JP4238694B2 - 半導体ウエハおよび半導体チップの製造方法 - Google Patents

半導体ウエハおよび半導体チップの製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、電子素子、電子素子の製造方法、回路基板、回路基板の製造方法、電子装置及び電子装置の製造方法に関する。
図９に示すように、電極６２を有する回路基板６０上に電子素子５７を実装する方法にフリップチップ方式がある。フリップチップ方式では、電子素子５７の表面にバンプ５６を設けて、回路基板６０に対してバンプ５６を介して電子素子５７を搭載することにより、回路基板６０に電子素子５７を実装するものである。電子素子５７には、表面に電極５２と、電極５２に電気的に接続されたバンプ５６と、電子素子５７と電極５２との表面を保護する絶縁膜５３が形成されている。
しかしながら、近年、電子素子５７が小型化、高集積化しており、それに伴いバンプ５６間の距離が短くなってきている。また、バンプ５６は、回路基板６０と電子素子５７の本体との間に一定の間隔を確保するために、ある程度高さを有する。
電子素子５７には、回路基板６０への実装後に封止されるまでは、絶縁膜５３上のバンプ５６間は樹脂等で絶縁されていない。このため、バンプ５６間の距離が短い電子素子５７の絶縁膜５３上で、バンプ５６を構成する金属のマイグレーションが起こり、バンプ５６間でショートが起こるおそれがある。また、電子素子５７を回路基板６０に実装する際には、バンプ５６が横方向に潰れやすく、バンプ５６間がさらにショートしやすくなるおそれもある。従って、図９に示す構造の電子素子５７の場合、電子素子５７の信頼性が低下する場合がある。
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、電子素子、回路基板及び電子装置の信頼性を高めることができる電子素子、電子素子の製造方法、回路基板、回路基板の製造方法、電子装置及び電子装置の製造方法を提供することができるようにするものである。
本発明の半導体ウエハの製造方法によれば、半導体集積回路と、前記半導体集積回路を切断するスクライブ領域と、を含む半導体ウエハの製造方法であって、前記半導体集積回路と、その表面に設けられ前記半導体集積回路に電気的に接続した第１の電極と、前記スクライブ領域に形成された素子と、前記表面に設けられ前記スクライブ領域の素子と電気的に接続した第２の電極を形成する工程、前記表面に設けられ、前記第１の電極上に第１の開口部を有するとともに、前記第２の電極上に第２の開口部を有する第１の絶縁膜を形成する工程、前記第２の開口部上にレジスト膜を形成する工程、前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する工程、前記第２の絶縁膜を除去して、前記第１の開口部上に第３の開口部を形成するとともに、前記第２の開口部上に前記レジスト膜を残して第４の開口部を形成する工程、前記第１の電極に電気的に接続するバンプを形成する工程、前記第２の開口部上のレジスト膜を除去する工程、を備えることを特徴とする。
また、本発明の半導体チップの製造方法は、前記半導体ウエハのスクライブ領域を切断することにより形成されることを特徴とする。
これにより、スクライブ領域上に電極が形成されている場合においても、電極上にバンプが形成されないようにすることができる。このため、基板の切断時にスクライブ領域上のバンプが飛び散ることを防止することが可能となり、基板上の電子素子に損傷が及ぶことを防止することができる。
以下、本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の電子素子又は回路基板の一実施の形態を示す図、図２は、本発明の電子素子又は回路基板の製造方法の一実施の形態を説明するための工程図、図３は、本発明の電子装置及びその製造方法を説明するための図である。
図１（ａ）〜（ｃ）に示す電子素子又は回路基板は、表面に電極２と電極２上に第１の開口部８を有する第１の絶縁膜３を含む基板１（１ａ）の表面に、第１の絶縁膜３よりも厚く設けられた第２の絶縁膜４が設けられている。第２の絶縁膜４には、第１の開口部８を有する。第２の開口部５は、第１の開口部８の上方に位置する。第１の開口部８及び第２の開口部５内に、電極２に電気的に接続するバンプ６が設けられる。
基板１（１ａ）は、内部に半導体集積回路を有しているチップ１ａ又はウエハ１であってもよい。基板１（１ａ）は、半導体基板を含んでもよい。また、基板１（１ａ）は、絶縁性基材と絶縁性基材上に電極２を有する基板であってもよい。基板１（１ａ）は、表面に電極２を有する。電極２は、導電材料からなり、内部の半導体集積回路に、内部配線を介して、電気的に接続している。内部配線は、内部配線間に設けられた層間絶縁膜により絶縁されている。たとえば、内部配線及び電極２は銅やアルミ等の導電材料からなる。この場合には、電極２は、層間絶縁膜の最表層上に位置することとなる。電極２上には、電極２上に第１の開口部８を有する第１の絶縁膜３が設けられている。電極２の表面が、第１の開口部８内で第１の絶縁膜３から露出して設けられている。第１の絶縁膜３は、少なくとも一部が電極２に被着していてもよい。
第２の絶縁膜４には、少なくとも電極２上に第２の開口部５が設けられている。第２の開口部５は、少なくとも第１の開口部８の上方に位置している。第１の開口部８と第２の開口部５とは、連続して設けられていてもよい。基板１（１ａ）上には、第１の絶縁膜３上に第２の絶縁膜４が設けられている。第２の絶縁膜４は、第１の絶縁膜３に被着していてもよい。図１に示すとおり、第２の開口部５の開口面積は第１の開口部８の開口面積よりも大きくてもよい。この場合、第１の開口部８外の第１の絶縁膜３上に、バンプ６の少なくとも一部を設けることができる。第１の絶縁膜３とバンプ６の界面から、電極２にめっき液等の不純物が侵入しにくくなる。また、第２の開口部５の開口面積は、第１の開口部８の開口面積と同じか、第１の開口部８の開口面積よりも小さくてもよい。また、第１の開口部８及び第２の開口部５の少なくともいずれか一方は、開口部の側面が傾斜して設けられていてもよい。
第１の絶縁膜３が無機物からなるとき、第２の絶縁膜４は樹脂からなるものであってもよい。たとえば、第１の絶縁膜３はシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等から形成されてなり、第２の絶縁膜４はポリイミド樹脂やポリエチレンテレフタレート樹脂等から形成されてなる。第２の絶縁膜４は、感光性樹脂から構成されるものであってもよい。
バンプ６は、第１の開口部８と第２の開口部５内に形成されている。バンプ６は、電極２に電気的に接続する。バンプ６は、第１の開口部８外の第１の絶縁膜３上と第１の開口部８内とに設けられていてもよい。バンプ６は側面と、電極２側の底面と、底面と対向する側の先端部と、を有する。バンプ６は、単層又は複数層の導電層からなる。導電層は、金、ニッケル、錫、鉛等の金属、金−錫合金等の合金、窒化チタン等の金属化合物、銀ペースト等の導電ペースト、その他公知の材料を用いることができる。導電層の少なくとも一層は、無電解めっき法で形成されてもよい。
第１の絶縁膜３から露出したバンプ６の側面には、少なくとも一部が第２の絶縁膜４によって覆われている。図１（ｂ），（ｃ）に示すように、第２の絶縁膜４と第１の絶縁膜３によって、バンプ６の全側面が覆われてもよいし、図１（ａ）に示すように、一部が覆われてもよい。
バンプ６の先端部が、図１（ａ）に示すように、第２の絶縁膜４の表面から突出もよい。バンプ６の先端部は、図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、平面になっていてもよい。この場合、図１（ｂ）に示すように、バンプ６の先端部は、第２の絶縁膜４の表面と面一になっていてもよい。バンプ６の先端部は、一部が凸状又は凹状になっていてもよい。バンプの先端部６は、平面でなくともよい。また、バンプ６は、図１（ｃ）に示すように、第２の絶縁膜４の表面に対して、バンプ６の先端部が凹んで設けられていてもよい。
次に、このような構成の電子素子又は回路基板の製造方法について説明する。
まず、図２（ａ）に示すように、複数の電極２と、電極２上に第１の開口部８を有する第１の絶縁膜３と、を有する基板１を用意する。基板１は、ウエハであってもよいし、絶縁性の基材上に電極２を有する基板であってもよい。第１の絶縁膜３は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等の無機物からなるものであってもよい。
次いで、図２（ｂ）に示すように、その第１の絶縁膜３上に、第２の絶縁膜４を第１の絶縁膜３よりも厚く形成し、それぞれの電極２上の第２の絶縁膜４に第２の開口部５を形成する。第２の絶縁膜４に第２の開口部５を形成するに際しては、ドライエッチング又はウェットエッチングを用いてもよい。また、第２の絶縁膜４が感光性樹脂からなる場合、感光させて現像をすることにより、第２の開口部５を設けてもよい。
次いで、図２（ｃ）に示すように、その第２の開口部５により露出する第１の絶縁膜３の少なくとも一部を除去して、第２の開口部５内の第１の絶縁膜３に第１の開口部８を形成する。この場合、第２の開口部５の開口面積より小さい開口部を有するマスクを用いて、第１の開口部８を設けてもよい。第１の開口部８は、ウェットエッチングやドライエッチングにより形成してもよい。第１の開口部８は、電極２の表面の少なくとも一部を露出させる。この後、めっき法によってバンプ６を形成する場合には、基板１を図示しないめっき槽内の所定の温度のめっき液に所定時間浸漬すると、電極２上に導電層が析出される。すなわち、第２の絶縁膜４の第２の開口部５の形状に沿った所定の高さのバンプ６が形成される。バンプ６の形成は、無電解めっき法により行ってもよい。
次いで、図２（ｄ）に示すように、第２の絶縁膜４は、第２の絶縁膜４の少なくとも一部を第１の絶縁膜３上に残して、第２の絶縁膜４を厚み方向に除去してもよい。この場合、図１（ａ）に示したように、バンプ６の先端部が第２の絶縁膜４の表面より突出するように第２の絶縁膜４をエッチングしてもよい。
ここで、たとえば図１（ｂ）に示した電子素子７を形成する場合には、図２（ｄ）において、バンプ６の先端部が第２の絶縁膜４の表面と面一となるように第２の絶縁膜４をエッチングする。また、たとえば図１（ｃ）に示した電子素子７を形成する場合には、図２（ｄ）において、バンプ６の先端部が第２の絶縁膜４の表面より低くなる（凹む）ように第２の絶縁膜４をエッチングする。この場合、図１（ａ）や（ｂ）に記載されたものと異なり、第２の絶縁膜４は少量除去されるか、除去されずに済むので、製造工程時間の短縮を図ることができる。
その後、図２（ｅ）に示すように、基板１を切断してもよい。これにより、たとえば、図１（ａ）〜（ｃ）に示したような、バンプ６と個片化された基板１ａとを有する複数の電子素子７又は回路基板７が形成される。基板１の切断は、図のような切断治具１４Ａを用いて、ダイシング、スクライビング又は打ち抜き等によって行うことができる。切断工程においては、基板１の裏面に、テープ１３を設けて、切断を行ってもよい。
次に、本発明の一実施態様に係る電子装置の製造方法について説明する。
まず、図３（ａ）に示す電子装置は、図１（ａ）及び（ｂ）の電子素子７のバンプ６が回路基板１０の電極１１にフェースダウンボンディング法を用いて電気的に接続され、実装される状態を示している。ここで、回路基板１０は、基材１２と基材１２上に設けられた電極１１とを有する。電極１１は、ランドに電気的に接続されたリード線と、リード線を覆う絶縁膜とを含んでもよい。回路基板１０として、ＴＡＢ用の回路基板を用いてもよい。バンプ６と電極１１とは、接着剤接合、金属接合等の公知の方式で接合されていてもよい。
図１（ａ）の電子素子７を回路基板１０に接着剤接合を用いて実装する場合には、たとえば回路基板１０の表面に異方性導電接着剤、絶縁性接着剤等の接着剤を設ける。この接着剤を介して、電子素子７のバンプ６を回路基板１０の電極１１に位置合せした後、熱圧着することにより電子素子７のバンプ６と基板１０ａの電極１１とを接合する。さらに、電子素子７をエポキシ樹脂等によってモールドして封止するようにしてもよい。
電子素子７を回路基板１０に金属接合によって実装する場合には、例えば、バンプ６を構成する導電材料よりも低融点の低融点金属層１４をバンプ６の先端部に設けて接合をしてもよい。回路基板１０の電極１１上にバンプ６を構成する導電材料よりも低融点の低融点金属層１４を設けてもよい。電子素子７のバンプ６を、回路基板１０の電極１１に低融点金属層１４を介して位置合せし、加熱することにより電子素子７のバンプ６と回路基板１０の電極１１とを接合する。この後、樹脂を電子素子７と回路基板１０の間に封入して、封止してもよい。
次に、図３（ｂ）に示す電子装置は、図１（ｃ）の電子素子７のバンプ６が回路基板１０の電極１１にワイヤボンディング法を用いて電気的に接続され、実装される状態を示している。図１（ｃ）の電子素子７を回路基板１０に実装する場合には、回路基板１０に、電子素子７のバンプ６が設けられていない面を固着し、バンプ６と電極１１との間を金属ワイヤ１５により接続する。さらに、電子素子７をエポキシ樹脂等によってモールドして封止するようにしてもよい。
図４は、本発明の第２実施形態に係る電子素子の製造方法を示す断面図である。
図４（ａ）において、パッド電極１０２が形成された基板１０１には第１の絶縁膜１０３が形成され、第１の絶縁膜１０３にはパッド電極１０２の表面を露出させる開口部１０８が形成されている。なお、基板１０１にはトランジスタなどの能動素子またはキャパシタなどの受動素子を形成することができる。また、第１の絶縁膜１０３は、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜またはポリイミド膜などを用いることができる。
次に、図４（ｂ）に示すように、第１の絶縁膜１０３が形成された基板１０１上に第２の絶縁膜１０４を形成する。なお、第２の絶縁膜１０４としては、例えば、感光性樹脂層を用いることができ、スピンコート、カーテンコート、スクリーン印刷、インクジェット法などを用いて感光性樹脂層を形成することができる。そして、例えば、第２の絶縁膜１０４の露光・現像を行うことにより、パッド電極１０２上に開口部１０５を形成するとともに、スクライブラインＳＬを露出させる開口部１１５を第２の絶縁膜１０４に形成する。
次に、図４（ｃ）に示すように、無電解メッキを用いることにより、パッド電極１０２に接続されたバンプ１０６を開口部１０５内に形成する。なお、バンプ１０６としては、例えば、ニッケルＮｉ、金Ａｕ、銅Ｃｕ、半田などを用いることができる。
また、無電解メッキとしては、例えば、パッド電極１０２がアルミニウムＡｌで構成され、バンプ１０６としてニッケルＮｉを用いる場合、アルカリ性亜鉛溶液を用いて、パッド電極１０２にジンケート処理を施し、パッド電極１０２の表面に亜鉛Ｚｎを置換・析出させる。
そして、表面が亜鉛Ｚｎに置換されたパッド電極１０２を無電解ニッケルメッキ液に浸すことで、亜鉛ＺｎとニッケルＮｉとを置換させ、ニッケルＮｉで構成されるバンプ１０６をパッド電極１０２上に形成することができる。
また、ジンケート処理とは別の方法として、例えば、アルミニウムＡｌからなるパッド電極１０２をパラジウムなどの還元剤を含む溶液に浸した後、無電解ニッケルメッキ液に浸すことで、パラジウムなどを核として、ニッケルＮｉで構成されるバンプ１０６をパッド電極１０２上に析出させることもできる。
次に、図４（ｄ）に示すように、第２の絶縁膜１０４を薄膜化することにより、第２の絶縁膜１０４上にバンプ１０６を突出させる。なお、第２の絶縁膜１０４を薄膜化する工程は省略してもよい。
次に、図４（ｅ）に示すように、バンプ１０６が形成された基板１０１をスクライブラインＳＬに沿って切断することにより、バンプ１０６が形成された基板１０１をチップ化する。なお、基板１０１の切断は、図のような切断治具１４Ａを用いて、ダイシング、スクライビング又は打ち抜き等によって行うことができる。また、切断工程においては、基板１０１の裏面にテープ１１３を設けて、切断を行ってもよい。
これにより、バンプ１０６の周囲に第２の絶縁膜を１０４設けた場合においても、第２の絶縁膜１０４が基板１０１の切断の邪魔になることを防止することができ、バンプ１０６間でのマイグレーションの発生を抑制することを可能としつつ、基板１０１の切断を円滑に行うことが可能となる。
図５は、本発明の第３実施形態に係る電子素子の製造方法を示す断面図である。
図５（ａ）において、基板１２１にはパッド電極１２２が形成されるとともに、基板１２１のスクライブラインＳＬ上にはモニタ用電極１３２が形成されている。そして、パッド電極１２２およびモニタ用電極１３２が形成された基板１２１には第１の絶縁膜１２３が形成されている。そして、第１の絶縁膜１２３には、パッド電極１２２の表面を露出させる開口部１２８が形成されるとともに、モニタ用電極１３２を露出させる開口部１３８が形成されている。なお、基板１２１にはトランジスタなどの能動素子またはキャパシタなどの受動素子を形成することができる。
次に、図５（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー技術を用いることにより、モニタ用電極１３２を覆うレジスト層１２９を基板１２１上に形成する。
次に、図５（ｃ）に示すように、第１の絶縁膜１２３が形成された基板１２１上に第２の絶縁膜１２４を形成する。なお、第２の絶縁膜１２４としては、例えば、感光性樹脂層を用いることができる。そして、例えば、第２の絶縁膜１２４の露光・現像を行うことにより、パッド電極１２２上に開口部１２５を形成するとともに、スクライブラインＳＬを露出させる開口部１１５を第２の絶縁膜１２４に形成する。
次に、図５（ｄ）に示すように、無電解メッキを用いることにより、パッド電極１２２に接続されたバンプ１２６を開口部１２５内に形成する。ここで、モニタ用電極１３２をレジスト層１２９で覆ってから無電解メッキを行うことにより、モニタ用電極１３２上にバンプが形成されることを防止することができる。
次に、図５（ｅ）に示すように、全面のエッチングを行うことにより、第２の絶縁膜１２４を薄膜化し、第２の絶縁膜１２４上にバンプ１２６を突出させるとともに、モニタ用電極１３２を覆うレジスト層１２９を除去する。
次に、図５（ｆ）に示すように、バンプ１２６が形成された基板１２１をスクライブラインＳＬに沿って切断することにより、バンプ１２６が形成された基板１２１をチップ化する。なお、基板１２１の切断は、図のような切断治具１４Ａを用いて、ダイシング、スクライビング又は打ち抜き等によって行うことができる。また、切断工程においては、基板１２１の裏面にテープ１３３を設けて、切断を行ってもよい。
これにより、スクライブラインＳＬ上にモニタ用電極１３２が形成されている場合においても、モニタ用電極１３２上にバンプが配置された状態で、基板１２１の切断が行われることを防止することができる。このため、基板１２１の切断時にモニタ用電極１３２上のバンプが飛び散ることを防止することが可能となり、基板１２１上の電子素子に損傷が及ぶことを防止することができる。
図６は、本発明の第４実施形態に係る電子素子の製造方法を示す断面図である。
図６（ａ）において、パッド電極１４２が形成された基板１４１には第１の絶縁膜１４３が形成され、第１の絶縁膜１４３にはパッド電極１４２の表面を露出させる開口部１４８が形成されている。なお、基板１４１にはトランジスタなどの能動素子またはキャパシタなどの受動素子を形成することができる。
次に、図６（ｂ）に示すように、例えば、無電解メッキ、スパッタまたは蒸着などにより、パッド電極１４２を含む第１の絶縁膜１４３上にシード電極１４９を形成する。なお、シード電極１４９としては、例えば、ニッケルＮｉ、クロムＣｒ、チタンＴｉ、タングステンＷなどの導電材料を用いることができる。ここで、シード電極１４９は、パッド電極１４２ごとに分離されるように構成することができる。
図７は、図６のシード電極の概略構成を示す平面図である。
図７において、ウェハＷには、スクライブラインＳＬが設けられるとともに、給電電極１５０が設けられている。そして、スクライブラインＳＬで区画された各チップ領域には、パッド電極１４２ごとに分離されたシード電極１４９が設けられている。そして、各パッド電極１４２上のシード電極１４９はスクライブラインＳＬ上に延伸され、スクライブラインＳＬを介して給電電極１５０に接続されている。
次に、図６（ｃ）に示すように、シード電極１４９が形成された基板１４１上に第２の絶縁膜１４４を形成する。なお、第２の絶縁膜１４４としては、例えば、感光性樹脂層を用いることができる。そして、例えば、第２の絶縁膜１４４の露光・現像を行うことにより、パッド電極１４２に接続されたシード電極１４９上に開口部１４５を形成する。
次に、図６（ｄ）に示すように、シード電極１４９をメッキリードとした電解メッキを行うことにより、シード電極１４９に接続されたバンプ１４６を開口部１４５内に形成する。なお、バンプ１４６としては、例えば、ニッケルＮｉ、金Ａｕ、銅Ｃｕなどを用いることができる。また、バンプ１４６を開口部１４５内に形成する場合、バンプ１４６が開口部１４５内に沈み込むようにしてもよいし、第２の絶縁膜１４４上に盛り上がるようにしてもよい。
次に、図６（ｅ）に示すように、第２の絶縁膜１４４を薄膜化することにより、第２の絶縁膜１４４上にバンプ１４６を突出させる。なお、第２の絶縁膜１４４を薄膜化する工程は省略してもよい。
次に、図６（ｆ）に示すように、バンプ１４６が形成された基板１４１をスクライブラインＳＬに沿って切断することにより、バンプ１４６が形成された基板１４１をチップ化する。なお、基板１４１の切断は、図のような切断治具１４Ａを用いて、ダイシング、スクライビング又は打ち抜き等によって行うことができる。また、切断工程においては、基板１４１の裏面にテープ１５３を設けて、切断を行ってもよい。
ここで、シード電極１４９をパッド電極１４２ごとに分離してから、第２の絶縁膜１４４を形成することにより、パッド電極１４２の周囲に第２の絶縁膜１４４が連続的に形成された場合においても、パッド電極１４２同士が互いにショートしたままの状態になることを防止することができる。
また、スクライブラインＳＬを介してシード電極１４９を給電電極１５０に接続することにより、シード電極１４９をパッド電極１４２ごとに分離した場合においても、シード電極１４９に給電することが可能となる。このため、パッド電極１４２に接続されたバンプ１４６を電解メッキにて形成することが可能となり、バンプ１４６間のマイグレーション耐性を向上させることを可能としつつ、バンプ１４６を効率よく形成することが可能となる。
図８は、本発明の第５実施形態に係る電子素子の製造方法を示す断面図である。
図８（ａ）において、パッド電極１６２が形成された半導体チップ１６１には第１の絶縁膜１６３が形成され、第１の絶縁膜１６３にはパッド電極１６２の表面を露出させる開口部１６４が形成されている。なお、半導体チップ１６１にはトランジスタなどの能動素子またはキャパシタなどの受動素子を形成することができる。また、第１の絶縁膜１６３は、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜またはポリイミド膜などを用いることができる。
また、半導体チップ１６１上には、パッド電極１６２が露出するようにして応力緩和層１６５が形成され、パッド電極１６２には、応力緩和層１６５上に延伸された再配置配線１６６が接続されている。
なお、応力緩和層１６５としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などを用いることができ、特に、応力緩和機能を付加しつつ、ハンダ溶融時の耐熱性を持たせるためには、オレフィン系のポリイミド樹脂を用いることが好ましい。また、再配置配線１６６は、例えば、ＴｉＷスパッタ配線層、Ｃｕスパッタ配線層およびＣｕメッキ配線層の３層構造から構成することができる。
次に、図８（ｂ）に示すように、再配置配線１６６が形成された半導体チップ１６１上に第２の絶縁膜１６７を形成する。なお、第２の絶縁膜１６７としては、例えば、感光性樹脂層を用いることができ、スピンコート、カーテンコート、スクリーン印刷、インクジェット法などを用いて感光性樹脂層を形成することができる。そして、例えば、第２の絶縁膜１６７の露光・現像を行うことにより、再配置配線１６６上に開口部１６８を形成する。
次に、図８（ｃ）に示すように、例えば、無電解メッキを用いることにより、再配置配線１６６に接続されたバンプ１６９を開口部１６８内に形成する。なお、バンプ１６９としては、例えば、ニッケルＮｉ、金Ａｕ、銅Ｃｕ、半田などを用いることができる。また、第２の絶縁膜１６７を形成する前に、パッド電極１６２に接続されたシード電極を形成し、シード電極をメッキリードとした電解メッキにてバンプ１６９を形成するようにしてもよい。
次に、図８（ｄ）に示すように、第２の絶縁膜１６７を薄膜化することにより、第２の絶縁膜１６７上にバンプ１６９を突出させる。なお、第２の絶縁膜１６７を薄膜化する工程は省略してもよい。
これにより、チップサイズを増大させることなく、パッド電極１６２の配置位置を変換することが可能となるとともに、バンプ１６９間のマイグレーション耐性を向上させることを可能となり、電子素子の信頼性の向上を図りつつ、電子素子の小型化を達成することが可能となる。
本発明の電子素子の一実施の形態を示す図である。 図１（ａ）〜（ｃ）の電子素子の製造方法を説明するための工程図。 本発明の電子装置の一実施の形態を示す図である。 本発明の第２実施形態に係る電子素子の製造方法を示す断面図である。 本発明の第３実施形態に係る電子素子の製造方法を示す断面図である。 本発明の第４実施形態に係る電子素子の製造方法を示す断面図である。 図６のシード電極の概略構成を示す平面図である。 本発明の第５実施形態に係る電子素子の製造方法を示す断面図である。 従来の電子素子を示す工程図である。
符号の説明
１（１ａ）、１０１、１２１、１４１ 基板、２、１１、１０２、１２２、１３２、１４２、１６２ 電極、３、１０３、１２３、１４３、１６３ 第１の絶縁膜、４、１０４、１２４、１４４、１６７ 第２の絶縁膜、５、１０５、１２５、１４５、１６８ 第２の開口部、６、１０６、１２６、１４６、１６９ バンプ、７、１０７、１２７、１４７ 電子素子、８、１０８、１２８、１４８、１６４ 第１の開口部、１０ 回路基板、１３、１１３、１３３、１５３ テープ、１４ 低融点金属層、１５ 金属ワイヤ、１１５、１３８ 第３の開口部、１２９ 第３の絶縁膜、１３５ 第４の開口部、１４９ シード電極、Ｗ ウェハ、ＳＬ スクライブライン、１５０ 給電端子、１６１ 半導体チップ、１６５ 応力緩和層、１６６ 再配置配線

Claims (2)

  1. 半導体集積回路と、
    前記半導体集積回路を切断するスクライブ領域と、
    を含む半導体ウエハの製造方法であって、
    前記半導体集積回路と、その表面に設けられ前記半導体集積回路に電気的に接続した第１の電極と、
    前記スクライブ領域に形成された素子と、前記表面に設けられ前記スクライブ領域の素子と電気的に接続した第２の電極を形成する工程、
    前記表面に設けられ、前記第１の電極上に第１の開口部を有するとともに、前記第２の電極上に第２の開口部を有する第１の絶縁膜を形成する工程、
    前記第２の開口部上にレジスト膜を形成する工程、
    前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する工程、
    前記第２の絶縁膜を除去して、前記第１の開口部上に第３の開口部を形成するとともに、前記第２の開口部上に前記レジスト膜を残して第４の開口部を形成する工程、
    前記第１の電極に電気的に接続するバンプを形成する工程、
    前記第２の開口部上のレジスト膜を除去する工程、
    を備えることを特徴とする半導体ウエハの製造方法。
  2. 半導体集積回路と、
    前記半導体集積回路を切断するスクライブ領域と、
    を含む半導体ウエハを切断して形成される半導体チップの製造方法であって、
    前記半導体集積回路と、その表面に設けられ前記半導体集積回路に電気的に接続した第１の電極と、
    前記スクライブ領域に形成された素子と、前記表面に設けられ前記スクライブ領域の素子と電気的に接続した第２の電極を形成する工程、
    前記表面に設けられ、前記第１の電極上に第１の開口部を有するとともに、前記第２の電極上に第２の開口部を有する第１の絶縁膜を形成する工程、
    前記第２の開口部上にレジスト膜を形成する工程、
    前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する工程、
    前記第２の絶縁膜を除去して、前記第１の開口部上に第３の開口部を形成するとともに、前記第２の開口部上に前記レジスト膜を残して第４の開口部を形成する工程、
    前記第１の電極に電気的に接続するバンプを形成する工程、
    前記第２の開口部上のレジスト膜を除去する工程、
    前記スクライブ領域を切断して半導体チップを形成することを特徴とする半導体チップの製造方法。
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