JP4188252B2 - 弾性表面波装置 - Google Patents

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Description

本発明は、弾性表面波装置に関し、特に弾性表面波フィルタ等の弾性表面波装置に関する。
弾性表面波装置は、携帯電話等の移動体通信機器のアンテナ共用器(デュープレクサ)等に用いられている。移動体通信機器の小型化、複雑化の傾向に伴い弾性表面波装置に対する更なる小型化が要求されている。
弾性表面波装置をアンテナ共用器(デュープレクサ)に用いる場合、小型化するために送信用弾性表面波(SAW)フィルタと、受信用弾性表面波(SAW)フィルタが共通の同一チップに形成される。
この場合、送信側端子より入力された信号が送信用共振子により弾性表面波に変換され、伝搬して受信側共振子に結合されるように短絡経路を形成する場合が生じる。かかる場合は、送受の分離特性(Isolation)は劣化し、フィルタの通過特性にスプリアスが発生す
る。
かかる不都合を解消するべく従来技術として、圧電基板上の二つのSAWフィルタ間にダイシングにより溝を設ける技術(特許文献1、2)、あるいは、一方のフィルタにおいて、信号端子と接続される線路と、接地端子と接続される線路に交差する部分を持たせる技術(特許文献3)等が示されている。
特開平5−102783号公報 特開2000−13179号公報 特開2003―51731号公報
しかしながら、上記特許文献1、2に記載の発明では、加工技術は微細な加工が難しく、共振子の間隔および配置に関して制限がありチップサイズの大型化を招くおそれがある。さらに、ダイシングにより溝を設ける際に切り屑が共振子に飛ぶため特性の劣化を招いていた。
一方、特許文献3に記載の発明は、フィルタに流れる電流の影響によって発生する磁束を打ち消すために発生する相互誘導による減衰量やアイソレーションの悪化を防止することを目的としている。
したがって、本発明の目的は、特許文献3に記載の目的、構成とは異なり、短絡経路が生じることを防止するものである。さらに特許文献1、2の発明によっても問題となる微細な加工の困難性、チップサイズの大型化、並びにダイシングにより溝を設ける際に切り屑が生じることの問題を解消し、複数の弾性表面波フィルタを一つのチップ上に形成することが可能であり、より小型化が可能となる弾性表面波装置を提供することにある。
上記の課題を達成する本発明に従う弾性表面波装置の第1の態様は、圧電基板と、前記圧電基板に形成された第1の弾性表面波共振子と、前記第1の弾性表面波共振子の弾性表面波伝搬方向に、前記圧電基板に形成された第2の弾性表面波共振子とを有し、前記第1の弾性表面波共振子と第2の弾性表面波共振子の前記圧電基板に形成される位置は、前記第1の弾性表面波共振子と第2の弾性表面波共振子のそれぞれの開口を仮想的に延長することによって定義される弾性表面波伝搬領域で少なくとも一部が重なり合う関係にあり、更に前記重なり合う弾性表面波伝搬領域を上半分と下半分に分割し、前記分割された上半分の領域と下半分の領域において、前記第1の弾性表面波共振子から伝搬される弾性表面波の位相を互いに逆相の関係にする手段を有することを特徴とする。
上記の課題を達成する本発明に従う弾性表面波装置の第2の態様は、圧電基板と、前記圧電基板に形成された第1の弾性表面波共振子と、前記第1の弾性表面波共振子の弾性表面波伝搬方向に、前記圧電基板に形成された第2の弾性表面波共振子とを有し、前記第1の弾性表面波共振子と第2の弾性表面波共振子の前記圧電基板に形成される位置は、前記第1の弾性表面波共振子と第2の弾性表面波共振子のそれぞれの開口を仮想的に延長することによって定義される弾性表面波伝搬領域で少なくとも一部が重なり合う関係にあり、更に前記重なり合う弾性表面波伝搬領域を複数個に分割し、前記分割されたそれぞれにおける上半分の領域と下半分の領域において、前記第1の弾性表面波共振子から伝搬される弾性表面波の位相を互いに逆相の関係にする手段を有することを特徴とする。
上記の課題を達成する本発明に従う弾性表面波装置の第3の態様は、前記第1または、第2の態様において、前記第1の弾性表面波共振子から伝搬される弾性表面波の位相を互いに逆相の関係にする手段は、前記第1の弾性表面波共振子と第2の弾性表面波共振子との間で、前記圧電基板上に形成され、前記重なり合う弾性表面波伝搬領域の上半分の領域若しくは、下半分の領域に対応して、以下の関係にある長さLの切り欠きを備えた金属膜である
L=Vm*Vf*(2n+1)/(2*(Vf−Vm)*f)(n=1,2・・・)
(ただし、Vmは前記金属薄膜下での速度、Vfは前記金属膜のない領域での速度、fは駆動周波数とする)
ことを特徴とする。
上記の課題を達成する本発明に従う弾性表面波装置の第4の態様は、前記第1または、第2の態様において、前記第1の弾性表面波共振子から伝搬される弾性表面波の位相を互いに逆相の関係にする手段は、前記第1の弾性表面波共振子と第2の弾性表面波共振子との間で、前記圧電基板上に形成され、前記重なり合う弾性表面波伝搬領域の上半分の領域若しくは、下半分の領域に対応して、以下の関係にある長さLの金属膜である
L=Vm*Vf*(2n+1)/(2*(Vf−Vm)*f)(n=1,2・・・)
(ただし、Vmは前記金属薄膜下での速度、Vfは前記金属膜のない領域での速度、fは前記第1の弾性表面波共振子の駆動周波数とする)
ことを特徴とする。
さらに、上記の課題を達成する本発明に従う弾性表面波装置の第5の態様は、圧電基板と、前記圧電基板に形成された第1の弾性表面波共振子と、前記第1の弾性表面波共振子の弾性表面波伝搬方向に、前記圧電基板に形成された第2の弾性表面波共振子を有し、前記第1の弾性表面波共振子の前記第2の弾性表面波共振子に対向する側に配置される反射器を構成する複数電極のうち以下の関係にあるN本の電極は、前記反射器部分の開口幅の半分の大きさを有し、前記1/2の幅の上半分の領域と下半分の領域において、前記第1の弾性表面波共振子から伝搬される弾性表面波の位相を互いに逆相の関係にする
4*N/λ=Vm*Vf*(2n+1)/(2*(Vf−Vm)*f)(n=1、2、・・・)
(ただし、λは伝搬する弾性表面波の波長であり、前記反射器の長さをλ/4とする)ことを特徴とする。
さらにまた、上記の課題を達成する本発明に従う弾性表面波装置の第6の態様は、縦続接続された少なくとも2つ以上の弾性表面波共振子を、圧電基板上に少なくとも2組以上配置した弾性表面波装置であって、異なる組の隣接する第1の弾性表面波共振子と第2の弾性表面波共振子の前記圧電基板に形成される位置は、前記第1の弾性表面波共振子と第2の弾性表面波共振子のそれぞれの開口を仮想的に延長することによって定義される弾性表面波伝搬領域で少なくとも一部が重なり合う関係にあり、更に前記隣接する第1の弾性表面波共振子と第2の弾性表面波共振子の間に、引き回し電極が形成され、前記引き回し電極は、前記重なり合う弾性表面波伝搬領域の上半分の領域若しくは、下半分の領域に対応して、以下の関係にある長さLの切り欠きを備えている
L=Vm*Vf*(2n+1)/(2*(Vf−Vm)*f)(n=1,2・・・)
(ただし、Vmは前記金属薄膜下での速度、Vfは前記金属膜のない領域での速度、fは駆動周波数とする)
ことを特徴とする。
本発明の特徴は、以下に図面に従い説明される発明の実施の形態例から更に明らかになる。
本発明の構成により、ダイシングによる溝の形成をすることなく共通パッケージ内の共振子間の信号干渉を排除することができるので、複数の弾性表面波フィルタを一つのチップ上に形成することが可能であり、より小型化が可能となる弾性表面波装置を得ることができる。
以下に図面に従い本発明の実施の形態例を説明する。なお、実施の形態例は本発明の理解のためのものであり、本発明の技術的範囲は、これに限定されるものではない。
ここで、実施の形態例の説明に先立って、本発明の理解のために本発明が解決するべき課題について更に詳細に説明しておく。
図1は、2つのラダー(梯子)型弾性表面波フィルタにより構成されたアンテナ共用器(デュープレクサ)として機能する弾性表面波装置の従来構成例を示す図である。送信信号は、図1中にTPで示される送信側端子に印加され、弾性表面波(SAW)共振子T1〜T4がラダー状に接続された送信側フィルタを経由して、アンテナパッドANTに達する。
さらに、図示しないアンテナには、SAW共振子R1〜R4がラダー状に接続された受信側フィルタが、図示しない位相器を介して接続されている。
送信信号は上述のように送信フィルタを通してアンテナに達し、電波として発信されるが、一方で受信側フィルタに印加される。しかしながら送信周波数帯域では受信フィルタの帯域は減衰帯域にあり、送信信号は受信用低雑音増幅器に接続される受信側端子RPまではほとんど到達しない。
受信周波数帯域の信号も、送信側フィルタでは減衰帯域、受信側フィルタでは通過帯域であるので、アンテナで受信された信号は位相器、アンテナ端子ANTを通して受信側端子RPに達するが、送信側端子TPにはほとんど到達しない。
ここで、分離(Isolation)特性は、送信側より入力された信号が、送信側SAW共振
子T4→T3→T2→アンテナパッドANT→受信側共振子R1→R2→R3を通り受信側端子RPに出力される伝達特性を示す。望ましくは、かかる伝達特性は、−50dB以下の減衰であることが望ましい。
しかしながら、送受信用フィルタが同一チップに存在する場合、送信側より入力された信号が、送信側共振子T3→弾性表面波伝搬→受信側共振子R3あるいは、送信側共振子T2→弾性表面波伝搬→受信側共振子R2の短絡経路を取り受信側端子RPに出力されるケースが生じる。このような短絡経路により、分離特性は劣化し、スプリアスが発生する。
図2は、かかるフィルタ特性におけるスプリアスを説明する図であり、図2Aは周波数に対する挿入損失で表される減衰特性であり、図1の破線円で囲まれた部分に、上記の従来構成において弾性表面波の短絡経路が形成されることによりスプリアスが生じる。図2Bは、かかるスプリアス成分を抜き出して示している。このようなスプリアスが生じることによりフィルタ特性が劣化する。
このような弾性表面波の短絡経路の形成によるスプリアスの発生を回避するために、従来における対策として、先に説明したように弾性表面波の隣接フィルタへの伝播を阻止するために、一の方法として図3に示すようなダイシングにより溝を形成する方法が取られる。
図3において、チップ中央部にダイシングによって溝2を形成し、送信側領域I及び受
信側領域IIの二つの領域に分離している。溝2により送信側領域Iの共振子から受信側領
域IIの共振子に弾性表面波が短絡伝播する経路が形成されることを防ぐことができる。
ここで、ダイシングによって形成される、短絡経路の形成を阻止し得る溝の最小幅は、約50μm程度であるのでチップの小型化へは大きな支障はない。しかし、チップ中央部にダイシングが行われるために、チップ上のレイアウトに対する制限を与えることにある。さらに、ダイシングの際に生じる切りくずによる送受信フィルタへの影響の可能性が高いという問題がある。
さらに短絡経路が形成されることを防ぐための別の方法として、送受信フィルタ間に弾性表面波を吸収する粘性の高いエポキシ系樹脂を塗布する方法が想定される。図4は、かかる方法を説明する図である。送受信フィルタ間に溝2を形成する代わりに、エポキシ系樹脂3を塗布している。しかし、エポキシ系樹脂による化学的影響による特性に対する劣化の可能性がある。また、弾性表面波を吸収するために広い塗布面積を必要とし、チップの小型化が困難となる。
したがって、本発明はかかる従来方法による弾性表面波の短絡経路の形成を阻止する方法における問題を解決するものである。図5は、本発明を適用する弾性表面波装置の第1の実施の形態例である。
LiTaO3やLiNbO3等の圧電性を有した圧電基板10の表面に、アルミニウムまたはアルミニウム合金等の金属薄膜により一対のSAW共振子11、12が対向して形成されている。さらに、このSAW共振子11,12の間には、金属膜4が形成されている。
SAW共振子11,12は、弾性表面波装置において、弾性表面波装置の使用目的に対応して各々異なる周波数特性を有している。さらに、SAW共振子11,12の圧電基板10に形成される位置は、SAW共振子11とSAW共振子12のそれぞれの開口を仮想的に延長することによって定義される弾性表面波伝搬領域で少なくとも一部が重なり合う関係にある。これらの要件は、以下に説明される実施の形態例においても同様である。
この一部が重なり合う関係により、SAW共振子11から伝搬する弾性表面波5が、SAW共振子12において受信される幅、即ち、SAW共振子12の電極と重なる幅が導かれ、この幅をMとする。
SAW共振子11,12の間に設けられる金属膜4には、SAW共振子12の電極と重なる幅の上半部である幅M/2に相当する部分に長さLの切り欠きを設けている。この幅M/2、長さLの電極切欠きによって、SAW共振子12に入力する弾性表面波5に関し、幅Mの上半部SAW−Uと下半部SAW−Dにおいて、位相差を生じる。
すなわち、金属膜4の下側領域での速度をVm、金属膜4を有しない領域での速度をVf、fを駆動周波数とすると、
L/Vm−L/Vf=(2n+1)/(2*f)
⇒L=Vm*Vf*(2n+1)/(2*(Vf−Vm)*f)(n=1,2・・・)
・・・式1
の条件を満たす切り欠き長さLの時に、伝搬される弾性表面波5のSAW共振子2に到達する上半分の弾性表面波SAW−Uと下半分の弾性表面波SAW−Dに関し、弾性表面波の半波長の奇数倍の位相差を有することになる。
これにより弾性表面波SAW−Uと弾性表面波SAW−Dとで逆相になる。したがって、SAW共振子11に対向するSAW共振子12に到達する弾性表面波5の上半分の弾性表面波SAW−Uと下半分の弾性表面波SAW−Dとの位相が逆相であるために、お互いが相殺され、SAW共振子2でスプリアス信号が受からなくなる。この結果スプリアス信号を低減することができる。
図6は、本発明の第2の実施の形態例である。図中、図5の第1の実施の形態例の要素と同じものには同一の参照番号を付してある。図5と同じようにSAW共振子11,12が圧電基板10上に配置されている。
図6に示す実施の形態例では、図5の実施の形態例における金属膜4における幅M/2、長さLに相当する切り欠きに対応する部分を反対に金属膜41とする構成である。他の領域には、SAW共振子11と12の間に電極は形成されていない。
この図6に示す実施の形態例によっても、金属膜41の存在により、SAW共振子12に到達するSAW共振子11から伝搬する弾性表面波5の上半分の弾性表面波SAW−Uと、下半分の弾性表面波SAW−Dにおいて位相差を生じる。よって、この実施の形態例においても同様に、上半分の弾性表面波SAW−Uと下半分の弾性表面波SAW−Dとの位相が逆相であるために、お互いが相殺され、SAW共振子2でスプリアス信号が受からなくなる。この結果図5の実施の形態例と同様にスプリアス信号を低減することができる。
先の実施の形態例では第1のSAW共振子11と第2のSAW共振子12のそれぞれの開口を仮想的に延長することによって定義される弾性表面波伝搬領域を上半分と、下半分に分割した例である。本発明は、更に重なり合う弾性表面波伝搬領域を複数個に分割し、分割されたそれぞれにおける上半分の領域と下半分の領域において、SAW共振子11から伝搬される弾性表面波の位相を互いに逆相の関係にするようにすることも可能である。
図7は、本発明の第3の実施の形態例であり、重なり合う弾性表面波伝搬領域を2個に分割し、分割されたそれぞれにおける上半分の領域と下半分の領域において、弾性表面波の位相を互いに逆相の関係にした実施の形態である。
図7において、前述した実施の形態例の構成要素と同一のものには同一の参照番号を付してある。図6の実施の形態例と同じように共振子11,12が圧電基板10上に配置されている。さらに、図6の実施の形態例におけるSAW共振子11と12の間に配置された幅M/2、長さLの金属膜41を更に、幅M/4の金属膜411,412に分割している。
かかる構成により、M/4幅、長さLの2つの金属膜411,412がSAW共振子11,12の間に存在し、SAW共振子11から伝搬する弾性表面波5は金属膜411、412上を伝搬する弾性表面波SAW−U1、U2と電極のない部分を伝搬する弾性表面波SAW−D1,D2とに分離される。
したがって、金属膜411,412上を伝搬する弾性表面波SAW−U1、U2と電極なしの部分を伝搬する弾性表面波SAW−D1,D2が逆相になり、SAW共振子12に伝搬していくと、弾性表面波SAW−U1とD1、弾性表面波SAW−U2とD2が打ち消しあい、SAW共振子12でスプリアス信号を受信しない。この結果スプリアス信号を低減することができる。
図8は、更に本発明に従う別の実施の形態例である。図中、前述した実施の形態例の構成要素と同一のものには同一の参照番号を付してある。上記の各実施の形態例と同様に、圧電基板10上にSAW共振子11、12が対向して配置されている。特徴として、SA
W共振子11においてSAW共振子12に向かい合う反射器13の一部の開口幅を半分の大きさにする。すなわち、反射器13を構成する複数の電極のうちN本の反射器部分電極13−1の幅を半分にしている。
反射器13の電極長を半分にした反射器部分13−1の幅の長さを、上記各実施の形態例における長さL(実施の形態例1では共振子11,12間に配置される電極の切欠き部分の長さL、実施の形態例2,3では、共振子11,12間に配置される電極の長さL)と等しくなるようにする。
すなわち、λ/4の長さを持つ反射器13において、
4*N/λ=Vm*Vf*(2n+1)/(2*(Vf−Vm)*f)(n=1、2、・・・)
を満たすN本分の長さの反射器部分13−1の開口幅を半分にすることで、上記実施の形態例と同様な作用、効果が得られる。ただし、Vmは、反射器電極を有する部分の速度を、Vfは、反射器電極を有しない部分の速度である。
反射器13から放射される弾性表面波は、N本の反射器部分電極13−1のない部分SAW−Dとこの部分電極がある部分SAW−Uとで音速差が生じ、位相差が生じる。
したがって、弾性表面波SAW−Uと弾性表面波SAW−Dが打ち消しあい、SAW共振子12でスプリアス信号を受信しない。この結果スプリアス信号を低減することができる。
図9は、上記各実施の形態例における効果を示すグラフであり、横軸は周波数(MHz)であり、縦軸は挿入損失(dB)である。図2との比較により明らかなように、本発明によりスプリアスが低減されることが理解できる。
図10は、本発明を更に2つのラダー型弾性表面波フィルタにより構成されたアンテナ共用器(デュープレクサ)として機能する弾性表面波装置に適用した実施の形態例である。
送信信号は、図10中の送信側端子TPに印加され、弾性表面波(SAW)共振子T1〜T4がラダー状に接続された送信側フィルタを経由して、アンテナパッドANTに達する。
さらに、図示しないアンテナには、SAW共振子R1〜R4がラダー状に接続された受信側フィルタが、図示しない位相器を介して接続されている。
ここで、図10に示す構成では、送信側フィルタのSAW共振子T2、T3で生成される弾性表面波の伝搬路と、受信側フィルタのSAW共振子R2、R3の位置とが重なっている。したがって、これらの間で弾性表面波に対し、送受信フィルタ間で短絡経路を形成する可能性がある。
図10に示す実施の形態例では、かかる短絡経路の形成を回避するために、図5の構成と同様に、送信側フィルタと受信側フィルタ間に形成される引き回し電極EL1、EL2に長さL、幅M/2の切り欠き101,102を形成する。これにより、図5において説明したと同様の原理により、送信側フィルタのSAW共振子T2,T3で生成された弾性表面波が受信側フィルタのSAW共振子R2,R3において短絡結合することが回避できる。これにより、図10の実施の形態例においてもスプリアスが低減されることが理解できる。
図11は、図10の実施の形態例において、引き回し電極EL1,EL2に形成される長さLの切り欠きについて、引き回し電極EL1,EL2の電極幅との関係を考察する図である。
図11の右側に部分拡大して示す引き回し電極EL1、(EL2についても同様)の電極幅より小さい長さLの切り欠きを形成する場合、上記式1において、
Vm=4113.3(m/s)、Vf=4210.3(m/s)、f=800MHzとすると、
L=4113.3*4210.3*0.5/(800*97*106)(m)
=111 *10-6(m)
=111 (μm) が求められる。
したがって、現在使用されている移動体通信における周波数帯域において使用される通信機器の共用器におけるチップに用いられる電極幅を変えることなく、引き回し電極に上記長さLの切り欠きを形成することが可能である。
本発明により、SAW共振子間に溝を形成することや、弾性表面波の吸収剤を設けることも必要なく、共通パッケージに搭載される複数のSAW共振子間での弾性表面波の不要な結合を回避することができる。これにより、フィルタ特性において、不要なスプリアスを除去し、装置の小型化が可能な弾性表面波装置を提供することが可能であり、産業上寄与するところ大である。
また、上記の実施の形態例において、1ポート型SAW共振子について説明を行ったが、本発明の適用はかかる場合に限定されない。すなわち、本発明の適用により弾性表面波伝搬方向に複数のIDT(櫛形電極変換子)が配置され、その両側にグレーティング反射器が設けられてなる2ポート型SAW共振子やDMS(多重モードフィルタ)でも同様の作用が得られることは容易に理解できる。
2つのラダー型弾性表面波フィルタにより構成されたアンテナ共用器(デュ ープレクサ)として機能する弾性表面波装置の従来構成例を示す図である。 フィルタ特性におけるスプリアスを説明する図である。 弾性表面波の隣接フィルタへの伝播を阻止するために、溝を形成する方法を 説明する図である。 弾性表面波の隣接フィルタへの伝播を阻止するために、送受信フィルタ間に 弾性表面波を吸収する粘性の高いエポキシ系樹脂を塗布する方法を説明する図である 。 本発明を適用する弾性表面波装置の第1の実施の形態例である。 本発明の第2の実施の形態例である。 本発明の第3の実施の形態例である。 本発明に従う別の実施の形態例である。 各実施の形態例における効果を示すグラフである。 本発明を更に2つのラダー型弾性表面波フィルタにより構成されたアンテ ナ共用器として機能する弾性表面波装置に適用した実施の形態例である。 図10の実施の形態例において、長さLの切り欠きと引き回し電極EL1 ,EL2の電極幅との関係を考察する図である。
符号の説明
1 セラミックパッケージ2 IDT
2 溝
3 弾性表面波吸収剤
10 圧電基板
11 送信側SAW共振子
12 受信側SAW共振子
4 電極
5 弾性表面波の伝搬路
SAW−U 上半分の弾性表面波
SAW−D 下半分の弾性表面波
101,102 切り欠き
TP 送信側端子
RP 受信側端子
ANT アンテナ端子
GND 接地端子
EL1,2 引き回し電極
T1,T2,T3,T4 送信側共振子
R1,R2,R3,R4 受信側共振子

Claims (6)

  1. 圧電基板と、
    前記圧電基板に形成された第1の弾性表面波共振子と、
    前記第1の弾性表面波共振子の弾性表面波伝搬方向に、前記圧電基板に形成された第2の弾性表面波共振子とを有し、
    前記第1の弾性表面波共振子と第2の弾性表面波共振子の前記圧電基板に形成される位置は、前記第1の弾性表面波共振子と第2の弾性表面波共振子のそれぞれの開口を仮想的に延長することによって定義される弾性表面波伝搬領域で少なくとも一部が重なり合う関係にあり、更に
    前記重なり合う弾性表面波伝搬領域を上半分と下半分に分割し、前記分割された上半分の領域と下半分の領域において、前記第1の弾性表面波共振子から伝搬される弾性表面波の位相を互いに逆相の関係にする手段を有する
    ことを特徴とする弾性表面波装置。
  2. 圧電基板と、
    前記圧電基板に形成された第1の弾性表面波共振子と、
    前記第1の弾性表面波共振子の弾性表面波伝搬方向に、前記圧電基板に形成された第2の弾性表面波共振子とを有し、
    前記第1の弾性表面波共振子と第2の弾性表面波共振子の前記圧電基板に形成される位置は、前記第1の弾性表面波共振子と第2の弾性表面波共振子のそれぞれの開口を仮想的に延長することによって定義される弾性表面波伝搬領域で少なくとも一部が重なり合う関係にあり、更に
    前記重なり合う弾性表面波伝搬領域を複数個に分割し、前記分割されたそれぞれにおける上半分の領域と下半分の領域において、前記第1の弾性表面波共振子から伝搬される弾性表面波の位相を互いに逆相の関係にする手段を有する
    ことを特徴とする弾性表面波装置。
  3. 請求項1又は2において、
    前記第1の弾性表面波共振子から伝搬される弾性表面波の位相を互いに逆相の関係にする手段は、前記第1の弾性表面波共振子と第2の弾性表面波共振子との間で、前記圧電基板上に形成され、前記重なり合う弾性表面波伝搬領域の上半分の領域若しくは、下半分の領域に対応して、以下の関係にある長さLの切り欠きを備えた金属膜である
    L=Vm*Vf*(2n+1)/(2*(Vf−Vm)*f)(n=1,2・・・)
    (ただし、Vmは前記金属薄膜下での速度、Vfは前記金属膜のない領域での速度、fは駆動周波数とする)
    ことを特徴とする弾性表面波装置。
  4. 請求項1又は2において、
    前記第1の弾性表面波共振子から伝搬される弾性表面波の位相を互いに逆相の関係にする手段は、前記第1の弾性表面波共振子と第2の弾性表面波共振子との間で、前記圧電基板上に形成され、前記重なり合う弾性表面波伝搬領域の上半分の領域若しくは、下半分の領域に対応して、以下の関係にある長さLの金属膜である
    L=Vm*Vf*(2n+1)/(2*(Vf−Vm)*f)(n=1,2・・・)
    (ただし、Vmは前記金属薄膜下での速度、Vfは前記金属膜のない領域での速度、fは前記第1の弾性表面波共振子の駆動周波数とする)
    ことを特徴とする弾性表面波装置。
  5. 圧電基板と、
    前記圧電基板に形成された第1の弾性表面波共振子と、
    前記第1の弾性表面波共振子の弾性表面波伝搬方向に、前記圧電基板に形成された第2の弾性表面波共振子を有し、
    前記第1の弾性表面波共振子と第2の弾性表面波共振子の前記圧電基板に形成される位置は、前記第1の弾性表面波共振子と第2の弾性表面波共振子のそれぞれの開口を仮想的に延長することによって定義される弾性表面波伝搬領域で少なくとも一部が重なり合う関係にあり、
    前記第1の弾性表面波共振子の前記第2の弾性表面波共振子に対向する側に配置される反射器を構成する複数電極のうちN本の電極は、前記反射器部分の開口幅の半分の大きさを有し、更に前記N本は、以下の関係を有し、
    4*N/λ=Vm*Vf*(2n+1)/(2*(Vf−Vm)*f)(n=1、2、・・・)
    (ただし、λは伝搬する弾性表面波の波長であり、前記反射器の長さをλ/4とし、Vmは前記反射器を有する部分の速度、Vfは前記反射器を有しない部分の速度である
    前記1/2の幅の上半分の領域と下半分の領域において、前記第1の弾性表面波共振子から伝搬される弾性表面波の位相が互いに逆相の関係にある
    ことを特徴とする弾性表面波装置。
  6. 縦続接続された少なくとも2つ以上の弾性表面波共振子を、圧電基板上に少なくとも2組以上配置した弾性表面波装置であって、
    異なる組の隣接する第1の弾性表面波共振子と第2の弾性表面波共振子の前記圧電基板に形成される位置は、前記第1の弾性表面波共振子と第2の弾性表面波共振子のそれぞれの開口を仮想的に延長することによって定義される弾性表面波伝搬領域で少なくとも一部が重なり合う関係にあり、更に
    前記隣接する第1の弾性表面波共振子と第2の弾性表面波共振子の間に、引き回し電極が形成され、
    前記引き回し電極は、前記重なり合う弾性表面波伝搬領域の上半分の領域若しくは、下半分の領域に対応して、以下の関係にある長さLの切り欠きを備えている
    L=Vm*Vf*(2n+1)/(2*(Vf−Vm)*f)(n=1,2・・・)
    (ただし、Vmは前記金属薄膜下での速度、Vfは前記金属膜のない領域での速度、fは駆動周波数とする)
    ことを特徴とする弾性表面波装置。
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