JP4146849B2

JP4146849B2 - 発光装置

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Publication number: JP4146849B2
Application number: JP2005117425A
Authority: JP
Inventors: 實雄金澤; 信栄下條; 大松岡; 公夫須藤; 真沼田; 洋斎藤
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Priority date: 2005-04-14
Filing date: 2005-04-14
Publication date: 2008-09-10
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Description

本発明は、発光装置に関する。

この種の発光装置として、半導体発光素子と、当該半導体発光素子に並列接続されたバリスタとを備えたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載された発光装置では、半導体発光素子は、並列接続されたバリスタによってＥＳＤ（Electrostatic Discharge：静電気放電）サージから保護されている。
特開２００１−１５８１５号公報

ところで、半導体発光素子は、その発光動作中、熱を発する。半導体発光素子が高温になると、その発光動作に影響が出る。このため、発生した熱を効率よく放散させる必要がある。特に、半導体発光素子が光学的に透明な樹脂により封止されている場合、半導体発光素子にて発生した熱を放散させることが難しくなる。

本発明は、半導体発光素子において発生した熱を効率よく放散することが可能な発光装置を提供することを目的とする。

本発明に係る発光装置は、半導体発光素子と、積層型チップバリスタと、を備えており、積層型チップバリスタが、ＺｎＯを主成分とするバリスタ層と、当該バリスタ層を挟むように配置される複数の内部電極とを有する積層体と、積層体の外表面に形成されると共に、複数の内部電極のうち対応する内部電極にそれぞれ接続される複数の外部電極と、を有し、半導体発光素子が、積層型チップバリスタ上に配され、当該積層型チップバリスタに並列接続されるように複数の外部電極のうち対応する外部電極に接続されることを特徴とする。

本発明に係る発光装置では、積層型チップバリスタが半導体発光素子に並列接続されるので、半導体発光素子をＥＳＤサージから保護することができる。

また、本発明では、積層型チップバリスタが半導体発光素子に接続する外部電極と当該外部電極に接続する内部電極とを有するので、半導体発光素子において発生した熱は、主として、外部電極及び内部電極に伝わり放散されることとなる。半導体発光素子において発生した熱の放熱パスが拡がり、半導体発光素子において発生した熱を効率よく放散することができる。ところで、バリスタ層がＺｎＯを主成分としている。ＺｎＯは、放熱基板として通常用いられるアルミナ等と同等程度の熱伝導率を有しており、比較的良好な熱伝導率を有する。したがって、内部電極からの熱の放散がバリスタ層により阻害されるのを抑制することができる。

好ましくは、半導体発光素子が、積層型チップバリスタにおける積層体の積層方向に平行な方向に伸びる面に対向するように配されている。この場合、複数の内部電極が、積層型チップバリスタにおける半導体発光素子が配される面に対向する面に対して、当該面が伸びる方向に沿って併置されることとなる。これにより、各内部電極に関して、当該内部電極から積層型チップバリスタの外表面までの放熱パスが短くなり、内部電極からの熱の放散をより一層効率よく行うことができる。

好ましくは、複数の外部電極が、一対の端子電極を含み、一対の端子電極が、互いに対向すると共に積層体の積層方向に平行な方向に伸びる一対の外表面に形成される第１の電極部分と、当該第１の電極部分が形成された一対の外表面と隣り合うと共に積層体の積層方向に平行な方向に伸びる一の外表面に形成される第２の電極部分と、をそれぞれ含んでいる。この場合、半導体発光素子は、第２の電極部分に接続することにより、積層型チップバリスタ上に実装されることとなる。したがって、半導体発光素子と外部電極とを電気的に接続するための実装を容易且つ簡易に行うことができる。

好ましくは、バリスタ層が、Ｐｒを含み、複数の外部電極が、積層体と同時焼成されることにより当該積層体の外表面上に形成され且つＰｄを含む電極層を有する。この場合、バリスタ素体と電極層との同時焼成により、積層体と外部電極との界面近傍に、ＰｒとＰｄとの酸化物、例えばＰｒ_２Ｐｄ_２Ｏ_５やＰｒ_４ＰｄＯ_７等が形成され、存在することとなる。この結果、積層体と外部電極との接着強度を向上させることができる。

本発明者等は、ＺｎＯを主成分とするバリスタ素体と外部電極との接着強度を向上させ得るバリスタについて鋭意研究を行った。その結果、積層体（焼成されることにより積層体となるグリーン体）と外部電極（焼成されることにより外部電極となる導電性ペースト）とに含まれる材料に応じて積層体と外部電極との接着強度が変化するという新たな事実を見出すに至った。

ＺｎＯを主成分とするグリーン体の外表面に導電性ペーストを付与した後に、これらを焼成して、積層体と外部電極とを得る。このとき、グリーン体がＰｒ（プラセオジウム）を含み、導電性ペーストがＰｄ（パラジウム）を含んでいる場合、得られたバリスタ素体と外部電極との接着強度が向上する。

積層体と外部電極との接着強度が向上するという効果は、焼成時における次のような事象に起因するものと考えられる。グリーン体と導電性ペーストとを焼成する際に、グリーン体に含まれるＰｒがグリーン体の表面近傍、すなわちグリーン体と導電性ペーストとの界面近傍に移動する。そして、グリーン体と導電性ペーストとの界面近傍に移動したＰｒと導電性ペーストに含まれるＰｄとが相互拡散する。このとき、積層体と外部電極との界面近傍に、ＰｒとＰｄとの酸化物が形成されることがある。このＰｒとＰｄとの酸化物によりアンカー効果が生じ、焼成により得られた積層体と外部電極との接着強度が向上する。

好ましくは、バリスタ層が、Ｐｒを含み、複数の外部電極が、積層体の外表面上に形成され且つＰｄを含む電極層を有しており、積層体と電極層との界面近傍に、バリスタ層に含まれるＰｒと電極層に含まれるＰｄとの酸化物が存在する。この場合、積層体と外部電極との界面近傍に、積層体に含まれるＰｒと電極層に含まれるＰｄとの酸化物が存在しているので、積層体と外部電極との接着強度を向上させることができる。

好ましくは、電極層が、積層体と同時焼成されることにより、当該積層体の外表面に形成されている。この場合、バリスタ素体と外部電極との界面近傍に、バリスタ素体に含まれるＰｒと電極層に含まれるＰｄとの酸化物を確実に存在させることができる。

好ましくは、複数の外部電極が、積層体の外表面のうち一の外表面に形成されると共に複数の内部電極のうち対応する内部電極にそれぞれ電気的に接続される一対の端子電極と、一対の端子電極が形成された外表面に対向する外表面に形成されると共に複数の内部電極のうち対応する内部電極にそれぞれ電気的に接続される一対のパッド電極と、を含み、複数の内部電極が、当該複数の内部電極のうち隣り合う内部電極間において互いに重なり合う第１の電極部分と、当該第１の電極部分から一対の端子電極が形成された外表面及び一対のパッド電極が形成された外表面に露出するように引き出された第２の電極部分と、を含んでおり、一対の端子電極及び一対のパッド電極は、対応する内部電極に第２の電極部分を通して電気的に接続されている。この場合、半導体発光素子は、パッド電極に接続することにより、積層型チップバリスタ上に実装されることとなる。したがって、半導体発光素子とパッド電極とを電気的に接続するための実装を容易且つ簡易に行うことができる。また、積層型チップバリスタは、端子電極が形成された外表面を外部基板や外部機器等に対向させた状態で、外部基板や外部機器等に実装されることとなる。したがって、積層型チップバリスタの実装も容易且つ簡易に行うことができる。

好ましくは、一対の端子電極が形成された外表面及び一対のパッド電極が形成された外表面が、積層体の積層方向に平行な方向に伸びている。この場合、複数の内部電極が、一対の端子電極が形成された外表面及び一対のパッド電極が形成された外表面に対して、当該外表面が伸びる方向に沿って併置されることとなる。これにより、各内部電極に関して、当該内部電極から積層型チップバリスタの外表面までの放熱パスが短くなり、内部電極からの熱の放散をより一層効率よく行うことができる。

好ましくは、半導体発光素子が、一対のパッド電極にバンプ接続されることにより、積層型チップバリスタ上に配されている。この場合、半導体発光素子の積層型チップバリスタへの実装を極めて容易且つ簡易に行うことができる。

好ましくは、半導体発光素子が、第１導電型の半導体領域と第２導電型の半導体領域とを有し、当該第１導電型の半導体領域と当該第２導電型の半導体領域との間に印加される電圧に応じて発光する。

本発明によれば、半導体発光素子において発生した熱を効率よく放散することが可能な発光装置を提供することができる。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

（第１実施形態）
図１〜図４を参照して、第１実施形態に係る発光装置ＬＥ１の構成を説明する。図１は、第１実施形態に係る積層型チップバリスタを示す概略上面図である。図２は、第１実施形態に係る積層型チップバリスタを示す概略下面図である。図３は、図１におけるIII−III線に沿った断面構成を説明するための図である。図４は、図１におけるIV−IV線に沿った断面構成を説明するための図である。

発光装置ＬＥ１は、図１〜図４に示されるように、半導体発光素子１と、積層型チップバリスタ１１とを備えている。半導体発光素子１は、積層型チップバリスタ１１上に配されている。

まず、積層型チップバリスタ１１の構成について説明する。積層型チップバリスタ１１は、略直方体形状とされたバリスタ素体２１と、複数（本実施形態においては、一対）の外部電極２５，２６と、複数（本実施形態においては、一対）の外部電極２７，２８と、を備えている。一対の外部電極２５，２６は、バリスタ素体２１の一方の主面（外表面）２２にそれぞれ形成されている。一対の外部電極２７，２８は、バリスタ素体２１の他方の主面（外表面）２３にそれぞれ形成されている。バリスタ素体２１は、例えば、縦が１．０ｍｍ程度に設定され、横が０．５ｍｍ程度に設定され、厚みが０．３ｍｍ程度に設定されている。外部電極２５は、積層型チップバリスタ１１の入力端子電極として機能し、外部電極２６は、積層型チップバリスタ１１の出力端子電極として機能する。外部電極２７，２８は、後述する半導体発光素子１に電気的に接続されるパッド電極として機能する。

バリスタ素体２１は、電圧非直線特性（以下、「バリスタ特性」と称する）を発現する複数のバリスタ層と、それぞれ複数の第１の内部電極３１及び第２の内部電極４１とが積層された積層体として構成されている。第１の内部電極３１と第２の内部電極４１とは、バリスタ素体２１内においてバリスタ層の積層方向（以下、単に「積層方向」と称する。）に沿ってそれぞれ一層ずつ配置されている。第１の内部電極３１と第２の内部電極４１とは、互いの間に少なくとも一層のバリスタ層を挟むように配置されている。バリスタ素体２１の一対の主面２２，２３は、バリスタ層の積層方向に平行な方向及びバリスタ層に平行な方向に伸びている。第１の内部電極３１と第２の内部電極４１とは、バリスタ層の積層方向に沿って併置されている。実際の積層型チップバリスタ１１では、複数のバリスタ層は、互いの間の境界が視認できない程度に一体化されている。

バリスタ層は、ＺｎＯ（酸化亜鉛）を主成分として含むと共に、副成分として希土類金属元素、Ｃｏ、IIIｂ族元素（Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、アルカリ金属元素（Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ）及びアルカリ土類金属元素（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）等の金属単体やこれらの酸化物を含む素体からなる。本実施形態において、バリスタ層は、副成分としてＰｒ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｋ、Ａｌ等を含んでいる。これにより、バリスタ層における第１の内部電極３１と第２の内部電極４１とに重なる領域が、ＺｎＯを主成分とすると共にＰｒを含むこととなる。

本実施形態では、希土類金属として、Ｐｒを用いている。Ｐｒは、バリスタ特性を発現させるための材料となる。Ｐｒを用いる理由は、電圧非直線性に優れ、また、量産時での特性ばらつきが少ないためである。バリスタ層におけるＺｎＯの含有量は、特に限定されないが、バリスタ層を構成する全体の材料を１００質量％とした場合に、通常、９９．８〜６９．０質量％である。バリスタ層の厚みは、例えば５〜６０μｍ程度である。

第１の内部電極３１は、図３にも示されるように、第１の電極部分３３と、第２の電極部分３５ａ，３５ｂとを含んでいる。第１の電極部分３３は、積層方向から見て、後述する第３の内部電極４１の第１の電極部分４３と互いに重なり合う。第１の電極部分３３は、略矩形状を呈している。第２の電極部分３５ａは、第１の電極部分３３から一方の主面２２に露出するように引き出されており、引き出し導体として機能する。第２の電極部分３５ａは、外部電極２５に物理的及び電気的に接続されている。第２の電極部分３５ｂは、第１の電極部分３３から他方の主面２３に露出するように引き出されており、引き出し導体として機能する。第２の電極部分３５ｂは、外部電極２７に物理的及び電気的に接続されている。第１の電極部分３３は、第２の電極部分３５ａを通して外部電極２５に電気的に接続されると共に、第２の電極部分３５ｂを通して外部電極２７に電気的に接続されている。第２の電極部分３５ａ，３５ｂは、第１の電極部分３３と一体に形成されている。

第２の内部電極４１は、図４にも示されるように、第１の電極部分４３と、第２の電極部分４５ａ，４５ｂとを含んでいる。第１の電極部分４３は、積層方向から見て、第１の内部電極３１の第１の電極部分３３と互いに重なり合う。第１の電極部分４３は、略矩形状を呈している。第２の電極部分４５ａは、第１の電極部分４３から一方の主面２２に露出するように引き出されており、引き出し導体として機能する。第２の電極部分４５ａは、外部電極２６に物理的及び電気的に接続されている。第２の電極部分４５ｂは、第１の電極部分４３から他方の主面２３に露出するように引き出されており、引き出し導体として機能する。第２の電極部分４５ｂは、外部電極２８に物理的及び電気的に接続されている。各第１の電極部分４３は、第２の電極部分４５ａを通して外部電極２６に電気的に接続されると共に、第２の電極部分４５ｂを通して外部電極２８に電気的に接続されている。第２の電極部分４５ａ，４５ｂは、第１の電極部分４３と一体に形成されている。

第１及び第２の内部電極３１，４１は導電材を含んでいる。第１及び第２の内部電極３１，４１に含まれる導電材としては、特に限定されないが、ＰｄまたはＡｇ−Ｐｄ合金からなることが好ましい。第１及び第２の内部電極３１，４１の厚みは、例えば０．５〜５μｍ程度である。

外部電極２５と外部電極２６とは、一方の主面２２上において、バリスタ層の積層方向に垂直且つ他方の主面２２に平行な方向に所定の間隔を有して配されている。外部電極２５，２６は、矩形状（本実施形態では、正方形状）を呈している。外部電極２５，２６は、例えば、各一辺の長さが３００μｍ程度に設定され、厚みが５μｍ程度に設定されている。

外部電極２７と外部電極２８とは、他方の主面２３上において、バリスタ層の積層方向に垂直且つ他方の主面２３に平行な方向に所定の間隔を有して配されている。外部電極２７，２８は、矩形状（本実施形態では、正方形状）を呈している。外部電極２７，２８は、例えば、各一辺の長さが３００μｍ程度に設定され、厚みが５μｍ程度に設定されている。

外部電極２５〜２８は、第１の電極層２５ａ〜２８ａ及び第２の電極層２５ｂ〜２８ｂをそれぞれ有している。第１の電極層２５ａ〜２８ａは、バリスタ素体２１の外表面に形成されており、Ｐｄを含んでいる。第１の電極層２５ａ〜２８ａは、後述するように導電性ペーストが焼成されることにより形成されている。導電性ペーストには、Ｐｄ粒子を主成分とする金属粉末に、有機バインダ及び有機溶剤を混合したものが用いられている。金属粉末は、Ａｇ−Ｐｄ合金粒子を主成分とするものであってもよい。

第２の電極層２５ｂ〜２８ｂは、第１の電極層２５ａ〜２８ａ上に印刷法あるいはめっき法により形成されている。第２の電極層２５ｂ〜２８ｂは、ＡｕあるいはＰｔからなる。印刷法を用いる場合は、Ａｕ粒子あるいはＰｔ粒子を主成分とする金属粉末に、有機バインダ及び有機溶剤を混合した導電性ペーストを用意し、当該導電性ペーストを第１の電極層２５ａ〜２８ａ上に印刷し、焼付あるいは焼成することにより第２の電極層２５ｂ〜２８ｂを形成する。めっき法を用いる場合は、真空めっき法（真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等）により、ＡｕあるいはＰｔを蒸着させるにより第２の電極層２５ｂ〜２８ｂを形成する。第２の電極層２５ｂ〜２８ｂは、Ｐｔ／Ａｕの積層体として構成してもよい。

第１の内部電極３１の第１の電極部分３３と第３の内部電極４１の第１の電極部分４３とは、上述したように、隣り合う第１の内部電極３１の第１の電極部分３３との間において互いに重なり合う。したがって、バリスタ層における第１の電極部分３３と第１の電極部分４３とに重なる領域がバリスタ特性を発現する領域として機能する。上述した構成を有する積層型チップバリスタ１１においては、第１の電極部分３３と、第１の電極部分４３と、バリスタ層における第１の電極部分３３及び第１の電極部分４３に重なる領域とにより、一つのバリスタ部が構成されることとなる。

続いて、図５及び図６を参照して、上述した構成を有する積層型チップバリスタ１１の製造過程について説明する。図５は、第１実施形態に係る積層型チップバリスタの製造過程を説明するためのフロー図である。図６は、第１実施形態に係る積層型チップバリスタの製造過程を説明するための図である。

まず、バリスタ層を構成する主成分であるＺｎＯと、Ｐｒ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｋ及びＡｌの金属又は酸化物等の微量添加物とを所定の割合となるように各々秤量した後、各成分を混合してバリスタ材料を調整する（ステップＳ１０１）。その後、このバリスタ材料に有機バインダ、有機溶剤、有機可塑剤等を加えて、ボールミル等を用いて２０時間程度混合・粉砕を行ってスラリーを得る。

このスラリーを、ドクターブレード法等の公知の方法により、例えばポリエチレンテレフタレートからなるフィルム上に塗布した後、乾燥して厚さ３０μｍ程度の膜を形成する。こうして得られた膜をフィルムから剥離してグリーンシートを得る（ステップＳ１０３）。

次に、グリーンシートに、第１及び第２の内部電極３１，４１に対応する電極部分を複数（後述する分割チップ数に対応する数）形成する（ステップＳ１０５）。第１及び第２の内部電極３１，４１に対応する電極部分は、Ｐｄ粒子を主成分とする金属粉末、有機バインダ及び有機溶剤を混合した導電性ペーストをスクリーン印刷等の印刷法にて印刷し、乾燥させることにより形成する。

次に、電極部分が形成された各グリーンシートと、電極部分が形成されていないグリーンシートとを所定の順序で重ねてシート積層体を形成する（ステップＳ１０７）。こうして得られたシート積層体をチップ単位に切断して、分割された複数のグリーン体ＧＬ１（図６参照）を得る（ステップＳ１０９）。得られたグリーン体ＧＬ１では、第１の内部電極３１に対応する電極部分ＥＬ１が形成されたグリーンシートＧＳ１と、第２の内部電極４１に対応する電極部分ＥＬ２が形成されたグリーンシートＧＳ２と、電極部分ＥＬ１，ＥＬ２が形成されていないグリーンシートＧＳ３とが順次積層されている。グリーンシートＧＳ１とグリーンシートＧＳ２との間に位置するグリーンシートＧＳ３は、複数枚積層してもよく、また、無くてもよい。

次に、グリーン体ＧＬ１の外表面に、外部電極２５〜２８の第１の電極層２５ａ〜２８ａ用の導電性ペースト及び外部電極２５〜２８の第２の電極層２５ｂ〜２８ｂ用の導電性ペーストを付与する（ステップＳ１１１）。ここでは、グリーン体ＧＬ１の一方の主面上に、対応する電極部分ＥＬ１，ＥＬ２に接するように導電性ペーストをスクリーン印刷工法にて印刷した後、乾燥させることによって、第１の電極層２５ａ，２６ａに対応する電極部分を形成する。そして、第１の電極層２５ａ，２６ａに対応する電極部分上に、導電性ペーストをスクリーン印刷工法にて印刷した後、乾燥させることによって、第２の電極層２５ｂ，２６ｂに対応する電極部分を形成する。また、グリーン体ＧＬ１の他方の主面上に、対応する電極部分ＥＬ１，ＥＬ２に接するように導電性ペーストをスクリーン印刷工法にて印刷した後、乾燥させることによって、第１の電極層２７ａ，２８ａに対応する電極部分を形成する。そして、第１の電極層２７ａ，２８ａに対応する電極部分上に、導電性ペーストをスクリーン印刷工法にて印刷した後、乾燥させることによって、第２の電極層２７ｂ，２８ｂに対応する電極部分を形成する。

第１の電極層２５ａ〜２８ａ用の導電性ペーストには、上述したように、Ａｇ−Ｐｄ合金粒子あるいはＰｄ粒子を主成分とする金属粉末に、有機バインダ及び有機溶剤を混合したものを用いることができる。第２の電極層２５ｂ〜２８ｂ用の導電性ペーストには、上述したように、Ｐｔ粒子を主成分とする金属粉末に、有機バインダ及び有機溶剤を混合したものを用いることができる。なお、これらの導電性ペーストは、ガラスフリットを含んでいない。

次に、導電性ペーストが付与されたグリーン体ＧＬ１に、１８０〜４００℃、０．５〜２４時間程度の加熱処理を実施して脱バインダを行った後、さらに、１０００〜１４００℃、０．５〜８時間程度の焼成を行い（ステップＳ１１３）、バリスタ素体２１と第１の電極層２５ａ〜２８ａと第２の電極層２５ｂ〜２８ｂとを得る。この焼成によって、グリーン体ＧＬ１におけるグリーンシートＧＳ１〜ＧＳ３はバリスタ層となる。電極部分ＥＬ１は、第１の内部電極３１となる。電極部分ＥＬ２は、第２の内部電極４１となる。

以上の過程により、積層型チップバリスタ１１が得られることとなる。なお、焼成後に、バリスタ素体２１の表面からアルカリ金属（例えば、Ｌｉ、Ｎａ等）を拡散させてもよい。

次に、図３及び図４を参照して、半導体発光素子１の構成について説明する。

半導体発光素子１は、ＧａＮ（窒化ガリウム）系半導体の発光ダイオード（ＬＥＤ：Light-Emitting Diode）であり、基板２と、当該基板２上に形成された層構造体ＬＳとを備えている。ＧａＮ系の半導体ＬＥＤは、周知であり、その説明を簡略化する。基板２は、サファイアからなる光学的に透明且つ電気絶縁性を有する基板である。層構造体ＬＳは、積層された、ｎ型（第１導電型）の半導体領域３と、発光層４と、ｐ型（第２導電型）の半導体領域５とを含んでいる。半導体発光素子１は、ｎ型の半導体領域３とｐ型の半導体領域５との間に印加される電圧に応じて発光する。

ｎ型の半導体領域３は、ｎ型の窒化物半導体を含んで構成されている。本実施形態では、ｎ型の半導体領域３は、基板２上にＧａＮがエピタキシャル成長されて成り、例えばＳｉといったｎ型ドーパントが添加されてｎ型の導電性を有している。また、ｎ型の半導体領域３は、発光層４よりも屈折率が小さく且つバンドギャップが大きくなるような組成を有していてもよい。この場合、ｎ型の半導体領域３は、発光層４に対して下部クラッドとしての役割を果たす。

発光層４は、ｎ型の半導体領域３上に形成され、ｎ型の半導体領域３及びｐ型の半導体領域５から供給されたキャリア（電子及び正孔）が再結合することにより発光領域において光を発生する。発光層４は、例えば、障壁層と井戸層とが複数周期にわたって交互に積層された多重量子井戸（ＭＱＷ：Multiple Quantum Well）構造とすることができる。この場合、障壁層及び井戸層がＩｎＧａＮからなり、Ｉｎ（インジウム）の組成を適宜選択することによって障壁層のバンドギャップが井戸層のバンドギャップより大きくなるように構成される。発光領域は、発光層４において、キャリアが注入される領域に生じる。

ｐ型の半導体領域５は、ｐ型の窒化物半導体を含んで構成されている。本実施形態では、ｐ型の半導体領域５は、発光層４上にＡｌＧａＮがエピタキシャル成長されて成り、例えばＭｇといったｐ型ドーパントが添加されてｐ型の導電性を有している。また、ｐ型の半導体領域５は、発光層４よりも屈折率が小さく且つバンドギャップが大きくなるような組成を有していてもよい。この場合、ｐ型の半導体領域５は、発光層４に対して上部クラッドとしての役割を果たす。

ｎ型の半導体領域３上には、カソード電極６が形成されている。カソード電極６は、導電性材料からなり、ｎ型の半導体領域３との間にオーミック接触が実現されている。ｐ型の半導体領域５上には、アノード電極７が形成されている。アノード電極７は、導電性材料からなり、ｐ型の半導体領域５との間にオーミック接触が実現されている。カソード電極６及びアノード電極７には、バンプ電極８が形成されている。

上述した構成の半導体発光素子１では、アノード電極７（バンプ電極８）とカソード電極６（バンプ電極８）との間に所定の電圧が印加されて電流が流れると、発光層４の発光領域において発光が生じることとなる。

半導体発光素子１は、一対の外部電極２７，２８にバンプ接続されている。すなわち、カソード電極６は、バンプ電極８を介して外部電極２８に電気的且つ物理的に接続されている。アノード電極７は、バンプ電極８を介して外部電極２７に電気的且つ物理的に接続されている。これにより、第１の電極部分３３と、第１の電極部分４３と、バリスタ層における第１の電極部分３３，４３に重なる領域とにより構成されるバリスタ部が半導体発光素子１に並列接続されることとなる。

以上のように、本第１実施形態によれば、積層型チップバリスタ１１が半導体発光素子１に並列接続されるので、半導体発光素子１をＥＳＤサージから保護することができる。

また、本第１実施形態では、積層型チップバリスタ１１が半導体発光素子１に接続する外部電極２７，２８と当該外部電極２７，２８に接続する内部電極３１，４１とを有するので、半導体発光素子１において発生した熱は、主として、外部電極２７，２８及び内部電極３１，４１に伝わり放散されることとなる。半導体発光素子１において発生した熱の放熱パスが拡がり、半導体発光素子１において発生した熱を効率よく放散することができる。

本第１実施形態においては、バリスタ層がＺｎＯを主成分としている。ＺｎＯは、放熱基板として通常用いられるアルミナ等と同等程度の熱伝導率を有しており、比較的良好な熱伝導率を有する。したがって、内部電極３１，４１からの熱の放散がバリスタ層により阻害されるのを抑制することができる。

ところで、第１実施形態の積層型チップバリスタ１１では、入力端子電極として機能する外部電極２５と出力端子電極として機能する外部電極２６とが共に、バリスタ素体２１の一方の主面２２に配されている。すなわち、積層型チップバリスタ１１は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）パッケージとされた積層型チップバリスタである。この積層型チップバリスタ１１は、はんだボールやバンプ電極等を用いて各外部電極２５，２６と当該各外部電極２５，２６に対応するランドとを電気的及び機械的に接続することにより、外部基板や外部機器等に実装される。

また、第１実施形態によれば、グリーン体ＧＬ１がＰｒを含み、外部電極２５〜２８の第１の電極層２５ａ〜２８ａ用の導電性ペーストがＰｄを含み、当該導電性ペーストが付与されたグリーン体ＧＬ１を焼成して、バリスタ素体２１と第１の電極層２５ａ〜２８ａとを得るので、バリスタ素体２１と第１の電極層２５ａ〜２８ａとが同時焼成されることとなる。これにより、バリスタ素体２１と外部電極２５〜２８（第１の電極層２５ａ〜２８ａ）との接着強度を向上させることができる。

バリスタ素体２１と外部電極２５〜２８との接着強度が向上するという効果は、焼成時における次のような事象に起因するものと考えられる。グリーン体ＧＬ１と導電性ペーストとを焼成する際に、グリーン体ＧＬ１に含まれるＰｒがグリーン体ＧＬ１の表面近傍、すなわちグリーン体ＧＬ１と導電性ペーストとの界面近傍に移動する。そして、グリーン体ＧＬ１と導電性ペーストとの界面近傍に移動したＰｒと導電性ペーストに含まれるＰｄとが相互拡散する。ＰｒとＰｄとが相互拡散するとき、バリスタ素体２１と外部電極２５〜２８との界面近傍（界面も含む）に、ＰｒとＰｄとの酸化物（例えば、Ｐｒ_２Ｐｄ_２Ｏ_５やＰｒ_４ＰｄＯ_７等）が形成されることがある。このＰｒとＰｄとの酸化物によりアンカー効果が生じ、焼成により得られたバリスタ素体２１と外部電極２５〜２８との接着強度が向上する。

ＢＧＡパッケージとされた積層型チップバリスタは、入出力端子電極あるいはグランド端子電極として機能する外部電極の面積が特に小さい。このため、バリスタ素体と外部電極との接着強度が低くなり、外部電極がバリスタ素体から剥がれてしまう懼れがある。しかしながら、第１実施形態の積層型チップバリスタ１１では、上述したようにバリスタ素体２１と外部電極２５〜２８（第１の電極層２５ａ〜２８ａ）との接着強度が向上しているので、外部電極２５〜２８がバリスタ素体２１から剥がれることはない。

第１の電極層２５ａ〜２８ａを形成するための導電性ペーストがガラスフリットを含んでいる場合、焼成の際に、ガラス成分が第１の電極層２５ａ〜２８ａの表面に析出することがあり、めっき性やはんだ付与性が悪化する懼れがある。しかしながら、本第１実施形態では、第１の電極層２５ａ〜２８ａを形成するための導電性ペーストがガラスフリットを含んでいないため、めっき性やはんだ付与性が悪化することはない。

本第１実施形態においては、一対の外部電極２５，２６がバリスタ素体２１の一方の主面２２に形成され、一対の外部電極２７，２８が一方の主面２２に対向する他方の主面２３に形成されている。第１及び第２の内部電極３１，４１は、互いに重なり合う第１の電極部分３３，４３と、当該第１の電極部分３３，４３から一方の主面２２及び他方の主面２３に露出するように引き出された第２の電極部分３５ａ，３５ｂ，４５ａ，４５ｂと、を含んでいる。複数の外部電極２５〜２８は、対応する内部電極３１，４１に第２の電極部分３５ａ，３５ｂ，４５ａ，４５ｂを通して電気的に接続されている。この場合、半導体発光素子１は、外部電極２７，２８に接続することにより、積層型チップバリスタ１１に実装されることとなる。したがって、半導体発光素子１と外部電極２７，２８とを電気的及び物理的に接続するための実装を容易且つ簡易に行うことができる。また、積層型チップバリスタ１１は、外部電極２５，２６が形成された一方の主面２２を外部基板や外部機器等に対向させた状態で、外部基板や外部機器等に実装されることとなる。したがって、積層型チップバリスタ１１の実装も容易且つ簡易に行うことができる。

本第１実施形態では、半導体発光素子１が、一対の外部電極２７，２８にバンプ接続されることにより、積層型チップバリスタ１１上に配されている。これにより、半導体発光素子１の積層型チップバリスタ１１への実装を極めて容易且つ簡易に行うことができる。

また、本第１実施形態においては、一方の主面２２及び他方の主面２３が、バリスタ素体２１の積層方向、すなわちバリスタ層の積層方向に平行な方向に伸びている。これにより、内部電極３１，４１が、一方の主面２２及び他方の主面２３に対して、一方の主面２２及び他方の主面２３が伸びる方向に沿って併置されることとなる。この結果、各内部電極３１，４１に関して、当該内部電極３１，４１からバリスタ素体２１の一方の主面２２及び他方の主面２３までの放熱パス、すなわち積層型チップバリスタ１１の外表面までの放熱パスが短くなり、内部電極３１，４１からの熱の放散をより一層効率よく行うことができる。

（第２実施形態）
図７を参照して、第２実施形態に係る発光装置ＬＥ２の構成を説明する。図７は、第２実施形態に係る積層型チップバリスタの断面構成を説明するための図である。第２実施形態に係る発光装置ＬＥ２は、積層型チップバリスタの構成に関して第１実施形態に係る発光装置ＬＥ１と相違する。

発光装置ＬＥ２は、図７に示されるように、半導体発光素子１と、積層型チップバリスタ５１とを備えている。半導体発光素子１は、積層型チップバリスタ５１上に配されている。積層型チップバリスタ５１は、積層体５３と、当該積層体５３にそれぞれ形成される一対の外部電極５５，５６とを備えている。外部電極５５は、積層型チップバリスタ５１の入力端子電極として機能し、外部電極５６は、積層型チップバリスタ５１の出力端子電極として機能する。

積層体５３は、バリスタ部５７と、当該バリスタ部５７を挟むように配置される一対の外層部５９とを有し、バリスタ部５７と一対の外層部５９とが積層されることにより構成されている。積層体５３は、直方体形状を呈している。積層体５３は、互いに対向すると共に当該積層体５３の積層方向に平行な方向に伸びる一対の端面（外表面）５３ａ，５３ｂと、一対の端面５３ａ，５３ｂと隣り合うと共に互いに対向する一対の側面（外表面）５３ｃ，５３ｄとを含んでいる。一対の側面５３ｃ，５３ｄは、積層体５３の積層方向に直交している。

バリスタ部５７は、バリスタ特性を発現するバリスタ層６１と、当該バリスタ層６１を挟むように配置される複数の内部電極６３，６４とを含んでいる。バリスタ部５７では、バリスタ層６１と内部電極６３，６４とが交互に積層されている。バリスタ層６１における隣り合う一対の内部電極６３，６４に重なる領域がバリスタ特性を発現する領域としてそれぞれ機能する。内部電極６３，６４の厚みは、例えば０．５〜５μｍ程度である。実際の積層型チップバリスタ５１は、バリスタ層６１間の境界、及び、バリスタ層６１と外層部５９と間の境界が視認できない程度に一体化されている。

バリスタ層６１は、ＺｎＯ（酸化亜鉛）を主成分として含むと共に、副成分として希土類金属元素、Ｃｏ、IIIｂ族元素（Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、アルカリ金属元素（Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ）及びアルカリ土類金属元素（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）等の金属単体やこれらの酸化物を含む素体からなる。本実施形態において、バリスタ層は、副成分としてＰｒ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｋ、Ａｌ等を含んでいる。これにより、互いに隣り合う一対の内部電極６３，６４に重なる領域が、ＺｎＯを主成分とすると共にＰｒを含むこととなる。本実施形態では、第１実施形態と同様に、希土類金属として、Ｐｒを用いている。

複数の内部電極６３，６４は、それぞれの一端が積層体５３において対向する端面５３ａ，５３ｂに交互に露出するように略平行に設けられている。これらの内部電極６３，６４は、導電材を含んでいる。内部電極６３，６４に含まれる導電材としては、特に限定されないが、ＰｄまたはＡｇ−Ｐｄ合金からなることが好ましい。複数の内部電極６３，６４は、積層体５３の積層方向、すなわち一対の側面５３ｃ，５３ｄの対向方向に沿って併置されている。

外層部５９は、バリスタ層６１と同様に、ＺｎＯを主成分として含むと共に、副成分として希土類金属元素、Ｃｏ、ＩＩＩｂ族元素（Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、アルカリ金属元素（Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ）及びアルカリ土類金属元素（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）等の金属単体やこれらの酸化物を含む素体からなる。本実施形態において、外層部５９は、外層部５９に含まれる副成分としてＰｒ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｋ、Ａｌ等を含んでいる。本実施形態では、希土類金属として、Ｐｒを用いている。

一対の外部電極５５，５６は、積層体５３の両端部を覆うようにそれぞれ設けられている。一対の外部電極５５，５６は、第１の電極部分５５ａ，５６ａ、第２の電極部分５５ｂ，５６ｂ、及び第３の電極部分５５ｃ，５６ｃをそれぞれ含んでいる。第１の電極部分５５ａは、一方の端面５３ａに形成されている。第１の電極部分５６ａは、他方の端面５３ｂに形成されている。第２の電極部分５５ｂは、第１の電極部分５５ａに連続するように、一方の側面５３ｃに形成されている。第２の電極部分５６ｂは、第１の電極部分５６ａに連続するように、一方の側面５３ｃに形成されている。第３の電極部分５５ｃは、第１の電極部分５５ａに連続するように、他方の側面５３ｄに形成されている。第３の電極部分５６ｃは、第１の電極部分５６ａに連続するように、他方の側面５３ｄに形成されている。

内部電極６３は、端面５３ａに露出する一端において外部電極５５の第１の電極部分５５ａと電気的且つ物理的に接続されている。内部電極６４は、端面５３ｂに露出する一端において外部電極５６の第１の電極部分５６ａと電気的且つ物理的に接続されている。

外部電極５５，５６は、Ｐｄを含んでいる。外部電極５５，５６は、導電性ペーストが焼成されることにより形成されている。導電性ペーストには、Ａｇ−Ｐｄ合金粒子を主成分とする金属粉末に、有機バインダ及び有機溶剤を混合したものが用いられている。金属粉末は、Ｐｄ粒子を主成分とするものであってもよい。外部電極５５，５６は、第１実施形態と同様に、積層体５３と同時焼成されることにより得られる。外部電極５５，５６の表面には、当該外部電極５５，５６を覆うように、金属層を形成してもよい。この金属層の材料として、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｓｎ合金、あるいはＡｇ等を用いることができる。金属層は、めっき法等により、形成することができる。

半導体発光素子１は、積層体５３（バリスタ層６１）の積層方向に直交する側面５３ｃ上に配されており、一対の外部電極５５，５６にバンプ接続されている。すなわち、カソード電極６は、バンプ電極８を介して外部電極５５に電気的且つ物理的に接続されている。アノード電極７は、バンプ電極８を介して外部電極５６に電気的且つ物理的に接続されている。

以上のように、本第２実施形態によれば、積層型チップバリスタ５１が半導体発光素子１に並列接続されるので、半導体発光素子１をＥＳＤサージから保護することができる。

また、本第２実施形態では、積層型チップバリスタ１１が半導体発光素子１に接続する外部電極５５，５６と当該外部電極５５，５６に接続する内部電極６３，６４とを有するので、半導体発光素子１において発生した熱は、主として、外部電極５５，５６及び内部電極６３，６４に伝わり放散されることとなる。半導体発光素子１において発生した熱の放熱パスが拡がり、半導体発光素子１において発生した熱を効率よく放散することができる。

本第２実施形態においては、バリスタ層６１がＺｎＯを主成分としている。ＺｎＯは、放熱基板として通常用いられるアルミナ等と同等程度の熱伝導率を有しており、比較的良好な熱伝導率を有する。したがって、内部電極６３，６４からの熱の放散がバリスタ層６１により阻害されるのを抑制することができる。

また、第２実施形態によれば、第１実施形態と同様に、積層体５３と外部電極５５，５６とが同時焼成により得られるので、積層体５３と外部電極５５，５６との接着強度を向上させることができる。

（第３実施形態）
図８及び図９を参照して、第３実施形態に係る発光装置ＬＥ３の構成を説明する。図８は、第３実施形態に係る積層型チップバリスタの断面構成を説明するための図である。図９は、図８におけるIX−IX線に沿った断面構成を説明するための図である。第３実施形態に係る発光装置ＬＥ３は、積層型チップバリスタの構成に関して第１実施形態に係る発光装置ＬＥ１と相違する。

発光装置ＬＥ３は、図８及び図９に示されるように、半導体発光素子１と、積層型チップバリスタ７１とを備えている。半導体発光素子１は、積層型チップバリスタ７１上に配されている。

積層型チップバリスタ７１は、第２実施形態の積層型チップバリスタ５１と同じく、積層体５３と、一対の外部電極５５，５６とを備えている。積層型チップバリスタ７１では、複数の内部電極６３，６４が、積層体５３（バリスタ層６１）の積層方向（一対の側面５３ｃ，５３ｄの対向方向）と一対の端面５３ａ，５３ｂの対向方向に直交する方向に沿って併置されている。積層体５３は、一対の端面５３ａ，５３ｂと隣り合うと共に互いに対向する一対の側面（外表面）５３ｅ，５３ｆとを含んでいる。一対の側面５３ｅ，５３ｆは、積層体５３の積層方向に平行な方向に伸びている。

外部電極５５の第１の電極部分５５ａは、一方の端面５３ａに形成されている。外部電極５６の第１の電極部分５６ａは、他方の端面５３ｂに形成されている。第２の電極部分５５ｂ，５６ｂは、対応する第１の電極部分５５ａ，５６ａに連続するように、一方の側面５３ｅに形成されている。第３の電極部分５５ｃ，５６ｃは、第１の電極部分５５ａ，５６ａに連続するように、他方の側面５３ｆに形成されている。半導体発光素子１は、積層型チップバリスタ７１における積層体５３の積層方向に平行な方向に伸びる面、すなわち積層体５３の側面５３ｅ上に配されている。

本第３実施形態では、積層型チップバリスタ７１が半導体発光素子１に並列接続されるので、半導体発光素子１をＥＳＤサージから保護することができる。

本第３実施形態においても、第２実施形態と同様に、積層型チップバリスタ１１が半導体発光素子１に接続する外部電極５５，５６と当該外部電極５５，５６に接続する内部電極６３，６４とを有するので、半導体発光素子１において発生した熱は、主として、外部電極５５，５６及び内部電極６３，６４に伝わり放散されることとなる。半導体発光素子１において発生した熱の放熱パスが拡がり、半導体発光素子１において発生した熱を効率よく放散することができる。また、バリスタ層６１がＺｎＯを主成分としているので、内部電極６３，６４からの熱の放散がバリスタ層６１により阻害されるのを抑制することができる。

本第３実施形態においては、半導体発光素子１が、積層型チップバリスタ７１における積層体５３の積層方向に平行な方向に伸びる面に対向するように配されている。これにより、複数の内部電極６３，６４が、積層型チップバリスタ７１における半導体発光素子１が配される面に対向する面に対して、当該面が伸びる方向に沿って併置されることとなる。この結果、各内部電極６３，６４に関して、当該内部電極６３，６４から積層型チップバリスタ７１の外表面までの放熱パスが短くなり、内部電極６３，６４からの熱の放散をより一層効率よく行うことができる。

また、本第３実施形態においては、一対の外部電極５５，５６が、互いに対向すると共に積層体５３の積層方向に平行な方向に伸びる一対の端面５３ａ，５３ｂに形成される第１の電極部分５５ａ，５６ａと、当該第１の電極部分５５ａ，５６ａが形成された一対の端面５３ａ，５３ｂと隣り合うと共に積層体５３の積層方向に平行な方向に伸びる一の側面５３ｅに形成される第２の電極部分５５ｂ，５６ｂと、をそれぞれ含んでいる。この場合、半導体発光素子１は、第２の電極部分５５ｂ，５６ｂに接続することにより、積層型チップバリスタ７１上に実装されることとなる。したがって、半導体発光素子１と外部電極５５，５６とを電気的に接続するための実装を容易且つ簡易に行うことができる。

第１〜第３実施形態に係る積層型チップバリスタ１１，５１では、バリスタ素体２１，５３（バリスタ層）がＢｉを含んでいない。バリスタ素体２１，５３がＢｉを含まない理由は、以下の通りである。バリスタ素体が、ＺｎＯを主成分とすると共にＢｉを含み、外部電極が、バリスタ素体と同時焼成されることにより当該バリスタ素体の外表面に形成され且つＰｄを含む電極層を有する場合、バリスタ素体と電極層との同時焼成により、ＢｉとＰｄとが合金化し、バリスタ素体と電極層との界面にＢｉとＰｄとの合金が形成されることとなる。ＢｉとＰｄとの合金は、特に、バリスタ素体との濡れ性が悪く、バリスタ素体と電極層との接着強度を低下させるように作用する。このため、バリスタ素体と電極層との接着強度を所望の状態に確保することが困難となる。

以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしもこれらの実施形態に限定されるものではない。

上述した積層型チップバリスタ１１においては、一対の内部電極３１，４１を有しているが、これに限られない。例えば、第２及び第３実施形態の積層型チップバリスタ５１，７１と同様に、第１の内部電極３１及び第２の内部電極４１を複数層ずつ有していてもよい。

第１〜第３実施形態では、半導体発光素子１としてＧａＮ系の半導体ＬＥＤを用いているが、これに限られない。半導体発光素子１として、例えば、ＧａＮ系以外の窒化物系半導体ＬＥＤ（例えば、ＩｎＧａＮＡｓ系の半導体ＬＥＤ等）や窒化物系以外の化合物半導体ＬＥＤやレーザーダイオード（ＬＤ：Laser Diode）を用いてもよい。

第１実施形態に係る積層型チップバリスタを示す概略上面図である。第１実施形態に係る積層型チップバリスタを示す概略下面図である。図１におけるIII−III線に沿った断面構成を説明するための図である。図１におけるIV−IV線に沿った断面構成を説明するための図である。第１実施形態に係る積層型チップバリスタの製造過程を説明するためのフロー図である。第１実施形態に係る積層型チップバリスタの製造過程を説明するための図である。第２実施形態に係る積層型チップバリスタの断面構成を説明するための図である。第３実施形態に係る積層型チップバリスタの断面構成を説明するための図である。図８におけるIX−IX線に沿った断面構成を説明するための図である。

符号の説明

１…半導体発光素子、１１…積層型チップバリスタ、２１…バリスタ素体、２２…一方の主面、２３…他方の主面、２５〜２８…外部電極、２５ａ〜２８ａ…第１の電極層、２５ｂ〜２８ｂ…第２の電極層、３１…第１の内部電極、３３…第１の電極部分、３５ａ，３５ｂ…第２の電極部分、４１…第２の内部電極、４３…第１の電極部分、４５ａ，４５ｂ…第２の電極部分、５１…積層型チップバリスタ、５３…積層体、５３ａ，５３ｂ…端面、５３ｃ〜５３ｆ…側面、５５…外部電極、５５ａ…第１の電極部分、５５ｂ…第２の電極部分、５５ｃ…第３の電極部分、５６…外部電極、５６ａ…第１の電極部分、５６ｂ…第２の電極部分、５６ｃ…第３の電極部分、６１…バリスタ層、６３，６４…内部電極、７１…積層型チップバリスタ、ＬＥ１〜ＬＥ３…発光装置。

Claims

半導体発光素子と、積層型チップバリスタと、を備えており、
前記積層型チップバリスタが、
ＺｎＯを主成分とするバリスタ層と、当該バリスタ層を挟むように配置される複数の内部電極とを有する積層体と、
前記積層体の外表面に形成されると共に、前記複数の内部電極のうち対応する内部電極にそれぞれ接続される複数の外部電極と、を有し、
前記半導体発光素子が、前記積層型チップバリスタにおける前記積層体の積層方向に平行な方向に伸びる面に対向するように前記積層型チップバリスタ上に配され、当該積層型チップバリスタに並列接続されるように前記複数の外部電極のうち対応する外部電極に接続されることを特徴とする発光装置。
前記複数の外部電極が、一対の端子電極を含み、
前記一対の端子電極が、
互いに対向すると共に前記積層体の積層方向に平行な方向に伸びる一対の外表面に形成される第１の電極部分と、
当該第１の電極部分が形成された前記一対の外表面と隣り合うと共に前記積層体の積層方向に平行な方向に伸びる一の外表面に形成される第２の電極部分と、をそれぞれ含むことを特徴とする請求項１に記載の発光装置
前記バリスタ層が、Ｐｒを含み、
前記複数の外部電極が、前記積層体と同時焼成されることにより当該積層体の前記外表面上に形成され且つＰｄを含む電極層を有することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
前記バリスタ層が、Ｐｒを含み、
前記複数の外部電極が、前記積層体の前記外表面上に形成され且つＰｄを含む電極層を有しており、
前記積層体と前記電極層との界面近傍に、前記バリスタ層に含まれるＰｒと前記電極層に含まれるＰｄとの酸化物が存在することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
前記電極層が、前記積層体と同時焼成されることにより、当該積層体の前記外表面に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
前記複数の外部電極が、
前記積層体の外表面のうち一の外表面に形成されると共に前記複数の内部電極のうち対応する内部電極にそれぞれ電気的に接続される一対の端子電極と、
前記一対の端子電極が形成された前記外表面に対向する外表面に形成されると共に前記複数の内部電極のうち対応する内部電極にそれぞれ電気的に接続される一対のパッド電極と、を含み、
前記複数の内部電極が、
当該複数の内部電極のうち隣り合う内部電極間において互いに重なり合う第１の電極部分と、
当該第１の電極部分から前記一対の端子電極が形成された前記外表面及び前記一対のパッド電極が形成された前記外表面に露出するように引き出された第２の電極部分と、を含んでおり、
前記一対の端子電極及び前記一対のパッド電極は、前記対応する内部電極に前記第２の電極部分を通して電気的に接続され、
前記一対の端子電極が形成された前記外表面及び前記一対のパッド電極が形成された前記外表面が、前記積層体の積層方向に平行な方向に伸びており、
前記半導体発光素子が、前記一対のパッド電極に接続されることにより、前記積層型チップバリスタ上に配されることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
前記半導体発光素子が、前記一対のパッド電極にバンプ接続されることにより、前記積層型チップバリスタ上に配されることを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
前記半導体発光素子が、第１導電型の半導体領域と第２導電型の半導体領域とを有し、当該第１導電型の半導体領域と当該第２導電型の半導体領域との間に印加される電圧に応じて発光することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。