵電極用酸化膜を除去する段階、
(e)前記貯蔵電極の表面にAl−rich HfO2−Al2O3混合膜で成る誘電体膜を形成する段階、
(f)前記誘電体膜を熱処理する段階、及び
(g)前記誘電体膜の上部にプレート電極を形成する段階を含むことを特徴とする半導体素子のキャパシタ形成方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0087079A KR100469158B1 (ko) | 2002-12-30 | 2002-12-30 | 반도체소자의 캐패시터 형성방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004214602A JP2004214602A (ja) | 2004-07-29 |
JP4261267B2 true JP4261267B2 (ja) | 2009-04-30 |
Family
ID=32709751
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003188411A Expired - Fee Related JP4261267B2 (ja) | 2002-12-30 | 2003-06-30 | 半導体素子のキャパシタ形成方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040137678A1 (ja) |
JP (1) | JP4261267B2 (ja) |
KR (1) | KR100469158B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8392347B2 (en) | 2007-06-20 | 2013-03-05 | Kansai Paint Co., Ltd. | Coating color database creating method, search method using the database, their system, program, and recording medium |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100642635B1 (ko) * | 2004-07-06 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | 하이브리드 유전체막을 갖는 반도체 집적회로 소자들 및그 제조방법들 |
US7126182B2 (en) * | 2004-08-13 | 2006-10-24 | Micron Technology, Inc. | Memory circuitry |
TW200620472A (en) * | 2004-09-09 | 2006-06-16 | Tokyo Electron Ltd | Thin film capacitor, method for forming same, and computer readable recording medium |
JP4543378B2 (ja) | 2004-11-15 | 2010-09-15 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR100642400B1 (ko) * | 2004-12-17 | 2006-11-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 유전막 제조방법 |
KR100867038B1 (ko) * | 2005-03-02 | 2008-11-04 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
JP4476880B2 (ja) | 2005-06-24 | 2010-06-09 | 株式会社東芝 | 絶縁膜の形成方法、半導体装置の製造方法、半導体装置 |
KR100683489B1 (ko) * | 2005-06-24 | 2007-02-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 |
KR100722988B1 (ko) * | 2005-08-25 | 2007-05-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 및 그 제조방법 |
US20070148926A1 (en) * | 2005-12-28 | 2007-06-28 | Intel Corporation | Dual halo implant for improving short channel effect in three-dimensional tri-gate transistors |
US7795160B2 (en) * | 2006-07-21 | 2010-09-14 | Asm America Inc. | ALD of metal silicate films |
JP2010192520A (ja) | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Elpida Memory Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP5270476B2 (ja) | 2009-07-07 | 2013-08-21 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
CN110819965B (zh) * | 2019-10-25 | 2021-01-19 | 西安交通大学 | 一种铝电解电容器用阳极铝箔的节能制备方法 |
CN112080732B (zh) * | 2020-07-29 | 2021-12-28 | 西安交通大学 | 一种硅集成的bt-bmz薄膜、电容器及其制造方法 |
US20220199760A1 (en) * | 2020-12-21 | 2022-06-23 | Intel Corporation | Integrated circuit device having backend double-walled capacitors |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6458645B2 (en) * | 1998-02-26 | 2002-10-01 | Micron Technology, Inc. | Capacitor having tantalum oxynitride film and method for making same |
KR100283192B1 (ko) * | 1998-06-09 | 2001-04-02 | 윤종용 | 반구형결정가입자들을갖는캐패시터의제조방법 |
KR100292938B1 (ko) * | 1998-07-16 | 2001-07-12 | 윤종용 | 고집적디램셀커패시터및그의제조방법 |
US6010942A (en) * | 1999-05-26 | 2000-01-04 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Post chemical mechanical polishing, clean procedure, used for fabrication of a crown shaped capacitor structure |
US6281142B1 (en) * | 1999-06-04 | 2001-08-28 | Micron Technology, Inc. | Dielectric cure for reducing oxygen vacancies |
KR100705926B1 (ko) * | 1999-12-22 | 2007-04-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 |
US6312565B1 (en) * | 2000-03-23 | 2001-11-06 | Agere Systems Guardian Corp. | Thin film deposition of mixed metal oxides |
KR100403611B1 (ko) * | 2000-06-07 | 2003-11-01 | 삼성전자주식회사 | 금속-절연체-금속 구조의 커패시터 및 그 제조방법 |
US6660660B2 (en) * | 2000-10-10 | 2003-12-09 | Asm International, Nv. | Methods for making a dielectric stack in an integrated circuit |
KR100355239B1 (ko) * | 2000-12-26 | 2002-10-11 | 삼성전자 주식회사 | 실린더형 커패시터를 갖는 반도체 메모리 소자 및 그제조방법 |
US6518610B2 (en) * | 2001-02-20 | 2003-02-11 | Micron Technology, Inc. | Rhodium-rich oxygen barriers |
US6720259B2 (en) * | 2001-10-02 | 2004-04-13 | Genus, Inc. | Passivation method for improved uniformity and repeatability for atomic layer deposition and chemical vapor deposition |
US6645882B1 (en) * | 2002-01-17 | 2003-11-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Preparation of composite high-K/standard-K dielectrics for semiconductor devices |
US6693004B1 (en) * | 2002-02-27 | 2004-02-17 | Advanced Micro Devices, Inc. | Interfacial barrier layer in semiconductor devices with high-K gate dielectric material |
US6753618B2 (en) * | 2002-03-11 | 2004-06-22 | Micron Technology, Inc. | MIM capacitor with metal nitride electrode materials and method of formation |
US6703277B1 (en) * | 2002-04-08 | 2004-03-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Reducing agent for high-K gate dielectric parasitic interfacial layer |
US7164165B2 (en) * | 2002-05-16 | 2007-01-16 | Micron Technology, Inc. | MIS capacitor |
US20030232501A1 (en) * | 2002-06-14 | 2003-12-18 | Kher Shreyas S. | Surface pre-treatment for enhancement of nucleation of high dielectric constant materials |
KR100500940B1 (ko) * | 2002-06-21 | 2005-07-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 캐패시터 제조방법 |
US6686212B1 (en) * | 2002-10-31 | 2004-02-03 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method to deposit a stacked high-κ gate dielectric for CMOS applications |
US6737313B1 (en) * | 2003-04-16 | 2004-05-18 | Micron Technology, Inc. | Surface treatment of an oxide layer to enhance adhesion of a ruthenium metal layer |
-
2002
- 2002-12-30 KR KR10-2002-0087079A patent/KR100469158B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-06-30 JP JP2003188411A patent/JP4261267B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-06-30 US US10/608,103 patent/US20040137678A1/en not_active Abandoned
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8392347B2 (en) | 2007-06-20 | 2013-03-05 | Kansai Paint Co., Ltd. | Coating color database creating method, search method using the database, their system, program, and recording medium |
US8606731B2 (en) | 2007-06-20 | 2013-12-10 | Kansai Paint Co. Ltd. | Coating color database creating method, search method using the database, their system, program, and recording medium |
CN101730835B (zh) * | 2007-06-20 | 2014-02-12 | 关西涂料株式会社 | 涂料颜色数据库的创建方法、使用数据库的检索方法、及其***、程序和记录介质 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004214602A (ja) | 2004-07-29 |
US20040137678A1 (en) | 2004-07-15 |
KR20040060309A (ko) | 2004-07-06 |
KR100469158B1 (ko) | 2005-02-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4261267B2 (ja) | 半導体素子のキャパシタ形成方法 | |
US7164165B2 (en) | MIS capacitor | |
US6833577B2 (en) | Semiconductor device | |
JP4111427B2 (ja) | 半導体素子のキャパシタ製造方法 | |
US20020153579A1 (en) | Semiconductor device with thin film having high permittivity and uniform thickness | |
JP2007073926A (ja) | 誘電膜及びその形成方法並びに誘電膜を備えた半導体メモリ素子及びその製造方法 | |
JPH06244364A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH1117153A (ja) | 半導体素子のキャパシタ形成方法 | |
US6468856B2 (en) | High charge storage density integrated circuit capacitor | |
US8193098B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
JP2005150416A (ja) | 半導体集積回路装置及びその製造方法 | |
JP3839281B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4053226B2 (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
JP4812949B2 (ja) | キャパシタの製造方法 | |
JPH1022467A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR100677765B1 (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
JPH09199690A (ja) | 半導体素子のキャパシタの製造方法 | |
KR100296914B1 (ko) | 반도체 메모리 소자의 캐패시터 제조 방법_ | |
JP2003124348A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2011119417A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2006245612A (ja) | 容量素子の製造方法 | |
JP4357146B2 (ja) | 酸化物誘電体膜の成膜方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2002299583A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
KR100875648B1 (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR20010105885A (ko) | 하부전극과 스토리지 노드 콘택간의 오정렬 및확산방지막의 산화를 방지할 수 있는 반도체 장치 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060313 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080925 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081007 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090105 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090127 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090205 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140220 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |