JP4164154B2 - イオン化スパッタリング装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本願の発明は、基板の表面に所定の薄膜を作成するスパッタリング装置に関し、特に、スパッタ粒子をイオン化する機能を備えたイオン化スパッタリング装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
各種メモリやロジック等の半導体デバイスでは、各種配線膜の作成や異種層の相互拡散を防止するバリア膜の作成の際にスパッタリングプロセスを用いており、スパッタリング装置が多用されている。このようなスパッタリング装置に要求される特性は色々あるが、基板の表面に形成されたホールの内面にカバレッジ性よく被覆できることが最近強く求められている。
具体的に説明すると、例えばバリア膜の場合、ホール外の面に対するホールの底面への成膜速度の比であるボトムカバレッジ率の向上が最近強く要請されている。というのは、集積度の増加を背景として、コンタクトホール等のホールはそのアスペクト比(ホールの開口の大きさに対するホールの深さの比)が年々高くなってきており、このような高アスペクト比のホールに対しては、従来のスパッタリングの手法では、ボトムカバレッジ率よく成膜が行えないことが多いからである。ボトムカバレッジ率が低下すると、ホールの底面でバリア膜が薄くなり、ジャンクションリーク等のデバイス特性に致命的な欠陥を与える恐れがある。
【0003】
ボトムカバレッジ率を向上させるスパッタリングの手法として、コリメートスパッタや低圧遠隔スパッタ等の手法がこれまで開発されてきた。コリメートスパッタは、ターゲットと基板との間に基板に垂直な方向の穴を多数開けた板(コリメーター)を設け、基板にほぼ垂直に飛行するスパッタ粒子のみを選択的に基板に到達させる手法である。また、低圧遠隔スパッタは、ターゲットと基板との距離を長くして、基板にほぼ垂直に飛行するスパッタ粒子を相対的に多く基板に入射させるようにするとともに、通常より圧力を低くして平均自由行程を長くすることでこれらのスパッタ粒子が散乱されないようにする手法である。
【0004】
しかしながら、コリメートスパッタでは、コリメーターの部分にスパッタ粒子が堆積して損失になるために成膜速度が低下する問題があり、また、低圧遠隔スパッタでは圧力を低くしターゲットと基板の距離を長くするため本質的に成膜速度が低下する問題がある。このような問題のため、コリメートスパッタでは64メガビットまで、低圧遠隔スパッタでは256メガビットの第一世代程度までが限界であると予測されており、256メガビット以上の次世代のデバイス製作に利用可能な実用的な手法の模索が行われている。
【0005】
このような要求に応えるものとして、イオン化スパッタの手法が有力ではないかと考えられている。イオン化スパッタは、ターゲットから放出されるスパッタ粒子をイオン化し、イオンの作用によってホール内に効率よくスパッタ粒子を到達させる方法である。イオン化スパッタによると、コリメートスパッタや低圧遠隔スパッタに比べて遥かに高いボトムカバレッジ率が得られることが確認されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、発明者の研究によると、イオン化スパッタでは基板の周辺部において成膜が不均一になる問題があることが分かってきた。この問題は、コリメートスパッタや低圧遠隔スパッタではみられなかったことであり、イオン化スパッタに特有の問題である。
本願の発明は、このイオン化スパッタに特有な基板周辺部での成膜の不均一性の問題を解消することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本願の請求項1記載の発明は、排気系を備えたスパッタチャンバーと、スパッタチャンバー内に所定のガスを導入するガス導入系と、スパッタチャンバー内に被スパッタ面が露出するようにして設けられたターゲットと、ターゲットに高周波電圧を印加してターゲットをスパッタするスパッタ電源と、スパッタによってターゲットから放出されたスパッタ粒子をイオン化させるイオン化手段と、イオン化したスパッタ粒子が入射する位置に基板を保持する基板ホルダーと、イオン化したスパッタ粒子を基板により垂直に入射させ、基板の表面に形成された微細なホールの底面への成膜速度を高める電界を設定する電界設定手段とを備え、基板の表面に形成された微細なホールの内面に薄膜を作成するイオン化スパッタリング装置であって、
前記イオン化手段は、ターゲットと基板との間のスパッタ粒子飛行空間にプラズマを形成してスパッタ粒子をイオン化させるものであり、前記スパッタチャンバーの内部には、スパッタによって放出されたスパッタ粒子が基板以外の場所に付着するのを防ぐための防着シールドが設けられており、
前記防着シールドは、基板の表面の方向で基板の周縁から50mm以内で、かつ基板の表面に垂直な方向で前記プラズマが形成される側に50mm以内の空間領域である禁止領域を占めることがない寸法形状及び配置位置となっているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、本願の請求項2記載の発明は、上記請求項1の構成において、前記防着シールドは、前記基板ホルダーに保持された基板の周囲を取り囲むリング状のホルダー側シールドであるという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、本願の請求項3記載の発明は、上記請求項1の構成において、前記防着シールドは、前記ターゲットと前記基板ホルダーとの間の空間を取り囲む筒状の主シールドであり、この主シールドの内側の縁は、基板ホルダーに保持された基板の表面の方向で基板の周縁から50mmを越える位置に位置しているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、本願の請求項3記載の発明は、上記請求項1の構成において、前記防着シールドは二つ設けられていて、そのうちの一つは前記ターゲットと前記基板ホルダーとの間の空間を取り囲む筒状の主シールドであり、もう一つは前記基板ホルダーに保持された基板の周囲を取り囲むリング状のホルダー側シールドであり、
ホルダー側シールドは、スパッタ粒子が主シールドと前記基板ホルダーとの間の空間を通過して付着するのを防止する部材であり、
主シールドの内側の縁は、基板ホルダーに保持された基板の表面の方向で基板の周縁から50mmを越える位置に位置しているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、本願の請求項5記載の発明は、上記請求項2又は4の構成において、前記ホルダー側シールドは、前記基板ホルダーから離間して設けられているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、本願の請求項6記載の発明は、上記請求項5の構成において、前記基板ホルダーに固定された固定シールドが設けられており、固定シールドは前記禁止領域を占めることがない寸法形状及び配置位置であって、前記ホルダー側シールドから離間して設けられているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、本願の請求項7記載の発明は、上記請求項6の構成において、前記ホルダー側シールドと前記固定シールドとの間に形成される空間は、折れ曲がった隘路となっているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、本願の請求項8記載の発明は、上記請求項1の構成において、前記防着シールドのうち、基板の表面の方向で基板の周縁から50mm以内を占める部分のうちのプラズマが形成される側の表面は、基板の表面と面一の面からプラズマが形成される側とは逆側の15mm以内の位置に位置しているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、本願の請求項9記載の発明は、上記請求項2、4、5、6又は7の構成において、前記ホルダー側シールドのうちのプラズマが形成される側の 表面は、基板の表面と面一の面からプラズマが形成される側とは逆側の15mm以内の位置に位置しているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、本願の請求項10記載の発明は、上記請求項1乃至9いずれかの構成において、前記排気系は、前記薄膜を作成する際の前記スパッタチャンバー内が20mTorr以上100mTorr以下の範囲の圧力となるよう排気を行うものであるという構成を有する。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の実施の形態について説明する。
図1は、本願発明の実施形態のイオン化スパッタリング装置の概略構成を示す正面断面図である。図1に示すイオン化スパッタリング装置は、排気系11を備えたスパッタチャンバー1と、スパッタチャンバー1内に被スパッタ面を露出させるようにして設けられたターゲット2と、ターゲット2をスパッタするためのスパッタ電源3と、スパッタチャンバー1内に所定のプロセスガスを導入するプロセスガス導入系4と、スパッタによってターゲット2から放出されたスパッタ粒子をイオン化させるイオン化手段と、イオン化したスパッタ粒子(以下、イオン化スパッタ粒子)が入射する位置に基板9を保持する基板ホルダー5と、イオン化スパッタ粒子を基板9により垂直に入射させる垂直入射用電界を設定する電界設定手段とを備えている。
【0009】
スパッタチャンバー1は気密な容器であり、電気的には接地されている。スパッタチャンバー1には不図示のゲートバルブが設けられており、不図示の搬送チャンバーやロードロックチャンバーを経由して大気側との基板9の搬入搬出が行われる。排気系11は、ターボ分子ポンプやクライオポンプ等の真空ポンプを備えており、スパッタチャンバー1内を10-8Torr程度まで排気可能に構成されている。
【0010】
ターゲット2は絶縁材21を介してスパッタチャンバー1に取り付けられている。ターゲット2の材質は、本実施形態ではチタンである。
スパッタ電源3には、本実施形態では、高周波電源が採用されている。この高周波電源は、例えば周波数13.56MHzで、出力10kW程度のものである。また、ターゲット2とスパッタ電源3の間には、反射波の発生を防止するため、インピーダンス整合回路31が設けられている。
【0011】
ターゲット2の背後には、磁石機構22が設けられている。磁石機構22は、放電の効率のよいマグネトロンスパッタを行うために備えられている。具体的には、磁石機構22は、中心磁石221と、中心磁石221を周状に取り囲む周辺磁石222と、中心磁石221及び周辺磁石222を繋ぐ円盤状のヨーク223とから構成されている。
【0012】
スパッタ放電に必要なプロセスガスは、プロセスガス導入系4によって導入される。プロセスガス導入系4は、所定のプロセスガスを溜めたガスボンベ41と、スパッタチャンバー1とガスボンベ41とをつなぐ配管42と、配管42に設けられたバルブ43や流量調整器44とから主に構成されている。プロセスガスとしては、アルゴンや窒素等のガスが使用される。
【0013】
プロセスガス導入系4によって所定のプロセスガスが所定の流量でスパッタチャンバー1内に導入されている状態で、スパッタ電源3が動作すると、ターゲット2を介してスパッタチャンバー1内に高周波電界が設定される。この結果、導入されたガスに高周波放電が生じ、プラズマが形成される。この際、スパッタ電源3とターゲット2との間には適当なキャパシタンスが存在しており、このキャパシタンスによってターゲット2に負の自己バイアス電圧が生じる。この負の自己バイアス電圧によってプラズマ中から正イオンが引き出されてターゲットを衝撃し、ターゲット2がスパッタされるようになっている。尚、このキャパシタンスは、インピーダンス整合回路31中のコンデンサが該当している場合もあるし、自己バイアス電圧用の専用のコンデンサが設けられる場合もある。尚、ターゲット2から放出されるスパッタ粒子のイオン化のみで放電が維持される場合、プロセスガスが導入されない場合もある。
【0014】
一方、上記スパッタによって放出されたスパッタ粒子が到達する位置で基板9を保持する基板ホルダー5は、全体が台状のものであり、上面に基板9を載置して保持するようになっている。そして、この基板ホルダー5は、その基板載置面に基板9を静電的に吸着させるための静電吸着機構53を備えている。静電吸着機構53は、基板ホルダー5の一部として設けられた誘電体ブロック531内に埋設された吸着電極51と、吸着電極51に負の直流電圧を印加するための吸着電源52とから主に構成されている。
吸着電源52によって例えば200〜1000V程度の直流電圧を吸着電極51に与えると、誘電体ブロック531が誘電分極して基板載置面に静電気が誘起される。この静電気によって、基板9は誘電体ブロック531に静電吸着されるようになっている。
【0015】
基板ホルダー5は、基板9を加熱するためのヒータ54を備えている。ヒータ54としては、抵抗加熱方式のヒータを基板ホルダー5内に埋設する構成が採用できる。このヒータ54により、基板9は室温から500℃程度までの所定の温度に加熱されるようになっている。このヒータ54の別の構成としては、輻射加熱方式のものにしてもよい。
【0016】
イオン化手段は、本実施形態では、プラズマを利用してスパッタ粒子をイオン化させるものが採用されている。即ち、イオン化手段は、ターゲット2から基板9へのスパッタ粒子の飛行経路にプラズマを形成し、スパッタ粒子がプラズマ中を通過する際にプラズマ中の電子やイオンに衝突させてスパッタ粒子をイオン化させるものとなっている。本実施形態では、ターゲット2をスパッタする際に形成するプラズマによって上述したイオン化が行えるようになっており、イオン化手段には、前述したスパッタ電源3とプロセスガス導入系4とが兼用されている。
【0017】
スパッタ電源3としては、負の直流電源を用いる場合もあるが、イオン化手段に兼用することを考えると、本実施形態のように高周波電源であることが好ましい。高周波電源の場合、ターゲット2と基板ホルダー5との間に高周波電界が設定され、この高周波電界によってプラズマ中のイオンや電子が逆向きに交互に加速される。このため、プラズマ振動と呼ばれる荷電粒子の周期的な運動が生じ、この結果、荷電粒子が中性スパッタ粒子に衝突して中性スパッタ粒子をイオン化させる頻度が増す。
【0018】
また、イオン化手段に兼用されるプロセスガス導入系4としては、比較的高い圧力を維持してスパッタチャンバー2内にプロセスガスを導入できるものが好ましい。即ち、イオン化スパッタを行うためには、プラズマ中の荷電粒子と中性スパッタ粒子の衝突頻度を高くすることが必要である。このためには、比較的高い圧力でスパッタ放電を行うことが好ましい。具体的には、20〜100mTorr程度の範囲である。20mTorr以下になると、中性スパッタ粒子のイオン化が十分でなくなる恐れがある。また、100mTorr以上になると、プロセスガスの分子の数があまりにも多くなり、スパッタ粒子がイオン化してもプロセスガス分子との衝突によって多くが散乱され、基板9に十分到達できない問題が発生する。尚、プロセスガス導入系4の流量調整器44は、上記圧力の範囲で十分な精度で流量調整できるものが使用される。
【0019】
また一方、上述のようにイオン化したスパッタ粒子を基板9により垂直に入射させる垂直入射用電界を設定する電界設定手段としては、本実施形態では、プラズマと基板9との間に適切なシース電界が形成されるようにするものが使用されている。具体的には、この電界設定手段には、上述した基板ホルダー5の一部である誘電体ブロック531が兼用されている。
【0020】
より具体的に説明すると、上述のようにスパッタ放電によって形成されたプラズマは、スパッタチャンバー1内を拡散し、基板ホルダー5付近に達する。特に、スパッタ電源3として高周波電源が使用されているため、直流電源に比べてプラズマの拡散が大きくなる傾向がある。ここで、プラズマに接するようにして誘電体が配置されていると、プラズマ中の電子とイオンの移動度の違いから、周知のように誘電体の表面は浮遊電位と呼ばれる負の電位を帯びる。一方、プラズマの空間電位は殆ど0Vであり、従って、プラズマと誘電体との間にシース電界が形成される。
【0021】
本実施形態においても、基板9の静電吸着用に設けた誘電体ブロック531の表面は、プラズマが形成された際に浮遊電位を帯び、プラズマと誘電体ブロック531との間にはシース電界が形成される。このシース電界は、誘電体ブロック531に向かって徐々に電位が下がる電界であり、プラズマから正イオンを引き出す効果がある。
そして、前述のように誘電体ブロック531の表面に基板9が載置されると、シース電界の向きは基板9にほぼ垂直であり、イオン化スパッタ粒子を基板9により垂直に入射させるよう機能する。具体的な数値について説明すると、圧力が60mTorrで、スパッタ電源3が周波数13.56MHz出力3kWのものであるとすると、誘電体ブロック531の表面は−10V程度の浮遊電位になる。
上記のようにイオン化スパッタ粒子を基板9により垂直に入射させると、アスペクト比の高いホールの底面にまで多くのスパッタ粒子が到達できるようになる。このため、高アスペクト比のホールに対しても高いボトムカバレッジ率で成膜が行える。
【0022】
本実施形態の装置の大きな特徴点は、スパッタ粒子が基板9以外の場所に付着するのを防ぐために設けた防着シールドの構成にある。スパッタ粒子が基板9以外の場所に不必要に付着すると、経時的に薄膜に成長する。この薄膜の厚さがある程度に達すると、自重や内部ストレスによって剥離する。薄膜は、この剥離によって、ある程度大きな粒径のパーティクルとなり、スパッタチャンバー1内を浮遊する。このパーティクルが基板9の表面に達すると、局所的な膜厚異常等の欠陥を生じさせる。このため、本実施形態の装置では、スパッタ粒子が基板9以外の場所に不必要に付着するのを防ぐための防着シールドを設けている。
【0023】
図1に示すように、本実施形態の装置では、複数の防着シールド61,62,63が設けられている。複数の防着シールドの一つは、ターゲット2と基板ホルダー5との間のスパッタ粒子飛行空間を取り囲む防着シールド(以下、主シールド)61である。また、ターゲット2の周囲にはリング状の防着シールド(以下、ターゲット側シールド)62が設けられている。そして、基板ホルダー5の周囲にもリング状の防着シールド(以下、ホルダー側シールド)63が設けられている。
これらの防着シールド61,62,63の表面には、堆積する薄膜の剥離を防止する凹凸が形成されている。また、これらの防着シールド61,62,63はいずれも交換可能に設けられており、堆積した薄膜が所定の厚さになったら交換されるようになっている。
【0024】
本実施形態の装置の大きな特徴点は、上記防着シールド61,62,63が、基板9に対する成膜処理を不均一にさせる空間領域として設定された禁止領域を占めない寸法形状及び配置位置となっている点である。禁止領域は、本実施形態では、基板ホルダー5に保持された基板9の表面の方向(以下、成膜面方向)で基板9の周縁から50mm以内の空間領域であるとともに、成膜面方向に対して垂直な方向(以下、垂直方向)でプラズマが形成される側(以下、プラズマ形成側)に50mm以内の空間領域である。この禁止領域は、基板9と同軸の円筒状の空間領域である。
【0025】
上記禁止領域の設定は、以下に説明する発明者の研究に基づいている。発明者は、イオン化スパッタリング装置の実験機を用いて種々の実験を行う過程で、通常のスパッタでは見られなかった基板9の周辺部での成膜の不均一性の問題があることを発見した。この点をまず図2を使用して説明する。
図2は、イオン化スパッタリング装置の実験機を用いた際の基板の周辺部での成膜の不均一性を示す図であり、基板上に作成した薄膜のシート抵抗値の分布を示すものである。この図2に示す実験では、チタン製のターゲットを使用し、直径100mmの半導体ウェーハに対しててチタン薄膜の作成実験が行われた。図2中の点線が実験機を使用した場合のシート抵抗値の分布である。
【0026】
図2に示すように、実験機で作成したチタン薄膜のシート抵抗値は、基板9の周辺部で高くなっている。チタンが導電体であることから考えると、実験機によると基板9の周辺部でチタン薄膜の厚さが薄くなっていると判断される。
発明者は、このような基板9の周辺部における膜厚低下の原因について鋭意検討を行ったところ、基板ホルダー5の周辺の部材の配置が原因していることが分かってきた。この点を、図3及び図4を使用して説明する。図3は、実験機における基板ホルダー及び基板ホルダー周辺の部材の配置を示す正面断面部分図である。また、図4は、図3に示す実験機におけるプラズマの拡散状況を示す図である。
【0027】
図3に示すように、実験機では、ホルダー側シールド63は、基板9の表面の高さより少し高い位置、即ち、ターゲット2側に位置していた。発明者の研究によると、このような位置にホルダー側シールド63のような部材が存在すると、プラズマPの広がりを空間的に規制し、これが原因で基板9の周辺部で成膜が不均一になることが分かってきた。
【0028】
より具体的に説明すると、前述したように、高周波電源を使用するイオン化スパッタリング装置では、プラズマPは基板ホルダー5付近にまで広く拡散する。この際、上述した位置にホルダー側シールド63が配置されていると、基板9の径方向の外側に向けてのプラズマPの拡散は、このホルダー側シールド63によって空間的に規制される。従って、プラズマPは基板9の付近で基板9の周縁よりも外側にはあまり拡散せず、図4に示すような拡散領域の形状になる。
【0029】
一方、前述したように、イオン化スパッタリング装置では、イオン化スパッタ粒子を基板9により垂直に引き出して入射させることでボトムカバレッジ率を高めている。このイオン化スパッタ粒子は、イオンであるから、プロセスガスのイオンとともにプラズマPを構成する粒子である。この場合、基板9に入射するイオン化スパッタ粒子の分布は、プラズマP中に存在するイオン化スパッタ粒子の分布に依存する。プラズマP中のイオン化スパッタ粒子の分布は、そのプラズマ密度の分布に依存する。従って、図2に示すような基板9の周辺部での成膜の不均一性は、基板9の表面の方向でプラズマ密度の分布の不均一性に起因しているものと考えられる。即ち、基板9の周辺部近傍ではプラズマ密度が低く、基板9に入射するスパッタ粒子が少ないため、成膜速度が低下する傾向にあるものと考えられる。
【0030】
また、前述したように、プラズマP中のイオン化スパッタ粒子はプラズマの境界部分に形成されるシース電界Eによって加速されて基板9に入射する。この場合、図3に示すように拡散領域が制限された状態では、基板9の中央部分ではシース電界Eの向きは基板9にほぼ垂直になるものの、基板9の周辺部では、シース電界Eの向きは斜め外側に向いた状態となる。このため、イオン化スパッタ粒子は、この向きのシース電界Eに加速されて斜め外側に進み、基板9に到達できなかったり、到達できても、基板9に垂直に入射しないため、ホールの底面に到達できなかったりするものと考えられる。このようなことから、基板9の周辺部で成膜速度が低下し、これが原因でシート抵抗値の増大のような成膜の不均一性が生ずるものと考えられる。
【0031】
本願の発明者は、このような考察のもと、プラズマPの拡散を規制して基板9の周辺部での成膜に影響を与える空間領域としての禁止領域を設定し、この領域を防着シールドが占めないよう改良を加えた。図5は、このように改良されたイオン化スパッタリング装置の要部を示すものであり、図1に示す本実施形態の装置における基板ホルダー及び基板ホルダー周辺の部材の配置を示す正面断面部分図である。また、図6は、本実施形態の装置におけるプラズマの拡散状況を示す図である。
【0032】
本願の発明者の研究によると、上述したような成膜の不均一性を生じさせるプラズマPの拡散が規制されるのを防止するには、成膜面方向で基板9の周縁から50mm以内、垂直方向のプラズマ形成側に50mm以内の空間領域において何もプラズマを規制する部材を配置しないようにすれば良いことが分かってきた。このようにして設定された領域は、前述した禁止領域であり、図5に斜線で示された領域aである。
【0033】
成膜面方向で基板9の周縁から50mmを越える空間領域では、どの位置に防着シールド61,62,63が配置されていても、基板9から離れた位置であるため、基板9の成膜に影響を与えることは殆どない。また、成膜面方向で基板9の周縁から50mm以内の領域であっても、垂直方向のプラズマ形成側に50mmを越えると、やはり基板9から離れた位置であるため、どの位置に防着シールド61,62,63が配置されていても基板9の周辺部で成膜を不均一にするような影響はない。尚、成膜する基板9の表面を底面とし、垂直方向のプラズマ形成側を高さとする柱状の空間にいずれかの防着シールド61,62,63が配置されると、ターゲット2からの基板9へのスパッタ粒子を遮蔽することになるため、当然のことながら防着シールド61,62,63はこの空間を占めることがないよう配置される。
【0034】
防着シールド61,62,63の寸法形状及び配置位置についてより詳しく説明すると、主シールド61は円筒状であって、基板9の中心を垂直方向に貫く軸と同軸状に配置されている。基板9が直径200mmの半導体ウェーハである場合、主シールド61の内直径は300mm程度とされる。即ち、主シールド61の内面は、成膜面方向で見ると、基板9の周縁から50mmを越える位置に位置している。
【0035】
また、ホルダー側シールド63は、図5に示すような断面形状のリング状である。この断面形状では、リングの内縁が少し下方(プラズマ形成側とは反対側)に傾斜したテーパ状となっている。また、リングの外縁には、垂直方向のプラズマ形成側に突出した突起が形成されている。突起は、主シールド61より外側に位置しており、従って、基板9の周縁から50mmを越える位置に位置している。
図5に示すホルダー側シールド63の断面形状で、中央部分は、基板9の周縁から50mm以内に位置している。しかしながら、図5に示す通り、その部分の上面(垂直方向のプラズマ形成側の面)は、成膜面よりも僅かに低い位置(例えば15mm程度低い位置)に位置している。従って、ホルダー側シールド63は、上記禁止領域aを占めることがない寸法形状及び配置となっている。尚、ターゲット側シールド62は、基板9から離れたターゲット2を取り囲む位置であるため、禁止領域aを占めることはない。
【0036】
このように、本実施形態の装置では、防着シールド61,62,63が禁止領域aを占めることが無いので、プラズマPの拡散が規制されず、図6に示すようにプラズマPは基板9の周縁から離れた外方まで広く拡散する。このため、基板9の周辺部において、図4に示すようにシース電界Eの向きが斜め外側に向いてしまうことがなく、シース電界Eは中央部と同様に基板9に対して垂直の向きである。従って、基板9の周辺部にも中央部と同様の量のイオン化スパッタ粒子が入射し、均一に成膜が行われる。
【0037】
このような成膜均一性改善の効果を確認した実験の結果が、図2に併せて示されている。図2中の実線が実施形態の装置を使用して作成したチタン薄膜のシート抵抗値の分布を示すものである。この結果から分かる通り、本実施形態の装置によれば、基板9の周辺部でのシート抵抗値の異常な増大が見られず、均一な成膜が行える。
【0038】
尚、図5に示すように、基板ホルダー5は固定シールド55を備えている。固定シールド55は、基板ホルダー5に固定されている。固定シールド55は、誘電体ブロック531の側端面や基板ホルダー5の露出面がプラズマに晒されるのを防止するものである。
そして、ホルダー側シールド63は、基板ホルダー5の一部である固定シールド55に接近しているが、固定シールド55には接触しないようにして設けられている。即ち、基板ホルダー5とは別に設けられた支柱631によってホルダー側シールド63は固定されている。尚、基板9の搬入搬出の際に、このホルダー側シールド63を上昇させ、ホルダー側シールド63の下側から基板9を搬入搬出させるよう構成してもよい。
【0039】
また、ホルダー側シールド63は、固定シールド55に接触していないため、基板ホルダー5とは無関係に任意の電位を取り得る。このため、例えばホルダー側シールド63を接地電位にして放電シールドとしての機能も持たせることができる。尚、発明者の実験によると、ホルダー側シールド63を接地した場合でも、また接地電位から絶縁した場合でも、上述した成膜均一化の効果は殆ど変わらないことが確認されている。
【0040】
また、ホルダー側シールド63と固定シールド55との間に形成される空間は、図5に示すように、複雑に折れ曲がった隘路となっている。このため、この空間にスパッタ粒子が飛来してきてもこの空間を通過することが困難であり、スパッタ粒子がこの空間を通過してスパッタチャンバー1の内面に達して薄膜を堆積することが効果的に防止されている。
【0041】
次に、本実施形態のイオン化スパッタリング装置の全体の動作について説明する。
不図示の搬送チャンバー又はロードロックチャンバーとスパッタチャンバー1とが所定の圧力まで排気された状態で、不図示のゲートバルブが開き、基板9がスパッタチャンバー1内に搬入される。基板9は基板ホルダー5に載置され、ゲートバルブが閉じられる。静電吸着機構53が動作し、基板9が基板ホルダー5に静電吸着される。基板ホルダー5内のヒータ54が予め動作しており、基板9は基板ホルダー5に静電吸着されることによって所定温度に加熱される。
【0042】
この状態でプロセスガス導入系4が動作し、所定のプロセスガスがスパッタチャンバー1内に導入される。そして、スパッタ電源3が動作して前述したように高周波放電プラズマが形成され、ターゲット2に生ずる自己バイアス電圧によってターゲット2がスパッタされる。スパッタによってターゲット2から放出されたスパッタ粒子が基板9に到達し、基板9の表面に所定の薄膜が作成される。この際、スパッタ粒子は、プラズマ中を通過する際にイオン化し、前述した垂直入射用電界によって基板9により垂直に引き出されて基板9に入射する。この結果、基板9の表面に形成されたホールの底面に効率よく膜が堆積し、ボトムカバレッジ率の高い成膜が行える。そして、基板9の周辺部の近傍でプラズマの拡散が規制されないので、基板9の周辺部まで均一に成膜が行える。
【0043】
成膜の一例について説明すると、例えば異種層の相互拡散を防止するために介在されるバリア膜を作成する場合、最初にアルゴンをプロセスガスとして導入してチタン薄膜を作成する。その後、窒素ガスに切り替えてスパッタを行い、チタンと窒素との反応を利用しながら窒化チタン薄膜を作成する。これによって、チタン薄膜の上に窒化チタン薄膜を積層したバリア膜の構造が得られる。
【0044】
このようにして所定時間成膜を行った後、スパッタ電源3及びプロセスガス導入系4の動作を停止させる。そして、スパッタチャンバー1内を再度排気するとともに静電吸着機構53の動作を停止させた後、基板9をスパッタチャンバー1から搬出する。その後、基板9は、搬送チャンバーやロードロックチャンバーを経由して大気側に取り出される。このような動作を繰り返して、基板9に対して一枚ずつ成膜処理が行われる。
【0045】
上述した実施形態の説明では、イオン化手段は、ターゲット2に高周波電圧を印加するスパッタ電源3が兼用されたが、スパッタ電源3とは別に設けた高周波電源によってプラズマを形成してイオン化させるようにしてもよい。この場合、例えば、ターゲット2と基板ホルダー5との間に筒状又はコイル状の電極を設け、これに対し高周波電圧を印加する構成を採用する場合がある。
また、電界設定手段としては、誘電体ブロック531に生ずる浮遊電位を利用する場合の他、基板ホルダー5全体に高周波電圧を印加し、基板9に自己バイアス電圧を与えることで垂直入射用電界を設定する構成を採用する場合もある。
【0046】
【発明の効果】
以上説明した通り、本願の発明によれば、イオン化スパッタに特有な基板の周辺部での成膜の不均一性の問題が解消され、高アスペクト比のホールに対する高ボトムカバレッジ率の成膜の効果を基板の表面の全域に亘って均一に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本願発明の実施形態のスパッタリング装置の概略構成を示す正面断面図である。
【図2】イオン化スパッタリング装置の実験機を用いた際の基板の周辺部での成膜の不均一性を示す図であり、基板上に作成した薄膜のシート抵抗値の分布を示すものである。
【図3】実験機における基板ホルダー及び基板ホルダー周辺の部材の配置を示す正面断面部分図である。
【図4】図3に示す実験機におけるプラズマの拡散状況を示す図である。
【図5】図1に示す本実施形態の装置における基板ホルダー及び基板ホルダー周辺の部材の配置を示す正面断面部分図である。
【図6】本実施形態の装置におけるプラズマの拡散状況を示す図である。
【符号の説明】
1 スパッタチャンバー
2 ターゲット
3 スパッタ電源
4 プロセスガス導入系
5 基板ホルダー
61 主シールド
62 ターゲット側シールド
63 ホルダー側シールド
631 支柱
9 基板
P プラズマ
E シース電界
Claims (10)
- 排気系を備えたスパッタチャンバーと、スパッタチャンバー内に所定のガスを導入するガス導入系と、スパッタチャンバー内に被スパッタ面が露出するようにして設けられたターゲットと、ターゲットに高周波電圧を印加してターゲットをスパッタするスパッタ電源と、スパッタによってターゲットから放出されたスパッタ粒子をイオン化させるイオン化手段と、イオン化したスパッタ粒子が入射する位置に基板を保持する基板ホルダーと、イオン化したスパッタ粒子を基板により垂直に入射させ、基板の表面に形成された微細なホールの底面への成膜速度を高める電界を設定する電界設定手段とを備え、基板の表面に形成された微細なホールの内面に薄膜を作成するイオン化スパッタリング装置であって、
前記イオン化手段は、ターゲットと基板との間のスパッタ粒子飛行空間にプラズマを形成してスパッタ粒子をイオン化させるものであり、前記スパッタチャンバーの内部には、スパッタによって放出されたスパッタ粒子が基板以外の場所に付着するのを防ぐための防着シールドが設けられており、
前記防着シールドは、基板の表面の方向で基板の周縁から50mm以内で、かつ基板の表面に垂直な方向で前記プラズマが形成される側に50mm以内の空間領域である禁止領域を占めることがない寸法形状及び配置位置となっていることを特徴とするイオン化スパッタリング装置。 - 前記防着シールドは、前記基板ホルダーに保持された基板の周囲を取り囲むリング状のホルダー側シールドであることを特徴とする請求項1記載のイオン化スパッタリング装置。
- 前記防着シールドは、前記ターゲットと前記基板ホルダーとの間の空間を取り囲む筒状の主シールドであり、この主シールドの内側の縁は、基板ホルダーに保持された基板の表面の方向で基板の周縁から50mmを越える位置に位置していることを特徴とする請求項1記載のイオン化スパッタリング装置。
- 前記防着シールドは二つ設けられていて、そのうちの一つは前記ターゲットと前記基板ホルダーとの間の空間を取り囲む筒状の主シールドであり、もう一つは前記基板ホルダーに保持された基板の周囲を取り囲むリング状のホルダー側シールドであり、
ホルダー側シールドは、スパッタ粒子が主シールドと前記基板ホルダーとの間の空間を通過して付着するのを防止する部材であり、
主シールドの内側の縁は、基板ホルダーに保持された基板の表面の方向で基板の周縁から50mmを越える位置に位置していることを特徴とする請求項1記載のイオン化スパッタリング装置。 - 前記ホルダー側シールドは、前記基板ホルダーから離間して設けられていることを特徴とする請求項2又は4記載のイオン化スパッタリング装置。
- 前記基板ホルダーに固定された固定シールドが設けられており、固定シールドは前記禁止領域を占めることがない寸法形状及び配置位置であって、前記ホルダー側シールドから離間して設けられていることを特徴とする請求項5記載のイオン化スパッタリング装置。
- 前記ホルダー側シールドと前記固定シールドとの間に形成される空間は、折れ曲がった隘路となっていることを特徴とする請求項6記載のイオン化スパッタリング装置。
- 前記防着シールドのうち、基板の表面の方向で基板の周縁から50mm以内を占める部分のうちのプラズマが形成される側の表面は、基板の表面と面一の面からプラズマが形成される側とは逆側の15mm以内の位置に位置していることを特徴とする請求項1記載のイオン化スパッタリング装置。
- 前記ホルダー側シールドのうちのプラズマが形成される側の表面は、基板の表面と面一の面からプラズマが形成される側とは逆側の15mm以内の位置に位置していることを特徴とする請求項2、4、5、6又は7記載のイオン化スパッタリング装 置。
- 前記排気系は、前記薄膜を作成する際の前記スパッタチャンバー内が20mTorr以上100mTorr以下の範囲の圧力となるよう排気を行うものであることを特徴とする請求項1乃至9いずれかに記載のイオン化スパッタリング装置。
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