JP4164064B2 - サーマルヘッドの製造方法 - Google Patents
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Description
1A・・・絶縁基板素体
2・・・蓄熱層
2a・・・溝
3・・・耐エッチング層
4・・・発熱抵抗体
4a・・・抵抗層
5,5・・・一対の電極
5a・・・導電層
6・・・保護層
Claims (3)
- サーマルヘッド領域、及び該サーマルヘッド領域を囲み且つ下面にブレイクラインが形成された切断領域、を有する絶縁基板素体の上面に、前記サーマルヘッド領域内から前記切断領域の外側まで延在する蓄熱層を被着させる工程と、
前記切断領域を除く前記蓄熱層の上面に、耐エッチング層を被着させる工程と、
前記サーマルヘッド領域内の耐エッチング層上に抵抗層及び導電層を順次被着させる工程と、
前記導電層及び抵抗層の一部、並びに前記蓄熱層をエッチングして、前記導電層及び抵抗層を所定パターンに加工することにより発熱抵抗体及び電極を形成するとともに、前記蓄熱層の前記切断領域に溝を形成する工程と、
前記絶縁基板素体を前記ブレイクラインに沿って切断し、サーマルヘッドを得る工程と、を含むことを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。 - 前記蓄熱層はSiO2を主成分とし、前記耐エッチング層はSi3N4を主成分とし、フッ硝酸を含むエッチング液によりエッチングを行うことを特徴とする請求項1に記載のサーマルヘッドの製造方法。
- 前記絶縁基板素体は、前記切断領域を境界として複数の前記サーマルヘッド領域を有していることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のサーマルヘッドの製造方法。
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