JP4142556B2 - 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法、用途 - Google Patents
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Description
R.Terao et al. J. Euro. Ceram. Soc., 22, 1051-59, 2002
本発明において、上記成形体の加熱脱脂処理後の残留炭素分は、2.0質量%以下が好ましく、0.2〜1.0質量%がより好ましい。残留炭素分が2.0質量%を超えると、過剰の炭素が焼結を阻害するため緻密な焼結体が得られなくなる場合がある。
AlN粉末:不純物含有量は鉄が40ppm、シリコンは100ppmであった。
焼結助剤:信越化学工業株式会社製、商品名『TerbiumOxide』、『CeriumOxide』、『PraseodymiumOxide』(平均粒径1.0μm)を使用した。
有機バインダー:ユケン工業株式会社製、商品名『セランダー』、主成分、水溶性アクリル酸エステル。ガラス転移温度−20℃。
アルミニウム板:三菱アルミニウム株式会社製、商品名「1085材」(対応JIS番号)。
ロウ合金箔:東洋精箔株式会社製、商品名「A2017R−H合金箔」(対応JIS番号)。
UV硬化型レジストインク:互応化学工業株式会社製、商品名『PER−27B−6』。
残留炭素分:LECO 社製炭素測定器(型式 CS-400-SC-444)により測定。
密度:ブタノ―ルを用い、アルキメデス法により算出した((9)式)。
抗折強度:下部スパン30mm、クロスヘッド速度0.5mm/分の条件にて3点曲げ試験(JIS R1601)を行い、その破壊荷重を(8)式により求めた(n=10)。
粒内破壊率:AlN基板断面を観察し、約200個の粒子を対象にした時の粒内破壊した粒子面積の総和、粒界破壊した粒子面積の総和を(7)式に代入して算出した。
粒径:インターセプト法での粒径測定から求めた。
臨界エネルギー解放率:測定した破壊靱性を(6)式に代入して算出した。
破壊靭性:Surface Crack in Flexure法(ASTM、C1421−99)にて測定した。
熱伝導率:AlN基板表面にカーボンスプレー処理を施し、レーザーフラッシュ法にて測定した。
AlN結晶粒子内のc軸の格子定数:高出力X線回折装置を用い、Siを外部標準試料として測定した。
熱履歴衝撃試験:(−25℃、10分→室温、10分→125℃、10分→室温、10分)を1サイクルとして、3000サイクルのヒートサイクルに供試体を晒す試験。
無酸素銅板:住友金属鉱山伸銅株式会社製、商品名『3100系』(対応JIS番号)。
2 金属放熱板
3 AlN焼結体
Claims (5)
- 窒化アルミニウム粉末、TbO1.8、PrO1.8、CeO2の群から選ばれる少なくとも一種以上の希土類酸化物を含む焼結助剤、並びに有機バインダーを含有してなる成形体に、加熱脱脂処理及び焼結処理を順次施して得られる、焼結体の破面における粒内破壊率が最低でも40%、粒界破壊靭性が最低でも10J/m2であり、密度が最低でも3.1g/cm3、抗折強度が最低でも420MPa、破壊靭性が最低でも3.1MPam1/2、粒内破壊靱性が最低でも45J/m2 、窒化アルミニウム結晶粒子のC軸の格子定数が最低でも4.9785Å、熱伝導率が最低でも170W/mKであることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体。
- 酸素含有量が最大3質量%、鉄の含有量が最大50ppm、シリコンの含有量が最大130ppmであり、平均粒径が最大10μmの窒化アルミニウム粉末に、焼結助剤として平均粒径が最大1μmのTbO1.8、PrO1.8 及びCeO2の群から選ばれる少なくとも一種以上の希土類酸化物を内割配合にて0.1〜10質量%、及び有機バインダーを外割配合にて0.5〜30質量%添加し、成形後、加熱脱脂処理を、残留炭素分が2.0質量%以下となるよう非酸化性雰囲気中で行い、焼結処理を、非酸化性雰囲気中で、
a)0.5℃/分以下の昇温速度で1600〜1850℃まで昇温し、
b)0.5〜10時間保持した後、
c)1000℃までの冷却速度を10℃/分以下
で行うことを特徴とする窒化アルミニウム焼結体の製造方法。 - 請求項2記載の製造方法で得られる、焼結体の破面における粒内破壊率が最低でも40%、粒界破壊靭性が最低でも10J/m2であり、密度が最低でも3.1g/cm3 、抗折強度が最低でも420MPa、破壊靭性が最低でも3.1MPam1/2、粒内破壊靱性が最低でも45J/m2、窒化アルミニウム結晶粒子のC軸の格子定数が最低でも4.9785Å、熱伝導率が最低でも170W/mKであることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体。
- 請求項1又は請求項3記載の窒化アルミニウム焼結体を用いてなるセラミックス基板。
- 請求項4記載のセラミックス基板の一主面に金属回路を形成し、他の一主面に放熱板を形成してなるセラミックス回路基板。
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