JP4066574B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、SOI基板を用いた半導体装置およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の製造プロセスでは、製造工程中に起こる重金属汚染に起因した接合リークやゲート酸化膜の耐圧劣化が発生する。
【0003】
重金属汚染による半導体装置の上記特性劣化の対策として、いくつかのゲッタリング技術が用いられている。通常、CZ引き上げ法により製造されたシリコンウエハ内に含まれる酸素の析出を利用した内因性ゲッタリング(イントリンシックゲッタリング)技術が一般的に用いられている。
【0004】
また、酸素原子は、熱処理により析出し、微小欠陥や積層欠陥を形成する。これらの欠陥は歪み場を形成し、重金属不純物原子を固着しやすい特性を有している。素子を形成するウエハ表面の酸素濃度を外方拡散により低減し、且つ、ウエハ内部には酸素の析出を起こして、重金属を固着させる手法が、前記の内因性ゲッタリングである。
【0005】
一方、ウエハの裏面に高濃度の不純物拡散層、多結晶シリコン、ダメージ層などを形成し、この領域に歪み場を形成して、重金属不純物原子を固着する外因性ゲッタリング(エクストリンシックゲッタリング)技術がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
近年、低耐圧の制御回路と高耐圧の出力回路を1チップ内に形成するパワーICや高速動作LSIにおいて、分離面積や寄生効果の低減に効果があるSOI基板が利用されている。
【0007】
SOI基板は、半導体基板上に絶縁膜を介して、半導体層を形成した構造となっている。素子を形成する半導体層はSOI基板の製造工程の熱処理により、酸素濃度が5.0×1017 原子/cm 3 以下に減少すると、第2の半導体層中には酸素の析出は起こらない。従って、半導体層内には、重金属は固着されない。
【0008】
また、絶縁膜が前記半導体層と半導体基板の間に存在するため、ゲッタリングのための欠陥層や高濃度の不純物拡散層を形成しても、CZウエハの裏面にゲッタリングのための欠陥層や高濃度の不純物拡散層を形成する程、ゲッタリング効果は得られない。
【0009】
これを解決するために、例えば、特開平10−032209号公報に開示されているように、半導体層内の重金属をゲッターするためのゲッタリング層を形成する方法がある。この方法は、半導体層と絶縁層の間に高濃度の不純物拡散層を介在させて、この不純物拡散層に重金属を固着させる方法であり、この方法を用いて、半導体装置の耐圧特性などの電気的特性を向上させることができる。
【0010】
しかし、SOI基板に形成した、高耐圧の半導体装置では、半導体層と絶縁膜とで電界を分担しているが、前記の特開平10−032209号公報で開示されている方法では、ゲッタリング効果を持たせている高濃度の不純物拡散層で空乏層の伸びが止められて、絶縁膜まで、電界が拡がらない。そのために、高耐圧の半導体装置を実現することが困難である。
【0011】
また、特開昭61−32433号公報で、半導体層に選択的に欠陥領域をイオン注入で形成して、ゲッタリング作用を持たせている方法を開示しているが、この方法では、通常、半導体装置の製造で使用していないイオン種を半導体層にイオン注入するために、取扱いが厄介で、また生産性もよくない。また、これらのイオン種はボロンなどと比べると、ゲッタリング効果が低い。
【0012】
また、特開昭63−38235号公報で開示されている方法では、ゲッタリング効果を持つ不純物拡散領域の不純物の表面濃度についての具体的な情報が開示されていない。
【0013】
この発明の目的は、前記の課題を解決して、半導体チップを小型化できて、高いゲッタリング領域を有する高耐圧の半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するために、半導体基板上に第1の絶縁膜を介して半導体層を形成したSOI基板の前記半導体層に半導体素子を形成する半導体装置の製造方法であって、前記半導体層にMOSFETを形成するためのウエル領域を形成する工程と、前記ウエル領域とは所定の距離を離して前記半導体層に選択的に高濃度の不純物拡散ゲッタリング領域を形成する工程と、前記半導体層の表面に選択的に前記不純物拡散ゲッタリング領域を覆う第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜が形成されていない前記ウエル領域の表面に前記MOSFETのゲート酸化膜を形成する工程と、前記ウエル領域内に前記MOSFETのソース・ドレイン領域を形成する工程と、前記半導体層の表面から前記第1の絶縁膜に到達する分離溝を形成する工程と、前記分離溝の側壁に第3の絶縁膜を形成する工程と、
を有し、これらの工程をこの順に行うものとする。
【0015】
また、半導体基板上に第1の絶縁膜を介して半導体層を形成したSOI基板の前記半導体層に半導体素子を形成する半導体装置の製造方法において、前記半導体層の表面から前記第1の絶縁膜に到達する分離溝を形成する工程と、前記分離溝の側壁に第3の絶縁膜を形成する工程と、前記分離溝とは所定の距離を離して前記半導体層にMOSFETを形成するためのウエル領域を形成する工程と、前記ウエル領域と前記第3の絶縁膜との間の前記半導体層に選択的にイオン注入を用いて高濃度の不純物拡散ゲッタリング領域を形成する工程と、前記半導体層の表面に選択的に前記不純物拡散ゲッタリング領域を覆う第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜が形成されていない前記ウエル領域の表面に前記MOSFETのゲート酸化膜を形成する工程と、前記ゲート酸化膜の上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極をマスクとして前記MOSFETのソース・ドレイン領域を形成する工程と、を有し、これらの工程をこの順に行うものとする。
【0018】
前記のように、活性領域の直近にゲッタリング用の不純物拡散領域を設けることで、活性領域内に導入された重金属不純物などの不純物を効率よくゲッタリングできる。また、分離溝を形成する前に、分離溝形成領域に前記不純物拡散領域を形成することで、不純物拡散領域が占める無駄な面積を小さくできて、半導体チップの小型化を図ることができる。
【0019】
【発明の実施の形態】
図1は、この発明の第1実施例の半導体装置の構成図で、同図(a)は要部平面図、同図(b)は同図(a)のX−X線で切断した要部断面図である。尚、同図(a)は、半導体表面を基準にして描き、分離領域100については範囲のみを示した。
【0020】
図1において、半導体基板1上に絶縁膜2を介してn形半導体層3を形成したSOI(Silocon On Insulator)基板200を用いて、半導体装置を製作する。さらに、具体的に説明すると、このSOI基板200は、半導体基板1と、予め表面に絶縁膜2を形成した厚いn形半導体層を結合し、この厚いn形半導体層を所望の厚さに加工して前記のn形半導体層3とすることで得られる。図では、n形半導体層3は島状にした後を示す。
【0021】
n形半導体層3は絶縁膜5と充填層6で複数の島に分離され、この島状に分離されたn形半導体層3の表面層にnウエル領域22とpウエル領域23を形成し、nウエル領域22にはpソース領域26aとpドレイン領域26bとゲート酸化膜25aを介してゲート電極24aが形成される。pウエル領域23にはnソース領域27aとnドレイン領域27bとゲート酸化膜25bを介してゲート電極24bが形成される。pソース領域26a、pドレイン領域26b、nソース領域27aおよびnドレイン領域27b上に、ソース電極9a、9c、ドレイン電極9b、9dが形成されて、pチャネルMOSFET101とnチャネルMOSFET102が形成される。これらのnウエル領域22とpウエル領域23から所定の距離を離して、且つ、これらのウエル領域22、23を取り囲むように、高濃度の不純物拡散領域10を形成する。これらのMOSFET101、102の耐圧構造部に厚い酸化膜7が形成され、その上に層間絶縁膜8が形成される。前記の島状に分離する絶縁膜5と充填層6が分離領域100となる。
【0022】
前記の高濃度の不純物拡散領域10をp形不純物であるボロンで形成し、その表面濃度を1×1018 原子/cm 3 から5×1020 原子/cm 3 とし、拡散深さは4μm程度とする。ゲッタリング効果を有効に働かせるには、この表面濃度は、ゲート酸化膜25a、25bを形成する以前に形成される拡散領域(nウエル領域22やpウエル領域23)の濃度(通常は3×1018 原子/cm 3 未満である)より高くする必要があり、そのため、表面濃度の下限値を1×1018 原子/cm 3 とした。また、この表面濃度が5×1020 原子/cm 3 以上ではゲッタリング効果が飽和するために、上限値を5×1020 原子/cm 3 とした。
【0023】
高濃度の不純物拡散領域10の不純物原子は前記のボロンの他に、リン、ヒ素およびフッ素の原子を単独もしくは複合で用いても構わない。複合して用いた場合も、複合の不純物拡散領域の表面濃度を1×1018 原子/cm 3 から5×1020 原子/cm 3 とすることで、前記と同様の効果が期待できる。
【0024】
このように、表面濃度を1×1018 原子/cm 3 から5×1020 原子/cm 3 の範囲を設定することで、半導体装置のゲート耐圧を確保し、ソース・ドレイン間の耐圧を高耐圧化することができる。
【0025】
図2は、図1の素子構造で、高濃度の不純物拡散領域の表面濃度と良品率の関係を示す。高濃度の不純物拡散領域10の不純物原子にボロンを用いた例を示す。また、この良品率はゲート耐圧とソース・ドレイン間の耐圧とを含んだ、合計の良品率である。表面濃度が1×1018 原子/cm 3 以上とすることで、良品率を60%以上とすることができる。
【0026】
図3は、この発明の第2実施例の半導体装置における要部断面図である。図1との違いは、図1の絶縁膜による分離領域100が形成されていない点である。この実施例では素子分離には接合分離を用いている。この場合も図1と同様の効果が得られる。
【0027】
図4から図16は、この発明の第3実施例で、図1の半導体装置における製造方法について、工程順に示した製造工程断面図である。
まず、厚さ、630μm程度の半導体基板1上に厚さ1〜3μmの絶縁膜2を介して、厚さ5〜10μmの半導体層3が形成されたSOI基板を形成する(図4)。
【0028】
このSOI基板に、厚さ1μm程度のエッチングマスク材21を形成する(図5)。
【0029】
つぎに、レジストパターニング・エッチング(レジストをフォトリソグラフィーでパターニングとエッチングすること)により分離溝形成領域4aのエッチングマスク材21を開口する。エッチングマスク材21には熱酸化膜膜を用い、エッチングマスク材21の開口幅は1〜2μmである(図6)。
【0030】
エッチングマスク材21をマスクとして、半導体層3表面から絶縁膜2に達する分離溝4を形成する(図7)。
【0031】
その後、エッチングマスク材21を除去した後、分離溝4の側壁および半導体層3に、絶縁膜5を形成する。このとき、絶縁膜5の膜厚は0.5〜1.0μmである(図8)。
【0032】
さらに分離溝4に充填層6を埋め込む。この充填層6には多結晶シリコンを用いた(図9)。
【0033】
分離領域100以外の領域の絶縁膜5を除去した後、pチャネルMOSFETの形成領域101a、nチャネルMOSFETの形成領域102aに、それぞれ、nウエル領域22、pウエル領域23を形成する(図10)。
【0034】
続いて、分離領域100とpチャネルMOSFETの形成領域101a、nチャネルMOSFETの形成領域の間の領域に、高濃度の不純物拡散領域10を形成する。この不純物拡散領域10の拡散不純物としてボロンを用い、加速電圧80keV、注入量5.0×1015cm-2でイオン注入で形成する。この条件で形成される高濃度の不純物拡散領域10の表面濃度は、2.5×1019 原子/cm 3 である。この表面濃度は一例であり、本発明では、この不純物拡散領域10の表面濃度を1×1018〜5×1020 原子/cm 3 となるように、注入量を選定する(図11)。
【0035】
さらに、pチャネルMOSFETの形成領域101a、nチャネルMOSFETの形成領域102a以外に選択的に絶縁膜7を形成する。この絶縁膜7は熱酸化で形成されたLOCOS酸化膜であり、膜厚は0.5〜1.0μmである。不純物拡散層10は、この絶縁膜7の下に埋め込まれる。また、この絶縁膜7を形成する時の酸化温度により、分離領域100で囲まれた領域内の半導体層3に分布するFe、Crなどの重金属は高濃度の不純物拡散領域10に集まり、半導体層3に混入しているこれらの重金属の濃度は低下する(図12)。この状態でゲート酸化膜25a、25bおよびゲート電極24a、24bを形成する(図13)。
【0036】
これ以降は、通常のMOSFETを製造するプロセスでpソース領域26aとpドレイン領域26bを形成し、nソース領域27aとnドレイン領域27bを形成し(図14)、層間絶縁膜8を形成し(図15)、ソース電極26a、27a、ドレイン電極26b、27bとなる金属電極9を形成する(図16)。この図16は図1と同じである。
【0037】
この第3実施例では、高濃度の不純物拡散領域10をボロンで形成しているが、リン、ヒ素およびフッ素で形成してもよい。また、その場合、これらの原子を単独で形成しても、複数個混在させて形成してもよい。いずれの場合も、この不純物拡散領域10の表面濃度を1×1018 原子/cm 3 〜5×1020 原子/cm 3 の範囲になるように、イオン注入量を選定する。
【0038】
前記のようにすることで、高いゲッタリング効果が得られ、図2に示すように、耐圧の良品率が、例えば60%以上に向上する。また、イオン種に、MOSFETを形成する場合に用いられる通常のイオン種のため、通常の製造プロセスで、通常使用する製造設備でこの不純物拡散領域10を形成できる。
【0039】
図17は、この発明の第4実施例の半導体装置の構成図で、同図(a)は要部平面図、同図(b)は同図(a)のX−X線で切断した要部断面図である。尚、同図(a)は、半導体表面を基準にして描き、分離領域100については範囲のみを示した。
【0040】
図17と図1との違いは、高濃度の不純物拡散領域10を貫通して分離領域100が形成されている点である。この高濃度の不純物拡散領域10は分離領域100より広い領域である。図17では、分離領域100の両側に高濃度の不純物拡散領域10が形成されているが、片側でもよく、また、分離領域100内の領域に形成して、最終的には、分離領域100を形成するとき、除去されても構わない。
【0041】
図18から図30は、この発明の第5実施例で、図17の半導体装置における製造方法について、工程順に示した製造工程断面図である。
【0042】
厚さ約630μmの半導体基板1上に厚さ1〜3μmの第1の絶縁層2を介してn形半導体層3が厚さ5〜10μmで形成されたSOI基板に厚さ20nm〜40nmのバッファ酸化膜30(スクリーン酸化膜ともいう)を熱酸化法により形成し、pチャネルMOSFETを形成する領域101a、nチャネルMOSFETを形成する領域101aにそれぞれnウエル領域22、pウエル領域23を、それぞれフォトリソグラフ技術を用いて選択的にイオン注入した後、熱処理を施し形成する(図18)。
【0043】
続いて、分離溝を形成する分離領域100より広い領域に選択的に高濃度の不純物拡散領域10を形成する(図19)。この実施例では、拡散不純物としてボロンを用い、加速電圧80keV、注入量5.0×1015cm-2でイオン注入で形成した。また、イオン注入後、1100℃、2時間の熱処理を行った。この条件で形成される高濃度の不純物拡散領域10の表面濃度は、その後の製造プロセスを経た最終段階で、2.5×1019 原子/cm 3 である
【0044】
続いて、バッファ酸化膜30を除去した後、選択酸化法により、絶縁膜7を形成した後、pチャネルMOSFETを形成する領域101a、nチャネルMOSFETを形成する領域102aにゲート酸化膜25a、25bとゲート電極24a24bを形成する。さらに、nウエル領域22の表面層にpソース領域26aとnドレイン領域26bを形成し、pウエル領域23の表面層にnソース領域27aとnドレイン領域27bを形成する(図20)。
【0045】
続いて、層間絶縁膜8a、エッチングストップ膜31およびエッチングマスク膜32を形成する(図21)。層間絶縁膜8aは化学気相成長法により形成された酸化シリコン膜で、膜厚は0.1〜0.5μmである。エッチングストップ膜31は化学気相成長法により形成された窒化シリコン膜または多結晶シリコン膜であり、膜厚は0.1〜0.5μmである。エッチングマスク膜32は化学気相成長法により形成した酸化シリコン膜で、膜厚は1〜2μmである。
【0046】
高濃度の不純物拡散領域10内の上部の層間絶縁膜8a、エッチングストップ膜31およびエッチングマスク膜32をフォトリソグラフ技術を用いて選択的に開口し開口部4aを形成した後(図22)、エッチングマスク膜32をマスクとして絶縁膜2に到達する分離溝4を異方性エッチングにより形成する(図23)。分離溝17の開口幅は1〜3μmである。
【0047】
続いて、エッチングマスク膜32を、希釈した弗化水素酸溶液またはドライエッチングプロセスにより、完全に除去する。除去の終点はエッチングストップ膜31で規定される(図24)。
【0048】
続いて、この分離溝4の内部に絶縁膜5を形成した後、充填層6によりこの分離溝4内を充填する(図25)。絶縁膜5は化学気相成長法により形成した酸化シリコン膜であり、膜厚は0.4〜1.0μmである。充填層6は化学気相成長法により形成した多結晶シリコンであり、膜厚は0.5〜1.0μmである。このとき、分離溝4の幅と絶縁膜5の膜厚を最適化すれば、絶縁膜5のみでこの分離溝4の内部を完全に充填することができる。
【0049】
続いて、表面に付着した充填層6をドライエッチングプロセスを用いて除去した後、絶縁膜5をエッチングストップ膜31が露出するまで、希釈した弗化水素酸溶液またはドライエッチングプロセスにより除去する(図26)。
【0050】
続いて、エッチングストップ膜31をドライエッチング法により除去し、層間絶縁膜8aを露出させ、充填層6の表面高さを層間絶縁膜8a表面高さと同一になるように、充填層6の凸部を除去して平坦化し(図27)、続いて、この層間絶縁膜8a上、絶縁膜5上および充填層6上に、層間絶縁膜8を形成する(図28)。
【0051】
その後は、通常の半導体装置の製造プロセスと同様に、pチャネルMOSFET、nチャネルMOSFETのpソース領域26a、pドレイン領域26bおよびnソース領域27a、nドレイン領域27bに到達するコンタクト孔33を形成し(図29)、金属膜でソース電極9a、9cおよびドレイン電極9b、9dを形成する(図30)。
【0052】
この実施例では、pチャネルMOSFET101、nチャネルMOSFET102の例を用いて説明したが、その他の構成素子としてバイポーラトランジスタ,ダイオードおよび高耐圧MOSFETであっても、高濃度の不純物拡散領域10や分離領域100の構成およびそれらの製造方法は同様である。
【0053】
また、前記の第4実施例の半導体装置では、n形半導体層3の表面層に、分離領域100の分離溝4を形成する前に、事前に高濃度の不純物拡散領域10を形成することにより、ゲート酸化膜25a、bおよびソース領域、ドレイン領域を形成する拡散接合の電気的特性を改善し、良品率・信頼性を向上できる。またその他に以下の効果が得られる。
(1)重金属を固着するゲッタリング層である前記高濃度の不純物拡散領域10と、素子間を分離する分離領域である分離溝4を重複させることにより、半導体装置の小型化が可能である。
(2)重金属汚染により劣化するゲート酸化膜25a、bおよび拡散接合の形成工程前に高濃度の不純物拡散領域10を形成し、この高濃度の純物拡散領域10を形成した後、分離溝4を形成するため、重金属の十分なゲッタリングが可能である。
【0054】
例として、半導体装置の小型化を簡単に一次元で考える。分離溝で規定されるn形半導体層3に対し十分なゲッタリングが得られる高濃度の不純物拡散領域10の実効的な幅を5μm,分離溝幅を2μmとすると、高濃度の不純物拡散領域10と分離溝4で必要となる領域の幅は分離溝4で規定された領域の片側で7μm,両側で14μmである。本発明の場合5μmの幅で高濃度の不純物拡散領域10と分離溝4が形成できるので、分離溝4で規定されて領域の片側で2μm低減できる。例えば、半導体装置が、50個の分離領域で構成される場合、2μm×2(両側)×50(分離領域)=200μmの小型化が可能である。
【0055】
【発明の効果】
分離溝を有するSOI基板を用いた半導体装置の製造方法において、不純物拡散ゲッタリング領域をゲート酸化膜を形成する前に形成することにより、ゲート耐圧およびソース・ドレイン間の耐圧を向上されることができて、その結果、これらの良品率を向上させることができる。
【0056】
また、半導体層表面の分離溝形成領域に事前に高濃度の不純物拡散領域を形成することにより、さらに、半導体装置のゲート耐圧およびソース・ドレイン間の耐圧を向上させることができて、その結果、これらの良品率を向上させることができる。
【0057】
また、不純物拡散領域と素子間を分離する分離溝を重複させることにより、半導体装置の小型化が可能となり、また、ゲッタリング効果をさらに高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1実施例の半導体装置の構成図で、(a)は要部平面図、(b)は(a)のX−X線で切断した要部断面図
【図2】図1の素子構造で、高濃度の不純物拡散領域の表面濃度と良品率の関係を示す図
【図3】この発明の第2実施例の半導体装置における要部断面図
【図4】この発明の第3実施例で、半導体装置の製造工程断面図
【図5】図4に続く、この発明の第3実施例で、半導体装置の製造工程断面図
【図6】図5に続く、この発明の第3実施例で、半導体装置の製造工程断面図
【図7】図6に続く、この発明の第3実施例で、半導体装置の製造工程断面図
【図8】図7に続く、この発明の第3実施例で、半導体装置の製造工程断面図
【図9】図8に続く、この発明の第3実施例で、半導体装置の製造工程断面図
【図10】図9に続く、この発明の第3実施例で、半導体装置の製造工程断面図
【図11】図10に続く、この発明の第3実施例で、半導体装置の製造工程断面図
【図12】図11に続く、この発明の第3実施例で、半導体装置の製造工程断面図
【図13】図12に続く、この発明の第3実施例で、半導体装置の製造工程断面図
【図14】図13に続く、この発明の第3実施例で、半導体装置の製造工程断面図
【図15】図14に続く、この発明の第3実施例で、半導体装置の製造工程断面図
【図16】図15に続く、この発明の第3実施例で、半導体装置の製造工程断面図
【図17】この発明の第4実施例の半導体装置の構成図で、(a)は要部平面図、(b)は(a)のX−X線で切断した要部断面図
【図18】この発明の第5実施例で、半導体装置の製造工程断面図
【図19】図18に続く、この発明の第5実施例で、半導体装置の製造工程断面図
【図20】図19に続く、この発明の第5実施例で、半導体装置の製造工程断面図
【図21】図20に続く、この発明の第5実施例で、半導体装置の製造工程断面図
【図22】図21に続く、この発明の第5実施例で、半導体装置の製造工程断面図
【図23】図22に続く、この発明の第5実施例で、半導体装置の製造工程断面図
【図24】図23に続く、この発明の第5実施例で、半導体装置の製造工程断面図
【図25】図24に続く、この発明の第5実施例で、半導体装置の製造工程断面図
【図26】図25に続く、この発明の第5実施例で、半導体装置の製造工程断面図
【図27】図26に続く、この発明の第5実施例で、半導体装置の製造工程断面図
【図28】図27に続く、この発明の第5実施例で、半導体装置の製造工程断面図
【図29】図28に続く、この発明の第5実施例で、半導体装置の製造工程断面図
【図30】図29に続く、この発明の第5実施例で、半導体装置の製造工程断面図
【符号の説明】
1 半導体基板
2 絶縁膜
3 n形半導体層
4 分離溝
4a 開口部
5 絶縁膜
6 充填層
7 絶縁膜
8 層間絶縁膜
8a 層間絶縁膜
9a、9c ソース電極
9b、9d ドレイン電極
10 高濃度の不純物拡散領域
21 エッチングマスク材
22 nウエル領域
23 pウエル領域
24a、24b ゲート電極
25a、25b ゲート酸化膜
26a pソース領域
26b pドレイン領域
27a nソース領域
27b nドレイン領域
30 バッファ酸化膜
31 エッチングストップ膜
32 エッチングスマスク膜
33 コンタクト孔
101 pチャネルMOSFET
101a pチャネルMOSFETを形成する領域
102 nチャネルMOSFET
102a nチャネルMOSFETを形成する領域
200 SOI基板
Claims (2)
- 半導体基板上に第1の絶縁膜を介して半導体層を形成したSOI基板の前記半導体層に半導体素子を形成する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体層にMOSFETを形成するためのウエル領域を形成する工程と、
前記ウエル領域とは所定の距離を離して前記半導体層に選択的に高濃度の不純物拡散ゲッタリング領域を形成する工程と、
前記半導体層の表面に選択的に前記不純物拡散ゲッタリング領域を覆う第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜が形成されていない前記ウエル領域の表面に前記MOSFETのゲート酸化膜を形成する工程と、
前記ウエル領域内に前記MOSFETのソース・ドレイン領域を形成する工程と、
前記半導体層の表面から前記第1の絶縁膜に到達する分離溝を形成する工程と、
前記分離溝の側壁に第3の絶縁膜を形成する工程と、
を有し、これらの工程をこの順に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上に第1の絶縁膜を介して半導体層を形成したSOI基板の前記半導体層に半導体素子を形成する半導体装置の製造方法において、
前記半導体層の表面から前記第1の絶縁膜に到達する分離溝を形成する工程と、
前記分離溝の側壁に第3の絶縁膜を形成する工程と、
前記分離溝とは所定の距離を離して前記半導体層にMOSFETを形成するためのウエル領域を形成する工程と、
前記ウエル領域と前記第3の絶縁膜との間の前記半導体層に選択的にイオン注入を用いて高濃度の不純物拡散ゲッタリング領域を形成する工程と、
前記半導体層の表面に選択的に前記不純物拡散ゲッタリング領域を覆う第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜が形成されていない前記ウエル領域の表面に前記MOSFETのゲート酸化膜を形成する工程と、
前記ゲート酸化膜の上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極をマスクとして前記MOSFETのソース・ドレイン領域を形成する工程と、
を有し、これらの工程をこの順に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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