JP4256300B2 - 基板検査方法および基板検査装置 - Google Patents
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Description
電子ビームを生成して試料である基板に一次電子ビームとして照射する工程と、
前記一次電子ビームの照射を受けて前記基板から放出される二次電子、反射電子および後方散乱電子の少なくともいずれかを導いて二次電子ビームとして拡大投影し、結像させる工程と、
結像した前記二次電子ビームを検出して前記基板の状態を表わす信号を出力する工程と、
前記二次電子ビームの焦点面内の位置であって前記二次電子ビームの焦点と異なる位置を通過するように前記一次電子ビームを偏向する工程と、
を備える基板検査方法が提供される。
電子ビームを生成して試料である基板に一次電子ビームとして照射する電子ビーム照射手段と、
前記一次電子ビームの照射を受けて前記基板から放出される二次電子、反射電子および後方散乱電子の少なくともいずれかを検出して前記基板の状態を表わす信号を出力する検出手段と、
前記二次電子、前記反射電子および前記後方散乱電子の少なくともいずれかを導いて二次電子ビームとして拡大投影し、前記検出手段の検出面に結像させる写像投影手段と、
前記二次電子ビームの焦点面内の位置であって前記二次電子ビームの焦点と異なる位置を通過するように前記一次電子ビームを偏向する偏向手段と、
を備える基板検査装置が提供される。
図1は、本発明の第1の実施の形態による基板検査装置の概略構成を示すブロック図である。後に詳述するように、本実施形態の特徴は、複数段四極子レンズ15とウィーンフィルタ41との間に偏向器68を設置し、この偏向器68により一次電子ビームBpの軌道を制御して一次電子ビームBpおよび二次電子ビームBsの重複領域を縮小する点にある。
図6は、本発明の第2の実施の形態による基板検査装置の概略構成を示すブロック図であり、また、図7は本実施形態の基板検査方法を説明する電子ビーム軌道図である。本実施形態の基板検査装置3の特徴は、ウィーンフィルタ41とカソードレンズ21の間に配設され電源74,84にそれぞれ接続された回転対称円孔電極72,82をさらに備え、これらの電極72,82により加速電界を形成することにより、一次電子ビームBpおよび二次電子ビームBsの重複領域内で二次電子ビームBsを加速させる点にある。
上述した基板検査方法を半導体装置の製造工程で用いることにより、高感度で半導体装置を検査できるので、短いTAT(Turn Around Time)で、かつ、高い歩留まりで半導体装置を製造することが可能になる。
10 一次光学系
11 電子銃部
15 四極子レンズ
16,51〜56 制御部
17 四極子レンズ制御部
20 二次光学系
30 電子検出部
31 MCP検出器
41 ウィーンフィルタ
43 ステージ
58 画像信号処理部
60 ホストコンピュータ
62 表示部
68 偏向器
72,82 回転対称円孔電極
74,84 電源
112 LaB6線状陰極
Bp 一次電子ビーム
Bs 二次電子ビーム
Claims (2)
- 電子ビームを生成して試料である基板に一次電子ビームとして照射する工程と、
前記一次電子ビームの照射を受けて前記基板から放出される二次電子、反射電子および後方散乱電子の少なくともいずれかを導いて二次電子ビームとして拡大投影し、結像させる工程と、
結像した前記二次電子ビームを検出して前記基板の状態を表わす信号を出力する工程と、
前記二次電子ビームの焦点面内の位置であって前記二次電子ビームの焦点と異なる位置を通過するように前記一次電子ビームを偏向する工程と、
を備える基板検査方法。 - 電子ビームを生成して試料である基板に一次電子ビームとして照射する電子ビーム照射手段と、
前記一次電子ビームの照射を受けて前記基板から放出される二次電子、反射電子および後方散乱電子の少なくともいずれかを検出して前記基板の状態を表わす信号を出力する検出手段と、
前記二次電子、前記反射電子および前記後方散乱電子の少なくともいずれかを導いて二次電子ビームとして拡大投影し、前記検出手段の検出面に結像させる写像投影手段と、
前記二次電子ビームの焦点面内の位置であって前記二次電子ビームの焦点と異なる位置を通過するように前記一次電子ビームを偏向する偏向手段と、
を備える基板検査装置。
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