JP4104154B2 - 液晶ポリマーのエッチング液及び液晶ポリマーのエッチング方法。 - Google Patents

液晶ポリマーのエッチング液及び液晶ポリマーのエッチング方法。 Download PDF

Info

Publication number
JP4104154B2
JP4104154B2 JP2005102888A JP2005102888A JP4104154B2 JP 4104154 B2 JP4104154 B2 JP 4104154B2 JP 2005102888 A JP2005102888 A JP 2005102888A JP 2005102888 A JP2005102888 A JP 2005102888A JP 4104154 B2 JP4104154 B2 JP 4104154B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
crystal polymer
etching
weight
solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2005102888A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006282791A (ja
Inventor
雅典 秋田
稔 小山
美晴 金子
浩二 富山
高正 野上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RAYTECH, INC.
Toray Engineering Co Ltd
Original Assignee
RAYTECH, INC.
Toray Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by RAYTECH, INC., Toray Engineering Co Ltd filed Critical RAYTECH, INC.
Priority to JP2005102888A priority Critical patent/JP4104154B2/ja
Priority to TW095110913A priority patent/TW200641101A/zh
Priority to KR1020060028747A priority patent/KR20060105541A/ko
Publication of JP2006282791A publication Critical patent/JP2006282791A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4104154B2 publication Critical patent/JP4104154B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/02Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an alkali metal hydroxide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10Etching compositions
    • C23F1/14Aqueous compositions
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604Chemical etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105After-treatment
    • H01L21/311Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105Etching inorganic layers
    • H01L21/31111Etching inorganic layers by chemical means
    • C11D2111/22

Description

本発明は微細金属回路をもった電子部品やカラーフィルタの検査用プローブなどの高い寸法精度の要求される電子部品などの製造に関する。
フレキシブルプリント基板、TAB、CSPやハードディスクドライブ用の基材として、また、最近では、カラーフィルタの検査用プローブ用材料としても銅張りポリイミドフィルム基材が使用されている。しかし、ポリイミドは耐熱性は非常に高いが、吸水性が大きく、高い湿度の条件によって寸法精度が低下するという問題がある。そこで、最近では、電子機器の小型化、高精度化、信号の高周波化などに伴い、銅張りポリイミドフィルムに替わって半田接合時に要求される耐熱性を有し、吸水性や誘電率が小さく、さらに寸法精度のすぐれた熱可塑性液晶ポリエステルが注目されるようになってきた。
一般に、銅張り樹脂基材から電子部品を製造する場合には、金属配線回路のほかに、樹脂基材にスルーホールやブラインドホールのようなビアホール、デバイスホールなどが形成される。特に、フライングリードのような配線をもつデバイスホールや複雑で微細なビアホールの形成では、金属張り樹脂基材に対するパンチング加工やレーザーエッチングの適用が難しいため、それらに替わってプラズマエッチングやエッチング液を使用したケミカルエッチングを使用することが望ましい。
しかしながら、液晶ポリエステルに代表される液晶ポリマーは、分子構造が剛直な液晶構造をしており、耐薬品が高く、かつ、吸水性や親水性がないため、汎用のポリエステル樹脂であるポリエチレンテレフタレートにおいて、従来から表面加工などのエッチング処理に使われている苛性アルカリ水溶液によるエッチングではエッチング速度が遅すぎて実用的に満足なエッチング加工ができない。
そこで、最近、ポリイミドエッチング液として開発された無機アルカリ水溶液とアミノアルコールの混合物からなるポリイミドエッチング液を液晶ポリエステルのエッチング液として使用するエッチング方法が提案されている。
例えば、特許文献1には液晶ポリマーを、35重量%〜55重量%の高濃度の無機アルカリ塩と10〜35重量%の水溶性可溶化剤(アルカノールアミン)を含む水溶液を用いて、50°C〜120°Cでエッチングする方法が開示されており、エッチング速度が大きく、エッチング加工後に優れた穴形状が得られる旨記載されている。
しかしながら、このエッチング方法では、液晶ポリエステルのエッチングが良好に進むけれども、液の安定性が極めて悪く、使用中に空気中の炭酸ガスを吸収してエッチング液中に白色の浮遊物や沈殿がすぐに発生し、さらに、この白色物質が時間の経過とともに、反応液中で結晶化し、反応槽壁に付着したり、エッチング処理物に付着しやすい。
したがって、この方法を工業的に利用する場合には、通常のエッチング工程でエッチング処理物に付着した付着物を除去することが難しく、安定したエッチング加工操作がやりにくいという問題がある。
また、ポリイミドエッチング液として市販されている約30重量%の無機アルカリ化合物と約30重量%(40重量%以下)のエタノールアミンを含む水溶液を液晶ポリエステルのエッチングに使用する場合は、上記のような不溶解物は生成しないものの、エッチング速度が遅く、エッチング用マスク周辺において液晶ポリエステルのサイドエッチングが起こるため、例えば、図2に示すように孔の開口部の形状が扁平になり、微細な孔加工ができないという問題があった。
一方、レーザーエッチングによる方法では、装置的に大掛りなものになり、また、液晶ポリマーが熱可塑性であるため、レーザ光の熱により樹脂が変形することによって、その上に形成された配線やビアホールなどのパターンが変形し、設計どおりのパターン加工ができないという問題がある。
特表2004−504439号公報
液晶ポリエステルに代表される液晶ポリマー基材、特に液晶ポリマーフィルムと金属箔との熱溶着または液晶ポリマー表面へのメッキ処理によって形成された金属張り液晶ポリマーフィルム基材に、エッチング加工によってデバイスホールやビアホールなどを形成する際に用いる液晶ポリマーのエッチング液、及び、そのエッチング液を用いて液晶ポリマーフィルム基材に、設計どおりのパターン形状やビア形状を容易に、かつ、安定したエッチング加工操作によって、しかも安価に加工できる液晶ポリマーのエッチング方法を提供することである。
液晶ポリマーフィルムと金属箔との熱溶着または液晶ポリマーへのメッキ処理で形成された金属張り液晶ポリマーフィルム基材において、デバイスホールやブラインドビアなどのビアホールをケミカルエッチング加工で行う場合、パターン形状やビア形状が設計どおりに加工できる工業的に利用価値の高いエッチング液組成やその効果的なエッチング方法について鋭意検討した結果、金属張り液晶ポリマーフィルム基材やその基材を用いて形成された金属配線などを有する液晶ポリマー基板を、無機アルカリ化合物と2−アミノエタノ−ルのような分子中に少なくとも1個以上のアミノ基と水酸基を有する脂肪族アミノアルコール類の水溶液からなり、かつ、これらの構成物質が極めて限定された組成であるアルカリエッチング液でエッチングすることにより、金属や樹脂マスク等に実質的な損傷を与えることなく、そして液晶ポリマーだけを選択的に加水分解して樹脂のサイドエッチングが少ない形状の優れた孔加工が可能な工業的に実用性の高い効果的なエッチング方法を見出した。
すなわち、30重量%以上35重量%未満のアルカリ金属水酸化物などの無機アルカリ化合物と、45〜50重量%の分子中に少なくとも1個以上のアミノ基と水酸基を有する脂肪族アミノアルコール及び水から構成され、かつ、全アルカリ成分濃度(無機アルカリ化合物とアミノアルコールの合計)が75重量%〜80重量%である水溶液を用いて液晶ポリマーをエッチングすることにより、液晶ポリマーが比較的容易にエッチングされ、樹脂マスクや金属配線パターンなどにも実質的な損傷をあたえることなく、図3に示すような、サイドエッチングが少なく、かつ、テーパー角の大きいデバイスホールやビアホールを所望どおりに安定して形成できることを見出した。
本発明によれば、芳香族液晶ポリマーのエッチングにおいて、テーパー角の大きい優れた形状のビアホールを比較的容易に得ることができる上に、従来のポリイミドエッチング用アルカリエッチング液で加工処理を行った場合に比べて、エッチング速度が非常に速いので、サイドエッチングが少ない所望する形状の製品も容易に得ることができる。
また、無機アルカリが35重量%以上の高濃度アルカリ液に比べて、液の安定性が極めてよくビアホールだけでなく、フライングリードのあるオープンホール(デバイスホール)等も容易に形成することが可能である。さらに、エッチング面の平滑性によりスルーホールやブライドビアホールの導通メッキ処理において非常に良い効果が得られる。
本発明で使用される液晶ポリマー基材としては、分子中に水酸基やカルボキシル基を有する芳香族モノマーの共重合で得られるポリエステル樹脂基材がある。これの分子構造を図1に示す。
具体的には表1に示すような市販されている芳香族液晶ポリエステルであり、住友化学株式会社のエコノール(商品名)、クラレ株式会社のVECSTARなどが挙げられる。
Figure 0004104154
なお、上述の液晶ポリマーフィルムに銅箔を熱溶着した銅張り液晶ポリマーフィルム基材としては、ジャパンゴアテックス株式会社の銅張り液晶ポリマーフィルム基材「BIAC」や新日本製鉄化学株式会社の「LCPエスパネックスLシリーズ(クラレVECSTARを使用)」などがある。また、金属張り液晶ポリマーは、市販品のほかにも表面処理した液晶ポリマーフィルムに無電解メッキと電解メッキなどのメッキ処理を施すことによっても製造することができる。
また、本発明で使用される液晶ポリマー基材用のエッチング液は、30重量%以上35重量%未満、好ましくは32重量%以上35重量%未満のアルカリ金属水酸化物などの無機アルカリ化合物と、45〜50重量%の分子中に少なくとも1個以上のアミノ基と水酸基を有する脂肪族アミノアルコール及び水から構成され、かつ、全アルカリ成分濃度(無機アルカリ化合物とアミノアルコールの合計)が75重量%以上80重量%未満である水溶液である。
前記無機アルカリ化合物としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムなどのアルカリ金属水酸化物などが好適に用いられる。これらの無機アルカリ化合物は固形または水溶液のいずれの形態でも使用することができるが、工業的に使用する場合は、水溶液が好適に使用される。
そして、前記の分子中に少なくとも1個以上の水酸基を有する脂肪族アミノアルコールとしては、モノエタノールアミン(2−アミノエタノール)、ジエタノールアミン、α−アミノイソプロパノ−ル、2−アミノブタノール等のような炭素数が2〜4程度のアルキル基を有する水溶性脂肪族アミノアルコールが挙げられる。
これらのアミノアルコールは、無機アルカリ水溶液との相溶性がよく、無機アルカリが極端に高濃度でない限り、任意の割合で均一な混合ができるという特徴がある。これらの脂肪族アミノアルコールは1種類だけのアミノアルコールを使用するのではなく二つ以上を混合して使用してもよい。これらの脂肪族アミノアルコール類は水溶性なのでエッチング後の湯洗浄や水洗でアルカリ成分といっしょに簡単に除去することができる。
特に、モノエタノールアミン(2−アミノエタノール)は水溶性が高く沸点も150°C以上と高く、100°C以下の加熱温度で使用する場合、蒸発による液組成の変化を起こすことなく使用できる。また、液晶ポリエステルへの浸透性や加水分解生成物の溶解性も高い上に、工業的にも容易に入手できるので特に好ましい。
ところで、従来から無機アルカリ水溶液は液晶ポリエステル樹脂を加水分解する作用があり、表面処理などのエッチングに利用されてきたが、液晶ポリエステルの耐水性が高いため、低濃度水溶液においてはエッチング速度は極めて小さく、工業的に利用する場合においては、特許文献1に記載されているように、35重量%以上好ましくは40重量%の極めて高い濃度が必要であるといわれていた。
しかしながら、このような高濃度の無機アルカリ化合物水溶液を用いた場合には、使用中に空気中の炭酸ガスを吸収してエッチング液中に不溶性の炭酸塩や樹脂の加水分解反応物が固形物として析出または沈殿しやすい。そのため、エッチング液中のこれらの不溶解物を除去したり、エッチング液の組成濃度の調整や液の交換を頻繁に行う必要があるという問題があった。
そのような状況の中、本発明において、前述したようなエッチング液組成を最適化することによって、従来法ではエッチング速度が遅く効果がないといわれていた無機アルカリ化合物濃度が35重量%未満でも、工業的に利用可能な優れたエッチング性能(加工速度と加工形状)を得ることができた。
その理由として、前記のアミノアルコールが液晶ポリエステル表面における無機アルカリ成分の濡れ性や浸透性を促進して加水分解反応を速め、さらに、最適濃度のアミノアルコールが液晶ポリエステルの加水分解生成物を樹脂表面からすばやく溶出・除去するためと考えられるが、エッチング速度を高く保持し、かつ、反応液中の不溶物析出を避けるためには、エッチング液中の無機アルカリ化合物、脂肪族アミノアルコールおよび水との混合割合が極めて重要であり、本発明の効果を得るためには、脂肪族アミノアルコールは無機アルカリ化合物に対して少なくとも等量以上を必要とする。
と言っても、例えば、無機アルカリ化合物を35重量%以上にしてアミノアルコール濃度を40重量%以上とすると、無機アルカリ化合物の濃度が高いほどエッチング速度が高くなる傾向にあるとはいえ、前述しているように液中に無機アルカリが溶けにくくなって析出してしまうし、また逆に、無機アルカリ濃度やアミノアルコール濃度が本発明でいう最適濃度より薄い場合、例えば、無機アルカリ化合物28重量%、アミノアルコール34重量%、水38重量%程度の場合は、無機アルカリ化合物などの析出はないが、エッチング速度が遅くサイドエッチングが起こりやすいため、図2に示したような扁平な孔の形状のものしか得られない。
また、無機アルカリ化合物が30重量%以上であっても、アミノアルコールが40重量%未満で、水の割合が30重量%以上とすると、加水分解速度が遅くなることや表面の加水分解生成物の適度な剥離が阻害されるため、液晶ポリエステルの加水分解が不均一となり、さらに、加水分解反応物の溶解除去が不十分となって液中に浮遊し、加工表面もざらざらした状態になったり、エッチング残渣が残ったりしてエッチング部分の形状が不安定になりやすくなる。
そこで、エッチング速度を低下することなく、液中に不溶解物が生成しないような工業的に利用可能なエッチング液としては、無機アルカリ化合物の濃度を30重量%以上35重量%未満とし、さらに、アミノアルコールの濃度を40重量%以上にして、かつ、水以外の全アルカリ成分(無機アルカリ化合物とアミノアルコールの合計)が75重量%以上80重量%未満になるようにすることが重要である。
したがって、エッチング液中の各成分の適正濃度は、無機アルカリの濃度が30重量%以上35重量%未満、アミノアルコールの濃度が45重量%〜50重量%、水分濃度が20〜25重量%とするのが好ましいのである。
このような本発明によるエッチング液の各成分の組成比率であるエッチング液であれば、図6に示すように、液を長時間(10日間)使用した場合においては、エッチング操作中の液晶ポリマーの溶解によってエッチング液は黄色に着色してくるが、液は透明であり白色沈殿物や結晶の析出などは見られないため、安定したエッチング操作ができる。
一方、従来の各成分の組成比率であるエッチング液では、図7に示すように、使用中に空気中の炭酸ガスを吸収してエッチング液中に白色の浮遊物や沈殿が短時間(1日後)に発生し、さらに、この白色物質が時間の経過とともに反応液中で結晶化して反応槽壁に付着したり、エッチング処理物に付着しやすくなるため、安定したエッチング操作ができない。
また、表2には、本発明のエッチング液と従来のエッチング液とで液晶ポリマー基材をエッチングした場合のエッチング速度を比較した結果を示す。この表からも明らかなように、本発明のエッチング液によるエッチング速度は非常に速く、従来の市販のエッチング液(例えば、比較例1、4)に比べると、実施例1及び5などでは約10倍も速いことがわかる。
なお、エッチング液中の無機または有機アルカリ成分の量やモノエタノールアミン等の量は規定濃度の塩酸で電位差滴定することによって管理することができる。
また、本発明のエッチング液を用いてエッチング処理を行う場合は、液温度条件を60°C以上90°C以下、処理時間を1〜20分間程度とするのが好ましく、より好ましい温度は80°Cである。温度が低いと反応に時間がかかり、あまり高温になると、水分の蒸発が激しくなり、エッチング液の濃度が変化しやすくなる。
本発明によるエッチング操作において、基材とエッチング液を接触させる方法としては、攪拌状態の液中に基材を浸漬させる方法、基材に液を気中でスプレーする方法、液中でジェット噴流をあてる方法、液中で超音波をあてる方法などが挙げられる。液中で接触させる場合は基板を揺動することが有効である。基材に液を気中でスプレーする方法では炭酸ガスの混入や作業者の安全のためにも密閉系が好ましい。
なお、本発明のエッチング液を用いたエッチング処理によって得られたスルービアホールのSEM(Scanning Electron Microscope)写真を図3に、ブラインドビアホールのSEM写真を図4に示す。いずれもホール側壁部の液晶ポリマーがきれいに除去され、しかも、テーパー角が大きく、エッチング表面には割れや凹凸もなく、比較的平滑な表面となっているのが分かる。
[実施例1]ジャパンゴアテックス株式会社製の片面銅張り液晶ポリマーフィルム基材(銅厚み18μm、液晶ポリエステルフィルム基材「BIAC」厚み125μm)のサンプル片(5cm×5cm、厚み143μm)を、水酸化カリウム(KOH)34.5重量%、モノエタノールアミン(MEA)45重量%、水20.5重量%からなるエッチング液に液温度80°Cで浸漬し、全体膜厚みの変化を測定し、エッチングされた液晶ポリマー層の厚みの変化を測定した。エッチング液はビーカー中で攪拌しながら行った。時間の経過と共に液晶ポリマー層の膜厚は減少し、6.5分で液晶ポリマー層は完全にエッチングされて、銅表面が露出した。反応時間と液晶ポリマー層の膜厚の減少量はほぼ比例関係にあり、液晶ポリマー層平均のエッチング速度は19.5μm/分であった。(膜厚はMITUTOYO CORP.製model1D−C112で測定)。
[実施例2]ジャパンゴアテックス株式会社製の片面銅張り液晶ポリマーフィルム基材(銅厚み18μm、液晶ポリエステルフィルム基材「BIAC」厚み125μm)のサンプル片(5cm×5cm、厚み143μm)を、水酸化カリウム34重量%、モノエタノールアミン45重量%、水21重量%からなるエッチング液に液温度80°Cで浸漬し、全体膜厚みの変化を測定し、エッチングされた液晶ポリマー層の厚みの変化を測定した。エッチング液はビーカー中で攪拌しながら行った。時間の経過と共に液晶ポリマー層の膜厚は減少し、6.9分で液晶ポリマー層は完全にエッチングされて、銅表面が露出した。反応時間と液晶ポリマー層の膜厚の減少量はほぼ比例関係にあり、液晶ポリマー層平均のエッチング速度は18μm/分であった。
[実施例3]ジャパンゴアテックス株式会社製の片面銅張り液晶ポリマーフィルム基材(銅厚み18μm、液晶ポリエステルフィルム基材「BIAC」厚み125μm)のサンプル片(5cm×5cm、厚み143μm)を、水酸化カリウム34.5重量%、モノエタノールアミン42重量%、水23.5重量%からなるエッチング液に液温度80°Cで浸漬し、全体膜厚みの変化を測定し、エッチングされた液晶ポリマー膜の厚みの変化を測定した。エッチング液はビーカー中で攪拌しながら行った。時間の経過と共に液晶ポリマーの膜厚は減少し、8.3分で液晶ポリマー層は完全にエッチングされて、銅表面が露出した。反応時間と液晶ポリマー層の膜厚の減少量はほぼ比例関係にあり、液晶ポリマー層平均のエッチング速度は15μm/分であった。
[実施例4]新日本製鉄化学株式会社製の「エスパネックス」LCP(液晶ポリマーフィルム基材「VECSTAR」:50μm/Cu:18μm)の試験片を、水酸化カリウム30重量%、モノエタノールアミン49重量%、水21重量%からなるエッチング液に液温度80°Cで浸漬し、全体膜厚みの変化を測定し、エッチングされた液晶ポリマー層の厚みの変化を測定した。時間の経過と共に液晶ポリマー層の膜厚は減少し、3.5分で液晶ポリマー層は完全にエッチングされて、銅表面が露出した。液晶ポリマー層平均のエッチング速度は14.4μm/分であった。
[実施例5]新日本製鉄化学株式会社製の「エスパネックス」LCP(液晶ポリマーフィルム基材「VECSTAR」:50μm/Cu:18μm)の試験片を、水酸化カリウム34.9重量%、モノエタノールアミン45重量%、水20.1重量%からなるエッチング液に液温度80°Cで浸漬し、全体膜厚みの変化を測定し、エッチングされた液晶ポリマー層の厚みの変化を測定した。時間の経過と共に液晶ポリマーの層の膜厚は減少し、2.3分で液晶ポリマー層は完全にエッチングされて、銅表面が露出した。液晶ポリマー層平均のエッチング速度は22μm/分であった。
[比較例1〜5]実施例1と同じ基材を用いて、エッチング液のKOH/MEA/水の割合を表2のような組成に調整し、実施例1〜5と同じ温度条件でエッチング速度を測定した。結果は表2に示す通りである。
いずれのエッチング速度も比較例5を除いては、実施例1〜5の結果に比べると、1/10〜1/2と大幅に低いものであった。
Figure 0004104154
エッチング条件:反応温度はすべて80℃、ビーカー中で液を攪拌しながら試料を浸漬した。
材料:「BIAC」はジャパンゴアテックス株式会社の銅張り液晶ポリマーフィルム基材、「VECSTAR」は新日本製鉄化学株式会社の銅張り液晶ポリマーフィルム基材である。
比較例5では反応終了後、液温低下とともに液中に結晶が析出し、加温後も簡単には消失しなかった。
[実施例6]新日本製鉄化学株式会社製「エスパネックス」LCP(液晶ポリマーフィルム基材「VECSTAR」:100μm/Cu:18μm)の両面にニチゴーモートン社製アルカリ現像タイプのドライフィルムNIT−215をラミネートし、銅側のドライフィルムに図5に示すエッチング評価試験用マスク(孔径100〜800μm)を使って露光・現像し、パターンマスク加工を行った。つぎに、この試験片を塩化第二鉄エッチング液でマスク開口部の銅膜をエッチングしたあと、アルカリ剥離液で銅側だけのドライフィルムを剥離して、100〜800μmの孔径をもつ銅マスクを作った。つぎに、この銅マスク形成液晶ポリマーフィルム試験片を、水酸化カリウム34.9重量%、エタノールアミン45重量%、水20.1重量%からなるエッチング液に液温度80°Cで5分間浸漬し、液晶ポリマーフィルム基材のエッチング孔加工を行った。結果は図3に示すように、73度のテーパー角を有するエッチング壁の表面も平滑なきれいな孔を得ることができた。
[実施例7]ジャパンゴアテックス株式会社製片面銅張り液晶ポリマーフィルム基材(銅厚み18μm、液晶ポリエステルフィルム基材「BIAC」厚み125μm)のサンプル片[5cmx5cm,厚み143μm]の両面にドライフィルムをラミネートし、銅側に図5に示す丸孔の評価用パターンマスクを用いて露光・現像を行い、樹脂パターンマスクを作製したあと、塩化第二鉄で銅エッチングを行い、丸孔のある銅マスクパターンを形成した。つぎに、このサンプルを、水酸化カリウム34.5重量%、モノエタノールアミン45重量%、水20.5重量%からなる液温80°Cのエッチング液で7分間エッチングした。裏面のドライフィルムと銅マスクを剥離したところ、スルーホールをもった液晶フィルム基板が得られた。ビアのテーパー角は73度であった。この組成のエッチング液では、液中への沈殿物の生成はなく、何度も繰り返しエッチングを行っても処理効果は変わらず安定していた。
[実施例8]新日本製鉄化学株式会社製「エスパネックス」LCP(液晶ポリマーフィルム基材「VECSTAR」:100μm/Cu:18μm)の試験片100mm×100mmの両面にドライフィルムをラミネートし、銅側に丸孔のパターンマスクを用いて露光・現像を行い、樹脂パターンマスクを作製したあと、塩化第二鉄で銅エッチングを行い、丸孔のある銅マスクパターンを形成した。つぎに、水酸化カリウム34.5重量%、エタノールアミン45重量%、水20.1重量%からなるエッチング液に液温度85°Cで5分間浸漬エッチングした。裏面のドライフィルムと銅マスクを剥離したところ、72度のテーパー角のスルーホールをもった液晶フィルム基板が得られた。この組成のエッチング液では、液中への沈殿物の生成はなく、何度も繰り返しエッチングを行っても処理効果は変わらず安定していた。
[実施例9]新日本製鉄化学株式会社製「エスパネックス」LCP(液晶ポリマーフィルム基材「VECSTAR」:100μm/Cu:18μm)の試験片100mm×100mmの両面にドライフィルムをラミネートし、片面に丸孔のパターンマスクを用いて露光・現像を行い、樹脂パターンマスクを作製したあと、塩化第二鉄で銅エッチングを行い、丸孔のある銅マスクパターンを形成した。つぎに、水酸化カリウム34.5重量%、エタノールアミン45重量%、水20.1重量%からなるエッチング液に液温度85°Cで6分間浸漬エッチングした。裏面のドライフィルムをラミネートしたままで銅マスクを剥離し、ついで、裏面のドライフィルムを剥離したところ、ブラインドビアホールをもった液晶フィルム基板が得られた。この組成のエッチング液では、液中への沈殿物の生成はなく、何度も繰り返しエッチングを行っても処理効果は変わらず安定していた。
[比較例6]新日本製鉄化学株式会社製「エスパネックス」LCP(液晶ポリマーフィルム基材べクスタ:100μm/Cu:18μm)の両面にニチゴーモートン社製アルカリ現像タイプのドライフィルムNIT−215をラミネートし、銅側のドライフィルムに図5のエッチング評価試験用マスク(孔径100〜800μm)を使って露光・現像し、パターンマスク加工を行った。つぎに、この試験片を塩化第二鉄エッチング液でマスク開口部の銅膜をエッチングしたあと、アルカリ剥離液で銅側だけのドライフィルムを剥離して、100〜800μmの孔径をもつ銅マスクを作った。つぎに、この銅マスクが形成された液晶ポリマーフィルム試験片を、水酸化カリウム28重量%、エタノールアミン33重量%、水39重量%からなるエッチング液に液温度85°Cで浸漬し、液晶ポリマーフィルム基材にエッチング孔加工を行った。エッチング速度が遅いため、フィルムに孔が開くまでには約45分間を要した。結果は図2に示すように、樹脂のサイドエッチングが大きく、テーパー角の小さな樹脂壁の表面も平滑でない孔しか得ることができなかった。
[比較例7]新日本製鉄化学株式会社製「エスパネックス」LCP(液晶ポリマーフィルム基材べクスタ:100μm/Cu:18μm)の両面にニチゴーモートン社製アルカリ現像タイプのドライフィルムNIT−215をラミネートし、銅側のドライフィルムに図5のエッチング評価試験用マスク(孔径100〜800μm)を使って露光・現像し、パターンマスク加工を行った。つぎに、この試験片をアンモニア銅エッチング液でマスク開口部の銅膜をエッチングしたあと、アルカリ剥離液で銅側だけのドライフィルムを剥離して、100〜800μmの孔径をもつ銅マスクを作った。つぎに、この銅マスクが形成された液晶ポリマーフィルム試験片を、水酸化カリウム40重量%、エタノールアミン33重量%、水27重量%からなるエッチング液に液温度85°Cで7分間浸漬し、液晶ポリマーフィルム基材にエッチング孔加工を行った。樹脂のサイドエッチングが少なく、71度のテーパー角を有する樹脂壁の表面も平滑な孔が得られた。しかし、エッチング処理後のエッチング液の表面には白い膜状の物質が生成し、室温に一日放置したところ、液中の底部に結晶状の沈殿物が多量に生成していた。
液晶ポリエステルの分子構造を示す図である。 従来のエッチング液によるスルービアホールのSEM写真であり、撮影倍率:100倍と350倍の場合を示す。 本願発明による組成(KOH34.5%)のエッチング液によるスルービアホールのSEM写真であり、撮影倍率:100倍と350倍の場合を示す。 本願発明による組成(KOH34.5%)のエッチング液によるブラインドビアホールのSEM写真であり、撮影倍率:100倍と350倍の場合を示す。 評価用の丸孔パターンマスクを示す写真である。 液組成が例えば、KOH34.5%、MEA45%、水20.5%である本発明のエッチング液の使用日数10日後の液状態を示す写真である。 液組成が例えば、KOH40%、MEA33%、水27%である従来のエッチング液の使用日数1日後の液状態を示す写真である。

Claims (5)

  1. 液晶ポリマーのエッチング液において、30重量%以上35重量%未満のアルカリ金属水酸化物などの無機アルカリ化合物と、45〜50重量%の分子中に少なくとも1個以上のアミノ基と水酸基を有する脂肪族アミノアルコール及び水とからなり、かつ、全アルカリ成分濃度(無機アルカリ化合物とアミノアルコールの合計)が75重量%〜80重量%の水溶液であることを特徴とする液晶ポリマーのエッチング液。
  2. 前記アルカリ金属水酸化物が水酸化カリウムまたは水酸化ナトリウムであり、前記脂肪族アミノアルコールが2−アミノエタノールであることを特徴とする請求項1に記載の液晶ポリマーのエッチング液。
  3. 前記液晶ポリマーが全芳香族ポリエステルであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の液晶ポリマーのエッチング液。
  4. 請求項1〜3のいずれか一つに記載の液晶ポリマーのエッチング液を用いて、金属張り液晶ポリマーフィルム基材をエッチングすることを特徴とする液晶ポリマーのエッチング方法。
  5. 前記液晶ポリマーのエッチング液の液温度が60°C以上90°C以下であることを特徴とする請求項4に記載の液晶ポリマーのエッチング方法。
JP2005102888A 2005-03-31 2005-03-31 液晶ポリマーのエッチング液及び液晶ポリマーのエッチング方法。 Active JP4104154B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005102888A JP4104154B2 (ja) 2005-03-31 2005-03-31 液晶ポリマーのエッチング液及び液晶ポリマーのエッチング方法。
TW095110913A TW200641101A (en) 2005-03-31 2006-03-29 Etching solution for liquid crystal polymer and method for etching liquid crystal polymer
KR1020060028747A KR20060105541A (ko) 2005-03-31 2006-03-30 액정 폴리머의 에칭액 및 액정 폴리머의 에칭방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005102888A JP4104154B2 (ja) 2005-03-31 2005-03-31 液晶ポリマーのエッチング液及び液晶ポリマーのエッチング方法。

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006282791A JP2006282791A (ja) 2006-10-19
JP4104154B2 true JP4104154B2 (ja) 2008-06-18

Family

ID=37405040

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005102888A Active JP4104154B2 (ja) 2005-03-31 2005-03-31 液晶ポリマーのエッチング液及び液晶ポリマーのエッチング方法。

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP4104154B2 (ja)
KR (1) KR20060105541A (ja)
TW (1) TW200641101A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113169249A (zh) * 2018-10-30 2021-07-23 三星显示有限公司 发光二极管结构及发光二极管制造方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008210891A (ja) * 2007-02-23 2008-09-11 Fujikura Ltd フレキシブルプリント基板
TW201842165A (zh) * 2017-04-06 2018-12-01 日商三菱製紙股份有限公司 樹脂組成物用之蝕刻液及蝕刻方法
WO2020085447A1 (ja) * 2018-10-24 2020-04-30 三菱製紙株式会社 樹脂組成物のエッチング液及びエッチング方法
JP6805397B1 (ja) * 2019-04-03 2020-12-23 三菱製紙株式会社 液晶ポリマー用エッチング液及び液晶ポリマーのエッチング方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001288286A (ja) * 2000-02-01 2001-10-16 Toray Ind Inc エッチング方法
JP2001310959A (ja) * 2000-02-23 2001-11-06 Toray Ind Inc 樹脂膜のウエットエッチング用エッチング液及びそれを用いて成るエッチング方法
US6923919B2 (en) * 2000-07-18 2005-08-02 3M Innovative Properties Company Liquid crystal polymers for flexible circuits
JP2003261699A (ja) * 2002-03-08 2003-09-19 Toray Eng Co Ltd 液晶ポリマー用エッチング液及びそれを用いるエッチング方法
JP3929925B2 (ja) * 2003-04-10 2007-06-13 東レエンジニアリング株式会社 金属張り液晶ポリエステル基材の製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113169249A (zh) * 2018-10-30 2021-07-23 三星显示有限公司 发光二极管结构及发光二极管制造方法
US20220013693A1 (en) * 2018-10-30 2022-01-13 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting element structure and method of fabricating a light emitting element
US11949045B2 (en) * 2018-10-30 2024-04-02 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting element structure and method of fabricating a light emitting element
CN113169249B (zh) * 2018-10-30 2024-05-07 三星显示有限公司 发光元件结构及制造发光元件的方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW200641101A (en) 2006-12-01
KR20060105541A (ko) 2006-10-11
JP2006282791A (ja) 2006-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6403211B1 (en) Liquid crystal polymer for flexible circuits
TW540259B (en) Liquid crystal polymers for flexible circuits
EP0832918B1 (en) Polyimide etching solution and etching process
US5227008A (en) Method for making flexible circuits
JP4104154B2 (ja) 液晶ポリマーのエッチング液及び液晶ポリマーのエッチング方法。
US6611046B2 (en) Flexible polyimide circuits having predetermined via angles
JP2014503607A (ja) ポリマーエッチング剤及びその使用方法
EP0446032B1 (en) Wet-etch process and composition
CN107113982A (zh) 印刷配线板用基板、制作印刷配线板用基板的方法、印刷配线板、制作印刷配线板的方法以及树脂基材
US20110049104A1 (en) Etchant for copper or copper alloy, liquid for etching pretreatment, and etching method
CN106400015B (zh) 一种银镀层褪除剂及其制备方法和用途
JP2014520955A (ja) 銅又は銅合金表面への有機レジスト密着性の提供方法
JP3251515B2 (ja) 樹脂エッチング液及びエッチング方法
JP2004190054A (ja) エッチング液
JP3765970B2 (ja) エッチング液及びフレキシブル配線板の製造方法
JP3592285B2 (ja) ポリイミド層を含む積層体のエッチング方法
JP3929925B2 (ja) 金属張り液晶ポリエステル基材の製造方法
JP6184578B1 (ja) 無電解銅メッキをする方法、及び無電解銅メッキのための触媒溶液を製造する方法
JP2005154899A (ja) エッチング液、その補給液、それらを用いるエッチング方法及び配線基板の製造方法
CN113504715B (zh) 一种印刷线路板显影添加剂
JP2003261699A (ja) 液晶ポリマー用エッチング液及びそれを用いるエッチング方法
JP4164954B2 (ja) ポリイミド系樹脂のエッチング方法
TW201931030A (zh) 抗蝕劑之剝離液
WO2005082983A9 (en) Etched polycarbonate films
JP6551784B2 (ja) レジスト剥離液中の炭酸濃度管理方法および炭酸濃度管理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070910

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080319

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080324

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4104154

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110404

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130404

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140404

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250