JP4081696B2

JP4081696B2 - タキソールの製造方法

Info

Publication number: JP4081696B2
Application number: JP21964397A
Authority: JP
Inventors: クマールチャットパッジャースニール; パラカーシュシャルマラム; クマールスシル; パダマナバンマヅスダナンクンナース
Original assignee: カウンシルオブサイエンティフィクアンドインダストリアルリサーチ
Priority date: 1996-08-14
Filing date: 1997-08-14
Publication date: 2008-04-30
Anticipated expiration: 2017-08-14
Also published as: US5856532A; EP0905130A1; EP0905130B1; JPH10168074A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はタキソールの製造方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、ヒマラヤイチイであるタキスス・ワリチアナの樹皮からタキソールＡ、ＢおよびＣ（タキソール同族体Ａ、ＢおよびＣ）のキシロシドを分離すると共に、これら分離された式（１）
【０００２】
【化４】

【０００３】
［式中、ＲはＣ₆Ｈ₅（タキソール同族体ＡもしくはキシロシドＡ）またはＣＨ₃Ｃ＝ＣＨＣＨ₃（タキソール同族体ＢもしくはキシロシドＢ）またはＣ₅Ｈ₁₁（タキソール同族体ＣもしくはキシロシドＣ）を示す］のタキソール同族体７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＡ、ＢもしくはＣを１０−デアセチルタキソールＡ、ＢもしくはＣ（１０−ＤＡＴ−Ａ、Ｂ、Ｃ）まで中間体として使用すべく変換させ、この分離された中間体（１０−ＤＡＴＳ）をタキソールＡ、ＢもしくはＣまでさらに変換される方法に関するものである。
【０００４】
１０−デアセチルタキソールＡ、ＢおよびＣは下式（２）を有し、式中Ｒ＝Ｃ₆Ｈ₅（１０−デアセチルタキソールＡ）またはＣＨ₃Ｃ＝ＣＨ−ＣＨ₃（１０−デアセチルタキソールＢ）またはＣ₅Ｈ₁₁（１０−デアセチルタキソールＣ）である：
【０００５】
【化５】

【０００６】
タキソールＡ、ＢおよびＣは式（３）を有し、式中Ｒ＝Ｃ₆Ｈ₅（タキソールＡ）またはＣＨ₃Ｃ＝ＣＨＣＨ₃（タキソールＢ）または＝Ｃ₅Ｈ₁₁（タキソールＣ）である：
【０００７】
【化６】

【０００８】
【従来の技術】
タキソールＡおよびＢは刊行物中にタキソールおよびセファロマンニンとしても知られ、タキソールＣは他の名称を有する［マイス・アン・エビデンス・ヌボー・アナローグス、タキスス・バッカタのタキソール抽出物、Ｖ．セニル、Ｓ．ブレッヘルト、Ｍ．コリン、Ｄ．ゲナード、Ｆ．ピコット、Ｐ．ポチエールおよびＰ．バレンネ、ジャーナル・オブ・ナチュラル・プロダクツ、第４７巻、第１３１〜１３７頁（１９８４）］。
【０００９】
これら３種のタキソールＡ、ＢおよびＣのうち、タキソールＡ（＝タキソール）のみが卵巣癌および乳癌の処置につき臨床的に使用される。各種類の癌がタキソールＡで処置されており、卵巣癌および乳癌の処置における結果は極めて有望である。タキソールＡ（＝タキソール）は、卵巣癌および乳癌を処置するため米国の食品薬品局（ＦＤＡ）により承認されている。
【００１０】
タキソールＢ（＝セファロマンニン）はタキスス・ワリチアナの葉、茎および根から分離されている。これは臨床的に使用されない。［タキスス・ワリチアナからの抗白血病アルカロイド、Ｒ．Ｗ．ミラー、Ｒ．Ｇ．パウエル、Ｃ．Ｒ．スミス・ジュニアー、Ｅ．アーノルドおよびＪ．クラルディー、ジャーナル・オブ・オーガニック・ケミストリー、第４６巻、第１４６９〜１４７４頁（１９８１）］。
【００１１】
タキソールＣはタキスス・メジアの根から分離されている［タキソール同族体はタキス・メジアの根を形成する。Ｌ．バルボニ、Ｐ．ガリボルジ、Ｅ．トレギアニ、Ｇ．アペンジノ、Ｂ．ガベッタおよびＥ．ボンバルデリイ、フィトケミストリー、第３６巻、第９８７〜９９０頁（１９９４）］。タキソールＣはタキスス・バッカタの細胞培養物からも分離されており、これは非小細胞肺癌、小細胞肺癌、結腸癌、ＣＮＳ癌および卵巣癌の細胞系統に対し有力かつ選択的な細胞毒性を示した［タキスス・バッカタの細胞培養物からの新規な生物活性毒素、Ｗ．マー、Ｇ．Ａ．パーク、Ｍ．Ｈ．ゴメズ、Ｍ．Ｈ．ニーダー、Ｔ．Ｉ．アダムス、Ｊ．Ｓ．エインスレー、Ｏ．Ｐ．サハイ、Ｒ．Ｊ．スミス、Ｒ．Ｗ．スタールフート、Ｐ．Ｊ．ハイランド、Ｆ．ビッチおよびＣ．シャックレトン、ジャーナル・オブ・ナチュラル・プロダクツ、第５７巻、第１１６〜１２２頁（１９９４）］。
【００１２】
タキソールＡ（すなわち高度に酸素化されたジテルペノイド分子および有力な抗癌剤）が先ず最初にタキスス・ブレビホリアの樹皮からも分離された。その後、これはタキスス・ワリチアナを包含する他のタキスス種類からも分離されている。タキソールＡ（すなわち構造上複雑かつ化学上不安定な分子）は、植物材料から分離するには特殊かつ慎重な抽出および分離の過程を必要とした。残念ながら、殆どの研究は独占的なものであって公開されていない。米国の研究者はＴ．ブレビホリアの樹皮からタキソールを抽出すべくアルコールを使用しており、アルコール抽出物からのタキソールの単離はその後にメタノール−クロロホルム混液（２：９８）を溶出溶剤として用いるシリカ上でのカラムクロマトグラフィーを用いてタキソールＡ（＝タキソール）とタキソールＢ（セファロマンニン）との混合物を得ている。１つの従来技術の方法において、タキソールＡはタキソールＡおよびタキソールＢを含有する混合物から０．０１％の収率で分離および単離されており、これにはシリカゲル上での反復カラムクロマトグラフィーを用いるか或いは高性能液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）を用いた［Ｍ．Ｃ．ワニ、Ｈ．Ｉ．テーラー、Ｍ．Ｅ．ウォール、Ｐ．コガンおよびＡ．Ｔ．マックフェイル、植物抗腫瘍剤ＶＩ：タキソールの単離および構造、タキスス・ブレビホラからの新規な抗白血病剤および抗腫瘍剤、ジャーナル・オブ・ザ・アメリカン・ケミカル・ソサエティ、第９３巻、第２３２５頁（１９７１）；並びにＪ．Ｈ．カルデリナ：タキソールおよびセファロマンニンのＨＰＬＣ分離、ジャーナル・オブ・リキッド・クロマトグラフィー、第１４巻、第６５９頁（１９９１）］。
【００１３】
他の従来技術の方法によれば、タキソールＡはタキスス・ワリチアナの樹皮から０．０２％の収率で分離されている。分離法は、樹皮をメタノールで抽出し、メタノール性抽出物を水とクロロホルムとの間に分配させ、タキソールＡをシリカゲル上でのカラムクロマトグラフィーによりクロロホルム可溶性フラクションから単離することを含む［Ｓ．Ｋ．シャットパドヘイ、Ｖ．Ｋ．トリパッチ、Ｒ．Ｓ．タクール、Ｒ．Ｐ．シャルマおよびＳ．Ｐ．ジェイン、タキスス・バッカタからのタキソール、１０−デアセチルバッカチンＩＩＩおよび（−）ベツリゲノールの分離、３３Ｂ、第４０９頁（１９９４）］。
【００１４】
従来技術の方法によれば、タキソール同族体７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＡおよびＢはＫ．Ｖ．ラオの方法［タキソールおよびデアセチルタキソールの製造方法、Ｋ．Ｖ．ラオ、米国特許出願第８５１４６９号、１９９２年３月１３日付け］によりタキソールＡ（＝タキソール）およびタキソールＢ（セファロマンニン）まで変換されている。
【００１５】
タキソールＡもしくはＢの製造方法は、同族体７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＡもしくはＢをメタノール中で過沃素酸塩と反応させることを含んだ。クロロホルムと硫酸との混液で２０〜６０℃にてジアルデヒド生成物を生ぜしめ、次いでこれをフェニルヒドラジンによりメタノール−水性酢酸混液中で処理すると共に５０〜６０℃で加熱してジアルデヒドを１０−デアセチルタキソールＡもしくはＢまで分解させ、次いでこれをカラムクロマトグラフィーにより単離した。次いで、得られた１０−デアセチルタキソールＡもしくは１０−デアセチルタキソールＢを、１０−デアセチルタキソールＡもしくはＢとアセチル化剤との０〜１００℃における反応により２′−および７−ヒドロキシル基を封鎖し、次いで１０−ヒドロキシル基をアセチル化剤により０〜１００℃にてアセチル化し、次いで２′−および７−ヒドロキシル基を適する保護解除剤によりタキソールＡもしくはＢまで保護解除することによりタキソールＡ（＝タキソール）もしくはタキソールＢまで変換させた。
【００１６】
７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＡもしくはＢから中間生成物１０−デアセチルタキソールＡもしくはＢを作成すると共に１０−デアセチルタキソールＡをタキソールＡ（＝タキソール）まで変換させるラオにより記載された方法は、中間生成物１０−デアセチルタキソールＡもしくはＢの低収率（たとえば０．５ｇの７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＡもしくはＢは０．２ｇの１０−デアセチルタキソールＡもしくはＢをもたらす）；並びに中間体１０−デアセチルタキソールＡからの最終生成物タキソールＡ（＝タキソール）の低収率（たとえば０．５ｇの１０−デアセチルタキソールＡは０．３ｇのタキソールＡをもたらす）を含む主たる欠点を有する。実験手順および収率については、１０−デアセチルタキソールＢからタキソールＢ（＝セファロマンニン）への変換に関しラオにより報告されていない。
【００１７】
中間生成物１０−デアセチルタキソールＡもしくはＢの低収率の理由は、（ｉ）７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＡもしくはＢの過沃素酸塩酸化を鉱酸の存在下に行うこと（ラオによりその特許出願には過沃素酸塩酸化は過剰の重炭酸ナトリウムの存在下に中性条件下でも行いうるが、過剰の溶解した炭酸ナトリウムの存在はジアルデヒドからの側鎖分解をもたらして生成物の混合物を生ぜしめうる）、並びに（ｉｉ）過沃素酸塩酸化生成物をフェニルヒドラジンと共にメタノール−水性酢酸混液中で５０〜６０℃にて加熱することにより過沃素酸塩酸化生成物を１０−デアセチルタキソールＡもしくはＢまで分解することに基づき合理的に説明することができる。
【００１８】
ラオの方法に記載された中間生成物からの最終生成物タキソールＡ（＝タキソール）の低収率に関する理由は、不適切な保護基を選択して２′，７−ヒドロキシル基を封鎖すると共に、これら基の保護を行うための反応持続時間および温度のような反応条件の非最適化に基づきうる。
さらに、同族体７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＣから中間生成物１０−デアセチルタキソールＣを製造すると共に上記中間生成物１０−デアセチルタキソールＣからタキソールＣまで変換させる方法は、ラオによりその特許出願に含まれていない。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、従来技術の方法に伴う欠点を解消すると共にタキソールＡ、ＢおよびＣを製造するための簡単かつ実用的な方法を開発することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明による方法は、（ｉ）タキソール同族体７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＡ、ＢもしくはＣをタキスス・ワリチアナの樹皮から本出願人により開発された改良方法により分離し、これは風乾された粉末化植物材料を室温にてアルコールにより抽出し、溶剤を蒸発させて残留物を得、得られた残留物を水と共に撹拌して沈殿物を生成させかつタキソール同族体７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＡ（タキソール同族体Ａ）、７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＢ（タキソール同族体Ｂ）および７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＣ（タキソール同族体Ｃ）をシリカゲル上でのフラッシュクロマトグラフィーにより収率０．５％（タキソール同族体Ａにつき）、０．０２％（タキソール同族体Ｂにつき）および０．００７５％（タキソール同族体Ｃにつき）にて単離することを含み、（ｉｉ）単離されたタキソール同族体ＡもしくはＢもしくはＣを極性溶剤中で室温にてジアルデヒドまで過沃素酸塩と反応させ、（ｉｉｉ）得られたジアルデヒドを極性溶剤−酢酸混液中で０〜４０℃にて硼水素化物によりアセタールまで還元し、（ｉｖ）アセタールを鉱酸と塩素化溶剤との混液中で０〜４０℃にて分解させて中間生成物１０−デアセチルタキソールＡもしくはＢもしくはＣを生成させ、（ｖ）中間体１０−デアセチルタキソールＡもしくはＢもしくはＣの２′，７−ヒドロキシル基を適するシランにより２０〜４０℃で２０〜４０時間にわたり保護し、（ｖｉ）遊離１０−ヒドロキシル基をアセチル化剤により１０〜４０℃にて１２〜１８時間にわたりアセチル化し、（ｖｉｉ）２′，７−位置におけるシリル基を鉱酸極性溶剤混液の存在下に０〜１０℃にて保護解除することにより最終生成物タキソールＡもしくはＢもしくはＣを生成させることからなっている。
【００２１】
本発明の方法により得られるタキソールＡ、ＢもしくはＣの収率を、従来報告されている対応の収率と比較した：
原料タキソールＡタキソールＢタキソールＣ
樹皮 0.001-0.02% 0.006% -
針状葉 0.002-0.01% - 0.035%
従来技術のラオ法 0.012% 0.012% -
本発明の方法 0.25% 0.25% 0.25%
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明の目的は、Ｒが＝Ｃ₆Ｈ₅（タキソール同族体ＡもしくはキシロシドＡ）またはＣＨ₃Ｃ＝ＣＨＣＨ₃（タキソール同族体ＢもしくはキシロシドＢ）またはＣ₅Ｈ₁₁（タキソール同族体ＣもしくはキシロシドＣ）を示す式（１）のタキソールＡ、ＢもしくはＣ（タキソール同族体Ａ、ＢもしくはＣ）のキシロシドである７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＡ、ＢもしくはＣをヒマラヤイチイ植物タキスス・ワリチアナから高収率にて分離するための改良方法を開発供することにある。
【００２３】
本発明の他の目的は、これら分離されたタキソール同族体７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＡ、ＢもしくはＣを、ＲがＣ₆Ｈ₅（１０−デアセチルタキソールＡ）もしくはＣＨ₃Ｃ＝ＣＨＣＨ₃（１０−デアセチルタキソールＢ）もしくはＣ₅Ｈ₁₁（１０−デアセチルタキソールＣ）を示す式（２）の中間生成物１０−デアセチルタキソールＡ、ＢもしくはＣ（１０−ＤＡＴＡ、ＢもしくはＣ）まで変換させる簡単かつコスト上有効な方法を開発することにある。
【００２４】
さらに本発明の他の目的は、中間体１０−デアセチルタキソールＡ、ＢもしくはＣを、ＲがＣ₆Ｈ₅（タキソールＡ）もしくはＣＨ₃Ｃ＝ＣＨＣＨ₃（タキソールＢ）もしくはＣ₅Ｈ₁₁（タキソールＣ）を示す式（３）のタキソールＡ、ＢもしくはＣまで変換することにある。
本発明の第１の目的によれば、タキソール同族体７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＡ、ＢもしくはＣをタキスス・ワリチアナの樹皮から分離するための改良方法が開発され、ここで同族体を単離するには溶剤分配を用いない。改良分離方法は、風乾された粉末化植物材料を室温にてアルコールにより抽出し、溶剤を蒸発させて残留物を得、得られた残留物を水と共に撹拌して濃厚沈殿物を得、この沈殿物から同族体７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＡ、７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＢもしくは７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＣをシリカゲル床におけるフラッシュクロマトグラフィーにより単離することからなっている。
【００２５】
本発明の他の目的によれば、単離されたタキソール同族体７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＡ、ＢもしくはＣから、Ｒ＝Ｃ₆Ｈ₅（１０−ＤＡＴＡ）もしくはＣＨ₃Ｃ＝ＣＨＣＨ₃（１０−ＤＡＴＢ）もしくはＣ₅Ｈ₁₁（１０−ＤＡＴＣ）である式（２）の中間生成物１０−デアセチルタキソールＡ、ＢもしくはＣ（１０−ＤＡＴＡ、ＢもしくはＣ）まで変換させる方法が開発され、この方法は単離された同族体７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＡもしくはＢもしくはＣを極性溶剤に溶解させ、得られた溶液を過沃素酸塩により２０〜４０℃にて２０〜４０時間にわたり反応させてキシロシドのジオール系をジアルデヒドまで***させ、このジアルデヒド溶液を極性溶剤−酢酸の混液中で硼水素化物により０〜４０℃の温度で還元し、得られたアセタールを鉱酸により塩素化溶剤中で２〜４時間にわたり０〜４０℃にて１０−デアセチルタキソールＡもしくはＢもしくはＣまで酸性化することからなっている。
【００２６】
さらに他の本発明の目的によれば、中間体１０−デアセチルタキソールＡ、ＢもしくはＣを、Ｒ＝Ｃ₆Ｈ₅（タキソールＡ）もしくはＣＨ₃Ｃ＝ＣＨＣＨ₃（タキソールＢ）もしくはＣ₅Ｈ₁₁（タキソールＣ）である式（３）の最終生成物タキソールＡ、ＢもしくはＣまで変換する方法が開発され、この方法は得られた１０−デアセチルタキソールＡもしくはＢもしくはＣをシラン（より詳細にはクロルトリエチルシラン、クロルトリイソブチルシラン、クロルトリメチルシラン、クロルトリイソプロピルシラン）により塩基中で１０〜４０℃にて２０〜４０時間にわたり処理して１０−デアセチルタキソールの２′，７−ヒドロキシル基を保護し、残余の遊離１０−ヒドロキシル基をその場でアセチル化剤により１０〜４０℃にて１０〜１８時間にわたりアセチル化して２′，７−ジシリル化タキソール誘導体を生成させ、さらに得られた誘導体を鉱酸−極性溶剤混液と０〜１０℃にて１０〜１２時間にわたり反応させて２′，７−ヒドロキシル基を保護解除すると共に、タキソールＡもしくはＢもしくはＣをシリカゲル上でのカラムクロマトグラフィーにより単離することからなっている。
【００２７】
本発明の１具体例によれば、タキソール同族体７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＡ、ＢもしくはＣを極性溶剤と酢酸との混液に溶解して硼水素化物還元のためジアルデヒドを溶解させると共に、極性溶剤と鉱酸との混液に溶解して２′，７−ヒドロキシル基を保護解除する際に使用する極性溶剤はメタノール、エタノール、プロパノールおよびブタノールから選択することができる。
【００２８】
本発明の他の具体例によれば、キシロシドのジオール系を***させる際に使用する適する過沃素酸塩は過沃素酸塩ナトリウム、過沃素酸塩カリウム、過沃素酸およびパラ過沃素酸から選択することができる。
本発明の他の具体例によれば、ジアルデヒドをアセタールまで還元する際に使用する硼水素化物は硼水素化ナトリウム、硼水素化カリウム、硼水素化リチウムおよびシアノ硼水素化ナトリウムから選択することができる。
【００２９】
本発明の他の具体例によれば、アセタールを酸性化するための塩素化溶剤の混液および２′，７−ヒドロキシル基を保護解除すべく極性溶剤の混液にも使用される鉱酸は塩酸、硫酸、硝酸、過塩素酸および弗化水素酸から選択することができる。
本発明の他の具体例によれば、アセタールを酸性化すべく鉱酸の混液中で使用される塩素化溶剤はクロロホルム、ジクロルメタンおよび四塩化炭素から選択することができる。
【００３０】
本発明の他の具体例によれば、２′，７−ヒドロキシル基を保護するためシランの存在下で、および１０−ヒドロキシル基のアセチル化につきアセチル化剤と共に使用される塩基はピリジン、トリエチルアミン、ジメチルアミノピリジン、ピペリジンおよびモルホリンから選択することができる。
さらに本発明の他の具体例によれば、１０−デアセチルタキソールＡ、ＢおよびＣの２′，７−ヒドロキシル基を保護する際に使用されるシランはクロルトリエチルシラン、クロルトリイソブチルシラン、クロルトリイソプロピルシランおよびクロルトリメチルシランから選択することができる。
【００３１】
本発明の他の具体例によれば、１０−ヒドロキシル基をアセチル化すべく使用されるアセチル化剤は塩化アセチル、無水酢酸および臭化アセチルから選択することができる。
本発明の他の具体例によれば、タキソール同族体７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＡ、ＢもしくはＣを単離すると共にタキソールＡ、ＢもしくはＣを精製するためフラッシュクロマトグラフィーにて使用される吸着剤はシリカゲル、フロロシルおよびアルミナから選択することができる。
【００３２】
【実施例】
以下、本発明を例示の目的で実施例により詳細に説明し、したがって本発明はこれら実施例のみに限定されない。
−第１実施例−
７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＡ、ＢおよびＣの分離：
タキソール同族体７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＡ、ＢおよひＣを、溶剤分配工程を使用しない本出願により開発された改良方法により分離した。タキスス・ワリチアナの風乾された粉末化樹皮（１ｋｇ）をメタノール（３Ｌ×３）にて室温で７２時間にわたり抽出した。メタノール性抽出物を残留物まで濃縮した。この残留物を水で希釈すると共に濃厚沈殿物まで機械撹拌した。沈殿物を濾過し、脱水し、次いで脱水された物質を最少容積の酢酸エチル−メタノール混液に溶解させ、溶出剤として酢酸エチルを用いるシリカゲル床でのフラッシュクロマトグラフィーにかけた。溶出剤を酢酸エチルにおける２〜５％メタノールに変化させた。酢酸エチルにおける２％メタノールは７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＡ（５ｇ）を与え、酢酸エチルにおける４％メタノールは７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＢ（０．２ｇ）を与え、さらに酢酸エチルにおける５％メタノールは７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＣ（７５ｍｇ）を与えた。
−第２ａ実施例−
１０−デアセチルタキソールＡの製造：
小反応フラスコに実施例１に記載した方法により単離されたエタノール（２０ｍＬ）における同族体７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＡ（１００ｍｇ）を添加した。過沃素酸ナトリウム（２ｍＬの水における２３１ｍｇ）を得られたアルコール性溶液に添加し、反応混合物を２０〜４０℃にて２０〜４０時間にわたり撹拌した。この反応混合物を水で希釈すると共に酢酸エチル（２×３０ｍＬ）で抽出した。酢酸エチル相を水洗し、無水硫酸ナトリウムで脱水し、次いで残留物まで減圧濃縮した。この残留物をエタノール−酢酸混液に溶解し、硼水素化ナトリウム（５０ｍｇ）により０〜４０℃にて撹拌しながら処理した。次いで得られた反応混合物をクロロホルム（３０ｍＬ）で希釈し、希塩酸と共に０〜４０℃にて２〜４時間撹拌した。クロロホルム層を水洗し（２×３０ｍＬ）、無水硫酸ナトリウムで脱水し、次いで残留物まで減圧濃縮した。得られた残留物をヘキサン−クロロホルム混液で磨砕すると共に濾過して１０−デアセチルタキソールＡ（７０ｍｇ）を得、これは全ての面で標準試料と同一であると判明した［１９−ヒドロキシバッカチンＩＩＩ、１０−デアセチルセファロマンニンおよび１０−デアセチルタキソール：タキスス・ワリチアナからの新規な抗腫瘍タキサン、Ｊ．Ｌ．マックローリン、Ｒ．Ｗ．ミラー、Ｒ．Ｇ．パウエルおよびＣ．Ｒ．スミス・ジュニア、ジャーナル・オブ・ナチュラル・プロダクツ、第４４巻、第３１２〜３１９頁（１９８１）］。
−第２ｂ実施例−
１０−デアセチルタキソールＢの製造：
反応フラスコに実施例１に記載された方法により分離されたメタノール（２０ｍＬ）における同族体７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＢ（１００ｍｇ）を添加し、これに過沃素酸カリウム（２ｍＬの水における２３０ｍｇ）を添加した。この反応混合物を２０〜４０℃にて２０〜４０時間撹拌し、水で希釈すると共に酢酸エチル（２×３０ｍＬ）で抽出した。酢酸エチル相を水洗し、無水硫酸ナトリウムで脱水し、次いで残留物まで減圧濃縮した。この残留物をメタノール−酢酸混液に溶解させ、硼水素化カリウム（５０ｍｇ）により０〜４０℃にて撹拌しながら処理した。得られた反応混合物を次いでジクロルメタン（３０ｍＬ）で希釈し、希硫酸と共に２〜４時間わたり０〜４０℃にて撹拌した。ジクロルメタン層を水洗し（２×３０ｍＬ）、無水硫酸ナトリウムで脱水し、次いで残留物まで減圧濃縮した。得られた残留物をヘキサン−ジクロルメタン混液で磨砕すると共に濾過して１０−デアセチルタキソールＢ（７０ｍｇ）を得、これは全ての面で標準試料と同一であった［Ｒ．Ｗ．ミラー等、ジャーナル・オーガニック・ケミストリー、第４６巻、第１４６９〜１４７４頁（１９８１）］。
−第２ｃ実施例−
１０−デアセチルタキソールＣの製造：
出発物質、すなわち１０−デアセチルタキソールＣを製造するための７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＣを実施例１に記載した方法により分離した。実施例２ａもしくは２ｂに記載した方法にしたがい７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＣ（１００ｍｇ）を１０−デアセチルタキソールＣ（７０ｍｇ）まで変換させ、これは全ての面で標準試料と同一であった［Ｗ．マー等、ジャーナル・ナチュラル・プロダクツ、第５７巻、第１１６〜１２２頁（１９９４）］。
−第３ａ実施例−
１０−デアセチルタキソールＡ（１０−ＤＡＴ，Ａ）からのタキソールＡの製造：
実施例２ａの方法により作成した１０−デアセチルタキソールＡ（７０ｍｇ）をピリジン（５ｍＬ）に溶解し、クロルトリエチルシラン（０．４ｍＬ）により１０〜４０℃にて２０〜４０時間にわたり処理することにより１０−ＤＡＴ，Ａの２′，７−ヒドロキシル基を保護した。次いで反応混合物をその場で無水酢酸（０．２ｍＬ）により１０〜４０℃にて１２〜１８時間にわたり処理した。次いで反応混合物を破砕した氷で反応停止させ、３０分間にわたり放置すると共にクロロホルム（３０ｍＬ）で抽出した。クロロホルム層を水洗し、無水硫酸ナトリウムで脱水し、次いで油状残留物まで濃縮した。得られた残留物をヘキサンで磨砕して固化させた。固形物を濾過すると共にメタノール−塩酸の混液で０〜１０℃にて１０〜１２時間にわたり処理することにより反応を完結させた。反応混合物を冷水で希釈し、クロロホルム（３０ｍＬ）で抽出した。クロロホルム層を水洗し、無水硫酸ナトリウムで脱水し、次いで減圧濃縮して残留物を得た。この残留物をクロロホルムにおけるシリカゲルのカラムに通過させて精製した。クロロホルムにおける２％メタノールはタキソールＡを溶出し、これを固形物として単離した。固形物をヘキサン−酢酸エチル混液から針状結晶として結晶化させてタキソールＡ（５０ｍｇ）を得た。
−第３ｂ実施例−
１０−デアセチルタキソールＢ（１０−ＤＡＴ，Ｂ）からのタキソールＢの製造：
１０−デアセチルタキソールＢ（７０ｍｇ）を実施例２ｂの方法により作成してトリエチルアミン（５ｍＬ）に溶解し、クロルイソブチルシラン（０．４ｍＬ）で１０〜４０℃にて２０〜４０時間にわたり処理することにより１０−ＤＡＴ，Ｂの２′，７−ヒドロキシル基を保護した。次いで反応混合物をその場で塩化アセチル（０．３ｍＬ）により１０〜４０℃にて１２〜１８時間にわたり処理した。次いで反応混合物を破砕した氷で処理すると共に３０分間にわたり放置し、ジクロルメタン（３０ｍＬ）で抽出した。ジクロルメタン層を水洗し、無水硫酸ナトリウムで脱水し、次いで油状残留物まで濃縮した。残留物をヘキサンで磨砕して固化させた。固形物を濾過すると共にエタノール−硫酸の混液で０〜１０℃にて１０〜１２時間にわたり処理することにより反応を完結させた。この反応混合物を冷水で希釈し、ジクロルメタン（３０ｍＬ）で抽出した。ジクロルメタン層を水洗し、無水硫酸ナトリウムで脱水し、次いで減圧濃縮して残留物を得た。この残留物をジクロルメタンにおけるクロロシルのカラムに通過させて精製した。ジクロルメタンにおける３％メタノールはタキソールＢを溶出し、これを固形物として単離した。これをエタノール−水から針状結晶として結晶化させ、タキソールＢ（５０ｍｇ）を得た。
−第３ｃ実施例−
１０−デアセチルタキソールＣ（１０−ＤＡＴ，Ｃ）からのタキソールＣの製造：
実施例２ｃに記載した方法により作成した１０−デアセチルタキソールＣ（７０ｍｇ）から出発し、タキソールＣ（５０ｍｇ）を実施例３ａもしくは３ｂに記載した方法により作成した。タキソールＣは全ての面で標準試料と同一であると判明した［Ｌ．バルボニ等、フィトケミストリー、第３６巻、第９８７〜９９０頁（１９９４）］。
【００３３】
【発明の効果】
本発明により以下の効果が得られる。
（１）タキソール同族体７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＡ、ＢもしくはＣを分離するための公開された技術［Ｖ．セニル等、ジャーナル・ナチュラル・プロダクツ、第４７巻、第１３１〜１３７頁（１９８４）］に報告された溶剤分配工程を本発明の前記同族体の単離方法に使用したが、溶剤分配工程を行わないことは単離同族体７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＡの収率を収率０．５％高め；７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＢの収率を収率０．０２％高め；７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＣの収率を収率０．００７５％高めた。これらは報告された収率と対比される［Ｖ．セニル等、ジャーナル・ナチュラル・プロダクツ、第４７巻、第１３１頁（１９８４）］。
【００３４】
（２）従来技術と比較して、単離された同族体におけるキシロシド系のジオールは非酸性条件下でジアルデヒドまで***させた。過沃素酸塩の酸化工程には酸を使用しなかった。
（３）硼水素化物によるジアルデヒドからアセタールへの還元に続く、１０−デアセチルタキソールＡ、ＢもしくはＣ（１０−ＤＡＴ，Ａ，ＢもしくはＣ）へのぷんぱい和な条件下（０〜４０℃）で達成され、中間生成物（１０−ＤＡＴ，Ａ，ＢもしくはＣ）の高収率をもたらした。
【００３５】
（４）シランの使用は１０−デアセチルタキソールＡ、ＢもしくはＣの２′，７−ヒドロキシル基の選択的保護を効率的にもたらし、さらに緩和な条件下（０〜１０℃）にて、これら基の容易な保護解除を容易化させてタキソールＡ、ＢもしくはＣの高収率を与えた。
（５）現在まで、このような収率でタキソールを製造する方法は報告されていない。
【００３６】
原料タキソールＡタキソールＢタキソールＣ
樹皮 0.001-0.02% 0.006% -
針状葉 0.002-0.01% - 0.035%
従来技術 0.012% 0.012% -
本発明の方法 0.25% 0.25% 0.25%

Claims

式（３）

［式中、ＲはＣ₆Ｈ₅（タキソールＡ）またはＣＨ₃Ｃ＝ＣＨ−ＣＨ₃（タキソールＢ）またはＣ₅Ｈ₁₁（タキソールＣ）を示す］のタキソールＡ、ＢもしくはＣを製造するに際し、式（１）

［式中、ＲはＣ₆Ｈ₅（タキソール同族体ＡもしくはキシロシドＡ）またはＣＨ₃Ｃ＝ＣＨＣＨ₃（タキソール同族体ＢもしくはキシロシドＢ）またはＣ₅Ｈ₁₁（タキソール同族体ＣもしくはキシロシドＣ）を示す］のタキソール同族体７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＡ、ＢもしくはＣをタキスス・ワリチアナの樹皮から分離し、この分離は（ａ）風乾された粉末化樹皮をアルコールにより室温にて抽出し、（ｂ）溶剤を蒸発させて残留物を得、（ｃ）残留物を水と共に撹拌して濃厚沈殿物を得、（ｄ）得られた沈殿物から同族体７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＡ、ＢもしくはＣをシリカの床におけるフラッシュクロマトグラフィーにより単離することにより行い、（ｅ）単離された同族体を極性溶剤に溶解させ、（ｆ）得られた溶液を２０〜４０℃にて２０〜４０時間にわたり過沃素酸塩と反応させてキシロシドのジオール系をジアルデヒドまで***させ、（ｇ）ジアルデヒド溶液を極性溶剤と酢酸との混液にて０〜４０℃で硼水素化物により還元し、（ｈ）得られたアセタールを塩素化溶剤中にて０〜４０℃で２〜４時間にわたり鉱酸により式（２）

［式中、ＲはＣ₆Ｈ₅（１０−デアセチルタキソールＡ）またはＣＨ₃Ｃ＝ＣＨ−ＣＨ₃（１０−デアセチルタキソールＢ）またはＣ₅Ｈ₁₁（１０−デアセチルタキソールＣ）を示す］の１０−デアセチルタキソールＡ、ＢもしくはＣまで酸性化し、（ｉ）得られた１０−デアセチルタキソールＡ、ＢもしくはＣを、クロルトリエチルシラン、クロルトリイソブチルシラン、クロルトリイソプロピルシランおよびクロルトリメチルシランから選択される特定シランにより、１０〜４０℃の特定温度にて２０〜４０時間にわたり塩基を用いて処理して１０−デアセチルタキソールＡ、ＢもしくはＣの２′，７−ヒドロキシル基を封鎖し、（ｊ）残留する遊離１０−ヒドロキシル基をその場でアセチル化剤により１０〜４０℃にて１２〜１８時間にわたりアセチル化して固体残留物を得、（ｋ）得られた固体を０〜１０℃にて１０〜１２時間にわたり鉱酸−極性溶剤の混合物と反応させて２′，７−ヒドロキシル基を保護解除し、さらに（ｌ）シリカ上でのカラムクロマトグラフィーによりタキソールＡ、ＢもしくはＣを単離することを特徴とする上記式（３）のタキソールＡ、ＢもしくはＣの製造方法。
請求項１において、工程（ｅ），工程（ｇ），又は工程（ｋ）における極性溶剤を、メタノール、エタノール、プロパノールおよびブタノールから選択することを特徴とするタキソールＡ、ＢもしくはＣの製造方法。
請求項１において、ジオールを***させる際に使用する過沃素酸塩を過沃素酸ナトリウム、過沃素酸カリウム、過沃素酸およびパラ過沃素酸から選択することを特徴とするタキソールＡ、ＢもしくはＣの製造方法。
請求項１において、ジアルデヒドをアセタールまで還元する際に使用する硼水素化物を硼水素化ナトリウム、硼水素化カリウム、硼水素化リチウムおよびシアノ硼水素化ナトリウムから選択することを特徴とするタキソールＡ、ＢもしくはＣの製造方法。
請求項１において、塩素化溶剤の混液で使用してアセタールを酸性化すると共に極性溶剤の混液にも使用して２′，７−ヒドロキシル基を保護解除させる際に使用する鉱酸を塩酸、硫酸、硝酸、過塩素酸および弗化水素酸から選択することを特徴とするタキソールＡ、ＢもしくはＣの製造方法。
請求項１において、鉱酸の混液で使用してアセタールを酸性化する塩素化溶剤をクロロホルム、ジクロルメタンおよび四塩化炭素から選択することを特徴とするタキソールＡ、ＢもしくはＣの製造方法。
請求項１において、１０−デアセチルタキソールの２′，７−ヒドロキシル基を保護する際に使用するシランをクロルトリエチルシラン、クロルトリイソブチルシラン、クロルトリイソプロピルシランおよびクロルトリメチルシランから選択することを特徴とするタキソールＡ、ＢもしくはＣの製造方法。
請求項１において、使用する前記塩基をピリジン、トリエチルアミン、ジメチルアミノピリジンおよびピペリジンから選択することを特徴とするタキソールＡ、ＢもしくはＣの製造方法。
請求項１において、１０−ヒドロキシル基をアセチル化するため使用するアセチル化剤を無水酢酸、塩化アセチルおよび臭化アセチルから選択することを特徴とするタキソールＡ、ＢもしくはＣの製造方法。
請求項１において、タキソール同族体７−キシロシル−１０−デアセチルタキソールＡ、ＢもしくはＣを単離するため、およびタキソールＡ、ＢもしくはＣを精製するためフラッシュクロマトグラフィーにて使用する吸収剤をシリカゲル、フロロシルおよびアルミナから選択することを特徴とするタキソールＡ、ＢもしくはＣの製造方法。