JP2005025186A - 光空間変調器、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
光空間変調器、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005025186A JP2005025186A JP2004190785A JP2004190785A JP2005025186A JP 2005025186 A JP2005025186 A JP 2005025186A JP 2004190785 A JP2004190785 A JP 2004190785A JP 2004190785 A JP2004190785 A JP 2004190785A JP 2005025186 A JP2005025186 A JP 2005025186A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- array
- light modulator
- spatial light
- radiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
- G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
Abstract
【解決手段】この光空間変調器PPMの各画素10は、投影ビーム変調素子を形成する可動ミラー11およびミラーのアクチュエータ13が基板16の片側に取付けてあり、その反対側に変調素子を所望のパターンに従ってセットするための画素制御回路装置15が取付けてある。上記回路装置は、D/A変換器、A/D変換器、光ファイバ入力および複数のマイクロプロセッサの少なくとも一つを含むので、光学的データ転送、光空間変調器への圧縮データの送出、データ圧縮の解除、ミラーのアナログ駆動および各画素の自動較正を可能にすると共に、基板16の両面を使うので、この光空間変調器は非常にコンパクトである。
【選択図】図2
Description
放射線の投影ビームを供給するための放射線システム、
この投影ビームを所望のパターンに従ってパターン化するための個々に制御可能な素子のアレイ、
基板を保持するための基板テーブル、および
このパターン化したビームを基板の目標部分上に投影するための投影システム、を含む投影装置に使えるような光空間変調器に関する。
本発明は、光空間変調器、リソグラフィ投影装置およびデバイス製造方法に関する。
基板上に配置した画素のアレイで、各画素が入射放射線ビームを変調するための光変調素子を有するアレイ、および
これらの光変調素子を所望のパターンに従ってセットするための、上記基板の上記光変調素子と反対側に配置した回路装置、を含む変調器に於いて、上記回路装置が、
デジタル・アナログ変換器、
アナログ・デジタル変換器、
光ファイバ入力、および
複数のマイクロプロセッサ、
の少なくとも一つを含むことを特徴とする変調器で達成される。
制御回路装置にアレイの各画素を較正させることも可能である。
放射線の投影ビームを供給するための放射線システム、
この投影ビームを所望のパターンに従ってパターン化するための個々に制御可能な素子のアレイ、
基板を保持するための基板テーブル、および
このパターン化したビームを基板の目標部分上に投影するための投影システム、を含む投影装置に於いて、
上記個々に制御可能な素子のアレイが上に説明したような光空間変調器であることを特徴とする装置を提供する。
基板を用意する工程、
放射線システムを使って放射線の投影ビームを用意する工程、
この投影ビームをパターン化するために個々に制御可能な素子のアレイを使う工程、および
この放射線のパターン化したビームをこの基板の目標部分上に投影する工程、を含む方法に於いて、
上に説明したような光空間変調器を上記個々に制御可能な素子のアレイとして使うことを特徴とする方法を提供する。
− プログラム可能LCDアレイ。そのような構成の例は、米国特許第5,229,872号で与えられ、それを参考までにここに援用する。
放射線(例えば、UV放射線)の投影ビームPBを供給するための照明システム(照明器)IL、
この投影ビームにパターンを付けるための個々に制御可能な素子のアレイPPM(例えば、プログラム可能ミラーアレイ)、一般的に個々に制御可能な素子のアレイの位置は、部材PLに関して固定であるが、その代りに部材PLに関して正確に位置決めするために位置決め手段に結合してもよい、
基板(例えば、レジストを塗被したウエハ)Wを保持し、且つこの基板を部材PLに関して正確に位置決めするために位置決め手段PWに結合された基板テーブル(例えば、ウエハテーブル)WT、および
個々に制御可能な素子のアレイPPMによって投影ビームPBに与えたパターンを基板Wの目標部分C(例えば、一つ以上のダイを含む)上に結像するための投影システム(“レンズ”)PLを含み、この投影システムは、個々に制御可能な素子のアレイを基板上に結像してもよい、その代りに、この投影システムは、個々に制御可能な素子のアレイの素子がシャッタとして作用する二次源を結像してもよい。この投影システムは、例えば、二次源を作り且つマイクロスポットを基板上に結像するために、マイクロレンズアレイ(MLAとして知られる)またはフレネルレンズアレイのような集束素子のアレイも含んでよい。
1.ステップモード:個々に制御可能な素子のアレイが全パターンを投影ビームに与え、それを目標部分C上に一度に(即ち、単一静的露出で)投影する。次に基板テーブルWTをXおよび/またはY方向に移動して異なる目標部分Cを露出できるようにする。ステップモードでは、露出領域の最大サイズが単一静的露出で結像する目標部分Cのサイズを制限する。
2.走査モード:個々に制御可能な素子のアレイが与えられた方向(所謂“走査方向”、例えば、Y方向)に速度vで動き得て、それで投影ビームPBがこの個々に制御可能な素子のアレイの上を走査させられ、同時に、基板テーブルWTがそれと共に同じまたは反対方向に速度V=Mvで動かされ、このMはレンズPLの倍率である。走査モードでは、露出領域の最大サイズが単一動的露出での目標部分の幅(非走査方向の)を制限し、一方走査運動の長さが目標部分の高さ(走査方向の)を決める。
3.パルスモード:個々に制御可能な素子のアレイを本質的に固定し、パルス化した放射線源を使って全パターンを目標部分C上に投影する。基板テーブルWTをほぼ一定速度で動かして投影ビームPBに基板Wを横切る線を走査させるようにする。個々に制御可能な素子のアレイ上のパターンを放射線システムのパルス間で必要に応じて更新し、これらのパルスは、連続する目標部分Cを基板上の必要な場所で露出するように時間が決めてある。従って、投影ビームは、基板のストリップに対して完全なパターンを露出するために基板Wを横切って走査できる。完全な基板を1行ずつ露出するまでこのプロセスを繰返す。
4.連続走査モード:実質的に一定の放射線源を使い、個々に制御可能な素子のアレイ上のパターンを投影ビームが基板を横切って走査し且つそれを露出するとき更新することを除いて、本質的にパルスモードと同じである。
上記説明の使用モードの組合せおよび/または変形または全く異なった使用モードも使ってよい。
一つ以上のアナログ・デジタル(A/D)変換器、
一つ以上のデジタル・アナログ(D/A)変換器、および
一つ以上のCPU。
これらは、圧縮データのSLMへの送出および各画素の自動較正を可能にする。
16 基板
BD ビーム送出システム
C 目標部分
IL 照明システム
PB 投影ビーム
PL 投影システム
PPM 個々に制御可能な素子のアレイ
SO 線源
W 基板
WT 基板テーブル
Claims (5)
- 基板(16)上に配置した画素(10)のアレイであって、各画素(10)が入射放射線ビームを変調するための光変調素子を有するアレイ、および
光変調素子を所望のパターンに従ってセットするための、前記基板(16)の前記光変調素子と反対側に配置した回路装置、を含む光空間変調器に於いて、前記回路装置が、
デジタル・アナログ変換器、
アナログ・デジタル変換器、
光ファイバ入力、および
複数のマイクロプロセッサ、
の少なくとも一つを含むことを特徴とする光空間変調器。 - 前記制御回路装置が外部源から供給される圧縮したパターンデータを圧縮解除するように機能する請求項1に記載された光空間変調器。
- 前記制御回路装置がこのアレイの各画素(10)を較正するように機能する請求項1または請求項2に記載された光空間変調器。
- 放射線の投影ビーム(PB)を供給するための放射線システム(SO、BD、IL)、
投影ビーム(PB)を所望のパターンに従ってパターン化するための個々に制御可能な素子のアレイ(PPM)、
基板(W)を保持するための基板テーブル(WT)、および
パターン化したビームを基板(W)の目標部分(C)上に投影するための投影システム(PL)、を含むリソグラフィ投影装置に於いて、
前記個々に制御可能な素子のアレイ(PPM)が請求項1ないし請求項3の何れか一項に記載された光空間変調器であることを特徴とするリソグラフィ投影装置。 - 基板(W)を用意する工程、
放射線システム(SO、BD、IL)を使って放射線の投影ビーム(PB)を用意する工程、
この投影ビーム(PB)をパターン化するために個々に制御可能な素子のアレイ(PPM)を使う工程、および
この放射線のパターン化したビームを上記基板(W)の目標部分(C)上に投影する工程、を含むデバイス製造方法に於いて、
請求項1ないし請求項3の何れか一項に記載された光空間変調器を前記個々に制御可能な素子のアレイ(PPM)として使うことを特徴とするデバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP03254140 | 2003-06-30 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005025186A true JP2005025186A (ja) | 2005-01-27 |
Family
ID=34089737
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004190785A Pending JP2005025186A (ja) | 2003-06-30 | 2004-06-29 | 光空間変調器、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7154587B2 (ja) |
JP (1) | JP2005025186A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006309243A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Asml Holdings Nv | スーパーピクセル形式の可傾ミラーを用いた光パターン形成装置 |
JP2009075557A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-04-09 | Carl Zeiss Smt Ag | リソグラフィのための複数のアクチュエータおよび照明装置を制御する方法および装置 |
JP2010045381A (ja) * | 2005-06-15 | 2010-02-25 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、デバイス製造装置、これによって製造されるデバイスおよび分散型デジタル・アナログ変換による空間光変調器を用いる制御可能なパターニング装置 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7310287B2 (en) | 2003-05-30 | 2007-12-18 | Fairfield Industries Incorporated | Method and apparatus for seismic data acquisition |
US7154587B2 (en) * | 2003-06-30 | 2006-12-26 | Asml Netherlands B.V | Spatial light modulator, lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7583429B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-09-01 | Idc, Llc | Ornamental display device |
US7317568B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-01-08 | Idc, Llc | System and method of implementation of interferometric modulators for display mirrors |
US7457547B2 (en) * | 2004-11-08 | 2008-11-25 | Optium Australia Pty Limited | Optical calibration system and method |
US7145636B2 (en) * | 2004-12-28 | 2006-12-05 | Asml Netherlands Bv | System and method for determining maximum operational parameters used in maskless applications |
EP1856654A2 (en) * | 2005-01-28 | 2007-11-21 | ASML Holding N.V. | Method and system for a maskless lithography rasterization tecnique based on global optimization |
US7528933B2 (en) * | 2006-04-06 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a MEMS mirror with large deflection using a non-linear spring arrangement |
US8052289B2 (en) * | 2006-06-07 | 2011-11-08 | Asml Netherlands B.V. | Mirror array for lithography |
US7936445B2 (en) * | 2006-06-19 | 2011-05-03 | Asml Netherlands B.V. | Altering pattern data based on measured optical element characteristics |
US7852491B2 (en) | 2008-03-31 | 2010-12-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Human-readable, bi-state environmental sensors based on micro-mechanical membranes |
US8077326B1 (en) | 2008-03-31 | 2011-12-13 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Human-readable, bi-state environmental sensors based on micro-mechanical membranes |
US8711361B2 (en) * | 2009-11-05 | 2014-04-29 | Qualcomm, Incorporated | Methods and devices for detecting and measuring environmental conditions in high performance device packages |
WO2013131071A1 (en) | 2012-03-02 | 2013-09-06 | Silicon Light Machines Corporation | Driver for mems spatial light modulator |
KR102262216B1 (ko) | 2014-05-07 | 2021-06-08 | 삼성전자주식회사 | 광변조기 및 이를 적용한 디지털 노광 장치 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5523193A (en) | 1988-05-31 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for patterning and imaging member |
JP3245655B2 (ja) * | 1990-03-05 | 2002-01-15 | インキサイト ソフトウェア インコーポレイテッド | 作業スペースの表示処理方法 |
US5296891A (en) | 1990-05-02 | 1994-03-22 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Illumination device |
US5159225A (en) * | 1991-10-18 | 1992-10-27 | Aura Systems, Inc. | Piezoelectric actuator |
US5229872A (en) | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
US6219015B1 (en) | 1992-04-28 | 2001-04-17 | The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University | Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images |
JP3224041B2 (ja) | 1992-07-29 | 2001-10-29 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置 |
US5537234A (en) * | 1993-01-19 | 1996-07-16 | Hughes Aircraft Company | Relective liquid crystal display including driver devices integrally formed in monocrystalline semiconductor layer and method of fabricating the display |
US5729331A (en) | 1993-06-30 | 1998-03-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
US5552923A (en) * | 1993-10-20 | 1996-09-03 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Array of electrodisplacive actuated mirrors and method for the manufacture thereof |
JP3339149B2 (ja) | 1993-12-08 | 2002-10-28 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置ならびに露光方法 |
US5677703A (en) | 1995-01-06 | 1997-10-14 | Texas Instruments Incorporated | Data loading circuit for digital micro-mirror device |
US5530482A (en) | 1995-03-21 | 1996-06-25 | Texas Instruments Incorporated | Pixel data processing for spatial light modulator having staggered pixels |
WO1997034171A2 (en) | 1996-02-28 | 1997-09-18 | Johnson Kenneth C | Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy |
AU2048097A (en) | 1997-01-29 | 1998-08-18 | Micronic Laser Systems Ab | Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate |
US6177980B1 (en) | 1997-02-20 | 2001-01-23 | Kenneth C. Johnson | High-throughput, maskless lithography system |
SE509062C2 (sv) | 1997-02-28 | 1998-11-30 | Micronic Laser Systems Ab | Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster |
US5982553A (en) | 1997-03-20 | 1999-11-09 | Silicon Light Machines | Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array |
SE9800665D0 (sv) | 1998-03-02 | 1998-03-02 | Micronic Laser Systems Ab | Improved method for projection printing using a micromirror SLM |
US6356340B1 (en) * | 1998-11-20 | 2002-03-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Piezo programmable reticle for EUV lithography |
US6348991B1 (en) | 1999-10-29 | 2002-02-19 | Intel Corporation | Integrated circuit with opposed spatial light modulator and processor |
SE517550C2 (sv) | 2000-04-17 | 2002-06-18 | Micronic Laser Systems Ab | Mönstergenereringssystem användande en spatialljusmodulator |
KR100827874B1 (ko) | 2000-05-22 | 2008-05-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 장치의 제조 방법, 노광 방법, 마이크로 장치의 제조 방법, 및 디바이스의 제조 방법 |
US6687428B2 (en) * | 2000-09-21 | 2004-02-03 | Tera Op (Usa) Inc. | Optical switch |
JP3563384B2 (ja) | 2001-11-08 | 2004-09-08 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 画像記録装置 |
TWI298825B (en) | 2002-06-12 | 2008-07-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6870554B2 (en) | 2003-01-07 | 2005-03-22 | Anvik Corporation | Maskless lithography with multiplexed spatial light modulators |
EP1482373A1 (en) | 2003-05-30 | 2004-12-01 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7154587B2 (en) * | 2003-06-30 | 2006-12-26 | Asml Netherlands B.V | Spatial light modulator, lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
2004
- 2004-06-25 US US10/875,616 patent/US7154587B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-29 JP JP2004190785A patent/JP2005025186A/ja active Pending
-
2006
- 2006-12-21 US US11/642,604 patent/US7321417B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006309243A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Asml Holdings Nv | スーパーピクセル形式の可傾ミラーを用いた光パターン形成装置 |
JP2010045381A (ja) * | 2005-06-15 | 2010-02-25 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、デバイス製造装置、これによって製造されるデバイスおよび分散型デジタル・アナログ変換による空間光変調器を用いる制御可能なパターニング装置 |
JP2009075557A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-04-09 | Carl Zeiss Smt Ag | リソグラフィのための複数のアクチュエータおよび照明装置を制御する方法および装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070097344A1 (en) | 2007-05-03 |
US7154587B2 (en) | 2006-12-26 |
US7321417B2 (en) | 2008-01-22 |
US20050024613A1 (en) | 2005-02-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7321417B2 (en) | Spatial light modulator, lithographic apparatus and device manufacturing method | |
US7116402B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
KR100545297B1 (ko) | 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법 | |
JP4246692B2 (ja) | リソグラフィ投影装置およびデバイス製造方法 | |
JP4011042B2 (ja) | 光空間変調器、放射線ビームを空間変調する方法、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP2006179919A (ja) | リソグラフィ機器及びデバイスの製作方法 | |
EP1628162B1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP2005294837A (ja) | リソグラフィー装置及びデバイス製造方法 | |
JP4394641B2 (ja) | マスクレス適用に用いる最大動作パラメータを決定するためのシステム及び方法 | |
JP2006148140A (ja) | 二重位相ステップエレメントを使用するパターニングデバイスおよびその使用方法 | |
US20100225892A1 (en) | Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method | |
JP4023541B2 (ja) | リソグラフ用投影装置およびデバイス製造方法 | |
JP3920248B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
US20050243298A1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
US7333177B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP2006049904A (ja) | リソグラフィ用のオフアクシス反射屈折投影光学系 | |
JP4087819B2 (ja) | コンピュータ・プログラム、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
USRE45284E1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP4373976B2 (ja) | バイナリ、減衰フェーズシフトおよび交番フェーズシフトマスクをエミュレートするマスクレスリソグラフィ用のシステムおよび装置および方法 | |
US20060126047A1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20060919 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061124 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070313 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070612 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070710 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071204 |