JP4238984B2 - 負荷駆動ユニット - Google Patents

Description

本発明は、バッテリと負荷との間に設けられて、負荷電流をオンオフする機能と、バッテリが誤って逆向きに接続された際に負荷の保護を図る機能とを果たす負荷駆動ユニットに関するものである。

バッテリと負荷との間に設けられて、負荷電流のオンオフを行う負荷駆動ユニットにおいて、バッテリが逆向きに接続された際に負荷が駆動されないようにする場合には、特許文献１に従来例として示されているように、バッテリが正しく接続されているときに該バッテリから順方向に電圧が印加される向きのダイオードを、負荷電流制御用のスイッチ回路に対して直列に接続して、バッテリの出力電圧を該ダイオードとスイッチ回路とを通して負荷に印加するように回路を構成することが多かった。

ところが、このような構成では、全負荷電流がダイオードを通して流れるため、該ダイオードで、その順方向電圧と負荷電流との積により決まる大きな損失が生じ、該ダイオードでの発熱が多くなるという問題があった。

そこで、特許文献１に示された発明では、ドレインを共通に接続した状態で直列に接続された２つのＭＯＳＦＥＴにより負荷電流をオンオフするスイッチ回路を構成して、バッテリが正しく接続されている場合にのみ両ＭＯＳＦＥＴがオン状態になるように、ＭＯＳＦＥＴの駆動回路を構成している。

このように構成すれば、バッテリの逆接続時に流れる逆電流を阻止するために、損失が多いダイオードを用いる必要がないため、ユニット内で多くの発熱が生じるのを防ぐことができる。
特開平１１−１４６５５８号公報（図１、図３）

特許文献１に示されたように、負荷電流をオンオフするスイッチ回路を、ドレインが共通に接続された２つのＭＯＳＦＥＴにより構成した場合には、２つのＭＯＳＦＥＴをそれぞれ駆動するために個別に駆動回路を設ける必要があるため、回路構成が複雑になるのを避けられない。

また特許文献１に示された回路では、バッテリの充電回路等からサージ電圧が進入したときに、該サージ電圧がＭＯＳＦＥＴに印加されるため、各ＭＯＳＦＥＴとして耐電圧が高いものを用いる必要がある。耐電圧が高いＭＯＳＦＥＴはオン状態になった際のドレインソース間の抵抗（オン抵抗）が大きいため、各ＭＯＳＦＥＴとして耐電圧が高いものを用いた場合には、各ＭＯＳＦＥＴで多くの損失が生じるのを避けられず、ダイオードを廃してＭＯＳＦＥＴを用いたことの実を挙げることができない。

更に特許文献１に示された回路では、一方のＭＯＳＦＥＴを駆動するためにＬＥＤと光ダイオードとを用いているが、これらの素子は熱に弱いため、例えば自動車のエンジンルーム内のような、高温の環境下では使用することができない。高温の環境下でも使用できるようにするためには、バッテリ逆接続時にＭＯＳＦＥＴがオン状態になるのを阻止する機能を備えたＭＯＳＦＥＴの駆動回路を、熱に弱い素子を用いることなく構成できるようにする必要がある。

本発明の目的は、回路構成を複雑にすることなく、また熱に弱い素子を用いることなく、負荷電流をオンオフする機能と、バッテリ逆接続時の保護機能とを持たせることができるようにした負荷駆動ユニットを提供することにある。

本発明は、バッテリ（２）の正極端子及び負極端子がそれぞれ接続される正極側及び負極側バッテリ接続端子（３，４）と、負荷（７）が接続される１対の負荷接続端子（５，６）と、バッテリ接続端子（３，４）と負荷接続端子（５，６）との間に設けられてオン状態になったときにバッテリ接続端子（３，４）間の電圧を負荷接続端子（５，６）間に印加するスイッチ回路（１０）と、負荷（７）を駆動する際にスイッチ回路（１０）をオン状態にし、負荷を非駆動状態にするときにスイッチ回路（１０）をオフ状態にするスイッチ駆動回路とを備えた負荷駆動ユニットを対象とする。

本発明においては、１対の負荷接続端子（６，５）のうちの一方（５）が負極側バッテリ接続端子（４）に接続される。またスイッチ回路（１０）は、ドレインソース間に並列に接続された第１のダイオード（Ｄ1 ）を有してドレインが正極側バッテリ接続端子(３）に接続されたＰチャンネル形の第１のＭＯＳＦＥＴ（１０Ａ）と、ドレインソース間に並列に接続された第２のダイオード（Ｄ2 ）を有し、ソース及びゲートがそれぞれ第１のＭＯＳＦＥＴ（１０Ａ）のソース及びゲートに共通に接続されるとともにドレインが１対の負荷接続端子の他方（６）に接続されたＰチャンネル形の第２のＭＯＳＦＥＴ（１０Ｂ）とにより構成される。

またスイッチ駆動回路は、第１及び第２のＭＯＳＦＥＴ（１０Ａ及び１０Ｂ）のゲートの共通接続点と第１及び第２のＭＯＳＦＥＴ（１０Ａ及び１０Ｂ）のソースの共通接続点との間に接続された第１の抵抗器（１１）と、第１及び第２のＭＯＳＦＥＴ（１０Ａ及び１０Ｂ）のゲートの共通接続点に一端が接続されて第１の抵抗器（１１）に対して直列に接続された第２の抵抗器（１２）と、第２の抵抗器（１２）の他端と負極側バッテリ接続端子（４）との間に設けられて第１及び第２のＭＯＳＦＥＴ（１０Ａ及び１０Ｂ）をオン状態にする際にオン状態にされる制御用スイッチ（１３）と、バッテリ（２）が逆向きに接続されたときに第１及び第２の抵抗器（１１及び１２）と第２のダイオード（Ｄ2 ）とを通して電流が流れるのを阻止する逆流阻止用ダイオード(１４）とを備えている。

本発明においてはまた、正極側バッテリ接続端子（３）と負極側バッテリ接続端子（４）との間に、アノードが共通接続された対のツェナーダイオード（１９，２０）の直列回路からなる電圧制限回路が接続されている。

上記のように、ソースが共通に接続された２つのＭＯＳＦＥＴによりスイッチ回路を構成すると、２つのＭＯＳＦＥＴを同時に駆動する回路を簡単に構成することができるため、２つのＭＯＳＦＥＴを駆動する回路をそれぞれ個別に設ける場合に比べて回路構成を簡単にすることができる。またバッテリの逆接続時にＭＯＳＦＥＴに駆動信号が与えられるのを阻止する逆流阻止用ダイオードは、スイッチ駆動回路内に設けられていて、該ダイオードを通して大きな電流が流れることはないため、該ダイオードで大きな損失が生じて多くの発熱が生じることはない。

更にＭＯＳＦＥＴを駆動する回路は、熱に弱い発光素子を用いることなく、抵抗器とスイッチ素子とにより構成できるため、エンジンルーム内のような高温の環境下での使用にも耐え得る負荷駆動ユニットを容易に構成することができる。

また上記のように、正極側バッテリ接続端子と負極側バッテリ接続端子との間に、アノードが共通接続された対のツェナーダイオードの直列回路を接続しておくと、バッテリが正しく接続されているときも、バッテリが逆向きに接続されたときも、ＭＯＳＦＥＴに過大な電圧が印加されるのを防ぐことができるため、各ＭＯＳＦＥＴして耐圧が低い素子を用いることができる。耐圧が低いＭＯＳＦＥＴはオン抵抗が小さいため、各ＭＯＳＦＥＴで生じる損失を少なくして、発熱を少なくすることができる。

上記の構成では、各ＭＯＳＦＥＴとして、Ｐチャンネル形のものを用いたが、Ｎチャンネル形のものを用いることもできる。

スイッチ回路を構成するＭＯＳＦＥＴとしてＮチャンネル形のＭＯＳＦＥＴを用いる場合には、１対の負荷接続端子のうちの一方（５）を正極側バッテリ接続端子（３）に接続する。この場合、スイッチ回路（１０）は、ドレインソース間に並列に接続された第１のダイオード（Ｄ1 ）を有してドレインが負極側バッテリ接続端子（４）に接続された第１のＭＯＳＦＥＴ（１０Ａ）と、ドレインソース間に並列に接続された第２のダイオード（Ｄ2 ）を有し、ソース及びゲートがそれぞれ前記第１のＭＯＳＦＥＴ（１０Ａ）のソース及びゲートに共通に接続されるとともにドレインが１対の負荷接続端子の他方（６）に接続された第２のＭＯＳＦＥＴ（１０Ｂ）とにより構成する。

またスイッチ駆動回路は、第１及び第２のＭＯＳＦＥＴ（１０Ａ及び１０Ｂ）のゲートの共通接続点と第１及び第２のＭＯＳＦＥＴ（１０Ａ及び１０Ｂ）のソースの共通接続点との間に接続された第１の抵抗器（１１）と、第１及び第２のＭＯＳＦＥＴ（１０Ａ及び１０Ｂ）のゲートの共通接続点に一端が接続されて第１の抵抗器（１１）に対して直列に接続された第２の抵抗器（１２）と、第２の抵抗器（１２）の他端と正極側バッテリ接続端子（３）との間に設けられて第１及び第２のＭＯＳＦＥＴ（１０Ａ及び１０Ｂ）をオン状態にする際にオン状態にされる制御用スイッチ（１３）と、バッテリ（２）が逆向きに接続されたときに第１及び第２の抵抗器（１１及び１２）と第２のダイオード（Ｄ2 ）とを通して電流が流れるのを阻止する逆流阻止用ダイオード（１４）とにより構成し、正極側バッテリ接続端子（３）と負極側バッテリ接続端子（４）との間に、アノードが共通接続された対のツェナーダイオード（１９，２０）の直列回路からなる電圧制限回路を接続する。

以上のように、本発明によれば、スイッチ回路を構成する２つのＭＯＳＦＥＴを簡単な駆動回路により同時に駆動することができるため、スイッチ駆動回路の構成を簡単にしてコストの低減を図ることができる。

また本発明によれば、発光素子のような熱に弱い素子を用いることなく、スイッチ駆動回路を構成できるため、高温の環境下でも使用に耐える負荷駆動ユニットを簡単に構成することができる。

更に本発明によれば、耐圧が低く、オン抵抗が小さいＭＯＳＦＥＴを用いてスイッチ回路を構成することができるため、スイッチ回路で生じる損失を少なくすることができ、このことと、逆流阻止用ダイオードをスイッチ駆動回路内に設けて、該ダイオードで大きな損失が生じないようにしたこととが相俟って、ユニット内で生じる発熱を少なくすることができるという利点が得られる。

図１は本発明の一実施形態の構成を示した回路図で、同図において、１は、本発明に係わる負荷駆動ユニットである。負荷駆動ユニット１は、バッテリ２の正極端子及び負極端子がそれぞれ接続される正極側バッテリ接続端子３及び負極側バッテリ接続端子４と、１対の負荷接続端子５及び６とを有し、負荷接続端子５，６間に負荷７が接続されている。図示の例では、負極側バッテリ接続端子４と一方の負荷接続端子５とが接地回路を通して接続されている。バッテリ２の負極端子は負極側バッテリ接続端子４に直結され、正極端子は電源スイッチ８を通して正極側バッテリ接続端子３に接続されている。

１０は、負荷電流をオンオフするスイッチ回路で、スイッチ回路１０は、ドレインソース間に並列に接続された第１のダイオード（寄生ダイオード）Ｄ1を有してドレイン（Ｄ）が正極側バッテリ接続端子３に接続されたＰチャンネル形の第１のＭＯＳＦＥＴ１０Ａと、ドレインソース間に並列に接続された第２のダイオード（寄生ダイオード）Ｄ2を有し、ソース（Ｓ）及びゲート（Ｇ）がそれぞれ第１のＭＯＳＦＥＴ１０Ａのソース及びゲートに共通に接続されるとともにドレインが他方の負荷接続端子６に接続されたＰチャンネル形の第２のＭＯＳＦＥＴ１０Ｂとからなっている。

第１のＭＯＳＦＥＴ１０Ａ及び第２のＭＯＳＦＥＴ１０Ｂからなるスイッチ回路を駆動するスイッチ駆動回路は、第１及び第２のＭＯＳＦＥＴ１０Ａ及び１０Ｂのゲートの共通接続点と第１及び第２のＭＯＳＦＥＴのソースの共通接続点との間に接続された第１の抵抗器１１と、第１及び第２のＭＯＳＦＥＴのゲートの共通接続点に一端が接続されて第１の抵抗器１１に対して直列に接続された第２の抵抗器１２と、第２の抵抗器の他端と負極側バッテリ接続端子との間に設けられて第１及び第２のＭＯＳＦＥＴをオン状態にする際にオン状態にされる制御用スイッチ１３と、バッテリ２が逆向きに接続されたときに第１及び第２の抵抗器１１及び１２と第２のダイオード１０Ｂとを通して電流が流れるのを阻止する逆流阻止用ダイオード１４とを備えている。

図示の例では、エミッタが接地された（エミッタが負極側バッテリ接続端子４に接続された）ＮＰＮトランジスタＴＲ1と該トランジスタのベースに一端が接続された抵抗器Ｒ1と、トランジスタＴＲ1のベースエミッタ間に接続された抵抗器Ｒ２とにより制御用スイッチ１３が構成され、トランジスタＴＲ1のコレクタは、第２の抵抗器１２の他端に接続されている。また逆流阻止用ダイオード１４は、そのアノードを第１のＭＯＳＦＥＴ１０Ａのドレインに接続した状態で設けられ、該ダイオード１４のカソードとトランジスタＴＲ1のコレクタ（第２の抵抗器１２の他端）との間に第３の抵抗器１５が接続されている。またダイオード１４のカソードに第４の抵抗器１６を通してスイッチ１７の一端が接続され、スイッチ１７の他端はトランジスタＴＲ1のベース（制御用スイッチの制御端子）に抵抗器Ｒ１を通して接続されている。

またダイオード１４のカソードと接地間にコンデンサ１８が接続され、正極側バッテリ接続端子３と負極側バッテリ接続端子４との間に、アノードが共通接続された対のツェナーダイオード１９及び２０の直列回路からなる電圧制限回路が接続されている。ツェナーダイオード１９及び２０のそれぞれのツェナー電圧はバッテリ２の電圧（例えば１２Ｖ）よりも高く、かつ使用するＭＯＳＦＥＴの耐電圧（例えば３０〜６０Ｖ）よりは低い値に設定されている。
また図示の例では、ＭＯＳＦＥＴ１０Ａ及び１０Ｂのゲートの共通接続点とソースの共通接続点との間にカソードをソースの共通接続点に向けたツェナーダイオード２１が接続され、負荷接続端子５，６間には、アノードを接地側に向けたフライホイールダイオード２２が接続されている。

ツェナーダイオード２１は、ＭＯＳＦＥＴのゲートソース間に過大な電圧が印加されるのを防ぐために設けられている。またフライホイールダイオード２２は、負荷７が図示のように誘導負荷である場合に、電源の遮断により負荷に電圧が誘起した際に循環電流を流して該誘起電圧を吸収するために設けられている。

本実施形態では、抵抗器１１，１２，１５及び１６と、ツェナーダイオード２１と、ダイオード１４と制御用スイッチ１３とスイッチ１７とによりスイッチ駆動回路が構成されている。

図１に示した負荷駆動ユニットにおいて、負荷７を駆動する際には、電源スイッチ８を閉じた後、スイッチ１７を閉じて制御用スイッチ１３（トランジスタＴＲ1）がオン状態にする。バッテリが正しい向きに接続されている場合には、制御用スイッチ１３がオン状態になったときにバッテリ２からダイオードＤ1と抵抗器１１及び１２と制御用スイッチ１３とを通して電流が流れて抵抗器１１の両端に電圧が生じ、この電圧がＭＯＳＦＥＴ１０Ａ及び１０Ｂのゲートソース間に印加される。これによりＭＯＳＦＥＴ１０Ａ及び１０Ｂのゲートがソースに対して負電位にされて両ＦＥＴに駆動信号が与えられるため、両ＦＥＴがオン状態になり、バッテリ２からＦＥＴ１０Ａ及び１０Ｂと負荷７とを通して電流が流れる。スイッチ１７をオフ状態にすると、制御用スイッチ１３がオフ状態になって、ＭＯＳＦＥＴ１０Ａ及び１０Ｂのそれぞれのゲートの電位がソースの電位に等しくなるため、両ＦＥＴがオフ状態になり、負荷７に流れていた電流が遮断される。

バッテリ２が誤って逆方向に接続された場合には、逆流阻止用ダイオード１４が、逆接続されたバッテリからダイオード２２と、ダイオードＤ2と、抵抗器１１，１２及び１５とを通して電流が流れるのを阻止するため、ＭＯＳＦＥＴ１０Ａ及び１０Ｂに駆動信号が与えられることはなく、両ＦＥＴはオフ状態に保持される。従って、バッテリが逆向きに接続されたときに負荷に逆向きの電流が供給されて負荷が破壊されるのを防ぐことができる。

図１に示した負荷駆動ユニットにおいては、基本的には、抵抗器１１及び１２と制御用スイッチ１３とによりＭＯＳＦＥＴ１０Ａ及び１０Ｂに駆動信号を与える回路を構成することができるため、スイッチ駆動回路の構成を簡単にすることができる。

ＭＯＳＦＥＴにおいては、耐電圧とオン抵抗との間に図２に示したような関係があり、耐電圧が低い素子ほどオン抵抗が低くなっている。図１に示した負荷駆動ユニットにおいては、バッテリ接続端子３，４間にアノードが共通接続されたツェナーダイオード１９及び２０の直列回路からなる電圧制限回路が接続されていて、ＭＯＳＦＥＴ１０Ａ及び１０Ｂに印加される電圧が制限されているため、ＭＯＳＦＥＴ１０Ａ及び１０Ｂとして耐電圧が低く、オン抵抗が小さいものを用いることができる。従って、ＭＯＳＦＥＴ１０Ａ及び１０Ｂで生じる損失を少なくすることができ、これらのＦＥＴで生じる発熱を少なくすることができる。

図１に示した例において、コンデンサ１８は、スイッチ駆動回路に印加される電圧を安定にするために設けられているが、バッテリ接続端子３、４間に印加される電圧が安定している場合には、コンデンサ１８を省略することができる。

また、本発明においては、バッテリ接続端子３、４間に電圧制限回路が接続されているため、ＦＥＴ１０Ａ及び１０Ｂのゲートソース間に印加される電圧を制限するツェナーダイオード２１は省略することもできる。

上記の実施形態では、ＭＯＳＦＥＴ１０Ａ及び１０ＢとしてＰチャンネル形のものを用いたが、これらのＦＥＴとしてＮチャンネル形のものを用いることもできる。図３はＭＯＳＦＥＴ１０Ａ及び１０ＢとしてＮチャンネル形のものを用いた実施形態を示したもので、この実施形態では、一方の負荷接続端子５が正極側のバッテリ接続端子３に接続され、第１のＭＯＳＦＥＴ１０Ａのドレインが負極側バッテリ接続端子４に接続されている。また第２のＭＯＳＦＥＴ１０Ｂのドレインが他方の負荷接続端子６に接続され、制御用スイッチ１３は第２の抵抗器１２の他端と正極側バッテリ接続端子３との間に接続されている。

またこの例では、逆流阻止用ダイオード１４を第２の抵抗器１２の他端と第３の抵抗器１５との間に挿入することにより、バッテリが逆方向に接続された際に抵抗器１５，１２及び１１とダイオードＤ2とを通して電流が流れてＦＥＴ１０Ａ及び１０Ｂに駆動信号が与えられるのを阻止するようになっている。その他の構成は、図１に示した例と同様である。

図３に示した負荷駆動ユニットでは、スイッチ１７が閉じられて制御用スイッチ１３がオン状態になったときにバッテリ２から制御用スイッチ１３−抵抗器１２及び１１−ダイオードＤ1の経路で電流が流れ、抵抗器１１の両端に電圧が発生する。これによりＭＯＳＦＥＴ１０Ａ及び１０Ｂのゲートがソースに対して正電位になり、ＭＯＳＦＥＴ１０Ａ及び１０Ｂに駆動信号が与えられるため、両ＦＥＴがオン状態になり、バッテリ２から負荷７に駆動電流が与えられる。

バッテリ２が誤って逆向きに接続されたときには、逆流阻止ダイオード１４が、逆接続されたバッテリ２−抵抗器１５−抵抗器１２及び１１−ダイオードＤ2−ダイオード２２−バッテリ２の経路で電流が流れるのを阻止するため、ＭＯＳＦＥＴ１０Ａ、１０Ｂに駆動信号が与えられることがなく、両ＦＥＴはオフ状態に保持される。

上記の各実施形態では、スイッチ１７のオンオフにより制御用スイッチ１３をオンオフさせるようにしたが、スイッチ１７は、手動操作されるスイッチでも良く、リミットスイッチのような検出動作を行うスイッチでもよい。また制御用スイッチ１３は、マイクロコンピュータ等によりオンオフさせることもできる。

本発明の一実施形態の構成を示した回路図である。 ＭＯＳＦＥＴのオン抵抗と耐電圧との関係を示したグラフである。 本発明の他の実施形態の構成を示した回路図である。

符号の説明

１ 負荷駆動ユニット
２ バッテリ
３ 正極側バッテリ接続端子
４ 負極側バッテリ接続端子
５ 負荷接続端子
６ 負荷接続端子
７ 負荷
８ スイッチ
１０ スイッチ回路
１０Ａ 第１のＭＯＳＦＥＴ
１０Ｂ 第２のＭＯＳＦＥＴ
１１ 第１の抵抗器
１２ 第２の抵抗器
１３ 制御用スイッチ
１４ 逆流阻止用ダイオード

Claims (2)

1. バッテリ（２）の正極端子及び負極端子がそれぞれ接続される正極側及び負極側バッテリ接続端子（３，４）と、負荷（７）が接続される１対の負荷接続端子（５，６）と、前記バッテリ接続端子（３，４）と前記負荷接続端子（５，６）との間に設けられてオン状態になったときに前記バッテリ接続端子（３，４）間の電圧を前記負荷接続端子（５，６）間に印加するスイッチ回路（１０）と、前記負荷（７）を駆動する際に前記スイッチ回路（１０）をオン状態にし、前記負荷を非駆動状態にするときに前記スイッチ回路（１０）をオフ状態にするスイッチ駆動回路とを備えた負荷駆動ユニットにおいて、
   前記１対の負荷接続端子（６，５）のうちの一方（５）は前記負極側バッテリ接続端子（４）に接続され、
   前記スイッチ回路（１０）は、ドレインソース間に並列に接続された第１のダイオード（Ｄ1）を有してドレインが前記正極側バッテリ接続端子(３）に接続されたＰチャンネル形の第１のＭＯＳＦＥＴ（１０Ａ）と、ドレインソース間に並列に接続された第２のダイオード（Ｄ2 ）を有し、ソース及びゲートがそれぞれ前記第１のＭＯＳＦＥＴ（１０Ａ）のソース及びゲートに共通に接続されるとともにドレインが前記１対の負荷接続端子の他方（６）に接続されたＰチャンネル形の第２のＭＯＳＦＥＴ（１０Ｂ）とからなり、
   前記スイッチ駆動回路は、前記第１及び第２のＭＯＳＦＥＴ（１０Ａ及び１０Ｂ）のゲートの共通接続点と前記第１及び第２のＭＯＳＦＥＴ（１０Ａ及び１０Ｂ）のソースの共通接続点との間に接続された第１の抵抗器（１１）と、前記第１及び第２のＭＯＳＦＥＴ（１０Ａ及び１０Ｂ）のゲートの共通接続点に一端が接続されて前記第１の抵抗器（１１）に対して直列に接続された第２の抵抗器（１２）と、前記第２の抵抗器（１２）の他端と前記負極側バッテリ接続端子（４）との間に設けられて前記第１及び第２のＭＯＳＦＥＴ（１０Ａ及び１０Ｂ）をオン状態にする際にオン状態にされる制御用スイッチ（１３）と、前記バッテリ（２）が逆向きに接続されたときに前記第１及び第２の抵抗器（１１及び１２）と前記第２のダイオード（Ｄ2 ）とを通して電流が流れるのを阻止する逆流阻止用ダイオード(１４）とを備え、
   前記正極側バッテリ接続端子（３）と負極側バッテリ接続端子（４）との間に、アノードが共通接続された対のツェナーダイオード（１９，２０）の直列回路からなる電圧制限回路が接続されていること、
   を特徴とする負荷駆動ユニット。
2. バッテリ（２）の正極端子及び負極端子がそれぞれ接続される正極側及び負極側バッテリ接続端子（３，４）と、負荷（７）が接続される１対の負荷接続端子（５，６）と、前記バッテリ接続端子（３，４）と前記負荷接続端子（５，６）との間に設けられてオン状態になったときに前記バッテリ接続端子（３，４）間の電圧を前記負荷接続端子（５，６）間に印加するスイッチ回路（１０）と、前記負荷（７）を駆動する際に前記スイッチ回路（１０）をオン状態にし、前記負荷を非駆動状態にするときに前記スイッチ回路（１０）をオフ状態にするスイッチ駆動回路とを備えた負荷駆動ユニットにおいて、
   前記１対の負荷接続端子のうちの一方（５）は前記正極側バッテリ接続端子（３）に接続され、
   前記スイッチ回路（１０）は、ドレインソース間に並列に接続された第１のダイオード（Ｄ1 ）を有してドレインが前記負極側バッテリ接続端子（４）に接続されたＮチャンネル形の第１のＭＯＳＦＥＴ（１０Ａ）と、ドレインソース間に並列に接続された第２のダイオード（Ｄ2 ）を有し、ソース及びゲートがそれぞれ前記第１のＭＯＳＦＥＴ（１０Ａ）のソース及びゲートに共通に接続されるとともにドレインが前記１対の負荷接続端子の他方（６）に接続されたＮチャンネル形の第２のＭＯＳＦＥＴ（１０Ｂ）とからなり、
   前記スイッチ駆動回路は、前記第１及び第２のＭＯＳＦＥＴ（１０Ａ及び１０Ｂ）のゲートの共通接続点と前記第１及び第２のＭＯＳＦＥＴ（１０Ａ及び１０Ｂ）のソースの共通接続点との間に接続された第１の抵抗器（１１）と、前記第１及び第２のＭＯＳＦＥＴ（１０Ａ及び１０Ｂ）のゲートの共通接続点に一端が接続されて前記第１の抵抗器（１１）に対して直列に接続された第２の抵抗器（１２）と、前記第２の抵抗器（１２）の他端と前記正極側バッテリ接続端子（３）との間に設けられて前記第１及び第２のＭＯＳＦＥＴ（１０Ａ及び１０Ｂ）をオン状態にする際にオン状態にされる制御用スイッチ（１３）と、前記バッテリ（２）が逆向きに接続されたときに前記第１及び第２の抵抗器（１１及び１２）と前記第２のダイオード（Ｄ2 ）とを通して電流が流れるのを阻止する逆流阻止用ダイオード（１４）とを備え、
   前記正極側バッテリ接続端子（３）と負極側バッテリ接続端子（４）との間に、アノードが共通接続された対のツェナーダイオード（１９，２０）の直列回路からなる電圧制限回路が接続されていること、
   を特徴とする負荷駆動ユニット。

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