JP4201968B2 - レジストパターンの作製方法、薄膜のパターニング方法、及びマイクロデバイスの製造方法 - Google Patents
レジストパターンの作製方法、薄膜のパターニング方法、及びマイクロデバイスの製造方法 Download PDFInfo
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、レジストパターンの作製方法、薄膜のパターニング方法、及びマイクロデバイスの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
薄膜のパターニング方法には、ミリング法を用いる方法、リフトオフ法を用いる方法、さらにはミリング法とリフトオフ法とを併用する方法がある。そして、薄膜をパターニングするために用いるレジストパターンは、例えば、ポリメチルグルタルイミド層(PMGI層)とフォトレジスト層との2層構造を呈する、いわゆるBi−layer型のレジストパターンを用いて行う。
【0003】
図1〜5は、このようなBi−layer型のレジストパターンの作製方法を示す工程図である。
最初に、図1に示すように、所定の基材1上にPMGI層3を塗布して形成し、必要に応じて加熱処理を施す。次いで、図2に示すように、PMGI層3上にフォトレジスト層5を塗布して形成し、必要に応じて加熱処理を施す。その後、図3に示すように、所定のマスク7を介して、例えばUVを照射することによってフォトレジスト層5に対して露光処理を施す。
【0004】
その後、フォトレジスト層5に対して現像処理を施すとともに、PMGI層3をアルカリ水溶液で部分的に除去することによって、図4に示すようなレジストパターン9、又は図5に示すようなレジストパターン10を得る。
【0005】
レジストパターン9の本体部分9−1は、フォトレジスト層5から構成されるものであり、本体部分に対して狭小化されこの本体部分を支持している付属部分9−2は、PMGI層3から構成されるものである。同じく、レジストパターン10の本体部分10−1は、フォトレジスト層5から構成されるものであり、付属部分10−2は、PMGI層3から構成されるものである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
図4に示すようなレジストパターン9を用いて例えばミリング法により薄膜のパターニングを実施した場合、付属部分9−2の側壁に被ミリング材が比較的多量に付着してしまう場合があった。したがって、レジストパターン9を最終的に溶解除去する際に、付属部分9−2の側壁に付着した被ミリング材によって溶剤の回り込みが不十分となり、レジストパターン9を完全に溶解除去できない場合があった。
また、付属部分9−2の底部の広がりが大きくなってしまうと、薄膜のパターニングに際して、この付属部分の影響を受けてしまうという問題も生じる。
【0007】
さらに、図5に示すようなレジストパターン10においては、付属部分10−2による本体部分10−1の支持が不十分となるため、薄膜のパターニング時において本体部分10−1が取れてしまうという問題を生じていた。
【0008】
本発明は、上述した問題を生じることのない、新規な構成のレジストパターンを提供することのできるレジストパターンの作製方法を提供するとともに、このような方法によって作製したレジストパターンを用いた薄膜のパターニング方法、並びにマイクロデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成すべく、本発明のレジストパターンの作製方法は、
所定の基材上にポリメチルグルタルイミド層を形成する工程と、
前記ポリメチルグルタルイミド層の表面に、UV照射またはイオン照射によって半硬化層を形成する工程と、
前記半硬化層を含む前記ポリメチルグルタルイミド層上に、フォトレジスト層を形成する工程と、
前記フォトレジスト層を、所定のマスクを介して露光する工程と、
前記フォトレジスト層を現像する工程と、
前記ポリメチルグルタルイミド層をアルカリ水溶液を用いて部分的に除去する工程と
を含み、UV照射によって前記半硬化層を形成する場合は、UV照射における照強度が、0.75〜5.65mW/cm 2 であることを特徴とする。
【0010】
本発明者らは、上述したような付属部分に対する被ミリング材の付着に起因する、レジストパターンの溶解除去における困難性などを除去すべく、新規なレジストパターンの構成を探るべく鋭意検討を実施した。その結果、これらの現象は、図4及び5に示すように、レジストパターンを構成する付属部分が正のテーパーを有していることが原因であることが判明した。
そこで、本発明者らは、図1〜3に示すような工程を経てレジストパターンを作製することにより、図4又は5に示すようなレジストパターンの付属部分の側壁がテーパー状となる原因について鋭意検討を行った。
【0011】
その結果、PMGI層の上層部分には熱重合の不十分な部分が比較的高濃度に存在し、この部分の現像液に対する溶解速度が熱重合が十分に行われている部分と比較して極めて高いことを見出した。したがって、図3に示す現像処理において、PMGI層の上層部分が下層部分と比較して高い割合で溶解除去されるため、最終的に得られるレジストパターンのPMGI層から構成される付属部分が、図4又は5に示すようなテーパー状を呈することを見出した。
【0012】
したがって、PMGI層の熱重合が十分な部分及び不十分な部分を、PMGI層の表面に半硬化層を形成して覆うことを想到した。これによって、現像液に対するPMGI層の溶解速度は前記半硬化層によって決定されるため、前記熱重合の不十分な部分の存在如何によらずに、前記PMGI層は前記現像液に対して均一な速度で溶解するようになる。
この結果、レジストパターンの付属部分の側壁はほぼ垂直となり、正のテーパーを有することによって生じていた上記問題を解決することができるものである。
【0013】
そして、本発明の薄膜のパターニング方法は、上記本発明のレジストパターンを用いてパターニングすることを特徴とする。
さらに、本発明のマイクロデバイスの製造方法は、上記本発明の薄膜のパターニング方法を用いて製造することを特徴とする。
【0014】
なお、本発明における「所定の基材」とは、基板単体のみならず、基板上において以下に示す被ミリング薄膜やマイクロデバイスを構成する所定の下地層が形成されている場合をも含む。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を、図面と関連させながら発明の実施の形態に基づいて詳細に説明する。
本発明のレジストパターンの作製方法においては、レジストパターンを構成するPMGI層の表面に半硬化層を形成することが必要である。この半硬化層は、PMGI層の表面に新たに形成した被覆膜や、イオン打ち込みなどによる表面硬化層などの、PMGI層及びフォトレジスト層と異なる第3の膜又は層から構成することができる。
【0016】
しかしながら、レジストパターンとしての特性を損なうことなく容易に半硬化層を形成できることから、前記PMGI層に対してUV照射又はイオン照射を施すことによって前記半硬化層を形成することが好ましい。
【0017】
UV照射によって半硬化層を形成する場合、その照射強度が0.75〜5.65mW/cm2であることが好ましく、さらには1.5〜3.8mW/cm2であることが好ましい。これによって、レジストパターンの付属部分を構成するPMGI層内部を劣化させることなく、その表面のみに本発明の目的とする半硬化層を効率よく形成することができる。
なお、上記のような照射強度のUV照射によって半硬化層を形成する場合、その照射時間は、通常2〜5分間である。
【0018】
イオン照射によって半硬化層を形成する場合、一般的には表面との反応性が少なく、照射効率の高い不活性ガスを用いることが好ましい。そして、このような不活性ガスを用いた場合、その加速電圧は250〜1500Vであることが好ましく、さらには500〜1000Vであることが好ましい。また、電流密度は0.25〜1.0mA/cm2であることが好ましく、さらには0.4〜0.6mA/cm2であることが好ましい。
これによって、前述したように、PMGI層内部を劣化させることなく、その表面のみに本発明の目的とする半硬化層を効率よく形成することができる。
なお、このような条件でイオン照射を行う場合、その照射時間は、通常5〜10秒間である。
【0019】
また、上記のようにして半硬化層を形成する場合、必要に応じて、PMGI層を含む基材全体を半硬化層が形成し易い温度に適宜加熱する。
半硬化層の形成は、図1に示す工程において、PMGI層を形成し必要に応じて加熱処理を施した後に、上記UV照射又はイオン照射により実施する。
【0020】
UV照射によって半硬化層を形成する場合、例えば、PMGI層を含む基材の温度を100℃とし、水銀ランプを用いて照射強度1.5mW/cm2で2分間のUV照射を行うことにより、付属部分の側壁が垂直のレジストパターンを得ることができる。
【0021】
また、イオン照射によって半硬化層を形成する場合、例えば、PMGI層を含む基材の温度を80℃とし、アルゴンガスを用いて加速電圧500V、電流密度0.5mA/cm2の条件で5秒間のイオン照射を行うことにより、付属部分の側壁が垂直のレジストパターンを得ることができる。
【0022】
図6は、本発明のレジストパターンの作製方法によって得たレジストパターンの一例を示す構成図である。図6から明らかなように、レジストパターン20は、略長方形状の縦方向断面を有する本体部分20―1と、この本体部分20―1に対して狭小化され、垂直な側壁を有する付属部分20−2とを具えていることが分かる。
【0023】
したがって、付属部分20−2への被ミリング材の付着を抑制することができ、レジストパターン20の除去を簡易に行うことができる。また、付属部分20−2の底部の広がりを防止することができるため、この部分の薄膜パターニングへの影響が減少する。
さらに、本体部分20−1の支持を十分に行うことができるため、薄膜のパターニング時における離脱を防止することができる。
【0024】
次に、上記レジストパターンを用いて薄膜をパターニングする場合について説明する。図7〜13は、本発明のレジストパターンの作製方法にしたがってレジストパターンを作製し、ミリング法を用いて薄膜のパターニングを行う場合について示している。
【0025】
最初に、図7に示すように、基板31上にスパッタリング法などで被ミリング薄膜32を形成する。次いで、図8に示すように、被ミリング薄膜32上にPMGI層33を塗布して形成し、必要に応じて熱処理を施す。次いで、図9に示すように、PMGI層33の表面に、例えば、UV照射又イオン照射を施して半硬化層33Aを形成する。次いで、図10に示すように、半硬化層33Aを含むPMGI層33上に、例えばポジ型のフォトレジスト層35を塗布して形成する。
【0026】
その後、図11に示すように、所定のマスク37を介して、例えば、UV照射を実施することによってフォトレジスト層35を露光し、現像処理を施す。次いで、PMGI層33の残部を所定のアルカリ水溶液などで除去することによって、垂直な側壁の付属部分を具えるレジストパターン40を得る。
【0027】
次いで、レジストパターン40を介して被ミリング薄膜32に対してミリング処理を施すことにより、図13に示すように被ミリング薄膜32を微細にパターニングすることができ、微細なパターニング薄膜39を得ることができる。レジストパターン40は最終的には所定の溶剤によって溶解除去する。
【0028】
次に、本発明のレジストパターンの作製方法にしたがってレジストパターンを作製し、リフトオフ法によって薄膜のパターニングを行う場合について説明する。図14〜20は、この場合における薄膜のパターニング方法を示す工程図である。
【0029】
最初に、図14に示すように、基板41上にPMGI層43を塗布し、必要に応じて熱処理を施す。次いで、図15に示すように、PMGI層43の表面に、例えば、UV照射又はイオン照射を施すことにより半硬化層43Aを形成する。次いで、図16に示すように、半硬化層43Aを含むPMGI層43上に、例えばポジ型のフォトレジスト層45を塗布して形成する。
【0030】
次いで、図17に示すように、所定のマスク47を介して、例えば、UVを照射し、フォトレジスト層45を露光し、現像する。次いで、PMGI層43の残部を所定のアルカリ水溶液などで除去することによって、図18に示すようなレジストパターン50を得る。
【0031】
次いで、図19に示すように、基板41上にレジストパターン50を覆うようにして被パターニング薄膜48を形成する。その後、図20に示すように、レジストパターン50を所定の有機溶媒を用いて溶解除去することにより、パターニング薄膜49を得る。
【0032】
次に、本発明のレジストパターンの作製方法にしたがってレジストパターンを作製し、ミリング法とリフトオフ法とを併用して薄膜のパターニングを実施する場合について示す。図21〜23は、この場合の薄膜パターニング方法を示す工程図である。
【0033】
最初に、図7〜13に示すミリング法による薄膜のパターニング方法の工程にしたがって、図21に示すような基板51上にプレパターニング薄膜56及びレジストパターン60を形成する。次いで、上記リフトオフ法の場合と同様にして、図22に示すように、基板51上にレジストパターン60を覆うようにして被パターニング薄膜58を形成する。その後、レジストパターン60を溶解除去することにより、図23に示すようにパターニング薄膜59を形成する。
【0034】
本発明のレジストパターンの作製方法、及びこれを用いた薄膜のパターニング方法は、半導体レーザ、光アイソレータ、マイクロアクチュエータ、及び薄膜磁気ヘッドなどのマイクロデバイスの製造において好適に用いることができる。そして、特に、高密度記録再生などの観点から素子の微細化が要求される薄膜磁気ヘッドにおいて好適に用いることができる。
【0035】
本発明のレジストパターンの作製方法及び薄膜パターニング方法を用いて薄膜磁気ヘッドの巨大磁気抵抗効果素子(以下、略して「GMR素子」という場合がある)を形成する場合について説明する。図24〜27は、前記GMR素子を形成する場合の工程図である。なお、図24〜27においては、磁極部分のエアベアリング面(媒体対向面)に平行な断面の様子を示している。
【0036】
最初に、図24に示すように、例えばアルティツク(A12O3・TiC)よりなる基板101の上に、例えばアルミナ(A12O3)よりなる絶縁層102を形成する。次いで、絶縁層102の上に、磁性材料よりなる再生ヘッド用の下部シールド層103を形成する。次いで、下部シールド層103の上に、アルミナ等の絶縁材料よりなる第1のシールドギャップ薄膜104aを形成する。
【0037】
次いで、第1のシールドギャップ薄膜104aの上に、後述するGMR素子を形成すべき領域を除いて、アルミナ等の絶縁材料よりなる第2のシールドギャップ薄膜104bを形成する。次に、第2のシールドギャップ薄膜104bの上に、GMR素子を構成すべき磁性層105aを形成する。次いで、磁性層105aを下地層とし含む基板101上において、上記図7〜13に示すような工程を実施して、GMR素子を形成すべき位置にレジストパターン60を形成する。
【0038】
次いで、図25に示すように、レジストパターン60をマスクとして、イオンミリングなどによって、磁性層105aを選択的にエッチングして、GMR素子105を形成する。次いで、図26に示したように、図22に示す工程にしたがって第1のシールドギャップ薄膜104a、第2のシールドギャップ薄膜104b及びレジストパターン10の上の全面に、GMR素子105に電気的に接続される一対のリード層106を、所定のパターンに形成する。その後、レジストパターン60を溶解除去する。
【0039】
すなわち、図24〜26の工程においては、ミリング法とリフトオフ法とを併用することによって、GMR素子105及び一対のリード層106からなるパターニング薄膜を得る。
【0040】
次いで、図27に示すように、シールドギャップ薄膜104a,104b、GMR素子105およびリード層106の上に、アルミナ等の絶縁材料よりなる第3のシールドギャップ薄膜107aを形成し、GMR素子105をシールドギャップ薄膜104a,107a間に埋設する。次いで、GMR素子105の近傍を除く、第3のシールドギャップ薄膜107aの上に、アルミナ等の絶縁材料よりなる第4のシールドギャップ薄膜107bを形成する。
【0041】
その後は、上部シールド層兼下部磁極層108(以下、「上部シールド層」と略す)、記録ギャップ層112、上部磁極層114、図示しない薄膜コイル、及び保護層115などを順次形成し、エアベアリング面の研磨を実施して薄膜磁気ヘッドを得る。なお、図27においては、上部シールド層の側壁が垂直に自己整合的に形成されたトリム構造を呈している。
【0042】
以上、具体例を挙げながら発明の実施の形態に即して本発明を説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。
【0043】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のレジストパターンの作製方法によれば、垂直な側壁を有する付属部分を具えるレジストパターンを作製することができる。したがって、前記付属部分における被ミリング材の付着を防止することができる。 このため、有機溶剤の回り込みを良好にすることができ、前記レジストパターンの溶解除去を容易に行うことができる。
さらには、前記付属部分における底部の広がりを有効に防止することができる。したがって、パターニング時における前記付属部分の影響を効果的に防止することができ、薄膜パターニングを正確に実行することができる。
【0044】
また、レジストパターンの付属部分における本体部分の支持を強固に行うことができ、この結果、薄膜パターニング時における本体部分の離脱を防止して薄膜のパターニングを正確に実行することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来のレジストパターンの作製方法における最初の工程を示す図である。
【図2】 図1に示す工程の次の工程を示す図である。
【図3】 図2に示す工程の次の工程を示す図である。
【図4】 従来のレジストパターンの形態の一例を示す図である。
【図5】 従来のレジストパターンの形態の他の例を示す図である。
【図6】 本発明のレジストパターンの形態の一例を示す図である。
【図7】 本発明の薄膜パターニング方法における最初の工程を示す図である。
【図8】 図7に示す工程の次の工程を示す図である。
【図9】 図8に示す工程の次の工程を示す図である。
【図10】 図9に示す工程の次の工程を示す図である。
【図11】 図10に示す工程の次の工程を示す図である。
【図12】 図11に示す工程の次の工程を示す図である。
【図13】 図12に示す工程の次の工程を示す図である。
【図14】 本発明の薄膜パターニング方法の他の例における最初の工程を示す図である。
【図15】 図14に示す工程の次の工程を示す図である。
【図16】 図15に示す工程の次の工程を示す図である。
【図17】 図16に示す工程の次の工程を示す図である。
【図18】 図17に示す工程の次の工程を示す図である。
【図19】 図18に示す工程の次の工程を示す図である。
【図20】 図19に示す工程の次の工程を示す図である。
【図21】 本発明の薄膜パターニング方法のその他の例における工程を示す図である。
【図22】 図21に示す工程の次の工程を示す図である。
【図23】 図22に示す工程の次の工程を示す図である。
【図24】 本発明のレジストパターンの作製方法及び薄膜のパターニング方法を用いて、薄膜磁気ヘッドを製造する場合についての工程を示す図である。
【図25】 図24に示す工程の次の工程を示す図である。
【図26】 図25に示す工程の次の工程を示す図である。
【図27】 図26に示す工程の次の工程を示す図である。
【符号の説明】
1、31、41、51 基板
3、33、43 ポリメチルグルタルイミド層(PMGI層)
5、35、45 フォトレジスト層
7、37、47 マスク
9、10、20、40、50、60 レジストパターン
9−1、10−1、20−1 レジストパターンの本体部分
9−2、10−2、20−2 レジストパターンの付属部分
32 被ミリング膜
39、49、59 パターニング薄膜
48、58 被パターニング薄膜
56 プレパターニング薄膜
Claims (14)
- 所定の基材上にポリメチルグルタルイミド層を形成する工程と、
前記ポリメチルグルタルイミド層の表面に、UV照射によって半硬化層を形成する工程と、
前記半硬化層を含む前記ポリメチルグルタルイミド層上に、フォトレジスト層を形成する工程と、
前記フォトレジスト層を、所定のマスクを介して露光する工程と、
前記フォトレジスト層を現像する工程と、
前記ポリメチルグルタルイミド層をアルカリ水溶液を用いて部分的に除去する工程と
を含み、前記UV照射における照射強度が、0.75〜5.65mW/cm 2 であることを特徴とする、レジストパターンの作製方法。 - 所定の基材上にポリメチルグルタルイミド層を形成する工程と、
前記ポリメチルグルタルイミド層の表面に、イオン照射によって半硬化層を形成する工程と、
前記半硬化層を含む前記ポリメチルグルタルイミド層上に、フォトレジスト層を形成する工程と、
前記フォトレジスト層を、所定のマスクを介して露光する工程と、
前記フォトレジスト層を現像する工程と、
前記ポリメチルグルタルイミド層をアルカリ水溶液を用いて部分的に除去する工程とを含むことを特徴とする、レジストパターンの作製方法。 - 前記イオン照射は、不活性ガスを用い、加速電圧250〜1500V、電流密度0.25〜1.0mA/cm2の条件で行うことを特徴とする、請求項2に記載のレジストパターンの作製方法。
- 所定の基材上に被ミリング薄膜を形成する工程と、
前記被ミリング薄膜上にポリメチルグルタルイミド層を形成する工程と、
前記ポリメチルグルタルイミド層の表面に半硬化層を形成する工程と、
前記半硬化層を含む前記ポリメチルグルタルイミド層上に、フォトレジスト層を形成する工程と、
前記フォトレジスト層を所定のマスクを介して露光する工程と、
前記フォトレジスト層を現像する工程と、
前記ポリメチルグルタルイミド層をアルカリ水溶液を用いて部分的に除去し、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを介して前記被ミリング薄膜をミリングし、パターニングされた薄膜を形成する工程と
を含み、前記半硬化層は、前記ポリメチルグルタルイミド層の表面にUV照射することによって形成することを特徴とする、薄膜のパターニング方法。 - 所定の基材上にポリメチルグルタルイミド層を形成する工程と、
前記ポリメチルグルタルイミド層の表面に半硬化層を形成する工程と、
前記半硬化層を含む前記ポリメチルグルタルイミド層上に、フォトレジスト層を形成する工程と、
前記フォトレジスト層を所定のマスクを介して露光する工程と、
前記フォトレジスト層を現像する工程と、
前記ポリメチルグルタルイミド層をアルカリ水溶液を用いて部分的に除去し、レジストパターンを形成する工程と、
前記基材上に前記レジストパターンを覆うようにして被パターニング薄膜を形成する工程と、
前記レジストパターンをリフトオフして、パターニングされた薄膜を形成する工程と
を含み、前記半硬化層は、前記ポリメチルグルタルイミド層の表面にUV照射することによって形成することを特徴とする、薄膜のパターニング方法。 - 所定の基材上に被ミリング薄膜を形成する工程と、
前記被ミリング薄膜上にポリメチルグルタルイミド層を形成する工程と、
前記ポリメチルグルタルイミド層の表面に半硬化層を形成する工程と、
前記半硬化層を含む前記ポリメチルグルタルイミド層上に、フォトレジスト層を形成する工程と、
前記フォトレジスト層を所定のマスクを介して露光する工程と、
前記フォトレジスト層を現像する工程と、
前記ポリメチルグルタルイミド層をアルカリ水溶液を用いて部分的に除去し、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを介して前記被ミリング薄膜をミリングし、パターニングされたプレパターニング薄膜を形成する工程と、
前記基材上に前記レジストパターンを覆うようにして被パターニング薄膜を形成する工程と、
前記レジストパターンをリフトオフして、前記プレパターニング薄膜を含んでなるパターニング薄膜を形成する工程と
を含み、前記半硬化層は、前記ポリメチルグルタルイミド層の表面にUV照射することによって形成することを特徴とする、薄膜のパターニング方法。 - 前記UV照射における照射強度が、0.75〜5.65mW/cm2であることを特徴とする、請求項4〜6のいずれかに記載の薄膜のパターニング方法。
- 所定の基材上に被ミリング薄膜を形成する工程と、
前記被ミリング薄膜上にポリメチルグルタルイミド層を形成する工程と、
前記ポリメチルグルタルイミド層の表面に半硬化層を形成する工程と、
前記半硬化層を含む前記ポリメチルグルタルイミド層上に、フォトレジスト層を形成する工程と、
前記フォトレジスト層を所定のマスクを介して露光する工程と、
前記フォトレジスト層を現像する工程と、
前記ポリメチルグルタルイミド層をアルカリ水溶液を用いて部分的に除去し、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを介して前記被ミリング薄膜をミリングし、パターニングされた薄膜を形成する工程と
を含み、前記半硬化層は、前記ポリメチルグルタルイミド層の表面にイオン照射することによって形成することを特徴とする、薄膜のパターニング方法。 - 所定の基材上にポリメチルグルタルイミド層を形成する工程と、
前記ポリメチルグルタルイミド層の表面に半硬化層を形成する工程と、
前記半硬化層を含む前記ポリメチルグルタルイミド層上に、フォトレジスト層を形成する工程と、
前記フォトレジスト層を所定のマスクを介して露光する工程と、
前記フォトレジスト層を現像する工程と、
前記ポリメチルグルタルイミド層をアルカリ水溶液を用いて部分的に除去し、レジストパターンを形成する工程と、
前記基材上に前記レジストパターンを覆うようにして被パターニング薄膜を形成する工程と、
前記レジストパターンをリフトオフして、パターニングされた薄膜を形成する工程と
を含み、前記半硬化層は、前記ポリメチルグルタルイミド層の表面にイオン照射することによって形成することを特徴とする、薄膜のパターニング方法。 - 所定の基材上に被ミリング薄膜を形成する工程と、
前記被ミリング薄膜上にポリメチルグルタルイミド層を形成する工程と、
前記ポリメチルグルタルイミド層の表面に半硬化層を形成する工程と、
前記半硬化層を含む前記ポリメチルグルタルイミド層上に、フォトレジスト層を形成する工程と、
前記フォトレジスト層を所定のマスクを介して露光する工程と、
前記フォトレジスト層を現像する工程と、
前記ポリメチルグルタルイミド層をアルカリ水溶液を用いて部分的に除去し、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを介して前記被ミリング薄膜をミリングし、パターニングされたプレパターニング薄膜を形成する工程と、
前記基材上に前記レジストパターンを覆うようにして被パターニング薄膜を形成する工程と、
前記レジストパターンをリフトオフして、前記プレパターニング薄膜を含んでなるパターニング薄膜を形成する工程と
を含み、前記半硬化層は、前記ポリメチルグルタルイミド層の表面にイオン照射することによって形成することを特徴とする、薄膜のパターニング方法。 - 前記イオン照射は、不活性ガスを用い、加速電圧250〜1500V、電流密度0.25〜1.0mA/cm2の条件で行うことを特徴とする、請求項8〜10のいずれか一に記載の薄膜のパターニング方法。
- 請求項4〜11のいずれか一に記載の薄膜パターニング方法を用いてマイクロデバイスを作製することを特徴とする、マイクロデバイスの製造方法。
- 前記マイクロデバイスは、薄膜磁気ヘッドであることを特徴とする、請求項12に記載のマイクロデバイスの製造方法。
- 請求項4〜11のいずれか一に記載の薄膜パターニング方法を用いて磁気抵抗効果型薄膜素子を形成することを特徴とする、請求項13に記載のマイクロデバイスの製造方法。
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