JP4183180B2 - Semiconductor light emitting device - Google Patents

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Description

本発明は、主に白色光源として照明装置或いは液晶のバックライト等に用いられる、発光素子を使用した半導体発光装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor light emitting device using a light emitting element, which is mainly used as a white light source in an illumination device or a liquid crystal backlight.

上述した従来の半導体発光装置として、同一のベース上に複数の発光素子が近付けてダイボンドされる場合に、発光素子の相対向する側面が平行とならないように取付けたものが知られている（特許文献１等参照）。このような取付け状態にする理由は、発光素子の側面同士の間を導電ペーストが這い上がるのを防ぐことができる十分な距離を側面同士の間に確保するためである。
特許第３２４００６０号（特開平４−２８３９７４号）公報 As the above-described conventional semiconductor light emitting device, a device in which a plurality of light emitting elements are close to each other on the same base and die-bonded is attached so that the opposite side surfaces of the light emitting elements are not parallel (patent) Reference 1 etc.). The reason for this mounting state is to ensure a sufficient distance between the side surfaces that can prevent the conductive paste from creeping up between the side surfaces of the light emitting element.
Japanese Patent No. 3240060 (JP-A-4-283974)

しかしながら、従来技術による場合には、側面同士が平行で無いために、素子間が一番近付いた部分でも、平行の場合において這い上がりを防ぐのに必要な距離と同程度の距離を確保しなければならないので、発光素子間が離れた部分ではさらに距離が離れてしまうことになる。そのため、発光素子の中心間の距離は若干長くなり、平行な状態であって十分に距離を離した場合と同程度になってしまうので効果は小さい。ただ、導電ペースト量の多い少ないや塗布位置のバラツキによる影響は少なくなる。このように、導電ペーストの這い上がりが少なからず有るために素子の側面から放射された光を遮ることになる。これは、素子間が近づき過ぎても同様に起こる。従って、異なる波長の発光素子が近接にダイボンドされていないと混色性が悪くなり、白色表示ができなくなる。   However, in the case of the conventional technology, since the side surfaces are not parallel to each other, it is necessary to secure a distance equivalent to the distance necessary to prevent scooping up even in the part where the elements are closest to each other. Therefore, the distance between the light emitting elements is further increased. For this reason, the distance between the centers of the light emitting elements is slightly longer, and the effect is small because the distance between the centers of the light emitting elements is almost the same as when the distance is sufficiently long. However, the influence due to the small amount of conductive paste and the variation in application position is reduced. As described above, since the conductive paste creeps not a little, the light emitted from the side surface of the element is blocked. This also occurs when the elements are too close together. Therefore, if the light emitting elements having different wavelengths are not die-bonded in the vicinity, the color mixing property is deteriorated and white display cannot be performed.

また、発光素子同士が近づき過ぎると、発光素子側面から放射される光は、隣の素子壁面と多重反射を繰り返して、その光の多くが素子自身に吸収されることになり、全体の発光効率が悪くなる。   Also, if the light emitting elements are too close to each other, the light emitted from the side surfaces of the light emitting elements repeats multiple reflections with the adjacent element wall surface, and much of the light is absorbed by the elements themselves, resulting in overall light emission efficiency. Becomes worse.

本発明は、このような従来技術の課題を解決するためになされたものであり、導電ペーストに代えて、薄肉化が可能な他のろう材を用いることにより這い上がりを抑制することができる半導体発光装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in order to solve such problems of the prior art, and a semiconductor that can suppress creeping by using another brazing material that can be thinned in place of the conductive paste. An object is to provide a light emitting device.

本発明の半導体発光装置は、表面に金属製電極が設けられた一つのサブマウント上に、複数の発光素子がＩｎまたはＡｕＳｎの金属材料からなるろう材によりダイボンドされており、該発光素子のそれぞれが角形であり、相互に隣り合う発光素子の近接する側面どうしが、傾いている状態で各発光素子がダイボンドされており、該発光素子は、横一列に配されており、該発光素子のうち中央の発光素子の側面が斜めに傾斜した状態に形成されることにより、相互に隣り合う該発光素子の近接する側面どうしは、該発光素子の上面側から見た平面視で平行であり、該発光素子の配列方向に対して垂直な方向から見た正面視で該サブマウント表面からの距離が増加するにつれて該側面どうしの距離が増加しており、そのことにより上記目的が達成される。
本発明の半導体発光装置は、表面に金属製電極が設けられ、中央の電極形成部分を水平に、左側の電極形成部分を左下がりの斜面に、右側の電極形成部分を右下がりの斜面に形成された一つのサブマウント上に、複数の発光素子がＩｎまたはＡｕＳｎの金属材料からなるろう材によりダイボンドされており、該発光素子のそれぞれが角形であり、相互に隣り合う発光素子の近接する側面どうしが、傾いている状態で各発光素子がダイボンドされており、該発光素子は、横一列に配されており、該発光素子のうち左側の発光素子が左側に傾斜し、該発光素子のうち右側の発光素子が右側に傾斜することにより、相互に隣り合う該発光素子の近接する側面どうしは、該発光素子の配列方向に対して垂直な方向から見た正面視で該サブマウント表面からの距離が増加するにつれて該側面どうしの距離が増加しており、そのことにより上記目的が達成される。
また、本発明の半導体発光装置における前記金属製電極が各発光素子毎に分離しかつ各発光素子に応じた形状で複数形成され、複数の電極それぞれの上に、該発光素子がダイボンドされており、該複数の金属製電極の間が、一定の場合に、配線で接続されていることが好ましい。
本発明の半導体発光装置の製造方法は、上記本発明の半導体発光装置を製造する半導体発光装置の製造方法であって、各発光素子毎に分離しかつ各発光素子に応じた形状で複数形成された前記金属製電極それぞれの上に、該当する金属製電極の外形エッジを光学的に検出し、検出した該外形エッジに基づいた位置決めにより該発光素子をダイボンドするステップを備え、そのことにより上記発明が達成される。
なお、本願明細書に記載されている発明は、以下のとおりである。
第１発明の半導体発光装置は、表面に金属製電極が設けられた一つのサブマウント上に、複数の発光素子がＩｎまたはＡｕＳｎの金属材料からなるろう材によりダイボンドされていることを特徴とする。
 In the semiconductor light emitting device of the present invention, a plurality of light emitting elements are die-bonded with a brazing material made of a metal material of In or AuSn on one submount having a metal electrode on the surface, and each of the light emitting elements Are side-by-side, and the light emitting elements adjacent to each other are die-bonded in an inclined state, and the light emitting elements are arranged in a horizontal row. By forming the side surfaces of the central light emitting element in an obliquely inclined state, adjacent side surfaces of the light emitting elements adjacent to each other are parallel in a plan view as viewed from the upper surface side of the light emitting element, and The distance between the side surfaces increases as the distance from the surface of the submount increases in a front view as viewed from a direction perpendicular to the arrangement direction of the light emitting elements, thereby achieving the above object. It is.
The semiconductor light emitting device of the present invention is provided with a metal electrode on the surface, the central electrode forming portion is formed horizontally, the left electrode forming portion is formed on the lower left slope, and the right electrode forming portion is formed on the lower right slope. A plurality of light-emitting elements are die-bonded to a single submount by a brazing material made of a metal material of In or AuSn, each of the light-emitting elements is square, and adjacent side surfaces of adjacent light-emitting elements Each light emitting element is die-bonded in a tilted state, the light emitting elements are arranged in a horizontal row, and the left light emitting element of the light emitting elements is inclined to the left side. When the right side light emitting elements are inclined to the right side, the adjacent side surfaces of the light emitting elements adjacent to each other can be seen from the front surface of the submount when viewed from a direction perpendicular to the arrangement direction of the light emitting elements. And the distance of the side surface each other is increased as the distance al is increased, the object is achieved.
Further, in the semiconductor light emitting device of the present invention, the metal electrodes are separated for each light emitting element and formed in a plurality of shapes corresponding to the light emitting elements, and the light emitting elements are die-bonded on each of the plurality of electrodes. The plurality of metal electrodes are preferably connected by wiring in a fixed case.
A method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present invention is a method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present invention, wherein a plurality of the light emitting devices are separated in a shape corresponding to each light emitting element. Further, optically detecting the outer edge of the corresponding metal electrode on each of the metal electrodes, and die-bonding the light emitting element by positioning based on the detected outer edge, whereby the invention described above is provided. Is achieved.
The invention described in the present specification is as follows.
The first shot light of the semiconductor light emitting device includes the feature that the metal electrodes are on one of the sub-mount provided, are die-bonded by a brazing material in which a plurality of light emitting elements consisting of In or AuSn metallic material to the surface To do.

この半導体発光装置にあっては、導電ペーストの代わりに、薄肉化が可能なろう材としてＩｎやＡｕＳｎを使用する。このようなろう材を用いる場合には、ろう材の厚みが薄くなるので、その結果として這い上がりを抑制すること及び発光素子同士を近付けることが可能となる。また、金属材料からなるろう材を使用するので、先に発光素子のダイボンドをサブマウントと行い、その後、サブマウントを低温硬化のＡｇペースト等でリードフレームにダイボンドを行なう。そのため、樹脂に埋められたリードフレームに発光素子を直接ダイボンドする場合と異なり、高温で発光素子のダイボンドを行なうことが可能となる。更に、ろう材に高温のものを使用するので、近年の高輝度化のために大電流を流す場合のように、発光素子部の温度が非常に高くなっても、ダイボンド剥がれ等の劣化が少なく、信頼性の高いものとなる。更にまた、サブマウントとして、Ｓｉサブマウントを用いる場合には、非常に熱伝導性が良く十分な体積もあるので、発光素子からの熱を効率良く外部へ逃がすことが可能となる。   In this semiconductor light emitting device, In or AuSn is used as a brazing material that can be thinned, instead of the conductive paste. When such a brazing material is used, the thickness of the brazing material is reduced. As a result, it is possible to suppress scooping and bring the light emitting elements closer to each other. Further, since a brazing material made of a metal material is used, the die bonding of the light emitting element is first performed as a submount, and then the submount is die bonded to the lead frame with a low temperature curing Ag paste or the like. Therefore, unlike the case where the light emitting element is directly die-bonded to the lead frame embedded in the resin, the light emitting element can be die-bonded at a high temperature. Furthermore, since a high-temperature brazing material is used, even when the current of the light-emitting element portion is very high as in the case of flowing a large current for increasing the brightness in recent years, there is little deterioration such as die bond peeling. , Become reliable. Furthermore, when a Si submount is used as a submount, it has a very high thermal conductivity and a sufficient volume, so that heat from the light emitting element can be efficiently released to the outside.

第２発明の半導体発光装置は、第１発明の半導体発光装置において、前記電極が各素子毎に分離しかつ各素子に応じた形状で複数形成され、複数の電極それぞれの上に、該当する電極の外形に基づいた位置決めにより素子がダイボンドされていることを特徴とする。
 The second shot light of the semiconductor light emitting device, the semiconductor light-emitting device of the first invention, the electrodes and separated for each element is a plurality formed in a shape corresponding to the respective elements, on each of the plurality of electrodes, corresponding The element is die-bonded by positioning based on the outer shape of the electrode.

この半導体発光装置にあっては、電極の外形を、例えば光学的に検出してダイボンドの位置決めを行うことで、同一のサブマウント上に精度良く複数の発光素子をダイボンドすることが可能になる。これに伴い、発光素子同士を近付けることができ、混色性が向上することとなる。   In this semiconductor light-emitting device, it is possible to die-bond a plurality of light-emitting elements with high accuracy on the same submount by optically detecting the outer shape of the electrode, for example, and positioning the die bond. Along with this, the light emitting elements can be brought close to each other, and the color mixing property is improved.

第３発明の半導体発光装置は、第２発明の半導体発光装置において、前記複数の電極の間が、一定の場合に、配線で接続されていることを特徴とする。
 The third shot light of the semiconductor light emitting device, the semiconductor light-emitting device of the second invention, among the plurality of electrodes, in certain cases, characterized in that it is wired.

この半導体発光装置にあっては、発光素子間のワイヤボンドや外部のリードピンの本数を減らす効果が得られる。   In this semiconductor light emitting device, the effect of reducing the number of wire bonds between the light emitting elements and the number of external lead pins can be obtained.

第４発明の半導体発光装置は、第２または第３発明の半導体発光装置において、前記素子のそれぞれが角形であり、前記素子のそれぞれが角形であり、相互に隣り合う素子の近接する側面どうしが、傾いている状態（平行とならない状態）で各素子がダイボンドされていることを特徴とする。
 The fourth shot light of the semiconductor light-emitting device is a semiconductor light-emitting device of the second or third invention, each of the elements are square, each of said elements is a rectangular, side each other to close the device adjacent to each other However, each element is die-bonded in a tilted state (not parallel).

ここで、平行とならない状態とは、三次元空間のいずれの方向において非平行である状態は勿論のこと、或る１方向において平行であっても、他の１方向において非平行である状態も含むことを言う。   Here, the non-parallel state includes not only the state of non-parallel in any direction of the three-dimensional space, but also the state of being non-parallel in another direction even if parallel in one direction. Say to include.

この半導体発光装置にあっては、発光素子の側面が隣り合う他の発光素子の側面と平行とならないように各発光素子をダイボンドしているので、素子側面からの放射光を効率良く取り出すことが可能になる。   In this semiconductor light emitting device, since each light emitting element is die-bonded so that the side surface of the light emitting element is not parallel to the side surface of another adjacent light emitting element, the emitted light from the element side surface can be efficiently extracted. It becomes possible.

第１発明による場合には、導電ペーストの代わりに、薄肉化が可能なろう材としてＩｎやＡｕＳｎを使用する。このようなろう材を用いる場合には、ろう材の厚みが薄くなるので、その結果として這い上がりを抑制すること及び発光素子同士を近付けることが可能となる。また、金属材料からなるろう材を使用するので、先に発光素子のダイボンドをサブマウントと行い、その後、サブマウントを低温硬化のＡｇペースト等でリードフレームにダイボンドを行なう。そのた め、樹脂に埋められたリードフレームに発光素子を直接ダイボンドする場合と異なり、高温で発光素子のダイボンドを行なうことが可能となる。更に、ろう材に高温のものを使用するので、近年の高輝度化のために大電流を流す場合のように、発光素子部の温度が非常に高くなっても、ダイボンド剥がれ等の劣化が少な く、信頼性の高いものとなる。更にまた、サブマウントとして、Ｓｉサブマウントを用いる場合には、非常に熱伝導性が良く十分な体積もあるので、発光素子からの熱を効率良く外部へ逃がすことが可能となる。
If the first shot Ming, instead of the conductive paste, using an In or AuSn as brazing material which can be thinner. When such a brazing material is used, the thickness of the brazing material is reduced. As a result, it is possible to suppress scooping and bring the light emitting elements closer to each other. Further, since a brazing material made of a metal material is used, the die bonding of the light emitting element is first performed as a submount, and then the submount is die bonded to the lead frame with a low temperature curing Ag paste or the like. Therefore, unlike the case where the light emitting element is directly die-bonded to the lead frame embedded in the resin, the light emitting element can be die-bonded at a high temperature. Further, since a high-temperature brazing material is used, even when the current of the light emitting element portion is extremely high as in the case of flowing a large current for increasing the brightness in recent years, there is little deterioration such as die bond peeling. And high reliability. Furthermore, when a Si submount is used as a submount, it has a very high thermal conductivity and a sufficient volume, so that heat from the light emitting element can be efficiently released to the outside.

また、第２発明による場合には、電極の外形を、例えば光学的に検出してダイボンドの位置決めを行うことで、同一のサブマウント上に精度良く複数の発光素子をダイボンドすることが可能になる。これに伴い、発光素子同士を近付けることができ、混色性が向上することとなる。
Further, when the second shot Ming, the outer shape of the electrode, for example, by performing the optically detected and positioning of the die-bonding, to be capable of die-bonding accurately plurality of light emitting elements on the same submount Become. Along with this, the light emitting elements can be brought close to each other, and the color mixing property is improved.

また、第３発明による場合には、発光素子間のワイヤボンドや外部のリードピンの本数を減らす効果が得られる。
Further, in the case of the third shot Ming, the effect of reducing the number of wire bonds and external lead pins between the light emitting device can be obtained.

また、第４発明による場合には、発光素子の側面が隣り合う他の発光素子の側面と平行とならないように各発光素子をダイボンドしているので、素子側面からの放射光を効率良く取り出すことが可能になる。 Further, in the case of the fourth rounds Ming, since the die bonding the light emitting element so as not to parallel to the side surface of the other light emitting element side of the light emitting element are adjacent, efficiently extract light emitted from the element side It becomes possible.

以下に、本発明を具体的に説明する。   The present invention will be specifically described below.

（第１実施形態）
図１（ａ）は本発明の第１実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図、図１（ｂ）はその模式的正面断面図である。なお、図１（ｂ）においては、ハッチングを省略している。 (First embodiment)
FIG. 1A is a plan view showing a semiconductor light emitting device according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a schematic front sectional view thereof. In FIG. 1B, hatching is omitted.

この半導体発光装置は、リードフレーム１ｄの上に形成されたＳｉサブマウント１ｂの上面に、Ａｌ，Ｔｉ及びＡｕ等のうちの１または２以上で形成された金属製の電極１ｆが一つ設けられている。リードフレーム１ｄ上のＳｉサブマウント１ｂは、従来の導電ペーストによってリードフレーム１ｄに固定されている。   This semiconductor light emitting device is provided with one metal electrode 1f formed of one or more of Al, Ti, Au, etc. on the upper surface of the Si submount 1b formed on the lead frame 1d. ing. The Si submount 1b on the lead frame 1d is fixed to the lead frame 1d with a conventional conductive paste.

上記電極１ｆの上には、赤、緑、青色と波長の異なる３個の発光素子１ｃ、１ｅ、１ｇがダイボンドされている。赤色発光素子１ｃ、緑色発光素子１ｅ及び青色発光素子１ｇは、本実施形態ではそれぞれ発光ダイオード素子が用いられているが、いずれか１以上または全部に半導体レーザ素子を用いてもよい。また、赤色発光素子１ｃとリードフレーム１ｄＡの間、緑色発光素子１ｅとリードフレーム１ｄＢの間、青色発光素子１ｇとリードフレーム１ｄＣの間及び電極１ｆとリードフレーム１ｄの間は、それぞれＡｕ線１ｈによって電気的に接続される。   Three light emitting elements 1c, 1e, and 1g having different wavelengths from red, green, and blue are die-bonded on the electrode 1f. As the red light emitting element 1c, the green light emitting element 1e, and the blue light emitting element 1g, a light emitting diode element is used in this embodiment, respectively, but a semiconductor laser element may be used for any one or more or all of them. Further, between the red light emitting element 1c and the lead frame 1dA, between the green light emitting element 1e and the lead frame 1dB, between the blue light emitting element 1g and the lead frame 1dC, and between the electrode 1f and the lead frame 1d, respectively by Au wire 1h. Electrically connected.

上記３個の発光素子１ｃ〜１ｇは、電極１ｆの外形、特にエッジ部分を光学的に検出しその検出結果に基づいてダイボンドの位置決めを行い、その位置決めした位置に、ＩｎまたはＡｕＳｎの金属材料からなるろう材によってダイボンドされている。   The three light emitting elements 1c to 1g optically detect the outer shape of the electrode 1f, particularly the edge portion, position the die bond based on the detection result, and use a metal material of In or AuSn at the positioned position. It is die-bonded with a brazing material.

また、３個の発光素子１ｃ〜１ｇからなる発光部の周囲には、円環状の反射板１ａが設けられている。この反射板１ａは、内周側が低く、外周側が高く形成されており、各発光素子１ｃ〜１ｇから放射された各色の光を混色して上方に向けて出力する。なお、図１中の１ｉは、外部との接続用の電気端子である。   In addition, an annular reflecting plate 1a is provided around the light-emitting portion composed of the three light-emitting elements 1c to 1g. The reflecting plate 1a is formed such that the inner peripheral side is low and the outer peripheral side is high, and the light of each color emitted from the light emitting elements 1c to 1g is mixed and output upward. In addition, 1i in FIG. 1 is an electrical terminal for connection with the outside.

したがって、このように構成された第１実施形態の半導体発光装置による場合には、導電ペーストの代わりに、薄肉化が可能なろう材としてＩｎ又はＡｕＳｎを使用しているので、ろう材の厚みが薄くなる結果、這い上がりを殆ど無くすることができる。また、這い上がりの抑制により、発光素子１ｃ〜１ｇ同士を近付けることが可能となる。   Therefore, in the case of the semiconductor light emitting device according to the first embodiment configured as described above, In or AuSn is used as the brazing material that can be thinned instead of the conductive paste, so that the thickness of the brazing material is small. As a result of thinning, almost no creeping can be eliminated. In addition, the light-emitting elements 1c to 1g can be brought closer to each other by suppressing the creeping.

また、第１実施形態においては、ＩｎまたはＡｕＳｎの金属材料からなるろう材を使用するので、先に発光素子のダイボンドをサブマウントと行い、その後、サブマウントを低温硬化のＡｇペースト等でリードフレームにダイボンドを行なう。そのため、樹脂に埋められたリードフレームに発光素子を直接ダイボンドする場合と異なり、高温で発光素子のダイボンドを行なうことが可能となる。更に、ろう材にＩｎまたはＡｕＳｎの高温のものを使用するので、近年の高輝度化のために大電流を流す場合のように、発光素子部の温度が非常に高くなっても、ダイボンド剥がれ等の劣化が少なく、信頼性の高いものとなる。更にまた、サブマウントとして、Ｓｉサブマウント１ｂを用いているため、非常に熱伝導性が良く十分な体積もあるので、発光素子１ｃ〜１ｇからの熱を効率良く外部へ逃がすことが可能となる。   In the first embodiment, since a brazing material made of a metal material of In or AuSn is used, the die bonding of the light emitting element is first performed as a submount, and then the submount is made of a lead frame with a low temperature curing Ag paste or the like. Die bond. Therefore, unlike the case where the light emitting element is directly die-bonded to the lead frame embedded in the resin, the light emitting element can be die-bonded at a high temperature. Furthermore, since a high temperature of In or AuSn is used for the brazing material, even if the temperature of the light emitting element portion becomes very high as in the case of flowing a large current for increasing the brightness in recent years, the die bond peels off. There is little degradation of and becomes a reliable thing. Furthermore, since the Si submount 1b is used as the submount, it has a very high thermal conductivity and a sufficient volume, so that the heat from the light emitting elements 1c to 1g can be efficiently released to the outside. .

更に、第１実施形態においては、電極１ｆの外形を、光学的に検出してダイボンドの位置決めを行っているので、同一のサブマウント１ｂ上に精度良く複数の発光素子１ｃ〜１ｇをダイボンドすることが可能になる。これに伴い、発光素子１ｃ〜１ｇ同士を近付けることができ、混色性が向上することとなる。   Furthermore, in the first embodiment, since the outer shape of the electrode 1f is optically detected and die bonding is positioned, a plurality of light emitting elements 1c to 1g are accurately die bonded on the same submount 1b. Is possible. Accordingly, the light emitting elements 1c to 1g can be brought close to each other, and the color mixing property is improved.

（第２実施形態）
図２、図３および図４は、それぞれ本発明の第２実施形態に係る半導体発光装置のサブマウント上の電極及び発光素子の配置を示す平面図である。 (Second Embodiment)
2, 3 and 4 are plan views showing the arrangement of electrodes and light emitting elements on the submount of the semiconductor light emitting device according to the second embodiment of the present invention.

図２の半導体発光装置においては、Ｓｉサブマウント２ａの上に、矩形状をした３つの金属製電極２ｃ、２ｅおよび２ｇが形成され、電極２ｃの上には赤色発光素子２ｂが、電極２ｅの上には緑色発光素子２ｄが、電極２ｇの上には青色発光素子２ｆが形成されている。   In the semiconductor light emitting device of FIG. 2, three rectangular metal electrodes 2c, 2e and 2g are formed on the Si submount 2a, and the red light emitting element 2b is formed on the electrode 2c. A green light emitting element 2d is formed on the top, and a blue light emitting element 2f is formed on the electrode 2g.

上記３つの発光素子２ｂ〜２ｆは、第１実施形態と同様に、電極２ｃ〜２ｇの外形のうちのエッジを光学的に検出してダイボンドの位置決めを行い、その後、ろう材にＩｎまたはＡｕＳｎの高温のものを使用してダイボンドしている。   As in the first embodiment, the three light emitting elements 2b to 2f optically detect the edges of the outer shapes of the electrodes 2c to 2g to perform die bonding positioning, and then use In or AuSn as the brazing material. Die bond using high temperature.

この図２の半導体発光装置においては、矩形状をした３つの電極２ｃ、２ｅおよび２ｇは、各電極２ｃ、２ｅおよび２ｇの対角線が一つの点を通るように形成されている。そして、相互に隣り合う電極２ｃと２ｅの近接する側面２ｃ１と２ｅ１どうしが平面視で傾いた平行とならない状態とされ、また、相互に隣り合う電極２ｃと２ｇの近接する側面２ｃ２と２ｇ１どうしが平面視で傾いた平行とならない状態とされ、また、相互に隣り合う電極２ｅと２ｇの近接する側面２ｅ２と２ｇ２どうしが平面視で傾いた平行とならない状態とされて形成されている。   In the semiconductor light emitting device of FIG. 2, the rectangular electrodes 2c, 2e and 2g are formed such that the diagonal lines of the electrodes 2c, 2e and 2g pass through one point. Then, the adjacent side surfaces 2c1 and 2e1 of the electrodes 2c and 2e adjacent to each other are not parallel to each other, and the adjacent side surfaces 2c2 and 2g1 of the electrodes 2c and 2g adjacent to each other are not parallel to each other. The side surfaces 2e2 and 2g2 adjacent to each other of the electrodes 2e and 2g adjacent to each other are formed so as not to be parallel and inclined in plan view.

一方、この状態の電極の外形に基づいて形成された発光素子２ｂ〜２ｆについても、同様となっている。具体的には、矩形状をした３つの発光素子２ｂ〜２ｆは、各発光素子２ｂ〜２ｆの対角線が一つの点を通るように形成されている。そして、相互に隣り合う発光素子２ｂと２ｄの近接する側面２ｄ１と２ｄ１どうしが平面視で傾いた平行とならない状態とされ、また、相互に隣り合う電極２ｂと２ｆの近接する側面２ｂ２と２ｆ１どうしが平面視で傾いた平行とならない状態とされ、また、相互に隣り合う電極２ｄと２ｆの近接する側面２ｄ２と２ｆ２どうしが平面視で傾いた平行とならない状態とされて形成されている。   On the other hand, the same applies to the light emitting elements 2b to 2f formed based on the outer shape of the electrode in this state. Specifically, the three light emitting elements 2b to 2f having a rectangular shape are formed such that the diagonal lines of the light emitting elements 2b to 2f pass through one point. Then, the adjacent side surfaces 2d1 and 2d1 of the light emitting elements 2b and 2d adjacent to each other are not parallel to each other inclined in plan view, and the adjacent side surfaces 2b2 and 2f1 of the adjacent electrodes 2b and 2f are between each other. Are formed in a state in which the side surfaces 2d2 and 2f2 adjacent to each other of the electrodes 2d and 2f adjacent to each other are not parallel and inclined in a plan view.

図３の半導体発光装置においては、Ｓｉサブマウント３ａの上に、矩形状をした３つの金属製電極３ｃ、３ｅおよび３ｇが形成され、電極３ｃの上には赤色発光素子３ｂが、電極３ｅの上には緑色発光素子３ｄが、電極３ｇの上には青色発光素子３ｆが形成されている。これら発光素子３ｂ〜３ｆは、図２のものと同様に、電極３ｃ〜３ｇの外形のうちのエッジを光学的に検出してダイボンドの位置決めを行い、その後、ろう材にＩｎまたはＡｕＳｎの高温のものを使用してダイボンドしている。   In the semiconductor light emitting device of FIG. 3, three rectangular metal electrodes 3c, 3e and 3g are formed on the Si submount 3a, and the red light emitting element 3b is formed on the electrode 3c. A green light emitting element 3d is formed on the top, and a blue light emitting element 3f is formed on the electrode 3g. These light emitting elements 3b to 3f optically detect the edges of the outer shapes of the electrodes 3c to 3g and perform die bonding positioning as in the case of FIG. 2, and then place a high temperature of In or AuSn on the brazing material. Die bond using things.

この図３の半導体発光装置においては、矩形状をした３つの電極３ｃ、３ｅおよび３ｇは、２つの電極３ｃと３ｅにおける対向する２辺の各中心を通る線が一つの点で交わり、この交点を、残りの電極３ｇにおける対角線が通るように形成されている。加えて、相互に隣り合う電極３ｃと３ｅの近接する側面３ｃ１と３ｅ１どうしが平面視で傾いた平行とならない状態とされ、また、相互に隣り合う電極３ｃと３ｇの近接する側面３ｃ１と３ｇ１どうしが平面視で傾いた平行とならない状態とされ、また、相互に隣り合う電極３ｅと３ｇの近接する側面３ｅ１と３ｇ２どうしが平面視で傾いた平行とならない状態とされて形成されている。   In the semiconductor light emitting device of FIG. 3, the three electrodes 3c, 3e, and 3g having a rectangular shape intersect at one point with a line passing through the centers of the two opposite sides of the two electrodes 3c and 3e at one point. Is formed so that the diagonal line in the remaining electrode 3g passes. In addition, the adjacent side surfaces 3c1 and 3e1 of the electrodes 3c and 3e adjacent to each other are not parallel to each other inclined in plan view, and the adjacent side surfaces 3c1 and 3g1 of the adjacent electrodes 3c and 3g are not connected to each other. Is formed in a state where the electrodes 3e and 3g adjacent to each other are not parallel to each other, and the adjacent side surfaces 3e1 and 3g2 are not parallel to each other.

一方、この状態の電極の外形に基づいて形成された発光素子３ｂ〜３ｆについても、同様となっている。具体的には、矩形状をした３つの発光素子３ｂ〜３ｆは、２つの発光素子３ｂと３ｄにおける対向する２辺の各中心を通る線が一つの点で交わり、この交点を、残りの発光素子３ｆにおける対角線が通るように形成されている。加えて、相互に隣り合う発光素子３ｂと３ｄの近接する側面３ｂ１と３ｄ１どうしが平面視で傾いた平行とならない状態とされ、また、相互に隣り合う発光素子３ｂと３ｆの近接する側面３ｂ１と３ｆ１どうしが平面視で傾いた平行とならない状態とされ、また、相互に隣り合う電極３ｄと３ｆの近接する側面３ｄ１と３ｆ２どうしが平面視で傾いた平行とならない状態とされて形成されている。   On the other hand, the same applies to the light emitting elements 3b to 3f formed based on the outer shape of the electrode in this state. Specifically, in the three light emitting elements 3b to 3f having a rectangular shape, a line passing through the centers of two opposite sides of the two light emitting elements 3b and 3d intersects at one point, and this intersection is used as the remaining light emission. It is formed so that the diagonal line in element 3f passes. In addition, the adjacent side surfaces 3b1 and 3d1 of the light emitting elements 3b and 3d adjacent to each other are not parallel to each other in a plan view, and the adjacent side surfaces 3b1 of the adjacent light emitting elements 3b and 3f 3f1 is formed in a state in which the electrodes 3d and 3f adjacent to each other are not parallel and inclined in plan view, and the adjacent side surfaces 3d1 and 3f2 are not in parallel and inclined in plan view. .

図４の半導体発光装置においては、Ｓｉサブマウント４ａの上に、矩形状をした３つの金属製電極４ｃ、４ｅおよび４ｇが形成され、電極４ｃの上には赤色発光素子４ｂが、電極４ｅの上には緑色発光素子４ｄが、電極４ｇの上には青色発光素子４ｆが形成されている。これら発光素子４ｂ〜４ｆは、図２のものと同様に、電極４ｃ〜４ｇの外形のうちのエッジを光学的に検出してダイボンドの位置決めを行い、その後、ろう材にＩｎまたはＡｕＳｎの高温のものを使用してダイボンドしている。   In the semiconductor light emitting device of FIG. 4, three rectangular metal electrodes 4c, 4e and 4g are formed on the Si submount 4a, and the red light emitting element 4b is formed on the electrode 4c. A green light emitting element 4d is formed on the top, and a blue light emitting element 4f is formed on the electrode 4g. These light emitting elements 4b to 4f optically detect the edges of the outer shapes of the electrodes 4c to 4g and perform die bonding positioning as in the case of FIG. Die bond using things.

この図４の半導体発光装置においては、矩形状をした３つの電極４ｃ、４ｅおよび４ｇは、それぞれの対向する２辺の各中心を通る線が一つの点で交わるように形成されている。加えて、相互に隣り合う電極４ｃと４ｅの近接する側面４ｃ１と４ｅ１どうしが平面視で傾いた平行とならない状態とされ、また、相互に隣り合う電極４ｃと４ｇの近接する側面４ｃ１と４ｇ１どうしが平面視で傾いた平行とならない状態とされ、また、相互に隣り合う電極４ｅと４ｇの近接する側面４ｅ１と４ｇ１どうしが平面視で傾いた平行とならない状態とされて形成されている。   In the semiconductor light emitting device of FIG. 4, the three rectangular electrodes 4c, 4e, and 4g are formed such that the lines passing through the centers of the two opposing sides intersect at one point. In addition, the adjacent side surfaces 4c1 and 4e1 of the electrodes 4c and 4e adjacent to each other are not parallel to each other inclined in a plan view, and the adjacent side surfaces 4c1 and 4g1 of the adjacent electrodes 4c and 4g are between each other. Are formed in a state in which the side surfaces 4e1 and 4g1 adjacent to each other of the electrodes 4e and 4g adjacent to each other are not in a parallel state inclined in a plan view.

一方、この状態の電極の外形に基づいて形成された発光素子４ｂ〜４ｆについても、同様となっている。具体的には、矩形状をした３つの発光素子４ｂ〜４ｆは、それぞれの対向する２辺の各中心を通る線が一つの点で交わるように形成されている。加えて、相互に隣り合う発光素子４ｂと４ｄの近接する側面４ｂ１と４ｄ１どうしが平面視で傾いた平行とならない状態とされ、また、相互に隣り合う電極４ｂと４ｆの近接する側面４ｂ１と４ｆ１どうしが平面視で傾いた平行とならない状態とされ、また、相互に隣り合う電極４ｄと４ｆの近接する側面４ｄ１と４ｆ１どうしが平面視で傾いた平行とならない状態とされて形成されている。   On the other hand, the same applies to the light emitting elements 4b to 4f formed based on the outer shape of the electrode in this state. Specifically, the three light emitting elements 4b to 4f having a rectangular shape are formed such that lines passing through the centers of two opposing sides intersect at one point. In addition, the adjacent side surfaces 4b1 and 4d1 of the light emitting elements 4b and 4d adjacent to each other are not parallel to each other in the plan view, and the adjacent side surfaces 4b1 and 4f1 of the electrodes 4b and 4f adjacent to each other. The electrodes 4d and 4f that are adjacent to each other are not parallel to each other, and the adjacent side surfaces 4d1 and 4f1 are not parallel to each other.

したがって、このように各発光素子４ｂ〜４ｆが、平面視で傾いた平行とならない状態とされて形成されているので、各発光素子の側面からの放射光を効率良く取り出すことが可能になる。   Accordingly, the light emitting elements 4b to 4f are formed in such a manner that they are not parallel and inclined in a plan view as described above, so that it is possible to efficiently extract the emitted light from the side surfaces of the light emitting elements.

なお、上記赤色発光素子２ｂ〜４ｂ、緑色発光素子２ｄ〜４ｄ及び青色発光素子２ｆ〜４ｆは、本実施形態ではそれぞれ発光ダイオード素子が用いられているが、いずれか１以上または全部に半導体レーザ素子を用いてもよい。また、それぞれの電極２ｃ〜４ｃ、２ｅ〜４ｅおよび２ｇ〜４ｇは、発光素子間のワイヤボンドや外部のリードピンの本数を減らす場合において配線を介して電気的に接続される。   The red light emitting elements 2b to 4b, the green light emitting elements 2d to 4d, and the blue light emitting elements 2f to 4f each use a light emitting diode element in this embodiment, but any one or more or all of them are semiconductor laser elements. May be used. Further, the respective electrodes 2c to 4c, 2e to 4e, and 2g to 4g are electrically connected through wirings when the number of wire bonds between the light emitting elements and the number of external lead pins is reduced.

また、上述した第２実施形態において図示した図２〜図４は一例であり、本発明はこれらに限らない。要は、各発光素子が平面視で傾いた平行とならない状態に形成されていれば、どのような形態でもよい。   2 to 4 illustrated in the second embodiment described above are examples, and the present invention is not limited to these. In short, any form may be used as long as each light emitting element is formed so as not to be parallel and inclined in plan view.

（第３実施形態）
この第３実施形態は、平面視で平行とならない状態にするのではなく、正面視で平行とならない状態にする例である。 (Third embodiment)
This 3rd Embodiment is an example made into the state which does not become parallel in planar view instead of making it not parallel in planar view.

図５および図６は、それぞれ本発明の第３実施形態に係る半導体発光装置のサブマウント上の電極及び発光素子の配置を示す図であり、各（ａ）は平面図で、各（ｂ）は平面図である。   FIG. 5 and FIG. 6 are views showing the arrangement of electrodes and light emitting elements on the submount of the semiconductor light emitting device according to the third embodiment of the present invention, respectively (a) is a plan view and (b) Is a plan view.

図５の半導体発光装置は、Ｓｉサブマウント５ａの上に、横長の金属製電極５ｂが形成され、電極５ｂの上には青色発光素子５ｃ、緑色発光素子５ｄ及び赤色発光素子５ｅが横一列で形成されている。これら発光素子５ｃ〜５ｆは、電極５ｂの外形のうちのエッジを光学的に検出してダイボンドの位置決めを行い、その後、ろう材にＩｎまたはＡｕＳｎの高温のものを使用してダイボンドしている。   In the semiconductor light emitting device of FIG. 5, a horizontally long metal electrode 5b is formed on a Si submount 5a, and a blue light emitting element 5c, a green light emitting element 5d, and a red light emitting element 5e are arranged in a horizontal row on the electrode 5b. Is formed. The light emitting elements 5c to 5f optically detect the edge of the outer shape of the electrode 5b and perform die bonding positioning, and then die bond using a brazing material having a high temperature of In or AuSn.

上記横一列に配された３つの発光素子５ｃ、５ｄ及び５ｅは、相互に隣り合う発光素子５ｃと５ｄの近接する側面５ｃ１と５ｄ１どうしが平面視で平行となっているが、側面５ｄ１が斜めに傾斜した状態に形成されることで、正面視で傾いた平行とならない状態とされている。また、相互に隣り合う発光素子５ｄと５ｅの近接する側面５ｄ２と５ｅ１どうしが平面視で平行となっているが、側面５ｄ２が斜めに傾斜した状態に形成されることで、正面視で傾いた平行とならない状態とされている。   In the three light emitting elements 5c, 5d, and 5e arranged in the horizontal row, the adjacent side surfaces 5c1 and 5d1 of the adjacent light emitting elements 5c and 5d are parallel to each other in plan view, but the side surface 5d1 is inclined. It is made into the state which is not parallel and inclined in front view. Further, the adjacent side surfaces 5d2 and 5e1 of the light emitting elements 5d and 5e adjacent to each other are parallel to each other in a plan view, but the side surface 5d2 is formed in an obliquely inclined state so that it is inclined in a front view. It is assumed that they are not parallel.

図６の半導体発光装置は、Ｓｉサブマウント６ａの上に、３つの金属製電極６ｂ、６ｇ及び６ｆが形成され、電極６ｂの上には青色発光素子６ｃが、電極６ｇの上には緑色発光素子６ｄが、電極６ｆの上には赤色発光素子６ｅが形成されている。これら発光素子６ｃ〜６ｅは、図２のものと同様に、電極６ｂ、６ｇ、６ｆの外形のうちのエッジを光学的に検出してダイボンドの位置決めを行い、その後、ろう材にＩｎまたはＡｕＳｎの高温のものを使用してダイボンドしている。   In the semiconductor light emitting device of FIG. 6, three metal electrodes 6b, 6g and 6f are formed on a Si submount 6a, a blue light emitting element 6c is formed on the electrode 6b, and a green light is emitted on the electrode 6g. The element 6d is formed with a red light emitting element 6e on the electrode 6f. These light emitting elements 6c to 6e optically detect the edges of the outer shapes of the electrodes 6b, 6g, and 6f and perform die bonding positioning in the same manner as in FIG. 2, and then place In or AuSn on the brazing material. Die bond using high temperature.

上記Ｓｉサブマウント６ａは、中央の電極６ｇの形成部分６ａ１を水平に、左側の電極６ｂの形成部分６ａ２を左下がりの斜面に、右側の電極６ｆの形成部分６ａ３を右下がりの主面に形成されている。よって、各発光素子６ｃ〜６ｅが四角柱状であっても、相互に隣り合う発光素子６ｃと６ｄの近接する側面６ｃ１と６ｄ１どうし、同じく相互に隣り合う発光素子６ｄと６ｅの近接する側面６ｄ２と６ｅ１どうしが共に、正面視で傾いた平行とならない状態とされている。   In the Si submount 6a, the central electrode 6g forming portion 6a1 is formed horizontally, the left electrode 6b forming portion 6a2 is formed on the lower left slope, and the right electrode 6f forming portion 6a3 is formed on the lower right main surface. Has been. Therefore, even if each of the light emitting elements 6c to 6e has a quadrangular prism shape, the adjacent side surfaces 6c1 and 6d1 of the adjacent light emitting elements 6c and 6d, and the adjacent side surface 6d2 of the adjacent adjacent light emitting elements 6d and 6e Both 6e1 are in a state where they are not parallel and inclined in front view.

したがって、図５及び図６に示すような半導体発光装置においても、隣り合う発光素子の側面どうしが正面視で平行とならない状態に形成されているので、各発光素子の側面からの放射光を効率良く取り出すことが可能になる。   Therefore, even in the semiconductor light emitting device as shown in FIGS. 5 and 6, since the side surfaces of the adjacent light emitting elements are not parallel to each other when viewed from the front, the radiated light from the side surfaces of the respective light emitting elements is efficiently used. It becomes possible to take out well.

なお、上述した第３実施形態では、相互に隣り合う発光素子の近接する側面どうしが平面視又は正面視で平行とならない状態としているが、本発明はこれに限らない。要は、三次元空間のいずれの方向において非平行である状態は勿論のこと、或る１方向において平行であっても、他の１方向において非平行である状態であってもよい。   In the third embodiment described above, adjacent side surfaces of light emitting elements adjacent to each other are not parallel to each other in a plan view or a front view, but the present invention is not limited to this. In short, not only the state of being non-parallel in any direction of the three-dimensional space but also the state of being parallel in one certain direction or non-parallel in the other one direction.

また、上述した第３実施形態における各発光素子は、明言していないが発光ダイオード素子を用いている。但し、発光ダイオード素子に代えて半導体レーザ素子を用いてもよい。また、図６の場合、３つの電極は、発光素子間のワイヤボンドや外部のリードピンの本数を減らす場合において配線を介して電気的に接続するようにしてもよい。   In addition, each light emitting element in the above-described third embodiment uses a light emitting diode element although not explicitly stated. However, a semiconductor laser element may be used instead of the light emitting diode element. In the case of FIG. 6, the three electrodes may be electrically connected via wiring in the case of reducing the number of wire bonds between the light emitting elements and the number of external lead pins.

また、上述した第１〜第３実施形態において発光部に３つの発光素子を有するものに適用しているが、本発明はこれに限らず、発光部に２または４以上の発光素子を有するものに同様に適用することができる。   Moreover, although applied to what has three light emitting elements in the light emission part in the 1st-3rd embodiment mentioned above, this invention is not restricted to this, The thing which has 2 or 4 or more light emitting elements in a light emission part Can be applied to as well.

主に白色光源として照明装置或いは液晶のバックライト等に用いられる、発光素子を使用した半導体発光装置の分野において、導電ペーストに代えて、薄肉化が可能な他のろう材を用いることにより這い上がりを抑制し、混色性の良い半導体発光装置とすることができる。   In the field of semiconductor light-emitting devices using light-emitting elements, which are mainly used for lighting devices or liquid crystal backlights as white light sources, it is possible to crawl by using other brazing materials that can be thinned instead of conductive paste. Thus, a semiconductor light emitting device with good color mixing can be obtained.

（ａ）は本発明の第１実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図、（ｂ）はその模式的正面断面図である。(A) is a top view which shows the semiconductor light-emitting device concerning 1st Embodiment of this invention, (b) is the typical front sectional drawing. 本発明の第２実施形態に係る半導体発光装置のサブマウント上の電極及び発光素子の配置を示す平面図である。It is a top view which shows arrangement | positioning of the electrode and light emitting element on the submount of the semiconductor light-emitting device concerning 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２実施形態に係る半導体発光装置のサブマウント上の電極及び発光素子の配置を示す平面図である。It is a top view which shows arrangement | positioning of the electrode and light emitting element on the submount of the semiconductor light-emitting device concerning 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２実施形態に係る半導体発光装置のサブマウント上の電極及び発光素子の配置を示す平面図である。It is a top view which shows arrangement | positioning of the electrode and light emitting element on the submount of the semiconductor light-emitting device concerning 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３実施形態に係る半導体発光装置のサブマウント上の電極及び発光素子の配置を示す図であり、（ａ）は平面図で、（ｂ）は平面図である。It is a figure which shows arrangement | positioning of the electrode and light emitting element on the submount of the semiconductor light-emitting device concerning 3rd Embodiment of this invention, (a) is a top view, (b) is a top view. 本発明の第３実施形態に係る半導体発光装置のサブマウント上の電極及び発光素子の配置を示す図であり、（ａ）は平面図で、（ｂ）は平面図である。It is a figure which shows arrangement | positioning of the electrode and light emitting element on the submount of the semiconductor light-emitting device concerning 3rd Embodiment of this invention, (a) is a top view, (b) is a top view.

符号の説明Explanation of symbols

１ａ 反射板
１ｂ Ｓｉサブマウント
１ｃ 赤色発光素子
１ｄ リードフレーム
１ｅ 緑色発光素子
１ｆ 電極
１ｇ 青色発光素子
１ｈ Ａｕ線
１ｉ 電気端子
２ａ Ｓｉサブマウント
２ｂ 赤色発光素子
２ｃ 電極
２ｄ 緑色発光素子
２ｅ 電極
２ｆ 青色発光素子
２ｇ 電極
３ａ Ｓｉサブマウント
３ｂ 赤色発光素子
３ｃ 電極
３ｄ 緑色発光素子
３ｅ 電極
３ｆ 青色発光素子
３ｇ 電極
４ａ Ｓｉサブマウント
４ｂ 赤色発光素子
４ｃ 電極
４ｄ 緑色発光素子
４ｅ 電極
４ｆ 青色発光素子
４ｇ 電極
５ａ Ｓｉサブマウント
５ｂ 電極
５ｃ 青色発光素子
５ｄ 緑色発光素子
５ｅ 赤色発光素子
６ａ Ｓｉサブマウント
６ｂ 電極
６ｃ 青色発光素子
６ｄ 緑色発光素子
６ｅ 赤色発光素子
６ｆ 電極
６ｇ 電極
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1a Reflector 1b Si submount 1c Red light emitting element 1d Lead frame 1e Green light emitting element 1f Electrode 1g Blue light emitting element 1h Au wire 1i Electrical terminal 2a Si submount 2b Red light emitting element 2c Electrode 2d Green light emitting element 2e Electrode 2f Blue light emitting element 2g electrode 3a Si submount 3b red light emitting element 3c electrode 3d green light emitting element 3e electrode 3f blue light emitting element 3g electrode 4a Si submount 4b red light emitting element 4c electrode 4d green light emitting element 4e electrode 4f blue light emitting element 4g electrode 5a Si submount 5b electrode 5c blue light emitting element 5d green light emitting element 5e red light emitting element 6a Si submount 6b electrode 6c blue light emitting element 6d green light emitting element 6e red light emitting element 6f electrode 6g electrode

Claims (4)

表面に金属製電極が設けられた一つのサブマウント上に、複数の発光素子がＩｎまたはＡｕＳｎの金属材料からなるろう材によりダイボンドされており、
該発光素子のそれぞれが角形であり、相互に隣り合う発光素子の近接する側面どうしが、傾いている状態で各発光素子がダイボンドされており、
該発光素子は、横一列に配されており、
該発光素子のうち中央の発光素子の側面が斜めに傾斜した状態に形成されることにより、相互に隣り合う該発光素子の近接する側面どうしは、該発光素子の上面側から見た平面視で平行であり、該発光素子の配列方向に対して垂直な方向から見た正面視で該サブマウント表面からの距離が増加するにつれて該側面どうしの距離が増加していることを特徴とする半導体発光装置。 A plurality of light emitting elements are die-bonded with a brazing material made of a metal material of In or AuSn on one submount having a metal electrode on the surface ,
Each of the light emitting elements is square, and the adjacent side surfaces of the light emitting elements adjacent to each other are die-bonded with each light emitting element being inclined,
The light emitting elements are arranged in a horizontal row,
The side surfaces of the central light-emitting element among the light-emitting elements are formed so as to be inclined obliquely, so that adjacent side surfaces of the light-emitting elements adjacent to each other can be viewed in plan view as viewed from the upper surface side of the light-emitting element. Semiconductor light emission characterized in that the distance between the side surfaces increases as the distance from the surface of the submount increases in a front view as viewed from a direction perpendicular to the arrangement direction of the light emitting elements. apparatus. 表面に金属製電極が設けられ、中央の電極形成部分を水平に、左側の電極形成部分を左下がりの斜面に、右側の電極形成部分を右下がりの斜面に形成された一つのサブマウント上に、複数の発光素子がＩｎまたはＡｕＳｎの金属材料からなるろう材によりダイボンドされており、
該発光素子のそれぞれが角形であり、相互に隣り合う発光素子の近接する側面どうしが、傾いている状態で各発光素子がダイボンドされており、
該発光素子は、横一列に配されており、
該発光素子のうち左側の発光素子が左側に傾斜し、該発光素子のうち右側の発光素子が右側に傾斜することにより、相互に隣り合う該発光素子の近接する側面どうしは、該発光素子の配列方向に対して垂直な方向から見た正面視で該サブマウント表面からの距離が増加するにつれて該側面どうしの距離が増加していることを特徴とする半導体発光装置。 A metal electrode is provided on the surface , the central electrode formation part is horizontally, the left electrode formation part is on the left slope, and the right electrode formation part is on one submount. The plurality of light emitting elements are die-bonded by a brazing material made of a metal material of In or AuSn ,
Each of the light emitting elements is square, and the adjacent side surfaces of the light emitting elements adjacent to each other are die-bonded with each light emitting element being inclined,
The light emitting elements are arranged in a horizontal row,
Among the light emitting elements, the left side light emitting element is inclined to the left side, and the right side light emitting element is inclined to the right side so that adjacent side surfaces of the light emitting elements adjacent to each other are adjacent to each other. A semiconductor light emitting device characterized in that the distance between the side surfaces increases as the distance from the surface of the submount increases in a front view as viewed from a direction perpendicular to the arrangement direction . 前記金属製電極が各発光素子毎に分離しかつ各発光素子に応じた形状で複数形成され、複数の電極それぞれの上に、該発光素子がダイボンドされており、
該複数の金属製電極の間が、一定の場合に、配線で接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光装置。 The metal electrodes are separated for each light emitting element and formed in a plurality according to the shape of each light emitting element, and the light emitting element is die-bonded on each of the plurality of electrodes,
Between said plurality of metal electrodes, in certain cases, the semiconductor light-emitting device according to claim 1 or 2, characterized in that it is wired. 請求項１〜３のいずれかに記載の半導体発光装置を製造する半導体発光装置の製造方法であって、
各発光素子毎に分離しかつ各発光素子に応じた形状で複数形成された前記金属製電極それぞれの上に、該当する金属製電極の外形エッジを光学的に検出し、検出した該外形エッジに基づいた位置決めにより該発光素子をダイボンドするステップを備えたことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
 A method for manufacturing a semiconductor light emitting device for manufacturing the semiconductor light emitting device according to claim 1,
On each respective light emitting separating each element and the metal electrodes which are plurally formed in a shape corresponding to each light-emitting element, the outer edge of the corresponding metal electrodes optically detected, the outer shape edges detected A method of manufacturing a semiconductor light emitting device , comprising the step of die-bonding the light emitting element by positioning based on the above.
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