JP4255495B2 - 誘電体キャパシタ - Google Patents
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Description
この誘電体キャパシタは、少なくとも柱状結晶の酸化層であるWOx層、TiOx層、TaOx層、IrO2、PtO2層、RuOx層、ReOx層、PdOx層、OsOx層のいずれか1つの酸化層を有する下部電極、下部電極の上に形成され、強誘電体または高誘電率を有する誘電体によって構成される誘電体層、誘電体層の上に形成された上部電極、を備え、前記酸化層は前記誘電体層からの酸素の抜け出しを防止するように構成されている。
4...酸化シリコン層
8...強誘電体層
12...下部電極
15...上部電極
90...高誘電率を有する誘電体層
Claims (2)
- 下部電極と、前記下部電極の上に形成され、強誘電体または高誘電率を有する誘電体によって構成される誘電体層と、前記誘電体層の上に形成された上部電極と、を備え、前記下部電極はパラジウムの柱状結晶間にその酸化物である酸化パラジウムを有し、その上層に白金層を具備した誘電体キャパシタ。
- 下部電極を形成するステップと、前記下部電極の上に強誘電体または高誘電率を有する誘電体によって構成される誘電体層を形成するステップと、前記誘電体層の上に上部電極を形成するステップとを備える誘電体キャパシタの製造方法であって、前記下部電極を形成するステップは、柱状結晶構造を有するパラジウムの薄膜を形成する工程と、前記パラジウムの薄膜上に白金の薄膜を形成する工程と、前記パラジウムは酸化する一方前記白金は酸化しない条件の酸化雰囲気中で熱処理を行い、前記パラジウムの薄膜の柱状結晶間のみに酸化パラジウムを形成する工程とからなることを特徴とする誘電体キャパシタの製造方法。
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