JP4218248B2 - 真空中にて使用するガス冷却静電ピンチャック - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般に半導体プロセスにおいて、サブストレートを保持するのに用いられるチャックに関係し、より詳細には、チャックとサブストレートの間で冷却ガスの圧力を調整することにより、サブストレートの一様な温度を制御、維持するためのシステムと方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路、電子部品、電子装置製造を含むプロセスの中で、ウエハのプロセスにおいて、シリコンウエハのようなサブストレートを支持するために様様な支持システムが用いられてきた。露光装置のようなプロセスでは、チャックにより固定されるウエハの露光面の平坦性、像のミスアライメントを生じさせる変形が小さいこと、等の像の品質に係わる考慮が必要とされる。
【０００３】
支持システムの1つのタイプには、ウエハを所定の位置に保持するために、ウエハの周に沿って伸びる周辺クランプリングを用いたものがある。リングの下のウエハの位置は支持部材に対して固くクランプされる。このようなシステムでは、ウエハの周囲がリングにより覆われるために、回路の製造に利用できる面積が減ることになる。更に、ウエハと支持部材の間に微粒子が挟みこまれるとウエハの変形へと繋がる。
【０００４】
他のタイプの支持システムは、チャックに対してウエハを保持するのに真空を使うものである。この真空支持システムでは、ウエハは真空ポンプの利用によりチャックに対して保持される。これにより、チャックとウエハの間の空間の圧力はチャンバの中のガス圧力よりも小さくなり、これにより支持システムは作動する。プラズマエッチングのような多くの半導体製造プロセスでは、高い真空環境（１０^-3Torr以下）で行なわれる。真空支持システムは典型的には、そのような真空チャンバの中では作動することができない。というのは、ウエハをチャックに対して固定するためには、支持システムの内部よりも、チャンバの環境は高い圧力が必要だからである。
【０００５】
他のタイプの支持システムは支持部材にウエハをクランプするのに静電力を使うものである。そのようなシステムでは、典型的には、実質的に全てあるいは、全てのウエハの面積がプロセスのために利用可能となり、しかもチャックは高い真空環境でも効果的に使用することができる。典型的な静電チャックはウエハを支持する面と電気的なポテンシャルによりウエハに対して静電的に偏った静電部材とからなるものである。ウエハは静電力によりチャックの支持面に対して所定の位置に保持される。
【０００６】
ウエハのプロセスの間、しばしば熱が生じる。そしてしばしばウエハの最大温度上昇を制限する必要が生ずる。ウエハ表面の温度の均一性を保つことが重要である。ウエハ表面に過度の温度の分布があると（しばしば、不均一な熱伝達による）、ウエハは変形する場合がある。真空環境において、ウエハからの熱の伝達は効率的ではない。これは、熱の伝達は主に放射によって行なわれるからである。支持システムはしばしば実質的にウエハの温度を一定に保つためにウエハを冷却する方法を提供している。もしチャックとウエハの間の接触が滑らかであれば、接触領域は十分であり、チャックの熱伝導は高く、ウエハからチャックへ多くの熱を移動することができる。もしウエハあるはチャックの表面が粗く接触領域が限られておれば、チャックを通じて熱伝達は実質的に減少する。チャックとウエハの間の親密な接触を達成することは難しい。更に、チャックとウエハの間に微粒子が挟みこまれるとウエハの変形へと通じるために、この条件は通常避けられる。この条件下では、ヘリウムのような不活性ガスをウエハとチャックの間に充たし熱伝導体として使用し、ウエハの下側を経由してウエハから熱を排熱することができる。対流を利用してウエハを冷却するために、ウエハとチャックの間に流体を流すことも可能である。しかしながら、十分なクランプ力を維持し、周囲の真空環境への重大な漏れを避けることは難しい。
【０００７】
米国特許４，５６５，６０１は、静電チャックと特定の温度で真空内で処理されるウエハの温度を制御する方法が記載されている。静電チャックはウエハを周辺と内部の点の両方でクランプし、支持する。ガスの冷却材はチャックの上とウエハの下のあいだの間隙に供給される。周囲のクランプする領域では、ガスが真空チャンバ内に流れるのを防ぐシールが供給される。しかしながら、周囲の接触領域がウエハと良好な接触をしない場合、例えば間に微粒子が挟みこまれた場合、あるいはウエハの表面が平面で無い場合にはチャンバ内への漏れが生じる。また、この特許によると、冷却ガスが周囲の真空に流れるのをふせぐシールを設けるために、チャックとウエハの周囲でクランプをする必要がある。シールが有効になるためには、多大なクランプ圧力をかける必要があり、このことにより、ウエハを変形させる要因となる場合がある。
【０００８】
エレクトログリップ社は２００ｍｍのウエハ、ガス圧力１０Torrで漏れ率が０．５〜１sccmのヘリウム冷却の静電チャックを製造している。これは、７６０Torrの圧力で０．０１３Torr−１/secに等しい。チャンバの圧力を１ｍTorrに保つためには、典型的なエッチングシステムでこの漏れ率を適用すると、ポンプ速度は０．０１３Torr−１/sec/１０^-3Torr＝１３ １/secが必要となる。そのようなポンプ速度を達成するのは難しくはない。しかしながら、電子線露光装置のような用途に対しては、チャンバの圧力が１０^-6から１０^-7Torrの圧力が必要とされる。このような圧力レベルを保つには、ポンプの速度を１０³から１０⁴倍にする必要がある。これはもはや可能ではない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ウエハの全作業領域に亘って熱の均一な伝達を供給すること、作動環境への冷却ガスの漏れを最小限にすること、ウエハの変形を防止することが静電チャックに求められている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、環状のガスインレットを静電チャックの周辺に配置し、サブストレートを保持するために一様な分布の冷却ガスを供給し、ウエハの周辺でガスベアリングのシールを配置することにより、従来の技術の持っていた欠点を克服するものである。1つの実施例として、本発明は、チャックの周辺に配置されたガスの環状のガスアウトレット内に配置された環状のガスインレットを持つ静電ピンチャックにより保持されるウエハへの均一なガス分布を供給するものである。環状のガスインレットからガスが導入されることによりチャックの空隙における冷却ガス圧力を均等化される。ガスの均一な分布はウエハからの熱の均一な伝達になる。チャックの外周に配置された環状のガスアウトレットを取り囲む2つの環状のリムはガスベアリングシールとして働き、真空中へ漏れるガスを防止するのに役立つ。
【００１１】
ガスアウトレットでのガスの損失にも関わらずウエハとサブストレートの間のガス圧力を本質的に一定に保つのに十分な大きさの貯蓄槽から、ガスは供給されている。
【００１２】
【実施例】
本発明は、以下の図を参照にしつつ以下の記述において好ましい実施例を述べるものである。本発明は本発明の目的を達すのに最良の方法が述べられているが、本発明の趣旨から離れることのない範囲において、様様な変更が可能であることが分かるはずである。
【００１３】
図を参照して説明する。図１，２は直径３００ｍｍのウエハを支持するガスで冷却された静電ピンチャックを異なる角度から見た図である。ピンチャックの大きさは支持されるサブストレートの大きさに適合したものにすべきである。本発明で述べられているピンチャックは丸いシリコンウエハ１６と共に用いられる。それゆえ、ベース３０は一般に円筒形である。ベース３０の高さあるいは厚さは、真空または非真空での静電操作において十分に剛性が保たれる必要がある。チャックから熱を取り去るための冷却用流体またはガスの通過する通路を供給するためにベース３０にチャンネル（図示せず）を設けても良い。ウエハ１６の下のベース空隙３４には、規則的に並べられたピン１０が並べられている。ウエハ１６が支持ピン１０と支持されるウエハ１６の間にゴミの微粒子を呼びこまず、しかもウエハ１６に変形を引き起こさないように支持ピン１０の数と直径は選択される。ピンによって接触されるウエハの面積は全体の５〜１０％以内にすべきである。
【００１４】
静電チャックはウエハを所定の場所に固定するためにコンデンサの２平面の間の吸引力を利用するものである。誘電定数ε、厚さがｄの絶縁体でウエハがチャックから離されており、そこに電圧Vを加えると、ウエハとチャックの間に生じる吸引力Fは次のようになる。F=(εV²/2ｄ²)A
ここで、Aはウエハとチャック電極の共通領域である。所定の電圧で大きな吸引力を得るためには、ウエハとチャックの距離ｄを明らかに小さくしなければならない。また、高い誘電定数も有利となる。ウエハとチャックの間の間隙に低圧のガスが充たされていたり、あるいは真空であれば誘電定数は基本的に真空の誘電定数ε_oとなる。
【００１５】
ウエハは絶縁ピンで支持されている。ピンのウエハ面積に占める割合をｆとすれば、チャックの実効誘電定数はｆε+（１-ｆ）ε_oとなる。ここでεはピン材料の誘電定数である。ｆが小さければ、誘電定数は基本的にε_oとなる。
【００１６】
ウエハとチャックの間の空間に導入されたガスはウエハの温度を制御するために十分な熱の伝達をしなければならない。同時にガスの圧力はウエハをチャックに固定する力が小さくならないように十分小さくなければならない。良く知られているように、ガス分子の平均自由行程がシステムの大きさに比べて十分に小さい範囲において、ガスの熱伝達は基本的にガスの圧力とは独立である。このことから、チャックに比較的低い圧力でガスを使うことができる。
【００１７】
ベース３０の外周には環状の外リム２４があり、その内側には、環状の真空ポンプへのポート６を含む環状のチャンネル２０が配置されている。真空ポンプへのポート６は多岐管とホース（図示せず）によって真空ポンプ３１に接続されている。環状の内リム４は環状のチャンネル２０の隣に配置されている。環状の内リム４と環状の外リムの幅は数ミリであり、それぞれのリムの高さは支持ピン１０の高さよりも数μｍ低くなっており、ウエハ１６と２つのリム４，２４との間のギャップ１８が生じるようになっている。このギャップ１８は、ウエハ１６がそれぞれのリム４，２４に接触するのを防ぐため重要となっている。このギャップは、半導体のプロセスにおける典型的な微粒子の大きさよりも大きくなっている。このように、この構造では微粒子によるウエハの変形の可能性が減少する。リム４，２４にはウエハ１６の周囲で固定することがないから、固定する時の圧力による変形も無い。一方で、冷却ガスがベース空隙３４を通して流れる時には、内リム４と外リム２４はガスベアリングのシールとして作用し、周囲環境へのガスの漏れを実質的に減少させる。
【００１８】
冷却ガスは、内リム４からおよそ１５ｍｍ又はそれ以下の場所に配置された環状の溝１４に設けられた一連のインレット２２を通してガス源３２から導入される。インレット２２は多岐管とホース（図示せず）により真空ポンプ３１に係合されている。ウエハの下でガスの圧力をより急速に平衡させるためには、中央のガスインレット８も加えて使用しても構わない。ウエハのプロセスが終了する時でウエハがチャックから取り外される場合には、これによりガスの除去の速度を上げることができる。ウエハとチャックのギャップが小さくなると、更に多くのポートが必要になる場合がある。
【００１９】
操作のためのバルブ３３ａ、３３ｂ、３３ｃは最初閉じている。ウエハはチャックに固定されており、バルブ３３ａと３３ｃは開いている。ヘリウムのような冷却ガスが中央のガスインレット８とウエハ１６の表面とピンチャックの表面で構成されるベース空隙３４へ導入される。圧力はウエハの表面で等しく分布する。但し、内リム４では圧力の傾きが生じる。真空ポンプポート６での圧力はウエハの中心に近い部分での圧力より低いために圧力の傾きが生じる。内リム４と外リム２４は、ベース空隙３４を通してガスが流れる時にガスベアリングのシールとして作用する。プロセスの終わりで、バルブ３３ａは閉じバルブ３３ｂが開く。冷却ガスはポンプで排出され、バルブ３３ｂ、３３ｃは閉じられる。ウエハはチャックから取り外される。
【００２０】
図３は形状とガス圧力により定義付けられた有限数のコンダクタンスによりシステムを代表することによりチャックとウエハの間のガスの流れを数値モデル化したものから得られた結果である。回路理論で使われるキルヒホッフの式に基づいた一連のコンダクタンスから決められる。グラフは、２つの異なったチャック、つまり、１つはガスのインレットが中央に１つあるもの、もう１つはリム４の内側に配置されたインレット（つまり、インレット１４）に対して、ウエハの下のヘリウムの圧力の数値モデルの結果を比較したものである。ヘリウムの圧力（Torr）を縦軸に、ウエハチャックの半径（ｍ）を横座標にとっている。モデルのパラメータは次のようになっている。単体チャックのインレットに対するチャックのインレットでの圧力は４６Torr,半径０．１２０ｍの位置に配置されている環状のインレットのチャックでの圧力は０．０１Torr、ホースと多岐管を通じてポンプのポート６へと繋がっている真空ポンプ３１での圧力は０．０１Torrである。チャックを囲む真空チャンバは１０００ ｌ/secの速度で排出する真空ポンプに接続されている。図３において、ウエハの底面と内側の環状シール４との間いの間隙は２μｍが確保されている。単体のガス用インレットを持ったチャックに支えられているウエハ下のヘリウムの圧力分布５０は一様ではない。圧力は中心のガス用インレットに近づくにつれて高くなり外周に近づくにつれて低くなる。圧力はおよそ４６Torrと１０Torrである。不均一な圧力分布はウエハの不均一な圧力分布に繋がる（２つのパラメータの間には直接的な関係がある）。その結果としてウエハは不均一に冷却される。
【００２１】
環状のガスインレット１４を持つウエハチャックでは、ヘリウムの圧力分布５２は、ウエハの中心部から内リム４まで、つまりウエハの中心からその端まで測定して約０．１３５ｍの距離の間で実質的に一様である。およそ０．１３５ｍを越えるとヘリウムの圧力は徐々に減少し真空ポンプのポート６での圧力へとなる。このように、環状のガスインレットを付加することにより、ウエハ表面の大部分に亘ってヘリウムガスの圧力を均一にする事が出来る。これにより、熱伝導が均一となる。環状ガスインレット１４より大きな半径で熱伝導が減少するが、影響を受けるウエハの面積は全体の僅か数パーセントである。環状のインレット１４と内リム４をできるだけウエハのエッジに近づけて配置することにより、これは更に減少させることができる。
【００２２】
図４は、形状とガス圧力により特徴づけられた有限の数のコンダクタンスのサブシステムによりシステム全体を代表するように、様様な形状と圧力での数値モデル化したチャックから得られた結果を示している。ガスの流れはキルヒホッフの式に基づいて決定されている。グラフは冷却ガスが真空チャンバ中への漏れを示しており、エアベアリングのギャップ、環状の内リム、外リムの半径方向の厚さ、ウエハチャックの環状ポートへのポンプ圧力等を変化させたものである。ウエハチャックは１０００ ｌ/secで排出される真空チャンバに配置されていたものである。ヘリウムの圧力は１０Torrに設定され、環状の内リム、外リムの半径方向の厚さは１ｍｍ、５ｍｍに設定された。ウエハ底面とチャックの間の間隙（μｍ）を横軸に、チャンバの圧力（Torr）を縦軸にとっている。点４６はリムの厚さが５ｍｍで真空ポンプでのヘリウムの圧力が０．０１Torrの場合であり、ウエハとリムの間の間隙が１から５μｍへと増えると、真空チャンバの圧力は１．０×１０-8Torr以下から１．０×１０-6Torrへと増加し、真空チャンバへの冷却ガスの漏れが増大したことを示している。点４８は同じ厚さで５μｍのウエハの間隙、真空ポンプの無い場合であるが、チャンバの圧力は１．０×１０-5Torr以上に上がっている。これはポンプのポートが使用された時よりもチャンバへの漏れが大きいことを示している。環状リムの厚さを１ｍｍまで減少させ、ポンプの圧力を０．０１Torr、チャンバの圧力をおよそ１．０×１０-7Torr、間隙を１μｍとすると、間隙が増加するに従って圧力も増加する（点４２）。リムが１ｍｍのままで、ポンプのポートが無く、ウエハの間隙は１μｍの場合にはチャンバの圧力は４．０×１０-6Torrへと上昇する（点４０）。リムの厚さが１ｍｍ、ポンプ圧力が０．００１Torr、間隙が２．１μｍの場合、チャンバの圧力は１．６×１０-6Torrとなる（点４４）。ポンプの圧力を低くしてもチャンバの圧力にはほとんど影響を与えない（点４２との比較）。
【００２３】
この数値モデルからのデータは他のパラメータが一定という条件下では、ウエハと内リム・外リムの間の間隙が増加すると、ヘリウムガスの漏れが増加することを示している。これによると、大きな間隙となるとガスが逃げる断面の面積が増加することになる。第二に、環状リムの厚さが増加すると、増加したリム表面がガスベアリングのシールとして働き、漏れが減少する。最後に、ポンプ圧力を減少させると、ヘリウムの漏れを減少させる。これは、環状チャンネル２０の低い圧力が環状チャンネル２０から外リム２４を通過してチャンバへ流れる流量が減ることによる。特定の用途に用いられる理想的なチャックを設計する際には、これらのファクタで調整することができる。
【００２４】
ポート６に接続された真空ポンプ３１への要求事項は多くない。図３に示した条件でのポンプのガス排出量は０．００５６Torr/secである。入り口での圧力をポンプでの圧力０．０１Torrに保つためには、ポンプの速度はおよそ０．００５６/０．０１＝０．５６ ｌ/secが要求される。この速度は市販のポンプで容易に達成することがでこる。
【００２５】
ポート６と真空チャンバへ逃げるガスは、ガス源からのガスに置き換わらねばならない。さもなくば、時間と共にチャックの圧力と熱伝達は減少することになる。チャックでのガス圧力をPchuckとし真空ポンプの圧力よりも遥かに大きいとすると、チャックからのガスの流れはおよそCPchuckとなる。ここで、Cは環状シール４のコンダクタンスである。ウエハ下とチャック上の間のヘリウムガスの体積をVとし、ガス源が無い場合、ガスの圧力は時間ｔとexp[-Ct/V]のように減少する。この関係は例えば、John F. O'Hanlon著のA User's Guide to Vacuum Technologyに記載されている。図３に示された条件において、コンダクタンスはおよそ０．０００５７ ｌ/sec、体積はおよそ０．０００５７ ｌである。従って、時間定数V/C、つまり、圧力が最初の値のe^-1になるまでにかかる時間は僅かに１秒となる。これは工程における時間としては十分に短い時間であり、ガス源は圧力を一定に保つことが必要とされる。
【００２６】
まとめると、本発明は静電チャックに固定された冷却ガスの一様な圧力を供給をするものであり、これは、ガスのインレットを含む圧力分布用の溝を使用することにより得られる。冷却ガスの均一な圧力はウエハの均一な冷却を可能とする。これはウエハの工程では重要なことである。均一なウエハの温度を提供することにより、ウエハ上の変形は減少することが出来る。内リムと外リムは真空ポートと共に冷却ガスのも漏れを減少させるように働く。これにより、チャックが１０^-6以下の圧力を必要とするチャンバの中で効率的に作動する。
【００２７】
本発明が適用できる多くの種類の露光装置がある。図５を参照しつつ説明をする。図５に示しているのは電子線露光装置であり、これは電子銃５０、照明システム５４、レチクルステージ５８、ウエハステージ７０、投影システム６０からなっている。照明光学システム５４は電子線５２を照射するものであり、レチクル５６の上にはサブストレート６６へ転写するパターンが形成されている。レチクルステージは電子線５２の照射領域内でレチクル５６を保持し移動させるものである。（電子線はレチクルを通過し、照明された領域の像を転写するものである。）ウエハステージ７０はガスで冷却されたピンチャック、つまり、本発明で示した（実施例で示したピンチャック６８のような）チャックを保持するもので、電子線５２によりレチクルのパターンを露光するためにサブストレート６６を保持し、動かすものである。ピンチャック６８は図２に模式的に示されている配管とバルブによりガス源３２と真空ポンプ３１に接続されている。投影システム６０がレチクルステージ５８とウエハステージ７０の間に配置されており、レチクル上の像を敏感なサブストレート６６の表面に露光するものである。投影システム６０は、電磁偏向器６２（２軸方向に電子線を偏向する複数の偏向器を含むものでもよい）からなり、露光表面のパターン化された電子線が露光される領域が増加するように電子線を偏向させるものである。露光システム６０は、ウエハステージ７０やレチクルステージ５８、あるいは双方のステージの位置誤差を十分に修正するために、偏向させる静電偏向器６４を含んでいることがある。これにより露光された表面でのパターンの位置を調整するようになっている。この装置はまた、照明システム５４の動作を制御するコントローラ７２と、投影システム６０、レチクルステージ５８、ウエハステージ７０、電磁偏向器６２、静電偏向器６４、真空ポンプ３１、ガス源３２、と関連するバルブを含んでいる。
【００２８】
コントローラ７２はパターン化した電子線をサブストレート６の表面に露光する間ウエハステージ７０を連続的に動かし、露光の間パターンを投影する際の位置の修正の間静電偏向器６４を駆動するようになっている。上記で述べた電子線露光装置のように、開示された発明は真空中で使用されるガス冷却のチャックに焦点が当てられているが、チャックは非真空の環境下でも使用できる。
【００２９】
更に、半導体装置は、上記のシステムを用いて、一般的に図６に示したプロセスにより製作される。ステップ７０１では機能と性能が設計される。次に、ステップ７０２ではパターンが描かれたマスク（レチクル）が前ステップの設計に従って設計される。これと平行なステップ７０３で、ウエハはシリコンから作製される。ステップ７０２で設計されたマスクパターンはステップ７０３から作製されたウエハ上にステップ７０４において、上に述べた本発明による光露光システムにより露光される。ステップ７０５では、半導体デバイスは組み立てられる（これには、切断、配線、梱包の工程を含む）。そして最後にデバイスはステップ７０６で検査される。
【００３０】
図７は半導体デバイスを製造する場合における上記で述べたステップ７０４の詳しいフローチャートの例を示している。図７において、ステップ７１１（酸化ステップ）において、ウエハの表面は酸化される。ステップ７１２（CVDステップ）では、ウエハ表面に絶縁フィルムが形成される。ステップ７１３（電極形成ステップ）では、蒸着によりウエハに電極が形成される。ステップ７１４（イオン打ち込みステップ）では、ウエハにイオンが打ちこまれる。上に述べたステップ７１１〜７１４はウエハの工程における前工程であり、必要に応じて選択がなされる。
【００３１】
上記で述べた前工程が完了すると、次の後工程が開始される。後工程では、最初にステップ７１５（フォトレジスト塗布ステップ）では、フォトレジストがウエハに塗布される。次にステップ７１６（露光ステップ）では、上記に述べた露光装置が用いられてマスク（レチクル）のパターンがウエハに焼き付けられる。次に、ステップ７１７（現像ステップ）では露光されたウエハは現像される。ステップ７１８（エッチングステップ）では残っているフォトレジスト(露光された表面)以外の部分がエッチングにより取り除かれる。ステップ７１９（フォトレジスト除去ステップ）では、エッチングの後に残っている不用なフォトレジストを除去する。複数の回路パターンがこれらの前工程と後工程の繰り返しで形成される。
【００３２】
本発明の視点から外れることの無い範囲において、露光システムはここで示したものとは異なったり、本発明のピンチャックが装着された他のタイプの露光装置であったりする場合があることは理解されるべきである。
【００３３】
本発明は好ましい実施例に関して述べたものであるが、本発明の視点から離れることなく様様な変更や改良が可能であることは、理解されるであろう。従って、示した発明は単に例を示したものであり、特許請求の範囲で特定している範囲のみによって限定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の実施例によるウエハピンチャックを上から見たものである。
【図２】図２はウエハピンチャックの図１の２-２線に沿っての断面図である。
【図３】図３は中央に1つのガスインレットを持ったチャックと環状のガスインレットを持ったチャックの、ウエハ下のヘリウム圧力を比較したグラフである。
【図４】図４は異なるリム厚さ、ウエハとチャックの間隙、真空ポンプの圧力でのウエハチャックからのヘリウムの漏れを比較したグラフである。
【図５】図５は本発明の原理に基づいたピンチャックシステムを備えた典型的な電子線露光システムの模式図である。
【図６】図６は半導体装置の製造プロセスのブロックダイアグラムである。
【図７】図７は半導体装置の製造の詳細なブロックダイアグラムである。

Claims (13)

1. 工程のためのサブストレートを支持するチャックであって、
   上面を持つベースと、
   前記サブストレートを支持する前記上面から突き出した複数の支持ピンと、
   前記上面に設けられ、前記サブストレートの下に配置された第一ガスインレットと、
   前記上面に設けられ、前記第一ガスインレットを囲むように配置された環状の第二ガスインレットと、
   前記上面に設けられ、前記第二ガスインレットを囲むように環状に配置された排気口とを備えることを特徴とするチャック。
2. 前記第二ガスインレットは、前記ベースに形成される溝を備えることを特徴とする請求項１に記載のチャック。
3. 前記第一ガスインレットと前記第二ガスインレットとから前記ベースの上面と前記サブストレートの間の空間に供給されたガスを前記排気口を通じて排気することを特徴とする請求項１に記載のチャック。
4. 前記チャックは、前記ベースの周辺に配置された環状のリムを備え、前記リムの高さは前記支持ピンの高さよりも低いことを特徴とする請求項３に記載のチャック。
5. 前記環状のリムは、前記環状の第二ガスインレットの外側であることを特徴とする請求項４に記載のチャック。
6. プロセスの間にチャックにより支持されるサブストレートの温度を制御する方法であって、
   前記サブストレートと前記チャックとの間の空間にガスインレットからガスを射出し、
   前記ガスインレットを囲むように配置された環状のガスインレットを通じて前記空間にガスを射出し、
   前記環状のガスインレットを囲むように環状に配置された排気口から前記ガスを排気する制御方法。
7. 前記排気するステップは、前記ガスを前記サブストレートの外周部で排気するステップからなることを特徴とする請求項６に記載の方法。
8. 前記方法は、前記サブストレートは前記チャックのピン上に支持されていることを特徴とする請求項６に記載の方法。
9. プロセスのためのサブストレートを支持するチャックを含み、前記サブストレートの位置を制御するステージ装置であって、
   前記チャックは請求項１記載のチャックであることを特徴とするステージ装置。
10. 露光システムであって、エネルギー線を照射する照明システムと請求項９に記載の前記ステージ装置とからなり、前記ステージ装置は前記エネルギー線の通過領域でサブストレートを動かすことを特徴とする露光システム。
11. 照明システムは電子線を放射することを特徴とする照明システムであることを特徴とする請求項１０に記載の露光システム。
12. 前記エネルギ線は電子線であることを特徴とする請求項１１に記載の露光システム。
13. 請求項１０に記載の露光システムにより像を形成することを特徴とする形成方法。

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