JP4055786B2

JP4055786B2 - 液晶装置、半導体チップの実装構造及び電子機器

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Publication number: JP4055786B2
Application number: JP2005113270A
Authority: JP
Inventors: 永至村松
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2005-04-11
Filing date: 2005-04-11
Publication date: 2008-03-05
Anticipated expiration: 2018-12-17
Also published as: JP2005229133A

Description

本発明は、半導体チップを基板上に実装して成る半導体チップの実装構造に関する。また本発明は、その半導体チップの実装構造を用いて構成される液晶装置に関する。また本発明は、その液晶装置を用いて構成される電子機器に関する。

現在、携帯電話機、携帯電子端末機等といった電子機器において液晶装置が広く用いられている。多くの場合は、文字、数字、絵柄等といった情報を表示するためにその液晶装置が用いられている。

この液晶装置は、一般に、一対の液晶基板によって挟持される液晶を有し、その液晶に印加する電圧を制御することによってその液晶の配向を制御し、もって該液晶に入射する光を変調する。この液晶装置は、液晶に印加する電圧を制御するために液晶駆動用ＩＣ、すなわち半導体チップを使用する必要があり、そのＩＣは上記液晶基板に直接に又は配線基板を介して間接的に接続される。

配線基板を介して液晶駆動用ＩＣを間接的に液晶基板に接続する場合には、例えば、液晶駆動用ＩＣを配線基板上に実装して半導体チップの実装構造を作製した後、その実装構造の配線基板を液晶装置の液晶基板に導電接続する。液晶駆動用ＩＣは一般にその接合面、すなわち能動面に複数のバンプを有する。また、配線基板の表面には所定の配線パターンが形成され、その配線パターンのうち液晶駆動用ＩＣが実装される領域にある部分は端子となっている。液晶駆動用ＩＣを配線基板上に実装する際には、例えばＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）等といった導電接着剤を用いて液晶駆動用ＩＣを配線基板に接着すると共に、液晶駆動用ＩＣのバンプを配線基板の端子に導電接続する。

上記のようにして液晶駆動用ＩＣを配線基板に実装した場合には、液晶駆動用ＩＣのバンプが配線基板の端子に正確に導電接続されたかどうかを確認する必要がある。このような確認作業を行うとき、配線基板及びその上に形成した端子の両方が透明であれば、半導体側のバンプと配線基板側の端子との接続部分を配線基板を通して視覚的に直接に確認することができる。

しかしながら、半導体チップの実装構造の中には、ポリイミド等といった透明性が低い材料によって配線基板が形成されることがあり、また、銅（Ｃｕ）等といった透明性が低い材料によって配線パターンすなわち端子が形成されることがある。このような構造の半導体チップの実装構造に関しては、バンプと配線基板側の端子との接続部分を配線基板を通して視覚的に直接に確認することが困難であり、従来はその確認のために、製造された複数の半導体チップの実装構造の中からいくつかを抜き取って半導体チップと配線基板との接続部分を分解し、その分解状態で接続状態を確認していた。

このような従来方法では、バンプすなわち半導体側端子と配線基板側の端子との接続部分が分解の際に実際の状態と異なった状態になることがあるので、その接続状態を正確に確認することが難しいという問題があった。また、出来上がった製品を検査のために破壊しなければならないという問題もあった。

本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、透明性の低い配線基板又は基板側端子を用いる構造の半導体チップの実装構造に関して、バンプ等といった半導体側端子とそれと導電接続される基板側端子との間の接続状態を、それらを分解することなく、しかも視覚によって正確に検査できるようにすることを目的とする。

上記の目的を達成するため、本発明に係る液晶装置は、液晶を挟む一対の基板と、それらの基板の少なくともいずれか１つに接続される半導体チップの実装構造とを有する液晶装置において、前記半導体チップの実装構造は、接合面に複数の半導体側端子を備えた半導体チップと、接合面に複数の基板側端子を備えた配線基板とを、それらの半導体側端子と基板側端子とが互いに導通するように、導電接着剤を用いて接着することによって形成され、前記基板側端子は銅によって、前記配線基板はポリイミドによって形成され、前記半導体チップの接合面に形成された半導体側ダミー端子と、前記配線基板の接合面に形成された基板側ダミー端子とを有し、さらにその基板側ダミー端子のうち前記半導体側ダミー端子と重なる部分は、その半導体側ダミー端子及び前記基板側端子よりも小さい面積であり、環を形成するパターン幅が前記基板端子の幅よりも狭い環状パターンまたは一部を開放した状態の環状パターンに形成され、前記半導体側ダミー端子と前記基板側ダミー端子の環状パターンまたは一部を開放した状態の環状パターンの全周とが重なる
ことを特徴とする。
また、液晶を挟む一対の基板と、それらの基板の少なくともいずれか１つに接続される半導体チップの実装構造とを有する液晶装置において、前記半導体チップの実装構造は、接合面に複数の半導体側端子を備えた半導体チップと、接合面に複数の基板側端子を備えた配線基板とを、それらの半導体側端子と基板側端子とが互いに導通するように、導電接着剤を用いて接着することによって形成され、前記半導体チップの接合面に形成された半導体側ダミー端子と、前記配線基板の接合面に形成された基板側ダミー端子とを有し、さらにその基板側ダミー端子のうち前記半導体側ダミー端子と重なる部分は、その半導体側ダミー端子及び前記基板側端子よりも小さい面積であり、環を形成するパターン幅が前記基板端子の幅よりも狭い環状パターンまたは一部を開放した状態の環状パターンに形成され、前記配線基板を通して前記基板側ダミー端子と前記半導体側ダミー端子の接続状態を確認することができるように前記半導体側ダミー端子と前記基板側ダミー端子の環状パターンまたは一部を開放した状態の環状パターンの全周とが重なることを特徴とする。
また、半導体チップの実装構造であって、接合面に複数の半導体側端子を備えた半導体チップと、接合面に複数の基板側端子を備えた配線基板とを、それらの半導体側端子と基板側端子とが互いに導通するように、導電接着剤を用いて接着することによって形成され、前記基板側端子は銅によって、前記配線基板はポリイミドによって形成され、前記半導体チップの接合面に形成された半導体側ダミー端子と、前記配線基板の接合面に形成された基板側ダミー端子とを有し、さらにその基板側ダミー端子のうち前記半導体側ダミー端子と重なる部分は、その半導体側ダミー端子及び前記基板側端子よりも小さい面積であり、環を形成するパターン幅が前記基板端子の幅よりも狭い環状パターンまたは一部を開放した状態の環状パターンに形成され、前記半導体側ダミー端子と前記基板側ダミー端子の環状パターンまたは一部を開放した状態の環状パターンの全周とが重なることを特徴とする。
また、半導体チップの実装構造であって、接合面に複数の半導体側端子を備えた半導体チップと、接合面に複数の基板側端子を備えた配線基板とを、それらの半導体側端子と基板側端子とが互いに導通するように、導電接着剤を用いて接着することによって形成され、前記半導体チップの接合面に形成された半導体側ダミー端子と、前記配線基板の接合面に形成された基板側ダミー端子とを有し、さらにその基板側ダミー端子のうち前記半導体側ダミー端子と重なる部分は、その半導体側ダミー端子及び前記基板側端子よりも小さい面積であり、環を形成するパターン幅が前記基板端子の幅よりも狭い環状パターンまたは一部を開放した状態の環状パターンに形成され、前記配線基板を通して前記基板側ダミー端子と前記半導体側ダミー端子の接続状態を確認することができるように前記半導体側ダミー端子と前記基板側ダミー端子の環状パターンまたは一部を開放した状態の環状パターンの全周とが重なることを特徴とする。
上記の目的を達成するため、本発明に係る液晶装置は、液晶を挟む一対の基板と、それらの基板の少なくともいずれか１つに接続される半導体チップの実装構造とを有する液晶装置であって、前記半導体チップの実装構造は、接合面に複数の半導体側端子を備えた半導体チップと、接合面に複数の基板側端子を備えた配線基板とを、それらの半導体側端子と基板側端子とが互いに導通するように、導電接着剤を用いて接着することによって形成され、前記基板側端子は銅によって、前記配線基板はポリイミドによって形成され、前記半導体チップの接合面に形成された半導体側ダミー端子と、前記配線基板の接合面に形成された基板側ダミー端子とを有し、さらにその基板側ダミー端子のうち前記半導体側ダミー端子と重なる部分は、その半導体側ダミー端子及び前記基板側端子よりも小さい面積であり、前記基板側端子よりも幅の狭い直線パターンに形成されることを特徴とする。

また、液晶を挟む一対の基板と、それらの基板の少なくともいずれか１つに接続される半導体チップの実装構造とを有する液晶装置において、前記半導体チップの実装構造は、接合面に複数の半導体側端子を備えた半導体チップと、接合面に複数の基板側端子を備えた配線基板とを、それらの半導体側端子と基板側端子とが互いに導通するように、導電接着剤を用いて接着することによって形成され、前記基板側端子は銅によって、前記配線基板はポリイミドによって形成され、前記半導体チップの接合面に形成された半導体側ダミー端子と、前記配線基板の接合面に形成された基板側ダミー端子とを有し、さらにその基板側ダミー端子のうち前記半導体側ダミー端子と重なる部分は、その半導体側ダミー端子及び前記基板側端子よりも小さい面積であり、前記基板側端子よりも幅の狭い環状パターンに形成され、前記半導体側ダミー端子と前記基板側端子の環状パターンの全周とが重なることを特徴とする。

また、液晶を挟む一対の基板と、それらの基板の少なくともいずれか１つに接続される半導体チップの実装構造とを有する液晶装置において、前記半導体チップの実装構造は、接合面に複数の半導体側端子を備えた半導体チップと、接合面に複数の基板側端子を備えた配線基板とを、それらの半導体側端子と基板側端子とが互いに導通するように、導電接着剤を用いて接着することによって形成され、前記基板側端子は銅によって、前記配線基板はポリイミドによって形成され、前記半導体チップの接合面に形成された半導体側ダミー端子と、前記配線基板の接合面に形成された基板側ダミー端子とを有し、さらにその基板側ダミー端子のうち前記半導体側ダミー端子と重なる部分は、その半導体側ダミー端子及び前記基板側端子よりも小さい面積であり、前記基板側端子よりも幅の狭い十字形状パターンに形成されることを特徴とする。

また、液晶を挟む一対の基板と、それらの基板の少なくともいずれか１つに接続される半導体チップの実装構造とを有する液晶装置において、前記半導体チップの実装構造は、接合面に複数の半導体側端子を備えた半導体チップと、接合面に複数の基板側端子を備えた配線基板とを、それらの半導体側端子と基板側端子とが互いに導通するように、導電接着剤を用いて接着することによって形成され、前記半導体チップの接合面に形成された半導体側ダミー端子と、前記配線基板の接合面に形成された基板側ダミー端子とを有し、さらにその基板側ダミー端子のうち前記半導体側ダミー端子と重なる部分は、その半導体側ダミー端子及び前記基板側端子よりも小さい面積であり、前記基板側端子よりも幅の狭い環状パターンに形成され、前記配線基板を通して前記基板側ダミー端子と前記半導体側ダミー端子の接続状態を確認することができるように前記半導体側ダミー端子と前記基板側端子の環状パターンの全周とが重なることを特徴とする液晶装置。

さらに、液晶を挟む一対の基板と、それらの基板の少なくともいずれか１つに接続される半導体チップの実装構造とを有する液晶装置において、前記半導体チップの実装構造は、接合面に複数の半導体側端子を備えた半導体チップと、接合面に複数の基板側端子を備えた配線基板とを、それらの半導体側端子と基板側端子とが互いに導通するように、導電接着剤を用いて接着することによって形成され、前記半導体チップの接合面に形成された半導体側ダミー端子と、前記配線基板の接合面に形成された基板側ダミー端子とを有し、さらにその基板側ダミー端子のうち前記半導体側ダミー端子と重なる部分は、その半導体側ダミー端子及び前記基板側端子よりも小さい面積であり、前記配線基板を通して前記基板側ダミー端子と前記半導体側ダミー端子の接続状態を確認することができるように前記基板側端子よりも幅の狭い十字形状パターンに形成されることを特徴とする。

上記液晶装置の前記配線基板は可撓性材料によって形成されることを特徴とする。

本発明に係る半導体チップの実装構造は、接合面に複数の半導体側端子を備えた半導体チップと、接合面に複数の基板側端子を備えた配線基板とを、それらの半導体側端子と基板側端子とが互いに導通するように、導電接着剤を用いて接着することによって形成され、前記基板側端子は銅によって、前記配線基板はポリイミドによって形成され、前記半導体チップの接合面に形成された半導体側ダミー端子と、前記配線基板の接合面に形成された基板側ダミー端子とを有し、さらにその基板側ダミー端子のうち前記半導体側ダミー端子と重なる部分は、その半導体側ダミー端子及び前記基板側端子よりも小さい面積であり、前記基板側端子よりも幅の狭い環状パターンに形成され、前記半導体側ダミー端子と前記基板側端子の環状パターンの全周とが重なることを特徴とする。

また、接合面に複数の半導体側端子を備えた半導体チップと、接合面に複数の基板側端子を備えた配線基板とを、それらの半導体側端子と基板側端子とが互いに導通するように、導電接着剤を用いて接着することによって形成され、前記半導体チップの接合面に形成された半導体側ダミー端子と、前記配線基板の接合面に形成された基板側ダミー端子とを有し、さらにその基板側ダミー端子のうち前記半導体側ダミー端子と重なる部分は、その半導体側ダミー端子及び前記基板側端子よりも小さい面積であり、前記基板側端子よりも幅の狭い環状パターンに形成され、前記配線基板を通して前記基板側ダミー端子と前記半導体側ダミー端子の接続状態を確認することができるように前記半導体側ダミー端子と前記基板側端子の環状パターンの全周とが重なることを特徴とする。

さらに、接合面に複数の半導体側端子を備えた半導体チップと、接合面に複数の基板側端子を備えた配線基板とを、それらの半導体側端子と基板側端子とが互いに導通するように、導電接着剤を用いて接着することによって形成され、前記半導体チップの接合面に形成された半導体側ダミー端子と、前記配線基板の接合面に形成された基板側ダミー端子とを有し、さらにその基板側ダミー端子のうち前記半導体側ダミー端子と重なる部分は、その半導体側ダミー端子及び前記基板側端子よりも小さい面積であり、前記配線基板を通して前記基板側ダミー端子と前記半導体側ダミー端子の接続状態を確認することができるように前記基板側端子よりも幅の狭い十字形状パターンに形成されることを特徴とする。

上記半導体チップの実装構造の前記配線基板は可撓性材料によって形成されることを特徴とする。

次に、本発明に係る電子機器は、液晶装置と、その液晶装置を収容する筐体とを有する電子機器であって、上記のいずれかの液晶装置を備えることを特徴とする。

(第１実施形態)
図１は、本発明に係る半導体チップの実装構造を用いた液晶装置の一実施形態を示している。ここに示す液晶装置１は、液晶パネル２に半導体チップの実装構造３を接続することによって形成される。また、必要に応じて、バックライト等といった照明装置、その他の付帯機器が液晶パネル２に付設される。

液晶パネル２は、シール材４によって接着された一対の基板６ａ及び６ｂを有し、それらの基板間に形成される間隙、いわゆるセルギャップに液晶が封入される。基板６ａ及び６ｂは一般には透光性材料、例えばガラス、プラスチック等によって形成される。基板６ａ及び６ｂの外側表面には偏光板８が貼着される。

一方の基板６ａの内側表面には電極７ａが形成され、他方の基板６ｂの内側表面には電極７ｂが形成される。これらの電極はストライプ状又は文字、数字、その他の適宜のパターン状に形成される。また、これらの電極７ａ及び７ｂは、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウムスズ酸化物）等といった透光性材料によって形成される。

一方の基板６ａは他方の基板６ｂから張り出す張出し部を有し、その張出し部に複数の端子９が形成される。これらの端子９は、基板６ａ上に電極７ａを形成するときに同時に形成され、従って、例えばＩＴＯによって形成される。これらの端子９には、電極７ａから一体に延びるもの及び導通材（図示せず）を介して電極７ｂに接続するものが含まれる。

なお、電極７ａ，７ｂ及び端子９は、実際には極めて狭い間隔で多数本が基板６ａ上及び基板６ｂ上に形成されるが、図１では、構造を分かり易く示すためにそれらの間隔を拡大して模式的に示し、さらにそれらのうちの数本を図示することにして他の部分を省略してある。また、端子９と電極７ａとの接続状態及び端子９と電極７ｂとの接続状態も図１では省略してある。

半導体チップの実装構造３は、半導体チップとしての液晶駆動用ＩＣ１１を導電接着剤としてのＡＣＦ（ Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）１２によって配線基板１３上の所定位置に接着することによって形成される。液晶駆動用ＩＣ１１の接合面すなわち能動面には、半導体側端子としての複数のバンプ１４が形成される。

ＡＣＦ１２は、周知の通り、一対の端子間を電気的に一括接続するために用いられる導電性のある高分子フィルムであって、例えば図２に示すように、熱可塑性又は熱硬化性の樹脂フィルム１８の中に多数の導電粒子１９を分散させることによって形成され、熱圧着することによって単一方向の導電性を持つ接続をすることができるものである。

配線基板１３は、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit：可撓性プリント基板）として構成されており、具体的には、ポリイミド等といった可撓性フィルム１５の上にＣｕ等によって配線パターン１６を形成することによって作製される。図１に示すように配線パターン１６には、配線基板１３の外周の１側辺部に形成される出力用端子１６ａ及びそれに対向する側辺部に形成される入力用端子１６ｂが含まれる。また、配線パターン１６のうち液晶駆動用ＩＣ１１を装着するための領域に臨み出る部分は基板側端子１７を構成する。

図２に示すように、液晶駆動用ＩＣ１１はＡＣＦ１２内の樹脂部分によって配線基板１３に接着され、また、液晶駆動用ＩＣ１１のバンプ１４がＡＣＦ１２内の導電粒子１９によって配線パターン１６の基板側端子１７に導電接続される。なお、図２において符号２４は絶縁膜を示している。

以上のようにして構成された半導体チップの実装構造３は、図１において、ＡＣＦ２１によって液晶パネル２の基板６ａの張出し部に接着される。より具体的には、図２に示すように、ＡＣＦ２１の樹脂部分によって半導体チップの実装構造３と基板６ａとが接着され、そして、ＡＣＦ２１内の導電粒子によって半導体チップの実装構造３の出力用端子１６ａと基板６ａ側の端子９とが導電接続される。

本実施形態の液晶装置は以上のように構成されているので、図１において半導体チップの実装構造３の入力用端子１６ｂに必要な信号及び必要な電力を供給すれば、液晶駆動用ＩＣ１１が作動して液晶パネル２内の複数の電極７ａ及び７ｂのうちの希望するいくつかが選択されてそれらに所定の電圧が印加され、これにより対応する部分の液晶の配向が制御され、その結果、液晶パネル２の表示領域内に文字、数字、絵柄等といった像が表示される。

図１に示す半導体チップの実装構造３において、配線基板１３のうち符号Ａで示す部分、すなわち液晶駆動用ＩＣ１１の隅部に相当する部分を矢印Ｂのように配線基板１３越しに見ると、図３に示す通りである。図３では、説明の便宜上、可撓性フィルム１５を取外した状態を図示してある。

図３に示す通り、液晶駆動用ＩＣ１１は、斜線で示すＡＣＦ１２の樹脂部分１８によって可撓性樹脂フィルム１５に接着され、そして、液晶駆動用ＩＣ１１のバンプ１４と配線基板１３側の基板側端子１７とがＡＣＦ１２内の導電粒子１９によって導電接続される。なお、図３においてバンプ１４や導電粒子１９は、理解し易い大きさで描かれており、必ずしも実際の寸法比率と同じであるとは限らない。

バンプ１４と基板側端子１７との間に安定した導電接続状態を確保するためには、バンプ１４と基板側端子１７との間のＡＣＦ１２の状態が適正でなければならない。例えば、ＡＣＦ１２の樹脂部分１８内に気泡その他の異常があってはならない。また、バンプ１４と基板側端子１７との間に所定数、例えば１０個程度の導電粒子が介在する必要がある。

本実施形態のように、可撓性フィルム１５をポリイミドによって形成し、配線パターン１６すなわち基板側端子１７をＣｕによって形成すれば、両者は全くの透明体ではないので、配線基板１３を通してバンプ１４と基板側端子１７との接続部分を見たとき、それらの間のＡＣＦ１２の状態を視覚によって明確に確認することが非常に困難である。

そこで、本実施形態では、液晶駆動用ＩＣ１１の能動面の隅部に、バンプ１４と同じ形状の半導体側ダミー端子としてのダミーバンプ２２を形成し、さらに、配線基板１３側の可撓性フィルム１５上におけるダミーバンプ２２に対応する所定位置に基板側ダミー端子２３Ａを形成する。

そして本実施形態では、基板側ダミー端子２３Ａの高さ（すなわち、図３の紙面垂直方向の寸法）は導電接続に与かる基板側端子１７と同じに設定する。また、基板側ダミー端子２３Ａの形状は、基板側端子１７よりも幅の狭い直線状パターンに形成する。つまり、基板側ダミー端子２３Ａは、ダミーバンプ２２及び基板側端子１７の両方よりも小さい面積に設定する。

ダミーバンプ２２及び基板側ダミー端子２３Ａを以上のように形成したので、観察者が図１の矢印Ｂ方向から配線基板１３の裏側を見ると、図３に示すように、基板側ダミー端子２３Ａから外れる領域にあるダミーバンプ２２の部分を視覚によって鮮明に確認することができる。

そしてその結果、ダミーバンプ２２の下側に位置するＡＣＦ１２の状態、例えば、気泡が有るか無いか、導電粒子１９が所定数有るかどうか等を正確に検査できる。そして、この検査により、導電接続に与かるバンプ１４と基板側端子１７との間のＡＣＦ１２の状態を正確に把握できる。しかもこの検査は、非破壊で行うことができる。

なお、ダミーバンプ２２に対向する位置に基板側ダミー端子２３Ａを設けないと、可撓性フィルム１５のその部分に窪みが発生し、それに起因して、バンプ１４と基板側端子１７との間の導電接続が不安定になるおそれがある。これに対し本実施形態のように、ダミーバンプ２２に対応して必ず基板側ダミー端子２３Ａを設けるようにすれば、そのような可撓性フィルム１５の窪みの発生を確実に防止でき、従って、安定した接続安定性を確保できる。

(第２実施形態)
図４は、本発明に係る半導体チップの実装構造の他の実施形態を示している。この実施形態が図３に示した実施形態と異なる点は、基板側ダミー端子の形状に改変を加えたことであり、その他の点に関しては変更はない。従って、図４において図３と同じ部材は同じ符号を付して示すことにして、それらの説明は省略する。

図４に示す実施形態では、配線基板１３側の可撓性フィルム１５上におけるダミーバンプ２２に対応する位置に設けられる基板側ダミー端子２３Ｂを、図３に示すような直線パターンに代えて、幅の狭い環状パターンに形成してある。

この構成によっても、基板側ダミー端子２３Ｂから外れる領域においてダミーバンプ２２を視覚によって確認することができ、よって、その部分のＡＣＦ１２の状態を確認することによって、導電接続部分の接続状態を非破壊で正確に把握することができる。

(第３実施形態)
図５は、本発明に係る半導体チップの実装構造のさらに他の実施形態を示している。この実施形態が図３に示した実施形態と異なる点は、基板側ダミー端子の形状に改変を加えたことであり、その他の点に関しては変更はない。従って、図５において図３と同じ部材は同じ符号を付して示すことにして、それらの説明は省略する。

図５に示す実施形態では、配線基板１３側の可撓性フィルム１５上におけるダミーバンプ２２に対応する位置に設けられる基板側ダミー端子２３Ｃを、図３に示すような直線パターンに代えて、幅の狭い十字形状パターンに形成してある。

この構成によっても、基板側ダミー端子２３Ｃから外れる領域においてダミーバンプ２２を視覚によって確認することができ、よって、その部分のＡＣＦ１２の状態を確認することによって、導電接続部分の接続状態を非破壊で正確に把握することができる。

(第４実施形態)
図６は、本発明に係る半導体チップの実装構造のさらに他の実施形態を示している。この実施形態は図４に示す実施形態に改変を加えたものであり、具体的には、基板側ダミー端子２３Ｄが一部を開放した状態の環状パターン、すなわちコ字形状パターン又はＵ字形状パターンに形成されている。

(第５実施形態)
図７は、本発明に係る半導体チップの実装構造のさらに他の実施形態を示している。この実施形態は図５に示す実施形態に改変を加えたものであり、具体的には、基板側ダミー端子２３Ｅが図５に示した十字形状パターンのダミー端子２３Ｃを略４５°の角度だけ回転させたパターン形状に形成されている。

(第６実施形態)
図８は、本発明に係る電子機器の一実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機３０は、アンテナ３１、スピーカ３２、液晶装置１、キースイッチ３３、マイクロホン３４等といった各種構成要素を、筐体としての外装ケース３６に格納することによって構成される。また、外装ケース３６の内部には、上記の各構成要素の動作を制御するための制御回路を搭載した制御回路基板３７が設けられる。液晶装置１は図１に示した液晶装置１によって構成される。

この携帯電話機３０では、キースイッチ３３及びマイクロホン３４を通して入力される信号や、アンテナ３１によって受信した受信データ等が制御回路基板３７上の制御回路へ入力される。そしてその制御回路は、入力した各種データに基づいて液晶装置１の表示面内に数字、文字、絵柄等といった像を表示し、さらに、アンテナ３１から送信データを送信する。

この携帯電話機３０に用いられる液晶装置１では、図３に示すように、液晶駆動用ＩＣ１１の能動面の隅部に、バンプ１４と同じ形状のダミーバンプ２２を形成し、さらに、それに対向して基板側ダミー端子２３Ａを形成した。そしてその場合、基板側ダミー端子２３Ａの高さは導電接続に与かる基板側端子１７と同じに設定し、しかし、基板側ダミー端子２３Ａの面積はダミーバンプ２２及び基板側端子１７の両方よりも小さい面積に形成した。

以上の結果、基板側ダミー端子２３Ａから外れる領域にあるダミーバンプ２２を視覚によって確認することにより、ダミーバンプ２２の下側に位置するＡＣＦ１２の状態、例えば、気泡が有るか無いか、導電粒子１９が所定数有るかどうか等を正確に検査できるようになった。そして、この検査により、導電接続に与かるバンプ１４と基板側端子１７との間のＡＣＦ１２の状態を非破壊状態で正確に把握できるようになった。

（その他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。

例えば、図１では、本発明に係る半導体チップの実装構造を液晶装置の構成要素として用いる場合を示したが、本発明に係る半導体チップの実装構造は液晶装置以外の任意の機器の構成要素として用いることができる。

また、図１に示す実施形態では、液晶パネルに１個の半導体チップの実装構造を接続する構造の液晶装置を例示したが、液晶パネルに複数個の半導体チップの実装構造を接続する構造の液晶装置や実装基板上に半導体チップ以外の電子部品を実装した構造を持つ液晶表示装置にも本発明を適用できることはもちろんである。

また、図８の実施形態では、電子機器としての携帯電話機に本発明の液晶装置を用いる場合を例示したが、本発明の液晶装置はそれ以外の電子機器、例えば携帯情報端末、電子手帳、ビデオカメラのファインダー等に適用することもできる。

本発明に係る半導体チップの実装構造によれば、１）半導体チップの接合面すなわち能動面に半導体側ダミー端子を設け、２）基板の接合面に基板側ダミー端子を設け、さらに、３）基板側ダミー端子のうち半導体側ダミー端子と重なる部分を半導体側ダミー端子及び信号伝送のための本来の基板側端子の両方よりも小さい面積となるように形成した。

その結果、仮に基板又は基板側端子が透明性の低い材料によって形成される場合でも、小さい面積で形成された基板側ダミー端子からはみ出る領域に存在する半導体チップ側のダミー端子を配線基板を通して視覚によって確認することが可能となり、それ故、端子同士の接続状態を基板越しに視覚によって正確に確認できる。

また、この視覚による確認は、半導体チップの実装構造を分解することなく行うことができるので、端子同士の接続状態を正確に確認できると共に、実装構造を無駄に破壊することも無くなる。

本発明に係る半導体チップの実装構造及び液晶装置の一実施形態を分解して示す斜視図である。図１の液晶装置の要部を示す側面断面図である。本発明に係る半導体チップの実装構造の一実施形態を示す平面断面図である。本発明に係る半導体チップの実装構造の他の実施形態を示す平面断面図である。本発明に係る半導体チップの実装構造のさらに他の実施形態を示す平面断面図である。本発明に係る半導体チップの実装構造のさらに他の実施形態を示す平面断面図である。本発明に係る半導体チップの実装構造のさらに他の実施形態を示す平面断面図である。本発明に係る電子機器の一実施形態を示す斜視図である。

符号の説明

１液晶装置
２液晶パネル
３半導体チップの実装構造
６ａ，６ｂ基板
７ａ，７ｂ電極
１１液晶駆動用ＩＣ（半導体チップ）
１２ＡＣＦ（導電接着剤）
１３配線基板
１４バンプ（半導体側端子）
１５可撓性フィルム
１６配線パターン
１６ａ，１６ｂ端子
１７基板側端子
２２ダミーバンプ（半導体側ダミー端子）
２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃ，２３Ｄ，２３Ｅ基板側ダミー端子

Claims

液晶を挟む一対の基板と、それらの基板の少なくともいずれか１つに接続される半導体チップの実装構造とを有する液晶装置において、
前記半導体チップの実装構造は、
接合面に複数の半導体側端子を備えた半導体チップと、接合面に複数の基板側端子を備えた配線基板とを、それらの半導体側端子と基板側端子とが互いに導通するように、導電接着剤を用いて接着することによって形成され、
前記基板側端子は銅によって、前記配線基板はポリイミドによって形成され、
前記半導体チップの接合面に形成された半導体側ダミー端子と、前記配線基板の接合面に形成された基板側ダミー端子とを有し、さらに
その基板側ダミー端子のうち前記半導体側ダミー端子と重なる部分は、その半導体側ダミー端子及び前記基板側端子よりも小さい面積であり、前記基板側端子よりも幅の狭い直線パターンに形成される
ことを特徴とする液晶装置。
液晶を挟む一対の基板と、それらの基板の少なくともいずれか１つに接続される半導体チップの実装構造とを有する液晶装置において、
前記半導体チップの実装構造は、
接合面に複数の半導体側端子を備えた半導体チップと、接合面に複数の基板側端子を備えた配線基板とを、それらの半導体側端子と基板側端子とが互いに導通するように、導電接着剤を用いて接着することによって形成され、
前記基板側端子は銅によって、前記配線基板はポリイミドによって形成され、
前記半導体チップの接合面に形成された半導体側ダミー端子と、前記配線基板の接合面に形成された基板側ダミー端子とを有し、さらに
その基板側ダミー端子のうち前記半導体側ダミー端子と重なる部分は、その半導体側ダミー端子及び前記基板側端子よりも小さい面積であり、環を形成するパターン幅が前記基板端子の幅よりも狭い環状パターンまたは一部を開放した状態の環状パターンに形成され、前記半導体側ダミー端子と前記基板側ダミー端子の環状パターンまたは一部を開放した状態の環状パターンの全周とが重なる
ことを特徴とする液晶装置。
液晶を挟む一対の基板と、それらの基板の少なくともいずれか１つに接続される半導体チップの実装構造とを有する液晶装置において、
前記半導体チップの実装構造は、
接合面に複数の半導体側端子を備えた半導体チップと、接合面に複数の基板側端子を備えた配線基板とを、それらの半導体側端子と基板側端子とが互いに導通するように、導電接着剤を用いて接着することによって形成され、
前記基板側端子は銅によって、前記配線基板はポリイミドによって形成され、
前記半導体チップの接合面に形成された半導体側ダミー端子と、前記配線基板の接合面に形成された基板側ダミー端子とを有し、さらに
その基板側ダミー端子のうち前記半導体側ダミー端子と重なる部分は、その半導体側ダミー端子及び前記基板側端子よりも小さい面積であり、前記基板側端子よりも幅の狭い十字形状パターンに形成される
ことを特徴とする液晶装置。
液晶を挟む一対の基板と、それらの基板の少なくともいずれか１つに接続される半導体チップの実装構造とを有する液晶装置において、
前記半導体チップの実装構造は、
接合面に複数の半導体側端子を備えた半導体チップと、接合面に複数の基板側端子を備えた配線基板とを、それらの半導体側端子と基板側端子とが互いに導通するように、導電接着剤を用いて接着することによって形成され、
前記半導体チップの接合面に形成された半導体側ダミー端子と、前記配線基板の接合面に形成された基板側ダミー端子とを有し、さらに
その基板側ダミー端子のうち前記半導体側ダミー端子と重なる部分は、その半導体側ダミー端子及び前記基板側端子よりも小さい面積であり、環を形成するパターン幅が前記基板端子の幅よりも狭い環状パターンまたは一部を開放した状態の環状パターンに形成され、
前記配線基板を通して前記基板側ダミー端子と前記半導体側ダミー端子の接続状態を確認することができるように前記半導体側ダミー端子と前記基板側ダミー端子の環状パターンまたは一部を開放した状態の環状パターンの全周とが重なる
ことを特徴とする液晶装置。
請求項１乃至請求項４のいずれかにおいて、前記配線基板は可撓性材料によって形成されることを特徴とする液晶装置。
半導体チップの実装構造であって、
接合面に複数の半導体側端子を備えた半導体チップと、接合面に複数の基板側端子を備えた配線基板とを、それらの半導体側端子と基板側端子とが互いに導通するように、導電接着剤を用いて接着することによって形成され、
前記基板側端子は銅によって、前記配線基板はポリイミドによって形成され、
前記半導体チップの接合面に形成された半導体側ダミー端子と、前記配線基板の接合面に形成された基板側ダミー端子とを有し、さらに
その基板側ダミー端子のうち前記半導体側ダミー端子と重なる部分は、その半導体側ダミー端子及び前記基板側端子よりも小さい面積であり、環を形成するパターン幅が前記基板端子の幅よりも狭い環状パターンまたは一部を開放した状態の環状パターンに形成され、前記半導体側ダミー端子と前記基板側ダミー端子の環状パターンまたは一部を開放した状態の環状パターンの全周とが重なる
ことを特徴とする半導体チップの実装構造。
半導体チップの実装構造であって、
接合面に複数の半導体側端子を備えた半導体チップと、接合面に複数の基板側端子を備えた配線基板とを、それらの半導体側端子と基板側端子とが互いに導通するように、導電接着剤を用いて接着することによって形成され、
前記半導体チップの接合面に形成された半導体側ダミー端子と、前記配線基板の接合面に形成された基板側ダミー端子とを有し、さらに
その基板側ダミー端子のうち前記半導体側ダミー端子と重なる部分は、その半導体側ダミー端子及び前記基板側端子よりも小さい面積であり、環を形成するパターン幅が前記基板端子の幅よりも狭い環状パターンまたは一部を開放した状態の環状パターンに形成され、
前記配線基板を通して前記基板側ダミー端子と前記半導体側ダミー端子の接続状態を確認することができるように前記半導体側ダミー端子と前記基板側ダミー端子の環状パターンまたは一部を開放した状態の環状パターンの全周とが重なる
ことを特徴とする半導体チップの実装構造。
請求項６又は請求項７のいずれかにおいて、前記配線基板は可撓性材料によって形成されることを特徴とする半導体チップの実装構造。
液晶装置と、その液晶装置を収容する筐体とを有する電子機器において、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。