JP4161927B2

JP4161927B2 - Tape carrier for semiconductor device and manufacturing method thereof

Info

Publication number: JP4161927B2
Application number: JP2004107641A
Authority: JP
Inventors: 健司山口; 勝美鈴木
Original assignee: Hitachi Cable Ltd
Current assignee: Hitachi Cable Ltd
Priority date: 2004-03-31
Filing date: 2004-03-31
Publication date: 2008-10-08
Anticipated expiration: 2024-03-31
Also published as: JP2005294540A

Description

本発明は、半導体装置用テープキャリア及びその製造方法に関し、特に銅配線のピッチを微細化しても、マイグレーション耐性が低下することのない半導体装置用テープキャリア及びその製造方法に関するものである。 The present invention relates to a tape carrier for a semiconductor device and a method for manufacturing the same, and more particularly to a tape carrier for a semiconductor device and a method for manufacturing the same, in which migration resistance does not decrease even when the pitch of copper wiring is reduced.

電子機器、デジタル機器等では、ＣＯＦ（Chip On Film）と称する可撓性を有するＴＡＢ（Tape Automated Bonding）用テープキャリアが用いられている。従来、ＣＯＦのベース材の製造工程では、２層構造の銅層付き絶縁フィルムにおいて絶縁フィルムが４０μｍ厚さ程度に薄いものをプラズマ処理した後、スパッタ装置により前記２層構造の接着剤レスの絶縁フィルムにスパッタ層を形成している。このスパッタ層は、絶縁フィルムに５０〜１００Åの厚みにＮｉ−Ｃｒ合金層をスパッタにより形成した後、更にＮｉ−Ｃｒ合金層上に厚さ０．１μｍ以上の銅スパッタ層をスパッタにより形成して作られている。一方、銅スパッタ層上に形成される銅めっき層の厚みは、８〜１２μｍと薄くなっている。 In electronic equipment, digital equipment, etc., a flexible tape carrier for TAB (Tape Automated Bonding) called COF (Chip On Film) is used. Conventionally, in the manufacturing process of a COF base material, a two-layered insulating film with a copper layer having a thickness of about 40 μm is plasma-treated, and then the two-layered adhesiveless insulation is performed by a sputtering apparatus. A sputter layer is formed on the film. This sputter layer is formed by sputtering a Ni—Cr alloy layer having a thickness of 50 to 100 mm on an insulating film, and further forming a copper sputter layer having a thickness of 0.1 μm or more on the Ni—Cr alloy layer by sputtering. It is made. On the other hand, the thickness of the copper plating layer formed on the copper sputter layer is as thin as 8 to 12 μm.

また、Ｎｉ−Ｃｒ合金層に代えて、スパッタによりＣｒ層を第１導体として形成し、このＣｒ層上にＣｕ層をスパッタで第１導体保護膜を形成し、更にＣｕ層上に電解銅めっきによる第２導体を形成し、短絡不良を低減できるようにした配線基板がある（例えば、特許文献１参照。） Further, instead of the Ni—Cr alloy layer, a Cr layer is formed as a first conductor by sputtering, a Cu layer is sputtered on the Cr layer to form a first conductor protective film, and electrolytic copper plating is further formed on the Cu layer. There is a wiring board in which the second conductor is formed to reduce short-circuit defects (see, for example, Patent Document 1).

図５は、従来のＣＯＦにおけるベース材の構成を示す。このベース材４０は、ポリイミドフィルム１（絶縁フィルム）上にシード層（seed layer）２が設けられ、このシード層２上に銅電気めっき層３が形成されている。ベース材４０は、更に、シード層２上に所定のパターンのフォトレジストの形成工程、エッチング工程、フォトレジストの剥離工程を順次実施することにより、ＣＯＦが完成する。 FIG. 5 shows a configuration of a base material in a conventional COF. In this base material 40, a seed layer 2 is provided on a polyimide film 1 (insulating film), and a copper electroplating layer 3 is formed on the seed layer 2. The base material 40 further completes a COF by sequentially performing a photoresist formation process, an etching process, and a photoresist stripping process on the seed layer 2 in a predetermined pattern.

（従来のめっき装置の構成）
図６は、従来のめっき装置の構成を示す。このめっき装置１００は、図５に示したベース材４０が巻回されている供給ドラム１０１と、めっき液１１０が満たされためっき槽１０２と、乾燥装置１０３と、銅電気めっき層３が形成されたベース材１１２を巻き取る巻取ドラム１０４と、供給ドラム１０１とめっき槽１０２の間に配置されたガイドロール１０５と、めっき槽１０２内の上段に所定間隔に配置された給電ロール１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃ，１０６ｄ，１０６ｅ，１０６ｆ，１０６ｇ，１０６ｈ，１０６ｉ，１０６ｊと、この給電ロール１０６ａ〜１０６ｊの相互間の下側には所定間隔に配置されたガイドロール１０７ａ，１０７ｂ，１０７ｃ，１０７ｄ，１０７ｅ，１０７ｆ，１０７ｇ，１０７ｈ，１０７ｉ，１０７ｊ，１０７ｋ，１０７ｌ，１０７ｍ，１０７ｎ，１０７ｏ，１０７ｐ，１０７ｑ，１０７ｒ，１０７ｓと、このガイドロール１０７ａ〜１０７ｓの相互間の上側には所定間隔に配置されたダンサーロール１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃ，１０８ｄ，１０８ｅ，１０８ｆ，１０８ｇ，１０８ｈ，１０８ｉと、乾燥装置１０３と巻取ドラム１０４の間に配置されたガイドロール１０９とを備えて構成されている。 (Configuration of conventional plating equipment)
FIG. 6 shows a configuration of a conventional plating apparatus. In the plating apparatus 100, a supply drum 101 around which the base material 40 shown in FIG. 5 is wound, a plating tank 102 filled with a plating solution 110, a drying apparatus 103, and a copper electroplating layer 3 are formed. A winding drum 104 that winds up the base material 112, a guide roll 105 disposed between the supply drum 101 and the plating tank 102, and power supply rolls 106a and 106b disposed at predetermined intervals on the upper stage in the plating tank 102. 106c, 106d, 106e, 106f, 106g, 106h, 106i, 106j, and guide rolls 107a, 107b, 107c, 107d, 107e, 107f arranged at predetermined intervals below the feeding rolls 106a to 106j. 107g, 107h, 107i, 107j, 107k, 107l, 107m, 107n, 07o, 107p, 107q, 107r, 107s and dancer rolls 108a, 108b, 108c, 108d, 108e, 108f, 108g, 108h, 108i arranged at predetermined intervals on the upper side between the guide rolls 107a to 107s, In addition, a guide roll 109 disposed between the drying device 103 and the winding drum 104 is provided.

ベース材４０は、ガイドロール１０５を介してめっき槽１０２に搬入される。ベース材４０は、給電ロール１０６ａ、ガイドロール１０７ａ、給電ロール１０６ｂ、ガイドロール１０７ｂの順に通され、更に、ダンサーロール１０８ａ、ガイドロール１０７ｃ、給電ロール１０６ｃ，・・・ガイドロール１０７ｒ、ダンサーロール１０８ｉ、ガイドロール１０７ｓの順でめっき槽１０２内を通過する。 The base material 40 is carried into the plating tank 102 via the guide roll 105. The base material 40 is passed in the order of the power supply roll 106a, the guide roll 107a, the power supply roll 106b, and the guide roll 107b. Further, the dancer roll 108a, the guide roll 107c, the power supply roll 106c,... The guide roll 107r, the dancer roll 108i, It passes through the plating tank 102 in the order of the guide roll 107s.

ガイドロール１０７ｓを通過するまでに、ベース材４０のシード層２上に銅電気めっき層３が形成される。銅電気めっき層３が形成されたベース材４０は、乾燥装置１０３によって温風が吹き付けられることにより、表面のめっき液の蒸発及び乾燥が行われる。更に、ガイドロール１０９を介してめっき層付きベース材１１２として巻取ドラム１０４に巻き取られる。
特開２００３−３７１３７号公報 The copper electroplating layer 3 is formed on the seed layer 2 of the base material 40 before passing through the guide roll 107s. The base material 40 on which the copper electroplating layer 3 is formed is subjected to evaporation and drying of the plating solution on the surface by blowing hot air by the drying device 103. Further, it is wound around the winding drum 104 as a base material 112 with a plating layer via a guide roll 109.
JP 2003-37137 A

しかし、従来の半導体装置用テープキャリアによると、スパッタ層は、配線を形成後のピール強度の保持、及び耐熱性とマイグレーション(Migration) 耐性に優れたものを用いているが、配線ピッチが３０μｍよりも微細（例えば、２０〜２５μｍ）になると、微妙な配線間の間隔の変動等により電気絶縁性及び信頼性の保持が困難になる。特に、電気信頼性の要素の１つであるマイグレーション耐性が急激に低下する。これに伴い、製品歩留まりが急激に低下する。 However, according to the conventional tape carrier for semiconductor devices, the sputter layer uses a material having excellent peel strength after the wiring is formed and excellent in heat resistance and migration resistance, but the wiring pitch is more than 30 μm. However, if it becomes fine (for example, 20 to 25 μm), it becomes difficult to maintain electrical insulation and reliability due to a delicate variation in the interval between wirings. In particular, the migration resistance that is one of the elements of electrical reliability is drastically reduced. Along with this, the product yield rapidly decreases.

したがって、本発明の目的は、銅配線のピッチを微細にしても、マイグレーション耐性が低下することのない半導体装置用テープキャリア及びその製造方法を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a tape carrier for a semiconductor device and a method for manufacturing the same, in which the migration resistance does not decrease even when the pitch of the copper wiring is made fine.

本発明は、上記の目的を達成するため、第１の特徴として、可撓性を有する絶縁フィルムに形成された銅めっき層による銅配線パターン上に半導体素子がフリップチップ接合により搭載される半導体装置用テープキャリアにおいて、前記銅めっき層は、前記絶縁フィルムに接着剤を塗布及び硬化処理して形成された接着剤層を介して当該絶縁フィルム上に直接に形成され、又は耐熱性を有するシード層を介して形成されていることを特徴とする半導体装置用テープキャリアを提供する。 In order to achieve the above object, the present invention provides, as a first feature, a semiconductor device in which a semiconductor element is mounted by flip chip bonding on a copper wiring pattern formed of a copper plating layer formed on a flexible insulating film. In the tape carrier, the copper plating layer is formed directly on the insulating film through an adhesive layer formed by applying and curing an adhesive to the insulating film, or a heat-resistant seed layer. A tape carrier for a semiconductor device is provided.

本発明は、上記の目的を達成するため、第２の特徴として、可撓性を有する絶縁フィルム上に接着剤を塗布及び硬化処理して接着剤層を形成する第１の工程と、Ｎｉ−Ｃｒ合金にＬａ，Ｃｅ，Ｙ等の希土類元素の少なくとも一種類以上の元素が添加されたＮｉ−Ｃｒ合金をスパッタにより形成したシード層を形成する第２の工程と、前記シード層上に銅めっき層を形成する第３の工程と、前記銅めっき層をエッチングすることにより銅配線パターンを形成する第４の工程とを含むことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供する。 The present invention, in order to achieve the above object, as a second feature, a first step of an adhesive on an insulating film having flexibility application and curing process to form an adhesive layer, Ni- A second step of forming a seed layer formed by sputtering a Ni—Cr alloy in which at least one element of rare earth elements such as La, Ce, and Y is added to a Cr alloy ; and copper plating on the seed layer providing a third step of forming a layer, the fourth step in the method of manufacturing the tape carrier semiconductor device which comprises a forming copper wiring patterns by etching the copper plating layer.

本発明の半導体装置用テープキャリア及びその製造方法によれば、銅配線のピッチを微細にしても、接着剤層と耐熱性を有するシード層の一方、又は両方を備えることにより、接着剤層による吸水率の低減、及びシード層の有する耐熱性によって、マイグレーション耐性の低下を抑制することができる。 According to the tape carrier for a semiconductor device and the manufacturing method thereof of the present invention, even if the pitch of the copper wiring is made fine, by providing one or both of the adhesive layer and the heat-resistant seed layer, the adhesive layer is used. The reduction in migration resistance can be suppressed by the reduction in water absorption and the heat resistance of the seed layer.

［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を基に説明する。
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアのベース材の構成を示す。このベース材１０は、可撓性を有する絶縁フィルムとしてのポリイミドフィルム１（絶縁基板）と、ポリイミドフィルム１の片面に形成された接着剤層４と、この接着剤層４上に設けられためっき層としての銅電気めっき層３とを備えている。 [First Embodiment]
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 shows a configuration of a base material of a tape carrier for a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention. The base material 10 includes a polyimide film 1 (insulating substrate) as a flexible insulating film, an adhesive layer 4 formed on one side of the polyimide film 1, and plating provided on the adhesive layer 4. And a copper electroplating layer 3 as a layer.

接着剤層４の接着剤は、吸水率を０．９％以下にするほか、Ｔｇ（ガラス転移温度）が１８０℃以上の耐熱性を有し、更に、４００℃までの動的粘弾性が０．５Ｇｐａ以上を有するものを用いるのがよい。接着剤層４の接着剤の吸水率を０．９％以下とすることにより、水滴に対する感受性が鈍くなり、耐マイグレーション(Migration) 性を向上させることができる。 The adhesive of the adhesive layer 4 has a water absorption of 0.9% or less, a heat resistance of Tg (glass transition temperature) of 180 ° C. or higher, and a dynamic viscoelasticity up to 400 ° C. of 0. It is good to use what has more than 5 Gpa. By setting the water absorption rate of the adhesive of the adhesive layer 4 to 0.9% or less, the sensitivity to water droplets becomes dull, and migration resistance can be improved.

接着剤層４に熱硬化型の接着剤を用いた場合、その硬化工程の熱処理で熱による歪みの発生を無くす必要がある。そのための接着剤層４は耐熱性が必要になる。また、接着剤層４として、１８０℃×２時間以上の耐熱性を有するものを用いる必要がある。その理由は、接着剤層４と配線パターンとの界面におけるピール強度を確保するためである。 When a thermosetting adhesive is used for the adhesive layer 4, it is necessary to eliminate the occurrence of distortion due to heat in the heat treatment in the curing process. For this purpose, the adhesive layer 4 needs to have heat resistance. Moreover, it is necessary to use what has the heat resistance of 180 degreeC * 2 hours or more as the adhesive bond layer 4. FIG. The reason is to ensure the peel strength at the interface between the adhesive layer 4 and the wiring pattern.

また、硬化工程の熱処理によって、半導体装置用テープキャリアの全体に熱による歪み（反り）が発生してしまうことを回避するため、熱硬化型の接着剤層４の厚みを２〜８μｍとし、ポリイミドフィルム１の厚みを５０〜６．５μｍとする。 Further, in order to avoid the occurrence of heat distortion (warping) in the entire semiconductor device tape carrier due to the heat treatment in the curing step, the thickness of the thermosetting adhesive layer 4 is set to 2 to 8 μm, and polyimide The thickness of the film 1 is 50 to 6.5 μm.

次に、４００℃までの動的粘弾性を０．５Ｇｐａ以上とした理由は、フリップチップ(flip chip) 接続する際の圧力による接着剤層４の凹み変形を少なくするためである。動的粘弾性とは、応力と歪の関係から測定する粘弾性測定において、試料に正弦的応力を加えて試料を変形させることをいい、その際の歪みや応力から歪みの位相遅れを検出する手法を動的粘弾性測定という。 Next, the reason why the dynamic viscoelasticity up to 400 ° C. is set to 0.5 Gpa or more is to reduce the dent deformation of the adhesive layer 4 due to the pressure at the time of flip chip connection. Dynamic viscoelasticity refers to the deformation of a sample by applying sinusoidal stress to the sample in the viscoelasticity measurement, which is measured from the relationship between stress and strain, and the phase lag of the strain is detected from the strain or stress at that time. This method is called dynamic viscoelasticity measurement.

銅電気めっき層３は、図４で説明するめっき装置により形成される。銅電気めっき層３に配線パターンに応じたレジストパターンを形成し、現像、レジスト除去等を行うことにより、半導体装置用テープキャリアが作られる。上記構成のベース材１０を半導体装置用テープキャリアに用いれば、接着剤層４を設けたことにより、マイグレーション耐性を向上させることができる。 The copper electroplating layer 3 is formed by a plating apparatus described with reference to FIG. By forming a resist pattern corresponding to the wiring pattern on the copper electroplating layer 3 and performing development, resist removal, etc., a tape carrier for a semiconductor device is produced. If the base material 10 having the above configuration is used for a tape carrier for a semiconductor device, the migration resistance can be improved by providing the adhesive layer 4.

（第１の実施の形態の効果）
第１の実施の形態に係るベース材１０によると、ポリイミドフィルム１と銅電気めっき層３の間に接着剤層４を設けられているため、吸水率の低減が図れ、マイグレーション耐性を向上させることができる。 (Effects of the first embodiment)
According to the base material 10 according to the first embodiment, since the adhesive layer 4 is provided between the polyimide film 1 and the copper electroplating layer 3, the water absorption rate can be reduced and the migration resistance can be improved. Can do.

［第２の実施の形態］
図２は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアのベース材の構成を示す。このベース材１０は、可撓性を有するポリイミドフィルム１（絶縁基板）と、ポリイミドフィルム１の片面に形成された接着剤層４と、この接着剤層４上に形成されたシード層２とを備えて構成されている。シード層２はスパッタにより形成される。接着剤層４は、第１の実施の形態で説明した吸水率、Ｔｇ（ガラス転移温度）、及び動的粘弾性を有する特性のものを用いる。 [Second Embodiment]
FIG. 2 shows the structure of the base material of the tape carrier for a semiconductor device according to the second embodiment of the present invention. The base material 10 includes a flexible polyimide film 1 (insulating substrate), an adhesive layer 4 formed on one surface of the polyimide film 1, and a seed layer 2 formed on the adhesive layer 4. It is prepared for. The seed layer 2 is formed by sputtering. As the adhesive layer 4, the adhesive layer 4 having the characteristics described in the first embodiment having water absorption, Tg (glass transition temperature), and dynamic viscoelasticity is used.

シード層２は、希土類元素が添加されたＮｉ−Ｃｒ合金層を接着剤層４上にスパッタ法で形成し、更に、Ｎｉ−Ｃｒ合金層上に銅層をスパッタ法で形成して構成されている。Ｎｉ−Ｃｒ合金に添加される希土類元素は、Ｌａ，Ｃｅ，Ｙ等の希土類元素のうち、少なくとも一種類以上が添加されている。Ｎｉ−Ｃｒ合金層に希土類元素を添加することにより、耐熱性が向上する。耐熱性が向上することで、配線の密着強度が高められる。また、電圧を印加しても銅の溶解が抑制されるため、マイグレーションを生じない。 The seed layer 2 is formed by forming a Ni—Cr alloy layer to which a rare earth element is added on the adhesive layer 4 by a sputtering method, and further forming a copper layer on the Ni—Cr alloy layer by a sputtering method. Yes. As the rare earth element added to the Ni—Cr alloy, at least one kind of rare earth elements such as La, Ce, and Y is added. Heat resistance is improved by adding rare earth elements to the Ni-Cr alloy layer. By improving the heat resistance, the adhesion strength of the wiring is increased. Further, even when a voltage is applied, the dissolution of copper is suppressed, so that no migration occurs.

Ｎｉ−Ｃｒ合金層上に形成する銅層（銅スパッタ層）は、厚さを０．２〜１２μｍにする。銅層の厚みが０．１μｍでは、銅層にピンホールが多発する。そこで、銅層の厚みを０．２μｍ以上にすることでピンポールを抑制することができる。また、銅層の厚みの上限を１２μｍとしたのは、銅めっきの積み上げが、微細配線のピッチ３０μｍ（銅配線幅：１５μｍ、スペース：１５μｍ）の形成の限界値であり、それ以上厚いと微細配線の直線性が無くなり、欠陥（配線の欠け、細り、太り）が多くなり、歩留まりが悪くなり、製造が不可能になるためである。 The copper layer (copper sputter layer) formed on the Ni—Cr alloy layer has a thickness of 0.2 to 12 μm. When the thickness of the copper layer is 0.1 μm, pinholes frequently occur in the copper layer. Therefore, pin poles can be suppressed by setting the thickness of the copper layer to 0.2 μm or more. The upper limit of the copper layer thickness is set to 12 μm because the accumulation of copper plating is a limit value for forming a fine wiring pitch of 30 μm (copper wiring width: 15 μm, space: 15 μm). This is because the linearity of the wiring is lost, defects (wiring chipping, thinning, thickening) increase, the yield deteriorates, and manufacturing becomes impossible.

（第２の実施の形態の効果）
第２の実施の形態に係るベース材１０によると、ポリイミドフィルム１と銅電気めっき層３の間に接着剤層４が設けられているため、吸水率の低減が図れ、テープキャリアにおけるマイグレーション耐性を向上させることができる。 (Effect of the second embodiment)
According to the base material 10 according to the second embodiment, since the adhesive layer 4 is provided between the polyimide film 1 and the copper electroplating layer 3, the water absorption rate can be reduced and the migration resistance in the tape carrier can be reduced. Can be improved.

更に、シード層２のＮｉ−Ｃｒ合金層に希土類元素を添加したことにより、耐熱性が向上する。耐熱性が向上することで配線の密着強度が強まり、テープキャリアにおけるマイグレーション耐性を向上させることができる。 Further, the addition of rare earth elements to the Ni—Cr alloy layer of the seed layer 2 improves the heat resistance. By improving the heat resistance, the adhesion strength of the wiring is increased, and the migration resistance in the tape carrier can be improved.

［第３の実施の形態］
図３は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアのベース材の構成を示す。このベース材１０は、可撓性を有するポリイミドフィルム１（絶縁基板）と、ポリイミドフィルム１の片面に形成された接着剤層４と、この接着剤層４上に形成されたシード層２と、このシード層２上に設けられた銅電気めっき層３とを備えて構成されている。シード層２はスパッタにより形成され、銅電気めっき層３はめっき装置により設けられる。 [Third Embodiment]
FIG. 3 shows the structure of the base material of the tape carrier for a semiconductor device according to the third embodiment of the present invention. The base material 10 includes a flexible polyimide film 1 (insulating substrate), an adhesive layer 4 formed on one side of the polyimide film 1, a seed layer 2 formed on the adhesive layer 4, A copper electroplating layer 3 provided on the seed layer 2 is provided. The seed layer 2 is formed by sputtering, and the copper electroplating layer 3 is provided by a plating apparatus.

接着剤層４は第１の実施の形態で説明した諸特性を有している。またシード層２は、図２のシード層２と同じであり、接着剤層４上にスパッタ法で形成されると共に希土類元素が添加されたＮｉ−Ｃｒ合金層と、更に、Ｎｉ−Ｃｒ合金層上にスパッタ法で形成された銅層からなる。 The adhesive layer 4 has the characteristics described in the first embodiment. The seed layer 2 is the same as the seed layer 2 in FIG. 2, and is formed by sputtering on the adhesive layer 4 and added with a rare earth element, and further, a Ni—Cr alloy layer. It consists of a copper layer formed on it by sputtering.

（第３の実施の形態の効果）
第３の実施の形態に係るベース材１０によると、接着剤層４が設けられると共に、希土類元素を添加したシード層２が設けられているため、接着剤層４により吸水率の低減が図れ、シード層２によって耐熱性の向上が可能であるため、それぞれの層により半導体装置用テープキャリアにおけるマイグレーション耐性を向上させることができる。 (Effect of the third embodiment)
According to the base material 10 according to the third embodiment, since the adhesive layer 4 is provided and the seed layer 2 to which the rare earth element is added is provided, the adhesive layer 4 can reduce the water absorption rate. Since the heat resistance can be improved by the seed layer 2, the migration resistance of the tape carrier for semiconductor devices can be improved by each layer.

なお、図１〜図３のベース材１０は、いずれもポリイミドフィルム１上に接着剤層４を設け、この接着剤層４上にシード層２又は銅電気めっき層３、或いはシード層２と銅電気めっき層３の両方を設ける構成としたが、図５のように、接着剤層を有しないベース材の構成であってもよい。 The base material 10 in FIGS. 1 to 3 is provided with an adhesive layer 4 on the polyimide film 1, and the seed layer 2 or the copper electroplating layer 3, or the seed layer 2 and the copper is provided on the adhesive layer 4. Although both the electroplating layers 3 are provided, a configuration of a base material having no adhesive layer as shown in FIG. 5 may be used.

（本発明に係るめっき装置の構成）
図４は、本発明に係るめっき装置の構成を示す。このめっき装置２０により、図２に示したベース材１０に銅電気めっき層３を形成し、図３の構成のベース材１０を得ることができる。めっき装置２０は、ドラムマンドレルによる連続金属箔電鋳装置であり、給電ドラム２１と、めっき液２２が満たされためっき槽２３と、このめっき槽２３の後段に配置された水洗槽２４と、この水洗槽２４の後段に配置された加熱空気ブロワ２５と、この加熱空気ブロワ２５の後段に配置されたダンサーロール２６と、このダンサーロール２６の後段に配置された巻取ドラム２７とを備えて構成されている。 (Configuration of plating apparatus according to the present invention)
FIG. 4 shows the configuration of the plating apparatus according to the present invention. With this plating apparatus 20, the copper electroplating layer 3 can be formed on the base material 10 shown in FIG. 2, and the base material 10 having the configuration shown in FIG. 3 can be obtained. The plating apparatus 20 is a continuous metal foil electroforming apparatus using a drum mandrel, and includes a power supply drum 21, a plating tank 23 filled with a plating solution 22, a rinsing tank 24 disposed at a subsequent stage of the plating tank 23, A heating air blower 25 arranged at the rear stage of the washing tank 24, a dancer roll 26 arranged at the rear stage of the heating air blower 25, and a winding drum 27 arranged at the rear stage of the dancer roll 26 are provided. Has been.

めっき槽２３は、めっき時に電圧が印加される半円形のアノード袋２８と、このアノード袋２８に同心円状に配設された回転ドラム２９と、この回転ドラム２９を回転駆動する駆動ロール３０と、この駆動ロール３０の回転を回転ドラム２９に伝達するエンドレスのチェーン３１と、回転ドラム２９の前後の空中に配置された給電ロール３２Ａ，３２Ｂとを備えている。 The plating tank 23 includes a semicircular anode bag 28 to which a voltage is applied at the time of plating, a rotary drum 29 disposed concentrically on the anode bag 28, a drive roll 30 that rotationally drives the rotary drum 29, An endless chain 31 that transmits the rotation of the drive roll 30 to the rotary drum 29 and power supply rolls 32 A and 32 B disposed in the air before and after the rotary drum 29 are provided.

水洗槽２４は、めっき槽２３からのめっき層付きベース材１１に付着しているめっき液２２を洗い流すための水３３が満たされており、槽内には、めっき層付きベース材１１を底部近くまで介在させるためのガイドロール３４が配置されている。 The water washing tank 24 is filled with water 33 for washing away the plating solution 22 adhering to the base material 11 with the plating layer from the plating tank 23, and the base material 11 with the plating layer is placed near the bottom in the tank. A guide roll 34 is disposed for intervening.

加熱空気ブロワ２５は、水洗槽２４を出ためっき層付きベース材１１の表面に温風を吹き付けて水分を除去するための装置であり、モータ、ファン、及びヒータを備えて構成されている。 The heated air blower 25 is a device for blowing hot air onto the surface of the base material 11 with a plating layer that has exited the water washing tank 24 to remove moisture, and includes a motor, a fan, and a heater.

めっき用の電圧が印加される給電ロール３２Ａ，３２Ｂは、めっき槽２３と回転ドラム２９から十分離れた前後の２箇所であるため、電流密度の不均一による銅めっきの表面に粒による突起や異物付着により窪み等の欠陥を発生する確率が小さく、しかもサイズの制御が非常に容易になる。 Since the feeding rolls 32A and 32B to which the voltage for plating is applied are two places before and after being sufficiently separated from the plating tank 23 and the rotating drum 29, protrusions and foreign matters due to grains are formed on the surface of the copper plating due to uneven current density. The probability of occurrence of defects such as dents due to adhesion is small, and the size control becomes very easy.

因みに、図６に示した従来のめっき装置１００では、給電ロールが１０段以上に及ぶため、微妙な電流密度の不均一が生じ、銅電気めっき層３の表面に粒による突起や異物付着に窪み等の欠陥が発生しやすい。 Incidentally, in the conventional plating apparatus 100 shown in FIG. 6, since the power supply roll reaches 10 or more stages, a subtle uneven current density occurs, and the surface of the copper electroplating layer 3 has depressions due to grain protrusions and foreign matter adhesion. Such defects are likely to occur.

給電ロール３２Ｂの後段にはベース材１１を水洗槽２４に導くためのガイドロール３５が配設され、水洗槽２４とダンサーロール２６の間にはガイドロール３６，３７が配設されている。更に、ダンサーロール２６と巻取ドラム２７の間にはガイドロール３８が配設されている。 A guide roll 35 for guiding the base material 11 to the rinsing tank 24 is disposed at the subsequent stage of the power supply roll 32B, and guide rolls 36 and 37 are disposed between the rinsing tank 24 and the dancer roll 26. Further, a guide roll 38 is disposed between the dancer roll 26 and the winding drum 27.

（めっき装置の動作）
図４において、給電ドラム２１には、図２に示すベース材１０が巻き付けられている。ベース材１０は、給電ロール３２Ａを経由して回転ドラム２９の約半周に巻き付くようにしてめっき槽２３内を通過し、給電ロール３２Ｂを経由して取り出される。給電ロール３２Ａ，３２Ｂは、ベース材１０のシード層２に接触し、シード層２に直流電圧を印加する。給電ロール３２Ａ，３２Ｂとアノード袋２８の間に所定の電圧を印加することにより、ベース材１０のめっき液２２に接触するシード層２の表面が電気めっきされ、図３のように、銅電気めっき層３が形成される。 (Operation of plating equipment)
In FIG. 4, the base material 10 shown in FIG. 2 is wound around the power supply drum 21. The base material 10 passes through the plating tank 23 so as to be wound around the half circumference of the rotary drum 29 via the power supply roll 32A, and is taken out via the power supply roll 32B. The power supply rolls 32 A and 32 B are in contact with the seed layer 2 of the base material 10 and apply a DC voltage to the seed layer 2. By applying a predetermined voltage between the power supply rolls 32A and 32B and the anode bag 28, the surface of the seed layer 2 in contact with the plating solution 22 of the base material 10 is electroplated. As shown in FIG. Layer 3 is formed.

めっき槽２３によりメッキの済んだベース材１０は、めっき層付きベース材１１としてガイドロール３５を経由して水洗槽２４に搬入され、テープ表面のめっき液が洗い流される。めっき層付きベース材１１は水洗槽２４を出た直後、加熱空気ブロワ２５で乾燥が行われる。めっき層付きベース材１１は、ガイドロール３６，３７を経てダンサーロール２６に搬入され、ガイドロール３８を経て巻取ドラム２７に巻き取られる。このとき、ダンサーロール２６は、巻取ドラム２７の回転速度とめっき層付きベース材１１の搬送速度との調整をとり、めっき層付きベース材１１が張り過ぎたり、弛み過ぎたりしないようにしている。 The base material 10 plated by the plating tank 23 is carried into the water washing tank 24 via the guide roll 35 as the base material 11 with the plating layer, and the plating solution on the tape surface is washed away. The base material 11 with the plating layer is dried by the heated air blower 25 immediately after leaving the washing tank 24. The base material 11 with the plating layer is carried into the dancer roll 26 through the guide rolls 36 and 37, and taken up on the take-up drum 27 through the guide roll 38. At this time, the dancer roll 26 adjusts the rotational speed of the winding drum 27 and the conveying speed of the base material 11 with the plating layer so that the base material 11 with the plating layer does not become too tight or loose. .

なお、ベース材１０の幅は５００〜１０００ｍｍが望ましい。銅めっき装置２０は、ドラムマンドレルによる連続金属箔電鋳装置であるほか、給電ロール３２Ａ，３２Ｂがめっき槽２３と回転ドラム２９から十分に離れた前後の２箇所にあるため、ベース材１０の幅に制限はない。したがって、めっき層付きベース材１１を効率良く製造するためには、ベース材１０の幅は５００〜１０００ｍｍの幅であることが望ましい。 The width of the base material 10 is preferably 500 to 1000 mm. The copper plating apparatus 20 is a continuous metal foil electroforming apparatus using a drum mandrel, and the feed rolls 32 A and 32 B are located at two locations before and after being sufficiently separated from the plating tank 23 and the rotating drum 29. There is no limit. Therefore, in order to manufacture the base material 11 with a plating layer efficiently, it is desirable that the width of the base material 10 is 500 to 1000 mm.

図４に示しためっき装置２０は、図６のめっき装置に比べ、給電ロールの設置数を格段に少なくすることができる。このため、ベース材１０及びめっき層付きベース材１１の曲げ回数が大幅に減り、銅層（配線パターン）の剥離等を抑制できるため、５〜３０μｍの配線ピッチに対応できるようになる。更に、給電ロールは３２Ａ，３２Ｂの２つに限定したため、突起（銅めっき粒）や窪みの発生がほとんど無く、銅電気めっき層３が１２μｍ厚以上の銅めっきの表面品質を良好にすることができると共に、高速での銅めっきが可能になる。 The plating apparatus 20 shown in FIG. 4 can significantly reduce the number of power supply rolls installed compared to the plating apparatus of FIG. For this reason, since the frequency | count of bending of the base material 10 and the base material 11 with a plating layer reduces significantly and peeling of a copper layer (wiring pattern) etc. can be suppressed, it becomes possible to respond | correspond to the wiring pitch of 5-30 micrometers. Furthermore, since the feeding rolls are limited to two of 32A and 32B, there is almost no generation of protrusions (copper plating grains) and dents, and the copper electroplating layer 3 can improve the surface quality of copper plating having a thickness of 12 μm or more. It is possible to perform copper plating at high speed.

［本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法］
次に、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法について説明する。ここでは、図３の構造のベース材１０を製作し、このベース材１０に銅配線パターンを形成して半導体装置用テープキャリアを製造する。
（第１の工程）
吸水率が０．９％以下、４００℃までの動的粘弾性が０．５Ｇｐａ以上、及びガラス転移温度（Ｔｇ）が１８０℃以上の特性を有する接着剤をポリイミドフィルム１の片面に塗布し、さらに塗布した前記接着剤に硬化処理を施して接着剤層４を形成する。
（第２の工程）
Ｎｉ−Ｃｒ合金にＬａ，Ｃｅ，Ｙ等の希土類元素の少なくとも一種類以上の元素が添加されたＮｉ−Ｃｒ合金及び銅層をスパッタによって順次接着剤層４上に設け、シード層２を形成する。
（第３の工程）
図４に示しためっき装置２０を用いて、シード層２の表面に銅電気めっき層３を形成する。これにより、図３に示した構造のベース材１０が完成する。
（第４の工程）
第３の工程で得られたベース材１０の銅電気めっき層３にフォトレジストパターンを形成した後、露光、現像を順次施し、更にエッチングにより配線パターンを形成する。
（第５の工程）
銅電気めっき層３上に残留しているフォトレジストを除去する。
（第６の工程）
銅電気めっき層３が被覆されるようにＳｎめっきを施す。以上により半導体装置用テープキャリアが完成する。 [Method of Manufacturing Tape Carrier for Semiconductor Device According to Embodiment of the Present Invention]
Next, the manufacturing method of the tape carrier for semiconductor devices which concerns on embodiment of this invention is demonstrated. Here, the base material 10 having the structure shown in FIG. 3 is manufactured, and a copper wiring pattern is formed on the base material 10 to manufacture a tape carrier for a semiconductor device.
(First step)
Applying an adhesive having a water absorption of 0.9% or less, a dynamic viscoelasticity up to 400 ° C. of 0.5 Gpa or more, and a glass transition temperature (Tg) of 180 ° C. or more to one side of the polyimide film 1; Further, the applied adhesive is cured to form an adhesive layer 4.
(Second step)
A Ni—Cr alloy in which at least one element of a rare earth element such as La, Ce, and Y is added to a Ni—Cr alloy and a copper layer are sequentially provided on the adhesive layer 4 by sputtering to form the seed layer 2. .
(Third step)
The copper electroplating layer 3 is formed on the surface of the seed layer 2 using the plating apparatus 20 shown in FIG. Thereby, the base material 10 having the structure shown in FIG. 3 is completed.
(Fourth process)
After a photoresist pattern is formed on the copper electroplating layer 3 of the base material 10 obtained in the third step, exposure and development are sequentially performed, and a wiring pattern is formed by etching.
(Fifth step)
The photoresist remaining on the copper electroplating layer 3 is removed.
(Sixth step)
Sn plating is performed so that the copper electroplating layer 3 is covered. The semiconductor device tape carrier is thus completed.

（実施の形態に係る製造方法の効果）
上記した半導体装置用テープキャリアの製造方法によれば、接着剤層と耐熱性を有するシード層の一方、又は両方を備えることにより、接着剤層による吸水率の低減、及びシード層の有する耐熱性によって、マイグレーション耐性の低下を抑制できるので、銅配線のピッチを微細化することができる。そして、図４に示した給電ロールの数が少ないめっき装置２０を用いて銅電気めっき層３を形成しているので、銅電気めっき層３の表面に疵が付いたり配線パターンが剥離するのを低減することができ、製品歩留りが向上する。 (Effect of manufacturing method according to embodiment)
According to the method for manufacturing a semiconductor device tape carrier described above, by providing one or both of the adhesive layer and the heat-resistant seed layer, the water absorption rate of the adhesive layer is reduced, and the heat resistance of the seed layer is provided. As a result, a decrease in migration resistance can be suppressed, so that the pitch of the copper wiring can be miniaturized. And since the copper electroplating layer 3 is formed using the plating apparatus 20 with a small number of power supply rolls shown in FIG. 4, the surface of the copper electroplating layer 3 is wrinkled or the wiring pattern is peeled off. This can be reduced and the product yield is improved.

次に、本発明の実施例１について説明する。
厚さ３８μｍ、幅１２００ｍｍの東レ・デュポン株式会社製の「カプトンＥＮ」をポリイミドフィルム１に用い、接着剤に株式会社巴川製紙所製の接着剤Ｖを用い、この接着剤をポリイミドフィルム１上に厚さ３μｍに塗布及び硬化させ、接着剤層４を形成した。この接着剤層４の表面にマグネトロン方式のスパッタ装置によりシード層２を０．２μｍの厚みに形成した。シード層２（スパッタ層）は、Ｎｉ−２０％Ｃｒ−０．１％Ｃｅ合金を１００Åの厚さに設け、更に銅層を０．２μｍの厚さにした。こうして得られたベース材１０に図４に示したメッキ装置２０により銅電気めっき層３を８μｍの厚さに形成しためっき層付きベース材１１を実施例１として作製した。また、図６に示した従来のメッキ装置１００によりベース材１０に銅電気めっき層を８μｍの厚みに形成しためっき層付きベース材１１２を比較例１として作製した。 Next, Example 1 of the present invention will be described.
“Kapton EN” manufactured by Toray DuPont Co., Ltd. with a thickness of 38 μm and a width of 1200 mm is used for the polyimide film 1, and the adhesive V manufactured by Yodogawa Paper Co., Ltd. is used as the adhesive. The adhesive layer 4 was formed by applying and curing to a thickness of 3 μm. A seed layer 2 having a thickness of 0.2 μm was formed on the surface of the adhesive layer 4 by a magnetron type sputtering apparatus. For the seed layer 2 (sputtering layer), a Ni-20% Cr-0.1% Ce alloy was provided in a thickness of 100 mm, and the copper layer was further 0.2 μm thick. A base material 11 with a plating layer in which the copper electroplating layer 3 was formed to a thickness of 8 μm on the base material 10 thus obtained by the plating apparatus 20 shown in FIG. Further, a base material 112 with a plating layer in which a copper electroplating layer was formed on the base material 10 to a thickness of 8 μm by the conventional plating apparatus 100 shown in FIG.

表１は、実施例１と比較例１の比較結果を示す。
表１に示すように、比較例１と実施例１の銅電気めっき層３の表面を比較すると、実施例１は突起（銅めっき粒）と窪みの発生は殆ど無く良好であった。

Table 1 shows the comparison results between Example 1 and Comparative Example 1.
As shown in Table 1, when the surface of the copper electroplating layer 3 of Comparative Example 1 and Example 1 was compared, Example 1 was good with almost no protrusions (copper plating grains) and no depressions.

更に、ベース材１０を１０５ｍｍにスリット後、全幅にフォトレジストをロールコータで塗布し、予備硬化した後、投影露光機で配線ピッチ２５μｍのパターンを光反応させ、更にアルカリ現像を行って本硬化し、従来のエッチング法（ノズルは、噴出し圧力が、１．２ｋｇｆ／ｃｍ²以上）でエッチングし、厚さ８μｍの銅層（箔）にしたところ、歩留まりの良い製造が可能であった。銅層をエッチングした後、更に、Ｓｎめっきを施した。このＳｎめっきをベークし、熱硬化型のソルダレジストを印刷版で塗布し、硬化工程の熱処理（１２０℃×１時間）を実施した。その結果、歩留まり良くテープキャリアを製造することができた。 Further, after slitting the base material 10 to 105 mm, a photoresist is applied to the entire width with a roll coater and precured, and then a pattern with a wiring pitch of 25 μm is photoreacted with a projection exposure machine, followed by alkali development and main curing. When a conventional etching method (nozzle has an ejection pressure of 1.2 kgf / cm ² or more) is used to form a copper layer (foil) having a thickness of 8 μm, it is possible to manufacture with a high yield. After etching the copper layer, Sn plating was further applied. This Sn plating was baked, a thermosetting solder resist was applied with a printing plate, and a heat treatment (120 ° C. × 1 hour) in the curing process was performed. As a result, a tape carrier could be manufactured with a high yield.

この実施例１について、温度８５℃×湿度８５％ＲＨ、連続印加直流電圧６０Ｖの条件で環境試験を実施したところ、それぞれの条件に対して１０００時間をクリアし、従来のＮｉ−２０％Ｃｒ層の場合の５００時間の２倍の耐マイグレーション特性を有することを確認した。 When Example 1 was subjected to an environmental test under the conditions of a temperature of 85 ° C. × humidity of 85% RH and a continuously applied DC voltage of 60 V, 1000 hours were cleared for each condition, and a conventional Ni-20% Cr layer was obtained. It was confirmed that the anti-migration property was twice as long as 500 hours.

次に、本発明の実施例２について説明する。
接着剤に株式会社巴川製紙所製の接着剤Ｖを用い、ポリイミドフィルム１に厚さ２５μｍの宇部興産株式会社製の「ユーピレックスＳ」を用いた。このポリイミドフィルム１を幅１０５ｍｍ幅にし、接着剤Ｖを厚さ３μｍにして塗付及び加熱硬化させて接着剤層４を形成した。この接着剤層４上にマグネトロン方式のスパッタ装置により、スパッタ層としてＮｉ−２０％Ｃｒ−０．１Ｃａ合金層を厚さ１００Åに形成し、更に、銅スパッタ層（銅層）を、厚さ０．２μｍに形成した。 Next, a second embodiment of the present invention will be described.
Adhesive V manufactured by Yodogawa Paper Co., Ltd. was used as the adhesive, and “Upilex S” manufactured by Ube Industries, Ltd. having a thickness of 25 μm was used for the polyimide film 1. The polyimide film 1 was made to have a width of 105 mm, and the adhesive V was made to have a thickness of 3 μm and applied and heat-cured to form an adhesive layer 4. A Ni-20% Cr-0.1Ca alloy layer having a thickness of 100 mm is formed as a sputter layer on the adhesive layer 4 by a magnetron type sputtering apparatus, and a copper sputter layer (copper layer) is formed to a thickness of 0 mm. To 2 μm.

こうして得られたベース材１０に図４に示したメッキ装置２０により銅電気めっき層３を８μｍの厚みに形成しためっき層付きベース材１１を実施例２として作製した。また、図６に示した従来のメッキ装置１００により前記ベース材１０に銅電気めっき層を８μｍの厚みに形成しためっき層付きベース材を比較例２として作製した。 A base material 11 with a plating layer, in which the copper electroplating layer 3 was formed to a thickness of 8 μm by the plating apparatus 20 shown in FIG. In addition, a base material with a plating layer in which a copper electroplating layer was formed on the base material 10 to a thickness of 8 μm by the conventional plating apparatus 100 shown in FIG.

実施例２と比較例２の比較結果は、表１に示すようになり、実施例１と比較例１の場合と同じ結果が得られ、突起（銅めっき粒）及び窪みの発生は殆ど無く、良好であった。 The comparison results of Example 2 and Comparative Example 2 are as shown in Table 1, and the same results as in Example 1 and Comparative Example 1 are obtained, and there is almost no occurrence of protrusions (copper plating grains) and depressions. It was good.

さらに実施例２のベース材の全幅にロールコータでフォトレジストを塗布し、予備硬化した後、投影露光機で配線ピッチが２５μｍのパターンを光反応させた後、アルカリ現像を行い、本硬化した後、従来のエッチング法（ノズルは、噴出し圧力が、１．２ｋｇｆ／ｃｍ²以上）でエッチングし、厚さ８μｍの銅層にしたところ、歩留まり良く製造することができた。銅層をエッチングした後、更にＳｎめっきを実施した。このＳｎめっきをベークし、熱硬化型のソルダレジストを印刷版で塗布し、硬化工程の熱処理（１２０℃×１時間）を実施した。その結果、歩留まり良くテープキャリアを製造することができた。 Further, after applying a photoresist to the entire width of the base material of Example 2 with a roll coater and pre-curing, photoreacting a pattern with a wiring pitch of 25 μm with a projection exposure machine, followed by alkali development and main curing Then, when etching was performed by a conventional etching method (nozzle has an ejection pressure of 1.2 kgf / cm ² or more) to form a copper layer having a thickness of 8 μm, it could be manufactured with a high yield. After the copper layer was etched, Sn plating was further performed. This Sn plating was baked, a thermosetting solder resist was applied with a printing plate, and a heat treatment (120 ° C. × 1 hour) in the curing process was performed. As a result, a tape carrier could be manufactured with a high yield.

この実施例２について、温度８５℃×湿度８５％ＲＨ、連続印加直流電圧６０Ｖの条件で環境試験を実施したところ、実施例１のＮｉ−２０％Ｃｒ−０．１％Ｃｅ及び実施例２のＮｉ−２０％Ｃｒ−０．１％Ｃａの組み合わせでは、前記それぞれの条件に対して１０００時間をクリアし、従来のＮｉ−２０％Ｃｒ層における５００時間に対し、２倍の耐マイグレーション特性を有することを確認した。 About this Example 2, when an environmental test was conducted under the conditions of temperature 85 ° C. × humidity 85% RH and continuously applied DC voltage 60 V, Ni-20% Cr-0.1% Ce of Example 1 and Example 2 The combination of Ni-20% Cr-0.1% Ca clears 1000 hours with respect to each of the above conditions and has twice the migration resistance as compared with 500 hours in the conventional Ni-20% Cr layer. It was confirmed.

上記実施の形態においては、図１〜図３に示したように、接着層剤ありのフィルムテープを使用したが、図５に示したような接着剤レスのフィルムテープに対しても本発明を適用することができる。 In the above embodiment, a film tape with an adhesive layer agent is used as shown in FIGS. 1 to 3, but the present invention is also applied to an adhesive-less film tape as shown in FIG. Can be applied.

また、銅電気めっき層３の形成は図４の構成によるめっき装置で行ったが、この構成に限定されものではなく、例えば、縦型あるいは横型の銅めっき層を数段に分けて行う方式の銅めっき装置であっても、配線ピッチが３０ミクロン以上であれば、表面品質は劣るものの適用が可能である。 Moreover, although the formation of the copper electroplating layer 3 was performed by the plating apparatus having the configuration shown in FIG. 4, the present invention is not limited to this configuration. For example, a vertical or horizontal copper plating layer is divided into several stages. Even if it is a copper plating apparatus, if the wiring pitch is 30 microns or more, the surface quality is inferior, but it can be applied.

本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアのベース材の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the base material of the tape carrier for semiconductor devices which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアのベース材の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the base material of the tape carrier for semiconductor devices which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアのベース材の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the base material of the tape carrier for semiconductor devices which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 本発明に係るめっき装置の構成を示す構成図である。It is a block diagram which shows the structure of the plating apparatus which concerns on this invention. 従来のＣＯＦにおけるベース材の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the base material in the conventional COF. 図５のシード層上に銅電気めっき層を形成するための従来のめっき装置の構成を示す構成図である。It is a block diagram which shows the structure of the conventional plating apparatus for forming a copper electroplating layer on the seed layer of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１ポリイミドフィルム（絶縁基板）
２シード層
３銅電気めっき層
４着剤層
１０ベース材
１１めっき層付きベース材
２０めっき装置
２１供給ドラム
２２めっき液
２３めっき槽
２４水洗槽
２５加熱空気ブロワ
２６ダンサーロール
２７巻取ドラム
２８アノード袋
２９回転ドラム
３０駆動ロール
３１チェーン
３２Ａ，３２Ｂ給電ロール
３３水
３４ガイドロール
３５ガイドロール
３６，３７ガイドロール
３８ガイドロール
４０ベース材
１００めっき装置
１０１供給ドラム
１０２めっき槽
１０３乾燥装置
１０４巻取ドラム
１０５，１０７ａ〜１０７ｓ，１０９ガイドロール
１０６ａ〜１０６ｊ給電ロール
１０８ａ〜１０８ｉダンサーロール
１１０めっき液
１１２めっき層付きベース材 1 Polyimide film (insulating substrate)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 2 Seed layer 3 Copper electroplating layer 4 Adhesive layer 10 Base material 11 Base material with plating layer 20 Plating apparatus 21 Supply drum 22 Plating solution 23 Plating tank 24 Flushing tank 25 Heating air blower 26 Dancer roll 27 Winding drum 28 Anode bag DESCRIPTION OF SYMBOLS 29 Rotating drum 30 Drive roll 31 Chain 32A, 32B Power supply roll 33 Water 34 Guide roll 35 Guide roll 36, 37 Guide roll 38 Guide roll 40 Base material 100 Plating apparatus 101 Supply drum 102 Plating tank 103 Drying apparatus 104 Winding drum 105, 107a to 107s, 109 Guide rolls 106a to 106j Feed rolls 108a to 108i Dancer rolls 110 Plating solution 112 Base material with plating layer

Claims

可撓性を有する絶縁フィルムに形成された銅めっき層による銅配線パターン上に半導体素子がフリップチップ接合により搭載される半導体装置用テープキャリアにおいて、
前記銅めっき層は、前記絶縁フィルムに接着剤を塗布及び硬化処理して形成された接着剤層上に耐熱性を有するシード層を介して形成され、
前記シード層は、Ｎｉ−Ｃｒ合金にＬａ，Ｃｅ，Ｙ等の希土類元素の少なくとも一種類以上の元素が添加されたスパッタ層を含むことを特徴とする半導体装置用テープキャリア。 In a tape carrier for a semiconductor device in which a semiconductor element is mounted on a copper wiring pattern by a copper plating layer formed on a flexible insulating film by flip chip bonding.
The copper plating layer is formed through a seed layer having a heat resistance in the insulating film on the adhesive coating and curing and adhesive layer thus formed,
The seed layer includes a sputter layer in which at least one element of rare earth elements such as La, Ce, and Y is added to a Ni—Cr alloy, and includes a sputter layer .

前記シード層は、前記スパッタ層の上に形成された厚さ０．２〜１２μｍの銅層を含むことを特徴とする請求項２記載の半導体装置用テープキャリア。 3. The tape carrier for a semiconductor device according to claim 2, wherein the seed layer includes a copper layer having a thickness of 0.2 to 12 [mu] m formed on the sputter layer.

前記接着剤層は、吸水率が０．９％以下、４００℃までの動的粘弾性が０．５Ｇｐａ以上、及びガラス転移温度（Ｔｇ）が１８０℃以上の特性を有していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用テープキャリア。 The adhesive layer has characteristics such that water absorption is 0.9% or less, dynamic viscoelasticity up to 400 ° C. is 0.5 Gpa or more, and glass transition temperature (Tg) is 180 ° C. or more. The tape carrier for a semiconductor device according to claim 1.

可撓性を有する絶縁フィルム上に接着剤を塗布及び硬化処理して接着剤層を形成する第１の工程と、
Ｎｉ−Ｃｒ合金にＬａ，Ｃｅ，Ｙ等の希土類元素の少なくとも一種類以上の元素が添加されたＮｉ−Ｃｒ合金をスパッタにより形成したシード層を形成する第２の工程と、
前記シード層上に銅めっき層を形成する第３の工程と、
前記銅めっき層をエッチングすることにより銅配線パターンを形成する第４の工程とを含むことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。 A first step of applying and curing an adhesive on a flexible insulating film to form an adhesive layer;
A second step of forming a seed layer formed by sputtering a Ni-Cr alloy in which at least one element of rare earth elements such as La, Ce, and Y is added to a Ni-Cr alloy;
A third step of forming a copper plating layer on the seed layer;
And a fourth step of forming a copper wiring pattern by etching the copper plating layer. A method for manufacturing a tape carrier for a semiconductor device.

前記第３の工程は、前記銅めっき層をドラムマンドレルによる連続金属箔電鋳装置を用いて形成することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。 5. The method of manufacturing a tape carrier for a semiconductor device according to claim 4 , wherein in the third step, the copper plating layer is formed using a continuous metal foil electroforming apparatus using a drum mandrel.

前記接着剤層は、吸水率が０．９％以下、４００℃までの動的粘弾性が０．５Ｇｐａ以上、及びガラス転移温度（Ｔｇ）が１８０℃以上の特性を有していることを特徴とする請求項４記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。 The adhesive layer has characteristics such that water absorption is 0.9% or less, dynamic viscoelasticity up to 400 ° C. is 0.5 Gpa or more, and glass transition temperature (Tg) is 180 ° C. or more. A method for manufacturing a tape carrier for a semiconductor device according to claim 4 .

前記第２の工程は、Ｎｉ−Ｃｒ合金層と、厚みが０．２μｍ以上の銅層とにより前記シード層を形成することを特徴とする請求項４記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。 5. The method of manufacturing a tape carrier for a semiconductor device according to claim 4, wherein in the second step, the seed layer is formed of a Ni—Cr alloy layer and a copper layer having a thickness of 0.2 μm or more.

前記絶縁フィルムの幅は、５００〜１０００ｍｍであることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。 5. The method of manufacturing a tape carrier for a semiconductor device according to claim 4 , wherein the insulating film has a width of 500 to 1000 mm.