JP4098834B2 - 情報記憶媒体用基板 - Google Patents
情報記憶媒体用基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4098834B2 JP4098834B2 JP52651198A JP52651198A JP4098834B2 JP 4098834 B2 JP4098834 B2 JP 4098834B2 JP 52651198 A JP52651198 A JP 52651198A JP 52651198 A JP52651198 A JP 52651198A JP 4098834 B2 JP4098834 B2 JP 4098834B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- glass substrate
- mol
- substrate
- information storage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 239
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 87
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 319
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 50
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 41
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 41
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 27
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 27
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 25
- 238000003426 chemical strengthening reaction Methods 0.000 description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N Na2O Inorganic materials [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 18
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 18
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 17
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 17
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 17
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 13
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 12
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 4
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 4
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 3
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001018 Cast iron Inorganic materials 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910007800 Li2Y Inorganic materials 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000005345 chemically strengthened glass Substances 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GCPXMJHSNVMWNM-UHFFFAOYSA-N arsenous acid Chemical compound O[As](O)O GCPXMJHSNVMWNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000004031 devitrification Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000003203 everyday effect Effects 0.000 description 1
- 239000000156 glass melt Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L lithium sulfate Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-]S([O-])(=O)=O INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 description 1
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- RBTVSNLYYIMMKS-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 3-aminoazetidine-1-carboxylate;hydrochloride Chemical compound Cl.CC(C)(C)OC(=O)N1CC(N)C1 RBTVSNLYYIMMKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/078—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing an oxide of a divalent metal, e.g. an oxide of zinc
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/083—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound
- C03C3/085—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal
- C03C3/087—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal containing calcium oxide, e.g. common sheet or container glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/095—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing rare earths
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73921—Glass or ceramic substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B23/00—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/0014—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture record carriers not specifically of filamentary or web form
- G11B23/0021—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture record carriers not specifically of filamentary or web form discs
- G11B23/0028—Details
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/58—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head for the purpose of maintaining alignment of the head relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
- G11B5/60—Fluid-dynamic spacing of heads from record-carriers
- G11B5/6005—Specially adapted for spacing from a rotating disc using a fluid cushion
- G11B5/6011—Control of flying height
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
- G11B5/82—Disk carriers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
本発明は、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスク等の情報記憶媒体に使用されるディスク基板(以下、「情報記憶媒体用基板」という。)および情報記憶媒体に係り、特に、ガラス製の情報記憶媒体用基板および当該情報記憶媒体用基板を用いた情報記憶媒体に関する。
背景技術
情報記憶媒体用基板としては、アルミニウム基板、アモルファスガラス基板(以下、単に「ガラス基板」という。)、結晶化ガラス基板が知られている。これらの情報記憶媒体用基板の中でもガラス基板は、他の情報記憶媒体用基板に比べて表面平坦性の高いもの(表面粗さRaの値が小さいもの)を得易く、かつ、薄板化および小型化にも耐える強度を備えていることから、次第にマーケット・シェアを拡大しつつある。
上記のガラス基板の中でも、その表面をイオン交換によって化学強化した化学強化ガラス基板は良く知られており、当該化学強化ガラス基板としてはSiO2を60.0〜70.0重量%、Al2O3を0.5〜14.0重量%、アルカリ金属酸化物を10.0〜32.0重量%、ZnOを1.0〜15.0重量%、B2O3を1.1〜14.0重量%を含有し、線膨張係数、圧縮強度および抗折強度がそれぞれ特定の値以上のガラスからなるものがある(特公平4−70262号公報参照)。
また、化学強化ガラス基板の材料となるガラスとしては、下記(a)または(b)のガラスが知られている。
(a)SiO2を55〜62重量%、Al2O3を10〜18重量%、ZrO2を2〜10重量%、MgOを2〜5重量%、BaOを0.1〜3重量%、Na2Oを12〜15重量%、K2Oを2〜5重量%、P2O3を0〜7重量%、TiO2を0.5〜5重量%含有し、Al2O3とTiO2の合量が13〜20重量%であるガラス(特開平1−167245号公報参照)。
(b)64〜70重量%のSiO2と、14〜20重量%のAl2O3と、4〜6重量%のLi2Oと、7〜10重量%のNa2Oと、0〜4重量%のMgOと、0〜1.5重量%のZrO2とからなるガラス(特公平6−76224号公報参照)。
ところで、ハードディスク装置については、光記憶媒体、光磁気記憶媒体等の情報記憶媒体を用いた他の記憶再生装置に対して優位性を確保するための技術革新が日々行われている。その技術革新の1つに磁気ディスクの高速回転化がある。この高速回転化は、記録再生磁気ヘッドのアクセス速度を向上させるための1つの試みであり、従来5000〜7000rpmであったものが今後は10000rpmを超える趨勢にある。
発明が解決しようとする課題
上述したように、磁気ディスクについてはその高速回転化が求められているわけであるが、従来のガラス基板(情報記憶媒体用ガラス基板)を用いて前記の高速回転化を図ると、フライングハイト(記録再生時における磁気ヘッドと磁気ディスクとの間の距離)を安定して確保することが困難になる。
本発明の第1の目的は、高速回転化に対応できる情報記憶媒体を得ることが容易な情報記憶媒体用基板を提供することにある。
また、本発明の第2の目的は、アクセス速度が速い記録再生装置を得ることが容易な情報記憶媒体を提供することにある。
本発明の第3の目的は、高いヤング率と、低フライングハイトを同時に実現できる情報記憶媒体を提供することである。
本発明の第4の目的は、高いヤング率により、回転に伴う振動を抑制できる情報記憶媒体を提供することである。
発明の開示
本発明者は、従来のガラス基板(情報記憶媒体用ガラス基板)を用いて前述した高速回転化を図ったときにフライングハイトを安定して確保することが困難になる原因について鋭意究明した結果、情報記憶媒体の高速回転時に当該情報記憶媒体が共振等によって変形し、そのためフライングハイトを安定して確保することが困難になることを見出した。また、情報記憶媒体の高速回転時に当該情報記憶媒体が共振等によって変形するのを防止するうえからは、情報記憶媒体用基板のヤング率を高めることが好ましいことを見出した。
高いヤング率を有する情報記憶媒体用基板としては結晶化ガラス基板がある。しかしながら、結晶化ガラス基板においては結晶化の度合いによってその強度およびヤング率が制御されるので、強度およびヤング率を高めようとすると結晶の割合が増加し、その結果として、情報記憶媒体用基板に要求される表面平坦性(表面粗さRa)を得ることが困難になる。このため、結晶化ガラス基板を用いて前述した高速回転化を図った場合でも、フライングハイトを安定して確保することが困難になる。
本発明は、前述した高速回転化に対応することができる情報記憶媒体用基板をガラス(アモルファスガラス)を用いて得ることを可能にしたものである。本発明に係る情報記憶媒体用基板は、第1乃至第6の態様に区分することができ、このうち、第1乃至第4の態様は、ヤング率及び液相温度の点において、共通である。第1乃至第6の態様による各情報記憶媒体用基板は、第1の実施形態を形成しており、上記第1の目的を達成できる。
(1)ヤング率が100GPa以上、液相温度が1350℃以下のガラスからなることを特徴とする情報記憶媒体用基板(以下、「ガラス基板I」という。)。
(2)ガラス成分としてTiO2およびCaOを少なくとも含有し、ヤング率が100GPa以上、液相温度が1350℃以下となるように前記TiO2およびCaOの含有量が選定されているガラスからなることを特徴とする情報記憶媒体用基板(以下、「ガラス基板II」という。)。
(3)ガラス成分としてTiO2およびCaOを少なくとも含有し、ヤング率が100GPa以上、液相温度が1350℃以下、成形可能な温度領域における粘度が10ポイズ以上になるように前記TiO2およびCaOの含有量が選定されているガラスからなることを特徴とする情報記憶媒体用基板(以下、「ガラス基板III」という。)。
(4)ガラス成分としてTiO2,CaO,MgO,及びAl2O3を含むと共に、Na2O及びLi2Oのうち、少なくともLi2Oを含有し、ヤング率が100GPa以上、液相温度が1350℃以下、成形可能な温度領域における粘度が10ポイズ以上、比重が3.5g/cm3以下となるよう前記の各ガラス成分の含有量が選定されているガラスからなることを特徴とする情報記憶媒体用基板(以下、「ガラス基板IV」という。)。
(5)ガラス成分としてTiO2を0.1〜30モル%、CaOを1〜45モル%、MgOを前記CaOとの合量で5〜40モル%、Na2OとLi2Oを合量で3〜30モル%、Al2O3を0〜15モル%未満、SiO2を35〜65モル%含有しているガラスからなることを特徴とする情報記憶媒体用基板(以下、「ガラス基板V」という。)。
(6)上記のガラス基板I〜ガラス基板Vのいずれかまたはその材料ガラスを化学強化したものからなることを特徴とする情報記憶媒体用基板(以下、「ガラス基板VI」という。)。
一方、前記第2の目的を達成する本発明の情報記憶媒体は、上記のガラス基板にI〜ガラス基板VIのいずれかと、当該ガラス基板上に形成された記録層とを有することを特徴とするものである。
更に、本発明では、第1乃至第6の態様とは異なる第7乃至第9の態様に係る情報記憶媒体用基板を得ることができる。即ち、第7の態様に係る情報記憶媒体用基板は、必須成分として、Y2O3とTiO2との共存を有しており、他方、第8の態様に係る情報記憶媒体用基板は、TiO2、Y2O3、及びZrO2の共存させている。また、本発明の第9の態様に係る情報記憶媒体用基板は、Er2O3、Nd2O3、Sm2O3、Eu2O3、Gd2O3、Tb2O3、Dy2O3、及び、Yb2O3からなるグループから選ばれた少なくとも一つの酸化物と、TiO2とを含んでいる。これら第7乃至第9の態様に係る情報記憶媒体用基板は、本発明の第2の実施形態を構成している。
本発明の第1及び第2の実施態様に係る情報記憶媒体用基板又は媒体は、650℃以下、好ましくは、550℃以下のガラス転移点温度を備えており、このガラス転移点温度は、比較的低い温度である。
このように、比較的低温のガラス転移点温度は、化学強化処理の際における損傷等を軽減するのに、有効である。より具体的に言えば、化学強化の際、通常、ガラス基板は、溶融塩中に浸漬される。化学強化中、溶融塩はガラス基板のガラス転移点温度より、100乃至150℃だけ低い温度に保たれている。しかしながら、溶融塩は、500℃以上で分解し始め、この分解した溶融塩がガラス基板表面に損傷を与える。このことを考慮すると、ガラス基板上の損傷等を防止する点からは、ガラス転移点温度は、650℃以下、好ましくは、550℃以下であることが望ましい。このように、比較的低温のガラス転移点温度を得るために、Na2O、Li2Oのようなアルカリ成分、MgO、CaOのようなアルカリ土類成分が添加される。
【図面の簡単な説明】
第1図は、ヤング率と、情報記憶媒体によって形成されるディスクの振動との関係を示す図である。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明の第1の実施形態に係る情報記憶媒体及び記憶媒体用基板ついて説明する。
まず、本発明の第1の実施形態における第1の態様に係るガラス基板Iについて説明する。
本発明のガラス基板Iは、上記のようにヤング率が100GPa以上、液相温度が1350℃以下のガラスからなっている。ここで、本発明でいう「ガラス基板」とは結晶粒子を実質的に含んでいないガラス(アモルファスガラス)からなっているものを意味し、前記の「ガラス」は結晶粒子を含んでいる結晶化ガラスあるいはガラスセラミックスとは本質的に異なる。
前述したように、薄板化したガラス基板を高速回転させたときに当該ガラス基板が共振等によって変形するのを防止するうえからは、ガラス基板のヤング率を高めることが好ましい。例えば直径3.5インチ、厚さ0.635mm(25ミル;この厚さは、現在の磁気ディスク用基板の一般的な厚さである。)のガラス基板を用いて作製した磁気ディスクを10000rpmで回転させたときに(以下、このケースを「ケースA」という。)、当該磁気ディスクと記録再生ヘッドとのフライングハイトを概ね1μm以下で安定に確保することができ、回転時の振動を抑制可能になるようにすると言う点では、ガラス基板のヤング率を100GPa以上にすることが好ましい。
また、本発明でいうガラス基板を得るためには、その製造過程で結晶が実質的に析出しないようにする必要があり、そのためには、ガラス基板を製造する際に行われる原料の熔解、成形、冷却等の各工程をガラスの液相温度以上で行う必要がある。ただし、当該液相温度が著しく高いとガラス基板の製造自体が困難になり実用性が失われる。
以上の観点から、本発明のガラス基板Iにおいては材料ガラスのヤング率を100GPa以上とし、かつ、液相温度を1350℃以下とする。当該ヤング率は105GPa以上であることが好ましい。また、前記の液相温度は1250℃以下であることがより好ましく、1150℃以下であることが特に好ましい。
なお、ガラス基板または材料のガラスのヤング率が100GPa以上であっても、当該ヤング率をガラス基板の比重で除した値(以下、「比弾性率」という。)が概ね30×106Nm/kg以下では、ケースAにおける磁気ディスクの撓みが最大で2μmを超えやすくなり、その結果として、フライングハイトを概ね1μm以下で安定に確保することが困難になる。したがって、本発明のガラス基板Iの比重は概ね3.5g/cm3以下であることが好ましく、3.0g/cm3以下であることがより好ましい。この比重は低いほど好ましいが、珪酸塩を基本としたガラスでは実質的に2.1g/cm3以上となる。
また、材料ガラスの液相温度が1350℃以下であっても、当該材料ガラスについての成形可能な温度領域における粘度、すなわち、液相温度以上の温度領域における粘度が著しく低いと、ガラス基板を得る過程で行われる成形工程へガラス融液を供給する際にその流量の制御が困難になるばかりか、成形可能な形状の自由度も低下する。したがって、本発明のガラス基板Iの材料ガラスについての前記の粘度は概ね10ポイズ以上であることが好ましく、30ポイズ以上であることがより好ましい。
さらに、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスク等の情報記憶媒体へ情報を記録する際、あるいは、当該情報記憶媒体に記録されている情報を再生する際には、当該情報記憶媒体は情報処理装置内に設けられているドライブモータのスピンドルにクランプによって固定された状態で回転するわけであるが、このとき、情報記憶媒体の熱膨張係数と前記のクランプの熱膨張係数とが著しく異なっていると、次のような問題が生じる。
すなわち、情報記憶媒体を回転させる際には、ドライブモータの発熱等によって、情報記憶媒体、スピンドル、クランプ等の温度が例えば90℃程度まで急激に昇温するわけであるが、情報記憶媒体の熱膨張係数と前記のクランプの熱膨張係数とが著しく異なっていると、前記の昇温によって情報記憶媒体とクランプとの間で緩みが生じたり、情報記憶媒体に歪みや撓みが生じ、その結果として、情報記憶媒体におけるデータ記録箇所(トラック)の位置が変化して、情報の記録あるいは再生にエラーが生じやすくなる。このような問題は、特に、3.5インチのような大きな基板で問題になる。
したがって、本発明のガラス基板Iの熱膨張係数は前記のクランプの熱膨張係数にできるだけ近似していることが好ましい。前記のクランプは一般にステンレス合金によって作製されているので、本発明のガラス基板Iの熱膨張係数(100〜300℃における平均熱膨張係数を意味する。以下同様。)は概ね7〜14ppm/℃(7×10-6〜14×10-6/℃)であることが好ましく、9〜12ppm/℃(9×10-6〜12×10-6/℃)であることがより好ましい。
次に、本発明のガラス基板IIについて説明する。
本発明のガラス基板IIは、前述したように、ガラス基板としてTiO2およびCaOを少なくとも含有し、ヤング率が100GPa以上、液相温度が1350℃以下となるように前記TiO2およびCaOの含有量が選定されているガラスからなることを特徴とするものである。
ここで、ガラス基板IIの材料ガラスについてそのヤング率を100GPa以上とし、その液相温度を1350℃以下とするのは、前述した本発明のガラス基板Iにおけると同じ理由からである。これらの物性についての好ましい範囲は、前述した本発明のガラス基板Iにおける当該物性についての好ましい範囲と同じである。
ヤング率が高いガラスを得るうえからはガラス成分としてTiO2を含有させることが好適であり、ヤング率が高く。液相温度が低いガラスを得るうえからはガラス成分としてCaOを含有させることが好適である。
このため、本発明のガラス基板IIは、ガラス成分としてTiO2およびCaOを少なくとも含有しているガラスによって作製されている。TiO2およびCaOの含有量は、他のガラス成分の種類およびその含有量に応じて、ヤング率が100GPa以上、液相温度が1350℃以下のガラスが得られるように適宜選定される。
前述した本発明のガラス基板Iにおけるのと同じ理由から、ガラス基板IIの比重は概ね3.5g/cm3以下であることが好ましく、3.0g/cm3以下であることがより好ましい。同様に、ガラス基板IIの熱膨張係数は概ね7〜14ppm/℃(7×10-6〜14×10-6/℃)であることが好ましく、9〜12ppm/℃(9×10-6〜12×10-6/℃)であることがより好ましい。
次に、本発明のガラス基板IIIについて説明する。
本発明のガラス基板IIIは、前述したように、ガラス成分としてTiO2およびCaOを少なくとも含有し、ヤング率が100GPa以上、液相温度が1350℃以下、成形可能な温度領域における粘度が10ポイズ以上になるように前記TiO2およびCaOの含有量が選定されているガラスからなることを特徴とするものである。
ここで、ガラス基板IIIの材料ガラスについてそのヤング率を100GPa以上とし、その液相温度を1350℃以下とし、その成形可能な温度領域における粘度を10ポイズ以上とするのは、本発明のガラス基板Iについての説明の中で述べたと同じ理由からである。これらの物性についての好ましい範囲は、本発明のガラス基板Iについての説明の中で述べた当該物性についての好ましい範囲と同じである。
また、TiO2およびCaOを少なくとも含有しているガラスによってガラス基板IIIを作製するのは、前述した本発明のガラス基板IIにおけると同じ理由からである。TiO2およびCaOの含有量は、他のガラス成分の種類およびその含有量に応じて、ヤング率が100GPa以上、液相温度が1350℃以下、成形可能な温度領域における粘度が10ポイズ以上のガラスが得られるように適宜選定される。
前述した本発明のガラス基板Iにおけると同じ理由から、ガラス基板IIIの比重は概ね3.5g/cm3以下であることが好ましく、3.0g/cm3以下であることがより好ましい。同様に、ガラス基板IIIの熱膨張係数は概ね7〜14ppm/℃(7×10-6〜14×10-6/℃)であることが好ましく、9〜12ppm/℃(9×10-6〜12×10-6/℃)であることがより好ましい。
次に、本発明のガラス基板IVについて説明する。
本発明のガラス基板IVは、前述したように、ガラス成分としてTiO2,CaO,MgO,Na2O,Li2OおよびAl2O3を少なくとも含有し、ヤング率が100GPa以上、液相温度が1350℃以下、成形可能な温度領域における粘度が10ポイズ以上、比重が3.5g/cm3以下となるよう前記の各ガラス成分の含有量が選定されているガラスからなることを特徴とするものである。
ここで、ガラス基板IVの材料ガラスについてそのヤング率を100GPa以上とし、その液相温度を1350℃以下とし、その成形可能な温度領域における粘度を10ポイズ以上とし、比重を3.5g/cm3以下とするのは、本発明のガラス基板Iについての説明の中で述べたと同じ理由からである。これらの物性についての好ましい範囲は、本発明のガラス基板Iについての説明の中で述べた当該物性についての好ましい範囲と同じである。
本発明のガラス基板Iについての説明の中で述べたように、TiO2はヤング率が高いガラスを得るうえで好適なガラス成分であり、CaOは、ヤング率が高く、液相温度が低いガラスを得るうえで好適なガラス成分である。ただし、CaOはガラスの比重を上げる作用を有している。
MgOもヤング率が高いガラスを得るうえで好適なガラス成分であるが、CaOに比して液相温度を上げる作用を併せ持つ。また、MgOはガラスの比重を下げる作用を有している。
Na2Oはヤング率を低下させる作用を有するが、ガラスの液相温度を著しく低下させるガラス成分であり、Na2Oの存在による液相温度の低下は当該Na2OがTiO2と共存している場合により顕著になる。また、Na2Oは熱膨張係数が大きいガラスを得るうえでも有用なガラス成分である。
Li2Oはヤング率を低下させることなくガラスの熔解性を向上させるうえで好適なガラス成分であり、かつ、化学強化による強度の増強を可能にするガラス成分でもある。
そして、Al2O3はヤング率の増減に寄与しないガラス成分ではあるが、ガラスの液相温度の低下、分相傾向の抑制、作業温度領域での粘性の向上および化学強化特性の向上を図るうえで有効な成分である。
このため、本発明のガラス基板IVは、ガラス成分として上記6種類の成分を少なくとも含有しているガラスによって作製されている。これら6種類のガラス成分それぞれの含有量は、他のガラス成分(上記6種類のガラス成分以外のガラス成分を含む。)の種類およびその含有量に応じて、ヤング率が100GPa以上、液相温度が1350℃以下、成形可能な温度領域における粘度が10ポイズ以上、比重が3.5g/cm3以下のガラスが得られるように適宜選定される。
前述した本発明のガラス基板Iにおけると同じ理由から、ガラス基板IVの熱膨張係数は概ね7〜14ppm/℃(7×10-6〜14×10-6/℃)であることが好ましく、9〜12ppm/℃(9×10-6〜12×10-6/℃)であることがより好ましい。
また、上記したガラス基板IVは、650℃以下、好ましくは、550℃以下のガラス転移点温度を備えており、このガラス転移点温度は、比較的低い温度である。これは、ガラスを化学強化するとき使用する溶融塩の温度は、一般的にガラス転移点温度から100〜150℃以下の温度に保たれる。一方、溶融塩は500℃以上になると塩が分解を始め、ガラス基板表面にダメージを与える。このように、事態を回避するには上述のガラス転移点にするのが好ましい。
次に、本発明のガラス基板Vについて説明する。
本発明のガラス基板Vは、前述したように、ガラス成分としてTiO2を0.1〜30モル%、CaOを1〜45モル%、MgOを前記CaOとの合量で5〜40モル%、Na2OとLi2Oを合量で3〜30モル%、Al2O3を0〜15モル%未満、SiO2を35〜65モル%含有しているガラスからなることを特徴とするものである。
上記した組成のうち、CaOとMgOとの合量は、5−35モル%の範囲が望ましい。この場合、ガラス基板の耐水性を考慮すると、SiO2は、55モル%を超え、65モル%までの範囲が望ましい。また、Al2O3は、5モル%未満であっても良い。
上記の組成のガラスは、ヤング率が100GPa以上、液相温度が1350℃以下、成形可能な温度領域における粘度が10ポイズ以上、比重が3.5g/cm3以下のものを得ることが容易なガラスである。
前述したようにTiO2はヤング率が高いガラスを得るうえで好適なガラス成分であり、ヤング率が100GPa以上のガラスを得るうえからは0.1モル%以上含有させることが好ましい。しかしながら。その含有量が30モル%を超えるとガラスの耐失透性が低下することから、液相温度が1350℃以下のガラスを得ることが困難になる。
CaOは、ヤング率が高く、液相温度が低いガラスを得るうえで好適なガラス成分であるので、ヤング率が100GPa以上、液相温度が1350℃以下のガラスを得るうえからは1モル%以上含有させることが好ましい。しかしながら、その含有量が45モル%を超えるとガラス化が困難になる。
MgOは、ヤング率が高く、比重が低いガラスを得るうえで好適なガラス成分であるが、当該MgOはガラスの液相温度を上げる作用を有している。したがってMgOは、CaOとの合量で10〜45モル%となるように含有させることが好ましく、また、MgOは、0.5〜40モル%の範囲が望ましい。いずれにしても、第1乃至第5の態様に係るガラス基板には、CaOとMgOとの双方が含まれている。
Na2Oはヤング率を低下させる作用を有するが、ガラスの液相温度を著しく低下させるガラス成分であり、Na2Oの存在による液相温度の低下は当該Na2OがTiO2と共存している場合により顕著になる。したがって、TiO2を比較的多く含有させる場合(例えば、5モル%以上)には、特に、当該Na2Oを含有させることが好ましい。また、Na2Oは熱膨張係数が大きいガラスを得るうえでも有用なガラス成分であり、その含有量を適宜選定することによりガラスの熱膨張係数を調整することが可能である。一方、Li2Oはヤング率を低下させることなく原料の熔解性を向上させるうえで好適なガラス成分であり、かつ、化学強化による強度の増強を可能にするガラス成分でもある。これらの理由から、Na2OおよびLi2Oは合量で3モル%以上含有させることが好ましい。しかしながら、これらNa2OおよびLi2Oの合量が30モル%を超えるとガラスの化学的耐久性が低下することから、ガラス基板上に磁気記録層を形成して情報記憶媒体を得たときに、ガラス基板から記録層へアルカリイオンが拡散する等の問題を引き起こしやすくなる。したがって、Na2O及びLi2Oの合量は、5−22モル%の範囲が好ましい。
Al2O3はヤング率の増減に寄与しないガラス成分であるので含有させなくてもよいが、ガラスの液相温度の低下、分相傾向の抑制、作業温度領域での粘性の向上および化学強化特性の向上を図るうえで有効なガラス成分であるので、必要に応じて含有させてもよい。Al2O3を含有させる場合、その含有量が15モル%を超えると、液相温度の著しい上昇、熔解性の悪化による未熔解物の生成といった問題を引き起こしやすくなる。
SiO2はガラス構造を形成する成分であり、液相温度が1350℃以下のガラスを得るうえからは35モル%以上含有させることが好ましい。しかしながら、その含有量が65モル%を超えると100GPa以上のヤング率を有するガラスを得ることが困難になる。SiO2の含有量は35〜65モル%とすることがより好ましい。SiO2は、アルカリイオン等の溶出の耐水性に影響を与える成分であり、耐水性の面からは、40〜60モル%にすると効果的である。
前述した本発明のガラス基板Iにおけると同じ理由から、ガラス基板Vのヤング率は100GPa以上、液相温度は1350℃以下、成形可能な温度領域における粘度は10ポイズ以上、比重は3.5g/cm3以下、熱膨張係数は概ね7〜14ppm/℃(7×10-6〜14×10-6/℃)であることが好ましいので、所望の物性を有するガラス基板Vが得られるように、各ガラス成分の含有量を上記の範囲内で適宜選定する。前記の物性についての好ましい範囲は、本発明のガラス基板Iについての説明の中で述べた当該物性についての好ましい範囲と同じである。
ガラス基板Vとしては、好ましくは、ガラス成分としてTiO2を5〜15モル%、CaOを4〜20モル%、MgOを前記CaOとの合量で5〜30モル%、Na2OとLi2Oを合量で5〜22モル%、Al2O3を0〜8モル%、SiO2を40〜60モル%含有しているガラスが使用される。
以上、本発明のガラス基板I〜ガラス基板Vについて説明したが、TiO2を必須のガラス成分として含有しているガラスからなっているガラス基板、すなわちガラス基板II、ガラス基板III、ガラス基板IVおよびガラス基板Vについては、TiO2の一部または全部に代えて遷移金属酸化物(ただし、チタン酸化物を除く。)を用いたガラスによって作製することもできる。
この遷移金属酸化物としては、Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Ga,Ge,Y,Zr,Nb,Mo,La,Ce,Pr,Nd,Pn,Ev,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tn,Yb,Hf,Ta,Wから選ばれた少なくとも1種の酸化物が挙げられる。
これらの遷移金属酸化物より、少しヤング率は下がるが、Cu,V,Znから選ばれた少なくとも1種の酸化物でも良い。
これらの酸化物の中で特にY2O3は比重を上げずにヤング率を上げることができる。これらの酸化物の含有量は、0.1〜15モル%、好ましくは0.1〜8モル%である。これら遷移金属酸化物は、TiO2が10モル%以上になると、ヤング率向上量/含有量が少し低下するので、TiO2が10モル%以下で共存させるのが、好ましい。
ただし、前記の遷移金属酸化物にはガラスのヤング率を向上させる効果がそれほどなく、逆に比重を上げる効果があるので、その含有量については、他のガラス成分の種類およびその含有量に応じて、目的とするガラス基板が得られるように適宜選定する。遷移金属酸化物としてZrO2を用いる場合、当該ZrO2の含有量は10モル%以下とすることが好ましく、4モル%以下とすることがより好ましい。遷移金属酸化物としてZrO2を用いるにあたってその含有量を5モル%以下にした場合には、僅かではあるが液相温度を低下させることができる。
また、本発明のガラス基板I〜ガラス基板Vは化学強化を行わずとも得ることができるものであるが、化学強化を行うことによって得たものであってもよい。化学強化(低温型イオン交換法によるもの)を行う場合、化学強化前のガラスは、ガラス成分としてSiO2とAl2O3を合量で40モル%以上、Li2Oを3モル%以上、Na2Oを前記Li2Oとの合量で5モル%以上、CaOとMgOを合量で35モル%以下含有しているものであることが好ましい。
上記の場合において、化学強化によって十分な圧縮応力層を形成するためにはSiO2を40モル%以上含有していることが好ましいが、当該SiO2の一部はAl2O3によって置換することができる。したがって、SiO2とAl2O3とは、これらの合量で40〜80モル%含有させることが好ましい。そして、SiO2とAl2O3との合量は44モル%以上であることがより好ましい。
Li2OおよびNa2Oは、化学強化を行ううえで必要なLi+イオンおよびNa+イオンをガラス中に導入するための成分であり、十分な圧縮応力層を形成するうえからは、Li2Oをモル%以上含有させ、かつ、Na2OをLi2Oとの合量で5モル%以上含有させることが好ましい。又、ガラス基板からのアルカリイオンの溶出を抑制するためには、アルカリイオンの合量を、22モル%以下にするのが好ましい。
一方、CaOとMgOはガラスのヤング率、液相温度、成形可能な温度領域における粘度等を調整するうえで有効なガラス成分ではあるが、化学強化の際のアルカリイオンの移動を妨げる成分でもある。したがって、十分な圧縮応力層を形成するうえからは、CaOとMgOの合量を35モル%以下にすることが好ましい。
次に、本発明のガラス基板VIについて説明する。
本発明のガラス基板VIは、前述したように、本発明のガラス基板I〜ガラス基板Vのいずれかまたはその材料ガラスを化学強化したものからなることを特徴とするものである。
化学強化は、耐衝撃性が高いガラス基板を得るうえで有用な手段である。例えば低温イオン交換法による化学強化は、化学強化しようとするガラスを所定の溶融塩、すなわち、カリウムやナトリウムについての炭酸塩、硝酸塩もしくはこれらの混合物からなり、化学強化しようとするガラスの転移点温度Tgよりも概ね50〜150℃低い温度に保持されている溶融塩に浸漬することによって行うことができる。他方、溶融塩は500℃を超えると、分解し始め、ガラス基板に損傷を与えるから、本発明に係るガラス基板は、650℃以下、好ましくは、550℃以下のガラス転移点温度を有していることが望ましい。
以上説明した本発明のガラス基板I〜ガラス基板VIは、ヤング率が100GPa以上と高いか(ガラス基板I〜IVおよびガラス基板VI)ヤング率が100GPa以上のものを得ることが容易で(ガラス基板Vおよびガラス基板VI)、かつ、液相温度が1350℃以下であるアモルファスガラスからなっているので、高速回転化に対応できる情報記憶媒体を得ることが容易なガラス基板である。
上記の利点を有する本発明のガラス基板I〜ガラス基板VIは、特に磁気ディスク要の基板として好適である他、光磁気ディスク用の基板として、あるいは光ディスク用の基板としても好適である。
次に、本発明の情報記憶媒体について説明する。
本発明の情報記憶媒体は、前述したように、上記のガラス基板I〜ガラス基板VIのいずれかと、当該ガラス基板上に形成された記録層とを有することを特徴とするものである。
ここで、本発明の情報記録媒体でいう「ガラス基板上に形成された記録層」とは、ガラス基板の表面に直接または所望の層を介して形成された単層構造または複数層構造の記録層を意味し、当該記録層の材料および層構成は、目的とする情報記憶媒体の種類に応じて、磁気記録層、光磁気記録層、追記形記録層、相変化記録層等として機能するように適宜選択される。
上記の情報記憶媒体は、当該情報記憶媒体を構成している基板として前述した本発明のガラス基板I〜ガラス基板VIのいずれかが用いられていればよく、目的とする情報記憶媒体の種類によっては、従来と同様に、基板および記録層以外に保護層、潤滑層等が適宜設けられる。また、情報記憶媒体の種類によっては2枚の基板の間に記録層が挟持された構造となるものもあるが、このような構造の情報記憶媒体については、2枚の基板のうちの少なくとも一方として、前述した本発明のガラス基板I〜ガラス基板VIのいずれかが用いられていればよい。
本発明の情報記憶媒体は、当該情報記憶媒体を構成している基板が前述した本発明のガラス基板I〜ガラス基板VIのいずれかからなっているので、情報記憶媒体の高速回転化に対応することが容易である。この結果、本発明の情報記憶媒体を用いて記憶装置(例えばパーソナルコンピュータやサーバー・アンド・クライアントシステム等で使用される補助記憶装置等)を構成することにより、アクセス速度が速い記憶再生装置を得ることが容易になる。
実施例
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記の実施例によって何ら制限されるものではない。なお、下記の実施例でそれぞれ得たガラス基板についての圧縮応力層の厚さおよび各ガラス基板の物性は、次に示す方法によって求めた。
1.圧縮応力層の厚さ
東芝社製の精密歪み計(バビネ補正法)を用いて測定した。
2.物性
(1)ヤング率
20×20×100mmの試料を作製し、5MHzの超音波が前記の試料中を伝播する際の縦波速度(Vl)と横波速度(Vs)とをシングアラウンド式音速測定装置(超音波工業社製のUVM−2)を用いて測定した後、次式によって求めた。
ヤング率=(4G2−3G・Vl 2・ρ)/(G−Vl 2・ρ)
G=Vs 2・ρ
ρ:試料の比重(g/cm3)
(2)比弾性率
試料のヤング率をその比重で除することによって求めた。
(3)液相温度
試料を白金製の容器に入れて傾斜温度炉内に30分間放置した後、試料の表面および内部における結晶の有無を光学顕微鏡を用いて観察した。そして、結晶が析出しない最低温度を液相温度とした。
(4)粘度
白金製容器と白金製ローターとを備えた回転式粘性測定装置を用いて、熔解温度領域から液相温度付近までに亘って測定した。
(5)ガラス転移点(Tg)
5mmφ×20mmの試料について、リガク社製の熱機械分析装置(TMA8140)を用いて+4℃/分の昇温速度で測定した。なお、標準試料としてはSiO2を用いた。
(6)熱膨張係数
100〜300℃における平均熱膨張係数を意味し、ガラス転移点の測定時に一緒に測定した。
(7)表面粗さ(Ra)
デジタルインスツルメント社のAFM NanoScope 3Aを使用して測定した。
実施例1〜実施例30
まず、表1〜表5に示す酸化物組成のガラスが得られるように、珪石粉末、水酸化アルミニウム、アルミナ、炭酸リチウム、硫酸リチウム、炭酸ナトリウム、硝酸ナトリウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化鉄、酸化ニッケル、酸化イットリウム、酸化ランタン、酸化ネオジウム、酸化銅、酸化アンチモン、亜砒酸等のガラス原料を適宜秤量して実施例毎に約100kgの混合物を調合した。
次に、内容積が2リットルの熔解炉と、これに連結した内容量30リットルの撹拌装置付き作業槽と、当該作業槽に接続している内径5〜20mmの流出用円管とを備えた白金製雰囲気加熱方式の間欠式熔解設備を使用して、次のようにして溶融ガラスを調製した。すなわち、上記の混合物を熔解槽に入れて1350〜1450℃で熔解させ、作業槽にて撹拌、清澄することにより、溶融ガラスを得た。
得られた溶融ガラスは、液相温度よりも僅かに高い温度の下に流出用円管から流出させ、円形(直径は100mm)を呈する鋳鉄製の金型(下型)でこれを受けた後、当該溶融ガラスを鋳鉄製の上型で速やかにプレスし、その後にアニールして、直径約100mm、厚さ1mmの円盤状物を得た。このとき、本発明の組成によれば、液相温度が1350℃以下で、表面張力も高いので、周辺に流れるような変形を阻止してプレスすることができた。プレス後のガラス基板は、成形型に対する再現性が良好であり、周辺部の泡の発生も認められなかった。
この後、上記の円盤状物に研削加工および研磨加工(酸化セリウムポリシャーを使用)を施して、3.5インチφ×0.635mmの円盤状を呈するガラス基板を得た。
さらに、実施例25および実施例26の2つを除いた残りの各実施例においては、以下のようにして化学強化を行って、目的とするガラス基板を得た。
まず、NaNO3とKNO3とを重量比が6:4となるように混合した混合塩を調製し、化学強化しようとするガラス基板のガラス転移点(Tg)よりも100℃低い温度となるように前記の混合塩を加熱して溶融塩を得た後、化学強化しようとするガラス基板を前記の溶融塩中に9時間浸漬することによって化学強化を行った。
このようにして得られた各ガラス基板における圧縮応力層の厚さ(ただし、実施例25および実施例26で得た各ガラス基板を除く。)および各ガラス基板の物性を表1〜表5に示す。なお、ヤング率、比弾性率、表面粗さ(Ra)および比重については全て化学強化した後のガラス試料を用いて測定し(ただし、実施例25および実施例26で得た各ガラス基板を除く。)、液相温度、粘度、ガラス転移点および熱膨張係数については化学強化していないガラス試料を用いて測定した。
比較例1
特開平1−167245号公報の実施例1に記載されているガラスと実質的に同じ組成(モル%に換算)のガラスが得られるようにガラス原料を秤量し、上記実施例1〜実施例30におけると同様にしてガラス基板(化学強化前のもの)を得た後、このガラス基板を上記実施例1〜実施例30におけるのと同じ条件で化学強化して、目的とするガラス基板を得た。
上記のガラス基板について、実施例1〜実施例30と同様にして求めた圧縮応力層の厚さ、ヤング率、比重、比弾性率およびガラス転移点の各値を表6に示す。
比較例2
特公平6−76224号公報の実施例1に記載されているガラスと実質的に同じ組成(モル%に換算)のガラスが得られるようにガラス原料を秤量し、上記実施例1〜実施例30におけると同様にしてガラス基板(化学強化前のもの)を得た後、このガラス基板を上記実施例1〜実施例30におけるのと同じ条件で化学強化して、目的とするガラス基板を得た。
上記のガラス基板について、実施例1〜実施例30と同様にして求めた圧縮応力層の厚さ、ヤング率、比重、比弾性率および液相温度の各値を表6に示す。
比較例3
特公平4−70262号公報の実施例1に記載されているガラス(組成2のガラス)と実質的に同じ組成(モル%に換算)のガラスが得られるようにガラス原料を秤量し、上記実施例1〜実施例30におけると同様にしてガラス基板(化学強化前のもの)を得た後、このガラス基板を上記実施例1〜実施例30におけるのと同じ条件で化学強化して、目的とするガラス基板を得た。
上記のガラス基板について、実施例1〜実施例30と同様にして求めた圧縮応力層の厚さ、ヤング率、比重、比弾性率、熱膨張係数およびガラス転移点の各値を表6に示す。
比較例4
特開平7−187711号公報の特許請求の範囲に記載されているガラスと実質的に同じ組成(モル%に換算)のガラスが得られるようにガラス原料を秤量し、溶融物を得た後、前記特許請求の範囲に記載されている温度および時間の下に熱処理して結晶化ガラスを得た。この後、当該結晶化ガラスを上記実施例1〜実施例30におけると同様にして加工して、目的とするガラス基板を得た。
上記のガラス基板について、実施例1〜実施例30と同様にして求めたヤング率、比重、比弾性率および表面粗さの各値を表6に示す。
表1〜表5に示したように、実施例1〜実施例30で得られた各ガラス基板はヤング率が102〜120GPaと高く、表面粗さ(Ra)は3〜5オングストロームと良好である。また、これらのガラス基板の材料ガラスの液相温度は1000〜1230℃と比較的低い。したがって、これらのガラス基板を用いて例えば磁気ディスクを作製した場合には、高速回転時においてもフライングハイトを概ね1μm以下に安定して確保することが可能な磁気ディスクが得られるものと推察される。
一方、比較例1〜比較例3で得られた各ガラス基板はヤング率が74〜78GPaと低い、また、比較例4で得られた結晶化ガラス基板は表面粗さ(Ra)が25オングストロームと悪い。したがって、これらのガラス基板または結晶化ガラス基板を用いて例えば磁気ディスクを作製した場合には、高速回転時においてフライングハイトを概ね1μm以下に安定して確保することが困難な磁気ディスクしか得られないものと推察される。
表1乃至表5からも明らかな通り、実施例1−30は、SiO2を35−65モル%、Al2O3を0−15モル%、(Li2O+Na2O)を3−30モル%、CaOを1−45モル%、(MgO+CaO)を5−45モル%、TiO2を0.1−30モル%含む範囲内にあることが判る。特に、(MgO+CaO)の量は、5−35モル%の範囲が望ましく、且つ、SiO2の量は、55モル%を超え、65モル%を超えない範囲が好ましいことが、判明した。
実施例31〜実施例36
実施例25〜実施例30で得られた各ガラス基板を用いて、以下の要領で磁気ディスクを作製した。
まず、磁気ヘッドと磁気ディスクとの吸着を防止するために、レーザー光を用いて各ガラス基板のランディングゾーンにテクスチャを形成した。
次に、テクスチャを形成した側のガラス基板表面上にCr下地層、CoPtCrTa磁性層およびカーボン保護層を順次積層して、磁気ディスクを得た。
上記のようにして作製した各磁気ディスクについて、これをハードディスク装置に装着して1200rpmで回転させ、フライングハイトを1μm以下にしてMRヘッドで記録再生試験を行ったところ、いずれの磁気ディスクにおいても正常な記録再生を行うことができた。
次に、本発明の第2の実施形態に係る情報記憶媒体用基板について説明する。ここで、第2の実施形態に係る情報記憶媒体用基板は、前述した本発明の第7乃至第9の態様に基づいている。第7の態様に係るガラス基板、即ち、情報記憶媒体用基板は、上記したヤング率及び液相温度を得るために、Y2O3及びTiO2を共存させており、当該基板は、第2の実施形態に係るガラス基板Iと呼ぶものとする。より具体的に言えば、当該第2の実施形態に係るガラス基板Iは、SiO2、Al2O3、MgO及び/又はCaO、及び、Li2Oに加えて、Y2O3及びTiO2とを含む組成を有している。
本発明の第8の態様に係るガラス基板IIは、SiO2、Al2O3、MgO及び/又はCaO、及び、Li2Oに加えて、Y2O3、TiO2、及び、ZrO2とを含む組成を有している。
更に、本発明の第9の態様に係るガラス基板IIIは、Er2O3、Nd2O3、Sm2O3、Eu2O3、Gd2O3、Tb2O3、Dy2O3、及び、Yb2O3からなる希土類金属酸化物の群から選ばれた少なくとも一つの酸化物をTiO2と共に含んでいる。また、所望のヤング率及び液相温度を有するガラス基板は、TiO2及びZrO2だけをSiO2、Al2O3、MgO及び/又はCaO、及び、Li2Oによって構成される組成に含有させることによっても、得られることが判明した。ここでは、当該ガラス基板を第2の実施態様に係るガラス基板IVと呼ぶ。上記した希土類金属酸化物も、遷移金属酸化物と同様ヤング率を上げることができるが、比重も高くなる傾向がある。このため、これらの希土類金属酸化物は、0−10モル%程度含有させると、効果的である。
表7には、上記したガラス基板I、II、III、及び、IVに係る実施例1−48が示されている。表7に示された実施例1−48のうち、実施例1、2、3、4、5、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、21、22、24、25、29、36、37、及び、38は、Y2O3、TiO2、及びZrO2を含んでおり、第2の実施形態に係るガラス基板IIであり、他方、実施例6、7、8、20、23、26、27、28、30、31、32、33、34、35、39、及び、40はY2O3及びTiO2とを含んでおり、第2の実施形態に係るガラス基板Iであることが判る。更に、実施例41−48は、TiO2と希土類金属酸化物とを含んでおり、第2の実施形態に係るガラス基板IIIであることが、容易に理解できる。
次に、表8を参照すると、当該表8には、実施例49−63が示されており、これら実施例は、第2の実施形態に係るガラス基板I、II、III、及び、IVに分類できる。即ち、実施例49、52、53、55、58、62、及び63は、いずれも、TiO2及びY2O3を共存させた組成を有しており、第2の実施形態に係るガラス基板Iであることが判る。また、実施例50、54、55、56、57、及び、59は、TiO2、Y2O3、及び、ZrO2を含んでおり、第2の実施形態のガラス基板IIに相当することが判る。更に、TiO2及びZrO2だけを含む実施例61及び62は、第2の実施形態のガラス基板IVである。
表8には、圧縮応力層の厚さ、粘度、比重、液相温度、比弾性率、ヤング率、ガラス転移点温度(Tg)、熱膨張係数、及び、表面粗さが、各実施例について示されている。
表7及び表8からも明らかな通り、第2の実施形態に係る実施例48−63は、SiO2を45−65モル%、Al2O3を0−15モル%、Li2Oを4−20モル%、Na2Oを1−8モル%、(Li2O+Na2O)を3−30モル%、CaOを0−21モル%、MgOを0−22モル%、(CaO+MgO)を4−40モル%、Y2O3を0−16モル%、TiO2を1−15モル%、及び、ZrO2を0−10モル%含む組成を有している。また、Y2O3を含有しない実施例41−48では、Er2O3、Nd2O3、Sm2O3、Eu2O3、Gd2O3、Tb2O3、Dy2O3、及び、Yb2O3からなる希土類金属酸化物の群から選ばれた少なくとも一つの酸化物を5モル%含んでいる。
更に、第1及び第2の実施態様に係るガラス基板は、アルカリイオンの溶出量を測定するために、水中に浸漬された。表9には、直径2.5インチのディスク当り及び単位面積当りの溶出量が第1の実施態様に係る実施例2、4、29、9、3、及び、17について、及び、第2の実施形態に係る実施例49及び50について示されている。表9からも明らかな通り、実施例9、13、及び17の溶出量は、実施例2、4、及び、29の溶出量より少ないことが判り、このことは、実施例49と50についても、同様である。このことは、溶出量は、SiO2の量の増加と共に、減少する傾向にあることを示している。
表7及び表8からも明らかな通り、第2の実施形態に係る実施例1−63は、100GPa以上のヤング率を持つと共に、1350℃以下の液相温度を有している。
更に、第2の実施形態に係る実施例16、17、20、23、及び31は、所定の処理浴内で、所定のイオン交換温度で、化学強化され、化学強化されたガラス基板について、ヤング率、ガラス転移点温度(Tg)、表面粗さ、及び、曲げ強度が測定された。その結果が表10に示されている。
ここで、第1図を参照して、情報記憶媒体、即ち、ディスクのヤング率と、振動との相関関係を説明する。ここでは、従来の基板を用いたディスクと、本発明に係る情報記録基板を用いた場合が示されている。より具体的に言えば、ディスクAは、アルミニューム基板を用いており、ディスクBは、SiO2基板、ディスクC及びDは、上記した比較例1及び2に示された基板をそれぞれ用いた例である。これらのディスクA、B、C、及びDは、いずれも、80GPa以下のヤング率を持っている。
他方、本発明に係る情報記憶基板として、表2−5に示された実施例8、10,15,24、及び、30に示す基板が使用され、これら基板を用いてディスクE8、10、15、24、及び30が構成された。
上記した各基板は、3.5インチの直径を有しており、10000rpmの速度で回転され、この時の振動の相対値が測定された。この場合、従来のディスクのうち、図では、ディスクAの振動を100とした場合における他のディスクの振動が相対値であらわされている。図に示されているように、ヤング率が100GPa以上の本発明の実施例(表2-5の実施例8、10、15、24、及び30)に係るディスクE8、10、15、24、及び30の振動は、第1図に示すように、従来、一般に使用されているアルミニウム基板(A)によって形成されたディスクの振動に比較して、60%以下に小さくすることができた。尚、他の従来の基板を使用したディスクB、C、及びDは、ディスクA.0の振動に対して、90%程度の振動を示すことが判る。したがって、本発明のように、ヤング率の高い情報記憶媒体用基板は、ディスクを構成した場合、振動を小さくすることができ、フライングハイトを安定化させることができる。
産業上の利用可能性
以上説明したように、本発明の情報記憶媒体用基板(ガラス基板)は、高速回転化に応用できる情報記憶媒体を得ることが容易な情報記憶媒体用基板であるので、当該情報記憶媒体用基板を用いて情報記憶媒体を作製することにより、記憶容量が高くアクセス速度が速い記録再生装置を得ることが容易になる。
Claims (3)
- SiO2を45−65モル%、Al2O3を0−15モル%、Li2Oを4−20モル%、Na2Oを0−8モル%、(Li2O+Na2O)を4−28モル%、CaOを0−21モル%、MgOを0−22モル%、(CaO+MgO)を4−40モル%、Y2O3を0−16モル%、及び、TiO2を1−15モル%含み、かつ100GPa以上のヤング率、1350℃以下の液相温度を達成するガラス成分によって形成されていることを特徴とする情報記憶媒体用基板。
- ガラス成分であるTiO2の一部に代えて遷移金属酸化物が用いられている請求項1に記載された情報記憶媒体用基板。
- 遷移金属酸化物が、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Hf、Ta、及びWから選ばれた少なくとも一種の酸化物からなることを特徴とする請求項2項記載の情報記憶媒体用基板。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US4862397P | 1997-06-05 | 1997-06-05 | |
US6667597P | 1997-11-14 | 1997-11-14 | |
PCT/JP1998/002486 WO1998055993A1 (fr) | 1997-06-05 | 1998-06-04 | Substrat pour support d'enregistrement d'information |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007326008A Division JP4134266B2 (ja) | 1997-06-05 | 2007-12-18 | 情報記憶媒体、情報記憶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP4098834B2 true JP4098834B2 (ja) | 2008-06-11 |
Family
ID=26726335
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP52651198A Expired - Fee Related JP4098834B2 (ja) | 1997-06-05 | 1998-06-04 | 情報記憶媒体用基板 |
JP2007326008A Expired - Lifetime JP4134266B2 (ja) | 1997-06-05 | 2007-12-18 | 情報記憶媒体、情報記憶装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007326008A Expired - Lifetime JP4134266B2 (ja) | 1997-06-05 | 2007-12-18 | 情報記憶媒体、情報記憶装置 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0917135B1 (ja) |
JP (2) | JP4098834B2 (ja) |
KR (1) | KR100446053B1 (ja) |
CN (2) | CN1256720C (ja) |
AU (1) | AU749543B2 (ja) |
CA (1) | CA2262700C (ja) |
DE (1) | DE69835572T2 (ja) |
MY (1) | MY118378A (ja) |
WO (1) | WO1998055993A1 (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999006333A1 (fr) * | 1997-07-30 | 1999-02-11 | Hoya Corporation | Procede de production d'un substrat de verre pour support de donnees |
US6383645B1 (en) | 1998-03-23 | 2002-05-07 | Kabushiki Kaisha Ohara | Glass-ceramic substrate for an information storage medium |
JP4507135B2 (ja) * | 1998-09-11 | 2010-07-21 | Hoya株式会社 | ガラス組成物、それを用いた情報記録媒体用基板および情報記録媒体 |
JP2000203880A (ja) | 1998-09-11 | 2000-07-25 | Ohara Inc | 情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板及びその製造方法、並びに情報記憶媒体ディスク |
JP4488555B2 (ja) * | 1998-09-22 | 2010-06-23 | Hoya株式会社 | ガラス組成物およびその製造方法、ならびにそれを用いた情報記録媒体用基板、情報記録媒体および情報記録装置 |
JP4161509B2 (ja) * | 1999-04-13 | 2008-10-08 | 旭硝子株式会社 | 情報記録媒体基板用ガラスおよび情報記録媒体用ガラス基板 |
JP3383942B2 (ja) | 1999-08-02 | 2003-03-10 | Hoya株式会社 | Wdm光学フィルター用ガラス基板、wdm光学フィルター、wdm用光合分波器 |
EP1079373A3 (en) * | 1999-08-27 | 2001-03-28 | Kabushiki Kaisha Ohara | Glass-ceramic substrate for an information storage medium and a method for manufacturing the same |
JP3399883B2 (ja) * | 1999-08-30 | 2003-04-21 | 株式会社オハラ | 光フィルター用ガラス及び光フィルター |
DE10194790T1 (de) | 2000-01-05 | 2003-12-04 | Schott Glass Tech Inc | Erdalkalifreies Boralkalisilikatglas |
DE10103085C2 (de) * | 2001-01-24 | 2003-03-27 | Schott Glas | Lithiumoxidhaltiges Aluminosilicatglas, sowie Verwendungen dieses Glases |
DE10133963B4 (de) * | 2001-07-17 | 2006-12-28 | Schott Ag | Boroalkalisilicatglas und seine Verwendungen |
WO2003102927A1 (fr) * | 2002-06-03 | 2003-12-11 | Hoya Corporation | Substrat en verre pour supports d'enregistrement d'information et support d'enregistrement d'information |
US7566673B2 (en) * | 2003-10-31 | 2009-07-28 | Konica Minolta Opto, Inc. | Glass substrate for an information recording medium and information recording medium employing it |
JP4039381B2 (ja) | 2004-03-25 | 2008-01-30 | コニカミノルタオプト株式会社 | ガラス組成物を用いた情報記録媒体用ガラス基板及びこれを用いた情報記録媒体 |
CN101356134B (zh) * | 2006-03-24 | 2011-12-07 | Hoya株式会社 | 磁盘用玻璃衬底的制造方法以及磁盘的制造方法 |
JP5720499B2 (ja) * | 2010-10-26 | 2015-05-20 | 旭硝子株式会社 | 基板用ガラスおよびガラス基板 |
US10501364B2 (en) * | 2012-11-21 | 2019-12-10 | Corning Incorporated | Ion exchangeable glasses having high hardness and high modulus |
CN108083631B (zh) * | 2017-12-15 | 2020-11-06 | 成都光明光电股份有限公司 | 玻璃组合物 |
CN114920453A (zh) * | 2017-12-15 | 2022-08-19 | 成都光明光电股份有限公司 | 玻璃组合物 |
JP7494161B2 (ja) | 2019-02-25 | 2024-06-03 | 日本板硝子株式会社 | ガラス組成物、ガラス板とその製造方法、及び情報記録媒体用基板 |
JP2021143112A (ja) | 2020-03-13 | 2021-09-24 | 日本板硝子株式会社 | ガラス組成物、ガラス板とその製造方法、及び情報記録媒体用基板 |
EP4201898A1 (en) * | 2021-12-21 | 2023-06-28 | Schott Ag | Glass composition, glass article and method of making it |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3804646A (en) * | 1969-06-11 | 1974-04-16 | Corning Glass Works | Very high elastic moduli glasses |
US4149895A (en) * | 1977-07-01 | 1979-04-17 | Corning Glass Works | Glass with high refractive index and low density |
FI56820C (fi) * | 1978-09-27 | 1980-04-10 | Paraisten Kalkki Oy | Glaskomposition avsedd foer framstaellning av fibrer |
US4439528A (en) * | 1983-06-02 | 1984-03-27 | Corning Glass Works | Spontaneous opal glass compositions |
GB2150553A (en) * | 1983-12-01 | 1985-07-03 | Glass Int Inc | Composition for making glass fibres |
JPH01201043A (ja) * | 1988-02-05 | 1989-08-14 | Eta G K:Kk | 高強度ガラス |
GB2220654B (en) * | 1988-07-13 | 1992-10-07 | Glass Int Inc | Glass composition and batch blend for its production |
WO1996014454A2 (en) * | 1994-11-08 | 1996-05-17 | Rockwool International A/S | Man-made vitreous fibres |
US5491116A (en) * | 1995-04-03 | 1996-02-13 | Corning Incorporated | Fine-grained glass-ceramics |
GB2299991B (en) * | 1995-04-20 | 1998-09-09 | Ag Technology Corp | Glass substrate for magnetic disk |
JP3078230B2 (ja) * | 1996-06-11 | 2000-08-21 | ホーヤ株式会社 | 記録媒体用ガラス基板、該基板を用いた磁気記録媒体及びその製造方法 |
JP3187321B2 (ja) * | 1996-06-14 | 2001-07-11 | 日本板硝子株式会社 | 化学強化用ガラス組成物および化学強化ガラス物品 |
JP3138641B2 (ja) * | 1996-07-05 | 2001-02-26 | 住友ゴム工業株式会社 | ゴルフクラブヘッドおよびその製造方法 |
JP3930113B2 (ja) * | 1996-08-30 | 2007-06-13 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板 |
JP3989988B2 (ja) * | 1996-09-04 | 2007-10-10 | Hoya株式会社 | 情報記録媒体用基板及び磁気ディスク、並びにその製造方法 |
JP3379621B2 (ja) * | 1996-09-04 | 2003-02-24 | Hoya株式会社 | 情報記録媒体用基板に用いる材料、これを用いる基板及びこの基板を用いる磁気ディスク |
JPH1079122A (ja) * | 1996-09-04 | 1998-03-24 | Hoya Corp | 情報記録媒体用基板に適した材料の選定方法、この方法を用いて選定した材料、この材料を用いた基板及び磁気ディスク |
-
1998
- 1998-06-04 KR KR10-1999-7000929A patent/KR100446053B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-06-04 CA CA002262700A patent/CA2262700C/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-06-04 CN CNB2004100589046A patent/CN1256720C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-04 JP JP52651198A patent/JP4098834B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-06-04 WO PCT/JP1998/002486 patent/WO1998055993A1/ja active IP Right Grant
- 1998-06-04 CN CNB988007444A patent/CN1170273C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-04 MY MYPI98002500A patent/MY118378A/en unknown
- 1998-06-04 DE DE69835572T patent/DE69835572T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-04 AU AU75504/98A patent/AU749543B2/en not_active Ceased
- 1998-06-04 EP EP98923132A patent/EP0917135B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-12-18 JP JP2007326008A patent/JP4134266B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2262700A1 (en) | 1998-12-10 |
EP0917135A1 (en) | 1999-05-19 |
JP2008097821A (ja) | 2008-04-24 |
CA2262700C (en) | 2002-09-17 |
MY118378A (en) | 2004-10-30 |
CN1256720C (zh) | 2006-05-17 |
KR20000068047A (ko) | 2000-11-25 |
KR100446053B1 (ko) | 2004-08-30 |
CN1228184A (zh) | 1999-09-08 |
CN1170273C (zh) | 2004-10-06 |
EP0917135A4 (en) | 1999-12-15 |
DE69835572T2 (de) | 2007-08-09 |
JP4134266B2 (ja) | 2008-08-20 |
WO1998055993A1 (fr) | 1998-12-10 |
AU749543B2 (en) | 2002-06-27 |
DE69835572D1 (de) | 2006-09-28 |
EP0917135B1 (en) | 2006-08-16 |
CN1558398A (zh) | 2004-12-29 |
AU7550498A (en) | 1998-12-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4134266B2 (ja) | 情報記憶媒体、情報記憶装置 | |
EP0953548B1 (en) | Method of producing glass substrate for information recording medium | |
US5997977A (en) | Information recording substrate and information recording medium prepared from the substrate | |
JP4039381B2 (ja) | ガラス組成物を用いた情報記録媒体用ガラス基板及びこれを用いた情報記録媒体 | |
JP5748675B2 (ja) | 情報記録媒体用ガラス基板および情報記録媒体とそれらの製造方法 | |
JP4530618B2 (ja) | ガラス組成物及びガラス基板 | |
JP3996294B2 (ja) | 結晶化ガラスからなる情報記録媒体用基板及び情報記録媒体 | |
JP4282273B2 (ja) | ガラス基板 | |
JP4086210B2 (ja) | 情報記録媒体用基板 | |
JP4072275B2 (ja) | 結晶化ガラスからなる情報記録媒体用基板及び情報記録媒体 | |
JP2023166439A (ja) | 磁気記録媒体基板用または磁気記録再生装置用ガラススペーサ用のガラス、磁気記録媒体基板、磁気記録媒体、磁気記録再生装置用ガラススペーサおよび磁気記録再生装置 | |
JP7165655B2 (ja) | 情報記録媒体基板用ガラス、情報記録媒体基板、情報記録媒体および記録再生装置用ガラススペーサ | |
JP4074027B2 (ja) | 結晶化ガラスからなる情報記録媒体用基板及び情報記録媒体 | |
JP4323597B2 (ja) | 情報記録ディスク用結晶化ガラス及びその製造方法 | |
JP4619115B2 (ja) | 情報記録媒体用ガラス基板および情報記録媒体 | |
JP4691135B2 (ja) | 情報記録媒体用ガラス基板 | |
JP4488555B2 (ja) | ガラス組成物およびその製造方法、ならびにそれを用いた情報記録媒体用基板、情報記録媒体および情報記録装置 | |
JP4323598B2 (ja) | 情報記録ディスク用結晶化ガラス | |
JP7488416B2 (ja) | 磁気記録媒体基板用または磁気記録再生装置用ガラススペーサ用のガラス、磁気記録媒体基板、磁気記録媒体、磁気記録再生装置用ガラススペーサおよび磁気記録再生装置 | |
JP3928884B6 (ja) | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法 | |
WO2024053056A1 (ja) | 磁気記録媒体基板用または磁気記録再生装置用ガラススペーサ用のガラス、磁気記録媒体基板、磁気記録媒体、磁気記録再生装置用ガラススペーサおよび磁気記録再生装置 | |
JP2024102290A (ja) | 磁気記録媒体基板用または磁気記録再生装置用ガラススペーサ用のガラス、磁気記録媒体基板、磁気記録媒体、磁気記録再生装置用ガラススペーサおよび磁気記録再生装置 | |
WO2024053741A1 (ja) | 磁気記録媒体基板用ガラス、磁気記録媒体基板および磁気記録再生装置 | |
JP2001325718A (ja) | 情報記録媒体用基板および情報記録媒体 | |
JP2001325722A (ja) | 情報記録媒体用基板の製造方法および情報記録媒体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050104 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061010 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070403 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070514 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070604 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20070816 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071024 |
|
A72 | Notification of change in name of applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A721 Effective date: 20071122 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071218 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080220 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080314 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110321 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110321 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120321 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120321 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130321 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140321 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |