JP4163167B2 - 多波長半導体レーザの製造方法 - Google Patents
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Description
22a 第1導電型第1クラッド層(n型GaN系クラッド層)
22b 第1導電型第2クラッド層(n型AlGaAs系クラッド層)
22c 第1導電型第3クラッド層(n型AlGaInP系クラッド層)
23a 第1活性層(GaN系活性層)
23b 第2活性層(AlGaAs系活性層)
23c 第3活性層(AlGaInP系活性層)
24a 第2導電型第1クラッド層(p型GaN系クラッド層)
24b 第2導電型第2クラッド層(p型AlGaAs系クラッド層)
24c 第2導電型第3クラッド層(p型AlGaInP系クラッド層)
31 第1導電型基板(n型GaAs基板)
32 絶縁層
Claims (11)
- 窒化物単結晶成長用基板を設けるステップと、
前記窒化物単結晶成長用基板上に第1導電型第1クラッド層、第1活性層及び第2導電型第1クラッド層を順次に成長させ窒化物エピタキシャル層を形成するステップと、
前記窒化物単結晶成長用基板から前記窒化物エピタキシャル層を分離するステップと、
前記窒化物エピタキシャル層を第1導電型基板上に接合するステップと、
前記第1導電型基板の一領域が露出するように前記窒化物エピタキシャル層を選択的に除去して第1半導体レーザ構造を形成するステップと、
前記第1導電型基板の一領域中の一部上面に前記第1半導体レーザ構造と分離されるように、第1導電型第2クラッド層、第2活性層及び第2導電型第2クラッド層が順次に成長させられたエピタキシャル層からなる第2半導体レーザ構造を形成するステップと、
前記第1導電型基板の一領域中の他の一部上面に前記第1及び第2半導体レーザ構造と分離されるように、第1導電型第3クラッド層、第3活性層及び第2導電型第3クラッド層が順次に成長させられたエピタキシャル層からなる第3半導体レーザ構造を形成するステップと、
前記第1導電型基板の下面に第1電極を形成し前記第2導電型第1クラッド層、前記第2導電型第2クラッド、および前記第2導電型第3クラッド層のそれぞれに接続される第2電極を形成するステップと、
を含み、
前記第1半導体レーザ構造のための窒化物エピタキシャル層はGaN系半導体物質で、前記第2半導体レーザ構造のためのエピタキシャル層はAlGaAs系半導体物質で、前記第3半導体レーザ構造のためのエピタキシャル層はAlGaInP系半導体物質であることを特徴とする多波長半導体レーザの製造方法。 - 前記第3半導体レーザ構造を形成するステップの後、前記第1及び第2電極を形成するステップの前に、前記第1ないし第3半導体レーザ構造における前記各第2導電型クラッド層を選択的にエッチングしてリッジ構造に形成するステップと、前記リッジ構造の上端面を除く前記各第2導電型クラッド層の上面に絶縁層を形成するステップとをさらに含み、
前記第2電極は前記リッジ構造の前記上端面を通して前記各第2導電型クラッド層に接続されること、
を特徴とする請求項1に記載の多波長半導体レーザの製造方法。 - 前記絶縁層を形成するステップは、前記第1ないし第3半導体レーザ構造の側面まで延長するように前記絶縁層を形成するステップであること、
を特徴とする請求項2に記載の多波長半導体レーザの製造方法。 - 前記絶縁層はSiO2またはSi3N4であること、
を特徴とする請求項2または3に記載の多波長半導体レーザの製造方法。 - 前記窒化物エピタキシャル層を分離するステップは、前記窒化物単結晶成長用基板の下面にレーザを照射して前記窒化物エピタキシャル層をリフトオフさせるステップであること、
を特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の多波長半導体レーザの製造方法。 - 前記窒化物エピタキシャル層を分離するステップは、前記レーザを照射する前に前記窒化物単結晶成長用基板の下面にラッピングを施し、その厚さを減少させるステップをさらに含むこと、
を特徴とする請求項5に記載の多波長半導体レーザの製造方法。 - 前記窒化物エピタキシャル層を前記第1導電型基板上に接合させるステップは、高温において前記分離された窒化物エピタキシャル層を前記第1導電型基板の上面に加圧して接合させるステップであること、
を特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の多波長半導体レーザの製造方法。 - 前記第2半導体レーザ構造を形成するステップは、
前記第1半導体レーザ構造が形成された前記第1導電型基板の上面に前記第1導電型第2クラッド層、前記第2活性層及び前記第2導電型第2クラッド層を順次に成長させ前記第2半導体レーザ構造のためのエピタキシャル層を形成するステップと、
前記第1導電型基板の一領域中の一部上面に前記第1半導体レーザ構造と分離され前記第2半導体レーザ構造が形成されるように、前記第2半導体レーザ構造のためのエピタキシャル層を選択的に除去するステップと、
を含む請求項1〜7のいずれか一つに記載の多波長半導体レーザの製造方法。 - 前記第3半導体レーザ構造を形成するステップは、
前記第1及び第2半導体レーザ構造が形成された前記第1導電型基板の上面に前記第1導電型第3クラッド層、前記第3活性層及び前記第2導電型第3クラッド層を順次に成長させ前記第3半導体レーザ構造のためのエピタキシャル層を形成するステップと、
前記第1導電型基板の一領域中の他の一部上面に前記第1及び第2半導体レーザ構造と分離され前記第3半導体レーザ構造が形成されるように、前記第3半導体レーザのためのエピタキシャル層を選択的に除去するステップと、
を含む請求項1〜8のいずれか一つに記載の多波長半導体レーザの製造方法。 - 前記窒化物単結晶成長用基板は、サファイア基板、SiC基板またはGaN基板であり、
前記窒化物エピタキシャル層は、GaN系半導体物質であること、
を特徴とする請求項1〜9のいずれか一つに記載の多波長半導体レーザの製造方法。 - 前記第1導電型基板は第1導電型GaAs基板であり、
前記第2半導体レーザ構造のためのエピタキシャル層は、AlGaAs系半導体物質であり、
前記第3半導体レーザ構造のためのエピタキシャル層はAlGaInP系半導体物質であること、
を特徴とする請求項1〜10のいずれか一つに記載の多波長半導体レーザの製造方法。
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