JP4140053B2 - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置の製造方法に関し、特に駆動回路や配線が液晶表示装置の端部の極く近傍に配置されてなる液晶表示装置を歩留り良く得るための液晶表示装置の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
例えば投射型プロジェクターに用いられる液晶表示装置や、携帯電話等のモバイル機器に用いられる液晶表示装置などは、小型であることが要求されており、通常、大判のガラス基板に多数、二次元的にレイアウトされた空セルを用いて作製されている(例えば、特許文献1参照。)。特にアクティブマトリクス方式の液晶表示装置においては、TFT(Thin Film Transistor)等のスイッチング素子の形成されるアクティブマトリクス基板の端部近傍に配線や駆動回路等を配置して収率を向上させるとともに、額縁領域をより狭くする傾向にある。また、外部接続端子と対向電極との導通をとるための導電体が形成されるトランスファ形成部も同様に、アクティブマトリクス基板の端部近傍に配置されるのが一般的である。
【0003】
この大判のガラス基板に多数レイアウトされた空セルを個々に分断する方法としては、ダイシング法やスクライブ法等があるが、このうちスクライブ法が最も広く用いられている。スクライブ法では、ダイヤモンド等の刃を備えたスクライバでガラス基板の貼り合わせ面ではない面上に、溝、すなわちスクライブラインを形成し、その後ブレイク装置で対向するガラス基板から衝撃を加え、スクライブラインからクラックを進行させて、カットを行っている。
【0004】
ところが駆動回路、配線、あるいは、トランスファ形成部および導電体、等をスクライブライン間近に配置した場合、導電体や配線等がガラス基板に及ぼす応力の影響によって、分断面がガラス基板の主面に対して垂直に形成されないという問題が生じる場合がある。この場合には、クラックが、駆動回路や配線が形成されているガラス基板表面において駆動回路や配線に及び、その結果、個々に分断された空セルの駆動回路や配線に欠損が生じ、その空セルを用いて作製された液晶表示装置が動作不良になる。
【0005】
分断面をガラス基板の主面に対して垂直に形成して、上述のような駆動回路や配線の欠損を防止するために、スペーサを利用する方法が提案されている(例えば、特許文献2参照。)。図22(a)は、そのような従来技術に係る液晶表示装置用の空セルが2個配置されている状態を示す平面図であり、図22(b)は、図22(a)のX−X線に沿う断面図である。TFTが形成されたTFT基板801Mと対向基板802Mとが、シール材811を介して貼り合わせられており、TFT基板801Mには、スクライブラインASL−1〜6が形成されている。TFT基板801Mと対向基板802Mとの間には、多数のスペーサ(図示せず)が配置されている。図22(c)は、図22(b)のY−Y線に沿う拡大平面図である。スクライブラインASL−1上及びスクライブラインASL−1から紙面左右方向3mm以内の範囲に、スペーサ812が密にかつ均一に形成されている。スクライブラインASL−1をTFT基板801Mに刻設後、ブレイク装置によって対向基板802Mに加えられた衝撃が、スペーサ812を介してTFT基板801MのスクライブラインASL−1周辺に均一に伝えられるため、スクライブラインASL−1から、TFT基板801Mの主面に直交する分断面が形成される。他のスクライブラインASL−2〜6においても、その周辺に同様なスペーサが形成されており、同様に、TFT基板801Mの主面に直交する分断面が形成される。また、対向基板802Mにも、同様の分断が行なわれる。
【0006】
【特許文献1】
特開2001−83491号公報 (第3〜5頁、図1、2)
【特許文献2】
特許第2965976号公報 (第8〜11頁、図5、13、14)
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上述した特許第2965976号公報に開示された技術では、同公報に記載のように、スクライブライン上及びスクライブラインから両方向3mmの範囲内に、スペーサが密にかつ均一に形成された領域を必要とし、スペーサを配置するための広い領域が必要である。同公報に開示されている、大判のガラス基板に空セルを二面配置するような大きさの液晶表示装置であれば、広いスペーサ配置領域を設けることが可能であるが、例えばサイズが2インチ程度の小型の液晶表示装置では、小型である優位性を保つために、駆動回路等の設計エリアを狭くする必要がある。すなわち、スクライブライン端部の極く近傍(例えば0.3〜1.0mm)に配線部、駆動回路、あるいは/およびトランスファ形成部を配置する必要があり、同公報にあるようなスペーサを配置する領域を確保することはできない。十分なスペーサ領域を確保することができない場合には、配線やトランスファ形成部に塗布される導電体からの応力の影響により分断面を垂直に形成することができず、配線部の欠けが生じて液晶表示装置が動作不良となってしまう問題があった。逆に、分断面を垂直に形成するために特許第2965976号公報に開示されているようなスペーサを配置する領域を設けてしまうと、無駄な領域が生じ、パネルサイズが大きくなってしまい、ガラス基板からの収率が低下してコストの増大を招くという問題があった。
【0008】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、小型の液晶表示装置を収率良く、かつ、歩留り良く大判のガラス基板から得ることのできる液晶表示装置の製造方法を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明によれば、電極が形成された第1の基板と、前記第1の基板の電極と電気的な接続をとるためのトランスファ形成部が形成された第2の基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置の製造方法であって、前記第1の基板が形成される第1の基板形成領域が前記電極を有してマトリクス状に二次元配置された第1の基板母材と、前記第2の基板が形成される第2の基板形成領域が前記トランスファ形成部を有し、前記トランスファ形成部が形成されている面に、前記液晶の状態を変調させるための電極を有する表示部と、前記表示部を駆動するための駆動信号を発生させる駆動回路部と、前記駆動回路部から前記表示部に前記駆動信号を伝送する、前記第2の基板形成領域の周辺部に沿って引き回された配線部とを有してマトリクス状に二次元配置された第2の基板母材とを、前記第1の基板形成領域と前記第2の基板形成領域とが対向するように各形成領域毎にシール材でシールして貼り合わせることによって、第1の方向および第2の方向に二次元配置された、前記第1の基板形成領域と前記第2の基板形成領域とが前記シール材で張り合わされたセルを形成し、前記第1の基板母材と前記第2の基板母材とを、前記第1の方向および前記第2の方向に設定される分断ラインに沿って分断することによって前記セルを個々に分離して複数の液晶表示装置を製造する製造方法において、前記第1の方向に隣接し合う2つの前記第2の基板形成領域のトランスファ形成部と前記配線部とが、前記隣接し合う2つの第2の基板形成領域の間の前記第2の方向の分断ラインを通り前記第2の基板母材の主面に直交する面に関して対称に形成されていることを特徴とする液晶表示装置の製造方法、が提供される。
【0010】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
〔第1の実施の形態〕
図1(a)は、本発明の第1の実施の形態に係る製造方法に用いる、TFT基板が形成されるTFT基板形成領域がレイアウトされた大判のガラス基板(以下、「TFT基板母材」という)101の平面図である、図1(b)は、図1(a)の任意の1つのTFT基板形成領域103の拡大平面図である。ここで、TFT基板形成領域103の両側面に直交する方向をx方向(x軸)、TFT基板母材101の表面に平行でx方向に直交する方向をy方向(y軸)とする。全ての実施の形態において、座標軸は、このように定義される。
【0011】
図1(a)に示すように、TFT基板母材101上には、複数のTFT基板形成領域103がx方向およびy方向にマトリクス状に二次元配置されている。y方向に隣接し合うTFT基板形成領域103の間には、所定の間隔が置かれている。また、x方向には、TFT基板形成領域103は、互いの間に間隔を置かずに隣接して配置されている。このTFT基板母材101上に形成されるTFT基板形成領域103は、図1(b)に示すように、x方向およびy方向にマトリクス状に配置された画素電極、行電極、列電極、TFT等(いずれも図示せず)を備えた表示部104と、表示部104を駆動するための駆動信号を発生させる駆動回路部105と、駆動回路部105から表示部104に駆動信号を伝送する配線部106と、TFT基板母材101に対向して配置される対向基板母材上の対向電極(共通電極)との電気的接続をとるためのトランスファ形成部107と、外部電源および信号源を駆動回路部105およびトランスファ形成部107に接続するための外部接続端子108と、を有している。駆動回路部105と配線部106、および、配線部106と表示部104の間には、それらを接続する接続線(図示せず)が形成されている。表示部104に形成されている各画素電極は、駆動回路部105から送られる信号によってスイッチング駆動される。なお、駆動回路部105や配線部106は模式的に示した図であって、実際には細い配線や回路素子が多数形成されている。また、対向基板母材には、対向基板が形成される対向基板形成領域がマトリクス状に二次元配置されており、対向基板形成領域には対向電極が形成されている。
【0012】
図2は、図1(a)のA部の拡大平面図である。図2において、図1(a)、(b)と同じ構成要素には等しい参照符号が付されている。トランスファ形成部107は、x方向に隣接し合う2つのTFT基板形成領域103間で、yTFT分断設定ライン114y’を通りTFT基板母材の主面と直交する面に関して対称に形成される。ここで、yTFT分断設定ライン114y’とは、TFT基板形成領域103を個片に分離するために設定されるx軸に直交する分断面のTFT基板母材表面と交差するy方向のラインである。図2では、yTFT分断設定ライン114y’は、トランスファ形成部107等の形成されているTFT基板母材表面にのみ印されているが、反対側のTFT基板母材表面と上記のx軸に直交する分断面とが交差するy方向のラインもyTFT分断設定ラインである。同様に、xTFT分断設定ライン114x’は、TFT基板形成領域103を個片に分離するために設定されるy軸に直交する分断面のTFT基板母材表面と交差するx方向のラインである。図2に示されているxTFT分断設定ライン114x’は、外部接続端子108の先端に一致するxTFT分断設定ラインである。対向基板母材にも、同様に、x対向分断設定ラインおよびy対向分断設定ラインが、それぞれ、対向基板形成領域を個片に分離するために設定されるy軸およびx軸に直交する分断面の対向基板母材表面と交差するx方向およびy方向のラインとして、定義される。なお、トランスファ形成部107の形状は円形状としているが、これに限られるものではなく、電気的接続が可能であればどのような形状でもよい。
【0013】
図3(a)は、本実施の形態で製造された液晶表示装置の一部を破断して示す平面図であり、図3(b)は、図3(a)のB−B線に沿う断面図の一部である。図3に示される液晶表示装置109は、図1(a)に示される複数のTFT基板形成領域103がレイアウト形成されたTFT基板母材101から切り出された個々のTFT基板を用いて製造されている。図3において、図1の部分と同等の部分には等しい参照符号を付し重複する説明を適宜省略する。液晶表示装置109は、対向して配置されたTFT基板101Aと対向基板102Aとを有し、TFT基板101Aと対向基板102Aとは、液晶層119を狭持した状態でメインシール111によって接着されている。メインシール111は、シール材の中に所定の径のスペーサが混在されて形成されており、これによって、TFT基板101Aと対向基板102Aとの間に、所定の間隔が保持されている。TFT基板101A側には画素電極を備えた表示部104上に、対向基板102A側には対向電極113上に、それぞれ、配向膜110が形成されている。対向電極113は、トランスファ形成部107上に形成された導電体112によってトランスファ形成部107に電気的に接続されている。そして、メインシール111に形成された開口部から液晶が注入された後、この開口部に紫外線硬化タイプの封孔接着剤が塗布、硬化されることにより封孔部120が形成されている。なお、導電体112のトランスファ形成部107に接する面積のトランスファ形成部107の面積に対する比は、約80〜90%とするのが望ましい。
【0014】
図4は、図3の液晶表示装置の製造工程を説明するためのフローチャートである。図4のフローチャートを用いて、図3の液晶表示装置の製造方法について説明する。
まず、TFT基板母材上にレイアウトされたTFT基板形成領域の表示部および対向基板母材上にレイアウトされた対向基板形成領域の対向電極に配向膜を印刷して形成し(ステップS131、S131’)、次いで、配向膜のラビングを行う(ステップS132、S132’)。次に、各TFT基板形成領域の表示部を囲んでメインシールを形成する(ステップS133)。メインシールには、液晶注入用の抜き部が形成されている。メインシール材には熱硬化タイプ、紫外線硬化タイプ等、その硬化タイプを問わずに用い得るが、それらのメインシール材には、所定の径のスペーサが混在されている。次に、導電体をトランスファ形成部の上に形成する(ステップS134)。導電体は、トランスファ形成部との面積比が形成時には約50%であり、表示装置完成後には約80〜90%となるように形成されるのが望ましい。また、導電体を形成する導電材としてはAgペーストが一般的であるが、導電接合できるものであればこれに限られず、他にAu粒子、Au被膜つき球状スペーサを混入させた紫外線硬化接着剤、なども用いることができる。また、このときのメインシールや導電体形成方法としては、印刷法、ディスペンス法等、いずれの場合においても問題なく作業を行うことができ、具体的な作業方法には限定されない。図5は、ステップS134の工程直後における、TFT基板母材上に、隣接して形成されている2つのTFT基板形成領域のトランスファ形成部周辺の平面図である。図5において、図2、図3の部分と同等の部分には等しい参照符号を付し重複する説明を適宜省略する。トランスファ形成部107に塗布された導電体112は、yTFT分断設定ライン114y’を通りTFT基板母材の主面に直交する面に関して対称に配置形成されている。
【0015】
次に、TFT基板母材と対向基板母材とを、互いに配向膜が向き合うように重ね合わせ、メインシール111を硬化させることにより両者を貼り合わせる(ステップS135)。メインシール材に所定の径のスペーサが混在されているので、各TFT基板形成領域と対向基板形成領域との間には所定の間隔が保持される。図6は、ステップS135の工程後に、図1(a)のTFT基板母材101の上に対向基板母材102が貼り合わされている状態を示している。図1(a)の各TFT基板形成領域103の位置に、液晶表示装置用の空セル103Aが形成されている。114x’−1〜6、114y’−1〜5、115x’−1〜6、115y’−1〜5は、それぞれ、TFT基板母材101のxTFT分断設定ライン、yTFT分断設定ライン、対向基板母材102のx対向分断設定ライン、y対向分断設定ラインである。yTFT分断設定ライン114y’−1〜5、y対向分断設定ライン115y’−1〜5はともに、空セルの側面境界に沿っている。xTFT分断設定ライン114x’−1〜6は、空セルの上端、下端に沿っている。一方、x対向分断設定ライン115x’−2、4、6は、対応するxTFT分断設定ラインに重なっているが、x対向分断設定ライン115x’−1、3、5は、対応するxTFT分断設定ラインよりも、外部接続端子分だけy方向マイナスの位置にある。
【0016】
次に、TFT基板母材101の、対向基板と対向する面と反対側の面のxTFT分断設定ライン、yTFT分断設定ラインに、それぞれ、xTFTスクライブライン、yTFTスクライブラインを刻設後、ブレイクして分断面を形成する。図7は、TFT基板母材にyTFTスクライブラインからクラックを進行させて分断面を形成し終わった後における、図6のx方向に隣接し合う2つの空セルのトランスファ形成部の中心を結ぶ線に沿う断面図の一部である。図7において、図5、図6の部分と同等の部分には等しい参照符号を付し重複する説明を適宜省略する。図5のトランスファ形成部107の上に形成された導電体112に、対向基板母材102のトランスファ形成部対向電極113aが接続されて、図7の空セルが形成されている。トランスファ形成部対向電極113aは、TFT基板母材101の表示部に対向する対向基板母材102の対向電極に電気的に接続されている。yTFTスクライブライン114yは、図6のyTFT分断設定ライン114y’−1〜5のなかの1つに形成されたTFT基板母材101のy方向のスクライブラインである。yTFTスクライブライン114yを通りTFT基板母材101の主面に直交する面に関して、隣接し合う2つの空セルのトランスファ形成部107、トランスファ形成部107に塗布されている導電体112、および、配線部106は、それぞれ、対称に形成されている。したがって、TFT基板母材101に働く応力は、応力線118に示されるように、yTFTスクライブライン114yを通ってTFT基板母材101の主面に直交する面に関して対称となる。したがって、yTFTスクライブライン114が形成されたyTFT分断設定ラインに対応する、対向基板母材102のy方向の分断設定ラインであるy対向分断設定ライン115y’付近に衝撃を与えると、yTFTスクライブライン114yからクラックが進行することによって生じるyTFT分断面116yは、応力線118に直交して形成されるから、TFT基板101の主面に対しても直交して形成される。したがって、yTFT分断面116yの、配線部106が形成されているTFT基板101の表面における端部が、配線部106に及ぶことはない。同様に、x対向分断設定ライン115x’−1〜6、y対向分断設定ライン115y’−1〜5にもスクライブラインを刻設後、各スクライブラインをブレイクして分断することによって、図6に示される各空セル103Aを個片化する(ステップS136)。なお、ステップS133で形成されたメインシールの抜き部は、xTFT分断設定ライン114x−2、4、6にその先端を出しており、各空セルを個片化した後で液晶の注入口になるが、xTFT分断設定ライン間にはダミースペースが設けられているので、抜き部の先端がyTFT分断設定ライン114x−2、4、6を十分越えるように抜き部を形成することによって,xTFT分断面が多少、TFT基板母材の主面に対して直角よりも傾いたとしても、注入口の先端がxTFT分断面に達せずに、空セルの内部に形成されるということがない。
【0017】
続いて、個片に分離された空セル103Aのメインシール111に形成された開口部より液晶を注入し(ステップS137)、この開口部に紫外線硬化タイプの封孔接着剤を塗布、硬化することにより封孔部を形成して本実施の形態の製造工程を完了し、図3に示される液晶表示装置109が得られる。
【0018】
ところで、本実施の形態におけるような、基板母材にレイアウトされた複数の空セルを用いて作製するタイプの小型の液晶表示装置においては、パネルの外形サイズを小さくし、かつ基板母材からの収率を高めることが求められており、配線部や駆動回路、トランスファ形成部の設計エリアの制約が大きくなっている。そのため、配線部やトランスファ形成部を分断設定ラインの近傍に配置した上で、駆動回路の設計エリアを確保する必要がある。本実施の形態においては、図5に示す距離t1、即ち、配線部106のyTFT分断設定ライン114y’側の端部とyTFT分断設定ライン114y’との距離を、例えば、0.3mmとした。また、トランスファ形成部は、電気的接続の信頼性確保の観点から通常一定程度の面積を必要とする。一方、トランスファ形成部を配置する場所は、パネル端部近傍が望ましい。この2つの要求を満足させるために、本実施の形態においては、図5に示すように、x方向において配線部106の駆動回路部105に隣接する部分を、その駆動回路部105側の端部が、他の部分の端部よりも、yTFT分断設定ライン114y’に近くなるように形成し、かつ、配線部106と駆動回路部105との間に一定程度の面積を設けて、ここにトランスファ形成部107を形成した。このような配置にすることによって、トランスファ形成部107に一定程度の面積を設けながら、y分断設定ライン114y’からトランスファ形成部107のyTFT分断設定ライン114y’側の端部までの距離t2を0.5mmと、非常に短い寸法に設定することができた。
【0019】
このように、トランスファ形成部や配線部が密にレイアウトされ、また分断設定ライン(図6におけるyTFT分断設定ライン114y’−1〜5)近傍に形成されている場合、トランスファ形成部に塗布される導電体による応力のバランスがとれていないと、TFT基板母材及び対向基板母材を分断して各空セルを個片に分離する際に、TFT基板母材の分断面がTFT基板の主面に直交せずに大きく傾斜した状態となり、配線部に欠けが生じて液晶表示装置の動作が不良になってしまうという問題が生じる。
【0020】
ところが、本実施の形態においては、上述のように、隣接し合う2つの空セルのトランスファ形成部および導電体がyTFTスクライブラインを通りTFT基板母材の主面に直交する面に関して対称に形成されているので、TFT基板母材に働く応力もyTFTスクライブラインを通りTFT基板母材の主面に直交する面に関して対称となり、yTFT分断面は、TFT基板の主面に対して直交して形成され、その端部が配線部に及ぶことはない。したがって、配線部をyTFTスクライブライン間近に形成しても、配線部に欠損が生じることなく、良好な液晶表示装置を得ることができる。
【0021】
なお本実施の形態で設定した、配線部の端部とyTFT分断設定ラインとの距離t1=0.3mm、および、y分断設定ラインからトランスファ形成部の端部までの距離t2=0.5mmという寸法は一例であって、配線部が欠損しない寸法であれば他の寸法であってもよい。
【0022】
なお、TFT基板母材と対向基板母材との間の間隔を所定の大きさに保持するために、TFT基板母材と対向基板母材との間にスペーサを配置してもよい。この場合、シール材はスペーサが混入されていないものにされることも可能である。また、トランスファ形成部は、x方向に隣接し合う2つのTFT基板形成領域間で必ずしも完全に同一形状でなくてもよく、yTFT分断設定ライン114y’を通りTFT基板母材の主面と直交する面の近傍で、その面に関して対称に形成されていればよい。特に、トランスファ形成部のyTFT分断設定ライン114y’側の端とyTFT分断設定ライン114y’との間の距離が等しいことが重要である。
【0023】
〔比較例〕
図8は、比較例に係る液晶表示装置の製造方法の一工程においてTFT基板母材上に二次元的に形成された空セルのトランスファ形成部の中心を結ぶ線に沿う断面図の一部である。図8において、図7の部分と同等の部分には下2桁が等しい参照符号を付し重複する説明を適宜省略する。本比較例が図7に示した第1の実施の形態と異なる点は、隣接する2つの空セル703Aの間にダミーパターン723が形成され、yTFTスクライブライン714yが、空セル703Aとダミーパターン723との境界に形成されるという点である。第1の実施の形態において述べたように、導電体712は導通信頼性の確保等の理由によりある程度大きなサイズが必要であり、また材料としてはエポキシ系の導電接着剤が用いられることが多く、これによってTFT基板母材701に大きな応力を発生させる。したがって、TFT基板母材701に発生する応力は、応力線718のように、yTFTスクライブライン714yを通りTFT基板母材の主面に直交する面に関して対称とならない。このため、対向基板母材702のy対向分断設定ライン715y’付近にブレイク装置で衝撃を加えてyTFTスクライブライン714yからクラックを進行させてTFT基板母材を分断すると、図8に示すように、yTFT分断面716yは、TFT基板701の主面に対して斜めに形成され、配線部706の形成されているTFT基板母材701の表面での端部が配線部706の内部領域に及んでしまうのが、しばしば観察された。
【0024】
図9は、二次元的に配置された空セルから個々の空セルに分離された後のTFT基板表面の平面図の一部である。図9において、図3の部分と同等の部分には下2桁が等しい参照符号を付している。上述のように、yTFT分断面の上端部が配線部706の内部領域に入り込んでしまう結果、配線部706に配線部の欠け724が生じ、その結果できた液晶表示装置は動作不良となってしまった。
【0025】
図10は、比較例と第1の実施の形態とにおける配線部の欠け発生の有無を、トランスファ形成部とyスクライブラインとの距離、および、配線部とyスクライブラインとの距離の関数として示している。トランスファ形成部には導電体が塗布されている。比較例の場合には、配線部のyスクライブライン側の端部とyスクライブラインとの距離を0.5mm未満にすると、トランスファ形成部のyスクライブライン側の端部とyスクライブラインとの距離の如何に関わらず、配線部の欠けの存在しない空セルは得られなかった。また、トランスファ形成部のyスクライブライン側の端部とyスクライブラインとの距離を0.5mm以下にすると、配線部とyスクライブラインとの距離の如何に関わらず、配線部の欠けの存在しない空セルは得られなかった。それに反して、第1の実施の形態の場合には、測定した全ての場合(t1=0.2〜0.5mm、t2=0.5〜1.0mm)において、配線部の欠けは発生しなかった。
【0026】
以上の結果は、第1の実施の形態の製造方法の、配線部の欠け防止に対する有効性を明白に示している。したがって、第1の実施の形態の製造方法は、一枚の基板から得られる液晶表示装置の収率を高くすることができるとともに、歩留りよく液晶表示装置を製造することができ、したがって、コストを低減することができるという効果を有する。
【0027】
〔第2の実施の形態〕
図11は、本発明の第2の実施の形態の製造方法を説明するためのフローチャートである。本実施の形態の製造方法で製造される液晶表示装置の構造は、図3の第1の実施の形態の製造方法で製造される液晶表示装置と同様である。図11のフローチャートを用いて、本実施の形態の製造方法を説明する。
【0028】
ステップS231(S231’)〜S235のフローは、第1の実施の形態のステップS131(S131’)〜S135のフローと同様である。次に、TFT基板母材にxTFTスクライブラインを刻設後、ブレイクしてTFT基板母材をx方向に分断する。続いて対向基板母材にx対向スクライブラインを刻設後、ブレイクして対向基板母材をx方向に分断して、x方向に1列にアレイ状に並んだ空セルに短冊化する(ステップS236)。そして、短冊に分離されたアレイ状の空セルのメインシールの開口部より一括して液晶を注入し(ステップS237)、その後、この開口部に紫外線硬化タイプの封孔接着剤を塗布、硬化することにより封孔部を形成して、短冊状の液晶が注入されたセルアレイを得る(ステップS238)。続いて、短冊状の液晶が注入されたセルアレイのTFT基板母材にyTFTスクライブラインを刻設し、ブレイクしてTFT基板母材をy方向に分断する。さらに対向基板母材にy対向スクライブラインを刻設し、ブレイクして対向基板母材をy方向に分断して、短冊状の液晶が注入されたセルアレイを個片化することによって複数の液晶表示装置を得て(ステップS239)、本実施の形態の製造工程を完了する。
【0029】
本実施の形態に係る製造方法は、第1の実施の形態に係る製造方法と同様に、隣接し合う2つの空セルのトランスファ形成部およびその上に塗布形成される導電体を、yTFT分断設定ラインを通りTFT基板母材の主面に直交する面に関して対称に配置するものであるので、第1の実施の形態と同等の効果を有する。さらに、例えば各空セルの表示部が2インチサイズであれば、面積300mm×350mmの基板母材に42個程度の空セルをレイアウトすることができるが、本実施の形態に係る製造方法は、短冊状態の空セルに一括して液晶注入と封孔を行うものであるから、このように多数個の空セルがレイアウトされている場合に特に作業効率がよくなるという効果も有する。もちろん、この個数は一例であって、液晶表示装置のサイズや基板母材のサイズによって自由にレイアウトすることが可能である。
【0030】
〔第3の実施の形態〕
図12は、本発明の第3の実施の形態に係る製造方法の一工程においてTFT基板母材上に形成された2つの隣接し合うTFT基板形成領域のトランスファ形成部付近の平面図である。図12において、図5の部分と同等の部分には下2桁が等しい参照符号を付し重複する説明を適宜省略する。本実施の形態が図5に示した第1の実施の形態と異なる点は、配線部306が、直線状ではなく、駆動回路部305にx方向において隣接する部分に駆動回路部305の方に引っ込んだ箇所が存在し、その引っ込んだ箇所にトランスファ形成部307が形成されているという点である。隣接し合う2つのTFT基板形成領域のトランスファ形成部307、その上に形成される導電体312および配線部306は、yTFT分断設定ライン314y’を通りTFT基板母材の主面に直交する面に関して対称である。
【0031】
この構造においては、トランスファ形成部307とyTFT分断設定ライン314y’との間に配線部306が存在しないので、図5の第1の実施の形態の構造よりも、トランスファ形成部307を、よりyTFT分断設定ライン314y’ 即ちTFT基板形成領域の端部に近い位置に配置することが可能である。例えば、トランスファ形成部307のyTFT分断設定ライン314y’側の端部とyTFT分断設定ライン314y’との距離を0.3mm以下とすることが可能である。この場合、トランスファ形成部307を、如何様にyTFT分断設定ライン314y’に近づけても、配線部306に欠けが生じることはない。もちろん、トランスファ形成部307のyTFT分断設定ライン314y’側の端部とyTFT分断設定ライン314y’との距離を0.3mm以上としても、配線部306に欠けが生じることはない。
【0032】
本実施の形態に係る製造方法は、第1の実施の形態あるいは第2の実施の形態に係る製造方法と同様である。
本実施の形態に係る製造方法が、第1の実施の形態、第2の実施の形態に係る製造方法と同等の効果を有することは明白である。
【0033】
〔第4の実施の形態〕
図13は、本発明の第4の実施の形態に係る製造方法の一工程においてTFT基板母材上に形成された2つの隣接し合うTFT基板形成領域のトランスファ形成部付近の平面図である。図13において、図5の部分と同等の部分には下2桁が等しい参照符号を付し重複する説明を適宜省略する。本実施の形態が図5に示した第1の実施の形態と異なる点は、接着剤に導電性粒子を混在させた導電性粒子入り接着剤が、隣接し合う2つのTFT基板形成領域のトランスファ形成部407をつないで、yTFT分断設定ライン414y’を通りTFT基板母材の主面に直交する面に関して対称にライン状に塗布されているという点である。このとき、配線部406内の配線が電気的な短絡を起こすことを防止するために、導電体412が交差する部分の配線部406の上に、絶縁膜421が形成されている。
【0034】
次に、本実施の形態の製造方法について説明する。まず、第1の実施の形態のステップS131(S131’)〜S133と同様の工程を行う。次いで、図13に示すように、yTFT分断設定ライン414y’ を通りTFT基板母材の主面に直交する面に関して対称に隣接し合う2つのトランスファ形成部407をつなぐように導電性粒子入り接着剤よりなる導電体412を、同様に、yTFT分断設定ライン414y’ を通りTFT基板母材の主面に直交する面に関して対称にライン状に塗布する。導電体412が交差する部分の配線部406の上には、あらかじめ絶縁膜421が形成されている。このとき、導電体412は、トランスファ形成部407の面積の少なくとも70%をカバーするように塗布される。また、本実施の形態の場合には、この接着剤に混在させる導電性粒子として、Au被膜つき球状スペーサ(積水化学工業社製:ミクロパールAUL)を用いた。
【0035】
次に、TFT基板母材と対向基板母材とを、配向膜の形成された面同士が向き合うように重ね合わせ、メインシールを硬化させることにより貼り合わせる。図14は、この工程後において、隣接し合う2つの空セルのトランスファ形成部の中心を結ぶ線に沿う断面図の一部である。図14において、図7の部分と同等の部分には下2桁が等しい参照符号を付し重複する説明を適宜省略する。TFT基板母材401のトランスファ形成部407と対向基板母材402のトランスファ形成部対向電極413aとの間には、接着剤412aに導電性粒子412bを混在させた導電性粒子入り接着剤よりなる導電体412が充填されている。導電性粒子412bとして用いたAu被膜つき球状スペーサは弾性をもつため、TFT基板母材401のトランスファ形成部407と対向基板母材402のトランスファ形成部対向電極413aとの電気的接続を良好に保つことができる。Au被膜つき球状スペーサの径は、液晶表示装置を組立てる際のTFT基板母材401と対向基板母材402とのギャップに鑑みて設定するのが適切であり、本実施の形態では、8.0μmのものを用いた。もちろん、この数値は一例であって、表示部404の構成及びトランスファ形成部407の構成によって自由に径を選択することが可能である。また、導電性粒子412bとしてはAu被膜つき球状スペーサに限定されるものではなく、導電性被膜をコーティングした粒子であれば自由に用いることができる。配線部406の上にも導電体412が形成されるが、配線部406と導電体412との間に絶縁膜421が存在するため、配線部406内の配線が電気的に短絡することはない。両トランスファ形成部407の間には導電性粒子入り接着剤412が存在するから、その下のyTFT分断設定ライン414y’近傍のTFT基板母材401には、図14の応力線418に示されるように、x方向にほぼ一様な応力がyTFT分断設定ライン414y’を通りTFT基板母材の主面と直交する面に対称に形成される。
【0036】
この後、図4の第1の実施の形態のステップS136〜S138または図11の第2の実施の形態のステップS236〜S239と同様の工程を行って、本実施の形態の製造工程を完了する。図14のyTFT分断設定ライン414y’にyTFTスクライブラインを刻設後、ブレイクしてTFT基板母材を分断する際に、yTFT分断設定ライン414y’の近傍のTFT基板母材401に、x方向にほぼ一様な応力がyTFT分断設定ライン414y’を通りTFT基板母材の主面と直交する面に対称に形成されるので、yTFT分断設定ライン414y’からクラックが進行して形成される分断面は、TFT基板母材401の主面に垂直に形成される。したがって、TFT基板母材401の配線部406が形成されている表面における分断面の端部が配線部406に及ぶことはない。なお、図14で、yTFT分断設定ライン414y’、y対向分断設定ライン415y’は、スクライブラインが形成される面にのみ記されている。以下の実施例においても、同様である。
【0037】
本実施の形態に係る製造方法が、第1の実施の形態、第2の実施の形態に係る製造方法と同等の効果を有することは明白である。
【0038】
〔第5の実施の形態〕
図15は、本発明の第5の実施の形態に係る製造方法の一工程においてTFT基板母材上に形成された2つの隣接し合うTFT基板形成領域のトランスファ形成部付近の平面図である。図15において、図12の部分と同等の部分には下2桁が等しい参照符号を付し重複する説明を適宜省略する。本実施の形態が図12に示した第3の実施の形態と異なる点は、第4の実施の形態と同様に、隣接し合う2つのTFT基板形成領域のトランスファ形成部507をつないで、導電性粒子入り接着剤よりなる導電体512が、yTFT分断設定ライン514y’を通りTFT基板母材の主面に直交する面に関して対称に塗布されているという点である。
【0039】
図16は、図15の複数のTFT基板形成領域が形成されたTFT基板母材に対向基板母材を、配向膜の形成された面同士が向き合うように重ね合わせ、メインシールを硬化させることにより貼り合わせたときの、隣接し合う2つの空セルのトランスファ形成部の中心を結ぶ線に沿う断面図である。図16において、図14の部分と同等の部分には下2桁が等しい参照符号を付し重複する説明を適宜省略する。本実施の形態の場合にも、図14に示す第4の実施の形態の場合と同様に、yTFT分断設定ライン514y’の近傍のTFT基板母材501に、応力線518に示すように、x方向にほぼ一様な応力がyTFT分断設定ライン514y’を通りTFT基板母材501の主面と直交する面に対称に形成されるので、yTFT分断設定ライン514y’にyTFTスクライブラインを刻設後ブレイクした際に、分断面は、TFT基板母材501の主面に垂直に形成される。
【0040】
本実施の形態に係る製造方法が、第4の実施の形態と同様に、第1の実施の形態、第2の実施の形態に係る製造方法と同等の効果を有することは明白である。
【0041】
〔第6の実施の形態〕
図17は、本発明の第6の実施の形態に係る製造方法に用いるTFT基板母材上に形成された複数のTFT基板形成領域のうちの1つの平面図である。図17において、図1(b)の部分と同等の部分には下2桁が等しい参照符号を付し重複する説明を適宜省略する。本実施の形態が図1(b)の第1の実施の形態と異なる点は、トランスファ形成部622が、配線部606と表示部604との間に線状に形成されている点である。
【0042】
図18(a)は、本実施の形態で製造された液晶表示装置の一部を破断して示す平面図であり、図18(b)は、図18(a)のG−G線に沿う断面図の一部である。図18において、図3の部分と同等の部分には下2桁が等しい参照符号を付し重複する説明を適宜省略する。本実施の形態が図3の第1の実施の形態と異なる点は、メインシール611が、シール材611aに導電性粒子611bを混在させた導電性粒子入りのメインシールであって、TFT基板601Aのトランスファ形成部622と対向基板602Aの対抗電極613とを接着させているという点である。なお、配線部606とメインシール611とが重なり合う部分には、その間に絶縁層(図示せず)が形成されている。また、配線部606とメインシール611とは、重なり合わないようにずらして形成されてもよい。
【0043】
図19は、図18の液晶表示装置609の製造方法を説明するためのフローチャートである。図19のフローチャートを用いて、図18の液晶表示装置609の製造方法について説明する。
まず、第1の実施の形態と同様に、図17に示されるTFT基板形成領域がマトリクス状に二次元配置されたTFT基板母材および対向基板形成領域がマトリクス状に二次元配置された対向基板母材に配向膜を印刷して形成し(ステップS631、S631’)、次いで、配向膜のラビングを行う(ステップS632、S632’)。次に、図20に示すように、隣接し合う2つのTFT基板形成領域に、トランスファ形成部622とオーバーラップしながら、yTFT分断設定ライン614y’を通りTFT基板母材の主面に直交する面に関して対称になるように、シール材に導電性粒子を混在させた導電性粒子入りのメインシール611を形成させる(ステップS633)。図20において、図17の部分と同等の部分には等しい参照符号を付し重複する説明を適宜省略する。このとき、導電性粒子入りのメインシール611は、トランスファ形成部622の少なくとも70%をカバーするようにすることが望ましい。導電性粒子としては、第4の実施の形態で用いたAu被膜つき球状スペーサを用いたが、これに限られるものではない。
【0044】
次に、図20の複数のTFT基板形成領域が形成されたTFT基板母材601に対向基板母材を、配向膜の形成された面同士が向き合うように重ね合わせ、メインシール611を硬化させることにより貼り合わせる(ステップS634)。図21は、ステップS634の工程後の、隣接し合う2つの空セルの境界近傍の表示部を通ってx軸に平行な断面図の一部である。図21において、図20、図18の部分と同等の部分には等しい参照符号を付し重複する説明を適宜省略する。シール材611aに混入された導電性粒子611bが、TFT基板母材601のトランスファ形成部622と対向基板母材602の対向電極613との電気的接続を良好に保っている。導電性粒子入りのメインシール611の形成方法としては、印刷法、ディスペンス法等、いずれの場合においても問題なく作業を行うことができ、具体的な作業方法には限定されない。導電性粒子入りのメインシール611が、トランスファ形成部622の上には存在し、トランスファ形成部622間には存在しないから、それらの下にあるTFT基板母材401の部分には、図21の応力線618に示されるように、yTFT分断設定ライン614y’を通ってTFT基板母材601の主面に直交する面に関して対称な応力が印加される。
【0045】
この後、図4の第1の実施の形態のステップS136〜S138と同様に、ステップS635〜S637の工程を行って、本実施の形態の製造工程を完了する。図21のyTFT分断設定ライン614y’にyTFTスクライブラインを刻設後、分断する際に、yTFT分断設定ライン614y’の近傍のTFT基板母材401には、yTFT分断設定ライン614y’ を通ってTFT基板母材601の主面に直交する面に関して対称な応力が印加されているので、yTFT分断面は、TFT基板母材401の主面に直交して形成される。したがって、yTFT分断面のTFT基板母材401の表面における端部が配線部606に及ぶことはない。
【0046】
なお、ステップS635〜S637の工程は、図11の第2の実施の形態のステップS236〜S239のように、短冊状の空セルアレイを作製し、それらの空セルアレイに液晶を注入してから封孔し、個片に分断するように変更されてもよい。また、トランスファ形成部622は、yTFT分断設定ラインに平行に形成されたが、駆動回路部の下部にメインシールに覆われるように、yTFT分断設定ラインに直交するように形成されてもよい。
【0047】
本実施の形態に係る製造方法が、第1の実施の形態、第2の実施の形態に係る製造方法と同等の効果を有することは明白である。
【0048】
以上、本発明をその好適な実施の形態に基づいて説明したが、本発明の液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置は、上述した実施の形態のみに制限されるものではなく、本願発明の要旨を変更しない範囲で種々の変化を施した液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置も、本発明の範囲に含まれる。例えば、本願の製造方法で製造される液晶表示装置は、アクティブマトリクス方式の液晶表示装置に限られることはなく、スタティック駆動方式の液晶表示装置等、片側の基板の電極が共通電極となるパネルであればよい。また、画素を駆動する素子は、TFTに限られることなく、MIM(Metal Insulator Metal)素子、ダイオード等、画素を駆動できる素子であれば、いずれであってもよい。
【0049】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、隣接し合う2つの空セルのトランスファ形成部やトランスファ形成部と対向電極との導通をとるために形成される導電体を、分断設定ラインを通りTFT基板母材の主面に直交する面に関して対称に配置形成して、トランスファ形成部や導電体によって生じる基板内の応力を、分断設定ラインを通りTFT基板母材の主面に直交する面に関して対称にするものであるから、トランスファ形成部や配線部を分断設定ラインの極く近傍に配置した場合でも、空セルを個々に分離する際に配線部の欠損を生じることがなく、一枚の基板から得られる液晶表示装置の収率を高くするとともに、歩留りよく液晶表示装置を製造することができ、コストを低減することを可能にする。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施の形態に係る製造方法に用いるTFT基板母材の平面図〔(a)〕と、TFT基板形成領域の平面図〔(b)〕。
【図2】 図1のA部の拡大平面図。
【図3】 本発明の第1の実施の形態に係る製造方法による液晶表示装置の平面図〔(a)〕と、B−B線に沿う断面図〔(b)〕。
【図4】 本発明の第1の実施の形態に係る製造方法を説明するためのフローチャート。
【図5】 本発明の第1の実施の形態に係る製造方法の一工程における隣接する2つのTFT基板形成領域の平面図の一部。
【図6】 本発明の第1の実施の形態に係る製造方法における分断設定ラインを説明するための平面図。
【図7】 本発明の第1の実施の形態に係る製造方法の他の一工程における隣接する2つの空セルの断面図。
【図8】 比較例に係る製造方法の一工程における隣接する2つの空セルの断面図。
【図9】 図8の空セルを個々に分断した後のTFT基板形成領域の平面図。
【図10】 本発明の第1の実施の形態と比較例とにおける配線部の欠け発生の有無を表として示した図。
【図11】 本発明の第2の実施の形態に係る製造方法を説明するためのフローチャート。
【図12】 本発明の第3の実施の形態に係る製造方法の一工程における隣接する2つのTFT基板形成領域の平面図の一部。
【図13】 本発明の第4の実施の形態に係る製造方法の一工程における隣接する2つのTFT基板形成領域の平面図の一部。
【図14】 本発明の第4の実施の形態に係る製造方法の他の一工程における隣接する2つの空セルの断面図の一部。
【図15】 本発明の第5の実施の形態に係る製造方法の一工程における隣接する2つのTFT基板形成領域の平面図の一部。
【図16】 本発明の第5の実施の形態に係る製造方法の他の一工程における隣接する2つの空セルの断面図の一部。
【図17】 本発明の第6の実施の形態に係る製造方法に用いるTFT基板母材上のTFT基板形成領域のうちの1つの平面図。
【図18】 本発明の第6の実施の形態に係る製造方法による液晶表示装置の平面図〔(a)〕と、G−G線に沿う断面図〔(b)〕。
【図19】 本発明の第6の実施の形態に係る製造方法を説明するためのフローチャート。
【図20】 本発明の第6の実施の形態に係る製造方法の一工程における隣接する2つのTFT基板形成領域の平面図の一部。
【図21】 本発明の第6の実施の形態に係る製造方法の他の一工程における隣接する2つの空セルの断面図の一部。
【図22】 従来技術に係る空セルアレイの平面図〔(a)〕と、X−X線に沿う断面図〔(b)〕と、Y−Y線に沿う拡大平面図〔(c)〕。
【符号の説明】
101、401、501、601 TFT基板母材
101A、601A TFT基板
102、402、502、602 対向基板母材
102A、602A 対向基板
103、603 TFT基板形成領域
104、304、404、504、604 表示部
105、305、405、505、605 駆動回路部
106、306、406、506、606 配線部
107、307、407、507、622 トランスファ形成部
108、308、408、508、608 外部接続端子
109、609 液晶表示装置
110、610 配向膜
111、311、411、511、611 メインシール
112、312、412、512 導電体
113、613 対向電極
113a、413a、513a トランスファ形成部対向電極
114x’、314x’、414x’、514x’ xTFT分断設定ライン
114y yTFTスクライブライン
114y’、314y’、414y’、514y’ 、614y’ yTFT分断設定ライン
115y’、415y’、515y’ y対向分断設定ライン
116y yTFT分断面
118、418、518、618 応力線
119、619 液晶層
120、620 封孔部
導電性粒子入り接着剤
412a、512a 接着剤
412b、512b、611b 導電性粒子
421 絶縁膜
611a シール材
Claims (15)
- 電極が形成された第1の基板と、前記第1の基板の電極と電気的な接続をとるためのトランスファ形成部が形成された第2の基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置の製造方法であって、前記第1の基板が形成される第1の基板形成領域が前記電極を有してマトリクス状に二次元配置された第1の基板母材と、前記第2の基板が形成される第2の基板形成領域が前記トランスファ形成部を有し、前記トランスファ形成部が形成されている面に、前記液晶の状態を変調させるための電極を有する表示部と、前記表示部を駆動するための駆動信号を発生させる駆動回路部と、前記駆動回路部から前記表示部に前記駆動信号を伝送する、前記第2の基板形成領域の周辺部に沿って引き回された配線部とを有してマトリクス状に二次元配置された第2の基板母材とを、前記第1の基板形成領域と前記第2の基板形成領域とが対向するように各形成領域毎にシール材でシールして貼り合わせることによって、第1の方向および第2の方向に二次元配置された、前記第1の基板形成領域と前記第2の基板形成領域とが前記シール材で張り合わされたセルを形成し、前記第1の基板母材と前記第2の基板母材とを、前記第1の方向および前記第2の方向に設定される分断ラインに沿って分断することによって前記セルを個々に分離して複数の液晶表示装置を製造する製造方法において、前記第1の方向に隣接し合う2つの前記第2の基板形成領域のトランスファ形成部と前記配線部とが、前記隣接し合う2つの第2の基板形成領域の間の前記第2の方向の分断ラインを通り前記第2の基板母材の主面に直交する面に関して対称に形成されていることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1の基板形成領域の電極の上と、前記第2の基板形成領域の前記表示部の上とに液晶配向膜を形成する工程と、前記液晶配向膜をラビングする工程と、前記表示部を囲む枠状のシール材パターンを、前記シール材により前記第1の方向の分断ラインに少なくとも先端が達する抜き部を有するように形成する工程と、少なくとも前記トランスファ形成部の上に導電体を、前記隣接し合う2つの第2の基板形成領域の間の前記第2の方向の分断ラインを通り前記第2の基板母材の主面に直交する面に関して対称に形成する工程と、前記第1の基板母材と前記第2の基板母材とを、前記液晶配向膜同士が対向し合うように間隔を持って重ね合わせた後、前記シール材を硬化させて貼り合わせることによって、前記第1の方向および第2の方向に二次元配置された前記セルを形成する工程と、を有することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記導電体を形成する導電材が、接着剤に導電性粒子を混在させた導電材であって、前記隣接し合う2つの第2の基板形成領域の前記トランスファ形成部を連結して塗布されることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記接着剤に導電性粒子を混在させた導電材が、前記隣接し合う2つの第2の基板形成領域の配線部を交差して塗布され、該配線部の前記導電体が交差する部分には絶縁層が形成されていることを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記導電体が直線状をしていることを特徴とする請求項3または4に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1の基板形成領域の電極の上と、前記第2の基板形成領域の前記表示部の上とに液晶配向膜を形成する工程と、前記液晶配向膜をラビングする工程と、前記トランスファ形成部の表面に接する前記表示部を囲む枠状のシール材パターンを、導電性粒子を混在させたシール材により前記第1の方向の分断ラインに少なくとも先端が達する抜き部を有するように、前記隣接し合う2つの第2の基板形成領域の間の前記第2の方向の分断ラインを通り前記第2の基板母材の主面に直交する面に関して対称に形成する工程と、前記第1の基板母材と前記第2の基板母材とを、前記液晶配向膜同士が対向し合うように間隔を持って重ね合わせた後、前記シール材を硬化させて貼り合わせることによって、前記第1の方向および第2の方向に二次元配置された前記セルを形成する工程と、を有することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記導電性粒子が、金属被膜を施した球状プラスチック粒子であることを特徴とする請求項3から6のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記導電性粒子が、弾性体であることを特徴とする請求項3から7のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1の基板母材および前記第2の基板母材を、前記第1の方向および前記第2の方向の分断ラインに沿って分断して、前記二次元配置されたセルを個々のセルに分離する工程と、前記個々に分離されたセルの前記抜き部の先端から液晶を注入する工程と、前記抜き部に封止剤を塗布して前記抜き部を封止する工程、とを有することを特徴とする請求項2から8のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1の基板母材および前記第2の基板母材を、前記第1の方向の分断ラインに沿って分断して、前記二次元配置されたセルを、短冊状に一列に配列されたセルに分離する工程と、前記短冊状に一列に配列されたセルの前記抜き部の先端から一括して液晶を注入する工程と、前記抜き部に封止剤を塗布して前記抜き部を封止する工程と、前記液晶を封入された短冊状に一列に配列されたセルを前記第2の方向の分断ラインに沿って分断して個々のセルに分離する工程と、を有することを特徴とする請求項2から8のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1の方向または/および前記第2の方向に分断する方法がスクライブ法であることを特徴とする請求項1から10のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記配線部の前記第2の方向の分断ライン側の端と前記第2の方向の分断ラインとの距離が、0.5mmから0.2mmの間であることを特徴とする請求項1から11のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記トランスファ形成部の前記第2の方向の分断ライン側の端と前記第2の方向の分断ラインとの距離が、1.0mmから0.5mmの間であることを特徴とする請求項12に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記トランスファ形成部の前記第2の方向の分断ライン側の端と前記第2の方向の分断ラインとの距離が、1.0mmから0.3mmの間であることを特徴とする2、3、5、7から11のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記表示部の電極がマトリクス配置された画素電極を有することを特徴とする請求項1から14のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
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