JP4023541B2 - リソグラフ用投影装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
*プログラム可能なミラー配列。これは、粘弾性制御層と反射面とを有するマトリックス状アドレスによって指定可能な面を含む。そのような装置の基本原理は、(例えば、)反射面のアドレス指定された領域が入射光を回析光として反射し、指定されなかった領域が入射光を非回析光として反射することである。適切な空間フィルタを用いることによって、この非回析光を反射ビームから除去し、回析光だけを残して基板に到達させることができる。このようにして、ビームは、マトリックス状アドレスによって指定可能な面のアドレス指定パターンに従ったパターンに形成される。格子状光バルブ(GLV)の配列を同様な方法で用いることも可能である。各々のGLVは、入射光を回析光として反射する格子を形成するために、互いに変形可能な複数の反射リボンを含む。プログラム可能なミラー配列のさらに別の形態は、小型ミラーのマトリックス状配置を採用しており、各小型ミラーは、適当な局部電界を印加する、または、圧電駆動手段を採用することによって、軸を中心にして個別に傾斜することができる。ここでもミラーはマトリックス状アドレスによって指定可能であり、アドレス指定されたミラーは、入射放射線ビームを異なる方向の、アドレス指定されなかったミラーに向けて反射する。このようにして、反射ビームは、マトリックス状アドレスによって指定可能なミラーのアドレス指定パターンに従ったパターンに形成される。必要なマトリックスによるアドレス指定は、適当な電子手段を用いることにより実施可能である。上に説明した両方の場合に、プログラム可能なパターン形成手段は一以上のプログラム可能なミラー配列を含むことができる。ここで説明したミラー配列に関するさらなる情報については、例えば、米国特許第5296891号と同第5523193号、および、PCT特許出願WO98/38597号と同WO98/33096号から調べ出すことが可能であり、それらの全記載内容を本明細書の記載内容としてここに援用する。
*プログラム可能なLCD配列。そのような構成の例は米国特許第5229872号に記載されており、その全記載内容を本明細書の記載内容としてここに援用する。
(1)放射線の投影ビームPB(例えば、UV放射)を供給するための放射系Ex,IL。本具体例では、放射源LAも含む。
(2)投影ビームにパターンを形成するためのプログラム可能なパターン形成手段PPM(例えば、プログラム可能なミラー配列)。一般に、プログラム可能なパターン形成手段の位置は、構成要素PLに対して固定されるが、代わって、構成要素PLに対して正確に位置決めするための位置決め手段に結合してもよい。
(3)基板W(例えば、レジスト被覆シリコンウェハ)を保持する基板保持部材を有し、構成要素PLに対して基板を正確に位置決めするための位置決め手段に結合される目標物テーブル(基板テーブル)WTを含む。
(4)パターン化されたビームを、基板Wの(例えば、ダイを含む)目標部分Cに投影するための投影系(レンズ)PL(例えば、クォーツおよび/またはCaF2レンズ系、または、そのような材料で作られたレンズ素子またはミラー系を含む反射屈折光学系)。投影系は、プログラム可能なパターン形成手段の像を基板上に投影してもよい。代替的に、プログラム可能なパターン形成手段の素子をシャッターとして働かせることにより、二次光源の像を、投影系が投影してもよい。また、投影系は、例えば二次光源を形成してマイクロスポットを基板上に投影するための(MLAとして知られる)マイクロレンズ配列を含んでもよい。
1.ステップ方式:プログラム可能なパターン形成手段の全パターンが、一回(すなわち、一回のフラッシュ)で目標部分Cに投影される。次に、基板テーブルWTが、x方向および/またはy方向に移動させられて異なる位置に配置され、別の目標部分CにビームPBが照射される。
2.走査方式:本質的にはステップ方式と同じであるが、所定の目標部分Cの露光は一回のフラッシュだけではない。プログラム可能なパターン形成手段が、所定の方向(いわゆる走査方向、例えば、y方向)にスピードvで移動可能であり、投影ビームPBがプログラム可能なパターン形成手段を走査するとともに、基板テーブルWTが、同時に、同一方向または反対方向にスピードV=Mvで動かされる。ここに、MはレンズPLの倍率である。このようにして、解像度を犠牲にすることなく、比較的大きい目標部分Cを露光することできる。
3.パルス方式:プログラム可能なパターン形成手段が本質的には静止状態に維持され、パルスを発生する放射源を用いて、全パターンが基板の目標部分Cに投影される。基板テーブルWTは本質的には一定のスピードで動かされ、投影ビームPBが、基板Wを横断する線を走査する。プログラム可能なパターン形成手段のパターンは、放射系のパルスの間に必要に応じて更新され、また、パルスの間隔は、連続した目標部分Cが基板の必要位置に露光されるように設定されている。それ故に、投影ビームが、基板Wを横断するように走査し、基板の一線について完全なパターンを転写露光する。この工程は、一線づつの露光により基板全体の露光が完了するまで繰り返される。
4.連続走査方式:本質的にはパルス方式と同じであるが、概ね一定の放射源が用いられ、また、投影ビームが基板全体を走査して露光する間にプログラム可能なパターン形成手段のパターンが更新されるという点が異なる。
Ex 伸長器
IL 照明系(照明器)
PB 投影ビーム
LA 放射源
PPM プログラム可能なパターン形成手段
PL 投影系(レンズ)
WT 目標物テーブル(基板テーブル)
W 基板
C 目標部分
AM 調整手段
IN インテグレータ
CO コンデンサ
IF 干渉計測手段
V1 電圧
V2 電圧
V 電圧
1 ピクセル素子
2 光電材料から成る第一層
3 光電材料から成る第二層
4 放射線ビーム
5 放射線ビーム
7 反射層
11 反射層(面)
15 放射線ビーム
20 ピクセル素子
21 アクチュエータ
22 電極
Claims (6)
- 投影放射線ビームを供給する放射系と、
前記投影ビームを所望のパターンに形成するプログラム可能なパターン形成手段と、
基板を保持する基板テーブルと、
パターンが形成された前記ビームを前記基板の目標部分に投影する投影系とを含むリソグラフ用投影装置において、
前記プログラム可能なパターン形成手段が、個別にアドレス指定可能な複数のピクセルを含み、その各々が、入射放射線の振幅と位相の両方を変調するために使用可能な単一の独立素子で形成され、さらに、少なくとも一つのピクセル素子が、固体の光電材料層からなる第一層と、複屈折を変化させるための第一の電圧を前記固体の光電材料に選択的に印加するための電極、及び固体の光電材料から成る第二層と、複屈折を変化させるための第二の電圧を前記固体の光電材料から成る第二層に選択的に印加するための電極とを含み、前記第二層の異常光軸が、前記固体の光電材料から成る第一層の異常光軸に対して直角であり、
前記投影系が、少なくとも一つのピクセルからの放射線を、その偏光に応じて減衰させる偏光フィルタを含むことをを特徴とするリソグラフ用投影装置。 - 前記少なくとも一つのピクセル素子の前記固体の光電材料に付着された反射材層をさらに含み、前記固体の光電材料を通過して伝送された放射線を反射する請求項1に記載されたリソグラフ用投影装置。
- 前記固体の光電材料層のうちの少なくとも一層が、ADP、AD*P、KDT、およびKD*Pのいずれかを用いて形成される請求項1または請求項2に記載されたリソグラフ用投影装置。
- 前記固体の光電材料層のうちの少なくとも一層の温度を、キュリー温度よりも僅かに高い温度にするための制御手段をさらに含む請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載されたリソグラフ用投影装置。
- 個別にアドレス指定可能な複数のピクセルを含み、その各々が、入射放射線の振幅と位相の両方を変調するために使用可能な単一の独立素子で形成されているプログラム可能なパターン形成手段において、少なくとも一つのピクセル素子が、固体の光電材料層からなる第一層と、複屈折を変化させるための第一の電圧を前記固体の光電材料に選択的に印加するための電極、及び固体の光電材料から成る第二層と、複屈折を変化させるための第二の電圧を前記固体の光電材料から成る第二層に選択的に印加するための電極とを含み、前記第二層の異常光軸が、前記固体の光電材料から成る第一層の異常光軸に対して直角であり、少なくとも一つのピクセルからの放射線を、その偏光に応じて減衰させる偏光フィルタを通過させて基板に投影するプログラム可能なパターン形成手段。
- 基板を配置する段階と、
放射系を用いて投影放射線ビームを投影する段階と、
投影ビームにパターンを形成するためにプログラム可能なパターン形成手段を使用する段階と、
パターンが形成された放射線ビームを基板の目標部分に投影する段階とを含むデバイス製造方法において、
前記プログラム可能なパターン形成手段が、個別にアドレス指定可能な複数のピクセルを含み、その各々が、入射放射線の振幅と位相の両方を変調するために使用可能な単一の独立素子で形成され、少なくとも一つのピクセル素子が、固体の光電材料層からなる第一層と、複屈折を変化させるための第一の電圧を前記固体の光電材料に選択的に印加するための電極と、及び固体の光電材料から成る第二層と、複屈折を変化させるための第二の電圧を前記固体の光電材料から成る第二層に選択的に印加するための電極とを含み、前記第二層の異常光軸が、前記固体の光電材料から成る第一層の異常光軸に対して直角であり、
さらに、入射放射線の振幅と位相の両方を変調するために、前記ピクセル素子の各々を制御するとともに少なくとも一つのピクセルからの放射線をその偏光に応じて減衰させる偏光フィルタを通過させる段階が含まれることを特徴とするデバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP02258163 | 2002-11-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004214625A JP2004214625A (ja) | 2004-07-29 |
JP4023541B2 true JP4023541B2 (ja) | 2007-12-19 |
Family
ID=32731513
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003394959A Expired - Fee Related JP4023541B2 (ja) | 2002-11-27 | 2003-11-26 | リソグラフ用投影装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7141340B2 (ja) |
JP (1) | JP4023541B2 (ja) |
KR (1) | KR100589232B1 (ja) |
CN (1) | CN100357830C (ja) |
SG (1) | SG115590A1 (ja) |
TW (1) | TWI243969B (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG115590A1 (en) * | 2002-11-27 | 2005-10-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
US7012674B2 (en) * | 2004-01-13 | 2006-03-14 | Asml Holding N.V. | Maskless optical writer |
US7500218B2 (en) * | 2004-08-17 | 2009-03-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, method, and computer program product for generating a mask pattern and device manufacturing method using same |
WO2006047127A1 (en) * | 2004-10-21 | 2006-05-04 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Optical lens elements, semiconductor lithographic patterning apparatus, and methods for processing semiconductor devices |
US20060232753A1 (en) * | 2005-04-19 | 2006-10-19 | Asml Holding N.V. | Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow |
US7268357B2 (en) * | 2005-05-16 | 2007-09-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography apparatus and method |
US7508491B2 (en) * | 2006-04-12 | 2009-03-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilized to reduce quantization influence of datapath SLM interface to dose uniformity |
DE102007028371B4 (de) * | 2007-06-13 | 2012-05-16 | Seereal Technologies S.A. | Einrichtung zur Lichtmodulation |
US8514475B2 (en) * | 2010-10-27 | 2013-08-20 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Electro-optic device with gap-coupled electrode |
US9645502B2 (en) | 2011-04-08 | 2017-05-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, programmable patterning device and lithographic method |
TWI467162B (zh) * | 2011-04-18 | 2015-01-01 | Ind Tech Res Inst | 電光調變裝置、電光檢測器及其檢測方法 |
US8975601B1 (en) | 2013-11-25 | 2015-03-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for electron beam lithography |
US8969836B1 (en) | 2013-11-26 | 2015-03-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for electron beam lithography |
US9690208B2 (en) | 2013-12-10 | 2017-06-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Mirror array in digital pattern generator (DPG) |
US10437082B2 (en) * | 2017-12-28 | 2019-10-08 | Tetravue, Inc. | Wide field of view electro-optic modulator and methods and systems of manufacturing and using same |
KR102568796B1 (ko) | 2018-06-15 | 2023-08-21 | 삼성전자주식회사 | 광변조 소자 및 이를 포함하는 장치 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5523193A (en) * | 1988-05-31 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for patterning and imaging member |
DE69128103T2 (de) * | 1990-04-05 | 1998-04-02 | Seiko Epson Corp | Optische Vorrichtung |
EP0527166B1 (de) * | 1990-05-02 | 1995-06-14 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewandten Forschung E.V. | Belichtungsvorrichtung |
JP3257556B2 (ja) * | 1990-09-21 | 2002-02-18 | セイコーエプソン株式会社 | 光学装置 |
US6392689B1 (en) * | 1991-02-21 | 2002-05-21 | Eugene Dolgoff | System for displaying moving images pseudostereoscopically |
US5229872A (en) * | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
EP0824722B1 (en) * | 1996-03-06 | 2001-07-25 | Asm Lithography B.V. | Differential interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system |
WO1998028665A1 (en) * | 1996-12-24 | 1998-07-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device |
US5998069A (en) * | 1998-02-27 | 1999-12-07 | Micron Technology, Inc. | Electrically programmable photolithography mask |
US6261728B1 (en) * | 1998-10-19 | 2001-07-17 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Mask image scanning exposure method |
JP2000330814A (ja) * | 1999-05-19 | 2000-11-30 | Toshiba Corp | 二重化サーバシステム |
JP2002194626A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-07-10 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 炭素繊維、炭素繊維強化複合材料、炭素繊維の製造方法 |
US6619359B2 (en) * | 2001-02-16 | 2003-09-16 | Brooks Automation, Inc. | Pellicle mounting apparatus |
SG115590A1 (en) * | 2002-11-27 | 2005-10-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
-
2003
- 2003-11-24 SG SG200306868A patent/SG115590A1/en unknown
- 2003-11-26 CN CNB2003101240786A patent/CN100357830C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-11-26 JP JP2003394959A patent/JP4023541B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-11-26 KR KR1020030084669A patent/KR100589232B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-11-26 US US10/721,789 patent/US7141340B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-11-26 TW TW092133174A patent/TWI243969B/zh not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-11-13 US US11/595,968 patent/US20070058145A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SG115590A1 (en) | 2005-10-28 |
US20070058145A1 (en) | 2007-03-15 |
KR20040047673A (ko) | 2004-06-05 |
TWI243969B (en) | 2005-11-21 |
CN1503062A (zh) | 2004-06-09 |
JP2004214625A (ja) | 2004-07-29 |
CN100357830C (zh) | 2007-12-26 |
US7141340B2 (en) | 2006-11-28 |
US20040145712A1 (en) | 2004-07-29 |
KR100589232B1 (ko) | 2006-06-14 |
TW200421045A (en) | 2004-10-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20060919 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061127 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070130 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070427 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070529 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070827 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070918 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070925 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101012 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101012 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111012 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111012 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121012 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121012 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131012 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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