JP4252809B2 - ZnO結晶の製造方法及びZnO系LEDの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ZnO結晶の製造方法及びZnO系LEDの製造方法に関し、特に結晶性を悪化させずにZnO結晶を成長させるZnO結晶の製造方法及びZnO系LEDの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
酸化亜鉛(ZnO)の結晶は、たとえば13.56MHzの高周波を用い無電極放電管内でラジカル化された酸素ラジカルビームと、Kセルからの亜鉛ビームとを、成長温度まで昇温されている基板に同時照射し、基板上でZnOの成長を行わせる分子線エピタキシ(molecular beam epitaxy,MBE)で製造するのが一般的である。
【0003】
ZnO薄膜を使用して、発光素子を作製する場合、p型のZnO膜が必要不可欠である。p型ZnO膜を成長させる場合、最も有力なドーパントは窒素である。(たとえば、非特許文献1及び2参照。)
図7は、窒素ドープされた(N−doped)ZnO層成長における、層中窒素濃度の成長温度依存性を示すグラフである。横軸には、成長温度を単位「℃」で表し、縦軸には、窒素濃度を単位「cm-3」で表す。図中に、黒四角及び実線で示したのは、化学量論的組成のN−doped ZnOについての成長温度と層中窒素濃度との関係であり、白抜き四角及び点線で示したのは、亜鉛を若干過剰(Zn−rich)にしたN−doped ZnOについての両者の関係である。
【0004】
図7に関するデータは、以下の方法で採取した。a面及びc面のサファイア基板を準備し、そのa面上には300Å、c面上には100ÅのZnOバッファ層を形成する。ZnOバッファ層は、450℃で低温成長させた後、900℃に昇温してマイグレーション及び結晶化を促進することにより、表面を平坦化する。その上に約1μmのZnO層を形成する。上記の分子線エピタキシ(MBE)で層成長をさせるのと同時に窒素をドープした。亜鉛と酸素の供給においては、後者の供給量を固定し、前者の供給量を変化させて、両者の割合を調節した。また、形成されたZnO層を、二次イオン質量分析計(secondary ionmass spectrometer,SIMS)で分析した。なお、サファイア基板のa面上に300ÅのZnOバッファ層を形成した場合と、c面上に100ÅのZnOバッファ層を形成した場合とでは、結果にほとんど差が認められなかったため、同一のグラフで表している。
【0005】
実線で示される関係も点線で示される関係も、成長温度が高くなるほど、層中窒素濃度が低くなることを示している。すなわち、高温での成長では、層中に窒素を高濃度で取り込むことはできない。したがって、低抵抗のp型ZnO(層中窒素濃度が1018cm-3以上で実現される。)を得るためには、成長温度の低温化(少なくとも500℃以下)が必要である。このため、ZnO系発光素子を製造する場合は、少なくとも構成層のうち1層は、低温成長した膜で構成する必要がある。
【0006】
図8は、サファイア基板温度を300℃にして、上記の分子線エピタキシで成長させたZnO膜のXRD法による(002)ωロッキングカーブを示す。銅に電子線を照射して、Kα1X線を発生させ、得られたX線を、ゲルマニウムの(440)面で2度回折させた後、サファイア基板上に成長させたZnO膜に照射した。
【0007】
図の横軸は、相対ωを単位「°(度)」で示し、縦軸は、ZnO膜から回折されたX線の強度を単位「cps」で示す。相対ωとは、X線を照射した際、ZnO膜の(002)の結晶方位のピークが生じた位置を0°と定義し、その位置からの相対的角を意味する。
【0008】
グラフの半値幅(full width at half maximum,FWHM)は807arcsecであった。1°は3600arcsecである。半値幅が非常に広いことから、成長したZnO膜は、成長軸の傾き具合が、サファイア基板のc軸に対してかなりばらついている(モザイク構造を有する)結晶を有していることがわかる。これは、ZnO膜を低温で成長させたことによる、基板表面における亜鉛原子のマイグレーション及び結晶化の抑制に起因する。
【0009】
図9は、図8にωロッキングカーブを示したZnO膜表面を、原子間力顕微鏡(atomic force microscope,AFM)で観察したモホロジー像である。図9から、ZnO膜は、大きさ数十nm程度の不定形な微結晶の集まりであることがわかる。亜鉛原子のマイグレーション及び結晶化の抑制が窺われ、図8に示したデータを裏付けている。
【0010】
以上のように、高温でZnO膜を成長させると、膜中に高濃度の窒素を取り込むことができず、一方、低温で膜を成長させると、結晶性が悪化する。
【0011】
【非特許文献1】
A.P.L.,vol.81,p1830(2002)
【非特許文献2】
J.J.A.P.,vol.38,L1205(1999)
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、良質の結晶性を有するZnO結晶を製造することのできるZnO結晶製造方法を提供することである。殊に、低温でも、良質の結晶性を有するZnO結晶を製造することのできるZnO結晶製造方法を提供することである。また、良質の結晶性を有するZnO系結晶を形成する工程を含むZnO系LED製造方法を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によれば、少なくとも亜鉛(Zn)と酸素(O)とを基板上で反応させ、該基板上に酸化亜鉛(ZnO)結晶を、分子線エピタキシ(MBE)で成長させるZnO結晶の製造方法であって、前記ZnO結晶の成長時に、酸素の供給量の半分以上の水素を前記ZnO結晶が成長する部分に供給して基板表面での亜鉛原子のマイグレーションを促進させるZnO結晶の製造方法が提供される。
【0014】
このZnO結晶の製造方法を用いると、良好な結晶性を有するZnO結晶を、低い成長温度で成長させることができる。
【0015】
また、本発明の他の観点によれば、(a)基板上に、n型ZnOバッファ層を形成する工程と、(b)該n型ZnOバッファ層の表面上に、n型ZnO層を形成する工程と、(c)該n型ZnO層表面上に、n型ZnMgO層を形成する工程と、(d)該n型ZnMgO層表面上に、ZnO層とZnMgO層とが交互に積層されるZnO/ZnMgO量子井戸層を形成する工程と、(e)該ZnO/ZnMgO量子井戸層表面上に、p型ZnMgO層を形成する工程と、(f)該p型ZnMgO層表面上に、p型ZnO層を形成する工程と、(g)前記n型ZnO層及び前記p型ZnO層上に電極を形成する工程とを有するZnO系LEDの製造方法であって、前記工程(a)〜(f)における層形成は分子線エピタキシ(MBE)で行われ、前記工程(a)〜(f)のうち、前記工程(a)または(e)または(f)において、酸素の供給量の半分以上の水素を供給して基板表面での亜鉛原子のマイグレーションを促進させながら層形成を行うZnO系LEDの製造方法が提供される。
【0016】
このZnO系LEDの製造方法を用いると、水素の供給を受けて形成された層の結晶性が良好となるため、少なくともバッファ層またはp型不純物をドーピングする層の結晶性が優良なZnO系LEDを製造することができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の第1の実施例によるZnO結晶の製造方法に使用するZnO結晶製造装置の概略図である。超高真空容器1内にステージ8が保持されており、ステージ8上にはサファイア基板9が載置されている。また、超高真空容器1には、Kセルからの亜鉛ビームを出射する亜鉛ソースガン3、タングステンフィラメントの熱によりクラッキングされた水素を出射する水素ソースガン4、酸素ガスをラジカル化して得られた酸素ラジカルビームを出射する酸素ソースガン5、窒素ガスをラジカル化して得られた窒素ラジカルビームを出射する窒素ソースガン6が備えられている。各ソースガンからのビームやクラッキングされた水素は、サファイア基板9上にZnO結晶が形成されるように、サファイア基板9に同時に照射して供給することができる。
【0018】
また、反射高速電子線回折(RHEED)ガン2及びRHEEDスクリーン7が、超高真空容器1に設置されている。RHEEDガン2から出射した電子は、サファイア基板9上に形成されるZnO結晶上で回折され、RHEEDスクリーン7に入射する。サファイア基板9上に形成されたZnO結晶を観察することができる。
【0019】
なお、たとえば窒素ソースガン6から出射される窒素ラジカルビームの原料ガスとして、二酸化窒素(NO2)や二窒化酸素(N2O)等を用いることも可能である。また、アンモニア(NH3)をクラッキングして窒素ソースガン6から出射してもよい。
【0020】
この装置を用いて、サファイア基板9上に、MBEにより、ZnO膜を成長させた。まず、サファイア基板9にサーマルアニール処理を施し、基板表面を洗浄した。サーマルアニール処理は、1×10-9torrの高真空中において、800℃で、30分間行った。
【0021】
続いて、各ソースガンから、ビームをサファイア基板9に照射した。サファイア基板9の温度は、300℃とした。亜鉛ソースガン3からは、KセルのZn(7N)を固体ソースとして用い、2.0×10-7torrのビーム量で、Znビームの照射を行った。水素ソースガン4からは、1800℃に加熱したタングステンフィラメントで熱クラッキングされた原子状の水素を、2×10-5torrのビーム量(超高真空容器1内での圧力)で照射し供給した。なお、クラッキングを行う際には、2sccmで水素を導入した。酸素ソースガン5からは、純酸素6Nガスを1sccmで導入してプラズマ化し、3×10-5torrのビーム量(超高真空容器1内での圧力)で照射した。サファイア基板9上には、MBEにより、ZnO膜が成長した。成長したZnOの結晶は極めて透明であり、平坦性のよい膜が形成された。
【0022】
図2は、サファイア基板9上に、MBEで成長させたZnO膜のXRD法による(002)ωロッキングカーブを示す。図の横軸は、相対ωを単位「°(度)」で示し、縦軸は、ZnO膜から回折されたX線の強度を単位「cps」で示す。相対ωとは、X線を照射した際、ZnO膜の(002)の結晶方位のピークが生じた位置を0°と定義し、その位置からの相対的角を意味する。また、ZnO膜に照射するX線の発生方法は、図7を用いて説明したのと等しい。
【0023】
実線で示したのが、上記実施例の条件で成長させたZnO膜に関する(002)ωロッキングカーブである。点線で示したのは、水素ソースガン4から水素を発生させず、他の条件を、上記実施例と全く同様にして、サファイア基板9上に成長させたZnO膜に関するそれである。すなわち、実線のグラフで相対ωとX線強度との関係が示されるZnO膜は水素原子を含んでおり、点線のグラフで示されるZnO膜は、水素がドーピングされていない。
【0024】
点線で示されたグラフの半値幅(FWHM)は807arcsecであり、実線で示されたグラフの半値幅(FWHM)は425arcsecである。水素を照射して供給しながら成長させたZnO膜の(002)ωロッキングカーブの半値幅は、水素を照射(供給)しないで成長させたZnO膜のそれの約半分である。このことは、水素を照射して供給しながらZnO膜を成長させることにより、結晶性を著しく改善できるということを示唆している。
【0025】
図3は、クラッキングされた水素の照射量を変化させながら、サファイア基板9上にMBEで成長させたZnO膜のXRD法による(002)ωロッキングカーブを示す。図の横軸は、相対ωを単位「°(度)」で示し、縦軸は、ZnO膜から回折されたX線の強度を単位「cps」で示す。相対ωとは、X線を照射した際、ZnO膜の(002)の結晶方位のピークが生じた位置を0°と定義し、その位置からの相対的角を意味する。また、ZnO膜に照射するX線の発生方法は、図8を用いて説明したのと等しい。
【0026】
a〜eのグラフは、サファイア基板9の温度を300℃、酸素ガスをラジカル化する際のRFパワーを190W、酸素ガス導入量を1sccm、窒素ガスをラジカル化する際のRFパワーを400W、窒素ガス導入量を0.2sccm、及びZnO膜(Zn)の成長速度1.5Å/sを共通条件として、サファイア基板9上にZnO膜を成膜した場合の、相対ωとX線強度との関係を示す。
【0027】
a、b、c、d及びeは、それぞれ原子化する水素ガスの導入量を、0sccm、0.2sccm、0.5sccm、1.0sccm及び2.0sccmとした場合のグラフである。また、fは、窒素のドーピングを行わず、窒素ガスをラジカル化する際のRFパワー及び窒素ガス導入量以外の条件を前記共通条件と等しくし、原子化する水素ガスの導入量を2.0sccmとして、ZnO膜を成長させた場合の相対ωとX線強度との関係を示すグラフである。
【0028】
a〜fのグラフの半値幅(FWHM)は、順に、1987arcsec、2265arcsec、1283arcsec、782arcsec、614arcsec、425arcsecであった。水素ガスの導入量が0.2sccmを超えると、水素ガスの導入量が大きくなるにつれ、半値幅が小さくなることがわかる。また、窒素のドーピングを行わない方が、行う場合に比べて、半値幅(FWHM)が小さくなることがわかる。
【0029】
このことから、水素ガスの導入量が0.2sccmを超える領域では、水素ガスの導入量が大きくなるにつれて、ZnOの結晶性が改善されること、また、窒素のドーピングを行わない方が、行う場合に比べて、結晶性が良化することがわかる。
【0030】
したがって、窒素をドーピングするZnO膜だけでなく、窒素をドーピングしないZnO膜についても、クラッキングされた水素を照射して供給しながら、ZnO膜を成長させることにより、ZnOの結晶性を向上させることができる。
【0031】
図4は、図2に、実線でωロッキングカーブを示したZnO膜表面を、AFMで観察したモホロジー像である。図9と比較すると明らかなように、基板に水素を照射して供給しながら成膜することによって、低温でも結晶化が進み、グレインサイズも増大している。
【0032】
上述のように、基板に水素を照射して供給しながらZnO膜を成長させると、基板表面での亜鉛原子のマイグレーションを促進させ、また、基板表面の亜鉛原子の運動エネルギを上昇させることによって、低い基板温度、たとえば500℃以下の基板温度であっても、幾何学的、電気的に結晶性の優れたZnO膜を形成することができる。結晶性の悪化を抑制しながら、成長温度(基板温度)の低温化を実現できるので、p型化に必要な高濃度の窒素ドープを行うことができる。
【0033】
ところで、ZnO中において、水素は、格子間に配位し、n型キャリアとして働くことが報告されている。そこで、水素を照射して供給しながら成長させたZnO膜の電気的特性を調べ、水素を照射(供給)しないで成長させたZnO膜のそれと比較した。
【0034】
まず、n型キャリア密度については、水素を照射して供給したZnO膜が、1.8×1017cm-3であり、照射(供給)しないZnO膜が、2.2×1017cm-3であった。また、ホール移動度については、水素を照射して供給したZnO膜が、110cm2/Vsであり、照射(供給)しないZnO膜が、44cm2/Vsであった。
【0035】
これからわかるように、水素を照射して供給しながらZnO膜を成長させた場合、前記報告にもかかわらず、n型キャリア密度の増大は確認されず、一方、ホール移動度の著しい改善(約2.5倍)が見られた。ホール移動度の改善は、ZnO膜の結晶化が促進されたことに起因していると考えられる。
【0036】
なお、第1の実施例においては、基板上にZnO膜を成長させたが、図1に示した製造装置に、更に、基板に他の元素を照射することのできるソースガンを加入し、たとえばZnMgO、ZnCdO、ZnSeO、ZnSO等のZnO系の結晶を製造することができる。
【0037】
第1の実施例による製造方法を用い、クラッキングされた水素を基板に照射して供給しながら成長させた、良質の結晶性を有するZnO系結晶を使用して、短波長(紫外線〜青色の波長)発光ダイオード(light−emitting diode,LED)及びその応用製品(たとえば、各インジケータ、LEDディスプレイ等)、白色LED及びその応用製品(たとえば、照明器具、各インジケータ、ディスプレイ、各表示器のバック照明等)等を製作することができる。
【0038】
図5は、第2の実施例によるZnO系LED製造方法に用いるZnO系結晶製造装置の概略図である。図5に示すZnO系結晶製造装置は、図1に示したZnO結晶製造装置に、ガリウム(Ga)ソースガン10及びマグネシウム(Mg)ソースガン11を新たに加入したものである。ガリウムソースガン10及びマグネシウムソースガン11は、それぞれガリウム及びマグネシウムを、ステージ8上に保持されたサファイア基板9上に照射することができる。その他の構成は、すべて図1に示したZnO結晶製造装置と等しい。
【0039】
以下、第2の実施例によるZnO系LED製造方法を説明する。まず、サファイア基板9を準備する。図5に示すZnO系結晶製造装置の外部で、リン酸と硫酸を1:3の割合で混合した溶液を110℃に加熱し、準備したサファイア基板9を、この溶液中で、60分間ウェットエッチングして洗浄する。その後、サファイア基板9をZnO系結晶製造装置内に保持する。サファイア基板9は、ステージ8上に保持される。サファイア基板9の温度を850℃にして、水素ソースガン5から出射される原子状水素を30分間照射し、表面処理を実施してドライ洗浄を行う。原子状水素を作製する際の水素ガンのフィラメント温度は、たとえば1800℃である。洗浄されたサファイア基板9に、必要に応じて、各ソースガンからビームを照射し、MBEにより、気相成長で成膜を行う。
【0040】
図6(A)〜(D)は、第2の実施例によるZnO系LED製造方法を説明するための概略的な断面図である。図6(A)を参照する。洗浄されたサファイア基板9上に、n型ZnOバッファ層21を形成する。厚さは、たとえばサファイア基板9のc面上には100Å、a面上には300Åである。成長温度400〜500℃で成長させる。
【0041】
次に、n型ZnOバッファ層21の表面上に、ガリウムをドーピングしたn型ZnO層22を形成する。厚さは1〜2μmで、ガリウムの密度は、1×1018cm-3以上である。成長温度600〜700℃で成長させる。
【0042】
続いて、n型ZnO層22表面上に、ガリウムを密度1×1018cm-3以上にドーピングしたn型ZnMgO層23を、成長温度350〜450℃で、厚さ3000〜6000Åまで成長させる。
【0043】
n型ZnMgO層23表面上に、ZnO/ZnMgO量子井戸層24を形成する。成長温度は350〜450℃であり、不純物は添加しない。ZnO/ZnMgO量子井戸層24については、後に詳述する。
【0044】
ZnO/ZnMgO量子井戸層24の表面上に、窒素をドーピングしたp型ZnMgO層25を形成する。厚さは1000〜3000Åで、窒素の密度は、1×1017cm-3以上である。成長温度350〜450℃で成長させる。
【0045】
最後に、p型ZnMgO層25の表面上に、窒素を密度1×1018cm-3以上にドーピングしたp型ZnO層26を、成長温度300〜500℃で、厚さ1000〜2000Åまで成長させる。p型ZnMgO層及びp型ZnO層は、500℃以下の低温で成長させることができる。
【0046】
図6(B)を参照する。ZnO/ZnMgO量子井戸層24は、ZnOで形成されるウエル層24wの表面上に、ZnMgOで形成されるバリア層24bが積層された構造を有する。
【0047】
図6(C)を参照する。また、ZnO/ZnMgO量子井戸層24は、ウエル層24wとバリア層24bとの積層構造が複数現れる多重量子井戸層であってもよい。
【0048】
図6(D)を参照する。上記の層形成(成膜)工程に続いて、電極を作製する。n型ZnOバッファ層21からp型ZnO層26までの各層が積層されたサファイア基板9を、ZnO系結晶製造装置から取り出し、レジスト膜もしくは保護膜等を設けて、所定のパタンの切り欠き窓(n型電極形成部)を有するエッチングマスクを形成する。その後、たとえばウェットエッチングやリアクティブイオンエッチで、切り欠き窓をn型ZnO層22が露出するまでエッチングする。n型ZnO層22表面に、たとえば厚さ20〜100Åのチタン層上に、3000〜5000Åのアルミニウム層が積層されたn型電極27を作製する。
【0049】
次に、n型電極27作製まで設けていたエッチングマスクを除去し、p型ZnO層26表面に、たとえば厚さ5〜10Åのニッケル層と、その表面上に形成される厚さ100Åの金層とが積層されたp型透明電極28を作製する。
【0050】
更に、p型透明電極28上に、たとえば厚さ5000Åの金で形成されたボンディング電極29を作製する。この後、たとえば700〜800℃の酸素雰囲気中で、電極合金化処理を行う。合金化処理時間は3〜10分である。以上のようにして、ZnO系LEDの製造を行う。
【0051】
第2の実施例によるZnO系LED製造方法中、ZnO系結晶製造装置内で、n型ZnOバッファ層21からp型ZnO層26までの各層を形成する際には、クラッキングされた水素をサファイア基板9に照射して供給しながら、MBEで層成長(成膜)を行わせる。殊に、バッファ層であるn型ZnOバッファ層21、p型不純物をドーピングする層であるp型ZnMgO層25、p型ZnO層26については、水素を照射して供給しながら層成長(成膜)を行わせることが好ましい。クラッキングされた水素を照射して供給しながら層成長(成膜)させることで、結晶性が良好なZnO系結晶を形成することができる。また、たとえば窒素が高濃度にドーピングされたp型ZnO系結晶の層を、低温で形成することができる。
【0052】
以上、実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。例えば、第1の実施例のZnO膜成長において、成長温度により最適な水素ガス導入量を考えることができること等、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者には自明であろう。
【0053】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、良好な結晶性を有するZnO結晶を製造することが可能なZnO結晶の製造方法を提供することができる。殊に、低温でも、良好な結晶性を有するZnO結晶を製造することが可能なZnO結晶の製造方法を提供することができる。また、良好な結晶性を有するZnO系結晶を形成する工程を含むZnO系LED製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施例によるZnO結晶の製造方法に使用するZnO結晶製造装置の概略図である。
【図2】サファイア基板上に、MBEで成長させたZnO膜のXRD法による(002)ωロッキングカーブを示す。
【図3】クラッキングされた水素の照射量を変化させながら、サファイア基板上に、MBEで成長させたZnO膜のXRD法による(002)ωロッキングカーブを示す。
【図4】ZnO膜表面を、原子間力顕微鏡で観察したモホロジー像である。
【図5】第2の実施例によるZnO系LED製造方法に用いるZnO系結晶製造装置の概略図である。
【図6】(A)〜(D)は、第2の実施例によるZnO系LED製造方法を説明するための概略的な断面図である。
【図7】窒素ドープされた(N−doped)ZnO層成長における、層中窒素濃度の成長温度依存性を示すグラフである。
【図8】サファイア基板上に、MBEで成長させたZnO膜のXRD法による(002)ωロッキングカーブを示す。
【図9】ZnO膜表面を、原子間力顕微鏡で観察したモホロジー像である。
【符号の説明】
1 超高真空容器
2 RHEEDガン
3 亜鉛ソースガン
4 水素ソースガン
5 酸素ソースガン
6 窒素ソースガン
7 RHEEDスクリーン
8 ステージ
9 サファイア基板
10 ガリウムソースガン
11 マグネシウムソースガン
21 n型ZnOバッファ層
22 n型ZnO層
23 n型ZnMgO層
24 ZnO/ZnMgO量子井戸層
24b バリア層
24w ウエル層
25 p型ZnMgO層
26 p型ZnO層
27 n型電極
28 p型透明電極
29 ボンディング電極
Claims (6)
- 少なくとも亜鉛(Zn)と酸素(O)とを基板上で反応させ、該基板上に酸化亜鉛(ZnO)結晶を、分子線エピタキシ(MBE)で成長させるZnO結晶の製造方法であって、前記ZnO結晶の成長時に、酸素の供給量の半分以上の水素を前記ZnO結晶が成長する部分に供給して基板表面での亜鉛原子のマイグレーションを促進させるZnO結晶の製造方法。
- 前記ZnO結晶の成長を500℃以下の温度で行う請求項1に記載のZnO結晶の製造方法。
- 更に、窒素を前記基板上に供給し、前記ZnO結晶に窒素をドーピングする請求項1または2に記載のZnO結晶の製造方法。
- (a)基板上に、n型ZnOバッファ層を形成する工程と、
(b)該n型ZnOバッファ層の表面上に、n型ZnO層を形成する工程と、
(c)該n型ZnO層表面上に、n型ZnMgO層を形成する工程と、
(d)該n型ZnMgO層表面上に、ZnO層とZnMgO層とが交互に積層されるZnO/ZnMgO量子井戸層を形成する工程と、
(e)該ZnO/ZnMgO量子井戸層表面上に、p型ZnMgO層を形成する工程と、
(f)該p型ZnMgO層表面上に、p型ZnO層を形成する工程と、
(g)前記n型ZnO層及び前記p型ZnO層上に電極を形成する工程と
を有するZnO系LEDの製造方法であって、前記工程(a)〜(f)における層形成は分子線エピタキシ(MBE)で行われ、前記工程(a)〜(f)のうち、前記工程(a)または(e)または(f)において、酸素の供給量の半分以上の水素を供給して基板表面での亜鉛原子のマイグレーションを促進させながら層形成を行うZnO系LEDの製造方法。 - 前記工程(e)または(f)において、p型不純物として窒素をドーピングする請求項4に記載のZnO系LEDの製造方法。
- 前記工程(e)または(f)を500℃以下の温度で行う請求項4または5に記載のZnO系LEDの製造方法。
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