JP4029466B2 - 炭化けい素半導体素子の製造方法 - Google Patents
炭化けい素半導体素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4029466B2 JP4029466B2 JP10916398A JP10916398A JP4029466B2 JP 4029466 B2 JP4029466 B2 JP 4029466B2 JP 10916398 A JP10916398 A JP 10916398A JP 10916398 A JP10916398 A JP 10916398A JP 4029466 B2 JP4029466 B2 JP 4029466B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ions
- implanted
- impurity ions
- impurity
- silicon carbide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、炭化けい素からなる半導体素子の製造方法、特にその不純物イオンの注入方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
高周波、大電力の制御を目的として、シリコン(以下Siと記す)を用いた電力用半導体素子(以下パワーデバイスと称する)では、各種の工夫により高性能化が進められている。しかし、パワーデバイスは高温や放射線等の存在下で使用されることもあり、そのような条件下ではSiのパワーデバイスは使用できないことがある。
【0003】
また、Siのパワーデバイスより更に高性能のものを求める声に対して、新しい材料の適用が検討されている。本発明でとりあげる炭化けい素(以下SiCと記す)は広い禁制帯幅(4H型で3.26eV、6H型で3.02eV)をもつため、高温での電気伝導度の制御性に優れ、動作上限温度を高くできる。またSiより約1桁高い絶縁破壊電圧をもつため、オン抵抗を低減でき、定常状態でのパワーロスを低減できる。高耐圧素子への適用が可能である。さらに、SiCはSiの約2倍の電子飽和ドリフト速度をもつので、高周波大電力制御にも適する。このようなSiCの長所を生かすことができれば、パワーデバイスの飛躍的な特性向上が実現できると考えられ、現在、MOSFETやp―nダイオード等が試作されている。
【0004】
SiCを用いてMOSFETやpnダイオードのような半導体素子を製造する場合、単結晶シリコンを用いた半導体製造工程と同じように、洗練された要素技術が必要となる。すなわち、SiC基板の表面を鏡面加工した後、SiC薄膜をエピタキシャル成長させたり、ドナーやアクセプターをドーピングしたり、金属膜や絶縁膜を形成する等のプロセス技術の確立が必要である。
【0005】
最も重要なプロセス技術の一つとして、不純物導入による選択的な不純物領域形成技術がある。その方法には、熱拡散法とイオン注入法がある。Si半導体素子で広く用いられている熱拡散法は、SiCでは不純物の拡散係数が非常に小さいために適用が困難である。そのためSiCでは主としてイオン注入が用いられる。選択的な不純物領域の形成のため、SiC基板表面にフォトレジストまたは約1μm程度の厚い酸化膜(減圧CVD法または熱酸化法を用いて形成)を部分的に形成し、この膜をマスクとして不純物イオンを照射する方法が用いられることもある。
【0006】
Siでは、1000℃、30分から1時間の熱処理によって、不純物イオンがSi中を拡散していくとともに、シリコンと注入された原子との間で置換が起こり、不純物原子がSi結晶中でドナーまたはアクセプタとして、活性化される。しかし、SiCでは、注入された不純物原子の活性化のために通常1500℃前後の高温で熱処理(以下アニールと呼ぶ)がおこなわれる。主なアクセプタ原子としてはほう素(B)、アルミニウム(Al)が、ドナー原子としては窒素(N)、燐(P)が用いられる。SiCのイオン注入においては、注入した不純物の活性化率を向上させるために、800〜1000℃の高温でのイオン注入が活性化率向上に効果があることも報告されている。
【0007】
図5は、従来のイオン注入とアニールの温度プロセスを示す説明図であり、図の縦軸は、SiC基板温度を、横軸は処理に要する時間を示している。
不純物イオンは、先に述べたように高温(〜1000℃)に加熱されたSiC基板に注入される。ここで、イオン注入に要する時間は、例えば直径50mm程度のウェハでは数十分間であるため、ピーク温度に保たれる時間も数十分程度である。その後室温まで冷却された後、イオン注入時よりも高温の1500℃前後で、30分間〜1時間程度の熱処理がアルゴン雰囲気中または真空中でおこなわれる。熱処理専用の炉としては、例えばタングステンをヒーターに用いた2000℃まで昇温可能な炉などが用いられる。
【0008】
例えば、不純物イオンとしてほう素イオンB+ を用い、加速電圧100keV、ドーズ量3×1015cm-2、60keV、1.5×1015cm-2、30keV、1×1015cm-2の3条件で連続注入した場合、不純物イオンの分布は表面から約0.4μmまでは平坦なピーク濃度(2×1021cm-3)となり、それより深い領域では急激に濃度が下がり、結晶表面から0.5μmの深さでは、1×1017cm-3の濃度となる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
前述のように単結晶SiCでは、注入された不純物原子が1500℃前後の高温でもほとんど拡散せず、活性化率も低い。
拡散係数が小さいことおよび活性化率が低いことの要因としては、シリコンの最近接の原子間距離に比較して、SiCの原子間距離が短いこと、また、シリコンに比較してSiCの結合が切れにくいことによると考えられる。
【0010】
イオン注入された不純物の活性化率を向上させるためには、基板の加熱による高温でのイオン注入と、イオン注入後の高温(1500℃)かつ長時間の熱処理が必要と考えられている。
しかし、この長時間の熱処理の結果、結晶表面からシリコン原子が蒸発していくため、表面の炭素原子に対する比が大きくなり、表面が黒っぽく見える(黒色化)といった現象が報告されている。さらに1500℃以上のアニールを行うと、SiC結晶表面に[1120]方向に走る凹凸が生じ、アニール温度を高くするほど大きくなることも報告されている。例えば、真空中1500℃のアニールで、表面粗さが平均振幅で約95nmであるのに対し、1600℃のアニールでは、約200nmになる。
【0011】
この凹凸は、高温領域においてはSiの蒸気圧が高くなり表面脱離を生じることによって発生すると考えられる。アルゴン中でも、真空中ほどではないが、1500℃で約55nmになる。 その結果、表面近傍の移動度が低下したり、接触抵抗の増大を招いたりするという問題が発生する。特に、MOSFETでは、表面近傍に誘起した層でのキャリアの輸送が重要であり、表面近傍の移動度は表面状態により大きな影響を受ける。
【0012】
上記の問題点に鑑み本発明の目的は、より低温の熱処理によって高い活性化率を確保し、高温処理の弊害を抑えることのできる炭化けい素半導体素子の製造方法を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため本発明は、炭化けい素単結晶または多結晶からなる半導体基板表面および結晶中に、不純物イオンをイオン注入する炭化けい素半導体素子の製造方法において、不純物イオンと正に帯電した水素イオンとを同じ領域にイオン注入した後、高温熱処理するのに際し、水素イオンを不純物イオンと同時又は不純物イオンより先に注入し、かつ水素イオンの注入量が不純物イオンより多く、10 20 〜10 21 cm -3 の濃度になるような注入量で、更に水素イオンの分布が不純物イオンの分布に重なるか又は包含するようにイオン注入するものとする。
【0014】
そのようにすることによって、後述するように注入された不純物の活性化を促進する作用がもたらされる。その機構としては、炭化けい素結晶のシリコン原子と炭素原子の間に集まっている結合に寄与している電子雲の分布が、注入された水素イオンの存在によって歪み、不純物原子とシリコン原子または炭素原子の置換の確率および拡散を促進すると考えられる。
【0015】
正に帯電した水素イオンの注入と不純物イオンの注入とを繰り返すことや、正に帯電した水素イオンの注入と不純物イオンの注入とを同時におこなうことは、水素イオン濃度を高い状態に保つ上で効果があり、その結果注入された不純物の活性化を一層促進することになる。
【0016】
【発明の実施の形態】
[実施例1]
図1は、本発明にかかるイオン注入プロセスを示す説明図であり、図の縦軸は、SiC基板温度を、横軸は処理に要する時間を示している。
(0001)面から少し傾けた主面をもつ約10μmのn型エピタキシャル層を成長させた4H−SiCウェハを用意した。1000℃でH+ を加速電圧40keV、1×1016cm-2、30keV、1×1016cm-2、20keV、1×1016cm-2、10keV、1×1016cm-2の4条件で連続注入する。続いてアルミニウム(Al)のイオンを180keVで3×1015cm-2、100keVで、1.5×1015cm-2、50keVで1×1015cm-2の条件で連続注入した。次に、このウェハを真空中において1400℃で30分間アニールをおこなった。
【0017】
XPS(X線光電子分析法)で測定した不純物イオンの分布は、表面から約0.4μmまでほぼ平坦なピーク濃度(2×1021cm-3)となり、それより深い領域では、急激に濃度が下がり、表面から0.5μmの深さでは、1×1017cm-3の濃度であった。
この試料について、van der Pauw 法によりシート抵抗を評価した。オーミック電極の形成は次のようにおこなった。すなわち、試料のエピタキシャル層上の四隅に、金属マスクを使ったスパッタ法によりニッケル(Ni)電極を形成する。電極の直径は200μm、厚さは400nmである。この後、整流性を除きオーミックな接触とするためアルゴン(Ar)雰囲気中で1050℃、5分間のアニールをおこなった。
【0018】
その結果、アニール温度が100℃低いにもかかわらず、シート抵抗は5000Ω/□と、従来の1500℃アニールと同等のシート抵抗となっていることがわかった。そして、表面の黒化も従来よりかなり抑えられた。すなわち、従来より低温のアニールで活性化率を高めることができたことになる。
図5の従来の方法と異なる点は、不純物イオンの注入前に正に帯電した水素イオンを照射するところにある。結晶中を正に帯電した水素イオンで満たすことにより、次の作用が起きると考えられる。図2は、説明のための原子結合状態の概念図である。1はシリコン原子、2は炭素原子、3は注入された正に帯電した水素イオンである。
【0019】
▲1▼結晶格子点にあるシリコン原子1と炭素原子2の間に集まっている結合に寄与している電子雲4の分布が、シリコン原子1および炭素原子2近傍に注入された水素イオン3の存在によって歪む。この分布の歪んだ電子雲5により炭素原子2−シリコン原子1の間では、電子密度が低下する。
▲2▼このように、シリコン原子1と炭素原子2との結合に関与していた電子雲4の分布が歪んだ電子雲5となることによって、その近傍でシリコン原子1−炭素原子2の結合は弱まり、より低い温度で結合が切れる確率が高くなるため、不純物原子とシリコン原子1または炭素原子2とが置換する確率が増大し、また拡散を促進する作用がある。
【0020】
この場合の水素イオン3の注入条件は、結晶を構成するシリコン原子1および炭素原子2の濃度に対応する量程度の注入が必要であるため、1020〜1021cm-3程度の濃度になるような注入量とする。また、水素イオン3の分布が、不純物イオンの分布に重なるかまたは、不純物イオンの分布を包含するような範囲に注入をおこなう必要がある。
【0021】
[実施例2]
図3は、本発明にかかるイオン注入プロセスを示す説明図であり、図の縦軸は、SiC基板温度を、横軸は処理に要する時間を示している。
この方法の特徴は、不純物イオンの注入と水素イオンの注入とを繰り返すことである。不純物イオンおよび水素イオンの総注入量は第一の実施例と同じとする。
【0022】
特に高温でのイオン注入では、水素イオンは注入を止めた時点から基板の外にも拡散していく(アウトディフュージョンという)。このため、結晶中の水素イオン濃度は急激に下がっていく。アウトディフュージョンによる結晶中の水素イオン濃度の低下とともに、水素イオン注入による活性化および拡散の促進効果が失われる。
【0023】
この問題の対策として、結晶中の水素イオン濃度が高い状態で不純物イオンの注入をおこなうために、水素イオンの注入と不純物イオンの注入と繰り返すと良い。
実際の不純物イオンの注入時間は数分間程度であるが、これを3回に分け、その前後に水素イオンの注入をおこなったところ、上の例より活性化温度が更に約50℃低下した。それだけ炭化けい素基板の黒色化および粗面化を抑制できた。
【0024】
これは、水素イオン濃度が高い状態で不純物イオンの注入をおこなったための他に、次の作用もあったと考えられる。すなわち、不純物イオンの注入量が少ない程、イオン注入による結晶の損傷が少なくなり、熱処理によって結晶性が回復し易いことが知られている。従って、この実施例では、同量の不純物イオンを数回にわけて注入することにより、一度に注入するドーズ量を少なくしたことが、結晶の回復に効果があったものであろう。
【0025】
[実施例3]
水素イオンのアウトディフュージョンを考慮すれば、水素イオン濃度が高い状態で不純物イオンの注入をおこなうために、最も良い方法は、水素イオンと不純物イオンとを同時に注入する方法である。
図4は、本発明にかかるイオン注入プロセスを示す説明図であり、図の縦軸は、SiC基板温度を、横軸は処理に要する時間を示している。
【0026】
通常のイオン注入装置は、注入するイオン種としては1種類しか選べない。そこで、注入系統を2系統有するイオン注入装置を試作し、同時注入を試みた。不純物イオンおよび水素イオンの総注入量は第一の実施例と同じとした。この例では、従来より活性化温度を200℃低下させることができ、それだけ炭化けい素基板の黒色化や粗面化を抑制できた。
【0027】
これは、水素イオン濃度が高い状態で不純物イオンの注入をおこなったためと考えられる。
【0028】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、炭化けい素単結晶または多結晶からなる半導体基板の表面層に、不純物イオンをイオン注入する炭化けい素半導体素子の製造方法において、正に帯電した水素イオンと不純物イオンとを同じ領域にイオン注入するのに際し、水素イオンを不純物イオンと同時又は不純物イオンより先に注入し、かつ水素イオンの注入量が不純物イオンより多く、10 20 〜10 21 cm -3 の濃度になるような注入量で、更に水素イオンの分布が不純物イオンの分布に重なるか又は包含するようにイオン注入する。この注入された水素イオンの存在によってその後の高温熱処理における不純物原子とシリコン原子または炭素原子の置換の確率および拡散が促進されるので、活性化のための熱処理温度を下げることができ、高温熱処理による表面の黒色化、粗面化等を抑制できる。
【0029】
正に帯電した水素イオンの注入と不純物イオンを注入とを繰り返すことや、正に帯電した水素イオンの注入と不純物イオンを注入とを同時におこなうことは、注入された不純物の活性化を一層促進することになる。
これらは、炭化けい素半導体装置の普及に多大の貢献をするものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明第一の実施例の温度プロセスの説明図
【図2】本発明の作用原理の説明図
【図3】本発明第二の実施例の温度プロセスの説明図
【図4】本発明第三の実施例の温度プロセスの説明図
【図5】従来の温度プロセスの説明図
【符号の説明】
1 シリコン原子
2 炭素原子
3 水素イオン
4 電子雲
5 歪んだ電子雲
Claims (2)
- 炭化けい素単結晶または多結晶からなる半導体基板の表面層に、不純物イオンをイオン注入する炭化けい素半導体素子の製造方法において、正に帯電した水素イオンと不純物イオンとを同じ領域にイオン注入した後、高温熱処理するのに際し、
前記水素イオンを不純物イオンと同時又は不純物イオンより先に注入し、かつ水素イオンの注入量が不純物イオンより多く、10 20 〜10 21 cm -3 の濃度になるような注入量で、更に水素イオンの分布が不純物イオンの分布に重なるか又は包含するようにイオン注入することを特徴とする炭化けい素半導体素子の製造方法。 - 正に帯電した水素イオンの注入と不純物イオンの注入とを繰り返しおこなうことを特徴とする請求項1記載の炭化けい素半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10916398A JP4029466B2 (ja) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | 炭化けい素半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10916398A JP4029466B2 (ja) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | 炭化けい素半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11307467A JPH11307467A (ja) | 1999-11-05 |
JP4029466B2 true JP4029466B2 (ja) | 2008-01-09 |
Family
ID=14503256
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10916398A Expired - Fee Related JP4029466B2 (ja) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | 炭化けい素半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4029466B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9601581B2 (en) | 2014-03-20 | 2017-03-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for producing the same |
US9786740B2 (en) | 2014-03-20 | 2017-10-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for producing the same |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5142257B2 (ja) * | 2007-09-27 | 2013-02-13 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 不純物イオン注入層の電気的活性化方法 |
JP6053645B2 (ja) * | 2013-09-10 | 2016-12-27 | 三菱電機株式会社 | SiC半導体装置の製造方法 |
-
1998
- 1998-04-20 JP JP10916398A patent/JP4029466B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9601581B2 (en) | 2014-03-20 | 2017-03-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for producing the same |
US9786740B2 (en) | 2014-03-20 | 2017-10-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for producing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11307467A (ja) | 1999-11-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0889509B1 (en) | Lifetime control for semiconductor devices | |
JP3684962B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6111572B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
CN104903997A (zh) | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | |
WO2015129430A1 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
EP2015348B1 (en) | Method for manufacturing a SiC semiconductor device | |
JP2011151428A (ja) | 裏面オーミックコンタクトを備えた縦型の半導体デバイス | |
WO2015072210A1 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2003086816A (ja) | SiC基板、SiC半導体素子及びその製造方法 | |
JP2024055914A (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法 | |
CN105140283A (zh) | 一种碳化硅MOSFETs功率器件及其制作方法 | |
JP4862207B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4141505B2 (ja) | SiC層中にボロンをドープされた領域を生成する方法 | |
JP4029466B2 (ja) | 炭化けい素半導体素子の製造方法 | |
CN111771259B (zh) | 通过Al/Be共注入p型掺杂碳化硅的方法 | |
JP3635956B2 (ja) | 炭化けい素ショットキーバリアダイオードの製造方法 | |
JP4000927B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP3157122B2 (ja) | 炭化ケイ素へのイオン注入方法および炭化ケイ素半導体装置 | |
US11557506B2 (en) | Methods for processing a semiconductor substrate | |
JPH08316164A (ja) | 半導体素子の作成方法 | |
JPH1064840A (ja) | n型不純物層を有する炭化珪素半導体の製造方法 | |
JPH09153466A (ja) | 半導体デバイスのキャリアの蓄積を減少させる方法 | |
JP4042336B2 (ja) | 炭化珪素半導体素子 | |
JPH08107223A (ja) | 炭化けい素半導体素子の製造方法 | |
JP2007027630A (ja) | バイポーラ型半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040325 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060703 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060704 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060704 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060904 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070619 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070809 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070925 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071008 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101026 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101026 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101026 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101026 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101026 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111026 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111026 Year of fee payment: 4 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111026 Year of fee payment: 4 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121026 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131026 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |