JP4140053B2 - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置の製造方法に関し、特に駆動回路や配線が液晶表示装置の端部の極く近傍に配置されてなる液晶表示装置を歩留り良く得るための液晶表示装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
例えば投射型プロジェクターに用いられる液晶表示装置や、携帯電話等のモバイル機器に用いられる液晶表示装置などは、小型であることが要求されており、通常、大判のガラス基板に多数、二次元的にレイアウトされた空セルを用いて作製されている（例えば、特許文献１参照。）。特にアクティブマトリクス方式の液晶表示装置においては、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等のスイッチング素子の形成されるアクティブマトリクス基板の端部近傍に配線や駆動回路等を配置して収率を向上させるとともに、額縁領域をより狭くする傾向にある。また、外部接続端子と対向電極との導通をとるための導電体が形成されるトランスファ形成部も同様に、アクティブマトリクス基板の端部近傍に配置されるのが一般的である。
【０００３】
この大判のガラス基板に多数レイアウトされた空セルを個々に分断する方法としては、ダイシング法やスクライブ法等があるが、このうちスクライブ法が最も広く用いられている。スクライブ法では、ダイヤモンド等の刃を備えたスクライバでガラス基板の貼り合わせ面ではない面上に、溝、すなわちスクライブラインを形成し、その後ブレイク装置で対向するガラス基板から衝撃を加え、スクライブラインからクラックを進行させて、カットを行っている。
【０００４】
ところが駆動回路、配線、あるいは、トランスファ形成部および導電体、等をスクライブライン間近に配置した場合、導電体や配線等がガラス基板に及ぼす応力の影響によって、分断面がガラス基板の主面に対して垂直に形成されないという問題が生じる場合がある。この場合には、クラックが、駆動回路や配線が形成されているガラス基板表面において駆動回路や配線に及び、その結果、個々に分断された空セルの駆動回路や配線に欠損が生じ、その空セルを用いて作製された液晶表示装置が動作不良になる。
【０００５】
分断面をガラス基板の主面に対して垂直に形成して、上述のような駆動回路や配線の欠損を防止するために、スペーサを利用する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。図２２（ａ）は、そのような従来技術に係る液晶表示装置用の空セルが２個配置されている状態を示す平面図であり、図２２（ｂ）は、図２２（ａ）のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。ＴＦＴが形成されたＴＦＴ基板８０１Ｍと対向基板８０２Ｍとが、シール材８１１を介して貼り合わせられており、ＴＦＴ基板８０１Ｍには、スクライブラインＡＳＬ−１〜６が形成されている。ＴＦＴ基板８０１Ｍと対向基板８０２Ｍとの間には、多数のスペーサ（図示せず）が配置されている。図２２（ｃ）は、図２２（ｂ）のＹ−Ｙ線に沿う拡大平面図である。スクライブラインＡＳＬ−１上及びスクライブラインＡＳＬ−１から紙面左右方向３ｍｍ以内の範囲に、スペーサ８１２が密にかつ均一に形成されている。スクライブラインＡＳＬ−１をＴＦＴ基板８０１Ｍに刻設後、ブレイク装置によって対向基板８０２Ｍに加えられた衝撃が、スペーサ８１２を介してＴＦＴ基板８０１ＭのスクライブラインＡＳＬ−１周辺に均一に伝えられるため、スクライブラインＡＳＬ−１から、ＴＦＴ基板８０１Ｍの主面に直交する分断面が形成される。他のスクライブラインＡＳＬ−２〜６においても、その周辺に同様なスペーサが形成されており、同様に、ＴＦＴ基板８０１Ｍの主面に直交する分断面が形成される。また、対向基板８０２Ｍにも、同様の分断が行なわれる。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００１−８３４９１号公報 （第３〜５頁、図１、２）
【特許文献２】
特許第２９６５９７６号公報 （第８〜１１頁、図５、１３、１４）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上述した特許第２９６５９７６号公報に開示された技術では、同公報に記載のように、スクライブライン上及びスクライブラインから両方向３ｍｍの範囲内に、スペーサが密にかつ均一に形成された領域を必要とし、スペーサを配置するための広い領域が必要である。同公報に開示されている、大判のガラス基板に空セルを二面配置するような大きさの液晶表示装置であれば、広いスペーサ配置領域を設けることが可能であるが、例えばサイズが２インチ程度の小型の液晶表示装置では、小型である優位性を保つために、駆動回路等の設計エリアを狭くする必要がある。すなわち、スクライブライン端部の極く近傍（例えば０．３〜１．０ｍｍ）に配線部、駆動回路、あるいは／およびトランスファ形成部を配置する必要があり、同公報にあるようなスペーサを配置する領域を確保することはできない。十分なスペーサ領域を確保することができない場合には、配線やトランスファ形成部に塗布される導電体からの応力の影響により分断面を垂直に形成することができず、配線部の欠けが生じて液晶表示装置が動作不良となってしまう問題があった。逆に、分断面を垂直に形成するために特許第２９６５９７６号公報に開示されているようなスペーサを配置する領域を設けてしまうと、無駄な領域が生じ、パネルサイズが大きくなってしまい、ガラス基板からの収率が低下してコストの増大を招くという問題があった。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、小型の液晶表示装置を収率良く、かつ、歩留り良く大判のガラス基板から得ることのできる液晶表示装置の製造方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明によれば、電極が形成された第１の基板と、前記第１の基板の電極と電気的な接続をとるためのトランスファ形成部が形成された第２の基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置の製造方法であって、前記第１の基板が形成される第１の基板形成領域が前記電極を有してマトリクス状に二次元配置された第１の基板母材と、前記第２の基板が形成される第２の基板形成領域が前記トランスファ形成部を有し、前記トランスファ形成部が形成されている面に、前記液晶の状態を変調させるための電極を有する表示部と、前記表示部を駆動するための駆動信号を発生させる駆動回路部と、前記駆動回路部から前記表示部に前記駆動信号を伝送する、前記第２の基板形成領域の周辺部に沿って引き回された配線部とを有してマトリクス状に二次元配置された第２の基板母材とを、前記第１の基板形成領域と前記第２の基板形成領域とが対向するように各形成領域毎にシール材でシールして貼り合わせることによって、第１の方向および第２の方向に二次元配置された、前記第１の基板形成領域と前記第２の基板形成領域とが前記シール材で張り合わされたセルを形成し、前記第１の基板母材と前記第２の基板母材とを、前記第１の方向および前記第２の方向に設定される分断ラインに沿って分断することによって前記セルを個々に分離して複数の液晶表示装置を製造する製造方法において、前記第１の方向に隣接し合う２つの前記第２の基板形成領域のトランスファ形成部と前記配線部とが、前記隣接し合う２つの第２の基板形成領域の間の前記第２の方向の分断ラインを通り前記第２の基板母材の主面に直交する面に関して対称に形成されていることを特徴とする液晶表示装置の製造方法、が提供される。
【００１０】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
〔第１の実施の形態〕
図１（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る製造方法に用いる、ＴＦＴ基板が形成されるＴＦＴ基板形成領域がレイアウトされた大判のガラス基板（以下、「ＴＦＴ基板母材」という）１０１の平面図である、図１（ｂ）は、図１（ａ）の任意の１つのＴＦＴ基板形成領域１０３の拡大平面図である。ここで、ＴＦＴ基板形成領域１０３の両側面に直交する方向をｘ方向（ｘ軸）、ＴＦＴ基板母材１０１の表面に平行でｘ方向に直交する方向をｙ方向（ｙ軸）とする。全ての実施の形態において、座標軸は、このように定義される。
【００１１】
図１（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板母材１０１上には、複数のＴＦＴ基板形成領域１０３がｘ方向およびｙ方向にマトリクス状に二次元配置されている。ｙ方向に隣接し合うＴＦＴ基板形成領域１０３の間には、所定の間隔が置かれている。また、ｘ方向には、ＴＦＴ基板形成領域１０３は、互いの間に間隔を置かずに隣接して配置されている。このＴＦＴ基板母材１０１上に形成されるＴＦＴ基板形成領域１０３は、図１（ｂ）に示すように、ｘ方向およびｙ方向にマトリクス状に配置された画素電極、行電極、列電極、ＴＦＴ等（いずれも図示せず）を備えた表示部１０４と、表示部１０４を駆動するための駆動信号を発生させる駆動回路部１０５と、駆動回路部１０５から表示部１０４に駆動信号を伝送する配線部１０６と、ＴＦＴ基板母材１０１に対向して配置される対向基板母材上の対向電極（共通電極）との電気的接続をとるためのトランスファ形成部１０７と、外部電源および信号源を駆動回路部１０５およびトランスファ形成部１０７に接続するための外部接続端子１０８と、を有している。駆動回路部１０５と配線部１０６、および、配線部１０６と表示部１０４の間には、それらを接続する接続線（図示せず）が形成されている。表示部１０４に形成されている各画素電極は、駆動回路部１０５から送られる信号によってスイッチング駆動される。なお、駆動回路部１０５や配線部１０６は模式的に示した図であって、実際には細い配線や回路素子が多数形成されている。また、対向基板母材には、対向基板が形成される対向基板形成領域がマトリクス状に二次元配置されており、対向基板形成領域には対向電極が形成されている。
【００１２】
図２は、図１（ａ）のＡ部の拡大平面図である。図２において、図１（ａ）、（ｂ）と同じ構成要素には等しい参照符号が付されている。トランスファ形成部１０７は、ｘ方向に隣接し合う２つのＴＦＴ基板形成領域１０３間で、ｙＴＦＴ分断設定ライン１１４ｙ’を通りＴＦＴ基板母材の主面と直交する面に関して対称に形成される。ここで、ｙＴＦＴ分断設定ライン１１４ｙ’とは、ＴＦＴ基板形成領域１０３を個片に分離するために設定されるｘ軸に直交する分断面のＴＦＴ基板母材表面と交差するｙ方向のラインである。図２では、ｙＴＦＴ分断設定ライン１１４ｙ’は、トランスファ形成部１０７等の形成されているＴＦＴ基板母材表面にのみ印されているが、反対側のＴＦＴ基板母材表面と上記のｘ軸に直交する分断面とが交差するｙ方向のラインもｙＴＦＴ分断設定ラインである。同様に、ｘＴＦＴ分断設定ライン１１４ｘ’は、ＴＦＴ基板形成領域１０３を個片に分離するために設定されるｙ軸に直交する分断面のＴＦＴ基板母材表面と交差するｘ方向のラインである。図２に示されているｘＴＦＴ分断設定ライン１１４ｘ’は、外部接続端子１０８の先端に一致するｘＴＦＴ分断設定ラインである。対向基板母材にも、同様に、ｘ対向分断設定ラインおよびｙ対向分断設定ラインが、それぞれ、対向基板形成領域を個片に分離するために設定されるｙ軸およびｘ軸に直交する分断面の対向基板母材表面と交差するｘ方向およびｙ方向のラインとして、定義される。なお、トランスファ形成部１０７の形状は円形状としているが、これに限られるものではなく、電気的接続が可能であればどのような形状でもよい。
【００１３】
図３（ａ）は、本実施の形態で製造された液晶表示装置の一部を破断して示す平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図の一部である。図３に示される液晶表示装置１０９は、図１（ａ）に示される複数のＴＦＴ基板形成領域１０３がレイアウト形成されたＴＦＴ基板母材１０１から切り出された個々のＴＦＴ基板を用いて製造されている。図３において、図１の部分と同等の部分には等しい参照符号を付し重複する説明を適宜省略する。液晶表示装置１０９は、対向して配置されたＴＦＴ基板１０１Ａと対向基板１０２Ａとを有し、ＴＦＴ基板１０１Ａと対向基板１０２Ａとは、液晶層１１９を狭持した状態でメインシール１１１によって接着されている。メインシール１１１は、シール材の中に所定の径のスペーサが混在されて形成されており、これによって、ＴＦＴ基板１０１Ａと対向基板１０２Ａとの間に、所定の間隔が保持されている。ＴＦＴ基板１０１Ａ側には画素電極を備えた表示部１０４上に、対向基板１０２Ａ側には対向電極１１３上に、それぞれ、配向膜１１０が形成されている。対向電極１１３は、トランスファ形成部１０７上に形成された導電体１１２によってトランスファ形成部１０７に電気的に接続されている。そして、メインシール１１１に形成された開口部から液晶が注入された後、この開口部に紫外線硬化タイプの封孔接着剤が塗布、硬化されることにより封孔部１２０が形成されている。なお、導電体１１２のトランスファ形成部１０７に接する面積のトランスファ形成部１０７の面積に対する比は、約８０〜９０％とするのが望ましい。
【００１４】
図４は、図３の液晶表示装置の製造工程を説明するためのフローチャートである。図４のフローチャートを用いて、図３の液晶表示装置の製造方法について説明する。
まず、ＴＦＴ基板母材上にレイアウトされたＴＦＴ基板形成領域の表示部および対向基板母材上にレイアウトされた対向基板形成領域の対向電極に配向膜を印刷して形成し（ステップＳ１３１、Ｓ１３１’）、次いで、配向膜のラビングを行う（ステップＳ１３２、Ｓ１３２’）。次に、各ＴＦＴ基板形成領域の表示部を囲んでメインシールを形成する（ステップＳ１３３）。メインシールには、液晶注入用の抜き部が形成されている。メインシール材には熱硬化タイプ、紫外線硬化タイプ等、その硬化タイプを問わずに用い得るが、それらのメインシール材には、所定の径のスペーサが混在されている。次に、導電体をトランスファ形成部の上に形成する（ステップＳ１３４）。導電体は、トランスファ形成部との面積比が形成時には約５０％であり、表示装置完成後には約８０〜９０％となるように形成されるのが望ましい。また、導電体を形成する導電材としてはＡｇペーストが一般的であるが、導電接合できるものであればこれに限られず、他にＡｕ粒子、Ａｕ被膜つき球状スペーサを混入させた紫外線硬化接着剤、なども用いることができる。また、このときのメインシールや導電体形成方法としては、印刷法、ディスペンス法等、いずれの場合においても問題なく作業を行うことができ、具体的な作業方法には限定されない。図５は、ステップＳ１３４の工程直後における、ＴＦＴ基板母材上に、隣接して形成されている２つのＴＦＴ基板形成領域のトランスファ形成部周辺の平面図である。図５において、図２、図３の部分と同等の部分には等しい参照符号を付し重複する説明を適宜省略する。トランスファ形成部１０７に塗布された導電体１１２は、ｙＴＦＴ分断設定ライン１１４ｙ’を通りＴＦＴ基板母材の主面に直交する面に関して対称に配置形成されている。
【００１５】
次に、ＴＦＴ基板母材と対向基板母材とを、互いに配向膜が向き合うように重ね合わせ、メインシール１１１を硬化させることにより両者を貼り合わせる（ステップＳ１３５）。メインシール材に所定の径のスペーサが混在されているので、各ＴＦＴ基板形成領域と対向基板形成領域との間には所定の間隔が保持される。図６は、ステップＳ１３５の工程後に、図１（ａ）のＴＦＴ基板母材１０１の上に対向基板母材１０２が貼り合わされている状態を示している。図１（ａ）の各ＴＦＴ基板形成領域１０３の位置に、液晶表示装置用の空セル１０３Ａが形成されている。１１４ｘ’−１〜６、１１４ｙ’−１〜５、１１５ｘ’−１〜６、１１５ｙ’−１〜５は、それぞれ、ＴＦＴ基板母材１０１のｘＴＦＴ分断設定ライン、ｙＴＦＴ分断設定ライン、対向基板母材１０２のｘ対向分断設定ライン、ｙ対向分断設定ラインである。ｙＴＦＴ分断設定ライン１１４ｙ’−１〜５、ｙ対向分断設定ライン１１５ｙ’−１〜５はともに、空セルの側面境界に沿っている。ｘＴＦＴ分断設定ライン１１４ｘ’−１〜６は、空セルの上端、下端に沿っている。一方、ｘ対向分断設定ライン１１５ｘ’−２、４、６は、対応するｘＴＦＴ分断設定ラインに重なっているが、ｘ対向分断設定ライン１１５ｘ’−１、３、５は、対応するｘＴＦＴ分断設定ラインよりも、外部接続端子分だけｙ方向マイナスの位置にある。
【００１６】
次に、ＴＦＴ基板母材１０１の、対向基板と対向する面と反対側の面のｘＴＦＴ分断設定ライン、ｙＴＦＴ分断設定ラインに、それぞれ、ｘＴＦＴスクライブライン、ｙＴＦＴスクライブラインを刻設後、ブレイクして分断面を形成する。図７は、ＴＦＴ基板母材にｙＴＦＴスクライブラインからクラックを進行させて分断面を形成し終わった後における、図６のｘ方向に隣接し合う２つの空セルのトランスファ形成部の中心を結ぶ線に沿う断面図の一部である。図７において、図５、図６の部分と同等の部分には等しい参照符号を付し重複する説明を適宜省略する。図５のトランスファ形成部１０７の上に形成された導電体１１２に、対向基板母材１０２のトランスファ形成部対向電極１１３ａが接続されて、図７の空セルが形成されている。トランスファ形成部対向電極１１３ａは、ＴＦＴ基板母材１０１の表示部に対向する対向基板母材１０２の対向電極に電気的に接続されている。ｙＴＦＴスクライブライン１１４ｙは、図６のｙＴＦＴ分断設定ライン１１４ｙ’−１〜５のなかの１つに形成されたＴＦＴ基板母材１０１のｙ方向のスクライブラインである。ｙＴＦＴスクライブライン１１４ｙを通りＴＦＴ基板母材１０１の主面に直交する面に関して、隣接し合う２つの空セルのトランスファ形成部１０７、トランスファ形成部１０７に塗布されている導電体１１２、および、配線部１０６は、それぞれ、対称に形成されている。したがって、ＴＦＴ基板母材１０１に働く応力は、応力線１１８に示されるように、ｙＴＦＴスクライブライン１１４ｙを通ってＴＦＴ基板母材１０１の主面に直交する面に関して対称となる。したがって、ｙＴＦＴスクライブライン１１４が形成されたｙＴＦＴ分断設定ラインに対応する、対向基板母材１０２のｙ方向の分断設定ラインであるｙ対向分断設定ライン１１５ｙ’付近に衝撃を与えると、ｙＴＦＴスクライブライン１１４ｙからクラックが進行することによって生じるｙＴＦＴ分断面１１６ｙは、応力線１１８に直交して形成されるから、ＴＦＴ基板１０１の主面に対しても直交して形成される。したがって、ｙＴＦＴ分断面１１６ｙの、配線部１０６が形成されているＴＦＴ基板１０１の表面における端部が、配線部１０６に及ぶことはない。同様に、ｘ対向分断設定ライン１１５ｘ’−１〜６、ｙ対向分断設定ライン１１５ｙ’−１〜５にもスクライブラインを刻設後、各スクライブラインをブレイクして分断することによって、図６に示される各空セル１０３Ａを個片化する（ステップＳ１３６）。なお、ステップＳ１３３で形成されたメインシールの抜き部は、ｘＴＦＴ分断設定ライン１１４ｘ−２、４、６にその先端を出しており、各空セルを個片化した後で液晶の注入口になるが、ｘＴＦＴ分断設定ライン間にはダミースペースが設けられているので、抜き部の先端がｙＴＦＴ分断設定ライン１１４ｘ−２、４、６を十分越えるように抜き部を形成することによって，ｘＴＦＴ分断面が多少、ＴＦＴ基板母材の主面に対して直角よりも傾いたとしても、注入口の先端がｘＴＦＴ分断面に達せずに、空セルの内部に形成されるということがない。
【００１７】
続いて、個片に分離された空セル１０３Ａのメインシール１１１に形成された開口部より液晶を注入し（ステップＳ１３７）、この開口部に紫外線硬化タイプの封孔接着剤を塗布、硬化することにより封孔部を形成して本実施の形態の製造工程を完了し、図３に示される液晶表示装置１０９が得られる。
【００１８】
ところで、本実施の形態におけるような、基板母材にレイアウトされた複数の空セルを用いて作製するタイプの小型の液晶表示装置においては、パネルの外形サイズを小さくし、かつ基板母材からの収率を高めることが求められており、配線部や駆動回路、トランスファ形成部の設計エリアの制約が大きくなっている。そのため、配線部やトランスファ形成部を分断設定ラインの近傍に配置した上で、駆動回路の設計エリアを確保する必要がある。本実施の形態においては、図５に示す距離ｔ１、即ち、配線部１０６のｙＴＦＴ分断設定ライン１１４ｙ’側の端部とｙＴＦＴ分断設定ライン１１４ｙ’との距離を、例えば、０．３ｍｍとした。また、トランスファ形成部は、電気的接続の信頼性確保の観点から通常一定程度の面積を必要とする。一方、トランスファ形成部を配置する場所は、パネル端部近傍が望ましい。この２つの要求を満足させるために、本実施の形態においては、図５に示すように、ｘ方向において配線部１０６の駆動回路部１０５に隣接する部分を、その駆動回路部１０５側の端部が、他の部分の端部よりも、ｙＴＦＴ分断設定ライン１１４ｙ’に近くなるように形成し、かつ、配線部１０６と駆動回路部１０５との間に一定程度の面積を設けて、ここにトランスファ形成部１０７を形成した。このような配置にすることによって、トランスファ形成部１０７に一定程度の面積を設けながら、ｙ分断設定ライン１１４ｙ’からトランスファ形成部１０７のｙＴＦＴ分断設定ライン１１４ｙ’側の端部までの距離ｔ２を０．５ｍｍと、非常に短い寸法に設定することができた。
【００１９】
このように、トランスファ形成部や配線部が密にレイアウトされ、また分断設定ライン（図６におけるｙＴＦＴ分断設定ライン１１４ｙ’−１〜５）近傍に形成されている場合、トランスファ形成部に塗布される導電体による応力のバランスがとれていないと、ＴＦＴ基板母材及び対向基板母材を分断して各空セルを個片に分離する際に、ＴＦＴ基板母材の分断面がＴＦＴ基板の主面に直交せずに大きく傾斜した状態となり、配線部に欠けが生じて液晶表示装置の動作が不良になってしまうという問題が生じる。
【００２０】
ところが、本実施の形態においては、上述のように、隣接し合う２つの空セルのトランスファ形成部および導電体がｙＴＦＴスクライブラインを通りＴＦＴ基板母材の主面に直交する面に関して対称に形成されているので、ＴＦＴ基板母材に働く応力もｙＴＦＴスクライブラインを通りＴＦＴ基板母材の主面に直交する面に関して対称となり、ｙＴＦＴ分断面は、ＴＦＴ基板の主面に対して直交して形成され、その端部が配線部に及ぶことはない。したがって、配線部をｙＴＦＴスクライブライン間近に形成しても、配線部に欠損が生じることなく、良好な液晶表示装置を得ることができる。
【００２１】
なお本実施の形態で設定した、配線部の端部とｙＴＦＴ分断設定ラインとの距離ｔ１＝０．３ｍｍ、および、ｙ分断設定ラインからトランスファ形成部の端部までの距離ｔ２＝０．５ｍｍという寸法は一例であって、配線部が欠損しない寸法であれば他の寸法であってもよい。
【００２２】
なお、ＴＦＴ基板母材と対向基板母材との間の間隔を所定の大きさに保持するために、ＴＦＴ基板母材と対向基板母材との間にスペーサを配置してもよい。この場合、シール材はスペーサが混入されていないものにされることも可能である。また、トランスファ形成部は、ｘ方向に隣接し合う２つのＴＦＴ基板形成領域間で必ずしも完全に同一形状でなくてもよく、ｙＴＦＴ分断設定ライン１１４ｙ’を通りＴＦＴ基板母材の主面と直交する面の近傍で、その面に関して対称に形成されていればよい。特に、トランスファ形成部のｙＴＦＴ分断設定ライン１１４ｙ’側の端とｙＴＦＴ分断設定ライン１１４ｙ’との間の距離が等しいことが重要である。
【００２３】
〔比較例〕
図８は、比較例に係る液晶表示装置の製造方法の一工程においてＴＦＴ基板母材上に二次元的に形成された空セルのトランスファ形成部の中心を結ぶ線に沿う断面図の一部である。図８において、図７の部分と同等の部分には下２桁が等しい参照符号を付し重複する説明を適宜省略する。本比較例が図７に示した第１の実施の形態と異なる点は、隣接する２つの空セル７０３Ａの間にダミーパターン７２３が形成され、ｙＴＦＴスクライブライン７１４ｙが、空セル７０３Ａとダミーパターン７２３との境界に形成されるという点である。第1の実施の形態において述べたように、導電体７１２は導通信頼性の確保等の理由によりある程度大きなサイズが必要であり、また材料としてはエポキシ系の導電接着剤が用いられることが多く、これによってＴＦＴ基板母材７０１に大きな応力を発生させる。したがって、ＴＦＴ基板母材７０１に発生する応力は、応力線７１８のように、ｙＴＦＴスクライブライン７１４ｙを通りＴＦＴ基板母材の主面に直交する面に関して対称とならない。このため、対向基板母材７０２のｙ対向分断設定ライン７１５ｙ’付近にブレイク装置で衝撃を加えてｙＴＦＴスクライブライン７１４ｙからクラックを進行させてＴＦＴ基板母材を分断すると、図８に示すように、ｙＴＦＴ分断面７１６ｙは、ＴＦＴ基板７０１の主面に対して斜めに形成され、配線部７０６の形成されているＴＦＴ基板母材７０１の表面での端部が配線部７０６の内部領域に及んでしまうのが、しばしば観察された。
【００２４】
図９は、二次元的に配置された空セルから個々の空セルに分離された後のＴＦＴ基板表面の平面図の一部である。図９において、図３の部分と同等の部分には下２桁が等しい参照符号を付している。上述のように、ｙＴＦＴ分断面の上端部が配線部７０６の内部領域に入り込んでしまう結果、配線部７０６に配線部の欠け７２４が生じ、その結果できた液晶表示装置は動作不良となってしまった。
【００２５】
図１０は、比較例と第1の実施の形態とにおける配線部の欠け発生の有無を、トランスファ形成部とｙスクライブラインとの距離、および、配線部とｙスクライブラインとの距離の関数として示している。トランスファ形成部には導電体が塗布されている。比較例の場合には、配線部のｙスクライブライン側の端部とｙスクライブラインとの距離を０．５ｍｍ未満にすると、トランスファ形成部のｙスクライブライン側の端部とｙスクライブラインとの距離の如何に関わらず、配線部の欠けの存在しない空セルは得られなかった。また、トランスファ形成部のｙスクライブライン側の端部とｙスクライブラインとの距離を０．５ｍｍ以下にすると、配線部とｙスクライブラインとの距離の如何に関わらず、配線部の欠けの存在しない空セルは得られなかった。それに反して、第1の実施の形態の場合には、測定した全ての場合（ｔ１＝０．２〜０．５ｍｍ、ｔ２＝０．５〜１．０ｍｍ）において、配線部の欠けは発生しなかった。
【００２６】
以上の結果は、第1の実施の形態の製造方法の、配線部の欠け防止に対する有効性を明白に示している。したがって、第1の実施の形態の製造方法は、一枚の基板から得られる液晶表示装置の収率を高くすることができるとともに、歩留りよく液晶表示装置を製造することができ、したがって、コストを低減することができるという効果を有する。
【００２７】
〔第２の実施の形態〕
図１１は、本発明の第２の実施の形態の製造方法を説明するためのフローチャートである。本実施の形態の製造方法で製造される液晶表示装置の構造は、図３の第１の実施の形態の製造方法で製造される液晶表示装置と同様である。図１１のフローチャートを用いて、本実施の形態の製造方法を説明する。
【００２８】
ステップＳ２３１（Ｓ２３１’）〜Ｓ２３５のフローは、第１の実施の形態のステップＳ１３１（Ｓ１３１’）〜Ｓ１３５のフローと同様である。次に、ＴＦＴ基板母材にｘＴＦＴスクライブラインを刻設後、ブレイクしてＴＦＴ基板母材をｘ方向に分断する。続いて対向基板母材にｘ対向スクライブラインを刻設後、ブレイクして対向基板母材をｘ方向に分断して、ｘ方向に１列にアレイ状に並んだ空セルに短冊化する（ステップＳ２３６）。そして、短冊に分離されたアレイ状の空セルのメインシールの開口部より一括して液晶を注入し（ステップＳ２３７）、その後、この開口部に紫外線硬化タイプの封孔接着剤を塗布、硬化することにより封孔部を形成して、短冊状の液晶が注入されたセルアレイを得る（ステップＳ２３８）。続いて、短冊状の液晶が注入されたセルアレイのＴＦＴ基板母材にｙＴＦＴスクライブラインを刻設し、ブレイクしてＴＦＴ基板母材をｙ方向に分断する。さらに対向基板母材にｙ対向スクライブラインを刻設し、ブレイクして対向基板母材をｙ方向に分断して、短冊状の液晶が注入されたセルアレイを個片化することによって複数の液晶表示装置を得て（ステップＳ２３９）、本実施の形態の製造工程を完了する。
【００２９】
本実施の形態に係る製造方法は、第１の実施の形態に係る製造方法と同様に、隣接し合う２つの空セルのトランスファ形成部およびその上に塗布形成される導電体を、ｙＴＦＴ分断設定ラインを通りＴＦＴ基板母材の主面に直交する面に関して対称に配置するものであるので、第１の実施の形態と同等の効果を有する。さらに、例えば各空セルの表示部が２インチサイズであれば、面積３００ｍｍ×３５０ｍｍの基板母材に４２個程度の空セルをレイアウトすることができるが、本実施の形態に係る製造方法は、短冊状態の空セルに一括して液晶注入と封孔を行うものであるから、このように多数個の空セルがレイアウトされている場合に特に作業効率がよくなるという効果も有する。もちろん、この個数は一例であって、液晶表示装置のサイズや基板母材のサイズによって自由にレイアウトすることが可能である。
【００３０】
〔第３の実施の形態〕
図１２は、本発明の第３の実施の形態に係る製造方法の一工程においてＴＦＴ基板母材上に形成された２つの隣接し合うＴＦＴ基板形成領域のトランスファ形成部付近の平面図である。図１２において、図５の部分と同等の部分には下２桁が等しい参照符号を付し重複する説明を適宜省略する。本実施の形態が図５に示した第１の実施の形態と異なる点は、配線部３０６が、直線状ではなく、駆動回路部３０５にｘ方向において隣接する部分に駆動回路部３０５の方に引っ込んだ箇所が存在し、その引っ込んだ箇所にトランスファ形成部３０７が形成されているという点である。隣接し合う２つのＴＦＴ基板形成領域のトランスファ形成部３０７、その上に形成される導電体３１２および配線部３０６は、ｙＴＦＴ分断設定ライン３１４ｙ’を通りＴＦＴ基板母材の主面に直交する面に関して対称である。
【００３１】
この構造においては、トランスファ形成部３０７とｙＴＦＴ分断設定ライン３１４ｙ’との間に配線部３０６が存在しないので、図５の第１の実施の形態の構造よりも、トランスファ形成部３０７を、よりｙＴＦＴ分断設定ライン３１４ｙ’ 即ちＴＦＴ基板形成領域の端部に近い位置に配置することが可能である。例えば、トランスファ形成部３０７のｙＴＦＴ分断設定ライン３１４ｙ’側の端部とｙＴＦＴ分断設定ライン３１４ｙ’との距離を０．３ｍｍ以下とすることが可能である。この場合、トランスファ形成部３０７を、如何様にｙＴＦＴ分断設定ライン３１４ｙ’に近づけても、配線部３０６に欠けが生じることはない。もちろん、トランスファ形成部３０７のｙＴＦＴ分断設定ライン３１４ｙ’側の端部とｙＴＦＴ分断設定ライン３１４ｙ’との距離を０．３ｍｍ以上としても、配線部３０６に欠けが生じることはない。
【００３２】
本実施の形態に係る製造方法は、第１の実施の形態あるいは第２の実施の形態に係る製造方法と同様である。
本実施の形態に係る製造方法が、第１の実施の形態、第２の実施の形態に係る製造方法と同等の効果を有することは明白である。
【００３３】
〔第４の実施の形態〕
図１３は、本発明の第４の実施の形態に係る製造方法の一工程においてＴＦＴ基板母材上に形成された２つの隣接し合うＴＦＴ基板形成領域のトランスファ形成部付近の平面図である。図１３において、図５の部分と同等の部分には下２桁が等しい参照符号を付し重複する説明を適宜省略する。本実施の形態が図５に示した第１の実施の形態と異なる点は、接着剤に導電性粒子を混在させた導電性粒子入り接着剤が、隣接し合う２つのＴＦＴ基板形成領域のトランスファ形成部４０７をつないで、ｙＴＦＴ分断設定ライン４１４ｙ’を通りＴＦＴ基板母材の主面に直交する面に関して対称にライン状に塗布されているという点である。このとき、配線部４０６内の配線が電気的な短絡を起こすことを防止するために、導電体４１２が交差する部分の配線部４０６の上に、絶縁膜４２１が形成されている。
【００３４】
次に、本実施の形態の製造方法について説明する。まず、第１の実施の形態のステップＳ１３１（Ｓ１３１’）〜Ｓ１３３と同様の工程を行う。次いで、図１３に示すように、ｙＴＦＴ分断設定ライン４１４ｙ’ を通りＴＦＴ基板母材の主面に直交する面に関して対称に隣接し合う２つのトランスファ形成部４０７をつなぐように導電性粒子入り接着剤よりなる導電体４１２を、同様に、ｙＴＦＴ分断設定ライン４１４ｙ’ を通りＴＦＴ基板母材の主面に直交する面に関して対称にライン状に塗布する。導電体４１２が交差する部分の配線部４０６の上には、あらかじめ絶縁膜４２１が形成されている。このとき、導電体４１２は、トランスファ形成部４０７の面積の少なくとも７０％をカバーするように塗布される。また、本実施の形態の場合には、この接着剤に混在させる導電性粒子として、Ａｕ被膜つき球状スペーサ（積水化学工業社製：ミクロパールＡＵＬ）を用いた。
【００３５】
次に、ＴＦＴ基板母材と対向基板母材とを、配向膜の形成された面同士が向き合うように重ね合わせ、メインシールを硬化させることにより貼り合わせる。図１４は、この工程後において、隣接し合う２つの空セルのトランスファ形成部の中心を結ぶ線に沿う断面図の一部である。図１４において、図７の部分と同等の部分には下２桁が等しい参照符号を付し重複する説明を適宜省略する。ＴＦＴ基板母材４０１のトランスファ形成部４０７と対向基板母材４０２のトランスファ形成部対向電極４１３ａとの間には、接着剤４１２ａに導電性粒子４１２ｂを混在させた導電性粒子入り接着剤よりなる導電体４１２が充填されている。導電性粒子４１２ｂとして用いたＡｕ被膜つき球状スペーサは弾性をもつため、ＴＦＴ基板母材４０１のトランスファ形成部４０７と対向基板母材４０２のトランスファ形成部対向電極４１３ａとの電気的接続を良好に保つことができる。Ａｕ被膜つき球状スペーサの径は、液晶表示装置を組立てる際のＴＦＴ基板母材４０１と対向基板母材４０２とのギャップに鑑みて設定するのが適切であり、本実施の形態では、８．０μｍのものを用いた。もちろん、この数値は一例であって、表示部４０４の構成及びトランスファ形成部４０７の構成によって自由に径を選択することが可能である。また、導電性粒子４１２ｂとしてはＡｕ被膜つき球状スペーサに限定されるものではなく、導電性被膜をコーティングした粒子であれば自由に用いることができる。配線部４０６の上にも導電体４１２が形成されるが、配線部４０６と導電体４１２との間に絶縁膜４２１が存在するため、配線部４０６内の配線が電気的に短絡することはない。両トランスファ形成部４０７の間には導電性粒子入り接着剤４１２が存在するから、その下のｙＴＦＴ分断設定ライン４１４ｙ’近傍のＴＦＴ基板母材４０１には、図１４の応力線４１８に示されるように、ｘ方向にほぼ一様な応力がｙＴＦＴ分断設定ライン４１４ｙ’を通りＴＦＴ基板母材の主面と直交する面に対称に形成される。
【００３６】
この後、図４の第１の実施の形態のステップＳ１３６〜Ｓ１３８または図１１の第２の実施の形態のステップＳ２３６〜Ｓ２３９と同様の工程を行って、本実施の形態の製造工程を完了する。図１４のｙＴＦＴ分断設定ライン４１４ｙ’にｙＴＦＴスクライブラインを刻設後、ブレイクしてＴＦＴ基板母材を分断する際に、ｙＴＦＴ分断設定ライン４１４ｙ’の近傍のＴＦＴ基板母材４０１に、ｘ方向にほぼ一様な応力がｙＴＦＴ分断設定ライン４１４ｙ’を通りＴＦＴ基板母材の主面と直交する面に対称に形成されるので、ｙＴＦＴ分断設定ライン４１４ｙ’からクラックが進行して形成される分断面は、ＴＦＴ基板母材４０１の主面に垂直に形成される。したがって、ＴＦＴ基板母材４０１の配線部４０６が形成されている表面における分断面の端部が配線部４０６に及ぶことはない。なお、図１４で、ｙＴＦＴ分断設定ライン４１４ｙ’、ｙ対向分断設定ライン４１５ｙ’は、スクライブラインが形成される面にのみ記されている。以下の実施例においても、同様である。
【００３７】
本実施の形態に係る製造方法が、第１の実施の形態、第２の実施の形態に係る製造方法と同等の効果を有することは明白である。
【００３８】
〔第５の実施の形態〕
図１５は、本発明の第５の実施の形態に係る製造方法の一工程においてＴＦＴ基板母材上に形成された２つの隣接し合うＴＦＴ基板形成領域のトランスファ形成部付近の平面図である。図１５において、図１２の部分と同等の部分には下２桁が等しい参照符号を付し重複する説明を適宜省略する。本実施の形態が図１２に示した第３の実施の形態と異なる点は、第４の実施の形態と同様に、隣接し合う２つのＴＦＴ基板形成領域のトランスファ形成部５０７をつないで、導電性粒子入り接着剤よりなる導電体５１２が、ｙＴＦＴ分断設定ライン５１４ｙ’を通りＴＦＴ基板母材の主面に直交する面に関して対称に塗布されているという点である。
【００３９】
図１６は、図１５の複数のＴＦＴ基板形成領域が形成されたＴＦＴ基板母材に対向基板母材を、配向膜の形成された面同士が向き合うように重ね合わせ、メインシールを硬化させることにより貼り合わせたときの、隣接し合う２つの空セルのトランスファ形成部の中心を結ぶ線に沿う断面図である。図１６において、図１４の部分と同等の部分には下２桁が等しい参照符号を付し重複する説明を適宜省略する。本実施の形態の場合にも、図１４に示す第４の実施の形態の場合と同様に、ｙＴＦＴ分断設定ライン５１４ｙ’の近傍のＴＦＴ基板母材５０１に、応力線５１８に示すように、ｘ方向にほぼ一様な応力がｙＴＦＴ分断設定ライン５１４ｙ’を通りＴＦＴ基板母材５０１の主面と直交する面に対称に形成されるので、ｙＴＦＴ分断設定ライン５１４ｙ’にｙＴＦＴスクライブラインを刻設後ブレイクした際に、分断面は、ＴＦＴ基板母材５０１の主面に垂直に形成される。
【００４０】
本実施の形態に係る製造方法が、第４の実施の形態と同様に、第１の実施の形態、第２の実施の形態に係る製造方法と同等の効果を有することは明白である。
【００４１】
〔第６の実施の形態〕
図１７は、本発明の第６の実施の形態に係る製造方法に用いるＴＦＴ基板母材上に形成された複数のＴＦＴ基板形成領域のうちの１つの平面図である。図１７において、図１（ｂ）の部分と同等の部分には下２桁が等しい参照符号を付し重複する説明を適宜省略する。本実施の形態が図１（ｂ）の第１の実施の形態と異なる点は、トランスファ形成部６２２が、配線部６０６と表示部６０４との間に線状に形成されている点である。
【００４２】
図１８（ａ）は、本実施の形態で製造された液晶表示装置の一部を破断して示す平面図であり、図１８（ｂ）は、図１８（ａ）のＧ−Ｇ線に沿う断面図の一部である。図１８において、図３の部分と同等の部分には下２桁が等しい参照符号を付し重複する説明を適宜省略する。本実施の形態が図３の第１の実施の形態と異なる点は、メインシール６１１が、シール材６１１ａに導電性粒子６１１ｂを混在させた導電性粒子入りのメインシールであって、ＴＦＴ基板６０１Ａのトランスファ形成部６２２と対向基板６０２Ａの対抗電極６１３とを接着させているという点である。なお、配線部６０６とメインシール６１１とが重なり合う部分には、その間に絶縁層（図示せず）が形成されている。また、配線部６０６とメインシール６１１とは、重なり合わないようにずらして形成されてもよい。
【００４３】
図１９は、図１８の液晶表示装置６０９の製造方法を説明するためのフローチャートである。図１９のフローチャートを用いて、図１８の液晶表示装置６０９の製造方法について説明する。
まず、第１の実施の形態と同様に、図１７に示されるＴＦＴ基板形成領域がマトリクス状に二次元配置されたＴＦＴ基板母材および対向基板形成領域がマトリクス状に二次元配置された対向基板母材に配向膜を印刷して形成し（ステップＳ６３１、Ｓ６３１’）、次いで、配向膜のラビングを行う（ステップＳ６３２、Ｓ６３２’）。次に、図２０に示すように、隣接し合う２つのＴＦＴ基板形成領域に、トランスファ形成部６２２とオーバーラップしながら、ｙＴＦＴ分断設定ライン６１４ｙ’を通りＴＦＴ基板母材の主面に直交する面に関して対称になるように、シール材に導電性粒子を混在させた導電性粒子入りのメインシール６１１を形成させる（ステップＳ６３３）。図２０において、図１７の部分と同等の部分には等しい参照符号を付し重複する説明を適宜省略する。このとき、導電性粒子入りのメインシール６１１は、トランスファ形成部６２２の少なくとも７０％をカバーするようにすることが望ましい。導電性粒子としては、第４の実施の形態で用いたＡｕ被膜つき球状スペーサを用いたが、これに限られるものではない。
【００４４】
次に、図２０の複数のＴＦＴ基板形成領域が形成されたＴＦＴ基板母材６０１に対向基板母材を、配向膜の形成された面同士が向き合うように重ね合わせ、メインシール６１１を硬化させることにより貼り合わせる（ステップＳ６３４）。図２１は、ステップＳ６３４の工程後の、隣接し合う２つの空セルの境界近傍の表示部を通ってｘ軸に平行な断面図の一部である。図２１において、図２０、図１８の部分と同等の部分には等しい参照符号を付し重複する説明を適宜省略する。シール材６１１ａに混入された導電性粒子６１１ｂが、ＴＦＴ基板母材６０１のトランスファ形成部６２２と対向基板母材６０２の対向電極６１３との電気的接続を良好に保っている。導電性粒子入りのメインシール６１１の形成方法としては、印刷法、ディスペンス法等、いずれの場合においても問題なく作業を行うことができ、具体的な作業方法には限定されない。導電性粒子入りのメインシール６１１が、トランスファ形成部６２２の上には存在し、トランスファ形成部６２２間には存在しないから、それらの下にあるＴＦＴ基板母材４０１の部分には、図２１の応力線６１８に示されるように、ｙＴＦＴ分断設定ライン６１４ｙ’を通ってＴＦＴ基板母材６０１の主面に直交する面に関して対称な応力が印加される。
【００４５】
この後、図４の第１の実施の形態のステップＳ１３６〜Ｓ１３８と同様に、ステップＳ６３５〜Ｓ６３７の工程を行って、本実施の形態の製造工程を完了する。図２１のｙＴＦＴ分断設定ライン６１４ｙ’にｙＴＦＴスクライブラインを刻設後、分断する際に、ｙＴＦＴ分断設定ライン６１４ｙ’の近傍のＴＦＴ基板母材４０１には、ｙＴＦＴ分断設定ライン６１４ｙ’ を通ってＴＦＴ基板母材６０１の主面に直交する面に関して対称な応力が印加されているので、ｙＴＦＴ分断面は、ＴＦＴ基板母材４０１の主面に直交して形成される。したがって、ｙＴＦＴ分断面のＴＦＴ基板母材４０１の表面における端部が配線部６０６に及ぶことはない。
【００４６】
なお、ステップＳ６３５〜Ｓ６３７の工程は、図１１の第２の実施の形態のステップＳ２３６〜Ｓ２３９のように、短冊状の空セルアレイを作製し、それらの空セルアレイに液晶を注入してから封孔し、個片に分断するように変更されてもよい。また、トランスファ形成部６２２は、ｙＴＦＴ分断設定ラインに平行に形成されたが、駆動回路部の下部にメインシールに覆われるように、ｙＴＦＴ分断設定ラインに直交するように形成されてもよい。
【００４７】
本実施の形態に係る製造方法が、第１の実施の形態、第２の実施の形態に係る製造方法と同等の効果を有することは明白である。
【００４８】
以上、本発明をその好適な実施の形態に基づいて説明したが、本発明の液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置は、上述した実施の形態のみに制限されるものではなく、本願発明の要旨を変更しない範囲で種々の変化を施した液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置も、本発明の範囲に含まれる。例えば、本願の製造方法で製造される液晶表示装置は、アクティブマトリクス方式の液晶表示装置に限られることはなく、スタティック駆動方式の液晶表示装置等、片側の基板の電極が共通電極となるパネルであればよい。また、画素を駆動する素子は、ＴＦＴに限られることなく、ＭＩＭ（Metal Insulator Metal）素子、ダイオード等、画素を駆動できる素子であれば、いずれであってもよい。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、隣接し合う２つの空セルのトランスファ形成部やトランスファ形成部と対向電極との導通をとるために形成される導電体を、分断設定ラインを通りＴＦＴ基板母材の主面に直交する面に関して対称に配置形成して、トランスファ形成部や導電体によって生じる基板内の応力を、分断設定ラインを通りＴＦＴ基板母材の主面に直交する面に関して対称にするものであるから、トランスファ形成部や配線部を分断設定ラインの極く近傍に配置した場合でも、空セルを個々に分離する際に配線部の欠損を生じることがなく、一枚の基板から得られる液晶表示装置の収率を高くするとともに、歩留りよく液晶表示装置を製造することができ、コストを低減することを可能にする。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施の形態に係る製造方法に用いるＴＦＴ基板母材の平面図〔（ａ）〕と、ＴＦＴ基板形成領域の平面図〔（ｂ）〕。
【図２】 図１のＡ部の拡大平面図。
【図３】 本発明の第１の実施の形態に係る製造方法による液晶表示装置の平面図〔（ａ）〕と、Ｂ−Ｂ線に沿う断面図〔（ｂ）〕。
【図４】 本発明の第１の実施の形態に係る製造方法を説明するためのフローチャート。
【図５】 本発明の第１の実施の形態に係る製造方法の一工程における隣接する２つのＴＦＴ基板形成領域の平面図の一部。
【図６】 本発明の第１の実施の形態に係る製造方法における分断設定ラインを説明するための平面図。
【図７】 本発明の第１の実施の形態に係る製造方法の他の一工程における隣接する２つの空セルの断面図。
【図８】 比較例に係る製造方法の一工程における隣接する２つの空セルの断面図。
【図９】 図８の空セルを個々に分断した後のＴＦＴ基板形成領域の平面図。
【図１０】 本発明の第1の実施の形態と比較例とにおける配線部の欠け発生の有無を表として示した図。
【図１１】 本発明の第２の実施の形態に係る製造方法を説明するためのフローチャート。
【図１２】 本発明の第３の実施の形態に係る製造方法の一工程における隣接する２つのＴＦＴ基板形成領域の平面図の一部。
【図１３】 本発明の第４の実施の形態に係る製造方法の一工程における隣接する２つのＴＦＴ基板形成領域の平面図の一部。
【図１４】 本発明の第４の実施の形態に係る製造方法の他の一工程における隣接する２つの空セルの断面図の一部。
【図１５】 本発明の第５の実施の形態に係る製造方法の一工程における隣接する２つのＴＦＴ基板形成領域の平面図の一部。
【図１６】 本発明の第５の実施の形態に係る製造方法の他の一工程における隣接する２つの空セルの断面図の一部。
【図１７】 本発明の第６の実施の形態に係る製造方法に用いるＴＦＴ基板母材上のＴＦＴ基板形成領域のうちの１つの平面図。
【図１８】 本発明の第６の実施の形態に係る製造方法による液晶表示装置の平面図〔（ａ）〕と、Ｇ−Ｇ線に沿う断面図〔（ｂ）〕。
【図１９】 本発明の第６の実施の形態に係る製造方法を説明するためのフローチャート。
【図２０】 本発明の第６の実施の形態に係る製造方法の一工程における隣接する２つのＴＦＴ基板形成領域の平面図の一部。
【図２１】 本発明の第６の実施の形態に係る製造方法の他の一工程における隣接する２つの空セルの断面図の一部。
【図２２】 従来技術に係る空セルアレイの平面図〔（ａ）〕と、Ｘ−Ｘ線に沿う断面図〔（ｂ）〕と、Ｙ−Ｙ線に沿う拡大平面図〔（ｃ）〕。
【符号の説明】
１０１、４０１、５０１、６０１ ＴＦＴ基板母材
１０１Ａ、６０１Ａ ＴＦＴ基板
１０２、４０２、５０２、６０２ 対向基板母材
１０２Ａ、６０２Ａ 対向基板
１０３、６０３ ＴＦＴ基板形成領域
１０４、３０４、４０４、５０４、６０４ 表示部
１０５、３０５、４０５、５０５、６０５ 駆動回路部
１０６、３０６、４０６、５０６、６０６ 配線部
１０７、３０７、４０７、５０７、６２２ トランスファ形成部
１０８、３０８、４０８、５０８、６０８ 外部接続端子
１０９、６０９ 液晶表示装置
１１０、６１０ 配向膜
１１１、３１１、４１１、５１１、６１１ メインシール
１１２、３１２、４１２、５１２ 導電体
１１３、６１３ 対向電極
１１３ａ、４１３ａ、５１３ａ トランスファ形成部対向電極
１１４ｘ’、３１４ｘ’、４１４ｘ’、５１４ｘ’ ｘＴＦＴ分断設定ライン
１１４ｙ ｙＴＦＴスクライブライン
１１４ｙ’、３１４ｙ’、４１４ｙ’、５１４ｙ’ 、６１４ｙ’ ｙＴＦＴ分断設定ライン
１１５ｙ’、４１５ｙ’、５１５ｙ’ ｙ対向分断設定ライン
１１６ｙ ｙＴＦＴ分断面
１１８、４１８、５１８、６１８ 応力線
１１９、６１９ 液晶層
１２０、６２０ 封孔部
導電性粒子入り接着剤
４１２ａ、５１２ａ 接着剤
４１２ｂ、５１２ｂ、６１１ｂ 導電性粒子
４２１ 絶縁膜
６１１ａ シール材

Claims (15)

1. 電極が形成された第１の基板と、前記第１の基板の電極と電気的な接続をとるためのトランスファ形成部が形成された第２の基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置の製造方法であって、前記第１の基板が形成される第１の基板形成領域が前記電極を有してマトリクス状に二次元配置された第１の基板母材と、前記第２の基板が形成される第２の基板形成領域が前記トランスファ形成部を有し、前記トランスファ形成部が形成されている面に、前記液晶の状態を変調させるための電極を有する表示部と、前記表示部を駆動するための駆動信号を発生させる駆動回路部と、前記駆動回路部から前記表示部に前記駆動信号を伝送する、前記第２の基板形成領域の周辺部に沿って引き回された配線部とを有してマトリクス状に二次元配置された第２の基板母材とを、前記第１の基板形成領域と前記第２の基板形成領域とが対向するように各形成領域毎にシール材でシールして貼り合わせることによって、第１の方向および第２の方向に二次元配置された、前記第１の基板形成領域と前記第２の基板形成領域とが前記シール材で張り合わされたセルを形成し、前記第１の基板母材と前記第２の基板母材とを、前記第１の方向および前記第２の方向に設定される分断ラインに沿って分断することによって前記セルを個々に分離して複数の液晶表示装置を製造する製造方法において、前記第１の方向に隣接し合う２つの前記第２の基板形成領域のトランスファ形成部と前記配線部とが、前記隣接し合う２つの第２の基板形成領域の間の前記第２の方向の分断ラインを通り前記第２の基板母材の主面に直交する面に関して対称に形成されていることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
2. 前記第１の基板形成領域の電極の上と、前記第２の基板形成領域の前記表示部の上とに液晶配向膜を形成する工程と、前記液晶配向膜をラビングする工程と、前記表示部を囲む枠状のシール材パターンを、前記シール材により前記第１の方向の分断ラインに少なくとも先端が達する抜き部を有するように形成する工程と、少なくとも前記トランスファ形成部の上に導電体を、前記隣接し合う２つの第２の基板形成領域の間の前記第２の方向の分断ラインを通り前記第２の基板母材の主面に直交する面に関して対称に形成する工程と、前記第１の基板母材と前記第２の基板母材とを、前記液晶配向膜同士が対向し合うように間隔を持って重ね合わせた後、前記シール材を硬化させて貼り合わせることによって、前記第１の方向および第２の方向に二次元配置された前記セルを形成する工程と、を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
3. 前記導電体を形成する導電材が、接着剤に導電性粒子を混在させた導電材であって、前記隣接し合う２つの第２の基板形成領域の前記トランスファ形成部を連結して塗布されることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法。
4. 前記接着剤に導電性粒子を混在させた導電材が、前記隣接し合う２つの第２の基板形成領域の配線部を交差して塗布され、該配線部の前記導電体が交差する部分には絶縁層が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置の製造方法。
5. 前記導電体が直線状をしていることを特徴とする請求項３または４に記載の液晶表示装置の製造方法。
6. 前記第１の基板形成領域の電極の上と、前記第２の基板形成領域の前記表示部の上とに液晶配向膜を形成する工程と、前記液晶配向膜をラビングする工程と、前記トランスファ形成部の表面に接する前記表示部を囲む枠状のシール材パターンを、導電性粒子を混在させたシール材により前記第１の方向の分断ラインに少なくとも先端が達する抜き部を有するように、前記隣接し合う２つの第２の基板形成領域の間の前記第２の方向の分断ラインを通り前記第２の基板母材の主面に直交する面に関して対称に形成する工程と、前記第１の基板母材と前記第２の基板母材とを、前記液晶配向膜同士が対向し合うように間隔を持って重ね合わせた後、前記シール材を硬化させて貼り合わせることによって、前記第１の方向および第２の方向に二次元配置された前記セルを形成する工程と、を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
7. 前記導電性粒子が、金属被膜を施した球状プラスチック粒子であることを特徴とする請求項３から６のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
8. 前記導電性粒子が、弾性体であることを特徴とする請求項３から７のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
9. 前記第１の基板母材および前記第２の基板母材を、前記第１の方向および前記第２の方向の分断ラインに沿って分断して、前記二次元配置されたセルを個々のセルに分離する工程と、前記個々に分離されたセルの前記抜き部の先端から液晶を注入する工程と、前記抜き部に封止剤を塗布して前記抜き部を封止する工程、とを有することを特徴とする請求項２から８のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
10. 前記第１の基板母材および前記第２の基板母材を、前記第１の方向の分断ラインに沿って分断して、前記二次元配置されたセルを、短冊状に一列に配列されたセルに分離する工程と、前記短冊状に一列に配列されたセルの前記抜き部の先端から一括して液晶を注入する工程と、前記抜き部に封止剤を塗布して前記抜き部を封止する工程と、前記液晶を封入された短冊状に一列に配列されたセルを前記第２の方向の分断ラインに沿って分断して個々のセルに分離する工程と、を有することを特徴とする請求項２から８のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
11. 前記第１の方向または／および前記第２の方向に分断する方法がスクライブ法であることを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
12. 前記配線部の前記第２の方向の分断ライン側の端と前記第２の方向の分断ラインとの距離が、０．５ｍｍから０．２ｍｍの間であることを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
13. 前記トランスファ形成部の前記第２の方向の分断ライン側の端と前記第２の方向の分断ラインとの距離が、１．０ｍｍから０．５ｍｍの間であることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置の製造方法。
14. 前記トランスファ形成部の前記第２の方向の分断ライン側の端と前記第２の方向の分断ラインとの距離が、１．０ｍｍから０．３ｍｍの間であることを特徴とする２、３、５、７から１１のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
15. 前記表示部の電極がマトリクス配置された画素電極を有することを特徴とする請求項１から１４のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。

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