JP4260161B2 - 半導体集積回路のシミュレーション方法 - Google Patents
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Description
Rtotal=Rsh*(L/W)*(1+VC1*dV)・・・(1)
Rtotal=Rsh*(L/W)*(1+VC2*dV+VC3*dV2)・・・(2)
図3でX軸は、抵抗素子の長さを0〜100μmまで変化させた値で、Y軸は、抵抗素子の全体抵抗を示す。
Log(abs(VCR))=a*Log(L)+b
上記の数式でa及びbは、前記抵抗素子の幅(W)を変数とする関数である。
Rtotal=Rsh*(L/W)*[1+(a*Log(L)+b)*dV]
ここで、Rtotalは抵抗素子の抵抗値で、Rshは抵抗素子の単位面積当たりの抵抗で、dVは抵抗素子の両端の電位差である。
VCR=VC4*10(VC5*LogW*LogL+VC6*LogL+VC7*LogW+VC8)
ここで、前記VC4乃至VC8は、電圧が前記抵抗素子の抵抗値に及ぼす影響を示す係数である。
Rtotal=Rsh*(L/W)*(1+VC4*10(VC5*LogW*LogL+VC6*LogL+VC7*LogW+VC8))
また、本発明では抵抗素子の幅や長さの変動による電圧の変化をシミュレーション方法に正確に反映することで、回路設計の効率性をかなり高めることができる。
Rtotal=Rsh*(L/W)*(1+f(W,L)*dV)・・・(3)
F(W,L):Log(abs(VCR))=a*Log(L)+b・・・(4)
したがって、図6から求めた傾度(a)と、図7から求めた切片(b)をVCRに対して展開すると、下記の数式5のように、抵抗素子の幅と長さによって変わる新たな抵抗変化係数(VCR)を得ることができ、抵抗素子の新たな抵抗値の算出方法は下記の数式6で表現される。
VCR=VC4*10(VC5*LogW*LogL+VC6*LogL+VC7*LogW+VC8)・・・(5)
Rtotal=Rsh*(L/W)*(1+VC4*10(VC5*LogW*LogL+VC6*LogL+VC7*LogW+VC8))・・・(6)
図8でX軸は抵抗素子の長さ、Y軸は全体の抵抗であり、抵抗素子の幅0.5μm、1μm、2μm、5μm、10μmのそれぞれに対する全体の抵抗値は最大の誤差が2.11%に過ぎず、図3と図4に示した従来のSPICEモデルの結果と比較すると、正確度が非常に高いことが分かる。図8のグラフで四角形、三角形、菱形、円形などの点で示したものは抵抗素子の抵抗値を実際に測定した抵抗値で、実線は本発明のシミュレーションモデルを適用して計算した抵抗値である。
Claims (5)
- コンピュータによって実行される半導体集積回路のシミュレーション方法であって、
多様な長さ(L)と幅(W)を有するそれぞれの抵抗素子に対して印加される電圧を変化させながら測定された抵抗値を電圧に対する線形関数で表すことで、抵抗素子の電圧による抵抗変化係数(VCR:Voltage Coefficient Resist)を算出する段階と、
前記VCRを用いて特定の長さと幅を有する抵抗素子の抵抗値を算出する段階と、を備え、
前記算出されるVCRのログ関数は下記の数式で表わされ、
Log(abs(VCR))=a*Log(L)+b
上記の数式でa及びbは、前記抵抗素子の幅(W)を変数とする関数であることを特徴とする半導体集積回路のシミュレーション方法。 - 前記VCRは、前記抵抗素子の長さ(L)および幅(W)を変数に有する関数であることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路のシミュレーション方法。
- 前記特定の長さ(L)と幅(W)を有する抵抗素子の抵抗値を算出する段階は下記の数式を用い、
Rtotal=Rsh*(L/W)*[1+(a*Log(L)+b)*dV]
ここで、Rtotalは抵抗素子の抵抗値で、Rshは抵抗素子の単位面積当たりの抵抗で、dVは抵抗素子の両端の電位差であることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路のシミュレーション方法。 - 前記算出されるVCRは下記の数式で表わされ、
VCR=VC4*10(VC5*LogW*LogL+VC6*LogL+VC7*LogW+VC8)
ここで、前記VC4乃至VC8は、電圧が前記抵抗素子の抵抗値に及ぼす影響を示す係数であることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路のシミュレーション方法。 - 前記特定の長さ(L)と幅(W)を有する抵抗素子の抵抗値を算出する段階は、下記の数式を用いることを特徴とする請求項4に記載の半導体集積回路のシミュレーション方法。
Rtotal=Rsh*(L/W)*(1+VC4*10(VC5*LogW*LogL+VC6*LogL+VC7*LogW+VC8))
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