JP4229834B2 - 液晶表示装置製造用露光マスクとこれを用いた液晶表示装置製造での基板露光方法 - Google Patents

液晶表示装置製造用露光マスクとこれを用いた液晶表示装置製造での基板露光方法 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置製造用露光マスクとこれを用いて液晶表示装置用基板を露光する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、液晶表示装置は電極を備えた二枚の基板を有し、液晶層が二つの基板の間に挟まれている。電圧群が電極群に印加されて液晶層の液晶分子が光の透過を制御するように再配向される。電極群は二枚の基板のうちの一つに全て形成してもよい。
【0003】
基板に各種パターンを形成するため、写真エッチングが基板に対して行われ、露光過程を含んでいる。
【0004】
従来、ステッパーまたはアライナーが露光のために使用されている。
【0005】
ステッパーを使用する場合には、小形化されたマスクが取り入れられる。基板は幾つかのショット領域に区分され、基板上のステッパー用マスクを希望する方向に移動する間に露光される。ステッパー用マスクと基板はステッパーに取付けられて適当な方法で互いに位置合せされる。
【0006】
アライナーを使用する場合には、形の大きいマスクが取り入れられて基板の全領域を1度のショットで露光する。アライナー用マスクを先ずアライナーに取付け、基板をアライナー用マスクと位置合せする。アライナーは液晶表示装置の製造に好ましく用いられている。
【0007】
しかし、アライナーの使用は以下のような問題がある。基板のサイズが大きくなって既存のアライナーより大きくなると、1枚のマスクにより1ショットで露光することができない。このため、作られた装置に継ぎ合わせ不良が生じる可能性がある。したがって、いま望まれていることは新しい形式の露光装置または設計技術が開発されるべきだということである。例えば、大寸法の基板を露光する過程でショット間の位置合せのための技術などである。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は液晶表示装置製造用マスクを提供することであって、このマスクにより大寸法の基板でもショット間の正確な位置合せをし、継ぎ合せ不良を防止する。
【0009】
【課題を解決するための手段】
これらの目的は分離されたショットをするために異なるマスクパターンを有する マスクによって達成される。大寸法の基板はこのようなマスクを用いて露光される。
【0010】
特に、基板を備えた液晶表示装置を製造するための本願第1発明のマスクは、前記基板の中央を露光するために、中心線を有し、前記液晶表示装置製造用マスクの中央に配置されている第1マスクパターンと、前記中心線に対して左右いずれかの側の1つである第1側の基板を露光するために、前記第1マスクパターンの前記中心線に対して前記第1側に配置され、前記第1マスクパターンから第1距離だけ間隔をおいて離された第2マスクパターンと、前記中心線に対して前記第1側とは反対の第2側の基板を露光するために、前記第1マスクパターンの前記中心線に対して前記第2側に配置され、前記第1マスクパターンから第2距離だけ間隔をおいて離された第3マスクパターンと、を含む。
前記第1マスクパターンには、前記中心線に対して対称に、前記第1側及び前記第2側に配置された一対の第1位置合せパターンと、前記第1位置合せパターンの前記第側に配置され、前記第1位置合せパターンから第1距離だけ間隔をおいて離されている一対の第2位置合せパターンと、前記第1位置合せパターンの前記第側に配置され、前記第1位置合せパターンから第2距離だけ間隔をおいて離されている一対の第3位置合せパターンと、を有する位置合せキーが形成されている。
ここで、前記中心線は前記第1マスクパターンの中心を通る線である。
【0011】
本願第2発明は、基板を露光するための液晶表示装置製造用マスクを用いた液晶表示装置用基板の露光方法であって、以下の段階を含む。
・前記基板の中央部を露光するために、中心線を有し、前記液晶表示装置製造用マスクの中央に配置されている第1マスクパターンと、前記中心線に対して左右いずれかの側の1つである第1側の基板を露光するために、前記第1マスクパターンの前記中心線に対して前記第1側に配置され、前記第1マスクパターンから第1距離だけ間隔をおいて離されている第2マスクパターンと、前記中心線に対して前記第1側とは反対の第2側の基板を露光するために、前記第1マスクパターンの前記中心線に対して前記第2側に配置され、前記第1マスクパターンからから第2距離だけ間隔をおいて離されている第3マスクパターンと、を備え、前記中心線は前記第1マスクパターンの中心を通る線であるマスクを用意する段階。
・前記中央の第1マスクパターン、前記第1側の第2マスクパターン及び前記第2側の第3マスクパターン対応して、それぞれ中央部、第1側部、第2側部に区画された基板を用意する段階。
・前記マスクと前記基板を互いに位置合せする段階。
・前記マスクを用いて前記基板の前記中央部、前記第1部及び前記第2部を別々に露光する段階。
前記第1マスクパターンには、前記中心線に対して対称に、前記第1側及び前記第2側に配置された一対の第1位置合せパターンと、前記第1位置合せパターンの前記第側に配置され、前記第1位置合せパターンから第1距離だけ間隔をおいて離されている一対の第2位置合せパターンと、前記第1位置合せパターンの前記第側に配置され、前記第1位置合せパターンから第2距離だけ間隔をおいて離されている一対の第3位置合せパターンと、を有する位置合せキーが形成されている。
【0012】
本願第3発明は、第2発明において、前記液晶表示装置製造用マスクと前記基板を位置合せが、前記第1マスクパターンの前記第1位置合せキーと前記基板の第2位置合せキーとを組合わせて行われ、また前記基板中央部の露光が、前記第1マスクパターンを用いて行われる。
【0013】
本願第4発明は、第3発明において、前記液晶表示装置製造用マスクを用いて前記基板が露光され、この間、前記液晶表示装置製造用マスク及び前記基板が、前記第1マスクパターンを除いて、露光装置の遮光部材で覆われている。
【0014】
本願第5発明は、第2発明において、前記液晶表示装置製造用マスクと前記基板の位置合せが、前記第1マスクパターンの前記第1位置合せパターンと前記基板の前記第2位置合せパターンを組み合わせて行われ、また前記基板の第1側部の露光が前記第2マスクパターンを用いて行われる。
【0015】
本願第6発明は、第5発明において、前記液晶表示装置製造用マスクを用いて前記基板が露光され、この間、前記液晶表示装置製造用マスク及び前記基板が、前記第2マスクパターンを除いて、露光装置の遮光手段で覆われている。
本願第7発明は、第2発明において、前記液晶表示装置製造用マスクと前記基板の位置合せが、前記第1マスクパターンの前記第1位置合せパターンと前記基板の前記第3位置合せパターンを組み合わせて行われ、前記基板の第2側部の露光が前記第3マスクパターンを用いて行われる。
【0016】
本願第8発明は、第7発明において、 前記液晶表示装置製造用マスクを用いて前記基板が露光され、この間、前記マスク及び前記基板が、前記第3マスクパターンを除いて、露光装置の遮光手段で覆われている。
【0017】
【発明の実施の形態】
本発明の更に完璧な評価と、多くの付随的便益については間も無く明らかになり、一層の理解のための参考事項が以下に詳述されると同時に、添付図面と関連付けて考察されて、図中の引用記号は同一物または同様の部品を指し示す。
本発明の好ましい実施例について、添付図面を参照して説明する。
【0018】
前述のように、大寸法基板にパターンを形成するため、分割露光技術が好ましく利用される理由はアライナー用マスクのサイズに制限があるためである。
【0019】
図1は液晶表示装置用基板の概略的な構成図である。
【0020】
図1に示すように、液晶表示装置は表示領域200を備え、これは基板100の大部分であって、ゲート駆動回路領域300が表示領域200の左側に配置され、 データ駆動回路領域400が表示領域200の右側に配置されている。
【0021】
複数個の画素が同じパターンを有して表示領域200にマトリックス形状に配列され、複数個の回路が同じパターンを有してゲート駆動回路領域300及びデータ駆動回路領域400に反復的に配列されている。
【0022】
液晶表示装置のパターンに基づいて、基板露光が行われ、ショット範囲が定められる。
【0023】
露光工程では、図1に示すように、基板100が中央部(I)、左側部(II)及び右側部(III)に区分され、3種の異なるマスクパターンが3部分の各々に引き当てられてショットを実施する。3種類のマスクパターンは一つのマスクに形成される。これによって、大寸法基板100の露光が只一つのマスクを使用して行われる。
【0024】
図2は本発明の実施例による液晶表示装置製造用マスクの概略図であり、図3は図2に示した露光用マスクに位置合せされる液晶表示装置用基板の概略図である。
【0025】
説明の便宜のために、液晶表示装置基板100が一つの基板10に形成される場合を示す。
【0026】
図3に示したように、基板10が中央部(I)、左側部(II)及び右側部(III)に区分される。第1ショットは中央部(I)に第1マスクパターンM1を用いて行われ、 第2ショットは左側部(II)に第2マスクパターンM2を用いて行われ、第3ショットは左側部(III)に第3マスクパターンM3を用いて行われる。第1ないし第3ショットで露光された基板10の諸領域は、各々第1ショット領域S1、第2ショット領域S2及び第3ショット領域S3と定義される。
【0027】
第1ショットは3回、基板10の中央部(I)に行われる。これは、左側第1ショットサブ領域S1L、中央第1ショットサブ領域S1O及び右側第1ショットサブ領域S1Rが第1ショット領域S1に存在することである。
【0028】
図2に示すように、第1ないし第3マスクパターンM1、M2及びM3は一つのマスクMに形成される。第2及び第3マスクパターンM2、M3は 第2及び第3ショット領域S2、S3と同じサイズで形成されるので、基板10の第2及び右側の領域(II)及び(III)は只1回のショットによりパターンを形成することができる。
【0029】
第1マスクパターンM1は基板10の中央部(I)より小さい面積を有しているので、中央部(I)に対するショットは第1マスクパターンM1を用いて2回以上行われる。好ましくは、第1マスクパターンM1の幅が中央部(I)の幅に対して一定比率で設定されるべきである。この好ましい実施例では、中央部(I)の第1ショットが3回行われる。
【0030】
第1マスクパターンM1は、基板10中央部(I)のパターニングのため、マスクMの中央部に形成されて、マスクMの中心線MLを含む。第2マスクパターンM2は、基板10左側部(II)のパターニングのために第1マスクパターンM1の左側に配置されて、第1マスクパターンM1の左側辺縁から第1距離d1だけ間隔をおいて離れている。第3マスクパターンM3は、基板10右側部(II)のパターニングのために第1マスクパターンM1の右側に配置され、第1マスクパターンM1の右側辺縁から第2距離d2だけ間隔をおいて離れている。
【0031】
アライナーで使うマスクには、位置合せキーをマスク中心について対称的に形成しなければならない。この好ましい実施例では、位置合せキーは中心線MLのあるマスクMの中央部に配置されている第1マスクパターンM1に形成される。
【0032】
一対の第1位置合せキー・パターン(▲1▼、▲1▼’)がマスクMの中心線MLの左右に形成され、中心線MLについて互いに対称である。更に一対の第2位置合せキー・パターン(▲2▼、▲2▼’)が第1位置合せキー・パターン(▲1▼、▲1▼’)の右側に形成され、 第1位置合せキー・パターン(▲1▼、▲1▼’)から第1距離d1だけ間隔をおいて離れている。第1位置合せキー・パターン(▲1▼、▲1▼’)と第2位置合せキー・パターン(▲2▼、▲2▼’)の間の距離は第1マスクパターンM1と第2マスクパターンM2の間の距離と同じである。
【0033】
一対の第3位置合せキー・パターン(▲3▼、▲3▼’)が第1位置合せキー・パターン(▲1▼、▲1▼’)の左側に形成されて、第1位置合せキー・パターン(▲1▼、▲1▼’)から第2距離d2だけ間隔をおいて離れている。第1位置合せキー・パターン(▲1▼、▲1▼’)と第3位置合せキー・パターン(▲3▼、▲3▼’)の間の距離は第1マスクパターンM1と第3マスクパターンM3の間の距離と同じである。
【0034】
第1乃至第3位置合せキー・パターン(▲1▼と▲1▼’、▲2▼と▲2▼’、▲3▼と▲3▼’)が、更に、基板10にマスクMと同じ方法で形成される。第1乃至第3位置合せキー・パターン(▲1▼と▲1▼’、▲2▼と▲2▼’、▲3▼と▲3▼’)は、基板10の中央部(I)に対応する第1ショット領域S1に形成され、第1マスクパターンM1の位置合せキー・パターン(▲1▼と▲1▼’、▲2▼と▲2▼’、▲3▼と▲3▼’)に対して雄雌組み合わせ関係がある。図面には、各位置合せキー・パターンを互いに異なる形状(□、★、◇)で示したが、この表示は説明の便宜上為されたものである。つまり、各パターンは任意の方法、例えば、同じ形状で形成してもよい。マスク及び基板の位置合せパターンは互いに対応して形成され、これらは互いに雄雌組み合わせ関係になっている。
【0035】
基板10の露光方法は、マスク及び基板の位置合せキーを用い、図4a乃至図4cと図2及び図3を参照して以下に説明する。
【0036】
まず、図4aに示すように、第1ショットが、基板10中央部(I)に位置する第1ショット領域S1に、第1マスクパターンM1を用いて行われる。
【0037】
マスクMは、第1マスクパターンM1を除きアライナーのマスキングブレード11乃至14で覆われ、マスクMと基板10は互いに位置合せされるが、そのために、第1マスクパターンM1の位置合せキー(▲1▼、▲1▼’)と第1ショット領域S1のサブ領域の一つに形成された位置合せキー(▲1▼、▲1▼’)を組み合わせる。
【0038】
次に、基板10にショットを実施する。
【0039】
次に、基板を移動することにより、マスクMと基板10を位置合せするが、そのために第1マスクパターンM1の位置合せキー(▲1▼、▲1▼’)と第1ショット領域S1の他のサブ領域に形成された位置合せキー(▲1▼、▲1▼’)を組み合わせる。
【0040】
基板10にショットを実施する。
【0041】
この方法で、第1ショットが、 第1ショット領域S1の複数のサブ領域に実施され、これによって基板10中央部(I)の露光を実施する。
【0042】
図4bに示すように、第2ショットが、基板10の左側部(II)に位置する第2ショット領域S2に第2マスクパターンM2を用いて実施される。
【0043】
マスクMと基板10が互いに位置合せされるが、このため、第1マスクパターンM1の第1位置合せキー(▲1▼、▲1▼’)を、基板10の第2ショット領域S2に隣接する第1ショット領域の左側第1ショット・サブ領域S1Lに形成された第2位置合せキー(▲2▼、▲2▼’)に組合せる。
【0044】
マスクMの第1位置合せパターン(▲1▼、▲1▼’)と第2マスクパターンM2の右側辺縁の間の距離が、基板10の左側第1ショット・サブ領域S1Lの第2位置合せパターン(▲2▼、▲2▼’)と第2ショット領域S2の右側辺縁の間の距離と同じであるので、マスクMの第2マスクパターンM2は、ショット境界領域の二重露光部位を除き基板10の第2ショット領域S2と正確に一致する。
【00045】
次に、マスクMが、第2マスクパターンM2を除いて、アライナーのマスキングブレード11乃至14で覆われ、基板10のショットを実施する。
【0046】
図4cに示すように、第3ショットが、基板10右側部(III)に位置する第3ショット領域S3に、第3マスクパターンM3を用いて実施される。
【0047】
この時、第1マスクパターンM1の第1位置合せキー(▲1▼、▲1▼’)を基板10の第3ショット領域S3の隣りにある第1ショット領域S1の右側第1ショット・サブ領域S1Rに形成された第3位置合せキー(▲3▼、▲3▼’)に組合せてマスクMと基板10を位置合せする。
【0048】
マスクMでの第1位置合せパターン(▲1▼、▲1▼’)と第3マスクパターンM3の左側辺縁の間の距離と、基板10の右側第1ショット・サブ領域S1Rの第3位置合せパターン(▲3▼、▲3▼’)と第3ショット領域32の左側辺縁の間の距離が、同じであるために、マスクMの第3マスクパターンM3と基板10の第3ショット領域S2が、ショット境界領域の二重露光部を除いて、正確に一致する。
【0049】
マスクMは、第3マスクパターンM3を除いて、アライナーのマスキングブレード11乃至14で覆われ、基板10にショットが実施される。
【0050】
このように、一つの大寸法マスクに第1乃至第3マスクパターンが第1乃至第3位置合せパターンと共に形成される。基板及びマスクに形成された位置合せパターン間の距離は、マスクパターン間の距離と一致するように形成される。この位置合せパターンは露光時に望ましいショット間位置合せをするために使われる。このような仕方で、ショット間位置ズレによる継ぎ合わせ不良が防止される。
【0051】
本発明について、好ましい実施例を参照し詳細に説明したが、当業者は添付した特許請求範囲の諸項に記した本発明の精神及び範囲を逸脱することなく、発明の各種変形或いは置換が可能であると、理解するであろう。
【図面の簡単な説明】
【図1】 液晶表示装置用基板の概略的な構成図である。
【図2】 本発明の好ましい実施例による液晶表示装置製造用マスクの概略図を示す。
【図3】 図2に示したマスクに位置合せされる液晶表示装置用基板の概略図を示す。
【図4a】 図3に示した基板露光段階を示す。
【図4b】 図3に示した基板露光段階を示す。
【図4c】 図3に示した基板露光段階を示す。
【符号の説明】
10:基板
11、12、13、14:マスキングブレード
100:基板
200:表示領域
300:ゲート駆動回路領域
400:データ駆動回路領域
M:マスク
ML:マスクの中心線
M1:第1マスクパターン
M2:第2マスクパターン
M3:第3マスクパターン
S1:第1ショット領域
S2:第2ショット領域
S3:第3ショット領域
I:基板の中央部
II:基板の左側部
III:基板の右側部

Claims (8)

  1. 基板を露光するための液晶表示装置製造用マスクであって、
    前記基板の中央を露光するために、中心線を有し、前記液晶表示装置製造用マスクの中央に配置されている第1マスクパターンと、
    前記中心線に対して左右いずれかの側の1つである第1側の基板を露光するために、前記第1マスクパターンの前記中心線に対して前記第1側に配置され、前記第1マスクパターンから第1距離だけ間隔をおいて離された第2マスクパターンと、
    前記中心線に対して前記第1側とは反対の第2側の基板を露光するために、前記第1マスクパターンの前記中心線に対して前記第2側に配置され、前記第1マスクパターンから第2距離だけ間隔をおいて離された第3マスクパターンと、を含み、
    前記第1マスクパターンには、
    前記中心線に対して対称に、前記第1側及び前記第2側に配置された一対の第1位置合せパターンと、
    前記第1位置合せパターンの前記第側に配置され、前記第1位置合せパターンから第1距離だけ間隔をおいて離されている一対の第2位置合せパターンと、
    前記第1位置合せパターンの前記第側に配置され、前記第1位置合せパターンから第2距離だけ間隔をおいて離されている一対の第3位置合せパターンと、
    を有する位置合せキーが形成されており、
    前記中心線は前記第1マスクパターンの中心を通る線である液晶表示装置製造用マスク。
  2. 基板を露光するための液晶表示装置製造用マスクを用いた液晶表示装置用基板の露光方法であって、
    前記基板の中央部を露光するために、中心線を有し、前記液晶表示装置製造用マスクの中央に配置されている第1マスクパターンと、
    前記中心線に対して左右いずれかの側の1つである第1側の基板を露光するために、前記第1マスクパターンの前記中心線に対して前記第1側に配置され、前記第1マスクパターンから第1距離だけ間隔をおいて離されている第2マスクパターンと、
    前記中心線に対して前記第1側とは反対の第2側の基板を露光するために、前記第1マスクパターンの前記中心線に対して前記第2側に配置され、前記第1マスクパターンから第2距離だけ間隔をおいて離されている第3マスクパターンと、
    を備え、前記中心線は前記第1マスクパターンの中心を通る線であるマスクを用意する段階と、
    前記中央の第1マスクパターン、前記第1側の第2マスクパターン及び前記第2側の第3マスクパターン対応して、それぞれ中央部、第1側部、第2側部に区画された基板を用意する段階と、
    前記マスクと前記基板を互いに位置合せする段階と、
    前記マスクを用いて前記基板の前記中央部、前記第1部及び前記第2部を別々に露光する段階と、を含み、
    前記第1マスクパターンには、
    前記中心線に対して対称に、前記第1側及び前記第2側に配置された一対の第1位置合せパターンと、
    前記第1位置合せパターンの前記第側に配置され、前記第1位置合せパターンから第1距離だけ間隔をおいて離されている一対の第2位置合せパターンと、
    前記第1位置合せパターンの前記第側に配置され、前記第1位置合せパターンから第2距離だけ間隔をおいて離されている一対の第3位置合せパターンと、
    を有する位置合せキーが形成されている、液晶表示装置用基板の露光方法。
  3. 前記液晶表示装置製造用マスクと前記基板を位置合せが、前記第1マスクパターンの前記第1位置合せキーと前記基板の第2位置合せキーとを組合わせて行われ、また前記基板の中央部の露光が、前記第1マスクパターンを用いて行われる、請求項2に記載の方法。
  4. 前記液晶表示装置製造用マスクを用いて前記基板が露光され、この間、前記液晶表示装置製造用マスク及び前記基板が、前記第1マスクパターンを除いて、露光装置の遮光部材で覆われている、請求項3に記載の方法。
  5. 前記液晶表示装置製造用マスクと前記基板の位置合せが、前記第1マスクパターンの前記第1位置合せパターンと前記基板の前記第2位置合せパターンを組み合わせて行われ、また前記基板の第1側部の露光が前記第2マスクパターンを用いて行われる、請求項2に記載の方法。
  6. 前記液晶表示装置製造用マスクを用いて前記基板が露光され、この間、前記液晶表示装置製造用マスク及び前記基板が、前記第2マスクパターンを除いて、露光装置の遮光手段で覆われている、請求項5に記載の方法。
  7. 前記液晶表示装置製造用マスクと前記基板の位置合せが、前記第1マスクパターンの前記第1位置合せパターンと前記基板の前記第3位置合せパターンを組み合わせて行われ、前記基板の第2側部の露光が前記第3マスクパターンを用いて行われる、請求項2に記載の方法。
  8. 前記液晶表示装置製造用マスクを用いて前記基板が露光され、この間、前記マスク及び前記基板が、前記第3マスクパターンを除いて、露光装置の遮光手段で覆われている、請求項7に記載の方法。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2415718C (en) * 2000-07-07 2012-08-28 Trustees Of Tufts College 7-substituted tetracycline compounds
US7026251B2 (en) * 2001-12-12 2006-04-11 Texas Instruments Incorporated Method of optimized stitching for digital micro-mirror device
KR100484948B1 (ko) * 2002-12-18 2005-04-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계 방식의 액정표시장치
KR100965589B1 (ko) * 2003-11-29 2010-06-23 엘지디스플레이 주식회사 마스크 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법
KR100785190B1 (ko) * 2006-04-06 2007-12-11 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 스티치의 모니터링 방법
CN100456139C (zh) * 2006-04-20 2009-01-28 友达光电股份有限公司 利用三道掩膜制造液晶显示装置用下基板的方法
CN101661220B (zh) * 2008-08-27 2013-03-13 北京京东方光电科技有限公司 液晶显示器面板和掩模板
CN102314073A (zh) * 2010-07-02 2012-01-11 无锡华润上华半导体有限公司 光刻版及其套刻方法
CN104808451B (zh) 2015-05-15 2017-07-18 合肥京东方光电科技有限公司 一种对位曝光方法
CN105527800B (zh) * 2016-02-18 2017-07-18 京东方科技集团股份有限公司 一种曝光方法、曝光装置及彩膜基板
CN110967920A (zh) * 2018-09-28 2020-04-07 长鑫存储技术有限公司 双光掩膜和曝光方法
CN111258173A (zh) * 2020-03-23 2020-06-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 光罩及曝光方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6377028A (ja) * 1986-09-19 1988-04-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd マトリクス型液晶画像表示装置の製造方法
KR930008139B1 (en) * 1990-08-30 1993-08-26 Samsung Electronics Co Ltd Method for preparation of pattern
KR950008384B1 (ko) * 1992-12-10 1995-07-28 삼성전자주식회사 패턴의 형성방법
JP2616660B2 (ja) * 1993-06-21 1997-06-04 日本電気株式会社 厚膜配線パターンの露光装置および厚膜の成形方法
JPH07211622A (ja) * 1994-01-27 1995-08-11 Nikon Corp 露光方法及び露光システム
KR960002536A (ja) * 1994-06-29 1996-01-26
US6238851B1 (en) * 1995-05-29 2001-05-29 Nikon Corporation Exposure method
JPH09152567A (ja) * 1995-11-30 1997-06-10 Hitachi Ltd レジストパターン形成方法およびその装置
JP3725671B2 (ja) * 1997-08-08 2005-12-14 日立ハイテク電子エンジニアリング株式会社 プロキシミティ露光装置及び方法並びに液晶ディスプレイの製造方法
AU9095798A (en) * 1997-09-19 1999-04-12 Nikon Corporation Stage device, a scanning aligner and a scanning exposure method, and a device manufactured thereby
US20010031406A1 (en) * 1997-10-30 2001-10-18 Nikon Corporation Photomask and exposure method
JPH11163354A (ja) * 1997-11-27 1999-06-18 Advanced Display Inc 薄膜トランジスタアレイ基板の製法および該薄膜トランジスタアレイ基板を含む液晶表示装置
JPH11176726A (ja) * 1997-12-09 1999-07-02 Nikon Corp 露光方法、該方法を使用するリソグラフィシステム、及び前記方法を用いるデバイスの製造方法
KR100298190B1 (ko) * 1997-12-27 2002-01-15 박종섭 리소그라피 공정에서의 최적 초점 측정을 위한 방법
KR100672263B1 (ko) * 1998-11-04 2007-01-23 가부시키가이샤 니콘 노광방법, 노광장치, 및 마스크
JP4390355B2 (ja) * 2000-04-19 2009-12-24 Necエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路用レチクル

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