JP4024068B2 - 電子部品のはんだ付け方法及びその装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品をプリント基板に表面実装するためのはんだ付け方法及びその装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
プリント基板などに搭載される表面実装用の電子部品としては、QFP(Quad Flat Package) タイプやSOP(Small Outline Package) タイプなどのフラットパッケージIC(以下FPICという)がある。
【0003】
これらの電子部品のリード端子とプリント基板側の配線電極との接続は、はんだ付けなどの方法により行われる。通常、はんだ付けの方法としては、量産可能なリフロー炉による処理が主流を占めている。また、リフロー炉による処理のできない電子部品の場合は、後付け工程ではんだゴテ、光ビーム、熱風、あるいはレーザ光などによる方法が行われる。
【0004】
また、はんだ付け部へのはんだ材の供給方法としては、予めプリント基板の配線パターン上にはんだペーストをスクリーン印刷しておく方法や、微小量の塗布が繰り返し可能なディスペンサーによる方法や、はんだワイヤを自動供給する方法などがある。
【0005】
更に、はんだ付け時には、はんだ材とともにフラックスが使用される。はんだ接合のメカニズムは、加熱時にフラックスがまず先に溶解し、接合部表面の酸化膜を化学的に剥離する。そして、その表面上で溶けたはんだがぬれ広がり、電子部品のリード端子とプリント基板の配線電極とがはんだ材を介して接合されるのである。
【0006】
一方、特開2001−158985号、特開2001−156436号、特開平9−214122号には、レーザ光の照射と、加熱された不活性ガスの吹き付けとを併用してはんだ付けを行う方法及び装置が開示されている。また、上記のうち特開2001−158985号、特開2001−156436号には、電子部品のリード端子等の表面に酸化被膜が形成されていても、レーザ光を照射すると共に、加熱された不活性ガスを吹き付けることにより、フラックスを用いなくても酸化被膜を除去できることが記載されている。
【0007】
更に、特開2001−198670号には、レーザビームの光軸に沿って高温のホット不活性ガスをはんだ付けポイントに向けて噴射しながら、このホット不活性ガスの噴流内においてレーザビームをはんだ付けポイントに投射することにより、ホット不活性ガスでレーザビームの温度低下防止と、はんだ付けポイントの補助加熱及びガスシールドを行いながらはんだ付けを行う方法が開示されている。
【0008】
また、特開2001−252762号には、上記特開2001−198670号の方法において、ホット不活性ガスの代わりに、還元性ガスと不活性ガスとの混合ガスを用いる方法が開示されている。
【0009】
更に、特開平5−104279号には、キセノンランプ又はYAGレーザ発振器などの発光部と、前記発光部の光の集光部を有する集光手段を備え、前記集光部の近傍に位置させたはんだ付け部などの被加熱物に集光した光を照射して、前記被加熱物を加熱、溶融する光加熱装置であって、前記被加熱物の周辺の雰囲気の酸素濃度を5%以下とする不活性ガスあるいは還元性ガスよりなるシールドガスの供給手段を備えた光加熱装置が開示されている。また、シールドガスのガスノズルを通して、集光手段によって集光されたレーザ光を照射する実施態様が示されている。また、ガス温度調整器を使用し、シールドガスを加熱して用いることにより、はんだ付け部を予熱することが記載されている。
【0010】
更にまた、特開昭61−253170号には、レーザ発生源と、該発生源から発生されるレーザ光をはんだと被加工物とで構成される被接合部位に照射するためのレーザ照射部とを少なくとも備え、該レーザ光の照射によって被接合部位から発生する光遮蔽物を除去するためのガス吐出手段を更に設けたことを特徴とするレーザはんだ付け装置が開示されている。また、レーザ光照射ノズルにガスを導入して、レーザ光の出射口と、ガス吐出口とを共用させた実施態様が記載されている。また、光遮蔽物を除去するためのガスとして、加熱空気を用いると、はんだ付け効率やはんだ品質の向上に有効であるとともに、不活性ガスを用いると、はんだ付け最中のはんだの酸化によるはんだ付け品質の劣化防止に有効であることが記載されている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
このような電子部品のはんだ付け方法では、フラックスの溶融、蒸発時と、はんだ溶融時において、溶融したはんだの内部の気泡(ガス)が膨脹して破裂するために、その際はんだが微小粒子となって飛び散りやすい。このはんだボールが付着したプリント基板をそのまま使用すると、何らかの振動等によりはんだボールが落下、あるいは移動して、他の接続配線部に入り込み、短絡などの原因となり、プリント基板の信頼性を損なうことになる。
【0012】
また、従来のリフロー炉による処理の場合は、はんだボールやフラックス残渣などは、次の洗浄工程で除去されてきた。しかし、最近では、フロンなどによる洗浄は環境問題を招くことが指摘され、洗浄工程を省略することが多くなってきた。このため、はんだボールの発生を効果的に抑制できるはんだ付け技術の開発が望まれていた。
【0013】
更に、リフロー炉による処理ができない後付け部品のはんだ付けでは、例えば、はんだゴテ、光ビーム、熱風、レーザ光などにより局所加熱することが行われているが、はんだ付け部の温度急上昇などの影響で、はんだボールの発生がより多くなることもあった。
【0014】
一方、前記特開2001−198670号等には、レーザ光の照射と、加熱された不活性ガス等の吹き付けとを併用してはんだ付けを行う方法が提案されており、特に、特開平5−104279号では、不活性ガスあるいは還元性ガスよりなる加熱されたシールドガスの吹き付けを併用することにより、はんだボールの発生を防止できることが示されているが、シールドガスの吹き付けによって電子部品のはんだ付け部を加熱するには、ある程度の時間がかかるため、複数本並んだ半導体のリード端子をはんだ付けするには、シールドガスの吹き付けによる加熱と、レーザ光の照射によるはんだ付けとを、リード端子1本毎に繰り返して行う必要があり、作業性が悪いという問題点があった。
【0015】
本発明は、以上の問題点を鑑みなされたもので、電子部品のはんだ付け部周辺に付着するはんだボールの発生を抑え、かつ、ぬれ性良好なはんだ付け部を得ることができ、しかもはんだ付け作業を効率よく行えるようにした電子部品のはんだ付け方法及びその装置を提供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の電子部品のはんだ付け方法は、プリント基板の配線電極上に電子部品のリード端子を設置し、該リード端子の設置部分にレーザ光を照射すると共に、不活性ガスあるいは還元性ガスよりなる加熱されたシールドガスを吹き付けてはんだ付けを行う電子部品のはんだ付け方法において、前記シールドガスの吹き出し口の形状を細長いスリット状にすると共に、前記レーザ光を線状ビームとなるように集光させる集光手段を設けて、その光軸を前記シールドガスの吹き出し口内に配置し、前記シールドガスをはんだ付けすべき箇所に吹き付けて、はんだの溶融温度よりも100〜10℃低い温度まで加熱し、その状態で前記レーザ光を線状ビームとなるように集光させつつ、前記シールドガスの吹き出し口内を通過させて前記はんだ付けすべき箇所にパルス化して照射し、前記リード端子の配列方向に合わせて、前記シールドガスの吹き出し口を回転させると共に、前記レーザ光の線状ビームも該吹き出し口と一緒に回転させることを特徴とする。
【0017】
本発明のはんだ付け方法によれば、はんだ接続部にレーザ光を照射する際、該接続部が不活性ガスあるいは還元性ガスよりなる加熱されたシールドガスで覆われ無酸化雰囲気となっている。これにより、接続部表面の新たな酸化が抑制される。
【0018】
また、加熱されたシールドガスの吹き付けの併用によって、接続部とその周辺が予熱又は余熱されるので、従来のレーザ光のみを用いたはんだ付けに比べて局所的急加熱が緩和される。これにより、はんだボールの飛び散りが抑制されるだけでなく、温度分布のばらつきを防ぐことができるので、はんだのぬれ性が向上する。
【0019】
また、シールドガスの吹き出し口の形状を細長いスリット状にしたことにより、電子部品から突出する複数のリード端子の列の全体を覆うようにして、加熱されたシールドガスが吹き付けられる。これにより、従来のレーザ光の照射によるはんだ付けの対象となっているリード端子の接続部とその周辺のみに、スポット的に加熱されたシールドガスを吹き付ける方法に比べて、各リード端子の周辺のより広い領域が予熱又は余熱される。したがって、各リード端子の接続部がより安定して予熱又は余熱されるとともに、各リード端子毎の予熱又は余熱の温度がより均一化される。
【0020】
以上より、本発明のはんだ付け方法では、電子部品から突出する複数のリード端子の接続部に対して、はんだボールの飛び散りの抑制、及び、はんだのぬれ性の向上を、より安定に、ばらつきなく行うことができる。
【0021】
また、一般にガスは目に見えないため、はんだ付け箇所に対するシールドガスの吹き付け具合の確認が難しく、位置調整に時間がかかるが、本発明では、レーザ加工ヘッドのレーザ光の光軸をシールドガスの吹き出し口内に配置したことによって、シールドガスの吹き付け位置が把握しやすくなり、位置調整が容易となる。また、ガス流が電子部品の影響を受けないように、例えば垂直等の角度からガスを吹き付けるようにすることができる。
【0022】
更に、前記シールドガスの吹き出し口の形状を細長いスリット状にしたことにより、電子部品から突出する複数のリード端子の列に沿って一度にシールドガスを吹き付けて予熱又は余熱し、無酸化雰囲気を形成することができるので、その状態でレーザ光を照射して、複数のリード端子を短時間で効率よくはんだ付けすることができる。
【0023】
また、前記レーザ光を線状ビームとなるように集光させつつ、前記シールドガスの吹き出し口内を通過させて照射することで、電子部品から突出する複数のリード端子を同時に加熱してはんだ付けすることができるので、はんだ付けの作業性をより良好にすることができる。
また、前記シールドガスによりはんだ付けすべき箇所を、はんだの溶融温度よりも100〜10℃低い温度まで加熱し、その状態で前記レーザ光を前記はんだ付けすべき箇所に照射してはんだ付けを行うことで、はんだ付けすべき箇所を比較的高温度に加熱しておき、その状態でレーザ光を照射することにより、必要以上に加熱することなく迅速にはんだを溶融させてはんだ付けを行うことができ、過熱によるはんだボールの発生を抑制すると共に、はんだ付け効率を高めることができる。
【0024】
また、前記リード端子の配列方向に合わせて、前記シールドガスの吹き出し口を回転させると共に、前記レーザ光の線状ビームも該吹き出し口と一緒に回転させることで、リード端子が電子部品のチップの縦辺と横辺の両方から出ているような場合でも、電子部品等の設置方向を変更せずに、シールドガスの吹き出し口及びレーザ光の線状ビームを回転させるだけで、はんだ付け作業を行うことができる。
【0025】
更に、前記レーザ光をパルス化して照射することで、レーザ光のパルスがONのときは加熱、OFFのときは冷却というように、パルスの繰り返しによりはんだ付けを行うことができ、はんだの温度上昇が急激とならないようにコントロールでき、はんだボールの発生が抑えられる。
【0027】
一方、本発明の電子部品のはんだ付け装置は、プリント基板の配線電極上に電子部品のリード端子を設置し、該リード端子の設置部分を加熱してはんだ付けする電子部品のはんだ付け装置において、レーザ光を集光して所定箇所に照射するレーザ光照射手段と、不活性ガスあるいは還元性ガスよりなる加熱されたシールドガスを所定箇所に吹き付けるシールドガス吹き付け手段とを備え、前記シールドガス吹き付け手段の吹き出し口は、細長いスリット状をなし、前記レーザ光照射手段は、レーザ光を線状ビームとなるように集光させる集光手段を有し、この集光手段によって形成される線状ビームの光軸が前記シールドガス吹き付け手段の吹き出し口内に配置され、前記シールドガス吹き付け手段の吹き出し口と、この吹き出し口内に光軸を有する前記線状ビームとを、一緒に回転させる回転装置を有し、前記シールドガスをはんだ付けすべき箇所に吹き付けて、はんだの溶融温度よりも100〜10℃低い温度まで加熱し、その状態で前記レーザ光を前記はんだ付けすべき箇所にパルス化して照射するように構成されていることを特徴とする。
【0028】
本発明のはんだ付け装置によれば、はんだ接続部にレーザ光を照射する際、該接続部が不活性ガスあるいは還元性ガスよりなる加熱されたシールドガスで覆われ無酸化雰囲気となっている。これにより、接続部表面の新たな酸化が抑制される。
【0029】
また、加熱されたシールドガスの吹き付けの併用によって、接続部とその周辺が予熱又は余熱されるので、従来のレーザ光のみを用いたはんだ付けに比べて局所的急加熱が緩和される。これにより、はんだボールの飛び散りが抑制されるだけでなく、温度分布のばらつきを防ぐことができるので、はんだのぬれ性が向上する。
【0030】
また、シールドガスの吹き出し口の形状を細長いスリット状にしたことにより、電子部品から突出する複数のリード端子の列の全体を覆うようにして、加熱されたシールドガスが吹き付けられる。これにより、従来のレーザ光の照射によるはんだ付けの対象となっているリード端子の接続部とその周辺のみに、スポット的に加熱されたシールドガスを吹き付ける装置に比べて、各リード端子の周辺のより広い領域が予熱又は余熱される。したがって、各リード端子の接続部がより安定して予熱又は余熱されるとともに、各リード端子毎の予熱又は余熱の温度がより均一化される。
【0031】
以上より、本発明のはんだ付け装置では、電子部品から突出する複数のリード端子の接続部に対して、はんだボールの飛び散りの抑制、及び、はんだのぬれ性の向上を、より安定に、ばらつきなく行うことができる。
【0032】
また、本発明のはんだ付け装置によれば、レーザ光照射手段によって照射されるレーザ光の光軸と、シールドガス吹き付け手段による加熱されたシールドガスの吹き付け方向とを一致させることができるので、シールドガスの吹き付け位置が把握しやすくなり、位置調整が容易となり、ガス流が電子部品の影響を受けないように、例えば垂直等の角度からガスを吹き付けるようにすることができる。
【0033】
また、前記シールドガスの吹き出し口の形状を細長いスリット状にしたことにより、電子部品から突出する複数のリード端子の列に沿って一度にシールドガスを吹き付けて予熱又は余熱し、無酸化雰囲気を形成することができるので、その状態でレーザ光を照射して、複数のリード端子を短時間で効率よくはんだ付けすることができる。
【0034】
また、前記レーザ光照射手段が、レーザ光を線状ビームとなるように集光させる集光手段を有し、この集光手段によって形成される線状ビームの光軸が前記シールドガス吹き付け手段の吹き出し口内に配置されていることにより、電子部品から突出する複数のリード端子を同時に加熱してはんだ付けすることができ、はんだ付けの作業性をより良好にすることができる。
【0035】
また、前記シールドガス吹き付け手段の吹き出し口と、この吹き出し口内に光軸を有する前記線状ビームとを、一緒に回転させる回転手段を有することで、リード端子が電子部品のチップの縦辺と横辺の両方から出ているような場合でも、電子部品等の設置方向を変更せずに、シールドガスの吹き出し口及びレーザ光の線状ビームを回転させるだけで、はんだ付け作業を行うことができる。
【0036】
【発明の実施の形態】
図1、2には、本発明のはんだ付け装置の一実施形態が示されている。
【0037】
図1において、YAGレーザ等のレーザ発振器1は、光ファイバ2を介して集光ユニット3に接続されており、これらが本発明におけるレーザ光照射手段を構成している。レーザ発振器1で出力されたレーザ光4は、光ファイバ2を通して伝送され、集光ユニット3を通して集光される。
【0038】
集光ユニット3のレーザ光出射面には、ガスノズル11が取付けられている。この場合、加熱されたシールドガスの熱が、集光ユニット3側に伝導して熱くならないように、接続境界部にはエアギャップが設けられ、更に断熱材、例えば「デュロストーン」(商品名、ロッシェリンググループ製)が介装されて、熱絶縁がなされている。ガスノズル11の集光ユニット3側の端面は、レーザ光を透過する透明なパネルで覆われ、ガスノズル11の反対側の端面には、シールドガスの吹き出し口を有するノズルチップ16が取付けられている。
【0039】
図2に示すように、ノズルチップ16は、その横断面形状が扁平な板状をなし、その中央にスリット状の吹き出し口19が形成されている。そして、上記吹き出し口19の中央をレーザ光4の光軸が通るようになっている。
【0040】
上記吹き出し口19の大きさは、はんだ付けすべき電子部品の大きさ、形状によって適宜選択すればよいが、通常は、図2(b)における内径の幅a(mm)及び長さb(mm)は、例えばFPICの片側1辺のサイズを幅α(mm)、長さをβ(mm)とすれば、a≧α+2、b≧β+2であることが好ましい。例えば、はんだ付けすべきFPICであるSOP (Small Outline Package) のリードの片側1辺のサイズが幅3(mm)×長さ18(mm)であるとき、上記吹き出し口19のサイズを幅5(mm)×長さ20(mm)とすることにより、SOPの片側1辺の幅及び長さに対応させることができる。
【0041】
ガスノズル11の周面の1箇所には、窒素ガス等のシールドガス14を導入する導入口13が形成されている。また、ガスノズル11の内部には、電気ヒータ12と加熱温度を検出し制御するための熱電対とが配置されており、上記導入口13から導入されたシールドガス14を加熱して高温シールドガス15とし、この高温シールドガス15をノズルチップ16の上記吹き出し口19から噴出するようになっている。
【0042】
また、前記集光ユニット3を通して集光されたレーザ光は、その光軸が上記ガスノズル11のノズルチップ16の吹き出し口19内を通って出力されるようになっている。
【0043】
一方、プリント基板8の表面には配線電極9が形成されており、例えばFPIC(フラットパッケージIC)などの電子部品5のリード端子6が、上記配線電極9の対応する部分に当接するように設置されている。配線電極9のはんだ付け部分には、はんだペーストをスクリーン印刷してなるはんだ層7が予め形成されている。そして、リード端子6と、はんだ層7と、配線電極9とが上下に当接し合った部分が、はんだ付けすべき接合箇所10をなしている。
【0044】
次に、上記はんだ付け装置を用いた本発明によるはんだ付け方法の一実施形態を説明する。
【0045】
電子部品5の両側から延出する複数本のリード端子6を、プリント基板8の配線電極9の対応する部分に当接するように位置決めして、電子部品5をプリント基板8上に載置しておく。なお、配線電極9のはんだ付けすべき箇所には前記はんだ層7が形成されており、リード端子6は、このはんだ層7を介して配線電極9上に載置される。また、はんだ層7のはんだ材としては、通常使用される共晶はんだ(Pb−Sn)や、鉛フリーはんだなど、電子部品用のはんだ材が用いられる。
【0046】
この状態で、導入口13から窒素ガス等のシールドガス14をガスノズル11内に導入する。シールドガス14は、ガスノズル11内に配置された電気ヒータ12によって好ましくは50〜300℃、より好ましくは150〜250℃に加熱される。そして、ノズルチップ16の吹き出し口19から上記温度の高温シールドガス15が噴出し、上記接合箇所10に吹き付けられる。なお、このときの高温シールドガス15の噴出圧は0.01〜0.5MPa、流速は0.5〜10NL(リットル)/分(ワークの大きさによる)が好ましい。こうして接合箇所10を比較的均一に予熱又は余熱した後、レーザ発振器1からのレーザ照射を行う。
【0047】
すなわち、レーザ発振器1で出力されるレーザ光4は、光ファイバ2を通して集光ユニット3に導入され、集光ユニット3内に配置されたレンズによって集光されて、ガスノズル11の内部を通り、ノズルチップ16の吹き出し口19から出射して、接合箇所10、特にはリード端子6に局所的に照射される。
【0048】
その結果、レーザ光4が照射された部分を中心としてはんだ層7が溶融してぬれ広がり、リード端子6と配線電極9とをはんだ付けする。なお、リード端子6及び配線電極9の表面の酸化膜は、高温シールドガス15の吹き付けとレーザ光4の照射とフラックスとによって、はんだ付け前に焼失、除去される。また、レーザ光4が照射される部分は、高温シールドガス15が吹き付けられる領域となっているので、加熱部分が常に窒素ガス等のシールドガスでシールドされ、酸化等が防止される。
【0049】
また、本発明においては、ノズルチップ16の吹き出し口19から吹き出す高温シールドガス15が、細長いガス吹き付け領域22を形成し、SOPのリード端子の1辺分をガスシールドすることができる。この状態でレーザ光4を移動させながらリード端子に順次照射して、はんだ付けを行うことができる。
【0050】
なお、レーザ光4を移動させるに伴ってガス吹き付け領域22も移動するので、ガス吹き付け領域22が1辺のリード端子の全てを常にガスシールドするわけではないが、実際上はこれで十分である。なお、ガス吹き出し口19の長さをもっと長くしてレーザ光4の移動に対して常に完全ガスシールドできるようにしてもかまわない。
【0051】
更に、レーザ光4の光軸が高温シールドガス15のノズルチップ16の吹き出し口19内に配置されているので、レーザ光4によって高温シールドガス15の吹き付け方向を目視で確認することができ、位置調整がしやすい。また、高温シールドガス15の吹き付け方向とレーザ光4の光軸とが同じになるので、高温シールドガス15のガス流が電子部品5によって影響を受けない角度、例えば垂直方向等から吹き付けることができる。
【0052】
なお、上記レーザ光4の出力は特に限定されないが、通常1〜40W(ワークの種類、大きさによる)が好ましい。
【0053】
また、YAGレーザ等を用いたレーザ発振は、通常、連続発振(CW)で行われているが、図4に示すように、レーザ出力をパルス化することもできる。このように、レーザ出力をパルス化すると、レーザ光がONのときに溶融、OFFのときに冷却となる。また、このパルスの繰り返し周波数(Hz)、あるいはパルスON時間の設定により、はんだの溶融温度が制御しやすくなるため、急激な温度上昇が抑えられ、はんだボールが発生するのを抑制して、はんだ付け部の品質を向上させることができる。
【0054】
なお、レーザ出力をパルス化するための内部シャッターとしては、メカシャッターでON、OFFするもの、電気的シャッターでON、OFFするものなどがある。
【0055】
図3には、本発明のはんだ付け装置の更に他の実施形態が示されている。
このはんだ付け装置は、集光手段としてシリンドリカルレンズ25を用い、集光ユニット23で、コリメートされた円形断面のレーザ光24を、シリンドリカルレンズ25により集光して横断面が線状のレーザ光26にしている。また、ガスノズル27のノズルチップ28を細長の長方形状のガス吹き出し口29にし、高温シールドガス30を上記ガス吹き出し口29から吹き出すようにしている。そして、上記線状のレーザ光26が、上記ガス吹き出し口29の中央を通って高温シールドガス30の吹き出し領域31内に照射されるようになっている。なお、上記の集光手段はシリンドリカルレンズに限定されるものではなく、レーザ光の横断面が線状となるように集光させるものであればよい。
【0056】
このはんだ付け装置を用いてはんだ付けする場合には、線状のレーザ光26を照射することにより、例えばFPICの多数のリード端子の片側1辺を1度にはんだ付けすることができる。また、高温シールドガス30のガス吹き付け領域31内にレーザ光26が照射されるので、無酸化雰囲気にて、かつ、予熱又は余熱された状態で、高速、高効率に、しかも高品質のはんだ付けが可能となる。
【0057】
なお、本発明においては、高温シールドガスの出力(熱エネルギー)を、レーザ光の出力(熱エネルギー)よりも大きくし、はんだ付け部分を高温シールドガスによって主として加熱し、レーザ光の照射による加熱を補助的に用いてはんだ付けを行うことができる。
【0058】
すなわち、例えば図1において、プリント基板8上へFPIC等の電子部品5のはんだ付けする場合、高温シールドガス15を接合箇所10に直接吹き付けて、はんだの溶融温度よりも100〜10℃低い温度、より好ましくは70〜20℃低い温度まで加熱しておき、その状態で補助的にレーザ光を照射してはんだを溶融させ、はんだ付けを行うことができる。このようなはんだ付けを行うと、高温シールドガスによって均一に加熱された領域のうち、接合箇所の中心部にレーザ光を照射することによって局所的に迅速に高温となるため、より速いはんだ付けが可能となり、熱エネルギーが無駄なく効率よく利用される。また、接合箇所10を過度に加熱してしまうことが防止され、はんだボールの発生を抑制し、はんだのぬれ性も向上させることができる。
【0059】
また、レーザ発振器としては、YAGレーザに限らず、熱エネルギー加工が可能であれば、他のレーザを使用することもできる。また、通常のCW・YAGレーザであってもよいが、パルス出力させる場合には市販のノーマルパルスYAGレーザを使用することもできる。ノーマルパルスYAGレーザは、ピーク出力が高いため、はんだ付けに使用されたことはなかったが、レーザの出力(平均出力、パワー密度、エネルギー密度)を極めて低く抑えることによって、はんだ付け用レーザへの転用が可能である。
【0060】
更に、前記実施形態では、レーザ光の伝送手段として光ファイバを用いたが、伝送手段はこれに限るものではなく、例えば空中伝送(例えばミラーによる反射の伝送)などの手段を用いることもできる。
【0061】
更にまた、シールドガスとしては、不活性ガスあるいは還元性ガスのいずれでもよい。また、シールドガスとして用いる不活性ガスは、上述の窒素ガスに限らず、無酸化ガスであるヘリウムガス、アルゴンガスでもよい。また、シールドガスとして用いる還元性ガスは、例えば水素ガスでもよく、また、上記のような窒素ガス等の不活性ガスと水素ガス等の還元性ガスとの混合ガスでもよい。
【0062】
更にまた、プリント基板にはんだ付けする電子部品としては、FPICに限らず、その他のIC、チップ抵抗器、電解コンデンサなどに適用することも可能である。
【0063】
図5(a)、(b)には、本発明のはんだ付け装置の更に他の実施形態が示されている。同図(a)に示すように、このはんだ付け装置は、図3に示したはんだ付け装置の構成において、集光ユニット23とガスノズル27とを一体化して、レンズ・ガスノズル・ユニット32を構成し、図示しない駆動機構によって、このレンズ・ガスノズル・ユニット32を、レーザ光軸33を中心として回転可能な構造としたものである。
【0064】
すなわち、シリンドリカルレンズ25が、光軸33を中心に任意の方向に回転することができ、そのときにガスノズル27も一体となって同一方向に回転するようになっている。また、円形のレーザ光24は、シリンドリカルレンズ25で集光されてレーザ光26となり、最後に線状ビーム34となって照射されるが、この線状ビーム34も、シリンドリカルレンズ25の回転により、同一方向に回転する。
【0065】
したがって、同図(b)に示すように、電子部品、例えばFPIC35の各辺からリード線が出ている場合でも、各辺の方向に合わせてレンズ・ガスノズル・ユニット32を回転させることにより、細長の長方形状のガス吹き出し口29及びレーザ光26の線状ビーム34を、各辺のリード線の配列方向に一致させることができる。
【0066】
すなわち、FPIC35の1つの辺から突出する複数のリード線36の配列方向37に沿うように、ガス吹き出し口29及び線状ビーム34を配置してはんだ付けを行った後、それと直角方向の他の辺から突出する複数のリード線38の配列方向39に沿うように、ガス吹き出し口29及び線状ビーム34を配置し直してはんだ付けすることができ、この作業を繰り返すことによって、FPIC35の配置等を変えずに、全てのリード線を効率よくはんだ付けすることができる。
【0067】
【実施例】
図1に示したはんだ付け装置を用い、プリント基板8の配線電極9上に載置されたFPICからなる電子部品5のリード端子6を、配線電極9上に予め形成されたはんだ層7を介してはんだ付けした。なお、この実施例では、はんだ層7のはんだ材は、電子部品用のはんだ材のうち、Sn−Ag−Cu系の鉛フリーはんだとした。このはんだ材の溶融温度は220〜221℃程度である。
【0068】
シールドガス14としては、窒素ガスを用い、この窒素ガスを電気ヒータ12で250℃に加熱し、ノズルチップ16の吹き出し口から、圧力0.2MPa、流速1.5NL/分の条件で吹き付けた。
【0069】
一方、レーザ発振器1としては、YAGレーザを用い、10Wの出力のレーザ光を、0.3秒(リード端子当り)の条件で照射した。
【0070】
はんだ付けに際しては、まず、上記シールドガス14を吹き付けて、はんだ付けすべき箇所を上記はんだ層7の溶融温度よりも30℃低い温度に加熱し、その状態で上記レーザ光をはんだ付けすべき箇所の中心にスポット的に照射してはんだを溶融させ、はんだ付けを行った。
【0071】
その結果、はんだ付けの速度は1リード端子当り0.3秒で行うことが可能であり、はんだ付けしたプリント基板8上に、はんだボールの存在は皆無であった。
【0072】
また、シールドガス14の吹き付け方向と、レーザ光4の光軸とが一致しているので、加熱スポットを位置決めすることが容易であった。
【0073】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、電子部品のはんだ付けに際し、レーザ光と高温シールドガスとを併用し、レーザ光の光軸を高温シールドガスのガスノズルの吹き出し口内に配置すると共に、シールドガスの吹き出し口の形状を細長いスリット状にすることによって、電子部品から突出する複数のリード端子の列に沿って一度にシールドガスを吹き付けて予熱又は余熱し、無酸化雰囲気を形成することができるので、その状態でレーザ光を照射して、複数のリード端子を短時間で効率よくはんだ付けすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明によるはんだ付け装置の一実施形態を示す概略構成図である。
【図2】 本発明によるはんだ付け装置の他の実施形態を示し、(a)はガスノズル近傍の部分拡大図、(b)は(a)のA−A矢示線に沿った断面図である。
【図3】 本発明によるはんだ付け装置の更に他の実施形態を示す集光ユニット近傍の部分拡大斜視図である。
【図4】 本発明におけるレーザ光のパルス出力の一例を示す図表である。
【図5】 本発明によるはんだ付け装置の更に他の実施形態を示し、(a)は集光ユニット近傍の部分拡大斜視図、(b)は電子部品の斜視図である。
【符号の説明】
1:レーザ発振器
2:光ファイバー
3、23:集光ユニット
4、24、26:レーザ光
5:電子部品
6:リード端子
7:はんだ層
8:プリント基板
9:配線電極
10:接合箇所
11、27:ガスノズル
12:電気ヒータ
13:導入口
14:シールドガス
15:高温シールドガス
16、28:ノズルチップ
19、29:ガス吹き出し口
25:シリンドリカルレンズ
32:レンズ・ガスノズルユニット
33:光軸
34:線状ビーム
35:FPIC
36、38:リード線
Claims (2)
- プリント基板の配線電極上に電子部品のリード端子を設置し、該リード端子の設置部分にレーザ光を照射すると共に、不活性ガスあるいは還元性ガスよりなる加熱されたシールドガスを吹き付けてはんだ付けを行う電子部品のはんだ付け方法において、
前記シールドガスの吹き出し口の形状を細長いスリット状にすると共に、前記レーザ光を線状ビームとなるように集光させる集光手段を設けて、その光軸を前記シールドガスの吹き出し口内に配置し、
前記シールドガスをはんだ付けすべき箇所に吹き付けて、はんだの溶融温度よりも100〜10℃低い温度まで加熱し、その状態で前記レーザ光を線状ビームとなるように集光させつつ、前記シールドガスの吹き出し口内を通過させて前記はんだ付けすべき箇所にパルス化して照射し、
前記リード端子の配列方向に合わせて、前記シールドガスの吹き出し口を回転させると共に、前記レーザ光の線状ビームも該吹き出し口と一緒に回転させることを特徴とする電子部品のはんだ付け方法。 - プリント基板の配線電極上に電子部品のリード端子を設置し、該リード端子の設置部分を加熱してはんだ付けする電子部品のはんだ付け装置において、
レーザ光を集光して所定箇所に照射するレーザ光照射手段と、
不活性ガスあるいは還元性ガスよりなる加熱されたシールドガスを所定箇所に吹き付けるシールドガス吹き付け手段とを備え、
前記シールドガス吹き付け手段の吹き出し口が細長いスリット状をなし、
前記レーザ光照射手段は、レーザ光を線状ビームとなるように集光させる集光手段を有し、この集光手段によって形成される線状ビームの光軸が前記シールドガス吹き付け手段の吹き出し口内に配置され、
前記シールドガス吹き付け手段の吹き出し口と、この吹き出し口内に光軸を有する前記線状ビームとを、一緒に回転させる回転装置を有し、
前記シールドガスをはんだ付けすべき箇所に吹き付けて、はんだの溶融温度よりも100〜10℃低い温度まで加熱し、その状態で前記レーザ光を前記はんだ付けすべき箇所にパルス化して照射するように構成されていることを特徴とする電子部品のはんだ付け装置。
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