JP4258345B2 - Vapor deposition apparatus, organic electroluminescence panel, and vapor deposition method - Google Patents
Vapor deposition apparatus, organic electroluminescence panel, and vapor deposition method Download PDFInfo
- Publication number
- JP4258345B2 JP4258345B2 JP2003359699A JP2003359699A JP4258345B2 JP 4258345 B2 JP4258345 B2 JP 4258345B2 JP 2003359699 A JP2003359699 A JP 2003359699A JP 2003359699 A JP2003359699 A JP 2003359699A JP 4258345 B2 JP4258345 B2 JP 4258345B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor deposition
- light emitting
- head
- thin film
- deposition head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims description 255
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 250
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 116
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 95
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 89
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 76
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 56
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 43
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 43
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 119
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 38
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 23
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 13
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 9
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 8
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N chrysene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical class C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 4
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 4
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 3
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 3
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 3
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 2
- KMHSUNDEGHRBNV-UHFFFAOYSA-N 2,4-dichloropyrimidine-5-carbonitrile Chemical compound ClC1=NC=C(C#N)C(Cl)=N1 KMHSUNDEGHRBNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001251 acridines Chemical class 0.000 description 2
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N benzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical class C1=CC(C(=O)NC2=O)=C3C2=CC=CC3=C1 XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004775 coumarins Chemical class 0.000 description 2
- MGNZXYYWBUKAII-UHFFFAOYSA-N cyclohexa-1,3-diene Chemical compound C1CC=CC=C1 MGNZXYYWBUKAII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 2
- LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N naphthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C(N=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1N=C1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C4=N1 LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 2
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- JFLKFZNIIQFQBS-FNCQTZNRSA-N trans,trans-1,4-Diphenyl-1,3-butadiene Chemical group C=1C=CC=CC=1\C=C\C=C\C1=CC=CC=C1 JFLKFZNIIQFQBS-FNCQTZNRSA-N 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 2
- YGLVWOUNCXBPJF-UHFFFAOYSA-N (2,3,4,5-tetraphenylcyclopenta-1,4-dien-1-yl)benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1C(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 YGLVWOUNCXBPJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBYDUPRWILCUIC-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethynylbenzene Chemical group C#CC1=CC=CC=C1C#C CBYDUPRWILCUIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKASFBLJDCHBNZ-UHFFFAOYSA-N 1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=NN=CO1 FKASFBLJDCHBNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004057 1,4-benzoquinones Chemical class 0.000 description 1
- SBFJWYYUVYESMJ-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,3-n,3-n-tetrakis(3-methylphenyl)benzene-1,3-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 SBFJWYYUVYESMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJADXKHSFIMCRC-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,4-n,4-n-tetrakis(4-methylphenyl)benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 SJADXKHSFIMCRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPDUPGAVXNALOL-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,4-n,4-n-tetraphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 JPDUPGAVXNALOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 1H-pyrrole Natural products C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XWIYUCRMWCHYJR-UHFFFAOYSA-N 1h-pyrrolo[3,2-b]pyridine Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=N1 XWIYUCRMWCHYJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVUBJNPDPBDVLT-UHFFFAOYSA-N 2,15,28,41,53,55-hexaza-54,56-diazanidatridecacyclo[40.10.1.13,14.116,27.129,40.04,13.06,11.017,26.019,24.030,39.032,37.043,52.045,50]hexapentaconta-1,3,5,7,9,11,13,15,17,19,21,23,25,27(55),28,30,32,34,36,38,40,42(53),43,45,47,49,51-heptacosaene oxovanadium(2+) Chemical compound [V+2]=O.[N-]1C(N=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C(N=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=N4)[N-]3)=N2)=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1N=C1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C4=N1 IVUBJNPDPBDVLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HAPLKVUJRQHNAV-UHFFFAOYSA-N 2,2',7,7'-tetraphenyl-9,9'-spirobi[fluorene] Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C(=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C23C4=CC(=CC=C4C4=CC=C(C=C42)C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C3=C1 HAPLKVUJRQHNAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SULWTXOWAFVWOY-PHEQNACWSA-N 2,3-bis[(E)-2-phenylethenyl]pyrazine Chemical compound C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=NC=CN=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 SULWTXOWAFVWOY-PHEQNACWSA-N 0.000 description 1
- VFBJMPNFKOMEEW-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylbut-2-enedinitrile Chemical group C=1C=CC=CC=1C(C#N)=C(C#N)C1=CC=CC=C1 VFBJMPNFKOMEEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYXHDJJYVDLECA-UHFFFAOYSA-N 2,5-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical compound O=C1C=C(C=2C=CC=CC=2)C(=O)C=C1C1=CC=CC=C1 QYXHDJJYVDLECA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000175 2-thienyl group Chemical group S1C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- LLTSIOOHJBUDCP-UHFFFAOYSA-N 3,4,5-triphenyl-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=CC=C1 LLTSIOOHJBUDCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEQJRCRMCYYJMV-UHFFFAOYSA-N 3,4-bis(2-phenylethenyl)benzene-1,2-diamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=C(N)C(N)=CC=C1C=CC1=CC=CC=C1 VEQJRCRMCYYJMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEGXLJDYOKKUNM-UHFFFAOYSA-N 3-(2-phenylethenyl)cyclohexa-3,5-diene-1,2-dione Chemical compound O=C1C(=O)C=CC=C1C=CC1=CC=CC=C1 JEGXLJDYOKKUNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QKZFBFSFZILINR-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-N-[4-[4-(N-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-N-phenylaniline Chemical compound CC=1C=C(C=CC1)N(C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(N(C2=CC=CC=C2)C2=CC(=CC=C2)C)C=C1)C1=CC=CC=C1.CC=1C=C(C=CC1)N(C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(N(C2=CC=CC=C2)C2=CC(=CC=C2)C)C=C1)C1=CC=CC=C1 QKZFBFSFZILINR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CLQYLLIGYDFCGY-UHFFFAOYSA-N 4-(2-anthracen-9-ylethenyl)-n,n-diethylaniline Chemical compound C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C=CC1=C(C=CC=C2)C2=CC2=CC=CC=C12 CLQYLLIGYDFCGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWFFDTZNRAEFIY-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)-3-(4-methoxyphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 PWFFDTZNRAEFIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical compound C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(4-(dimethylamino)styryl)-4H-pyran Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C=CC1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXYUIABODWXVIK-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n,n-bis(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 YXYUIABODWXVIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMTFQLKKBBWGAH-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-(4-methylphenyl)-n-[4-(2-phenylethenyl)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(C=CC=2C=CC=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 RMTFQLKKBBWGAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AIXZBGVLNVRQSS-UHFFFAOYSA-N 5-tert-butyl-2-[5-(5-tert-butyl-1,3-benzoxazol-2-yl)thiophen-2-yl]-1,3-benzoxazole Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C2OC(C3=CC=C(S3)C=3OC4=CC=C(C=C4N=3)C(C)(C)C)=NC2=C1 AIXZBGVLNVRQSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJNCXZZQNBKEJT-UHFFFAOYSA-N 8beta-hydroxymarrubiin Natural products O1C(=O)C2(C)CCCC3(C)C2C1CC(C)(O)C3(O)CCC=1C=COC=1 FJNCXZZQNBKEJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYHQOLUKZRVURQ-HZJYTTRNSA-M 9-cis,12-cis-Octadecadienoate Chemical compound CCCCC\C=C/C\C=C/CCCCCCCC([O-])=O OYHQOLUKZRVURQ-HZJYTTRNSA-M 0.000 description 1
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSZJZNNASZFXKN-UHFFFAOYSA-N 9-propan-2-ylcarbazole Chemical compound C1=CC=C2N(C(C)C)C3=CC=CC=C3C2=C1 LSZJZNNASZFXKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100099988 Arabidopsis thaliana TPD1 gene Proteins 0.000 description 1
- UNSUJMRQSDKZGA-UHFFFAOYSA-N C1=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45.[N+](=O)([O-])C=4C=C5C=2C=CC=CC2C=CC5=C5C=CC=CC45 Chemical group C1=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45.[N+](=O)([O-])C=4C=C5C=2C=CC=CC2C=CC5=C5C=CC=CC45 UNSUJMRQSDKZGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOQAPGNOZVHVDM-UHFFFAOYSA-N CC(C)(C)[Cu](C(C)(C)C)(C(C)(C)C)C(C)(C)C Chemical compound CC(C)(C)[Cu](C(C)(C)C)(C(C)(C)C)C(C)(C)C OOQAPGNOZVHVDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000679365 Homo sapiens Putative tyrosine-protein phosphatase TPTE Proteins 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 102100022578 Putative tyrosine-protein phosphatase TPTE Human genes 0.000 description 1
- 101100352918 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) PTC1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100161168 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) TPD3 gene Proteins 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBKYFASVJPZWLI-UHFFFAOYSA-N [Pt+2].N1C(C=C2C(=C(CC)C(C=C3C(=C(CC)C(=C4)N3)CC)=N2)CC)=C(CC)C(CC)=C1C=C1C(CC)=C(CC)C4=N1 Chemical compound [Pt+2].N1C(C=C2C(=C(CC)C(C=C3C(=C(CC)C(=C4)N3)CC)=N2)CC)=C(CC)C(CC)=C1C=C1C(CC)=C(CC)C4=N1 GBKYFASVJPZWLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWVGAEQMWFGWDX-UHFFFAOYSA-N acetylene;thiophene Chemical group C#C.C=1C=CSC=1 TWVGAEQMWFGWDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBNDBSTWLOHPJI-UHFFFAOYSA-K aluminum 2-oxo-1H-quinolin-8-olate Chemical compound [Al+3].C1=C([O-])N=C2C(O)=CC=CC2=C1.C1=C([O-])N=C2C(O)=CC=CC2=C1.C1=C([O-])N=C2C(O)=CC=CC2=C1 VBNDBSTWLOHPJI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000001448 anilines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N anthrone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3CC2=C1 RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001556 benzimidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000001846 chrysenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- OPHUWKNKFYBPDR-UHFFFAOYSA-N copper lithium Chemical compound [Li].[Cu] OPHUWKNKFYBPDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- IGARGHRYKHJQSM-UHFFFAOYSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound C1CCCCC1C1=CC=CC=C1 IGARGHRYKHJQSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical class C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- LNBHUCHAFZUEGJ-UHFFFAOYSA-N europium(3+) Chemical compound [Eu+3] LNBHUCHAFZUEGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N hexabenzobenzene Natural products C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- HJZPJSFRSAHQNT-UHFFFAOYSA-N indium(3+) oxygen(2-) zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[Zr+4].[In+3] HJZPJSFRSAHQNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- RTRAMYYYHJZWQK-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 RTRAMYYYHJZWQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- BWHLPLXXIDYSNW-UHFFFAOYSA-N ketorolac tromethamine Chemical compound OCC(N)(CO)CO.OC(=O)C1CCN2C1=CC=C2C(=O)C1=CC=CC=C1 BWHLPLXXIDYSNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 229940049918 linoleate Drugs 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- BYPNIFFYJHKCFO-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-4-(2-phenyl-1,3-dihydropyrazol-5-yl)aniline Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C1=CCN(C=2C=CC=CC=2)N1 BYPNIFFYJHKCFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BBDFECYVDQCSCN-UHFFFAOYSA-N n-(4-methoxyphenyl)-4-[4-(n-(4-methoxyphenyl)anilino)phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=CC=C1 BBDFECYVDQCSCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000002916 oxazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 150000003216 pyrazines Chemical class 0.000 description 1
- XMYLDITUFLHWLR-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical class C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43.C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 XMYLDITUFLHWLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole Chemical compound C1=NC2=CC=NC2=C1 RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004262 quinoxalin-2-yl group Chemical group [H]C1=NC2=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C2N=C1* 0.000 description 1
- 150000003252 quinoxalines Chemical class 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 150000003413 spiro compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- YNHJECZULSZAQK-UHFFFAOYSA-N tetraphenylporphyrin Chemical compound C1=CC(C(=C2C=CC(N2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3N2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 YNHJECZULSZAQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QKTRRACPJVYJNU-UHFFFAOYSA-N thiadiazolo[5,4-b]pyridine Chemical compound C1=CN=C2SN=NC2=C1 QKTRRACPJVYJNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N thiopyran Chemical compound S1C=CC=C=C1 IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZFNXWQNBYZDAQ-UHFFFAOYSA-N thioridazine hydrochloride Chemical class Cl.C12=CC(SC)=CC=C2SC2=CC=CC=C2N1CCC1CCCCN1C NZFNXWQNBYZDAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXXNJJQVBPWGTP-UHFFFAOYSA-K tris[(4-methylquinolin-8-yl)oxy]alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C2C(C)=CC=NC2=C1[O-].C1=CC=C2C(C)=CC=NC2=C1[O-].C1=CC=C2C(C)=CC=NC2=C1[O-] SXXNJJQVBPWGTP-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Description
本発明は、蒸着装置、有機エレクトロルミネッセンスパネルおよび蒸着方法に関するものである。 The present invention relates to a vapor deposition apparatus, an organic electroluminescence panel, and a vapor deposition method.
真空蒸着法により基板（薄膜形成対象物）に薄膜を形成する蒸着装置が知られている。
また、真空蒸着法により製造された有機パネルは、基板上に薄膜を積層した構造を持つ。
なかでも、大型フルカラー有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）パネルの製造方法においては、基板より小面積の蒸着用マスクを基板と膜材料の間に配置し、マスクおよび材料源と、基板との相対位置を基板の画素サイズに応じた所定距離毎にスライドさせ、薄膜形成対象物の所定領域に薄膜を形成している（例えば、特許文献１参照）。
しかしながら、従来の蒸着方法（蒸着装置）では、基板に蒸着されなかった材料は、チャンバの底に溜まってしまい、その材料が無駄になる。
2. Description of the Related Art A vapor deposition apparatus that forms a thin film on a substrate (thin film formation target) by a vacuum vapor deposition method is known.
An organic panel manufactured by a vacuum deposition method has a structure in which a thin film is laminated on a substrate.
In particular, in a method for manufacturing a large full-color organic EL (electroluminescence) panel, an evaporation mask having a smaller area than the substrate is disposed between the substrate and the film material, and the relative position between the mask and the material source and the substrate is determined. The thin film is formed in a predetermined region of the thin film forming object by sliding at predetermined distances according to the pixel size (see, for example, Patent Document 1).
However, in the conventional vapor deposition method (vapor deposition apparatus), the material that has not been deposited on the substrate accumulates at the bottom of the chamber, and the material is wasted.
本発明の目的は、膜材料の使用効率が高く、形成するパターンを正確かつ確実に、薄膜形成対象物に形成することができ、小型化、生産性の向上を図ることができる蒸着装置、有機エレクトロルミネッセンスパネルおよび蒸着方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a vapor deposition apparatus, an organic material, which has high use efficiency of a film material, can accurately and reliably form a pattern to be formed on a thin film formation target, and can be downsized and improved in productivity. An object is to provide an electroluminescence panel and a vapor deposition method.
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の蒸着装置は、装置本体と、
薄膜形成対象物が設置される載置部と、
前記薄膜形成対象物に前処理を行う前処理ヘッドと、
前記薄膜形成対象物に正孔注入材料を蒸着する正孔注入材料蒸着ヘッドと、
前記薄膜形成対象物に正孔輸送材料を蒸着する正孔輸送材料蒸着ヘッドと、
前記薄膜形成対象物に電子輸送材料を蒸着する電子輸送材料蒸着ヘッドと、
前記薄膜形成対象物に緑色の発光材料を蒸着する緑色発光材料蒸着ヘッド、前記薄膜形成対象物に青色の発光材料を蒸着する青色発光材料蒸着ヘッドおよび前記薄膜形成対象物に赤色の発光材料を蒸着する赤色発光材料蒸着ヘッドを備えるヘッドユニットと、
前記ヘッドユニットと前記載置部とを一方向（以下、「Ｘ軸方向」と言う）に相対的に移動させるＸ軸方向移動手段と、
前記前処理ヘッド、前記正孔注入材料蒸着ヘッド、前記正孔輸送材料蒸着ヘッド、前記電子輸送材料蒸着ヘッド、前記緑色発光材料蒸着ヘッド、前記青色発光材料蒸着ヘッドおよび前記赤色発光材料蒸着ヘッドと、前記載置部とを前記Ｘ軸方向に略垂直な方向（以下、「Ｙ軸方向」と言う）に相対的に移動させるＹ軸方向移動手段とを有し、
前記緑色発光材料蒸着ヘッド、前記青色発光材料蒸着ヘッドおよび前記赤色発光材料蒸着ヘッドは、それぞれ、所定の開口パターンが設けられ、前記薄膜形成対象物より小さいマスクを有し、前記開口を介し、前記薄膜形成対象物に前記緑色発光材料、前記青色発光材料および赤色発光材料を蒸着するよう構成された蒸着装置であって、
前処理ヘッドによる前記薄膜形成対象物への前処理、前記正孔注入材料蒸着ヘッドによる前記薄膜形成対象物への正孔注入材料の蒸着、前記正孔輸送材料蒸着ヘッドによる前記薄膜形成対象物への正孔輸送材料の蒸着および前記電子輸送材料蒸着ヘッドによる前記薄膜形成対象物への電子輸送材料の蒸着は、それぞれ、前記Ｙ軸方向移動手段により前記載置部を前記Ｙ軸方向に移動させ、前記薄膜形成対象物の前記Ｙ軸方向に区画された複数の領域ごとに、複数回に分けて行われ、
前記緑色発光材料蒸着ヘッドによる前記薄膜形成対象物への緑色発光材料の蒸着、前記青色発光材料蒸着ヘッドによる前記薄膜形成対象物への青色発光材料の蒸着および前記赤色発光材料蒸着ヘッドによる前記薄膜形成対象物への赤色発光材料の蒸着は、それぞれ、前記Ｘ軸方向移動手段により、前記ヘッドユニットを前記Ｘ軸方向に移動させ、前記薄膜形成対象物の前記Ｘ軸方向に区画された複数の領域ごとに、複数回に分けて行われるとともに、前記Ｙ軸方向移動手段により前記載置部を前記Ｙ軸方向に移動させ、前記薄膜形成対象物の前記Ｙ軸方向に区画された複数の領域ごとに、複数回に分けて行われるよう構成されていることを特徴とする。
これにより、装置の小型化、生産性の向上を図ることができる。
Such an object is achieved by the present invention described below.
The vapor deposition apparatus of the present invention includes an apparatus main body,
A placement unit on which a thin film forming object is installed;
A pretreatment head for pretreating the thin film formation target;
A hole injection material deposition head for depositing a hole injection material on the thin film formation target; and
A hole transport material deposition head for depositing a hole transport material on the thin film formation target;
An electron transport material deposition head for depositing an electron transport material on the thin film formation target;
A green light emitting material vapor deposition head for depositing a green light emitting material on the thin film forming object, a blue light emitting material vapor deposition head for depositing a blue light emitting material on the thin film forming object, and a red light emitting material on the thin film forming object. A head unit including a red light emitting material vapor deposition head that
X-axis direction moving means for relatively moving the head unit and the mounting portion in one direction (hereinafter referred to as “X-axis direction”);
The pretreatment head, the hole injection material vapor deposition head, the hole transport material vapor deposition head, the electron transport material vapor deposition head, the green light emission material vapor deposition head, the blue light emission material vapor deposition head, and the red light emission material vapor deposition head; Y-axis direction moving means for relatively moving the mounting portion in a direction substantially perpendicular to the X-axis direction (hereinafter referred to as “Y-axis direction”),
The green light emitting material vapor deposition head, the blue light emitting material vapor deposition head, and the red light emitting material vapor deposition head are each provided with a predetermined opening pattern, and have a mask smaller than the thin film formation target, through the opening, A deposition apparatus configured to deposit the green light emitting material, the blue light emitting material, and the red light emitting material on a thin film forming object,
Pretreatment of the thin film formation object by a pretreatment head, vapor deposition of a hole injection material on the thin film formation object by the hole injection material vapor deposition head, and the thin film formation object by the hole transport material vapor deposition head In the deposition of the hole transport material and the electron transport material deposition head, the electron transport material is deposited on the thin film formation target by moving the mounting portion in the Y axis direction by the Y axis direction moving means. , For each of a plurality of regions partitioned in the Y-axis direction of the thin film formation object, is performed in a plurality of times,
Deposition of a green light emitting material on the thin film formation target by the green light emitting material deposition head, deposition of a blue light emitting material on the thin film formation target by the blue light emitting material deposition head, and formation of the thin film by the red light emitting material deposition head The vapor deposition of the red light-emitting material on the object is performed by moving the head unit in the X-axis direction by the X-axis direction moving unit, and a plurality of regions partitioned in the X-axis direction of the thin film formation object. For each of a plurality of regions partitioned in the Y-axis direction of the thin film forming object by moving the mounting portion in the Y-axis direction by the Y-axis direction moving means. Further, it is configured to be performed in a plurality of times.
As a result, the apparatus can be reduced in size and productivity can be improved.
本発明の蒸着装置では、前記緑色発光材料蒸着ヘッド、前記青色発光材料蒸着ヘッドおよび前記赤色発光材料蒸着ヘッドは、それぞれ、そのヘッド内の少なくとも側方の内壁を加熱する加熱手段を有し、
正孔輸送材料蒸着ヘッドは、該正孔輸送材料蒸着ヘッド内の少なくとも側方の内壁を加熱する加熱手段を有することが好ましい。
これにより、膜材料の使用効率を高くすることができる。
In the vapor deposition apparatus of the present invention, each of the green light-emitting material vapor deposition head, the blue light-emitting material vapor deposition head, and the red light-emitting material vapor deposition head has a heating unit that heats at least a lateral inner wall of the head,
It is preferable that the hole transport material vapor deposition head has a heating unit that heats at least a lateral inner wall of the hole transport material vapor deposition head.
Thereby, the use efficiency of film | membrane material can be made high.
本発明の蒸着装置では、前記マスクは、シリコンで構成されていることが好ましい。
これにより、マスクの反りおよび熱膨張が少なく、形成するべきパターンの蒸着膜を正確かつ確実に、薄膜形成対象物に形成することができる。
In the vapor deposition apparatus of the present invention, the mask is preferably made of silicon.
Thereby, there is little curvature of a mask and thermal expansion, and the vapor deposition film of the pattern which should be formed can be accurately and reliably formed in a thin film formation target object .
本発明の蒸着装置では、前記緑色発光材料蒸着ヘッド、前記青色発光材料蒸着ヘッドおよび前記赤色発光材料蒸着ヘッドは、前記Ｙ軸方向に１列に並んでいることが好ましい。
これにより、装置の小型化を図ることができる。
In the vapor deposition apparatus of the present invention, it is preferable that the green light emitting material vapor deposition head, the blue light emitting material vapor deposition head, and the red light emitting material vapor deposition head are arranged in a line in the Y-axis direction.
Thereby, size reduction of an apparatus can be achieved.
本発明の蒸着装置では、前記発光材料蒸着ヘッドおよび正孔輸送材料蒸着ヘッドは、それぞれ、シャッターを有することが好ましい。
これにより、さらに膜材料の使用効率を高くすることができる。
本発明の蒸着装置では、前記蒸着装置を収容し、その内部の雰囲気の条件が管理されるチャンバを備えることが好ましい。
これにより、蒸着によるパターンの形成をさらに高い精度で行うことができる。
In the vapor deposition apparatus of the present invention , each of the light emitting material vapor deposition head and the hole transport material vapor deposition head preferably has a shutter.
Thereby, the usage efficiency of the membrane material can be further increased.
In the vapor deposition apparatus of this invention, it is preferable to provide the chamber which accommodates the said vapor deposition apparatus and manages the conditions of the atmosphere inside.
Thereby, the pattern formation by vapor deposition can be performed with higher accuracy.
本発明の蒸着装置では、前記薄膜形成対象物と、前記ヘッドユニットとの位置合わせを行う位置合わせ手段を有することが好ましい。
これにより、蒸着によるパターンの形成をさらに高い精度で行うことができる。
In the vapor deposition apparatus of this invention, it is preferable to have an alignment means for aligning the thin film formation object and the head unit .
Thereby, the pattern formation by vapor deposition can be performed with higher accuracy.
本発明の蒸着方法は、装置本体と、
薄膜形成対象物が設置される載置部と、
前記薄膜形成対象物に前処理を行う前処理ヘッドと、
前記薄膜形成対象物に正孔注入材料を蒸着する正孔注入材料蒸着ヘッドと、
前記薄膜形成対象物に正孔輸送材料を蒸着する正孔輸送材料蒸着ヘッドと、
前記薄膜形成対象物に電子輸送材料を蒸着する電子輸送材料蒸着ヘッドと、
前記薄膜形成対象物に緑色の発光材料を蒸着する緑色発光材料蒸着ヘッド、前記薄膜形成対象物に青色の発光材料を蒸着する青色発光材料蒸着ヘッドおよび前記薄膜形成対象物に赤色の発光材料を蒸着する赤色発光材料蒸着ヘッドを備えるヘッドユニットと、
前記ヘッドユニットと前記載置部とを一方向（以下、「Ｘ軸方向」と言う）に相対的に移動させるＸ軸方向移動手段と、
前記前処理ヘッド、前記正孔注入材料蒸着ヘッド、前記正孔輸送材料蒸着ヘッド、前記電子輸送材料蒸着ヘッド、前記緑色発光材料蒸着ヘッド、前記青色発光材料蒸着ヘッドおよび前記赤色発光材料蒸着ヘッドと、前記載置部とを前記Ｘ軸方向に略垂直な方向（以下、「Ｙ軸方向」と言う）に相対的に移動させるＹ軸方向移動手段とを有し、
前記緑色発光材料蒸着ヘッド、前記青色発光材料蒸着ヘッドおよび前記赤色発光材料蒸着ヘッドは、それぞれ、所定の開口パターンが設けられ、前記薄膜形成対象物より小さいマスクを有し、前記開口を介し、前記薄膜形成対象物に前記緑色発光材料、前記青色発光材料および赤色発光材料を蒸着するよう構成された蒸着装置を用いて蒸着する方法であって、
前処理ヘッドによる前記薄膜形成対象物への前処理、前記正孔注入材料蒸着ヘッドによる前記薄膜形成対象物への正孔注入材料の蒸着、前記正孔輸送材料蒸着ヘッドによる前記薄膜形成対象物への正孔輸送材料の蒸着および前記電子輸送材料蒸着ヘッドによる前記薄膜形成対象物への電子輸送材料の蒸着は、それぞれ、前記Ｙ軸方向移動手段により前記載置部を前記Ｙ軸方向に移動させ、前記薄膜形成対象物の前記Ｙ軸方向に区画された複数の領域ごとに、複数回に分けて行われ、
前記緑色発光材料蒸着ヘッドによる前記薄膜形成対象物への緑色発光材料の蒸着、前記青色発光材料蒸着ヘッドによる前記薄膜形成対象物への青色発光材料の蒸着および前記赤色発光材料蒸着ヘッドによる前記薄膜形成対象物への赤色発光材料の蒸着は、それぞれ、前記Ｘ軸方向移動手段により、前記ヘッドユニットを前記Ｘ軸方向に移動させ、前記薄膜形成対象物の前記Ｘ軸方向に区画された複数の領域ごとに、複数回に分けて行われるとともに、前記Ｙ軸方向移動手段により前記載置部を前記Ｙ軸方向に移動させ、前記薄膜形成対象物の前記Ｙ軸方向に区画された複数の領域ごとに、複数回に分けて行われるよう構成されていることを特徴とする。
これにより、装置の小型化、生産性の向上を図ることができる。
The vapor deposition method of the present invention comprises an apparatus main body,
A placement unit on which a thin film forming object is installed;
A pretreatment head for pretreating the thin film formation target;
A hole injection material deposition head for depositing a hole injection material on the thin film formation target; and
A hole transport material deposition head for depositing a hole transport material on the thin film formation target;
An electron transport material deposition head for depositing an electron transport material on the thin film formation target;
A green light emitting material vapor deposition head for depositing a green light emitting material on the thin film forming object, a blue light emitting material vapor deposition head for depositing a blue light emitting material on the thin film forming object, and a red light emitting material on the thin film forming object. A head unit including a red light emitting material vapor deposition head that
X-axis direction moving means for relatively moving the head unit and the mounting portion in one direction (hereinafter referred to as “X-axis direction”);
The pretreatment head, the hole injection material vapor deposition head, the hole transport material vapor deposition head, the electron transport material vapor deposition head, the green light emission material vapor deposition head, the blue light emission material vapor deposition head, and the red light emission material vapor deposition head; Y-axis direction moving means for relatively moving the mounting portion in a direction substantially perpendicular to the X-axis direction (hereinafter referred to as “Y-axis direction”),
The green light emitting material vapor deposition head, the blue light emitting material vapor deposition head, and the red light emitting material vapor deposition head are each provided with a predetermined opening pattern, and have a mask smaller than the thin film formation target, through the opening, A method of depositing the green light emitting material, the blue light emitting material, and the red light emitting material on a thin film forming object using a vapor deposition apparatus configured to vapor deposit,
Pretreatment of the thin film formation object by a pretreatment head, vapor deposition of a hole injection material on the thin film formation object by the hole injection material vapor deposition head, and the thin film formation object by the hole transport material vapor deposition head In the deposition of the hole transport material and the electron transport material deposition head, the electron transport material is deposited on the thin film formation target by moving the mounting portion in the Y axis direction by the Y axis direction moving means. , For each of a plurality of regions partitioned in the Y-axis direction of the thin film formation object, is performed in a plurality of times,
Deposition of a green light emitting material on the thin film formation target by the green light emitting material deposition head, deposition of a blue light emitting material on the thin film formation target by the blue light emitting material deposition head, and formation of the thin film by the red light emitting material deposition head The vapor deposition of the red light-emitting material on the object is performed by moving the head unit in the X-axis direction by the X-axis direction moving unit, and a plurality of regions partitioned in the X-axis direction of the thin film formation object. For each of a plurality of regions partitioned in the Y-axis direction of the thin film forming object by moving the mounting portion in the Y-axis direction by the Y-axis direction moving means. Further, it is configured to be performed in a plurality of times.
As a result, the apparatus can be reduced in size and productivity can be improved.
まず、本発明の蒸着装置および蒸着方法について説明する前に、本発明の蒸着装置および蒸着方法を用いて形成される有機ＥＬ（electro luminescence：エレクトロルミネッセンス）パネルの一例について説明する。
＜有機ＥＬパネル＞
図８は、有機ＥＬパネルの一例を示した縦断面図である。
図８に示す有機ＥＬパネル３０は、透明な基板３１と、基板３１上に設けられた陽極１１と、陽極１１上に設けられた有機ＥＬ層９と、有機ＥＬ層９上に設けられた陰極１２と、各前記層９、１２を覆うように設けられた封止部材８とを備えている。
First, before describing the vapor deposition apparatus and vapor deposition method of the present invention, an example of an organic EL (electroluminescence) panel formed using the vapor deposition apparatus and vapor deposition method of the present invention will be described.
<Organic EL panel>
FIG. 8 is a longitudinal sectional view showing an example of an organic EL panel.
An
基板３１は、有機ＥＬパネル３０の支持体となるものであり、この基板３１上に各前記層が形成されている。
基板３１の構成材料としては、透光性を有し、光学特性が良好な材料を用いることができる。
このような材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような各種樹脂材料や、各種ガラス材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
The
As a constituent material of the
Examples of such materials include various resin materials such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polypropylene, cycloolefin polymer, polyamide, polyethersulfone, polymethyl methacrylate, polycarbonate, and polyarylate, and various glass materials. 1 type or 2 types or more of these can be used in combination.
基板３１の厚さ（平均）は、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
陽極１１は、有機ＥＬ層９（後述する正孔輸送層９１）に正孔を注入する電極である。また、この陽極１１は、有機ＥＬ層９（後述する発光層９２）からの発光を視認し得るように、実質的に透明（無色透明、有色透明、半透明）とされている。
かかる観点から、陽極１１の構成材料（陽極材料）としては、仕事関数が大きく、導電性に優れ、また、透光性を有する材料を用いるのが好ましい。
The thickness (average) of the
The
From such a viewpoint, it is preferable to use a material having a large work function, excellent conductivity, and translucency as a constituent material (anode material) of the
このような陽極材料としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｒｃｏｎｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ2、Ｓｂ含有ＳｎＯ2、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
陽極１１の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。陽極１１の厚さが薄すぎると、陽極１１としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陽極１１が厚過ぎると、陽極材料の種類等によっては、光の透過率が著しく低下し、実用に適さなくなるおそれがある。
As such an anode material, for example, an oxide such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zirconium Oxide), SnO 2 , Sb-containing SnO 2 , Al-containing ZnO, Au, Pt, Ag, Cu or the like The alloy etc. which are included are mentioned, The 1 type (s) or 2 or more types of these can be used in combination.
The thickness (average) of the
なお、陽極材料には、例えば、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂材料を用いることもできる。
一方、陰極１２は、有機ＥＬ層９（後述する電子輸送層９３）に電子を注入する電極である。
陰極１２の構成材料（陰極材料）としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。
As the anode material, for example, a conductive resin material such as polythiophene or polypyrrole can be used.
On the other hand, the
As a constituent material (cathode material) of the
このような陰極材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
特に、陰極材料として合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極材料として用いることにより、陰極１２の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
Examples of such a cathode material include ITO, IZO, Li, Mg, Ca, Sr, La, Ce, Er, Eu, Sc, Y, Yb, Ag, Cu, Al, Cs, Rb, and alloys containing these. 1 type or 2 types or more of these can be used in combination.
In particular, when an alloy is used as the cathode material, an alloy containing a stable metal element such as Ag, Al, or Cu, specifically, an alloy such as MgAg, AlLi, or CuLi is preferably used. By using such an alloy as a cathode material, the electron injection efficiency and stability of the
陰極１２の厚さ（平均）は、１ｎｍ〜１μｍ程度であるのが好ましく、１００〜４００ｎｍ程度であるのがより好ましい。陰極１２の厚さが薄すぎると、陰極１２としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陰極１２が厚過ぎると、有機ＥＬパネル３０の発光効率が低下するおそれがある。
陽極１１と、陰極１２との間には、有機ＥＬ層９が設けられている。有機ＥＬ層９は、正孔注入層９０と、正孔輸送層９１と、発光層９２と、電子輸送層９３とを備え、これらがこの順で基板３１上に形成されている。
正孔注入層９０は、有機ＥＬ層９（後述する正孔輸送層９１）に正孔を注入する機能を有するものである。
The thickness (average) of the
An organic EL layer 9 is provided between the
The hole injection layer 90 has a function of injecting holes into the organic EL layer 9 (a
このような正孔注入材料としては、例えば、１，１−ビス（４−ジ−パラ−トリアミノフェニル）シクロへキサン、１，１’−ビス（４−ジ−パラ−トリルアミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサンのようなアリールシクロアルカン系化合物、４，４’，４’’−トリメチルトリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ'−ビス（３−メチルフェニル）Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４'−ジアミン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４'−ジアミン（ＴＰＤ１）、Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−Ｎ，Ｎ'−ビス（４−メトキシフェニル）−１，１'−ビフェニル−４，４'−ジアミン（ＴＰＤ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラキス（４−メトキシフェニル）−１，１'−ビフェニル−４，４'−ジアミン（ＴＰＤ３）、Ｎ，Ｎ'−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−１，１'−ビフェニル−４，４'−ジアミン（α−ＮＰＤ）、ＴＰＴＥのようなアリールアミン系化合物、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラフェニル−パラ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラ（パラ−トリル）−パラ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラ（メタ−トリル）−メタ−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）のようなフェニレンジアミン系化合物、カルバゾール、Ｎ−イソプロピルカルバゾール、Ｎ−フェニルカルバゾールのようなカルバゾール系化合物、スチルベン、４−ジ−パラ−トリルアミノスチルベンのようなスチルベン系化合物、ＯｘＺのようなオキサゾール系化合物、トリフェニルメタンｍ−ＭＴＤＡＴＡのようなトリフェニルメタン系化合物、１−フェニル−３−（パラ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリンのようなピラゾリン系化合物、ベンジン（シクロヘキサジエン）系化合物、トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、イミダゾールのようなイミダゾール系化合物、１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ジ（４−ジメチルアミノフェニル）−１，３，４，−オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系化合物、アントラセン、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセンのようなアントラセン系化合物、フルオレノン、２，４，７，−トリニトロ−９−フルオレノン、２，７−ビス（２−ヒドロキシ−３−（２−クロロフェニルカルバモイル）−１−ナフチルアゾ）フルオレノンのようなフルオレノン系化合物、ポリアニリンのようなアニリン系化合物、シラン系化合物、ポリチオフェン、ポリ（チオフェンビニレン）のようなチオフェン系化合物、ポリ（２，２’−チエニルピロール）、１，４−ジチオケト−３，６−ジフェニル−ピロロ−（３，４−ｃ）ピロロピロールのようなピロール系化合物、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリンのようなポルフィリン系化合物、キナクリドンのようなキナクリドン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン、テトラ（ｔ−ブチル）銅フタロシアニン、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、銅ナフタロシアニン、バナジルナフタロシアニン、モノクロロガリウムナフタロシアニンのような金属または無金属のナフタロシアニン系化合物、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルベンジジンのようなベンジジン系化合物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらのものは、いずれも、高い正孔注入能力を有している。 Examples of such hole injection material include 1,1-bis (4-di-para-triaminophenyl) cyclohexane, 1,1′-bis (4-di-para-tolylaminophenyl)- Arylcycloalkane compounds such as 4-phenyl-cyclohexane, 4,4 ′, 4 ″ -trimethyltriphenylamine, N, N, N ′, N′-tetraphenyl-1,1′-biphenyl-4, 4′-diamine, N, N′-bis (3-methylphenyl) N, N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine (TPD), N, N′-diphenyl-N, N′-bis (3-methylphenyl) -1,1′-biphenyl-4,4′-diamine (TPD1), N, N′-diphenyl-N, N′-bis (4-methoxyphenyl) -1, 1′-biphenyl-4,4′-diamine (TPD2), , N, N ′, N′-tetrakis (4-methoxyphenyl) -1,1′-biphenyl-4,4′-diamine (TPD3), N, N′-di (1-naphthyl) -N, N ′ -Diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (α-NPD), arylamine compounds such as TPTE, N, N, N ', N'-tetraphenyl-para-phenylenediamine, N , N, N ′, N′-tetra (para-tolyl) -para-phenylenediamine, phenylenediamine such as N, N, N ′, N′-tetra (meta-tolyl) -meta-phenylenediamine (PDA) Compounds, carbazole, N-isopropylcarbazole, carbazole compounds such as N-phenylcarbazole, stilbene, stilbene compounds such as 4-di-para-tolylaminostilbene, O x Z An oxazole compound, a triphenylmethane compound such as triphenylmethane m-MTDATA, a pyrazoline compound such as 1-phenyl-3- (para-dimethylaminophenyl) pyrazoline, a benzine (cyclohexadiene) compound, Triazole compounds such as triazole, imidazole compounds such as imidazole, 1,3,4-oxadiazole, 2,5-di (4-dimethylaminophenyl) -1,3,4, -oxadiazole Oxadiazole compounds such as anthracene, anthracene compounds such as 9- (4-diethylaminostyryl) anthracene, fluorenone, 2,4,7, -trinitro-9-fluorenone, 2,7-bis (2-hydroxy) -3- (2-chlorophenylcarbamoyl) -1 Naphthylazo) fluorenone compounds such as fluorenone, aniline compounds such as polyaniline, silane compounds, polythiophene, thiophene compounds such as poly (thiophene vinylene), poly (2,2′-thienylpyrrole), 1,4 A pyrrole compound such as dithioketo-3,6-diphenyl-pyrrolo- (3,4-c) pyrrolopyrrole, a porphyrin compound such as porphyrin, metal tetraphenylporphyrin, a quinacridone compound such as quinacridone, a phthalocyanine, Metals such as copper phthalocyanine, tetra (t-butyl) copper phthalocyanine, iron phthalocyanine or metal-free phthalocyanine compounds, copper naphthalocyanine, vanadyl naphthalocyanine, and metals such as monochlorogallium naphthalocyanine. Is a metal-free naphthalocyanine compound, benzidine such as N, N′-di (naphthalen-1-yl) -N, N′-diphenyl-benzidine, N, N, N ′, N′-tetraphenylbenzidine A compound etc. are mentioned, Among these, it can use combining 1 type (s) or 2 or more types. All of these have a high hole injection capability.
これらの化合物は、モノマーやオリゴマー（低分子の正孔注入材料）として用いることができる。
正孔輸送層９１は、正孔注入層９０から注入された正孔を発光層９２まで輸送する機能を有するものである。
正孔輸送層９１の構成材料（正孔輸送材料）は、正孔輸送能力を有するものであれば、いかなるものであってもよいが、共役系の化合物であるのが好ましい。共役系の化合物は、その特有な電子雲の広がりによる性質上、極めて円滑に正孔を輸送できるため、正孔輸送能力に特に優れる。
These compounds can be used as monomers and oligomers (low-molecular hole injection materials).
The
The constituent material (hole transport material) of the
また、正孔輸送材料は、常温で固形物、半固形物または液体であるものが好ましい。これにより、有機ＥＬパネル３０の経時的変質・劣化を防止または抑制することができ、結果として、発光輝度の減衰の抑制効果を向上させることができる。
このような正孔輸送材料としては、例えば、正孔注入材料と同様の材料を使用することができる。
In addition, the hole transport material is preferably a solid, semi-solid or liquid at normal temperature. As a result, deterioration and deterioration of the
As such a hole transport material, for example, a material similar to the hole injection material can be used.
なお、低分子の正孔輸送材料を用いることにより、緻密な正孔輸送層９１が得られ、その正孔輸送能力が向上する。
正孔輸送層９１の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。正孔輸送層９１の厚さが薄すぎると、ピンホールが生じるおそれがあり、一方、正孔輸送層９１が厚過ぎると、正孔輸送層９１の透過率が悪くなる原因となり、有機ＥＬパネル３０の発光色の色度（色相）が変化してしまうおそれがある。
電子輸送層９３は、陰極１２から注入された電子を発光層９２まで輸送する機能を有するものである。
By using a low molecular hole transport material, a dense
The thickness (average) of the
The
電子輸送層９３の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、２，９−ジメチル−４，７ジフェニル−１，１０フェナントレンのようなフェナントレン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、オキサジアゾール、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、ＢＭＤ、ＢＮＤ、ＢＤＤ、ＢＡＰＤのようなオキサジアゾール系化合物、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物（スターバースト系化合物）、ナフタレンのようなナフタレン系化合物、クリセンのようなクリセン系化合物、ペリレンのようなペリレン系化合物、アントラセンのようなアントラセン系化合物、ピレンのようなピレン系化合物、アクリジンのようなアクリジン系化合物、スチルベンのようなスチルベン系化合物、ＢＢＯＴのようなチオフェン系化合物、ブタジエンのようなブタジエン系化合物、クマリンのようなクマリン系化合物、キノリンのようなキノリン系化合物、ビスチリルのようなビスチリル系化合物、ピラジン、ジスチリルピラジンのようなピラジン系化合物、キノキサリンのようなキノキサリン系化合物、ベンゾキノン、２，５−ジフェニル−パラ−ベンゾキノンのようなベンゾキノン系化合物、ナフトキノンのようなナフトキノン系化合物、アントラキノンのようなアントラキノン系化合物、トリアゾール、３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、オキサゾール系化合物、アントロンのようなアントロン系化合物、フルオレノン、１，３，８−トリニトロ−フルオレノン（ＴＮＦ）のようなフルオレノン系化合物、ジフェノキノン、ＭＢＤＱのようなジフェノキノン系化合物、スチルベンキノン、ＭＢＳＱのようなスチルベンキノン系化合物、アントラキノジメタン系化合物、チオピランジオキシド系化合物、フルオレニリデンメタン系化合物、ジフェニルジシアノエチレン系化合物、トリス（８−ヒドロキシキノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする錯体のような各種金属錯体等が挙げられる。
Examples of the constituent material (electron transport material) of the
また、電子輸送材料は、以上のような化合物のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
電子輸送層９３の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、２０〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。電子輸送層９３の厚さが薄すぎると、ピンホールが生じショートするおそれがあり、一方、電子輸送層９３が厚過ぎると、抵抗値が高くなるおそれがある。
Moreover, the electron transport material can be used in combination of one or more of the above compounds.
The thickness (average) of the
陽極１１と陰極１２との間に通電（電圧を印加）すると、正孔輸送層９１中を正孔が、また、電子輸送層９３中を電子が移動し、発光層９２において正孔と電子とが再結合する。そして、発光層９２では、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、このエキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。
When energization (voltage is applied) between the
この発光層９２の構成材料（発光材料）としては、電圧印加時に陽極１１側から正孔を、また、陰極１２側から電子を注入することができ、正孔と電子が再結合する場を提供できるものであれば、いかなるものであってもよい。
このような発光材料には、以下に示すような、各種低分子の発光材料があり、これらのうちの１種または任意の２種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、低分子の発光材料を用いることにより、緻密な発光層９２が得られるため、発光層９２の発光効率が向上する。
As a constituent material (light emitting material) of the
Such luminescent materials include various low-molecular luminescent materials as described below, and one of these or any two or more of them can be used in combination.
Note that by using a low-molecular light-emitting material, a dense light-emitting
低分子の発光材料としては、例えば、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）のようなオキサジアゾール系化合物、ジスチリルベンゼン（ＤＳＢ）、ジアミノジスチリルベンゼン（ＤＡＤＳＢ）のようなベンゼン系化合物、ナフタレン、ナイルレッドのようなナフタレン系化合物、フェナントレンのようなフェナントレン系化合物、クリセン、６−ニトロクリセンのようなクリセン系化合物、ペリレン、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−３，４，９，１０−ペリレン−ジ−カルボキシイミド（ＢＰＰＣ）のようなペリレン系化合物、コロネンのようなコロネン系化合物、アントラセン、ビススチリルアントラセンのようなアントラセン系化合物、ピレンのようなピレン系化合物、４−（ジ−シアノメチレン）−２−メチル−６−（パラ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）のようなピラン系化合物、アクリジンのようなアクリジン系化合物、スチルベンのようなスチルベン系化合物、２，５−ジベンゾオキサゾールチオフェンのようなチオフェン系化合物、ベンゾオキサゾールのようなベンゾオキサゾール系化合物、ベンゾイミダゾールのようなベンゾイミダゾール系化合物、２，２’−（パラ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾールのようなベンゾチアゾール系化合物、ビスチリル（１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン）、テトラフェニルブタジエンのようなブタジエン系化合物、ナフタルイミドのようなナフタルイミド系化合物、クマリンのようなクマリン系化合物、ペリノンのようなペリノン系化合物、アルダジン系化合物、１，２，３，４，５−ペンタフェニル−１，３−シクロペンタジエン（ＰＰＣＰ）のようなシクロペンタジエン系化合物、キナクリドン、キナクリドンレッドのようなキナクリドン系化合物、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジンのようなピリジン系化合物、２，２’，７，７’−テトラフェニル−９，９’−スピロビフルオレンのようなスピロ化合物、フタロシアニン（Ｈ２Ｐｃ）、銅フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、トリス（８−ヒドロキシキノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ３）、（８−ヒドロキシキノリノレート）亜鉛（Ｚｎｑ２）、（１，１０−フェナントロリン）−トリス−（４，４，４−トリフルオロ−１−（２−チエニル）−ブタン−１，３−ジオネート）ユーロピウム（III）（Ｅｕ（ＴＴＡ）３（ｐｈｅｎ））、ファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、（２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン）プラチナム（II）のような各種金属錯体等が挙げられる。 As a low-molecular light-emitting material, for example, an oxadiazole-based compound such as 2- (4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole (PBD), Benzyl compounds such as distyrylbenzene (DSB), diaminodistyrylbenzene (DADSB), naphthalene compounds such as naphthalene and nile red, phenanthrene compounds such as phenanthrene, chrysene, chrysene such as 6-nitrochrysene Perylene compounds such as perylene, N, N′-bis (2,5-di-t-butylphenyl) -3,4,9,10-perylene-di-carboximide (BPPC), coronene Coronene compounds such as anthracene, anthracene compounds such as bisstyrylanthracene, pyrene Pyrene compounds such as 4- (di-cyanomethylene) -2-methyl-6- (para-dimethylaminostyryl) -4H-pyran (DCM), acridine compounds such as acridine, Stilbene compounds such as stilbene, thiophene compounds such as 2,5-dibenzoxazolethiophene, benzoxazole compounds such as benzoxazole, benzimidazole compounds such as benzimidazole, 2,2 ′-(para- Benzothiazole compounds such as phenylenedivinylene) -bisbenzothiazole, butadiene compounds such as bistyryl (1,4-diphenyl-1,3-butadiene), tetraphenylbutadiene, naphthalimide compounds such as naphthalimide , Coumarin like Coumarin Compounds, perinone compounds such as perinone, aldazine compounds, cyclopentadiene compounds such as 1,2,3,4,5-pentaphenyl-1,3-cyclopentadiene (PPCP), quinacridone, quinacridone red Quinacridone compounds such as pyrrolopyridine, pyridine compounds such as thiadiazolopyridine, spiro compounds such as 2,2 ′, 7,7′-tetraphenyl-9,9′-spirobifluorene, phthalocyanine (H 2 Pc), metal or metal-free phthalocyanine compounds such as copper phthalocyanine, tris (8-hydroxyquinolinolate) aluminum (Alq 3 ), tris (4-methyl-8quinolinolate) aluminum (III) (Almq 3 ) , (8-hydroxy quinolate linoleate) zinc (Znq 2), 1,10-phenanthroline) - tris - (4,4,4-trifluoro-1- (2-thienyl) - butane-1,3-Jioneto) europium (III) (Eu (TTA) 3 (phen)), Various such as factory (2-phenylpyridine) iridium (Ir (ppy) 3 ), (2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-21H, 23H-porphine) platinum (II) A metal complex etc. are mentioned.
なお、フルカラーの有機ＥＬパネルの場合には、前記発光層９２は、複数の画素に対応するように、所定パターンに形成されている。この場合、１画素は、赤色光を発光する単位発光層と、緑色光を発光する単位発光層と、青画素を発光する単位発光層とで構成される。
なお、本実施形態では、発光層９２は、正孔輸送層９１および電子輸送層９３と別個に設けられているが、正孔輸送層９１と発光層９２とを兼ねた正孔輸送性発光層や、電子輸送層９３と発光層９２とを兼ねた電子輸送性発光層とすることもできる。この場合、正孔輸送性発光層の電子輸送層９３との界面付近が、また、電子輸送性発光層の正孔輸送層９１との界面付近が、それぞれ、発光層９２として機能する。
In the case of a full-color organic EL panel, the
In the present embodiment, the
また、正孔輸送性発光層を用いた場合には、正孔注入層から正孔輸送性発光層に注入された正孔が電子輸送層によって閉じこめられ、また、電子輸送性発光層を用いた場合には、陰極から電子輸送性発光層に注入された電子が電子輸送性発光層に閉じこめられるため、いずれも、正孔と電子との再結合効率を向上させることができるという利点がある。
また、各層１１、９、１２同士の間には、任意の目的の層が設けられていてもよい。例えば、電子輸送層９３と陰極１２との間には電子注入層等を設けることができる。このように、有機ＥＬパネル３０に電子注入層を設ける場合には、この電子注入層には、前述したような電子輸送材料の他、例えばＬｉＦのようなアルカリハライド、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｃｓ等を用いることができる。
When a hole transporting light emitting layer is used, holes injected from the hole injection layer into the hole transporting light emitting layer are confined by the electron transport layer, and the electron transporting light emitting layer is used. In this case, since electrons injected from the cathode into the electron transporting light emitting layer are confined in the electron transporting light emitting layer, there is an advantage that the recombination efficiency between holes and electrons can be improved.
Further, an arbitrary target layer may be provided between the
封止部材８は、凹部８１１が形成された、封止ガラス８１と、凹部８１１内に設けられた、乾燥材８３とを有している。
封止部材８は、有機ＥＬパネル３０を構成する各層１１、９、１２を覆うように設けられている。この封止部材８は、有機ＥＬパネル３０を構成する各層１１、９、１２を気密的に封止し、酸素や水分を遮断する機能を有する。封止部材８を設けることにより、有機ＥＬパネル３０の信頼性の向上や、変質・劣化の防止等の効果が得られる。
The sealing member 8 includes a sealing
The sealing member 8 is provided so as to cover the
封止ガラス８１の構成材料としては、例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス等が挙げられる。
また、封止部材８と、基板３１とは、光硬化性樹脂８２によって接合されている。
また、光硬化性樹脂８２の構成材料としては、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリルエポキシ系樹脂等が挙げられる。
Examples of the constituent material of the sealing
Further, the sealing member 8 and the
Moreover, as a constituent material of the
この有機ＥＬパネル３０は、例えばディスプレイ用として用いることができるが、その他にも光源等としても使用可能であり、種々の光学的用途等に用いることが可能である。
また、有機ＥＬパネル３０をディスプレイに適用する場合、その駆動方式としては、特に限定されず、アクティブマトリックス方式、パッシブマトリックス方式のいずれであってもよい。
The
When the
以下、本発明の蒸着装置および蒸着方法を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明の蒸着装置の実施形態を示す上面図、図２は、図３本発明の蒸着装置の移動手段を説明するための図、図４は、可動式ヘッドユニット４６の側面図、図５は、図１に示す蒸着装置におけるＡ−Ａ線での断面図、図６は、図１に示す蒸着装置におけるＢ−Ｂ線での断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図２中の上側を「上」、下側を「下」または「底」と言い、上下間の距離を「高さ」という。また、水平な一方向（図１中の左右方向に相当する方向）を「Ｙ軸方向」と言い、このＹ軸方向に垂直であって水平な方向（図１中の上下方向に相当する方向）を「Ｘ軸方向」と言う。また、Ｙ軸方向であって図１中の左方向への移動を「Ｙ軸方向に前進」と言い、Ｙ軸方向であって図１中の右方向への移動を「Ｙ軸方向に後退」と言い、Ｘ軸方向であって図１中の下方向への移動を「Ｘ軸方向に前進」と言い、Ｘ軸方向であって図１中の上方向への移動を「Ｘ軸方向に後退」と言う。
Hereinafter, the vapor deposition apparatus and vapor deposition method of the present invention will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.
FIG. 1 is a top view showing an embodiment of the vapor deposition apparatus of the present invention, FIG. 2 is a diagram for explaining the moving means of the vapor deposition apparatus of the present invention, and FIG. 4 is a side view of the
図１および図２に示す蒸着装置１は、真空蒸着により成膜対象物の表面に、所定パターンの膜材料（有機材料）の薄膜を形成する装置である。なお、本発明の蒸着装置は、真空蒸着以外の他の気相成膜法（例えば、イオンアシスト蒸着法、イオンプレーティング、スパッタリング等）により成膜を行うものにも適用することができる。
図１および図２に示すように、蒸着装置１は、チャンバ（真空炉）２と、基板（薄膜形成対象物）３１を設置（載置）する基板搬送テーブル（載置部）３２と、レール（装置本体）２４とリニアスライダ２５、２８と、ヘッド群４と、ヘッド台座４９と、制御手段１１と、シール部材１６と、移動手段（変位手段）２３とを有している。以下、各部の構成について説明する。
A vapor deposition apparatus 1 shown in FIGS. 1 and 2 is an apparatus that forms a thin film of a film material (organic material) having a predetermined pattern on the surface of a film formation target by vacuum vapor deposition. Note that the vapor deposition apparatus of the present invention can also be applied to an apparatus for forming a film by a vapor phase film deposition method other than vacuum vapor deposition (for example, ion-assisted vapor deposition, ion plating, sputtering, etc.).
As shown in FIGS. 1 and 2, the vapor deposition apparatus 1 includes a chamber (vacuum furnace) 2, a substrate transfer table (mounting unit) 32 on which a substrate (thin film formation target) 31 is set (placed), a rail (Device main body) 24,
チャンバ２は、その内部空間２１を気密的に遮断可能な容器であり、内部空間２１に、基板３１と、基板搬送テーブル３２と、１対のレール２４と、ヘッド群４と、ヘッド台座４９と、リードスクリュー２６とがそれぞれ設置されている。
チャンバ２には、内部空間２１の気体を排気する真空ポンプへの図示しない流路と、内部空間２１に雰囲気ガス（不活性ガス、反応ガス等）を導入するための図示しない流路とがそれぞれ接続されている。また、チャンバ２には、内部空間２１の温度および湿度を調節（管理）する図示しない空調装置が備えられている。この空調装置により、チャンバ２内の雰囲気の条件が管理される。
The chamber 2 is a container capable of hermetically blocking the internal space 21. In the internal space 21, a
The chamber 2 has a flow path (not shown) to a vacuum pump that exhausts the gas in the internal space 21 and a flow path (not shown) for introducing atmospheric gas (inert gas, reactive gas, etc.) into the internal space 21. It is connected. In addition, the chamber 2 is provided with an air conditioner (not shown) that adjusts (manages) the temperature and humidity of the internal space 21. The condition of the atmosphere in the chamber 2 is managed by this air conditioner.
内部空間２１の雰囲気としては、通常、非酸化性雰囲気、例えば、減圧（真空）状態下、あるいは窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガスが好ましい。また、雰囲気中には、少量の反応ガス（酸素ガス等）を導入してもよい。
レール２４は、Ｙ軸方向に沿ってチャンバ２の底部に設置され、横断面の形状が略四角形である棒状、すなわち、長い略直方体をなしている。
The atmosphere of the internal space 21 is usually preferably a non-oxidizing atmosphere, for example, a reduced pressure (vacuum) state or an inert gas such as nitrogen gas or argon gas. Further, a small amount of reaction gas (oxygen gas or the like) may be introduced into the atmosphere.
The
基板３１は、基板搬送テーブル３２上に載置され、図示されない保持手段によって保持されている。
基板搬送テーブル３２の、基板３１が載置される位置には、図示しない開口（孔）が、形成されており、基板３１の下面は、露出している。これにより、ヘッド群４より供給された膜材料が、基板３１の下面（成膜面）に凝縮し、付着して、有機ＥＬ層９が形成される。
The
An opening (hole) (not shown) is formed at a position on the substrate transfer table 32 where the
図３に示すように、基板搬送テーブル３２のレール２４と当接する部分には、レール２４に螺合する溝が形成されており、基板搬送テーブルはレール２４に沿って移動可能になっている。また、平面視で、Ｙ軸方向に沿って延びる辺と、Ｘ軸方向に沿って延びる辺とを有する、略長方形の外形をなしている。
また、蒸着装置１には、基板搬送テーブル３２をＹ軸方向に平行移動させる移動手段（Ｙ軸方向移動手段）２３が設けられている。
As shown in FIG. 3, a groove that engages with the
Further, the vapor deposition apparatus 1 is provided with a moving means (Y-axis direction moving means) 23 that translates the substrate transport table 32 in the Y-axis direction.
図２に示すように、移動手段２３は、リードスクリュー２６と、リードスクリュー２６を回転させるモータ２７とを有している。
リードスクリュー２６は、図６のチャンバ２の左右方向の両端部に形成された孔を貫通して、その一部がチャンバ２の外部に突出している。リードスクリュー２６が、挿通する貫通孔には、シール部材１６がそれぞれ設けられており、チャンバ２の気密性が確保されている。
As shown in FIG. 2, the moving
The
また、基板搬送テーブル３２には、リードスクリュー２６に螺合するボールナット（図示せず）が、固着されている。これにより、モータ２７が作動すると、基板搬送テーブル３２が、Ｙ軸方向に平行移動する。
また、蒸着装置１には、基板搬送テーブル３２の高さ（Ｘ軸、Ｙ軸に垂直な方向における位置）を調整する、図示されない高さ調整機構が設けられているのが好ましい。
A ball nut (not shown) that is screwed to the
The vapor deposition apparatus 1 is preferably provided with a height adjustment mechanism (not shown) that adjusts the height of the substrate transfer table 32 (position in the direction perpendicular to the X axis and the Y axis).
この高さ調整機構により、基板搬送テーブル３２の下面の高さが、マスク６の表面の高さより高くなり（マスク６と、基板搬送テーブル３２との隙間が十分に小さくなるように）、基板搬送テーブル３２の高さを調整することができる。
また、基板搬送テーブル３２には、基板搬送テーブル３２の中心を通る鉛直方向の軸を回転中心として回転（回動）可能に設け、これを回転させる回転機構が設けられているのが好ましい。
With this height adjustment mechanism, the height of the lower surface of the substrate transport table 32 becomes higher than the height of the surface of the mask 6 (so that the gap between the
The substrate transfer table 32 is preferably provided with a rotation mechanism that can be rotated (rotated) about a vertical axis that passes through the center of the substrate transfer table 32 and rotates the same.
また、基板搬送テーブル３２、基板３１の成膜面と反対の面およびヘッド群４の所定の位置には、それぞれ、位置合わせの指標となる複数のアライメントマーク５が設けられている。
基板搬送テーブル３２、基板３１およびヘッド群４にアライメントマーク５を設けると、基板３１と、ヘッド群４との位置合わせを、容易、正確、かつ確実に行うことができる。
In addition, a plurality of
When the
また、基板搬送テーブル３２、基板３１およびヘッド群４に設けられたアライメントマークで位置合わせ手段が構成されている。
本実施形態において、アライメントマーク５は、基板３１には、６箇所、基板搬送テーブル３２には、４箇所、ヘッド群４には、それぞれ２箇所設けられているが、アライメントマーク５の位置や、形状、個数などは、それぞれ、これらを用いて（指標として）基板３１と、ヘッド群４との位置合わせを行うことができるようになっていれば、特に限定されない。
Further, the alignment means is constituted by the alignment marks provided on the substrate transfer table 32, the
In the present embodiment, the
また、チャンバ２内のヘッド群４の上面には、図示されないカメラがそれぞれ、設けられている。
これらのカメラは、ヘッド群４に、それぞれ、設けられたアライメントマーク５に対応して設けられており、チャンバ２の上面から下方に吊り下げられた状態で支持されている。また、カメラはアライメント５の近傍を撮像する。それぞれのカメラからの信号（データ）は、制御手段１１に入力される。なお、カメラは、他の用途に用いてもよい。
Cameras (not shown) are provided on the upper surface of the
These cameras are provided in the
ヘッド群４は、前処理ヘッド４１、第１の蒸着ヘッド（正孔注入材料蒸着ヘッド）４２、第２の蒸着ヘッド（正孔輸送材料蒸着ヘッド）４３および第３の蒸着ヘッド（電子輸送材料蒸着ヘッド）４４と、第１の可動式蒸着ヘッド（緑色発光材料蒸着ヘッド）４５と、第２の可動式蒸着ヘッド（青色発光材料蒸着ヘッド）４７と、第３の可動式蒸着ヘッド（赤色発光材料蒸着ヘッド）４８とを備えたヘッドユニット４６とを有している。
また、ヘッド群４は、それぞれ、平面視で、Ｙ軸方向に沿って延びる辺と、Ｘ軸方向に沿って延びる辺とを有する、略長方形の外形をなしている。
なお、基板搬送テーブル３２の移動の際に、基板搬送テーブル３２と、ヘッド群４とは、互いに干渉（接触）しないような形状や、配置をなしている。
The
Each of the
It should be noted that when the substrate transfer table 32 is moved, the substrate transfer table 32 and the
前処理ヘッド４１は、基板３１に、後述する前処理を行うためのヘッドであり、図１中基板搬送テーブル３２の位置（初期位置）の左側に設けられけられている。また、第１の蒸着ヘッド４２は、基板３１に、正孔注入材料を蒸着する（正孔注入層９０を形成する）ためのヘッドであり、前処理ヘッド４１の左側に設けられている。また、第２の蒸着ヘッド４３は、基板３１に、正孔輸送材料を蒸着する（正孔輸送層９１を形成する）ためのヘッドであり、第１の蒸着ヘッド４２の左側に設けられている。また、可動式ヘッドユニット４６は、第２の蒸着ヘッド４３の左側に設けられている。また、第３の蒸着ヘッド４４は、基板３１に電子輸送材料を蒸着する（電子輸送層を形成する）ためのヘッドであり、可動式蒸着ヘッドユニット４６の左側に設けられている。
The preprocessing head 41 is a head for performing preprocessing to be described later on the
これらの前処理ヘッド４１、第１の蒸着ヘッド４２、第２の蒸着ヘッド４３および第３の蒸着ヘッド４４は、Ｙ軸方向に、１列に並んでいる。
また、第１の可動式蒸着ヘッド４５、第２の可動式蒸着ヘッド４７および第３の可動式蒸着ヘッド４８の寸法は、基板３１より小さく設定されている。
図４に示すように、ヘッドユニット４６は、第１の可動式蒸着ヘッド４５と、第２の可動式蒸着ヘッド４７と、第３の可動式蒸着ヘッド４８と、それらのヘッドが設置されるヘッド台座４９とを有している。また、第１の可動式蒸着ヘッド４５と、第２の可動式蒸着ヘッド４７と、第３の可動式蒸着ヘッド４８とは、Ｙ軸方向に、１列に並んでいる。
The pretreatment head 41, the first vapor deposition head 42, the second
The dimensions of the first movable
As shown in FIG. 4, the
また、第１の可動式蒸着ヘッド４５と、第２の可動式蒸着ヘッド４７と、第３の可動式蒸着ヘッド４８とは、本実施形態では、それぞれ、緑色、青色、赤色を基板３１に蒸着する（発光層９２を形成する）ためのヘッドである。
また、ヘッド台座４９の下面には、リニアスライダ（Ｘ軸方向移動手段）２５、２８が、それぞれ、設けられている。これらのリニアスライダ２５、２８は、Ｘ軸方向に移動可能に設けられている。
また、リニアスライダ２５、２８の可動部と、ヘッド台座４９の下部に設けられた溝４９１とが、螺合している。これにより、ヘッド台座４９は、Ｘ軸方向に円滑に、移動支持され、リニアスライダ２５、２８の駆動により、可動式ヘッドユニット４６が、Ｘ軸方向に平行移動する。
In the present embodiment, the first movable
Further, linear sliders (X-axis direction moving means) 25 and 28 are provided on the lower surface of the
Further, the movable portions of the
以下、図５に基づいて、第１の蒸着ヘッド４２、第２の蒸着ヘッド４３および第３の蒸着ヘッド４４の内部の構成について説明する。
また、第１の蒸着ヘッド４２、第２の蒸着ヘッド４３および第３の蒸着ヘッド４４は、その構成が互いに同様であるので、以下では、代表的に、第１の蒸着ヘッド４２について説明する。
Hereinafter, the internal configuration of the first vapor deposition head 42, the second
The first vapor deposition head 42, the second
第１の蒸着ヘッド４２は、ハウジング４２１と、カバー底部４２５およびカバー側壁４２６とで構成されたカバー４２８、密閉手段であるシャッター４２７と、材料供給源（蒸着源）７と、アライメントマーク５とを有している。
ハウジング４２１は、チャンバ２内の底部に固定されている。このハウジング４２１の上部には、開口が形成されている。
The first vapor deposition head 42 includes a
The
ハウジング４２１の内部には、カバー底部４２５と、カバー４２８とが、設置されている。
カバー底部４２５は、ハウジング４２１の底部の上面に設けられている。また、カバー側壁４２６は、ハウジング４２１の側面に沿って延びる互いに平行な２面を有する。また、シャッターは、ハウジング４２１の開口の下側に設けられている。
A
The
このシャッター４２７は、２枚の板状の部材で構成されており、開閉可能に設けられている。
シャッター４２７は、材料供給源７から供給される材料（蒸発した膜材料７３、７４）の基板３１の成膜面への移行を遮断する機能を有する。
シャッター４２７が閉じているとき（閉状態のとき）は、基板３１の成膜面への蒸着、すなわち、薄膜の形成（成膜）が阻止される。
The
The
When the
逆に、シャッター４２７が開いているとき（開状態のとき）は、基板３の成膜面への蒸着、すなわち、薄膜の形成が可能になる。
また、カバー側壁４２６およびシャッター４２７には、それぞれ、ヒータ４２９および４３０が設けられている。蒸着の際、カバー側壁４２６およびシャッター４２７は、それぞれ、ヒータ４２９および４３０により加熱される。
Conversely, when the
In addition, heaters 429 and 430 are provided on the
この加熱温度は、蒸着温度（後述する膜材料７３、７４が、蒸発する温度）と、略等しい温度とすることが好ましい。
これにより、蒸着の際に、カバー側壁４２６や、シャッター４２７を、第１の蒸着ヘッド４２内に再度蒸発させて飛ばすことができ、カバー側壁４２６や、シャッター４２７に飛散する材料を付着させることなく、膜材料７３、７４の使用効率をよくすることができる。
The heating temperature is preferably substantially equal to the vapor deposition temperature (temperature at which
Accordingly, the
なお、カバー底部４２５にヒータ（加熱手段）を設けてもよい。
また、カバー底部４２５の上面には、材料供給源７が設置されている。
材料供給源（蒸着源）７は、大きさの異なる第１の蒸発るつぼ７１と、第２の蒸発るつぼ７２と、これらの蒸発るつぼ内に、それぞれ配置（充填）された膜材料７３、７４と、レートセンサ７５と、図示しない電子銃とで構成されている。
Note that a heater (heating means) may be provided on the
A
The material supply source (evaporation source) 7 includes a
第１のるつぼ７１と、第２のるつぼ７２とには、互いに異なる膜材料７３、７４が配置され、これらを混ぜ合わせながら蒸着を行う。
電子銃は、第１の蒸発るつぼ７１および第２の蒸発るつぼ７２のそれぞれ近傍に設けられ、高エネルギー密度の電子ビームを放出し、蒸発るつぼ内の膜材料７３、７４を過熱し、溶融・蒸発させる。
The electron gun is provided in the vicinity of each of the
レートセンサ７５は、第１の蒸発るつぼ７１と、第２の蒸発るつぼ７２の近傍にそれぞれ設置され、基板３１の成膜速度（単位時間あたりに基板３１に成膜される薄膜の厚さ）の制御（調整）において、使用される。
レートセンサ７５の構成材料としては、例えば、水晶振動子が用いられる。これにより、成膜の際、薄膜が形成されていく水晶振動子の共振周波数の変化からその水晶振動子における成膜速度を求める。この検出された成膜速度を基板３１における成膜速度と推定し、前記検出された成膜速度が、所定の一定値を保つように成膜速度を調整する。
The
As a constituent material of the
また、第１の蒸発るつぼ７１は、第２の蒸発るつぼ７２より大きい。これにより、第１の蒸発るつぼ７１に配置される膜材料７３の成膜速度を、第２の蒸発るつぼ７２に配置される膜材料７４の成膜速度より大きくすることができ、これによって良好な有機ＥＬ層９を形成することができる。
次に、第１の可動式蒸着ヘッド４５、第２の可動式蒸着ヘッド４７および第３の可動式蒸着ヘッド４８の内部の構成について図６を用いて説明する。
The
Next, the internal configuration of the first
本実施形態では、第１の可動式蒸着ヘッド４５、第２の可動式蒸着ヘッド４７および第３の可動式蒸着ヘッド４８の構成は、互いに同様であるため、ここでは、第１の可動式蒸着ヘッド４５を代表的に説明する。また、第１の蒸着ヘッド４２、第２の蒸着ヘッド４３および第３の蒸着ヘッド４４と同様の事項については、説明を省略し、主な相違点を説明する。
In the present embodiment, the configurations of the first
図６に示すように、第１の可動式蒸着ヘッド４５は、ハウジング４２１の上部に、蒸着マスク６（精密蒸着マスク）が設置されている。
蒸着マスク６は、基板３１に所定パターンの層を形成するための、所定の開口（開口パターン）が形成された、シリコン（単結晶シリコン）の基板で構成されている。また、蒸着マスク６の平面視での全体形状は、長方形をなしている。また、マスク６の大きさは、基板３１の大きさより小さい。すなわち、基板３１の成膜面をＳ１、蒸着マスク６にの開口の面積をＳ２としたとき、Ｓ１は、Ｓ２の２倍以上、特に２以上の整数倍となっている。（図示例では９倍）
制御手段１１は、例えば、マイクロコンピュータ（ＣＰＵ）で構成され、ヒータ４２９、４３０、電子銃、レートセンサ７５、カメラ、モータ２７、空調装置等、蒸着装置１全体の駆動を制御する。
As shown in FIG. 6, the first movable
The
The control means 11 is composed of, for example, a microcomputer (CPU), and controls driving of the entire vapor deposition apparatus 1 such as heaters 429 and 430, an electron gun, a
次に本発明の蒸着装置１を用いた有機ＥＬパネル製造システムを、図７を用いて説明する。
図７に示すように有機ＥＬパネル製造システム１００は、Ｌ／ＵＬ室５１、蒸着装置１、金属陰極蒸着室５２、封止室５３と、搬送用ロボット５６を有している。
Ｌ／ＵＬ室５１は、基板３１の出入り口となるものである。また、金属陰極蒸着室５２は、基板３１上に、陰極１２を蒸着するために設けられている。
Next, the organic electroluminescent panel manufacturing system using the vapor deposition apparatus 1 of this invention is demonstrated using FIG.
As shown in FIG. 7, the organic EL
The L /
封止室５３は、基板３１と、封止部材８とを接合するために設けられている。また、封止室５３の雰囲気としては、特に限定されないが、例えば、窒素ガス等が好ましい。
搬送用ロボット５６は、基板３１のＬ／ＵＬ室５１と、蒸着装置１と、金属陰極蒸着室５２と、封止室５３との間の移動用に設けられている。
次に、有機ＥＬパネル３０の製造の際の有機ＥＬパネル製造システム１００の動作について説明する。
The sealing
The
Next, the operation of the organic EL
まず、Ｌ／ＵＬ室５１に基板３１を用意する。
この基板３１の成膜面には、あらかじめ、陽極１１が設けられている。
次に、搬送用ロボット５６により、Ｌ／ＵＬ室５１内に収納されている基板３１を真空吸着して取り出す。この際、成膜面と反対の面を真空吸着する。その後、搬送用ロボット５６により、基板３１を金属陰極蒸着室５２に搬送する。次に、基板３１は、蒸着装置１に搬送され、成膜面が下側になるように、基板搬送テーブル３２の、あらかじめ決められた所定の位置に載置される。
First, the
An
Next, the
図９に示すように、基板３１および基板搬送テーブル３２には、あらかじめ、アライメントマーク５が設けられ、基板３１は、各アライメントマーク５によってＹ軸方向に３つに区画された、領域Ａと、領域Ｂと、領域Ｃとを有している。また領域Ａと、領域Ｂと、領域Ｃとは、それぞれ、各アライメントマークによってＸ軸方向に区画され、領域Ａは、領域Ａ１と、領域Ａ２と、領域Ａ３とを有し、領域Ｂは、領域Ｂ１と、領域Ｂ２と、領域Ｂ３とを有し、領域Ｃは、領域Ｃ１と、領域Ｃ２と、領域Ｃ３とを有している。
As shown in FIG. 9, the
また、以下における主アライメント動作とは、基板搬送テーブル３２が、Ｙ軸方向に移動し、ヘッド群４に設けられたアライメントマーク５と、基板３１および基板搬送テーブル３２に設けられたアライメントマーク５との重なりを、制御手段１１が認識し、基盤搬送テーブル３２の移動を停止させることをいう。
また、これに対して、副アライメント動作とは、基板搬送テーブル３２の非駆動時に、
可動式蒸着ヘッドユニット４６がＸ軸方向に移動し、第１の可動式蒸着ヘッド４５、第２の可動式蒸着ヘッド４７および第３の可動式蒸着ヘッド４８と、基板３１および基板搬送テーブル３２に設けられたアライメントマーク５との重なりを、制御手段１１が認識し、可動式蒸着ヘッドユニット４６の移動を停止させることをいう。
以下蒸着装置１の動作を説明する。
In the following, the main alignment operation refers to the
On the other hand, the sub-alignment operation is when the substrate transfer table 32 is not driven.
The movable vapor
Hereinafter, the operation of the vapor deposition apparatus 1 will be described.
＜１＞
基板搬送テーブル３２が、領域Ａと前処理ヘッド４１との主アライメント動作を経て、領域Ａに対して、前処理が行われる。
この前処理は、特に限定されないが、例えば、水蒸気と、フッ化水素の混合蒸気や、オゾンガスと、フッ化水素の混合蒸気等により基板３１を洗浄する処理等が行われる。
前処理ヘッド４１により、前処理が完了すると、基板搬送テーブル３２は、Ｙ軸方向に移動する。
<1>
The substrate transport table 32 undergoes a main alignment operation between the area A and the preprocessing head 41, and the area A is preprocessed.
The pretreatment is not particularly limited. For example, a treatment for cleaning the
When the preprocessing is completed by the preprocessing head 41, the substrate transport table 32 moves in the Y-axis direction.
＜２＞
次に、領域Ｂと、前処理ヘッド４１との主アライメント動作を経て、領域Ｂに対して、前処理が行われる。領域Ｂの前処理が完了すると、基板搬送テーブル３２は、Ｙ軸方向に移動する。
＜３＞
次に、領域Ａと第１の蒸着ヘッド４２との主アライメント動作を経て、領域Ａに対して、正孔注入材料の蒸着が行われる。これにより、領域Ａに、正孔注入層９０が形成される。
また、同時に、領域Ｃと、前処理ヘッド４１との主アライメント動作を経て、領域Ｃに対して、前処理が行われる。領域Ａの蒸着と、領域Ｃの前処理が完了すると、基板搬送テーブル３２は、Ｙ軸方向に移動する
<2>
Next, preprocessing is performed on the region B through the main alignment operation between the region B and the preprocessing head 41. When the pretreatment for the area B is completed, the substrate transfer table 32 moves in the Y-axis direction.
<3>
Next, the hole injection material is deposited on the region A through the main alignment operation between the region A and the first deposition head 42. Thereby, the hole injection layer 90 is formed in the region A.
At the same time, through the main alignment operation between the area C and the preprocessing head 41, the area C is preprocessed. When the deposition of the area A and the pretreatment of the area C are completed, the substrate transfer table 32 moves in the Y-axis direction.
＜４＞
次に、領域Ｂと第１の蒸着ヘッド４２との主アライメント動作を経て、領域Ａに対して、正孔注入材料の蒸着が行われる。これにより、領域Ｂに、正孔注入層９０が形成される。領域Ｂの蒸着が完了すると、基板搬送テーブル３２は、Ｙ軸方向に移動する
＜５＞
次に、領域Ａと第２の蒸着ヘッド４３との主アライメント動作を経て、領域Ａに対して、正孔輸送材料の蒸着が行われる。これにより、領域Ａに、正孔輸送層９１が形成される。また、同時に、領域Ｃと、第１の蒸着ヘッド４２との主アライメント動作を経て、領域Ｃに対して、正孔注入材料の蒸着が行われる。これにより、領域Ｃに、正孔注入層９０が形成される。領域Ａの蒸着と、領域Ｃの蒸着とが完了すると、基板搬送テーブル３２は、Ｙ軸方向に移動する
<4>
Next, the hole injection material is deposited on the region A through the main alignment operation between the region B and the first deposition head 42. Thereby, the hole injection layer 90 is formed in the region B. When the deposition of the region B is completed, the substrate transfer table 32 moves in the Y-axis direction <5>.
Next, the hole transport material is deposited on the region A through the main alignment operation between the region A and the
＜６＞
次に、領域Ｂと第２の蒸着ヘッド４３との主アライメント動作を経て、領域Ｂに対して、正孔輸送材料の蒸着が行われる。これにより、領域Ｂに、正孔輸送層９１が形成される。領域Ｂの蒸着が完了すると、基板搬送テーブル３２は、Ｙ軸方向に移動する。
＜７＞
次に、領域Ａと第１の可動式ヘッド４５との副アライメント動作を経て、領域Ａに対して、青色発光材料の蒸着が行われる。この発光材料の蒸着は、領域Ａ１、Ａ２、Ａ３に対して、それぞれ行われる。（部分的に、複数回に分けて行われる。）すなわち、領域Ａ１と、第１の可動式ヘッド４５との副アライメント動作を経て、領域Ａ１に対して、蒸着が行われ、領域Ａ２と、第１の可動式ヘッド４５との副アライメント動作を経て、領域Ａ２に対して、蒸着が行われ、領域Ａ３と、第１の可動式ヘッド４５との副アライメント動作を経て、領域Ａ３に対して、蒸着が行われる。これにより、領域Ａに、青色発光層が形成される。
また、同時に、領域Ｃと、第２の蒸着ヘッド４３との主アライメント動作を経て、領域Ｃに蒸着が行われる。これにより、領域Ｃに、正孔輸送層９１が形成される。領域Ａの蒸着と、領域Ｃの蒸着が完了すると、基板搬送テーブル３２は、Ｙ軸方向に移動する
<6>
Next, the hole transport material is deposited on the region B through the main alignment operation between the region B and the
<7>
Next, after the sub-alignment operation between the region A and the first
At the same time, vapor deposition is performed in the region C through the main alignment operation between the region C and the second
＜８＞
次に、領域Ｂと第１の可動式ヘッド４５との副アライメント動作を経て、領域Ｂに対して、青色発光材料の蒸着が行われる。また、この蒸着は、領域Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３に対して、それぞれ行われる。これにより、領域Ｂに、青色発光層が形成される。領域Ｂの蒸着が完了すると、基板搬送テーブル３２は、Ｙ軸方向に移動する
<8>
Next, after the sub-alignment operation between the region B and the first
＜９＞
次に、領域Ａと第２の可動式ヘッド４７との副アライメント動作を経て、領域Ａに対して、緑色発光材料の蒸着が行われる。また、この蒸着は、領域Ａ１、Ａ２、Ａ３に対して、それぞれ行われる。これにより、領域Ａに、緑色発光層が形成される。
同時に、領域Ｃと第１の可動式ヘッド４５との副アライメント動作を経て、領域Ｃに対して、青色発光材料の蒸着が行われる。また、この蒸着は、領域Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３に対して、それぞれ、行われる。これにより、領域Ａに、青色発光層が形成される。領域Ａの蒸着と、領域Ｃの蒸着が完了すると、基板搬送テーブル３２は、Ｙ軸方向に移動する
<9>
Next, through a sub-alignment operation between the region A and the second
At the same time, the blue light emitting material is deposited on the region C through the sub-alignment operation between the region C and the first
＜１０＞
次に、領域Ｂと第２の可動式ヘッド４７との副アライメント動作を経て、領域Ｂに対して、緑色発光材料の蒸着が行われる。また、この蒸着は、領域Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３に対して、それぞれ、行われる。これにより、領域Ｂに、緑色発光層が形成される。領域Ｂの蒸着が完了すると、基板搬送テーブル３２は、Ｙ軸方向に移動する。
<10>
Next, through the sub-alignment operation between the region B and the second
＜１１＞
次に、領域Ａと第３の可動式ヘッド４８との副アライメント動作を経て、領域Ａに対して、赤色発光材料の蒸着が行われる。また、この蒸着は、領域Ａ１、Ａ２、Ａ３に対して、それぞれ行われる。これにより、領域Ａに、赤色発光層が形成される。これにより、領域Ａに発光層９２が形成される。
同時に、領域Ｃと第２の可動式ヘッド４７との副アライメント動作を経て、領域Ｃに対して、青色発光材料の蒸着が行われる。また、この蒸着は、領域Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３に対して、それぞれ行われる。これにより、領域Ａに、緑色発光層が形成される。領域Ａの蒸着と、領域Ｃの蒸着が完了すると、基板搬送テーブル３２は、Ｙ軸方向に移動する
<11>
Next, after the sub-alignment operation between the region A and the third
At the same time, the blue light emitting material is deposited on the region C through the sub-alignment operation between the region C and the second
＜１２＞
次に、領域Ｂと第３の可動式ヘッド４８との副アライメント動作を経て、領域Ｂに対して、赤色発光材料の蒸着が行われる。また、この蒸着は、領域Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３に対して、それぞれ行われる。これにより、領域Ｂに、赤色発光層が形成される。これにより、領域Ｂに発光層９２が形成される。領域Ｂの蒸着が完了すると、基板搬送テーブル３２は、Ｙ軸方向に移動する。
<12>
Next, after the sub-alignment operation between the region B and the third
＜１３＞
次に、領域Ａと第３の蒸着ヘッド４４の主アライメント動作を経て、領域Ａに対して、正孔輸送材料の蒸着が行われる。これにより、領域Ａに、電子輸送層９３が形成される。
同時に、領域Ｃと第３の可動式ヘッド４８との副アライメント動作を経て、領域Ｃに対して、赤色発光材料の蒸着が行われる。また、この蒸着は、領域Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３に対して、それぞれ、行われる。これにより、領域Ｃに、赤色発光層が形成される。これにより領域Ｃに発光層９２が形成される。領域Ａの蒸着と、領域Ｃの蒸着が完了すると、基板搬送テーブル３２は、Ｙ軸方向に移動する
<13>
Next, the hole transport material is deposited on the region A through the main alignment operation of the region A and the
At the same time, the red light emitting material is deposited on the region C through the sub-alignment operation between the region C and the third
＜１４＞
次に、領域Ｂと第３の蒸着ヘッド４４の主アライメント動作を経て、領域Ｂに対して、電子輸送材料の蒸着が行われる。これにより、領域Ｂに、電子輸送層９３が形成される。領域Ｂの蒸着が完了すると、基板搬送テーブル３２は、Ｙ軸方向に移動する。
＜１５＞
次に、領域Ｃと第３の蒸着ヘッド４４の主アライメント動作を経て、領域Ｃに対して、電子輸送材料の蒸着が行われる。これにより、領域Ｃに、電子輸送層９３が形成される。領域Ｃの蒸着が完了すると、基板搬送テーブル３２は、Ｙ軸方向に移動する。
<14>
Next, the electron transport material is deposited on the region B through the main alignment operation of the region B and the
<15>
Next, the electron transport material is deposited on the region C through the main alignment operation of the region C and the
このようにして、基板３１上に、膜材料による所定のパターンが成膜された、有機ＥＬ層９を得ることができる。
蒸着装置１での作業が完了すると、基板３１は、搬送用ロボット５６により取り出され、金属陰極蒸着室５２へと搬送される。
金属陰極蒸着室５２では、基板３１に、陰極１２が、蒸着される。
In this way, the organic EL layer 9 in which a predetermined pattern made of a film material is formed on the
When the operation in the vapor deposition apparatus 1 is completed, the
In the metal
陰極１２の蒸着が完了すると、基板３１は、搬送用ロボット５６により取り出され、封止室５３へと搬送される。封止室５３では、例えば、以下のようにして、基板３１の成膜面を、封止部材８で封止する。
まず、未硬化の光硬化性樹脂８２を、例えば、シリンジ等により、封止ガラス８１の両端に設ける。
When the deposition of the
First, the uncured
次に、基板３１の成膜面と、封止部材８の凹部を有する面とを未硬化の光硬化性樹脂８２を介して接合する。
次に、封止室５３に設けられた、図示されない光源ユニットから、所定光量の紫外線を未硬化の光硬化性樹脂８２に、所定時間照射することにより、光硬化性樹脂８２が硬化し、基板３１と封止部材８とが接着される。
これにより、基板３１と封止部材８とが、光硬化性樹脂８２を介して接合してなる有機ＥＬパネル３０が得られる。
次に、有機ＥＬパネル３０は、搬送用ロボット５６により取り出され、Ｕ／ＵＬ室５１へと搬送される。
Next, the film-forming surface of the
Next, by irradiating the uncured
Thereby, the
Next, the
以上説明したように、蒸着装置１（有機ＥＬパネル製造システム１００）によれば、基板３１に対して小さなシリコンの蒸着マスク６を用いているため、蒸着マスク６のそりや、熱膨張や、酸化等による画素のずれを防止することができ、非常に精度の高い有機ＥＬパネル３０を容易に製造することができる。
また、蒸着マスク６の小型化により、第１の可動式蒸着ヘッド４５、第２の可動式蒸着ヘッド４７および第３の可動式蒸着ヘッド４８の小型化も可能となり、蒸着装置の小型化を図ることができる。これにより、真空状態を保つ電力エネルギーを少なくすることができ、低コストな蒸着装置を実現することができる。
As described above, according to the vapor deposition apparatus 1 (organic EL panel manufacturing system 100), since the small silicon
Further, by reducing the size of the
また、第１の可動式蒸着ヘッド４５、第２の可動式蒸着ヘッド４７および可動式蒸着ヘッド４８が、Ｘ軸方向に移動でき、基板３１がＹ軸方向に移動できるため、複数の蒸着ヘッドをチャンバ内に設けることが可能となり、基板３１に、目的に合わせて多彩なパターンを形成することができる。これにより、蒸着ヘッド（蒸着マスク６）より大きなサイズの有機ＥＬパネルを製造することができ、蒸着装置１台あたりの生産性を飛躍的に高めることができる。
In addition, since the first
また、有機ＥＬパネル製造システム１００は、Ｌ／ＵＬ室５１、蒸着装置１、金属陰極蒸着室５２、封止室５３により形成されているので、非常にコンパクトなシステムを形成することができる。
なお、本発明では、第３の蒸着ヘッドの後段に、基板３１に電子注入層を形成する蒸着ヘッドを設けてもよい。
In addition, since the organic EL
In the present invention, a vapor deposition head for forming an electron injection layer on the
なお、可動式蒸着ヘッド４５の数は、必ずしも３つに限定されず、例えば、１つ、２つ、または、４つ以上でもよい。
なお、本実施形態では、可動式ヘッドユニット４６と、基板搬送テーブル３２とが、互いに相対的に移動して蒸着を行うが、本発明では、それに限らず、可動式蒸着ヘッドユニット４６のみを移動させて蒸着を行ってもよいし、基板搬送テーブル３２のみを移動させて蒸着を行ってもよい。
The number of movable vapor deposition heads 45 is not necessarily limited to three, and may be one, two, or four or more, for example.
In the present embodiment, the
以上、本発明の蒸着装置を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。
なお、本発明は、有機ＥＬパネルを製造する装置に限らず、例えば、色素蒸着法による液晶用カラーフィルタや、有機トランジスタ等を製造する装置に適用することができる。
As mentioned above, although the vapor deposition apparatus of this invention was demonstrated based on embodiment of illustration, this invention is not limited to this, The structure of each part is substituted by the thing of the arbitrary structures which have the same function. be able to. In addition, any other component may be added to the present invention.
The present invention is not limited to an apparatus for manufacturing an organic EL panel, and can be applied to, for example, an apparatus for manufacturing a color filter for liquid crystal by a dye vapor deposition method, an organic transistor, or the like.
１・・・蒸着装置、１１・・・陽極、１２・・・陰極、１６・・・シール部材、２・・・チャンバ、２１・・・内部空間、２３・・・移動手段、２４・・・レール、２５・・・リニアスライダ、２６・・・リードスクリュー、２７・・・モータ、３０・・・有機ＥＬパネル、３１・・・基板、３２・・・基板搬送テーブル、４・・・ヘッド群、４０、固定式蒸着ユニット、４１・・・前処理ヘッド、４２・・・第１の蒸着ヘッド、４２１・・・ハウジング、４２５・・・カバー底部、４２６・・・カバー側壁、４２７・・・シャッター、４２８・・・カバー、４２９、４３０・・・ヒータ、４３・・・第２の蒸着ヘッド、４４・・・第３の蒸着ヘッド、４５・・・第１の可動式蒸着ヘッド、４６・・・可動式蒸着ヘッドユニット、４７・・・第２の可動式蒸着ヘッド、４８・・・第３の可動式蒸着ヘッド、４９・・・ヘッド台座、４９１・・・溝、５・・・アライメントマーク、５１・・・Ｌ／ＵＬ室、５２・・・金属陰極蒸着室、５３・・・封止室、５４・・・基板搬送用ロボット、６・・・蒸着マスク、７１・・・第１の蒸発るつぼ、７２・・・第２の蒸発るつぼ、７３、７４・・・膜材料、７５・・・レートセンサ、８・・・封止材料、８１・・・封止ガラス、８２・・・光硬化性樹脂、８３・・・乾燥材、９・・・有機ＥＬ層、９０・・・正孔注入層、９１・・・、正孔輸送層、９２・・・発光層、９３・・・電子輸送層、１００・・・有機ＥＬパネル製造システム DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Deposition apparatus, 11 ... Anode, 12 ... Cathode, 16 ... Sealing member, 2 ... Chamber, 21 ... Internal space, 23 ... Moving means, 24 ... Rail, 25 ... Linear slider, 26 ... Lead screw, 27 ... Motor, 30 ... Organic EL panel, 31 ... Substrate, 32 ... Substrate transfer table, 4 ... Head group , 40, fixed deposition unit, 41 ... pretreatment head, 42 ... first deposition head, 421 ... housing, 425 ... cover bottom, 426 ... cover side wall, 427 ... Shutter, 428 ... cover, 429, 430 ... heater, 43 ... second vapor deposition head, 44 ... third vapor deposition head, 45 ... first movable vapor deposition head, 46. ..Movable vapor deposition head unit, 47 ... 2 movable deposition heads, 48... Third movable deposition head, 49... Head pedestal, 491... Groove, 5. ..Metal cathode deposition chamber, 53... Sealing chamber, 54... Substrate transfer robot, 6... Deposition mask, 71... First evaporation crucible, 72. 73, 74 ... film material, 75 ... rate sensor, 8 ... sealing material, 81 ... sealing glass, 82 ... photo-curing resin, 83 ... desiccant, 9 ... Organic EL layer, 90 ... Hole injection layer, 91 ..., hole transport layer, 92 ... Light emitting layer, 93 ... Electron transport layer, 100 ... Organic EL panel manufacturing system
Claims (8)
薄膜形成対象物が設置される載置部と、
前記薄膜形成対象物に前処理を行う前処理ヘッドと、
前記薄膜形成対象物に正孔注入材料を蒸着する正孔注入材料蒸着ヘッドと、
前記薄膜形成対象物に正孔輸送材料を蒸着する正孔輸送材料蒸着ヘッドと、
前記薄膜形成対象物に電子輸送材料を蒸着する電子輸送材料蒸着ヘッドと、
前記薄膜形成対象物に緑色の発光材料を蒸着する緑色発光材料蒸着ヘッド、前記薄膜形成対象物に青色の発光材料を蒸着する青色発光材料蒸着ヘッドおよび前記薄膜形成対象物に赤色の発光材料を蒸着する赤色発光材料蒸着ヘッドを備えるヘッドユニットと、
前記ヘッドユニットと前記載置部とを一方向（以下、「Ｘ軸方向」と言う）に相対的に移動させるＸ軸方向移動手段と、
前記前処理ヘッド、前記正孔注入材料蒸着ヘッド、前記正孔輸送材料蒸着ヘッド、前記電子輸送材料蒸着ヘッド、前記緑色発光材料蒸着ヘッド、前記青色発光材料蒸着ヘッドおよび前記赤色発光材料蒸着ヘッドと、前記載置部とを前記Ｘ軸方向に略垂直な方向（以下、「Ｙ軸方向」と言う）に相対的に移動させるＹ軸方向移動手段とを有し、
前記緑色発光材料蒸着ヘッド、前記青色発光材料蒸着ヘッドおよび前記赤色発光材料蒸着ヘッドは、それぞれ、所定の開口パターンが設けられ、前記薄膜形成対象物より小さいマスクを有し、前記開口を介し、前記薄膜形成対象物に前記緑色発光材料、前記青色発光材料および赤色発光材料を蒸着するよう構成された蒸着装置であって、
前処理ヘッドによる前記薄膜形成対象物への前処理、前記正孔注入材料蒸着ヘッドによる前記薄膜形成対象物への正孔注入材料の蒸着、前記正孔輸送材料蒸着ヘッドによる前記薄膜形成対象物への正孔輸送材料の蒸着および前記電子輸送材料蒸着ヘッドによる前記薄膜形成対象物への電子輸送材料の蒸着は、それぞれ、前記Ｙ軸方向移動手段により前記載置部を前記Ｙ軸方向に移動させ、前記薄膜形成対象物の前記Ｙ軸方向に区画された複数の領域ごとに、複数回に分けて行われ、
前記緑色発光材料蒸着ヘッドによる前記薄膜形成対象物への緑色発光材料の蒸着、前記青色発光材料蒸着ヘッドによる前記薄膜形成対象物への青色発光材料の蒸着および前記赤色発光材料蒸着ヘッドによる前記薄膜形成対象物への赤色発光材料の蒸着は、それぞれ、前記Ｘ軸方向移動手段により、前記ヘッドユニットを前記Ｘ軸方向に移動させ、前記薄膜形成対象物の前記Ｘ軸方向に区画された複数の領域ごとに、複数回に分けて行われるとともに、前記Ｙ軸方向移動手段により前記載置部を前記Ｙ軸方向に移動させ、前記薄膜形成対象物の前記Ｙ軸方向に区画された複数の領域ごとに、複数回に分けて行われるよう構成されていることを特徴とする蒸着装置。 The device body;
A placement unit on which a thin film forming object is installed;
A pretreatment head for pretreating the thin film formation target;
A hole injection material deposition head for depositing a hole injection material on the thin film formation target; and
A hole transport material deposition head for depositing a hole transport material on the thin film formation target;
An electron transport material deposition head for depositing an electron transport material on the thin film formation target;
A green light emitting material vapor deposition head for depositing a green light emitting material on the thin film forming object, a blue light emitting material vapor deposition head for depositing a blue light emitting material on the thin film forming object, and a red light emitting material on the thin film forming object. A head unit including a red light emitting material vapor deposition head that
X-axis direction moving means for relatively moving the head unit and the mounting portion in one direction (hereinafter referred to as “X-axis direction”);
The pretreatment head, the hole injection material vapor deposition head, the hole transport material vapor deposition head, the electron transport material vapor deposition head, the green light emission material vapor deposition head, the blue light emission material vapor deposition head, and the red light emission material vapor deposition head; Y-axis direction moving means for relatively moving the mounting portion in a direction substantially perpendicular to the X-axis direction (hereinafter referred to as “Y-axis direction”),
The green light emitting material vapor deposition head, the blue light emitting material vapor deposition head, and the red light emitting material vapor deposition head are each provided with a predetermined opening pattern, and have a mask smaller than the thin film formation target, through the opening, A deposition apparatus configured to deposit the green light emitting material, the blue light emitting material, and the red light emitting material on a thin film forming object,
Pretreatment of the thin film formation object by a pretreatment head, vapor deposition of a hole injection material on the thin film formation object by the hole injection material vapor deposition head, and the thin film formation object by the hole transport material vapor deposition head In the deposition of the hole transport material and the electron transport material deposition head, the electron transport material is deposited on the thin film formation target by moving the mounting portion in the Y axis direction by the Y axis direction moving means. , For each of a plurality of regions partitioned in the Y-axis direction of the thin film formation object, is performed in a plurality of times,
Deposition of a green light emitting material on the thin film formation target by the green light emitting material deposition head, deposition of a blue light emitting material on the thin film formation target by the blue light emitting material deposition head, and formation of the thin film by the red light emitting material deposition head The vapor deposition of the red light-emitting material on the object is performed by moving the head unit in the X-axis direction by the X-axis direction moving unit, and a plurality of regions partitioned in the X-axis direction of the thin film formation object. For each of a plurality of regions partitioned in the Y-axis direction of the thin film forming object by moving the mounting portion in the Y-axis direction by the Y-axis direction moving means. In addition, the vapor deposition apparatus is configured to be performed in a plurality of times.
正孔輸送材料蒸着ヘッドは、該正孔輸送材料蒸着ヘッド内の少なくとも側方の内壁を加熱する加熱手段を有する請求項１に記載の蒸着装置。 Each of the green light emitting material vapor deposition head, the blue light emitting material vapor deposition head, and the red light emitting material vapor deposition head has a heating unit that heats at least a lateral inner wall of the head,
The vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the hole transport material vapor deposition head includes a heating unit that heats at least a lateral inner wall of the hole transport material vapor deposition head.
薄膜形成対象物が設置される載置部と、
前記薄膜形成対象物に前処理を行う前処理ヘッドと、
前記薄膜形成対象物に正孔注入材料を蒸着する正孔注入材料蒸着ヘッドと、
前記薄膜形成対象物に正孔輸送材料を蒸着する正孔輸送材料蒸着ヘッドと、
前記薄膜形成対象物に電子輸送材料を蒸着する電子輸送材料蒸着ヘッドと、
前記薄膜形成対象物に緑色の発光材料を蒸着する緑色発光材料蒸着ヘッド、前記薄膜形成対象物に青色の発光材料を蒸着する青色発光材料蒸着ヘッドおよび前記薄膜形成対象物に赤色の発光材料を蒸着する赤色発光材料蒸着ヘッドを備えるヘッドユニットと、
前記ヘッドユニットと前記載置部とを一方向（以下、「Ｘ軸方向」と言う）に相対的に移動させるＸ軸方向移動手段と、
前記前処理ヘッド、前記正孔注入材料蒸着ヘッド、前記正孔輸送材料蒸着ヘッド、前記電子輸送材料蒸着ヘッド、前記緑色発光材料蒸着ヘッド、前記青色発光材料蒸着ヘッドおよび前記赤色発光材料蒸着ヘッドと、前記載置部とを前記Ｘ軸方向に略垂直な方向（以下、「Ｙ軸方向」と言う）に相対的に移動させるＹ軸方向移動手段とを有し、
前記緑色発光材料蒸着ヘッド、前記青色発光材料蒸着ヘッドおよび前記赤色発光材料蒸着ヘッドは、それぞれ、所定の開口パターンが設けられ、前記薄膜形成対象物より小さいマスクを有し、前記開口を介し、前記薄膜形成対象物に前記緑色発光材料、前記青色発光材料および赤色発光材料を蒸着するよう構成された蒸着装置を用いて蒸着する方法であって、
前処理ヘッドによる前記薄膜形成対象物への前処理、前記正孔注入材料蒸着ヘッドによる前記薄膜形成対象物への正孔注入材料の蒸着、前記正孔輸送材料蒸着ヘッドによる前記薄膜形成対象物への正孔輸送材料の蒸着および前記電子輸送材料蒸着ヘッドによる前記薄膜形成対象物への電子輸送材料の蒸着は、それぞれ、前記Ｙ軸方向移動手段により前記載置部を前記Ｙ軸方向に移動させ、前記薄膜形成対象物の前記Ｙ軸方向に区画された複数の領域ごとに、複数回に分けて行われ、
前記緑色発光材料蒸着ヘッドによる前記薄膜形成対象物への緑色発光材料の蒸着、前記青色発光材料蒸着ヘッドによる前記薄膜形成対象物への青色発光材料の蒸着および前記赤色発光材料蒸着ヘッドによる前記薄膜形成対象物への赤色発光材料の蒸着は、それぞれ、前記Ｘ軸方向移動手段により、前記ヘッドユニットを前記Ｘ軸方向に移動させ、前記薄膜形成対象物の前記Ｘ軸方向に区画された複数の領域ごとに、複数回に分けて行われるとともに、前記Ｙ軸方向移動手段により前記載置部を前記Ｙ軸方向に移動させ、前記薄膜形成対象物の前記Ｙ軸方向に区画された複数の領域ごとに、複数回に分けて行われるよう構成されていることを特徴とする蒸着方法。 The device body;
A placement unit on which a thin film forming object is installed;
A pretreatment head for pretreating the thin film formation target;
A hole injection material deposition head for depositing a hole injection material on the thin film formation target; and
A hole transport material deposition head for depositing a hole transport material on the thin film formation target;
An electron transport material deposition head for depositing an electron transport material on the thin film formation target;
A green light emitting material vapor deposition head for depositing a green light emitting material on the thin film forming object, a blue light emitting material vapor deposition head for depositing a blue light emitting material on the thin film forming object, and a red light emitting material on the thin film forming object. A head unit including a red light emitting material vapor deposition head that
X-axis direction moving means for relatively moving the head unit and the mounting portion in one direction (hereinafter referred to as “X-axis direction”);
The pretreatment head, the hole injection material vapor deposition head, the hole transport material vapor deposition head, the electron transport material vapor deposition head, the green light emission material vapor deposition head, the blue light emission material vapor deposition head, and the red light emission material vapor deposition head; Y-axis direction moving means for relatively moving the mounting portion in a direction substantially perpendicular to the X-axis direction (hereinafter referred to as “Y-axis direction”),
The green light emitting material vapor deposition head, the blue light emitting material vapor deposition head, and the red light emitting material vapor deposition head are each provided with a predetermined opening pattern, and have a mask smaller than the thin film formation target, through the opening, A method of depositing the green light emitting material, the blue light emitting material, and the red light emitting material on a thin film forming object using a vapor deposition apparatus configured to vapor deposit,
Pretreatment of the thin film formation object by a pretreatment head, vapor deposition of a hole injection material on the thin film formation object by the hole injection material vapor deposition head, and the thin film formation object by the hole transport material vapor deposition head In the deposition of the hole transport material and the electron transport material deposition head, the electron transport material is deposited on the thin film formation target by moving the mounting portion in the Y axis direction by the Y axis direction moving means. , For each of a plurality of regions partitioned in the Y-axis direction of the thin film formation object, is performed in a plurality of times,
Deposition of a green light emitting material on the thin film formation target by the green light emitting material deposition head, deposition of a blue light emitting material on the thin film formation target by the blue light emitting material deposition head, and formation of the thin film by the red light emitting material deposition head The vapor deposition of the red light-emitting material on the object is performed by moving the head unit in the X-axis direction by the X-axis direction moving unit, and a plurality of regions partitioned in the X-axis direction of the thin film formation object. For each of a plurality of regions partitioned in the Y-axis direction of the thin film forming object by moving the mounting portion in the Y-axis direction by the Y-axis direction moving means. In addition, the vapor deposition method is configured to be performed in a plurality of times.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003359699A JP4258345B2 (en) | 2003-10-20 | 2003-10-20 | Vapor deposition apparatus, organic electroluminescence panel, and vapor deposition method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003359699A JP4258345B2 (en) | 2003-10-20 | 2003-10-20 | Vapor deposition apparatus, organic electroluminescence panel, and vapor deposition method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005120456A JP2005120456A (en) | 2005-05-12 |
| JP4258345B2 true JP4258345B2 (en) | 2009-04-30 |
Family
ID=34615841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003359699A Expired - Fee Related JP4258345B2 (en) | 2003-10-20 | 2003-10-20 | Vapor deposition apparatus, organic electroluminescence panel, and vapor deposition method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4258345B2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8039052B2 (en) | 2007-09-06 | 2011-10-18 | Intermolecular, Inc. | Multi-region processing system and heads |
| KR101174875B1 (en) * | 2010-01-14 | 2012-08-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | Apparatus for thin layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method |
| JP5729749B2 (en) * | 2010-08-30 | 2015-06-03 | Ｎｅｃライティング株式会社 | Method for manufacturing organic electroluminescence element |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09209127A (en) * | 1996-02-05 | 1997-08-12 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Vacuum vapor deposition apparatus and production of organic electroluminescence element by using this vacuum vapor deposition apparatus |
| JP2002175878A (en) * | 2000-09-28 | 2002-06-21 | Sanyo Electric Co Ltd | Forming method of layer, and manufacturing method of color luminous device |
| JP2002313564A (en) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Nec Corp | Shadow mask, method of manufacturing the shadow mask, and display |
| JP2003077662A (en) * | 2001-06-22 | 2003-03-14 | Junji Kido | Method and device for manufacturing organic electroluminescent element |
| JP2003109755A (en) * | 2001-09-27 | 2003-04-11 | Sanyo Electric Co Ltd | Manufacturing equipment of organic el device |
-
2003
- 2003-10-20 JP JP2003359699A patent/JP4258345B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2005120456A (en) | 2005-05-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3852509B2 (en) | Electroluminescent device and manufacturing method thereof | |
| JP4048521B2 (en) | Light emitting element | |
| US7291405B2 (en) | Organic electroluminescent device | |
| US6818325B2 (en) | Light-emitting device | |
| EP2381501B1 (en) | Organic electroluminescent element | |
| JP4382961B2 (en) | Light emitting element | |
| US6451455B1 (en) | Metal complexes bearing both electron transporting and hole transporting moieties | |
| US20070035238A1 (en) | Organic electroluminescent device | |
| KR100689163B1 (en) | Electroluminescence device and process for producing the same | |
| KR102238719B1 (en) | Organic electroluminescence element | |
| WO2010137411A1 (en) | Organic electroluminescence element | |
| KR20110000733A (en) | Organic electroluminescence element and method for manufacturing the same | |
| JP2011044365A (en) | Organic electroluminescent element | |
| JP4941297B2 (en) | Method for manufacturing organic electroluminescence device | |
| JP2006302636A (en) | Organic electroluminescent element, manufacturing method of organic electroluminescent element, display device, and lighting device | |
| JP5670223B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
| JP2004103401A (en) | Element and its manufacturing method | |
| JP4258345B2 (en) | Vapor deposition apparatus, organic electroluminescence panel, and vapor deposition method | |
| JP2011192829A (en) | Organic electroluminescent element | |
| US7935432B2 (en) | Organic electroluminescent device | |
| JP4210872B2 (en) | Electroluminescent device and manufacturing method thereof | |
| JP2006245011A (en) | Electroluminescent element and manufacturing method of the same | |
| JP2012084534A (en) | Organic electroluminescent element and method for manufacturing the same | |
| KR100601332B1 (en) | Organic semiconducting device, method and apparatus for producing the same | |
| JP2005126791A (en) | Film-forming method and film-forming apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051128 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080619 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080624 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080818 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081104 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081212 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090113 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090126 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |