JP4055786B2 - 液晶装置、半導体チップの実装構造及び電子機器 - Google Patents
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ことを特徴とする。
また、液晶を挟む一対の基板と、それらの基板の少なくともいずれか1つに接続される半導体チップの実装構造とを有する液晶装置において、前記半導体チップの実装構造は、接合面に複数の半導体側端子を備えた半導体チップと、接合面に複数の基板側端子を備えた配線基板とを、それらの半導体側端子と基板側端子とが互いに導通するように、導電接着剤を用いて接着することによって形成され、前記半導体チップの接合面に形成された半導体側ダミー端子と、前記配線基板の接合面に形成された基板側ダミー端子とを有し、さらにその基板側ダミー端子のうち前記半導体側ダミー端子と重なる部分は、その半導体側ダミー端子及び前記基板側端子よりも小さい面積であり、環を形成するパターン幅が前記基板端子の幅よりも狭い環状パターンまたは一部を開放した状態の環状パターンに形成され、前記配線基板を通して前記基板側ダミー端子と前記半導体側ダミー端子の接続状態を確認することができるように前記半導体側ダミー端子と前記基板側ダミー端子の環状パターンまたは一部を開放した状態の環状パターンの全周とが重なることを特徴とする。
また、半導体チップの実装構造であって、接合面に複数の半導体側端子を備えた半導体チップと、接合面に複数の基板側端子を備えた配線基板とを、それらの半導体側端子と基板側端子とが互いに導通するように、導電接着剤を用いて接着することによって形成され、前記基板側端子は銅によって、前記配線基板はポリイミドによって形成され、前記半導体チップの接合面に形成された半導体側ダミー端子と、前記配線基板の接合面に形成された基板側ダミー端子とを有し、さらにその基板側ダミー端子のうち前記半導体側ダミー端子と重なる部分は、その半導体側ダミー端子及び前記基板側端子よりも小さい面積であり、環を形成するパターン幅が前記基板端子の幅よりも狭い環状パターンまたは一部を開放した状態の環状パターンに形成され、前記半導体側ダミー端子と前記基板側ダミー端子の環状パターンまたは一部を開放した状態の環状パターンの全周とが重なることを特徴とする。
また、半導体チップの実装構造であって、接合面に複数の半導体側端子を備えた半導体チップと、接合面に複数の基板側端子を備えた配線基板とを、それらの半導体側端子と基板側端子とが互いに導通するように、導電接着剤を用いて接着することによって形成され、前記半導体チップの接合面に形成された半導体側ダミー端子と、前記配線基板の接合面に形成された基板側ダミー端子とを有し、さらにその基板側ダミー端子のうち前記半導体側ダミー端子と重なる部分は、その半導体側ダミー端子及び前記基板側端子よりも小さい面積であり、環を形成するパターン幅が前記基板端子の幅よりも狭い環状パターンまたは一部を開放した状態の環状パターンに形成され、前記配線基板を通して前記基板側ダミー端子と前記半導体側ダミー端子の接続状態を確認することができるように前記半導体側ダミー端子と前記基板側ダミー端子の環状パターンまたは一部を開放した状態の環状パターンの全周とが重なることを特徴とする。
上記の目的を達成するため、本発明に係る液晶装置は、液晶を挟む一対の基板と、それらの基板の少なくともいずれか1つに接続される半導体チップの実装構造とを有する液晶装置であって、前記半導体チップの実装構造は、接合面に複数の半導体側端子を備えた半導体チップと、接合面に複数の基板側端子を備えた配線基板とを、それらの半導体側端子と基板側端子とが互いに導通するように、導電接着剤を用いて接着することによって形成され、前記基板側端子は銅によって、前記配線基板はポリイミドによって形成され、前記半導体チップの接合面に形成された半導体側ダミー端子と、前記配線基板の接合面に形成された基板側ダミー端子とを有し、さらにその基板側ダミー端子のうち前記半導体側ダミー端子と重なる部分は、その半導体側ダミー端子及び前記基板側端子よりも小さい面積であり、前記基板側端子よりも幅の狭い直線パターンに形成されることを特徴とする。
図1は、本発明に係る半導体チップの実装構造を用いた液晶装置の一実施形態を示している。ここに示す液晶装置1は、液晶パネル2に半導体チップの実装構造3を接続することによって形成される。また、必要に応じて、バックライト等といった照明装置、その他の付帯機器が液晶パネル2に付設される。
図4は、本発明に係る半導体チップの実装構造の他の実施形態を示している。この実施形態が図3に示した実施形態と異なる点は、基板側ダミー端子の形状に改変を加えたことであり、その他の点に関しては変更はない。従って、図4において図3と同じ部材は同じ符号を付して示すことにして、それらの説明は省略する。
図5は、本発明に係る半導体チップの実装構造のさらに他の実施形態を示している。この実施形態が図3に示した実施形態と異なる点は、基板側ダミー端子の形状に改変を加えたことであり、その他の点に関しては変更はない。従って、図5において図3と同じ部材は同じ符号を付して示すことにして、それらの説明は省略する。
図6は、本発明に係る半導体チップの実装構造のさらに他の実施形態を示している。この実施形態は図4に示す実施形態に改変を加えたものであり、具体的には、基板側ダミー端子23Dが一部を開放した状態の環状パターン、すなわちコ字形状パターン又はU字形状パターンに形成されている。
図7は、本発明に係る半導体チップの実装構造のさらに他の実施形態を示している。この実施形態は図5に示す実施形態に改変を加えたものであり、具体的には、基板側ダミー端子23Eが図5に示した十字形状パターンのダミー端子23Cを略45°の角度だけ回転させたパターン形状に形成されている。
図8は、本発明に係る電子機器の一実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機30は、アンテナ31、スピーカ32、液晶装置1、キースイッチ33、マイクロホン34等といった各種構成要素を、筐体としての外装ケース36に格納することによって構成される。また、外装ケース36の内部には、上記の各構成要素の動作を制御するための制御回路を搭載した制御回路基板37が設けられる。液晶装置1は図1に示した液晶装置1によって構成される。
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
2 液晶パネル
3 半導体チップの実装構造
6a,6b 基板
7a,7b 電極
11 液晶駆動用IC(半導体チップ)
12 ACF(導電接着剤)
13 配線基板
14 バンプ(半導体側端子)
15 可撓性フィルム
16 配線パターン
16a,16b 端子
17 基板側端子
22 ダミーバンプ(半導体側ダミー端子)
23A,23B,23C,23D,23E 基板側ダミー端子
Claims (9)
- 液晶を挟む一対の基板と、それらの基板の少なくともいずれか1つに接続される半導体チップの実装構造とを有する液晶装置において、
前記半導体チップの実装構造は、
接合面に複数の半導体側端子を備えた半導体チップと、接合面に複数の基板側端子を備えた配線基板とを、それらの半導体側端子と基板側端子とが互いに導通するように、導電接着剤を用いて接着することによって形成され、
前記基板側端子は銅によって、前記配線基板はポリイミドによって形成され、
前記半導体チップの接合面に形成された半導体側ダミー端子と、前記配線基板の接合面に形成された基板側ダミー端子とを有し、さらに
その基板側ダミー端子のうち前記半導体側ダミー端子と重なる部分は、その半導体側ダミー端子及び前記基板側端子よりも小さい面積であり、前記基板側端子よりも幅の狭い直線パターンに形成される
ことを特徴とする液晶装置。 - 液晶を挟む一対の基板と、それらの基板の少なくともいずれか1つに接続される半導体チップの実装構造とを有する液晶装置において、
前記半導体チップの実装構造は、
接合面に複数の半導体側端子を備えた半導体チップと、接合面に複数の基板側端子を備えた配線基板とを、それらの半導体側端子と基板側端子とが互いに導通するように、導電接着剤を用いて接着することによって形成され、
前記基板側端子は銅によって、前記配線基板はポリイミドによって形成され、
前記半導体チップの接合面に形成された半導体側ダミー端子と、前記配線基板の接合面に形成された基板側ダミー端子とを有し、さらに
その基板側ダミー端子のうち前記半導体側ダミー端子と重なる部分は、その半導体側ダミー端子及び前記基板側端子よりも小さい面積であり、環を形成するパターン幅が前記基板端子の幅よりも狭い環状パターンまたは一部を開放した状態の環状パターンに形成され、前記半導体側ダミー端子と前記基板側ダミー端子の環状パターンまたは一部を開放した状態の環状パターンの全周とが重なる
ことを特徴とする液晶装置。 - 液晶を挟む一対の基板と、それらの基板の少なくともいずれか1つに接続される半導体チップの実装構造とを有する液晶装置において、
前記半導体チップの実装構造は、
接合面に複数の半導体側端子を備えた半導体チップと、接合面に複数の基板側端子を備えた配線基板とを、それらの半導体側端子と基板側端子とが互いに導通するように、導電接着剤を用いて接着することによって形成され、
前記基板側端子は銅によって、前記配線基板はポリイミドによって形成され、
前記半導体チップの接合面に形成された半導体側ダミー端子と、前記配線基板の接合面に形成された基板側ダミー端子とを有し、さらに
その基板側ダミー端子のうち前記半導体側ダミー端子と重なる部分は、その半導体側ダミー端子及び前記基板側端子よりも小さい面積であり、前記基板側端子よりも幅の狭い十字形状パターンに形成される
ことを特徴とする液晶装置。 - 液晶を挟む一対の基板と、それらの基板の少なくともいずれか1つに接続される半導体チップの実装構造とを有する液晶装置において、
前記半導体チップの実装構造は、
接合面に複数の半導体側端子を備えた半導体チップと、接合面に複数の基板側端子を備えた配線基板とを、それらの半導体側端子と基板側端子とが互いに導通するように、導電接着剤を用いて接着することによって形成され、
前記半導体チップの接合面に形成された半導体側ダミー端子と、前記配線基板の接合面に形成された基板側ダミー端子とを有し、さらに
その基板側ダミー端子のうち前記半導体側ダミー端子と重なる部分は、その半導体側ダミー端子及び前記基板側端子よりも小さい面積であり、環を形成するパターン幅が前記基板端子の幅よりも狭い環状パターンまたは一部を開放した状態の環状パターンに形成され、
前記配線基板を通して前記基板側ダミー端子と前記半導体側ダミー端子の接続状態を確認することができるように前記半導体側ダミー端子と前記基板側ダミー端子の環状パターンまたは一部を開放した状態の環状パターンの全周とが重なる
ことを特徴とする液晶装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれかにおいて、前記配線基板は可撓性材料によって形成されることを特徴とする液晶装置。
- 半導体チップの実装構造であって、
接合面に複数の半導体側端子を備えた半導体チップと、接合面に複数の基板側端子を備えた配線基板とを、それらの半導体側端子と基板側端子とが互いに導通するように、導電接着剤を用いて接着することによって形成され、
前記基板側端子は銅によって、前記配線基板はポリイミドによって形成され、
前記半導体チップの接合面に形成された半導体側ダミー端子と、前記配線基板の接合面に形成された基板側ダミー端子とを有し、さらに
その基板側ダミー端子のうち前記半導体側ダミー端子と重なる部分は、その半導体側ダミー端子及び前記基板側端子よりも小さい面積であり、環を形成するパターン幅が前記基板端子の幅よりも狭い環状パターンまたは一部を開放した状態の環状パターンに形成され、前記半導体側ダミー端子と前記基板側ダミー端子の環状パターンまたは一部を開放した状態の環状パターンの全周とが重なる
ことを特徴とする半導体チップの実装構造。 - 半導体チップの実装構造であって、
接合面に複数の半導体側端子を備えた半導体チップと、接合面に複数の基板側端子を備えた配線基板とを、それらの半導体側端子と基板側端子とが互いに導通するように、導電接着剤を用いて接着することによって形成され、
前記半導体チップの接合面に形成された半導体側ダミー端子と、前記配線基板の接合面に形成された基板側ダミー端子とを有し、さらに
その基板側ダミー端子のうち前記半導体側ダミー端子と重なる部分は、その半導体側ダミー端子及び前記基板側端子よりも小さい面積であり、環を形成するパターン幅が前記基板端子の幅よりも狭い環状パターンまたは一部を開放した状態の環状パターンに形成され、
前記配線基板を通して前記基板側ダミー端子と前記半導体側ダミー端子の接続状態を確認することができるように前記半導体側ダミー端子と前記基板側ダミー端子の環状パターンまたは一部を開放した状態の環状パターンの全周とが重なる
ことを特徴とする半導体チップの実装構造。 - 請求項6又は請求項7のいずれかにおいて、前記配線基板は可撓性材料によって形成されることを特徴とする半導体チップの実装構造。
- 液晶装置と、その液晶装置を収容する筐体とを有する電子機器において、請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005113270A JP4055786B2 (ja) | 2005-04-11 | 2005-04-11 | 液晶装置、半導体チップの実装構造及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
JP35907098A Division JP3684886B2 (ja) | 1998-12-17 | 1998-12-17 | 半導体チップの実装構造、液晶装置及び電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005229133A JP2005229133A (ja) | 2005-08-25 |
JP4055786B2 true JP4055786B2 (ja) | 2008-03-05 |
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Family Applications (1)
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Country | Link |
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JP (1) | JP4055786B2 (ja) |
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A521 | Written amendment |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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