JP4227152B2 - Cmosイメージセンサの能動ピクセルアレイ - Google Patents
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Description
また、前記第1乃至第4能動ピクセル回路の前記第1、第2、第6及び第11ノードにそれぞれ連結され、トランスファ信号が印加されて前記第1乃至第12フォトダイオードで生成された信号電荷をトランスファする第13乃至第16スイッチをさらに含むことを特徴とする。
図6−aは、本発明の第1実施形態によるCMOSイメージセンサの単位ピクセル600を示した断面図で、図6−bは、本発明の第1実施形態によるカラーフィルタアレイ650を示した平面図である。
本発明の第2実施形態によるCMOSイメージセンサの単位ピクセルの断面図及びカラーフィルタアレイの平面図は、一ピクセル当たり1個の能動ピクセル回路を用いる点を除けば、図6−a及び図6−bに示した第1実施形態によるCMOSイメージセンサの単位ピクセル600の断面図及びカラーフィルタアレイ650の平面図と同一である。
610 カラーフィルタ
620 フォトダイオード
630 能動ピクセル回路
650 カラーフィルタアレイ
660 カラーフィルタアレイの基本単位
700 第1実施形態のピクセルセンサアレイ
700a〜700d 第1実施形態の第1乃至第4ピクセルセンサ
701,704,706,709 第1実施形態の第1乃至第4光電変換部
702,703,705,707,708,710 第1実施形態の第1乃至第6能動ピクセル回路
727〜730 第1実施形態の第1乃至第4カラムライン
800 第2実施形態のピクセルセンサアレイ
800a〜800d 第2実施形態の第1乃至第4ピクセルセンサ
801,803,805,807 第2実施形態の第1乃至第4光電変換部
802,804,806,808 第2実施形態の第1乃至第4能動ピクセル回路
821〜824 第2実施形態の第1乃至第4カラムライン
Claims (8)
- 全ての波長の光信号のうち、光の波長が異なる2個の第1及び第2光信号を検出して電流及び電圧信号を生成するピクセルセンサと、所定波長の第3光信号を検出して電流及び電圧信号を生成するピクセルセンサと、が交互に配列されるピクセルセンサアレイと;
前記ピクセルセンサアレイの上部に形成され、全ての波長の光信号を透過するフィルタと、所定波長の第3光信号を透過するフィルタと、が交互に配列されるカラーフィルタアレイと、を含み、
前記カラーフィルタアレイは、前記全ての波長の光信号を透過する第1及び第3フィルタと、前記第3光信号を透過する第2及び第4フィルタを基本単位にし、前記基本単位が繰り返して配列され、
前記ピクセルセンサアレイは、
前記第1及び第2光信号を検出して電流信号を生成する第1光電変換部と、前記電流信号を電圧信号に変換して出力する第1及び第2能動ピクセル回路とからなる第1ピクセルセンサと;
前記第3光信号を検出して電流信号を生成する第2光電変換部と、前記電流信号を電圧信号に変換して出力する第3能動ピクセル回路とからなる第2ピクセルセンサと;
前記第1及び第2光信号を検出して電流信号を生成する第3光電変換部と、前記電流信号を電圧信号に変換して出力する第4及び第5能動ピクセル回路とからなる第3ピクセルセンサと;
前記第3光信号を検出して電流信号を生成する第4光電変換部と、前記電流信号を電圧信号に変換して出力する第6能動ピクセル回路とからなる第4ピクセルセンサと、を含み、前記第1乃至第4ピクセルセンサを基本単位にし、前記基本単位が繰り返して配列され、
前記第1及び第2光電変換部は、二重でPN接合された第1乃至第3フォトダイオード及び第4乃至第6フォトダイオードによって構成されており、前記第3及び第4光電変換部は、二重でPN接合された第7乃至第9フォトダイオード及び第10乃至第12フォトダイオードによって構成され、
前記第1及び第7フォトダイオードは、前記第1光信号を検出し、前記第2及び第3フォトダイオードと第8及び第9フォトダイオードは、前記第2光信号を検出し、前記第4乃至第6フォトダイオードと第10乃至第12フォトダイオードは、前記第3光信号を検出し、
前記第1フォトダイオードの陽極端子は接地端子に連結され、陰極端子は第1ノードに連結されており、前記第2及び第3フォトダイオードの陽極端子は接地端子に連結され、陰極端子は第2ノードに連結され、
前記第4フォトダイオードの陽極端子は接地端子に連結され、陰極端子は第5ノードに連結されており、前記第5及び第6フォトダイオードの陽極端子は接地端子に連結され、陰極端子は第6ノードに連結され、
前記第7フォトダイオードの陽極端子は接地端子に連結され、陰極端子は第9ノードに連結されており、前記第8及び第9フォトダイオードの陽極端子は接地端子に連結され、陰極端子は第10ノードに連結され、
前記第10フォトダイオードの陽極端子は接地端子に連結され、陰極端子は第13ノードに連結されており、前記第11及び第12フォトダイオードの陽極端子は接地端子に連結され、陰極端子は第14ノードに連結され、
前記第1能動ピクセル回路は、
第3ノード、電源端子及び前記第1ノードに連結され、前記第1ノードに蓄積された信号電荷によって前記第1ノードに連結されたノードの電位を変化し、前記第3ノードのバイアスを変化する第1スイッチと;
前記第1スイッチに連結され、第1ロー信号が印加されて第1フォトダイオードで変換された電圧信号を第1カラムラインに出力する第2スイッチと;
前記第1ノード及び電源端子に連結され、リセット信号が印加されて前記第1ノードに蓄積された信号電荷をリセットする第3スイッチと、を含み、
前記第2能動ピクセル回路は、
第4ノード、電源端子及び前記第2ノードに連結され、前記第2ノードに蓄積された信号電荷によって前記第2ノードに連結されたノードの電位を変化し、前記第4ノードのバイアスを変化する第4スイッチと;
前記第4スイッチに連結され、第2ロー信号が印加されて第2及び第3フォトダイオードで変換された電圧信号を第1カラムラインに出力する第5スイッチと;
前記第2ノード及び電源端子に連結され、リセット信号が印加されて前記第2ノードに蓄積された信号電荷をリセットする第6スイッチと、を含み、
前記第3能動ピクセル回路は、
第8ノード、電源端子及び第7ノードに連結され、前記第7ノードに蓄積された信号電荷によって前記第7ノードに連結されたノードの電位を変化し、前記第8ノードのバイアスを変化する第7スイッチと;
前記第7スイッチに連結され、第1ロー信号が印加されて第4乃至第6フォトダイオードで変換された電圧信号を第4カラムラインに出力する第8スイッチと;
前記第7ノード及び電源端子に連結され、リセット信号が印加されて前記第7ノードに蓄積された信号電荷をリセットする第9スイッチと、を含み、
前記第4能動ピクセル回路は、
第11ノード、電源端子及び前記第9ノードに連結され、前記第9ノードに蓄積された信号電荷によって前記第9ノードに連結されたノードの電位を変化し、前記第11ノードのバイアスを変化する第10スイッチと;
前記第10スイッチに連結され、第3ロー信号が印加されて第7フォトダイオードで変換された電圧信号を第3カラムラインに出力する第11スイッチと;
前記第9ノード及び電源端子に連結され、リセット信号が印加されて前記第9ノードに蓄積された信号電荷をリセットする第12スイッチと、を含み、
前記第5能動ピクセル回路は、
第12ノード、電源端子及び前記第10ノードに連結され、前記第10ノードに蓄積された信号電荷によって前記第10ノードに連結されたノードの電位を変化し、前記第12ノードのバイアスを変化する第13スイッチと;
前記第13スイッチに連結され、第4ロー信号が印加されて第8及び第9フォトダイオードで変換された電圧信号を第3カラムラインに出力する第14スイッチと;
前記第10ノード及び電源端子に連結され、リセット信号が印加されて前記第10ノードに蓄積された信号電荷をリセットする第15スイッチと、を含み、
前記第6能動ピクセル回路は、
第16ノード、電源端子及び第15ノードに連結され、前記第15ノードに蓄積された信号電荷によって前記第15ノードに連結されたノードの電位を変化し、前記第16ノードのバイアスを変化する第16スイッチと;
前記第16スイッチに連結され、第3ロー信号が印加されて第10乃至第12フォトダイオードで変換された電圧信号を第2カラムラインに出力する第17スイッチと;
前記第15ノード及び電源端子に連結され、リセット信号が印加されて前記第15ノードに蓄積された信号電荷をリセットする第18スイッチと、を含むことを特徴とするCMOSイメージセンサの能動ピクセルアレイ。 - 前記第1乃至第4ロー信号は、順次印加されることを特徴とする請求項1に記載のCMOSイメージセンサの能動ピクセルアレイ。
- 前記第1乃至第6能動ピクセル回路の前記第1、第2、第7、第9、第10及び第15ノードにそれぞれ連結され、トランスファ信号が印加されて前記第1乃至第12フォトダイオードで生成された信号電荷をトランスファする第19乃至第24スイッチをさらに含むことを特徴とする請求項2に記載のCMOSイメージセンサの能動ピクセルアレイ。
- 前記第1乃至第24スイッチは、トランジスタであることを特徴とする請求項3に記載のCMOSイメージセンサの能動ピクセルアレイ。
- 全ての波長の光信号のうち、光の波長が異なる2個の第1及び第2光信号を検出して電流及び電圧信号を生成するピクセルセンサと、所定波長の第3光信号を検出して電流及び電圧信号を生成するピクセルセンサと、が交互に配列されるピクセルセンサアレイと;
前記ピクセルセンサアレイの上部に形成され、全ての波長の光信号を透過するフィルタと、所定波長の第3光信号を透過するフィルタと、が交互に配列されるカラーフィルタアレイと、を含み、
前記カラーフィルタアレイは、前記全ての波長の光信号を透過する第1及び第3フィルタと、前記第3光信号を透過する第2及び第4フィルタを基本単位にし、前記基本単位が繰り返して配列され、
前記ピクセルセンサアレイは、
前記第1及び第2光信号を検出して電流信号を生成する第1光電変換部と、前記電流信号を電圧信号に変換して出力する第1能動ピクセル回路とからなる第1ピクセルセンサと;
前記第3光信号を検出して電流信号を生成する第2光電変換部と、前記電流信号を電圧信号に変換して出力する第2能動ピクセル回路とからなる第2ピクセルセンサと;
前記第1及び第2光信号を検出して電流信号を生成する第3光電変換部と、前記電流信号を電圧信号に変換して出力する第3能動ピクセル回路とからなる第3ピクセルセンサと;
前記第3光信号を検出して電流信号を生成する第4光電変換部と、前記電流信号を電圧信号に変換して出力する第4能動ピクセル回路とからなる第4ピクセルセンサと、を含み、前記第1乃至第4ピクセルセンサを基本単位にし、前記基本単位が繰り返して配列され、
前記第1及び第2光電変換部は、二重でPN接合された第1乃至第3フォトダイオード及び第4乃至第6フォトダイオードによって構成されており、前記第3及び第4光電変換部は、二重でPN接合された第7乃至第9フォトダイオード及び第10乃至第12フォトダイオードによって構成され、
前記第1及び第7フォトダイオードは、前記第1光信号を検出し、前記第2及び第3フォトダイオードと第8及び第9フォトダイオードは、前記第2光信号を検出し、前記第4乃至第6フォトダイオードと第10乃至第12フォトダイオードは、前記第3光信号を検出し、
前記第1フォトダイオードの陽極端子は接地端子に連結され、陰極端子は第1ノードに連結されており、前記第2及び第3フォトダイオードの陽極端子は接地端子に連結され、陰極端子は第2ノードに連結され、
前記第4フォトダイオードの陽極端子は接地端子に連結され、陰極端子は第4ノードに連結されており、前記第5及び第6フォトダイオードの陽極端子は接地端子に連結され、陰極端子は第5ノードに連結され、
前記第7フォトダイオードの陽極端子は接地端子に連結され、陰極端子は第1ノードに連結されており、前記第8及び第9フォトダイオードの陽極端子は接地端子に連結され、陰極端子は第2ノードに連結され、
前記第10フォトダイオードの陽極端子は接地端子に連結され、陰極端子は第9ノードに連結されており、前記第11及び第12フォトダイオードの陽極端子は接地端子に連結され、陰極端子は第10ノードに連結され、
前記第1能動ピクセル回路は、
第3ノード、電源端子及び前記第1ノードに連結され、前記第1ノードに蓄積された信号電荷によって前記第1ノードに連結されたノードの電位を変化し、前記第3ノードのバイアスを変化する第1スイッチと;
前記第1スイッチに連結され、第1ロー信号が印加されて第1及び第7フォトダイオードで変換された電圧信号を第1カラムラインに出力する第2スイッチと;
前記第1ノード及び電源端子に連結され、リセット信号が印加されて前記第1ノードに蓄積された信号電荷をリセットする第3スイッチと、を含み、
前記第2能動ピクセル回路は、
第7ノード、電源端子及び第6ノードに連結され、前記第6ノードに蓄積された信号電荷によって前記第6ノードに連結されたノードの電位を変化し、前記第7ノードのバイアスを変化する第4スイッチと;
前記第4スイッチに連結され、第1ロー信号が印加されて第4乃至第6フォトダイオードで変換された電圧信号を第4カラムラインに出力する第5スイッチと;
前記第6ノード及び電源端子に連結され、リセット信号が印加されて前記第6ノードに蓄積された信号電荷をリセットする第6スイッチと、を含み、
前記第3能動ピクセル回路は、
第8ノード、電源端子及び前記第2ノードに連結され、前記第2ノードに蓄積された信号電荷によって前記第2ノードに連結されたノードの電位を変化し、前記第8ノードのバイアスを変化する第7スイッチと;
前記第7スイッチに連結され、第2ロー信号が印加されて第2、第3、第8及び第9フォトダイオードで変換された電圧信号を第3カラムラインに出力する第8スイッチと;
前記第2ノード及び電源端子に連結され、リセット信号が印加されて前記第2ノードに蓄積された信号電荷をリセットする第9スイッチと、を含み、
前記第4能動ピクセル回路は、
第12ノード、電源端子及び第11ノードに連結され、前記第11ノードに蓄積された信号電荷によって前記第11ノードに連結されたノードの電位を変化し、前記第12ノードのバイアスを変化する第10スイッチと;
前記第10スイッチに連結され、第2ロー信号が印加されて第10乃至第12フォトダイオードで変換された電圧信号を第2カラムラインに出力する第11スイッチと;
前記第11ノード及び電源端子に連結され、リセット信号が印加されて前記第11ノードに蓄積された信号電荷をリセットする第12スイッチと、を含むことを特徴とするCMOSイメージセンサの能動ピクセルアレイ。 - 前記第1及び第2ロー信号は、順次印加されることを特徴とする請求項5に記載のCMOSイメージセンサの能動ピクセルアレイ。
- 前記第1乃至第4能動ピクセル回路の前記第1、第2、第6及び第11ノードにそれぞれ連結され、トランスファ信号が印加されて前記第1乃至第12フォトダイオードで生成された信号電荷をトランスファする第13乃至第16スイッチをさらに含むことを特徴とする請求項6に記載のCMOSイメージセンサの能動ピクセルアレイ。
- 前記第1乃至第16スイッチは、トランジスタであることを特徴とする請求項7に記載のCMOSイメージセンサの能動ピクセルアレイ。
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CN107014489B (zh) * | 2017-04-27 | 2018-05-08 | 浙江工业大学 | 一种光多参量传感cmos单片集成电路 |
US10622538B2 (en) | 2017-07-18 | 2020-04-14 | Apple Inc. | Techniques for providing a haptic output and sensing a haptic input using a piezoelectric body |
US10440301B2 (en) | 2017-09-08 | 2019-10-08 | Apple Inc. | Image capture device, pixel, and method providing improved phase detection auto-focus performance |
US10848693B2 (en) | 2018-07-18 | 2020-11-24 | Apple Inc. | Image flare detection using asymmetric pixels |
US11019294B2 (en) | 2018-07-18 | 2021-05-25 | Apple Inc. | Seamless readout mode transitions in image sensors |
US11233966B1 (en) | 2018-11-29 | 2022-01-25 | Apple Inc. | Breakdown voltage monitoring for avalanche diodes |
US11563910B2 (en) | 2020-08-04 | 2023-01-24 | Apple Inc. | Image capture devices having phase detection auto-focus pixels |
US11546532B1 (en) | 2021-03-16 | 2023-01-03 | Apple Inc. | Dynamic correlated double sampling for noise rejection in image sensors |
US12069384B2 (en) | 2021-09-23 | 2024-08-20 | Apple Inc. | Image capture devices having phase detection auto-focus pixels |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5459368A (en) | 1993-08-06 | 1995-10-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device mounted module |
US6727521B2 (en) * | 2000-09-25 | 2004-04-27 | Foveon, Inc. | Vertical color filter detector group and array |
JP2002290199A (ja) | 2001-03-28 | 2002-10-04 | Mitsubishi Electric Corp | 弾性表面波装置 |
JP2003298038A (ja) * | 2002-04-05 | 2003-10-17 | Canon Inc | 光電変換素子及びそれを用いた固体撮像装置 |
JP3854887B2 (ja) * | 2002-04-05 | 2006-12-06 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
JP4035356B2 (ja) * | 2002-04-10 | 2008-01-23 | キヤノン株式会社 | 撮像装置およびその制御方法 |
US7129466B2 (en) * | 2002-05-08 | 2006-10-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Color image pickup device and color light-receiving device |
US6946715B2 (en) | 2003-02-19 | 2005-09-20 | Micron Technology, Inc. | CMOS image sensor and method of fabrication |
US7382408B2 (en) * | 2002-07-18 | 2008-06-03 | Micron Technology, Inc. | Varying capacitance that receives signals from sensing elements |
KR20040036087A (ko) | 2002-10-23 | 2004-04-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 광의 파장에 따라 포토다이오드의 깊이가 다른 씨모스이미지센서 및 그 제조 방법 |
JP3970185B2 (ja) * | 2003-01-14 | 2007-09-05 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子及びデジタルカメラ |
US7477304B2 (en) * | 2004-08-26 | 2009-01-13 | Micron Technology, Inc. | Two narrow band and one wide band color filter for increasing color image sensor sensitivity |
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