JP4241245B2 - センサ装置 - Google Patents
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Description
ところが、メンブレンの膜厚を厚くすることは、熱伝導が大きくなるため熱分離が悪くなり、温度差が低下することにつながり、これによってサーモパイルの感度が低下する問題がある。この問題に対処するべく、メンブレン薄膜を厚くする分、薄膜材料を熱伝導の小さな材料にするということが考えられるが、この場合には、構造材料の変更に伴い新たな設計開発が必要となるため、多大なコストがかかってしまう問題がある。
また、後述するシミュレーション結果から製造工程での応力の集中領域を特定の領域に発生させて、そこを回避領域として形成することで検出部の配置形成を良好な品質で行うことができるようになる。
発明者らは、シミュレーションおよび実験結果から、製造工程で大きな応力発生が予想される領域が上記した回避領域に含まれることを求めた。そして、得られた回避領域を避けるように検出部を配置することで、破壊やクラック発生を極力抑制したセンサ装置を得ることができるようになることを見出した。
しかも、後述するシミュレーション結果から製造工程での応力の集中領域を特定の領域に発生させて、そこを回避領域として形成することでサーモパイルの配置形成を良好な品質で行うことができるようになる。
図1は赤外線センサのチップ11の上面図(a)とその模式的な断面図(b)を示すもので、チップ11はシリコン基板11aを加工して形成している。チップ11の表面にはメンブレン構造12を形成するための薄膜13が形成され、シリコン基板11aの裏面側をエッチングすることにより薄膜13部分が矩形状に露出するようにしてメンブレン構造12が形成されている。
また、メンブレン構造12の上のサーモパイル14には赤外線吸収膜17を覆うように形成しており、受けた赤外線をできるだけ反射や透過するのを少なくして熱の吸収率を高めるようにしている。サーモパイル14の両端部は、外部に電気的に接続するためのパッドとして出力端子14a,14bが形成されており、ボンディングワイヤやバンプなどを接続することができる大きさに設定されている。
Y=B/200 …(2)
ただし、回避領域16は各辺部の中央(サーモパイル14の形成領域であるC,Dの範囲は等しい寸法に設定されている)に位置するように形成されている。これは、シミュレーションの結果と実験結果とに基づいて、応力集中を起こす領域がこの位置となることを見出したものである。
上述の実験結果から、クラックの発生がメンブレン端(0μm)から3μm程度の範囲までが最も多く、少なくとも4.5μmまでの範囲で発生していることがわかった。この結果に基づいて、製造ばらつきなどを考慮して寸法Yの値を5μmが適切な寸法であると判断した。この寸法Yの値は、メンブレンサイズ1000μmの200分の1となっているので、前述の式(2)を設定する根拠となっている。
図中では、発生応力の等しい部分を等応力線で結んで示しており、右上部分と左下部分に応力が集中していることがわかった。これらの部分は、図4(b)では、メンブレン構造12の辺部の中央に位置する。そして、この結果から、回避領域16の寸法Xは、全体の幅寸法の15分の1程度であれば十分であることがわかり、前述の式(1)を設定する根拠とした。
また、このように回避領域16を設定することは、製造工程上で新規な工程が増えることはなくサーモパイル14のパターン変更のみで実施することができるので、工程変更などに伴うプロセス条件などの設計変更を必要とせず、また、製造コストの上昇を抑制することができるようになる。
Claims (2)
- メンブレン構造を有し、検出部により物理量を検出する構成のセンサ装置において、
前記メンブレン構造は矩形状を成す形状に形成され、当該メンブレン構造の各辺部の中央から内側に向けて、各辺の辺方向に沿った寸法をその辺の15分の1、各辺から内側に直交する方向への寸法を直行する辺部の長さ寸法の200分の1に回避領域が形成され、
前記検出部は、前記メンブレン構造の表面に形成される場合に前記回避領域を避けるようにパターンが配置されていることを特徴とするセンサ装置。 - 請求項1に記載のセンサ装置において、
前記検出部は、サーモパイルを設けることで赤外線を検知するように構成していることを特徴とするセンサ装置。
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JP2000337958A (ja) * | 1999-05-25 | 2000-12-08 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 抵抗変化型赤外線センサ |
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