JP4103604B2

JP4103604B2 - Semiconductor integrated circuit

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Publication number: JP4103604B2
Application number: JP2003018326A
Authority: JP
Inventors: 安成降矢
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2003-01-28
Filing date: 2003-01-28
Publication date: 2008-06-18
Anticipated expiration: 2023-01-28
Also published as: JP2004235688A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＰＬＬ（Phase Locked Loop）回路を含む半導体集積回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、ＰＬＬ回路が用いられている。ＰＬＬ回路は、入力信号に位相又は周波数が同期した発振信号を発生する回路である。一般に、ＰＬＬ回路は、分周回路と、位相検出回路と、チャージポンプ回路と、ループフィルタ回路と、電圧制御発振回路とを具備する。
ＰＬＬ回路においては、入力信号の周波数が変わる場合に、ジッタ等を低減するため、ユーザが、分周回路、位相検出回路、チャージポンプ回路、ループフィルタ回路、又は、電圧制御発振回路の特性を調整する必要がある。これらの回路の特性調整は、各々の回路が有するアナログ調整ピンを操作することにより行う。
【０００３】
しかしながら、従来のＰＬＬ回路においては、入力信号の周波数が変わる都度、ユーザが分周回路、位相検出回路、チャージポンプ回路、ループフィルタ回路、又は、電圧制御発振回路の特性を調整しなければならないため、操作が煩雑であった。また、従来のＰＬＬ回路においては、入力信号の周波数がダイナミックに変化する場合には対応できなかった。
【０００４】
ところで、複数の入力クロック周波数に対しても自動的に内部クロック周波数を一定にできるクロック発生回路が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
特許文献１には、クロックの周波数を判定する周波数判定装置と、入力クロックとリファレンスクロックとの位相の比較を行なう位相比較器と、位相比較器から出力された位相差電圧から高周波成分を除去するループフィルタと、ループフィルタの出力電圧を入力とし入力クロックの２倍以上の周波数の内部クロックを出力する電圧制御発振器と、電圧制御発振器の出力を周波数判定装置で判定された結果に従って一定周波数に分周する第１の分周装置と、第１の分周装置の出力を周波数判定装置で判定された結果に従って入力クロック周波数と同じ周波数に分周する第２の分周装置とを備え、複数の入力クロック周波数に対しても内部クロック周波数を一定にすることを特徴とするクロック発生装置が掲載されている。
【０００６】
しかしながら、特許文献１に掲載されているクロック発生装置は、第１の分周装置が、電圧制御発振器の出力を周波数判定装置で判定された結果に従って一定周波数に分周し、第２の分周装置が、第１の分周装置の出力を周波数判定装置で判定された結果に従って入力クロック周波数と同じ周波数に分周することにより、複数の入力クロック周波数に対しても内部クロック周波数を一定にするものではあるが、位相検出回路の出力信号に基づく電位を入力周波数に応じた特性で生成して出力するチャージポンプ回路、チャージポンプ回路の出力電位を入力周波数に応じた特性で濾波して出力するループフィルタ回路、及び、ループフィルタ回路の出力電位に基づく周波数の信号を入力周波数に応じた特性で生成し出力する電圧制御発振回路を具備するものではなく、入力クロック周波数に応じて回路の特性を最適化してジッタ等を低減するものでもない。
【０００７】
【特許文献１】
特開平８−２９２２１６号公報（第２−５頁、図３）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、上記の点に鑑み、本発明は、ＰＬＬ回路を含む半導体集積回路であって、入力信号の周波数に応じてジッタ等を低減することができる半導体集積回路を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するため、本発明に係る半導体集積回路は、入力信号の供給を受けて、入力信号の周波数が、入力信号の周波数がとり得る周波数帯域を２分割した２つの帯域のいずれの帯域に属するかを表す制御信号を入力信号に基づいて生成して出力する入力信号周波数判定回路と、出力信号を分周して出力する分周回路と、入力信号と分周回路が出力する信号の位相差を表す信号を生成して出力する位相検出回路と、位相検出回路が出力する信号に基づく電位を、制御信号に応じた特性で生成して出力するチャージポンプ回路と、チャージポンプ回路が出力する電位を、制御信号に応じた特性で濾波して出力するループフィルタ回路と、ループフィルタ回路が出力する電位に基づく周波数の信号を、制御信号に応じた特性で生成し、出力信号として出力する電圧制御発振回路とを具備し、入力信号周波数判定回路が、入力信号に基づいて、所定のタイミングで活性化される第１のタイミング信号、及び第１のタイミング信号が非活性化されているときに所定のタイミングで活性化される第２のタイミング信号を出力するタイミング信号発生回路と、一端が所定の電位に接続されたキャパシタと、第１のタイミング信号が活性化されているときに所定の第１の電流をキャパシタに供給してキャパシタに電荷をチャージするチャージ回路と、第２のタイミング信号が活性化されているときにキャパシタにチャージされた電荷をディスチャージするディスチャージ回路と、所定の基準電位を生成し出力する電位生成回路と、キャパシタの他端の電位と電位生成回路が出力する電位とを比較し、比較結果としての信号を出力するコンパレータと、コンパレータが出力する信号を所定時間遅延させて出力する遅延回路と、第２のタイミング信号に同期して、遅延回路の出力信号をラッチするラッチ回路と、を具備することを特徴とする。
【００１０】
ここで、Ｎ＝２であり、入力信号周波数判定回路が、入力信号に基づいて、所定のタイミングで活性化される第１のタイミング信号、及び第１のタイミング信号が非活性化されているときに所定のタイミングで活性化される第２のタイミング信号を出力するタイミング信号発生回路と、一端が所定の電位に接続されたキャパシタと、第１のタイミング信号が活性化されているときに所定の第１の電流をキャパシタに供給してキャパシタに電荷をチャージするチャージ回路と、第２のタイミング信号が活性化されているときにキャパシタにチャージされた電荷をディスチャージするディスチャージ回路と、所定の基準電位を生成し出力する電位生成回路と、キャパシタの他端の電位と電位生成回路が出力する電位とを比較し、比較結果としての信号を出力するコンパレータと、コンパレータが出力する信号を所定時間遅延させて出力する遅延回路と、第２のタイミング信号に同期して、遅延回路の出力信号をラッチするラッチ回路と、を具備するようにしても良い。
【００１１】
また、本発明に係る半導体集積回路は、入力信号の供給を受けて、入力信号の周波数が、入力信号の周波数がとり得る周波数帯域を２分割した２つの帯域のいずれの帯域に属するかを表す制御信号を入力信号に基づいて生成して出力する入力信号周波数判定回路と、出力信号を分周して出力する分周回路と、入力信号と分周回路が出力する信号の位相差を表す信号を生成して出力する位相検出回路と、位相検出回路が出力する信号に基づく電位を、制御信号に応じた特性で生成して出力するチャージポンプ回路と、チャージポンプ回路が出力する電位を、制御信号に応じた特性で濾波して出力するループフィルタ回路と、ループフィルタ回路が出力する電位に基づく周波数の信号を、制御信号に応じた特性で生成し、出力信号として出力する電圧制御発振回路と、を具備し、入力信号周波数判定回路が、所定の第１の電流、及び第１の電流に比例する第２の電流を出力する電流出力回路と、入力信号に基づいて、所定のタイミングでハイレベルとなる第１のタイミング信号、及び第１のタイミング信号がローレベルのときに所定のタイミングでハイレベルとなる第２のタイミング信号を出力するタイミング信号発生回路と、第１のタイミング信号がハイレベルのときに第１の電流を電流出力回路から受け取って出力するスイッチ回路と、ドレインがスイッチ回路の出力に接続され、ソースに所定の電位が供給され、ゲートに第２のタイミング信号が入力されるトランジスタと、一端がトランジスタのドレインに接続され、他端に所定の電位が供給されるキャパシタと、第２の電流に基づいて電位を生成し出力する電位生成回路と、キャパシタの一端の電位と電位生成回路が出力する電位とを比較し、比較結果としての信号を出力するコンパレータと、コンパレータが出力する信号を所定時間遅延させて出力する遅延回路と、第２のタイミング信号に同期して、遅延回路の出力信号をラッチし、ラッチした信号を反転させた信号を制御信号として出力するＤ型フリップフロップとを具備することを特徴とする。
【００１２】
さらに、電位生成回路が、一端に第２の電流が供給され、他端に所定の電位が供給され、一端の電位をコンパレータに出力する抵抗を具備することとしても良い。また、抵抗が、拡散抵抗、ポリ抵抗、又は、ＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）抵抗であることとしても良い。
【００１３】
上記の構成によれば、入力信号の周波数に応じてジッタ等を低減することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体集積回路を示す図である。図１に示すように、半導体集積回路１は、入力信号周波数判定回路２と、位相検出回路３と、チャージポンプ回路４と、ループフィルタ回路５と、電圧制御発振回路６と、分周回路７とを具備する。入力信号周波数判定回路２、位相検出回路３、チャージポンプ回路４、ループフィルタ回路５、電圧制御発振回路６、及び、分周回路７は、ＰＬＬ（Phase Locked Loop）回路を構成する。
【００１５】
半導体集積回路１には、所定の周波数のクロック信号である入力信号ＲＥＦＣＫが外部から入力される。この入力信号ＲＥＦＣＫは、入力信号周波数判定回路２及び位相検出回路３に供給される。
入力信号周波数判定回路２は、入力信号ＲＥＦＣＫの周波数が所定の周波数（ここでは、２０ＭＨｚとする）で分割された２つの周波数帯域のいずれの周波数帯域に属するかを表す制御信号ＨＳを出力する回路である。入力信号周波数判定回路２は、入力信号ＲＥＦＣＫの周波数が２０ＭＨｚより下の帯域に属する場合にはローレベルの制御信号ＨＳを出力し、入力信号ＲＥＦＣＫの周波数が２０ＭＨｚより上の帯域に属する場合にはハイレベルの制御信号ＨＳを出力する。
【００１６】
図２は、入力信号周波数判定回路２の内部構成を示す図である。図２に示すように、入力信号周波数判定回路２は、タイミング信号発生回路１１と、スイッチ１２と、定電流源１３と、基準電位生成回路１４と、ＮチャネルトランジスタＱＮ１と、キャパシタＣ１と、コンパレータ１５と、遅延回路１６と、Ｄ型フリップフロップ１７とを具備する。
【００１７】
図３は、図２の定電流源１３の内部構成を示す図である。図３に示すように、定電流源１３は、電気的特性が比例する２個のＰチャネルトランジスタＱＰ１、ＱＰ２を具備する。
トランジスタＱＰ１、ＱＰ２は、ソースが高電位側の電源電位（ここでは、Ｖ_DD）に接続されており、ゲートに所定のバイアス電位ＶＰＢが供給されている。トランジスタＱＰ１のドレインは、スイッチ１２に接続されており、トランジスタＱＰ１のソース〜ドレイン経路を流れる定電流Ｒ１は、スイッチ１２に供給される。トランジスタＱＰ２のドレインは、基準電位生成回路１４に接続されており、トランジスタＱＰ２のソース〜ドレイン経路を流れる定電流Ｒ２は、基準電位生成回路１４に供給される。
なお、チャネルトランジスタＱＰ１、ＱＰ２の電気的特性が比例するため、定電流Ｒ１、Ｒ２は比例することとなる。
【００１８】
再び図２を参照すると、タイミング信号発生回路１１には、入力信号ＲＥＦＣＫが供給される。タイミング信号発生回路１１は、この入力信号ＲＥＦＣＫに基づいて、所定の第１のタイミングでハイレベル又はローレベルとなる第１のタイミング信号ＣＣ、及び所定の第２のタイミングでハイレベル又はローレベルとなる第２のタイミング信号ＤＩＳＣを生成する。なお、第１のタイミング信号ＣＣと第２のタイミング信号ＤＩＳＣは、同時にハイレベルとはならないように生成される。
【００１９】
第１のタイミング信号ＣＣは、スイッチ１２に供給される。スイッチ１２は、第１のタイミング信号ＣＣがハイレベルのときにオンとなり、定電流源１３が出力する第１の定電流Ｒ１をトランジスタＱＮ１のドレイン及びキャパシタＣ１の一端に供給する。スイッチ１２は、第１のタイミング信号ＣＣがローレベルのときにオフとなり、第１の定電流Ｒ１のトランジスタＱＮ１及びキャパシタＣ１への供給を遮断する。
トランジスタＱＮ１のソースは、低電位側の電源電位Ｖ_SSに接続されており、ゲートには、第２のタイミング信号ＤＩＳＣが入力される。トランジスタＱＮ１のドレインは、キャパシタＣ１の一端と接続されており、キャパシタＣ１の他端は、低電位側の電源電位Ｖ_SSに接続されている。
【００２０】
このように構成された結果、トランジスタＱＮ１のドレイン及びキャパシタＣ１の一端の電位（以下、「電位Ｖ１」ともいう）は、第１のタイミング信号ＣＣがハイレベルとなると、定電流Ｒ１によってキャパシタＣ１がチャージされるため、ランプ状に上昇する。また、電位Ｖ１は、第２のタイミング信号ＤＩＳＣがハイレベルとなると、キャパシタＣ１にチャージされた電荷がトランジスタＱＮ１を介してディスチャージされるため、ローレベルとなる。
【００２１】
図４は、図２の基準電位生成回路１４の内部構成を示す図である。図４に示すように、基準電位生成回路１４は、抵抗Ｒｖを具備する。抵抗Ｒｖの一端には、定電流Ｒ２が定電流源１３から供給される。抵抗Ｒｖの他端は、低電位側の電源電位（ここでは、Ｖ_SS）に接続されている。抵抗Ｒｖの一端の電位は、定電流Ｒ２の電流値に抵抗Ｒｖの抵抗値を乗じ、さらにＶ_SSを加えた電位となる。この電位が基準電位ＶＲＥＦとしてコンパレータ１５の反転入力に供給される。なお、本実施形態においては、基準電位ＶＲＥＦは、およそ０．７Ｖ程度である。また、抵抗Ｒｖとして、拡散抵抗、ポリ抵抗、又は、ＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）抵抗を用いることができる。
コンパレータ１５の非反転入力には、電位Ｖ１が入力され、反転入力には、基準電位ＶＲＥＦが入力される。コンパレータ１５の出力信号（以下、「信号ＣＭＰ」ともいう）は、Ｖ１＞ＶＲＥＦの場合にハイレベルとなり、Ｖ１＜ＶＲＥＦの場合にローレベルとなる。
【００２２】
遅延回路１６は、信号ＣＭＰを所定の遅延時間だけ遅延させて出力する。遅延回路１６の出力信号は、Ｄ型フリップフロップ１７のＤ入力に供給される。
フリップフロップ１７のクロック入力には、第２のタイミング信号ＤＩＳＣが供給されており、フリップフロップ１７は、第２のタイミング信号ＤＩＳＣの立ち上がりエッジで遅延回路１６の出力信号をラッチする。フリップフロップ１７の反転出力信号が、制御信号ＨＳとして、チャージポンプ回路４、ループフィルタ５、及び、電圧制御発振回路６（図１参照）に供給される。
【００２３】
図５は、周波数が１０ＭＨｚの入力信号ＲＥＦＣＫが入力される場合における、入力信号周波数判定回路２の動作タイミングを示すタイミングチャートである。図５に示すように、入力信号ＲＥＦＣＫは、１０ＭＨｚの周波数でハイレベル又はローレベルに変化する。初期時刻ｔ₀において、信号ＣＭＰは、過渡状態となっており、所定時間の後、ローレベルで安定する。また、制御信号ＨＳは、ハイレベルとなっている。
時刻ｔ₁において、入力信号ＲＥＦＣＫが立ち上がると、タイミング信号発生回路１１の動作遅延時間の後、第１のタイミング信号ＣＣが立ち上がるとともに、第２のタイミング信号ＤＩＳＣが立ち下がる。これにより、キャパシタＣ１のチャージが開始され、電位Ｖ１は、ランプ状に上昇する。
【００２４】
一方、基準電位ＶＲＥＦは、０．７Ｖ程度で一定しており、時刻ｔ₂において、電位Ｖ１が基準電位ＶＲＥＦよりも高くなる。これにより、信号ＣＭＰは、コンパレータ１５の動作遅延時間の後、時刻ｔ₃において、ハイレベルとなる。
時刻ｔ₄において、入力信号ＲＥＦＣＫが立ち上がると、タイミング信号発生回路１１の動作遅延時間の後、第１のタイミング信号ＣＣが立ち下がる。これにより、キャパシタＣ１のチャージが停止され、電位Ｖ１の上昇は、停止する。
【００２５】
さらに、時刻ｔ₅において、入力信号ＲＥＦＣＫが立ち上がると、タイミング信号発生回路１１の動作遅延時間の後、第２のタイミング信号ＤＩＳＣが立ち上がる。これにより、キャパシタＣ１がディスチャージされ、電位Ｖ１は、その後ローレベルとなる。これにより、信号ＣＭＰもローレベルとなる。
一方、第２のタイミング信号ＤＩＳＣの立ち上がりエッジにおいて、遅延回路１６の出力信号はハイレベルとなっており、フリップフロップ１７は、この遅延回路１６の出力信号をラッチする。従って、時刻ｔ₅からフリップフロップ１７の動作遅延時間の後、制御信号ＨＳは、ローレベルとなる。これ以降、制御信号ＨＳは、ローレベルで一定となる。
【００２６】
図６は、周波数が３０ＭＨｚの入力信号ＲＥＦＣＫが入力される場合における、入力信号周波数判定回路２の動作タイミングを示すタイミングチャートである。図６に示すように、入力信号ＲＥＦＣＫは、３０ＭＨｚの周波数でハイレベル又はローレベルに変化する。初期時刻ｔ₁₀において、信号ＣＭＰは、過渡状態となっており、所定時間の後、ローレベルで安定する。また、制御信号ＨＳは、ハイレベルとなっている。
時刻ｔ₁₁において、入力信号ＲＥＦＣＫが立ち上がると、タイミング信号発生回路１１の動作遅延時間の後、第１のタイミング信号ＣＣが立ち上がるとともに、第２のタイミング信号ＤＩＳＣが立ち下がる。これにより、キャパシタＣ１のチャージが開始され、電位Ｖ１は、ランプ状に上昇する。
【００２７】
時刻ｔ₁₂において、入力信号ＲＥＦＣＫが立ち上がると、タイミング信号発生回路１１の動作遅延時間の後、第１のタイミング信号ＣＣが立ち下がる。これにより、キャパシタＣ１のチャージが停止され、電位Ｖ１の上昇は、停止する。
一方、基準電位ＶＲＥＦは、０．７Ｖ程度で一定であり、電位Ｖ１は、基準電位ＶＲＥＦよりも低い。従って、信号ＣＭＰは、ローレベルのまま変化しない。
【００２８】
さらに、時刻ｔ₁₃において、入力信号ＲＥＦＣＫが立ち上がると、タイミング信号発生回路１１の動作遅延時間の後、第２のタイミング信号ＤＩＳＣが立ち上がる。これにより、キャパシタＣ１がディスチャージされ、電位Ｖ１は、その後ローレベルとなる。信号ＣＭＰは、ローレベルのまま変化しない。
一方、第２のタイミング信号ＤＩＳＣの立ち上がりエッジにおいて、遅延回路１６の出力信号はローレベルとなっており、フリップフロップ１７は、この遅延回路１６の出力信号をラッチする。従って、制御信号ＨＳは、ローレベルのまま変化しない。
【００２９】
このように、入力信号周波数判定回路２は、入力信号ＲＥＦＣＫの周波数が２０ＭＨｚより下の帯域に属する場合にはローレベルの制御信号ＨＳを出力し、入力信号ＲＥＦＣＫの周波数が２０ＭＨｚより上の帯域に属する場合にはハイレベルの制御信号ＨＳを出力する。
なお、定電流源１３の温度変化等により定電流Ｒ１、Ｒ２が変動しても、定電流Ｒ１、Ｒ２の比例関係は維持され、コンパレータ１５の入力電位である電位Ｖ１、基準電位ＶＲＥＦは同じ比で変動する。従って、定電流源１３の温度変化等が生じた場合であっても、制御信号ＨＳは、その影響を受け難く、安定する。
【００３０】
再び図１を参照すると、チャージポンプ回路４は、位相検出回路３の出力信号に基づく電位を、制御信号ＨＳに応じた特性で生成して出力する。制御信号ＨＳに応じた特性で電位を生成するために、例えば、チャージポンプ回路４のゲインが、制御信号ＨＳに応じて切り換えられることとしても良い。
ループフィルタ回路５は、チャージポンプ回路４の出力電位を、制御信号ＨＳに応じた特性で濾波して出力する。制御信号ＨＳに応じた特性で濾波するために、例えば、ループフィルタ回路５の時定数が、制御信号ＨＳに応じて切り換えられることとしても良い。
【００３１】
電圧制御発振回路６は、ループフィルタ回路５の出力電位に基づく周波数の信号を、制御信号ＨＳに応じた特性で生成し、半導体集積回路１の出力信号として出力する。制御信号ＨＳに応じた特性で信号を生成するために、例えば、電圧制御発振回路６の時定数又はゲインが、制御信号ＨＳに応じて切り換えられることとしても良い。
分周回路７は、電圧制御発振回路６の出力信号を分周して、位相検出回路３に出力する。位相検出回路３は、入力信号ＲＥＦＣＫと分周回路７の出力信号の位相差を表す信号を生成して、チャージポンプ回路４に出力する。
【００３２】
このように、半導体集積回路１によれば、入力信号ＲＥＦＣＫの周波数が２０ＭＨｚより下の帯域に属するか又は２０ＭＨｚより上の帯域に属するかに応じて、チャージポンプ回路４が、位相検出回路３の出力信号に基づく電位を制御信号ＨＳに応じた特性で生成し、ループフィルタ回路５が、チャージポンプ回路４の出力電位を制御信号ＨＳに応じた特性で濾波して出力し、電圧制御発振回路６が、ループフィルタ回路５の出力電位に基づく周波数の信号を制御信号ＨＳに応じた特性で生成する。これにより、半導体集積回路１の出力信号のジッタ等を入力信号の周波数に応じて低減することができる。
【００３３】
なお、本実施形態においては、入力信号周波数判定回路２が、入力信号ＲＥＦＣＫの周波数が２つの周波数帯域（２０ＭＨｚより下の帯域又は２０ＭＨｚより上の帯域）のいずれに属するかを表す制御信号ＨＳを生成し出力することとしているが、入力信号周波数判定回路２が、入力信号ＲＥＦＣＫの周波数が３つ以上の周波数帯域のいずれに属するかを表す制御信号を生成し出力することとしても良い。
【００３４】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図７は、本発明の第２の実施形態に係る半導体集積回路の概要を示す図である。図７に示すように、半導体集積回路２０は、入力信号周波数判定回路２と、チャージポンプ回路４と、ループフィルタ回路５と、電圧制御発振回路６と、位相検出回路２１と、分周回路２２とを具備する。入力信号周波数判定回路２、チャージポンプ回路４、ループフィルタ回路５、電圧制御発振回路６、位相検出回路２１、及び、分周回路２２は、ＰＬＬ回路を構成する。
分周回路２２は、電圧制御発振回路６の出力信号を制御信号ＨＳに応じた特性で分周し、位相検出回路２１に出力する。位相検出回路２１は、入力信号ＲＥＦＣＫと分周回路２２の出力信号の位相差を表す信号を制御信号ＨＳに応じた特性で生成し、チャージポンプ回路４に出力する。
【００３５】
このように、分周回路２２が、電圧制御発振回路６の出力信号を制御信号ＨＳに応じた特性で分周し、位相検出回路２１が、入力信号ＲＥＦＣＫと分周回路２２の出力信号の位相差を表す信号を制御信号ＨＳに応じた特性で生成することにより、出力信号のジッタ等を入力信号の周波数に応じてより低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体集積回路を示す図。
【図２】図１の入力信号周波数判定回路２の内部構成を示す図。
【図３】図２の定電流源１３の内部構成を示す図。
【図４】図２の基準電位生成回路１４の内部構成を示す図。
【図５】図１の入力信号周波数判定回路２のタイミングチャート。
【図６】図１の入力信号周波数判定回路２のタイミングチャート。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る半導体集積回路を示す図。
【符号の説明】
１、２０半導体集積回路、２入力信号周波数判定回路、３、２１位相検出回路、４チャージポンプ回路、５ループフィルタ回路、６電圧制御発振回路、７、２２分周回路、１１タイミング信号発生回路、１２スイッチ、１３定電流源、１４基準電位生成回路、１５コンパレータ、１６遅延回路、１７Ｄ型フリップフロップ、Ｃ１キャパシタ、Ｒｖ抵抗、ＱＮ１Ｎチャネルトランジスタ、ＱＰ１、ＱＰ２Ｐチャネルトランジスタ、[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor integrated circuit including a PLL (Phase Locked Loop) circuit.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, PLL circuits have been used. The PLL circuit is a circuit that generates an oscillation signal whose phase or frequency is synchronized with an input signal. In general, the PLL circuit includes a frequency dividing circuit, a phase detection circuit, a charge pump circuit, a loop filter circuit, and a voltage controlled oscillation circuit.
In the PLL circuit, when the frequency of the input signal changes, the user adjusts the characteristics of the frequency divider, phase detector, charge pump circuit, loop filter circuit, or voltage controlled oscillator circuit in order to reduce jitter. There is a need to. The characteristics of these circuits are adjusted by operating analog adjustment pins included in each circuit.
[0003]
However, in the conventional PLL circuit, every time the frequency of the input signal changes, the user must adjust the characteristics of the frequency divider circuit, phase detection circuit, charge pump circuit, loop filter circuit, or voltage controlled oscillation circuit. The operation was complicated. Further, the conventional PLL circuit cannot cope with the case where the frequency of the input signal changes dynamically.
[0004]
By the way, a clock generation circuit that can automatically keep the internal clock frequency constant for a plurality of input clock frequencies is known (see, for example, Patent Document 1).
[0005]
Patent Document 1 discloses a frequency determination device that determines a clock frequency, a phase comparator that compares the phases of an input clock and a reference clock, and a high-frequency component that is removed from a phase difference voltage output from the phase comparator. A loop filter, a voltage-controlled oscillator that receives the output voltage of the loop filter and outputs an internal clock having a frequency that is at least twice the input clock, and divides the output of the voltage-controlled oscillator into a constant frequency according to the result determined by the frequency determination device. A first frequency dividing device that circulates; and a second frequency dividing device that divides the output of the first frequency dividing device to the same frequency as the input clock frequency according to the result determined by the frequency determining device, A clock generator characterized by making the internal clock frequency constant with respect to the input clock frequency is also disclosed.
[0006]
However, in the clock generator disclosed in Patent Document 1, the first frequency divider divides the output of the voltage controlled oscillator to a constant frequency according to the result determined by the frequency determination device, and the second frequency divider. The device divides the output of the first frequency divider to the same frequency as the input clock frequency according to the result determined by the frequency determination device, thereby making the internal clock frequency constant for a plurality of input clock frequencies. Although it is a charge pump circuit that generates and outputs a potential based on the output signal of the phase detection circuit with characteristics according to the input frequency, the output potential of the charge pump circuit is filtered and output with characteristics according to the input frequency. A loop filter circuit and a voltage controlled oscillation circuit that generates and outputs a signal of a frequency based on the output potential of the loop filter circuit with characteristics according to the input frequency. Not to Bei, nor to reduce the jitter, etc. to optimize the characteristics of the circuit in response to the input clock frequency.
[0007]
[Patent Document 1]
JP-A-8-292216 (page 2-5, FIG. 3)
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
In view of the above, an object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit including a PLL circuit, which can reduce jitter and the like according to the frequency of an input signal.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, a semiconductor integrated circuit according to the present invention receives an input signal, and the frequency of the input signal is any of two bands obtained by dividing the frequency band that can be taken by the frequency of the input signal. An input signal frequency determination circuit that generates and outputs a control signal indicating whether it belongs to a band based on an input signal, a frequency dividing circuit that divides and outputs the output signal, and an input signal and a signal that the frequency dividing circuit outputs A phase detection circuit that generates and outputs a signal representing a phase difference between the phase detection circuit, a charge pump circuit that generates and outputs a potential based on the signal output from the phase detection circuit with characteristics according to the control signal, and a charge pump circuit. A loop filter circuit that filters and outputs the output potential with characteristics according to the control signal, and a signal with a frequency based on the potential output by the loop filter circuit is generated with characteristics according to the control signal and output. A voltage-controlled oscillation circuit that outputs a signal, and the input signal frequency determination circuit is activated at a predetermined timing based on the input signal, and the first timing signal is deactivated A timing signal generating circuit that outputs a second timing signal that is activated at a predetermined timing when activated, a capacitor having one end connected to a predetermined potential, and the first timing signal being activated A charge circuit that sometimes supplies a predetermined first current to the capacitor to charge the capacitor, and a discharge circuit that discharges the charge charged to the capacitor when the second timing signal is activated; A potential generation circuit that generates and outputs a predetermined reference potential; a potential at the other end of the capacitor; and a potential output from the potential generation circuit. A comparator that compares and outputs a signal as a comparison result, a delay circuit that outputs the signal output from the comparator with a predetermined time delay, and a latch that latches the output signal of the delay circuit in synchronization with the second timing signal And a circuit.
[0010]
Here, N = 2, and the input signal frequency determination circuit is activated at a predetermined timing based on the input signal, and when the first timing signal is deactivated A timing signal generating circuit for outputting a second timing signal activated at a predetermined timing, a capacitor having one end connected to a predetermined potential, and a predetermined timing when the first timing signal is activated. A charge circuit for supplying a first current to the capacitor to charge the capacitor; a discharge circuit for discharging the charge charged to the capacitor when the second timing signal is activated; and a predetermined reference potential And the potential generation circuit that generates and outputs the potential of the other end of the capacitor and the potential output by the potential generation circuit. A comparator that outputs a signal, a delay circuit that delays and outputs a signal output from the comparator, and a latch circuit that latches the output signal of the delay circuit in synchronization with the second timing signal. Anyway.
[0011]
In addition, the semiconductor integrated circuit according to the present invention is supplied with an input signal and indicates which of the two bands obtained by dividing the frequency band that the frequency of the input signal can take into two by dividing the frequency of the input signal. An input signal frequency determination circuit that generates and outputs a control signal based on an input signal, a divider circuit that divides and outputs the output signal, and a signal that indicates a phase difference between the input signal and the signal output by the divider circuit A phase detection circuit that generates and outputs a voltage, a charge pump circuit that generates and outputs a potential based on a signal output from the phase detection circuit with characteristics according to a control signal, and a potential that the charge pump circuit outputs. A loop filter circuit that filters and outputs with characteristics according to the signal, and a frequency signal based on the potential output by the loop filter circuit is generated with characteristics according to the control signal and output as an output signal A voltage control oscillation circuit, and an input signal frequency determination circuit that outputs a predetermined first current and a second current proportional to the first current, and an input signal, A timing signal generating circuit that outputs a first timing signal that becomes high level at a predetermined timing and a second timing signal that becomes high level at a predetermined timing when the first timing signal is low level; A switch circuit that receives and outputs a first current from the current output circuit when the timing signal of the first signal is at a high level, a drain is connected to the output of the switch circuit, a predetermined potential is supplied to the source, and a second is supplied to the gate A transistor to which a timing signal is input; a capacitor having one end connected to the drain of the transistor and a predetermined potential supplied to the other end; and a second current Then, the potential generation circuit that generates and outputs the potential, compares the potential at one end of the capacitor with the potential output from the potential generation circuit, outputs a signal as a comparison result, and outputs the signal output from the comparator for a predetermined time. A delay circuit that outputs the delayed signal; and a D-type flip-flop that latches the output signal of the delay circuit in synchronization with the second timing signal and outputs a signal obtained by inverting the latched signal as a control signal. It is characterized by that.
[0012]
Further, the potential generation circuit may include a resistor that is supplied with the second current at one end, supplied with a predetermined potential at the other end, and outputs the potential at one end to the comparator. The resistor may be a diffused resistor, a poly resistor, or a MOS (Metal Oxide Semiconductor) resistor.
[0013]
According to said structure, a jitter etc. can be reduced according to the frequency of an input signal.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a diagram showing a semiconductor integrated circuit according to the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, a semiconductor integrated circuit 1 includes an input signal frequency determination circuit 2, a phase detection circuit 3, a charge pump circuit 4, a loop filter circuit 5, a voltage controlled oscillation circuit 6, and a frequency divider circuit 7. It comprises. The input signal frequency determination circuit 2, the phase detection circuit 3, the charge pump circuit 4, the loop filter circuit 5, the voltage controlled oscillation circuit 6, and the frequency divider circuit 7 constitute a PLL (Phase Locked Loop) circuit.
[0015]
An input signal REFCK which is a clock signal having a predetermined frequency is input to the semiconductor integrated circuit 1 from the outside. This input signal REFCK is supplied to the input signal frequency determination circuit 2 and the phase detection circuit 3.
The input signal frequency determination circuit 2 outputs a control signal HS indicating which frequency band of two frequency bands the input signal REFCK belongs to is divided by a predetermined frequency (here, 20 MHz). It is. The input signal frequency determination circuit 2 outputs a low-level control signal HS when the frequency of the input signal REFCK belongs to a band lower than 20 MHz, and when the frequency of the input signal REFCK belongs to a band higher than 20 MHz. A high level control signal HS is output.
[0016]
FIG. 2 is a diagram illustrating an internal configuration of the input signal frequency determination circuit 2. As shown in FIG. 2, the input signal frequency determination circuit 2 includes a timing signal generation circuit 11, a switch 12, a constant current source 13, a reference potential generation circuit 14, an N-channel transistor QN1, a capacitor C1, and a comparator. 15, a delay circuit 16, and a D-type flip-flop 17.
[0017]
FIG. 3 is a diagram showing an internal configuration of the constant current source 13 of FIG. As shown in FIG. 3, the constant current source 13 includes two P-channel transistors QP1 and QP2 whose electrical characteristics are proportional.
The sources of the transistors QP1 and QP2 are connected to a high-potential power supply potential (here, V _DD ), and a predetermined bias potential VPB is supplied to the gate. The drain of the transistor QP1 is connected to the switch 12, and the constant current R1 flowing through the source-drain path of the transistor QP1 is supplied to the switch 12. The drain of the transistor QP2 is connected to the reference potential generation circuit 14, and the constant current R2 flowing through the source-drain path of the transistor QP2 is supplied to the reference potential generation circuit 14.
Since the electric characteristics of the channel transistors QP1 and QP2 are proportional, the constant currents R1 and R2 are proportional.
[0018]
Referring to FIG. 2 again, the input signal REFCK is supplied to the timing signal generation circuit 11. Based on the input signal REFCK, the timing signal generation circuit 11 sets the first timing signal CC that becomes high level or low level at a predetermined first timing and high level or low level at a predetermined second timing. The second timing signal DISC is generated. Note that the first timing signal CC and the second timing signal DISC are generated so as not to be at a high level at the same time.
[0019]
The first timing signal CC is supplied to the switch 12. The switch 12 is turned on when the first timing signal CC is at a high level, and supplies the first constant current R1 output from the constant current source 13 to the drain of the transistor QN1 and one end of the capacitor C1. The switch 12 is turned off when the first timing signal CC is at a low level, and cuts off the supply of the first constant current R1 to the transistor QN1 and the capacitor C1.
The source of the transistor QN1 is connected to the power supply potential V _SS on the low potential side, and the second timing signal DISC is input to the gate. The drain of the transistor QN1 is connected to one end of the capacitor C1, and the other end of the capacitor C1 is connected to the power supply potential V _SS on the low potential side.
[0020]
As a result of such a configuration, the potential of the drain of the transistor QN1 and one end of the capacitor C1 (hereinafter also referred to as “potential V1”) causes the capacitor C1 to be driven by the constant current R1 when the first timing signal CC becomes high level. Since it is charged, it rises like a ramp. In addition, when the second timing signal DISC becomes high level, the potential V1 becomes low level because the charge charged in the capacitor C1 is discharged through the transistor QN1.
[0021]
FIG. 4 is a diagram showing an internal configuration of the reference potential generation circuit 14 of FIG. As shown in FIG. 4, the reference potential generation circuit 14 includes a resistor Rv. A constant current R2 is supplied from the constant current source 13 to one end of the resistor Rv. The other end of the resistor Rv is connected to a low-potential-side power supply potential (here, V _SS ). The potential at one end of the resistor Rv is a potential obtained by multiplying the current value of the constant current R2 by the resistance value of the resistor Rv and further adding V _SS . This potential is supplied to the inverting input of the comparator 15 as the reference potential VREF. In the present embodiment, the reference potential VREF is about 0.7V. Further, as the resistor Rv, a diffused resistor, a poly resistor, or a MOS (Metal Oxide Semiconductor) resistor can be used.
The potential V1 is input to the non-inverting input of the comparator 15, and the reference potential VREF is input to the inverting input. The output signal of the comparator 15 (hereinafter also referred to as “signal CMP”) is at a high level when V1> VREF, and is at a low level when V1 <VREF.
[0022]
The delay circuit 16 delays the signal CMP by a predetermined delay time and outputs it. The output signal of the delay circuit 16 is supplied to the D input of the D-type flip-flop 17.
The second timing signal DISC is supplied to the clock input of the flip-flop 17, and the flip-flop 17 latches the output signal of the delay circuit 16 at the rising edge of the second timing signal DISC. The inverted output signal of the flip-flop 17 is supplied as the control signal HS to the charge pump circuit 4, the loop filter 5, and the voltage controlled oscillation circuit 6 (see FIG. 1).
[0023]
FIG. 5 is a timing chart showing the operation timing of the input signal frequency determination circuit 2 when the input signal REFCK having a frequency of 10 MHz is input. As shown in FIG. 5, the input signal REFCK changes to a high level or a low level at a frequency of 10 MHz. At the initial time t ₀ , the signal CMP is in a transient state and stabilizes at a low level after a predetermined time. Further, the control signal HS is at a high level.
At time t _1, when the input signal REFCK rises, after a operation delay time of the timing signal generating circuit 11, together with the first timing signal CC rises, it falls a second timing signal DISC. As a result, charging of the capacitor C1 is started, and the potential V1 rises in a ramp shape.
[0024]
On the other hand, the reference potential VREF is constant at about 0.7 V, at time t _2, the potential V1 becomes higher than the reference potential VREF. As a result, the signal CMP becomes high level at time t ₃ after the operation delay time of the comparator 15.
When the input signal REFCK rises at time t ₄ , the first timing signal CC falls after the operation delay time of the timing signal generation circuit 11. Thereby, the charging of the capacitor C1 is stopped, and the increase of the potential V1 is stopped.
[0025]
Furthermore, when the input signal REFCK rises at time t ₅ , the second timing signal DISC rises after the operation delay time of the timing signal generation circuit 11. As a result, the capacitor C1 is discharged, and the potential V1 then becomes low level. As a result, the signal CMP also becomes a low level.
On the other hand, at the rising edge of the second timing signal DISC, the output signal of the delay circuit 16 is at a high level, and the flip-flop 17 latches the output signal of the delay circuit 16. Therefore, after the time t ₅ the operation delay time of the flip-flop 17, the control signal HS, a low level. Thereafter, the control signal HS becomes constant at a low level.
[0026]
FIG. 6 is a timing chart showing the operation timing of the input signal frequency determination circuit 2 when the input signal REFCK having a frequency of 30 MHz is input. As shown in FIG. 6, the input signal REFCK changes to a high level or a low level at a frequency of 30 MHz. In the initial time t _10, the signal CMP is a transient state, after a predetermined time, to stabilize at a low level. Further, the control signal HS is at a high level.
At time t _11, when the input signal REFCK rises, after a operation delay time of the timing signal generating circuit 11, together with the first timing signal CC rises, it falls a second timing signal DISC. As a result, charging of the capacitor C1 is started, and the potential V1 rises in a ramp shape.
[0027]
When the input signal REFCK rises at time t ₁₂ , the first timing signal CC falls after the operation delay time of the timing signal generation circuit 11. Thereby, the charging of the capacitor C1 is stopped, and the increase of the potential V1 is stopped.
On the other hand, the reference potential VREF is constant at about 0.7 V, and the potential V1 is lower than the reference potential VREF. Accordingly, the signal CMP remains unchanged at a low level.
[0028]
Furthermore, when the input signal REFCK rises at time t ₁₃ , the second timing signal DISC rises after the operation delay time of the timing signal generation circuit 11. As a result, the capacitor C1 is discharged, and the potential V1 then becomes low level. The signal CMP remains unchanged at a low level.
On the other hand, at the rising edge of the second timing signal DISC, the output signal of the delay circuit 16 is at a low level, and the flip-flop 17 latches the output signal of the delay circuit 16. Therefore, the control signal HS remains unchanged at a low level.
[0029]
As described above, the input signal frequency determination circuit 2 outputs the low-level control signal HS when the frequency of the input signal REFCK belongs to a band below 20 MHz, and the frequency of the input signal REFCK falls within a band above 20 MHz. If it belongs, a high level control signal HS is output.
Even if the constant currents R1 and R2 fluctuate due to temperature changes of the constant current source 13, the proportional relationship between the constant currents R1 and R2 is maintained, and the potential V1 that is the input potential of the comparator 15 and the reference potential VREF have the same ratio. It fluctuates with. Therefore, even when a temperature change or the like of the constant current source 13 occurs, the control signal HS is not easily affected and is stable.
[0030]
Referring to FIG. 1 again, the charge pump circuit 4 generates and outputs a potential based on the output signal of the phase detection circuit 3 with characteristics according to the control signal HS. In order to generate a potential with characteristics according to the control signal HS, for example, the gain of the charge pump circuit 4 may be switched according to the control signal HS.
The loop filter circuit 5 filters and outputs the output potential of the charge pump circuit 4 with a characteristic corresponding to the control signal HS. In order to perform the filtering with the characteristic according to the control signal HS, for example, the time constant of the loop filter circuit 5 may be switched according to the control signal HS.
[0031]
The voltage controlled oscillation circuit 6 generates a signal having a frequency based on the output potential of the loop filter circuit 5 with characteristics corresponding to the control signal HS, and outputs it as an output signal of the semiconductor integrated circuit 1. In order to generate a signal with characteristics according to the control signal HS, for example, the time constant or gain of the voltage controlled oscillation circuit 6 may be switched according to the control signal HS.
The frequency divider circuit 7 divides the output signal of the voltage controlled oscillation circuit 6 and outputs it to the phase detection circuit 3. The phase detection circuit 3 generates a signal representing the phase difference between the input signal REFCK and the output signal of the frequency divider circuit 7 and outputs the signal to the charge pump circuit 4.
[0032]
As described above, according to the semiconductor integrated circuit 1, the charge pump circuit 4 is connected to the phase detection circuit 3 according to whether the frequency of the input signal REFCK belongs to a band lower than 20 MHz or a band higher than 20 MHz. A potential based on the output signal is generated with characteristics according to the control signal HS, and the loop filter circuit 5 filters and outputs the output potential of the charge pump circuit 4 with characteristics according to the control signal HS. However, a signal having a frequency based on the output potential of the loop filter circuit 5 is generated with characteristics corresponding to the control signal HS. Thereby, the jitter of the output signal of the semiconductor integrated circuit 1 can be reduced according to the frequency of the input signal.
[0033]
In the present embodiment, the input signal frequency determination circuit 2 receives the control signal HS indicating which of the two frequency bands (the band below 20 MHz or the band above 20 MHz) the frequency of the input signal REFCK belongs to. The input signal frequency determination circuit 2 may generate and output a control signal indicating which of the three or more frequency bands the input signal REFCK belongs to.
[0034]
Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 7 is a diagram showing an outline of a semiconductor integrated circuit according to the second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 7, the semiconductor integrated circuit 20 includes an input signal frequency determination circuit 2, a charge pump circuit 4, a loop filter circuit 5, a voltage control oscillation circuit 6, a phase detection circuit 21, and a frequency divider circuit 22. It comprises. The input signal frequency determination circuit 2, the charge pump circuit 4, the loop filter circuit 5, the voltage controlled oscillation circuit 6, the phase detection circuit 21, and the frequency divider circuit 22 constitute a PLL circuit.
The frequency dividing circuit 22 divides the output signal of the voltage controlled oscillation circuit 6 with a characteristic corresponding to the control signal HS, and outputs it to the phase detection circuit 21. The phase detection circuit 21 generates a signal representing a phase difference between the input signal REFCK and the output signal of the frequency dividing circuit 22 with characteristics according to the control signal HS, and outputs the signal to the charge pump circuit 4.
[0035]
As described above, the frequency dividing circuit 22 divides the output signal of the voltage controlled oscillation circuit 6 by the characteristic corresponding to the control signal HS, and the phase detection circuit 21 determines the level of the input signal REFCK and the output signal of the frequency dividing circuit 22. By generating a signal representing a phase difference with a characteristic according to the control signal HS, it is possible to further reduce the jitter of the output signal according to the frequency of the input signal.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a semiconductor integrated circuit according to a first embodiment of the present invention.
2 is a diagram showing an internal configuration of an input signal frequency determination circuit 2 in FIG.
3 is a diagram showing an internal configuration of the constant current source 13 of FIG. 2;
4 is a diagram showing an internal configuration of a reference potential generation circuit 14 in FIG. 2;
5 is a timing chart of the input signal frequency determination circuit 2 of FIG.
6 is a timing chart of the input signal frequency determination circuit 2 of FIG.
FIG. 7 is a diagram showing a semiconductor integrated circuit according to a second embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,20 Semiconductor integrated circuit, 2 Input signal frequency determination circuit, 3, 21 Phase detection circuit, 4 Charge pump circuit, 5 Loop filter circuit, 6 Voltage control oscillation circuit, 7, 22 Frequency division circuit, 11 Timing signal generation circuit, 12 switches, 13 constant current sources, 14 reference potential generating circuits, 15 comparators, 16 delay circuits, 17 D-type flip-flops, C1 capacitors, Rv resistors, QN1 N-channel transistors, QP1, QP2 P-channel transistors,

Claims

入力信号の供給を受けて、前記入力信号の周波数が、前記入力信号の周波数がとり得る周波数帯域を２分割した２つの帯域のいずれの帯域に属するかを表す制御信号を前記入力信号に基づいて生成して出力する入力信号周波数判定回路と、
出力信号を分周して出力する分周回路と、
前記入力信号と前記分周回路が出力する信号の位相差を表す信号を生成して出力する位相検出回路と、
前記位相検出回路が出力する信号に基づく電位を、前記制御信号に応じた特性で生成して出力するチャージポンプ回路と、
前記チャージポンプ回路が出力する電位を、前記制御信号に応じた特性で濾波して出力するループフィルタ回路と、
前記ループフィルタ回路が出力する電位に基づく周波数の信号を、前記制御信号に応じた特性で生成し、前記出力信号として出力する電圧制御発振回路と、
を具備し、
前記入力信号周波数判定回路が、
前記入力信号に基づいて、所定のタイミングで活性化される第１のタイミング信号、及び前記第１のタイミング信号が非活性化されているときに所定のタイミングで活性化される第２のタイミング信号を出力するタイミング信号発生回路と、
一端が所定の電位に接続されたキャパシタと、
前記第１のタイミング信号が活性化されているときに所定の第１の電流を前記キャパシタに供給して前記キャパシタに電荷をチャージするチャージ回路と、
前記第２のタイミング信号が活性化されているときに前記キャパシタにチャージされた電荷をディスチャージするディスチャージ回路と、
所定の基準電位を生成し出力する電位生成回路と、
前記キャパシタの他端の電位と前記電位生成回路が出力する電位とを比較し、比較結果としての信号を出力するコンパレータと、
前記コンパレータが出力する信号を所定時間遅延させて出力する遅延回路と、
前記第２のタイミング信号に同期して、前記遅延回路の出力信号をラッチするラッチ回路と、
を具備することを特徴とする半導体集積回路。Based on the input signal, a control signal indicating which of the two bands obtained by dividing the frequency band that the frequency of the input signal can be divided into two by receiving the input signal is based on the input signal. An input signal frequency determination circuit for generating and outputting; and
A frequency divider that divides and outputs the output signal;
A phase detection circuit that generates and outputs a signal representing a phase difference between the input signal and the signal output from the frequency dividing circuit;
A charge pump circuit that generates and outputs a potential based on a signal output from the phase detection circuit with characteristics according to the control signal; and
A loop filter circuit that filters and outputs the potential output by the charge pump circuit with characteristics according to the control signal;
A voltage-controlled oscillation circuit that generates a signal having a frequency based on the potential output from the loop filter circuit with characteristics according to the control signal and outputs the signal as the output signal;
Comprising
The input signal frequency determination circuit is
A first timing signal activated at a predetermined timing based on the input signal, and a second timing signal activated at a predetermined timing when the first timing signal is inactivated A timing signal generation circuit for outputting
A capacitor having one end connected to a predetermined potential;
A charge circuit that supplies a predetermined first current to the capacitor to charge the capacitor when the first timing signal is activated;
A discharge circuit for discharging the charge charged in the capacitor when the second timing signal is activated;
A potential generation circuit that generates and outputs a predetermined reference potential;
A comparator that compares the potential of the other end of the capacitor with the potential output by the potential generation circuit, and outputs a signal as a comparison result;
A delay circuit that outputs a signal output from the comparator with a predetermined time delay;
A latch circuit that latches an output signal of the delay circuit in synchronization with the second timing signal;
A semiconductor integrated circuit comprising:

入力信号の供給を受けて、前記入力信号の周波数が、前記入力信号の周波数がとり得る周波数帯域を２分割した２つの帯域のいずれの帯域に属するかを表す制御信号を前記入力信号に基づいて生成して出力する入力信号周波数判定回路と、
出力信号を分周して出力する分周回路と、
前記入力信号と前記分周回路が出力する信号の位相差を表す信号を生成して出力する位相検出回路と、
前記位相検出回路が出力する信号に基づく電位を、前記制御信号に応じた特性で生成して出力するチャージポンプ回路と、
前記チャージポンプ回路が出力する電位を、前記制御信号に応じた特性で濾波して出力するループフィルタ回路と、
前記ループフィルタ回路が出力する電位に基づく周波数の信号を、前記制御信号に応じた特性で生成し、前記出力信号として出力する電圧制御発振回路と、
を具備し、
前記入力信号周波数判定回路が、
所定の第１の電流、及び前記第１の電流に比例する第２の電流を出力する電流出力回路と、
前記入力信号に基づいて、所定のタイミングでハイレベルとなる第１のタイミング信号、及び前記第１のタイミング信号がローレベルのときに所定のタイミングでハイレベルとなる第２のタイミング信号を出力するタイミング信号発生回路と、
前記第１のタイミング信号がハイレベルのときに前記第１の電流を前記電流出力回路から受け取って出力するスイッチ回路と、
ドレインが前記スイッチ回路の出力に接続され、ソースに所定の電位が供給され、ゲートに前記第２のタイミング信号が入力されるトランジスタと、
一端が前記トランジスタのドレインに接続され、他端に所定の電位が供給されるキャパシタと、
前記第２の電流に基づいて電位を生成し出力する電位生成回路と、
前記キャパシタの一端の電位と前記電位生成回路が出力する電位とを比較し、比較結果としての信号を出力するコンパレータと、
前記コンパレータが出力する信号を所定時間遅延させて出力する遅延回路と、
前記第２のタイミング信号に同期して、前記遅延回路の出力信号をラッチし、ラッチした信号を反転させた信号を前記制御信号として出力するＤ型フリップフロップと、
を具備することを特徴とする半導体集積回路。Based on the input signal, a control signal indicating which of the two bands obtained by dividing the frequency band that the frequency of the input signal can be divided into two by receiving the input signal is based on the input signal. An input signal frequency determination circuit for generating and outputting; and
A frequency divider that divides and outputs the output signal;
A phase detection circuit that generates and outputs a signal representing a phase difference between the input signal and the signal output from the frequency dividing circuit;
A charge pump circuit that generates and outputs a potential based on a signal output from the phase detection circuit with characteristics according to the control signal; and
A loop filter circuit that filters and outputs the potential output by the charge pump circuit with characteristics according to the control signal;
A voltage-controlled oscillation circuit that generates a signal having a frequency based on the potential output from the loop filter circuit with characteristics according to the control signal and outputs the signal as the output signal;
Comprising
The input signal frequency determination circuit is
A current output circuit for outputting a predetermined first current and a second current proportional to the first current;
Based on the input signal, a first timing signal that becomes high level at a predetermined timing and a second timing signal that becomes high level at a predetermined timing when the first timing signal is low level are output. A timing signal generation circuit;
A switch circuit that receives and outputs the first current from the current output circuit when the first timing signal is at a high level;
A transistor whose drain is connected to the output of the switch circuit, a predetermined potential is supplied to the source, and the second timing signal is input to the gate;
A capacitor having one end connected to the drain of the transistor and the other end supplied with a predetermined potential;
A potential generation circuit that generates and outputs a potential based on the second current;
A comparator that compares a potential at one end of the capacitor with a potential output from the potential generation circuit, and outputs a signal as a comparison result;
A delay circuit that outputs a signal output from the comparator with a predetermined time delay;
A D-type flip-flop that latches an output signal of the delay circuit in synchronization with the second timing signal and outputs a signal obtained by inverting the latched signal as the control signal;
A semiconductor integrated circuit comprising:

前記電位生成回路が、一端に前記第２の電流が供給され、他端に所定の電位が供給され、前記一端の電位を前記コンパレータに出力する抵抗を具備することを特徴とする請求項２記載の半導体集積回路。 3. The potential generating circuit includes a resistor that is supplied with the second current at one end, is supplied with a predetermined potential at the other end, and outputs the potential at the one end to the comparator. Semiconductor integrated circuit.

前記抵抗が、拡散抵抗、ポリ抵抗、又は、ＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）抵抗であることを特徴とする請求項３記載の半導体集積回路。 4. The semiconductor integrated circuit according to claim 3, wherein the resistor is a diffused resistor, a poly resistor, or a MOS (Metal Oxide Semiconductor) resistor.